WO2009122608A1

WO2009122608A1 - アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機

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Publication number: WO2009122608A1
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Inventors: 俊英津幡
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Abstract

　走査信号線（１６ｘ）と、これに接続されたスイッチング素子（１２ａ・１２ｂ）と、データ信号線（１５ｘ）とを備え、画素（１００）に、スイッチング素子（１２ａ・１２ｂ）を介してデータ信号線（１５ｘ）に接続された２つの画素電極（１７ａ・１７ｂ）と、容量（Ｃａｃ）を介して画素電極（１７ａ）に接続された画素電極（１７ｃ）とが設けられ、画素（１００）は、これを横切る走査信号線（１６ｘ）によって２つの部分に分けられ、その一方に画素電極（１７ａ）が配されるとともに、他方に画素電極（１７ｂ）が配されている。こうすれば、容量結合型の画素分割方式のアクティブマトリクス基板において、各画素電極の配置の自由度を高めることができる。

Description

アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機

　本発明は、１画素領域に複数の画素電極を設けるアクティブマトリクス基板およびこれを用いた液晶表示装置（画素分割方式）に関する。

　液晶表示装置のγ特性の視野角依存性を向上させる（例えば、画面の白浮き等を抑制する）ため、１画素に設けた複数の副画素を異なる輝度に制御し、これら副画素の面積階調によって中間調を表示する液晶表示装置（画素分割方式、例えば特許文献１参照）が提案されている。

　特許文献１記載のアクティブマトリクス基板では、図３６に示すように、隣り合う２本のゲートバスライン１１２間が画素領域となっており、画素領域の上端（ゲートバスラインに隣接する部分）に画素電極１２１ａが配され、中段に画素電極１２１ｂが配され、画素領域の下端（隣のゲートバスラインに隣接する部分）に画素電極１２１ｃが配され、画素電極１２１ａおよび画素電極１２１ｃが、トランジスタ１１６のソース電極１１６ｓから引き出されたソース引き出し配線１１９に接続され、ソース引き出し配線１１９に接続する制御電極１１８が絶縁層を介して画素電極１１２ｂと重なっており、中段の画素電極１２１ｂは、上下端の画素電極１２１ａ・１２１ｃそれぞれに対して容量結合されている（容量結合型の画素割方式）。このアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置では、画素電極１２１ａ・１２１ｃに対応する副画素それぞれを明副画素、画素電極１２１ｂに対応する副画素を暗副画素とすることができ、これら明副画素（２個）・暗副画素（１個）の面積階調によって中間調を表示することができる。
日本国公開特許公報「特開２００６－３９２９０号公報（２００６年２月９日公開）」

　ここで、画素電極１２１ｂは電気的にフローティング状態であるため、電荷の飛び込み等によって画素の液晶層にＤＣ電圧が印加され（画素電極電位の時間的積分値が対向電位からずれ）、画素が焼き付くおそれがある。この点、図３６のアクティブマトリクス基板では、画素電極１２１ｂをゲートバスラインから離れた中段に配し、かつ該画素電極１２１ｂの周囲を補助容量バスライン１１３から伸びるシールドパターン１４６で囲むことによって画素電極１２１ｂへの電荷の飛び込み等を防止しているが、その結果、画素領域の上下端（ゲートバスラインに隣接する部分）に明副画素用の画素電極を配置する必要がでてくる等、各画素電極の配置が制限されている。

　なお、図３６のアクティブマトリクス基板のように画素領域の上下端それぞれに明副画素用の画素電極を配置すると、これを備えた液晶表示装置（従来の液晶表示装置）において、隣接する２つの画素の一方に属する明副画素の１つと他方に属する明副画素の１つとが隣接し、この隣接する２つの明副画素の距離が、同一画素に属する明副画素同士の距離よりも小さくなる。この場合、別々の画素に属する上記２つの明副画素が同一画素に属するかのように誤って視認され、不自然な表示となってしまうおそれがある。

　一方、図３７のようにして、電気的にフローティング状態である画素電極１３６ａ（暗画素用の画素電極）を画素領域の上端（ゲートバスライン１１２に隣接する部分）に配するとともに、該画素電極１３６ａの周囲を補助容量バスライン１１３から伸びるシールドパターン１４３で囲むことも考えられるが、こうすると、同層に形成されるゲートバスライン１１２とシールドパターン１４３とが近接し、両者が短絡してしまうおそれがある。

　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、画素分割方式（容量結合型）の液晶表示装置において、各画素電極の配置の自由度を高めることにある。

　本アクティブマトリクス基板は、走査信号線と、該走査信号線に接続されたスイッチング素子と、データ信号線とを備え、１つの画素領域に、スイッチング素子を介して上記データ信号線に接続された第１および第２画素電極と、容量を介して該第１画素電極に接続された第３画素電極とが設けられたアクティブマトリクス基板であって、画素領域はこれを横切る上記走査信号線によって２つの部分に分けられ、その一方に第１画素電極が配されるとともに、他方に第２画素電極が配されていることを特徴とする。

　また、本アクティブマトリクス基板は、走査信号線と、データ信号線と、該走査信号線および該データ信号線に接続された第１トランジスタと、上記走査信号線および上記データ信号線に接続された第２トランジスタとを備えたアクティブマトリクス基板であって、１つの画素領域に、第１トランジスタに接続された第１画素電極と、第２トランジスタに接続された第２画素電極と、容量を介して上記第１画素電極に接続された第３画素電極とが設けられ、上記第１および第２画素電極が間隙を挟んで向かい合うように配され、上記走査信号線は、この間隙と重なるように上記画素領域を横切っていると表現することも可能である。

　上記構成では画素領域を横切るように走査信号線を配しているため、各画素電極の配置の自由度を高められる。例えば、第１および第２画素電極それぞれを走査信号線に隣接して配置すれば、暗副画素に対応する画素電極を走査信号線から離しつつ、明副画素に対応する画素電極を画素領域中央に配置することができる。すなわち、本アクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置においては、異なる画素に属する明副画素同士が隣接しないようにすることができ、これによって上記従来の液晶表示装置と比較して自然な表示が可能となる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記２つの部分の一方に第１および第３画素電極が配されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第３画素電極のエッジ（外周）の一部と重なる第１保持容量配線と、平面的に視て、第１保持容量配線から枝分かれして上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び第１保持容量配線に合流する第１保持容量配線延伸部とを備える構成とすることもできる。この場合、第１保持容量配線延伸部は第１画素電極と重なっている構成とすることもできる。また、第１保持容量配線延伸部が画素領域ごとに設けられており、列方向に隣り合う第１保持容量配線延伸部同士が互いに接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１保持容量配線は、隣接する２つの画素領域に対応して設けられている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第３画素電極のエッジ（外周）の一部と重なる第１保持容量配線と、第１画素電極と保持容量を形成する第１サブ配線とを備えるとともに、第１保持容量配線および第１サブ配線間には、両配線に接続する渡し電極が１画素領域あたり２つ設けられており、第１サブ配線およびこの２つの渡し電極が、上記第３画素電極のエッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように配されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜は、第３画素電極および第１保持容量配線と重畳する部分の少なくとも一部と、第３画素電極および第１保持容量配線延伸部と重畳する部分の少なくとも一部とが薄くなっている構成とすることもできる。この場合、上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第３画素電極および第１保持容量配線と重畳する部分の少なくとも一部と、第３画素電極および第１保持容量配線延伸部と重畳する部分の少なくとも一部とについては、有機絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第３画素電極のエッジ（外周）の一部と重なる第１保持容量配線と、コンタクトホールを介して第１保持容量配線に接続された第１シールド電極とを備え、第１シールド電極は、第３画素電極と同層に形成されるとともに、平面的に視て、上記エッジの残部の外側を通るように延伸している構成とすることもできる。この場合、各画素電極の下層に設けられる層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなる構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１画素電極と電気的に接続された第１結合容量電極を備え、第１結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第３画素電極と重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記スイッチング素子は第１トランジスタを含み、第１トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第１画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、該引き出し配線と第１結合容量電極とが同層で繋がっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記スイッチング素子は第１トランジスタを含み、第１トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第１画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、コンタクトホールを介して第１画素電極に接続された中継配線と第１結合容量電極とが同層で繋がっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記層間絶縁膜は、第３画素電極および第１結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部が薄くなっている構成とすることもできる。この場合、上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第３画素電極および第１結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部については、有機絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、容量を介して第２画素電極に接続された第４画素電極を備え、上記２つの部分の一方に第２および第４画素電極が配されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第４画素電極のエッジ（外周）の一部と重なる第２保持容量配線と、平面的に視て、第２保持容量配線から枝分かれして上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び第２保持容量配線に合流する第２保持容量配線延伸部とを備える構成とすることもできる。この場合、第２保持容量配線延伸部は第２画素電極と重なっている構成とすることもできる。また、第２保持容量配線延伸部が画素領域ごとに設けられており、列方向に隣り合う第２保持容量配線延伸部同士が互いに接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第２保持容量配線は、隣接する２つの画素領域に対応して設けられている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第４画素電極のエッジ（外周）の一部と重なる第２保持容量配線と、第２画素電極と保持容量を形成する第２サブ配線とを備えるとともに、第２保持容量配線および第２サブ配線間には、両配線に接続する渡し電極が１画素領域あたり２つ設けられており、第２保持容量配線およびこの２つの渡し電極が、上記第４画素電極のエッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように配されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜は、第４画素電極および第２保持容量配線と重畳する部分の少なくとも一部と、第４画素電極および第２保持容量配線延伸部と重畳する部分の少なくとも一部とが薄くなっている構成とすることもできる。この場合、上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第４画素電極および第２保持容量配線と重畳する部分の少なくとも一部と、第４画素電極および第２保持容量配線延伸部と重畳する部分の少なくとも一部とについては、有機絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第４画素電極のエッジ（外周）の一部と重なる第２保持容量配線と、コンタクトホールを介して第２保持容量配線に接続された第２シールド電極とを備え、第２シールド電極は、第４画素電極と同層に形成されるとともに、平面的に視て、上記エッジの残部の外側を通るように延伸している構成とすることもできる。この場合、各画素電極下層に設けられる層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなる構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第２画素電極と電気的に接続された第２結合容量電極を備え、第２結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第４画素電極と重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記スイッチング素子は第２トランジスタを含み、第２トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第２画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、該引き出し配線と第２結合容量電極とが同層で繋がっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記スイッチング素子は第２トランジスタを含み、第２トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第２画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、コンタクトホールを介して第２画素電極に接続された中継配線と第２結合容量電極とが同層で繋がっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記層間絶縁膜は、第４画素電極および第２結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部が薄くなっている構成とすることもできる。この場合、上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第４画素電極および第２結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部については、有機絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記スイッチング素子はさらに第２トランジスタを含み、第２トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第２画素電極とがコンタクトホールを介して接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１および第２画素電極と同層に、これら両電極を連結する連結電極が設けられている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、容量を介して第２画素電極に接続された第４画素電極と、第１画素電極と電気的に接続された第１結合容量電極と、第２画素電極と電気的に接続された第２結合容量電極とを備え、第１結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第３画素電極と重なっているとともに、第２結合容量電極は、上記層間絶縁膜を介して第４画素電極と重なっており、第１結合容量電極および第３画素電極の重なり面積と、第２結合容量電極および第４画素電極の重なり面積とが互いに異なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記走査信号線は画素領域の中央を横切っている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、容量を介して第２画素電極に接続された第４画素電極を備え、上記２つの部分の一方に第１および第３画素電極が配されるとともに、他方に第２および第４画素電極が配され、第１画素電極および第３画素電極の間隙と、第２画素電極および第４画素電極の間隙とが、配向規制構造物として機能する構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、容量を介して第３画素電極に接続された第５画素電極を備える構成とすることもできる。また、容量を介して第２画素電極に接続された第４画素電極と、容量を介して該第４画素電極に接続された第６画素電極とを備える構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記画素領域に、容量を介して上記第２画素電極に接続された第４画素電極が設けられ、平面的に視たときに、第１および第３画素電極は、走査信号線に対して４５度をなす部分と１３５度をなす部分とを含むスリット状の境界によって区切られ、平面的に視たときに、第２および第４画素電極は、走査信号線に対して２２５度をなす部分と３１５度をなす部分とを含むスリット状の境界によって区切られている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１画素電極に電気的に接続され、第３画素電極に重なる第１結合容量電極と、第２画素電極に電気的に接続され、第４画素電極に重なる第２結合容量電極とを備え、平面的に視たときに、第１結合容量電極の少なくとも一部は走査信号線に対して４５度あるいは１３５度をなし、平面的に視たときに、第２結合容量電極の少なくとも一部は走査信号線に対して２２５度あるいは３１５度をなす構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、平面的に視たときに、上記第３画素電極と走査信号線との間には第１画素電極の一部が配され、上記第４画素電極と走査信号線との間には第２画素電極の一部が配されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記画素領域およびその前段の画素領域それぞれに重なる保持容量配線と、上記画素領域およびその次段の画素領域それぞれに重なる保持容量配線とを備え、平面的に視たときに、これら２つの保持容量配線の一方から、第３画素電極の上記データ信号線に沿うエッジと重なるように保持容量配線延伸部が延伸し、他方から、第４画素電極の上記データ信号線に隣接するデータ信号線に沿うエッジと重なるように保持容量配線延伸部が延伸している構成とすることもできる。

　本液晶パネルは、上記アクティブマトリクス基板と、これに対向し、配向規制構造物を備えた対向基板とを備え、上記第１結合容量電極の走査信号線に対して４５度あるいは１３５度をなす部分が上記配向規制構造物の下に配され、上記第２結合容量電極の走査信号線に対して２２５度あるいは３１５度をなす部分が上記配向規制構造物の下に配されていることを特徴とする。

　本液晶パネルは上記アクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする。また、本液晶表示ユニットは、上記液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする。また、本液晶表示装置は、上記液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする。また、本テレビジョン受像機は、上記液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナー部とを備えることを特徴とする。

　以上のように、本アクティブマトリクス基板では画素領域を横切るように走査信号線を配しているため、各画素電極の配置の自由度を高められる。例えば第１および第２画素電極それぞれを走査信号線に隣接して配置すれば、暗副画素に対応する画素電極を走査信号線から離しつつ、明副画素に対応する画素電極を画素領域中央に配置することができる。すなわち、本アクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置においては、異なる画素に属する明副画素同士が隣接しないようにすることができ、これによって上記従来の液晶表示装置と比較して自然な表示が可能となる。

本実施の形態１にかかる液晶パネルの構成を示す回路図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの一具体例を示す平面図である。図２の矢視断面図である。図１の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図４の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。図６の矢視断面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。図１６の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図１７の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。本液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。図１９の液晶パネルを備えた液晶表示装置に図１７の駆動方法（データ信号線および走査信号線の駆動方法）を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。本実施の形態２にかかる液晶パネルの構成を示す回路図である。実施の形態２にかかる液晶パネルの一具体例を示す平面図である。図２２の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図２３の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。本実施の形態３にかかる液晶パネルの構成を示す回路図である。実施の形態３にかかる液晶パネルの一具体例を示す平面図である。図２５の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図２７の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。（ａ）は本液晶表示ユニットの構成を示す模式図であり、（ｂ）は本液晶表示装置の構成を示す模式図である。本液晶表示装置の全体構成を説明するブロック図である。本液晶表示装置の機能を説明するブロック図である。本テレビジョン受像機の機能を説明するブロック図である。本テレビジョン受像機の構成を示す分解斜視図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。従来の液晶パネルの構成を示す平面図である。従来の液晶パネルの構成を示す平面図である。

符号の説明

　５ａ～５ｈ・５ｊ・５ｋ　液晶パネル
　１１ａ・１１ｂ・１１ｅ・１１ｆ　コンタクトホール
　１２ａ・１２ｂ・１２ｅ・１２ｆ　トランジスタ
　１２Ａ・１２Ｂ・１２Ｅ・１２Ｆ　トランジスタ
　１５ｘ　１５Ｘ　データ信号線
　１６ｘ・１６ｙ　走査信号線
　１７ａ～１７ｈ　画素電極
　１７Ａ～１７Ｈ　画素電極
　１８ｐ～１８ｒ　保持容量配線
　１８α～１８δ　サブ配線
　２２　無機ゲート絶縁膜
　２４　半導体層
　２５　無機層間絶縁膜
　２６　有機層間絶縁膜
　３７ａ・３７ｂ・３７Ａ・３７Ｂ　結合容量電極
　８４　液晶表示ユニット
　１００～１０３　画素
　８００　液晶表示装置

　本発明にかかる実施の形態の例を、図１～３５を用いて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜のため、以下では走査信号線の延伸方向を行方向とする。ただし、本液晶表示装置（あるいはこれに用いられる液晶パネルやアクティブマトリクス基板）の利用（視聴）状態において、その走査信号線が横方向に延伸していても縦方向に延伸していてもよいことはいうまでもない。

　〔実施の形態１〕
　図１は実施の形態１にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図１に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線（１５ｘ・１５Ｘ）、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線（１６ｘ・１６ｙ）、行および列方向に並べられた画素（１００～１０３）、保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ・１８ｒ）、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素１００・１０１が含まれる画素列と、画素１０２・１０３が含まれる画素列とが隣接し、画素１００・１０２が含まれる画素行と、画素１０１・１０３が含まれる画素行とが隣接している。

　本液晶パネルでは、１つの画素に対応して１本のデータ信号線と１本の走査信号線とが設けられており、列方向に隣接する２つの画素に対応して１本の保持容量配線が設けられている。また、１つの画素に４つの画素電極が設けられており、画素１００に設けられた４つの画素電極１７ｃ・１７ａ・１７ｂ・１７ｄ、画素１０１に設けられた４つの画素電極１７ｇ・１７ｅ・１７ｆ・１７ｈが一列に配されるともに、画素１０２に設けられた４つの画素電極１７Ｃ・１７Ａ・１７Ｂ・１７Ｄ、画素１０３に設けられた４つの画素電極１７Ｇ・１７Ｅ・１７Ｆ・１７Ｈが一列に配され、画素電極１７ｃと１７Ｃ、画素電極１７ａと１７Ａ、画素電極１７ｂと１７Ｂ、画素電極１７ｄと１７Ｄ、画素電極１７ｇと１７Ｇ、画素電極１７ｅと１７Ｅ、画素電極１７ｆと１７Ｆ、画素電極１７ｈと１７Ｈがそれぞれ行方向に隣接している。

　画素１００では、画素電極１７ａおよび１７ｃが結合容量Ｃａｃを介して接続されるともに、画素電極１７ｂおよび１７ｄが結合容量Ｃｂｄを介して接続され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ｂを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｐおよびその延伸部との間に保持容量Ｃｈｃが形成され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｐの延伸部との間に保持容量Ｃｈａが形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｑの延伸部との間に保持容量Ｃｈｂが形成され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｑおよびその延伸部との間に保持容量Ｃｈｄが形成されている。なお、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　一方、画素１００と列方向に隣接する画素１０１では、画素電極１７ｅおよび１７ｇが結合容量Ｃｅｇを介して接続されるともに、画素電極１７ｆおよび１７ｈが結合容量Ｃｆｈを介して接続され、画素電極１７ｅが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｅを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｆが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｆを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｇと保持容量配線１８ｑおよびその延伸部との間に保持容量Ｃｈｇが形成され、画素電極１７ｅと保持容量配線１８ｑの延伸部との間に保持容量Ｃｈｅが形成され、画素電極１７ｆと保持容量配線１８ｒの延伸部との間に保持容量Ｃｈｆが形成され、画素電極１７ｈと保持容量配線１８ｒおよびその延伸部との間に保持容量Ｃｈｈが形成されている。なお、画素電極１７ｇおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｇが形成され、画素電極１７ｅおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｅが形成され、画素電極１７ｆおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｆが形成され、画素電極１７ｈおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｈが形成されている。

　また、画素１００と行方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７Ａおよび１７Ｃが結合容量ＣＡＣを介して接続されるともに、画素電極１７Ｂおよび１７Ｄが結合容量ＣＢＤを介して接続され、画素電極１７Ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ｂを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ｃと保持容量配線１８ｐおよびその延伸部との間に保持容量ＣｈＣが形成され、画素電極１７Ａと保持容量配線１８ｐの延伸部との間に保持容量ＣｈＡが形成され、画素電極１７Ｂと保持容量配線１８ｑの延伸部との間に保持容量ＣｈＢが形成され、画素電極１７Ｄと保持容量配線１８ｑおよびその延伸部との間に保持容量ＣｈＤが形成されている。なお、画素電極１７Ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＣが形成され、画素電極１７Ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＡが形成され、画素電極１７Ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＢが形成され、画素電極１７Ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＤが形成されている。

　本液晶パネルを備えた液晶表示装置では、順次走査が行われ、走査信号線１６ｘ、１６ｙが順次選択される。例えば、走査信号線１６ｘが選択された場合には、画素電極１７ａがデータ信号線１５ｘに（トランジスタ１２ａを介して）接続され、画素電極１７ｃがデータ信号線１５ｘに（トランジスタ１２ａおよび画素電極１７ａを介して）容量結合され、画素電極１７ｂがデータ信号線１５ｘに（トランジスタ１２ｂを介して）接続され、画素電極１７ｄがデータ信号線１５ｘに（トランジスタ１２ｂおよび画素電極１７ｂを介して）容量結合されるため、Ｃｌａの容量値＝Ｃｌｂの容量値＝Ｃｌｉ，Ｃｌｃの容量値＝Ｃｌｄの容量値＝Ｃｌｊとし、Ｃｈａの容量値＝Ｃｈｂの容量値＝Ｃｈｉ，Ｃｈｃの容量値＝Ｃｈｄの容量値＝Ｃｈｊとし、Ｃａｃの容量値＝Ｃ１，Ｃｂｄの容量値＝Ｃ２とし、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ａの電位をＶａとし，トランジスタ１２ｂがＯＦＦした後の画素電極１７ｂの電位をＶｂとすれば、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ｃの電位Ｖｃ＝Ｖａ×（Ｃ１／（Ｃｌｉ＋Ｃｈｊ＋Ｃ１））となるとともに、トランジスタ１２ｂがＯＦＦした後の画素電極１７ｄの電位Ｖｄ＝Ｖｂ×（Ｃ２／（Ｃｌｉ＋Ｃｈｊ＋Ｃ２））となる。ここで、Ｖａ＝Ｖｂであるため、例えばＣ１＝Ｃ２としておけば、|Ｖａ|＝|Ｖｂ|≧|Ｖｃ|＝|Ｖｄ|となり（なお、例えば|Ｖａ|は、Ｖａとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）、画素電極１７ａを含む副画素および画素電極１７ｂを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７ｃを含む副画素および画素電極１７ｄを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の暗副画素となる。同様に、画素電極１７Ａを含む副画素および画素電極１７Ｂを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７Ｃを含む副画素および画素電極１７Ｄを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の暗副画素となる。また、例えば、走査信号線１６ｙが選択された場合には、画素電極１７ｅを含む副画素および画素電極１７ｆを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７ｇを含む副画素および画素電極１７ｈを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の暗副画素となり、画素電極１７Ｅを含む副画素および画素電極１７Ｆを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７Ｇを含む副画素および画素電極１７Ｈを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の暗副画素となる。

　本液晶パネルの一具体例を図２に示す。図２の液晶パネル５ａでは、各画素はこれを横切る１本の走査信号線によって２つの部分（領域）に分けられ、一方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接し、後者が画素の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられ、他方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接し、後者が上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられる。また、隣り合う２つの画素行に対応して（重なるように）１本の保持容量配線が設けられ、該保持容量配線は画素電極のエッジ（外周）の一部と重なるともに、該保持容量配線には、平面的に視て、上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線に合流する保持容量配線延伸部が繋がっている。

　具体的には、画素１００および画素１０１に沿うようにデータ信号線１５ｘが設けられ、画素１０２および画素１０３に沿うようにデータ信号線１５Ｘが設けられ、走査信号線１６ｘが画素１００・１０２それぞれの中央を横切り、走査信号線１６ｙが画素１０１・１０３それぞれの中央を横切っている。また、画素１００・１０２を含む画素行およびこれの図中上側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｐが設けられ、画素１００・１０２を含む画素行および画素１０１・１０３を含む画素行に重なるように保持容量配線１８ｑが設けられ、画素１０１・１０３を含む画素行およびこれの図中下側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｒが設けられている。そして、例えば画素１００では、この中央を横切る走査信号線１６ｘの図中上側に、トランジスタ１２ａに接続する長方形形状の画素電極１７ａとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｃとが、画素電極１７ａが走査信号線１６ｘに隣接し、画素電極１７ｃが画素１００の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる一方、走査信号線１６ｘの図中下側に、トランジスタ１２ｂに接続する長方形形状の画素電極１７ｂとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｄとが、画素電極１７ｂが走査信号線１６ｘと隣接し、画素電極１７ｄが画素１００の行方向に沿う上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａ並びにトランジスタ１２ｂのソース電極８ｂおよびドレイン電極９ｂが形成されている。ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線２７ａに接続され、ドレイン引き出し配線２７ａは、同層に形成された結合容量電極３７ａに繋がるとともにコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続され、結合容量電極３７ａは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｃと重なっており、これによって画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量Ｃａｃ（図１参照）が形成される。また、ソース電極８ｂはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線２７ｂに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｂは、同層に形成された結合容量電極３７ｂに繋がるとともにコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、結合容量電極３７ｂは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｄと重なっており、これによって画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄ（図１参照）が形成される。

　さらに、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃのエッジ（外周）の一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｃ）の重なり部分Ｋｃに保持容量Ｃｈｃ（図１参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｐには、平面的に視て、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８ｃが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｃが保持容量配線１８ｐおよび保持容量配線延伸部１８ｃによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ａとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ａ）の重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図１参照）が形成される。同様に、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄのエッジ（外周）の一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｄ）の重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図１参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｑには、平面的に視て、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｄの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｄが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｄが保持容量配線１８ｑおよび保持容量配線延伸部１８ｄによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｂとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｂ）の重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図１参照）が形成される。なお、保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ｃとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｃの一部が形成される。また、保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｄとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｄの一部が形成される。

　また、画素１０１では、この中央を横切る走査信号線１６ｙの図中上側に、トランジスタ１２ｅに接続する長方形形状の画素電極１７ｅとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｇとが、画素電極１７ｅが走査信号線１６ｙと隣接し、画素電極１７ｇが画素１０１の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる一方、走査信号線１６ｙの図中下側に、トランジスタ１２ｆに接続する長方形形状の画素電極１７ｆとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｈとが、画素電極１７ｆが走査信号線１６ｙと隣接し、画素電極１７ｈが上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。そして、走査信号線１６ｙ上に、トランジスタ１２ｅのソース電極８ｅおよびドレイン電極９ｅ並びにトランジスタ１２ｆのソース電極８ｆおよびドレイン電極９ｆが形成されている。ソース電極８ｅはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｅはドレイン引き出し配線２７ｅに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｅは、同層に形成された結合容量電極３７ｅに繋がるとともにコンタクトホール１１ｅを介して画素電極１７ｅに接続され、結合容量電極３７ｅは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｇと重なっており、これによって画素電極１７ｅ・１７ｇ間の結合容量Ｃｅｇ（図１参照）が形成される。また、ソース電極８ｆはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｆはドレイン引き出し配線２７ｆに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｆは、同層に形成された結合容量電極３７ｆに繋がるとともにコンタクトホール１１ｆを介して画素電極１７ｆに接続され、結合容量電極３７ｆは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｈと重なっており、これによって画素電極１７ｆ・１７ｈ間の結合容量Ｃｆｈ（図１参照）が形成される。

　さらに、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｇのエッジ（外周）の一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｇ）の重なり部分Ｋｇに保持容量Ｃｈｇ（図１参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｑには、平面的に視て、保持容量配線１８ｑから枝分かれして画素電極１７ｇの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｇが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｇが保持容量配線１８ｑおよび保持容量配線延伸部１８ｇによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｇと画素電極１７ｅとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｇと画素電極１７ｅ）の重なり部分Ｋｅに保持容量Ｃｈｅ（図１参照）が形成される。同様に、保持容量配線１８ｒが画素電極１７ｈのエッジ（外周）の一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｒと画素電極１７ｈ）の重なり部分Ｋｈに保持容量Ｃｈｈ（図１参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｒには、平面的に視て、保持容量配線１８ｒから枝分かれして画素電極１７ｈの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｒに合流する保持容量配線延伸部１８ｈが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｈが保持容量配線１８ｒおよび保持容量配線延伸部１８ｈによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｈと画素電極１７ｆとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｈと画素電極１７ｆ）の重なり部分Ｋｆに保持容量Ｃｈｆ（図１参照）が形成される。なお、保持容量配線延伸部１８ｇと画素電極１７ｇとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｇの一部が形成される。また、保持容量配線延伸部１８ｈと画素電極１７ｈとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｈの一部が形成される。

　図３は図２の矢視断面図である。同図に示すように、液晶パネル５ａは、アクティブマトリクス基板３と、これに対向するカラーフィルタ基板３０と、両基板（３・３０）間に配される液晶層４０とを備える。

　アクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に走査信号線１６ｘおよび保持容量配線１８ｐおよび保持容量配線延伸部１８ｃが形成され、これらを覆うように無機ゲート絶縁膜２２が形成されている。無機ゲート絶縁膜２２の上層には、半導体層２４（ｉ層およびｎ＋層）と、ｎ＋層に接する、ソース電極８ａ・８ｂおよびドレイン電極９ａ・９ｂと、ドレイン引き出し配線２７ａ・２７ｂと、結合容量電極３７ａとが形成され、これらを覆うように無機層間絶縁膜２５が形成されている。無機層間絶縁膜２５上には画素電極１７ａ・１７ｂ・１７ｃが形成され、さらに、これら（画素電極１７ａ～１７ｃ）を覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。ここで、コンタクトホール１１ｂでは、無機層間絶縁膜２５が刳り貫かれており、これによって、画素電極１７ｂとドレイン引き出し配線２７ｂとが接続される。また、ドレイン引き出し配線２７ａと同層で繋がる結合容量電極３７ａは、無機層間絶縁膜２５を介して画素電極１７ｃと重なっており、これによって、結合容量Ｃａｃ（図１参照）が形成される。なお、画素電極１７ｃは、無機層間絶縁膜２５および無機ゲート絶縁膜２２を介して保持容量配線１８ｐと重なっており、これによって、保持容量Ｃｈｃ（図１参照）が形成される。

　一方、カラーフィルタ基板３０では、ガラス基板３２上にブラックマトリクス１３および着色層１４が形成され、その上層に共通電極（ｃｏｍ）２８が形成され、さらにこれを覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。

　図４は図１・２に示す液晶パネルを備えた本液晶表示装置（ノーマリブラックモードの液晶表示装置）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、ＳｖおよびＳＶは、隣接する２本のデータ信号線（例えば、１５ｘ・１５Ｘ）それぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙに供給されるゲートオンパルス信号、Ｖａ～Ｖｄ，ＶＡ～ＶＤ，Ｖｅ～Ｖｈはそれぞれ、画素電極１７ａ～１７ｄ，１７Ａ～１７Ｄ，１７ｅ～１７ｈの電位を示している。

　この駆動方法では、図４に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。

　具体的には、連続するフレームＦ１・Ｆ２において、Ｆ１では、走査信号線を順次選択（例えば、走査信号線１６ｘ・１６ｙをこの順に選択）し、隣接する２本のデータ信号線の一方（例えば、データ信号線１５ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａ・１７ｂの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ｅ・１７ｆの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方（例えば、データ信号線１５Ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ａ・１７Ｂの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ｅ・１７Ｆの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給する。これにより、図４に示すように、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素（以下、「暗」）、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は明副画素（以下、「明」）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｇ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ｅ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｆ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｈ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７Ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図５（ａ）のようになる。

　また、Ｆ２では、走査信号線を順次選択（例えば、走査信号線１６ｘ・１６ｙをこの順に選択）し、隣接する２本のデータ信号線の一方（例えば、データ信号線１５ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａ・１７ｂの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ｅ・１７ｆの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方（例えば、データ信号線１５Ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ａ・１７Ｂの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ｅ・１７Ｆの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給する。これにより、図４に示すように、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｇ（プラス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ｅ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｆ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｈ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ｃ（プラス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７Ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｄ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図５（ｂ）のようになる。

　液晶パネル５ａでは、走査信号線を画素中央に配置しているため、トランジスタを介してデータ信号線に接続する２つの画素電極（明副画素に対応する画素電極）を画素中央に配置するとともに、電気的にフローティングとなる２つの画素電極（暗副画素に対応する画素電極）を画素両端に配置し、かつ保持容量配線および保持容量配線延伸部を、走査信号線から離しながら電気的にフローティングとなる上記２つの画素電極の電気的シールドパターンとして機能させることができる。これにより、液晶パネル５ａを備えた液晶表示装置において、該２つの画素電極への電荷の飛び込みを抑制して暗副画素の焼き付きを可及的に回避しつつ、異なる画素に属する明副画素同士が隣接しないようにすることができ、上記従来の液晶表示装置よりも自然な表示が可能となる。

　また、走査信号線を画素中央に配置することでドレイン引き出し配線を短縮することができ、その断線率の低減や開口率の向上といった効果も得ることができる。さらに、保持容量配線延伸部によって保持容量配線の冗長効果も得ることができる。例えば、保持容量配線が、保持容量配線延伸部が枝分かれする部分と保持容量配線延伸部が合流する部分との間で断線しても、保持容量配線延伸部がバイパスルートとなって断線箇所以降の部分に保持容量配線信号（例えば、共通電極の電位に等しいＶｃｏｍ信号）を送ることができる。

　また、図４・５に示すように各データ信号線に供給する信号電位の極性を一水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させることで、列方向に隣接する２つの画素間においてトランジスタＯＦＦ時の電位の引き込み方向が逆となり、チラツキ感を抑制することができる。また、同図に示すように同一水平走査期間において、隣接する２本のデータ信号線それぞれに逆極性の信号電位を供給することで、行方向に隣接する２つの画素間においてトランジスタＯＦＦ時の電位の引き込み方向が逆となり、チラツキ感を抑制することができる。

　図２の液晶パネル５ａにおいて、層間絶縁膜を、無機層間絶縁膜と厚い有機層間絶縁膜との二層構造とすることもできる。こうすれば、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化による画素電極の裂け等の低減といった効果が得られる。この場合、図６の斜線部分および図６のＡ－Ｂ断面図である図７に示すように、有機層間絶縁膜２６については、保持容量配線および画素電極と重畳する部分と、保持容量配線延伸部および画素電極と重畳する部分と、結合容量電極と重なる部分とを刳り貫いておくことが好ましい。こうすれば、結合容量の容量値および保持容量の容量値を十分に確保しながら、上記の効果を得ることができる。また、図６・７のように層間絶縁膜を、無機層間絶縁膜と厚い有機層間絶縁膜との二層構造とする場合には、走査信号線および画素電極間の寄生容量が低減されるため、例えば図３４のように、画素電極１７ａ・１７ｂ（第１および第２画素電極）それぞれのエッジを走査信号線１６ｘに重ねて開口率の向上を図ることも可能である。この場合も、画素電極１７ａ・１７ｂが間隙を挟んで向かい合うように配され、平面的に視たときに、走査信号線１６ｘは、上記間隙と重なるように画素領域１００を横切る構成となっている。

　図７の無機層間絶縁膜２５、有機層間絶縁膜２６およびコンタクトホール１１ｂは例えば、以下のようにして形成することができる。すなわち、トランジスタ（ＴＦＴ）やデータ信号線を形成した後、ＳｉＨ_４ガスとＮＨ_３ガスとＮ_２ガスとの混合ガスを用い、基板全面を覆うように、厚さ約３０００ÅのＳｉＮｘからなる無機層間絶縁膜２５（パッシベーション膜）をＣＶＤにて形成する。その後、厚さ約３μｍのポジ型感光性アクリル樹脂からなる有機層間絶縁膜２６をスピンコートやダイコートにて形成する。続いて、フォトリソグラフィーを行って有機層間絶縁膜２６の刳り貫き部分および各種のコンタクト用パターンを形成し、さらに、パターニングされた有機層間絶縁膜２６をマスクとし、ＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとの混合ガスを用いて、無機層間絶縁膜２５をドライエッチングする。具体的には、例えば、有機層間絶縁膜の刳り貫き部分についてはフォトリソグラフィー工程でハーフ露光とすることで現像完了時に有機層間絶縁膜が薄く残膜するようにしておく一方、コンタクトホール部分については上記フォトリソグラフィー工程でフル露光することで現像完了時に有機層間絶縁膜が残らないようにしておく。ここで、ＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとの混合ガスでドライエッチングを行えば、有機層間絶縁膜の刳り貫き部分については（有機層間絶縁膜の）残膜が除去され、コンタクトホール部分については有機層間絶縁膜下の無機層間絶縁膜が除去されることになる。なお、有機層間絶縁膜２６は、例えば、ＳＯＧ（スピンオンガラス）材料からなる絶縁膜であってもよく、また、有機層間絶縁膜２６に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ノボラック樹脂、およびシロキサン樹脂の少なくとも１つが含まれていてもよい。

　本液晶パネルの他の具体例を図８に示す。図８の液晶パネル５ｂは、図２の液晶パネル５ａにおいて、列方向に隣接する保持容量配線延伸部同士が互いに接続された構成を有する。例えば、液晶パネル５ｂの画素１００では、保持容量配線１８ｐが、画素１００が有する画素電極１７ｃのエッジの一部と、画素１００と列方向に隣接する画素１０２が有する画素電極１７Ｃのエッジの一部とに重なっている。ここで、該保持容量配線１８ｐに、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８ｃと、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７Ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８Ｃとが繋がっており、これら保持容量配線延伸部１８ｃ・１８Ｃが、データ信号線１５Ｘ下において互いに接続されている。

　液晶パネル５ｂでは、液晶パネル５ａにおける保持容量配線の冗長効果を高めることができる。例えば、保持容量配線が、データ信号線と交差する部分で断線しても、互いに接続された、列方向に隣接する２つの保持容量配線延伸部がバイパスルートとなって断線箇所以降の部分に保持容量配線信号（例えば、Ｖｃｏｍ信号）を送ることができる。

　図２の液晶パネル５ａではドレイン引き出し配線が同層で結合容量電極に繋がり、ドレイン引き出し配線と画素電極とがコンタクトホールを介して接続されているが、この構成に限定されない。例えば図９に示す液晶パネル５ｃのように、コンタクトホールを介してドレイン引き出し配線と画素電極とを接続しておき、該画素電極と、結合容量電極に同層で繋がる中継配線とをコンタクトホールを介して接続することもできる。

　例えば、液晶パネル５ｃの画素１００では、トランジスタ１２ａのドレイン電極９ａから引き出されたドレイン引き出し配線２７ａと画素電極１７ａとがコンタクトホール１１ａを介して接続されるとともに、結合容量電極３７ａに同層で繋がる中継配線５７ａと画素電極１７ａとがコンタクトホール５１ａを介して接続され、かつ結合容量電極３７ａは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｃと重なっており、これによって画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量Ｃａｃ（図１参照）が形成されている。同様に、トランジスタ１２ｂのドレイン電極９ｂから引き出されたドレイン引き出し配線２７ｂと画素電極１７ｂとがコンタクトホール１１ｂを介して接続されるとともに、結合容量電極３７ｂに同層で繋がる中継配線５７ｂと画素電極１７ｂとがコンタクトホール５１ｂを介して接続され、かつ結合容量電極３７ｂは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｄと重なっており、これによって画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄ（図１参照）が形成されている。

　液晶パネル５ｃでは、液晶パネル５ａよりもドレイン引き出し配線（遮光性）を短縮することができるため、開口率をさらに高めることができる。

　本液晶パネルのさらに他の具体例を図１０に示す。図１０の液晶パネル５ｄは、図２の液晶パネル５ａにおいて、走査信号線に隣接する２つの画素電極（明副画素に対応する画素電極）が、走査信号線を跨ぐ連結電極を介して互いに接続された構成を有する。例えば、液晶パネル５ｄの画素１００では、走査信号線１６ｘの一方の側に隣接する画素電極１７ａと、他方の側に隣接する画素電極１７ｂとが、走査信号線１６ｘを跨ぐ連結電極１７ａｂを介して互いに接続されている。また、画素１０１では、走査信号線１６ｙの一方の側に隣接する画素電極１７ｅと、他方の側に隣接する画素電極１７ｆとが、走査信号線１６ｙを跨ぐ連結電極１７ｅｆを介して互いに接続されている。

　液晶パネル５ｄでは、同一走査信号線に接続される２つのトランジスタのいずれかが機能しない場合や２つのドレイン引き出し配線のいずれかが断線した場合、あるいは２つのコンタクトホールのいずれかが形成不良（コンタクト不良）の場合でも、データ信号線から、走査信号線に隣接する２つの画素電極（明副画素に対応する画素電極）それぞれに信号電位を供給することができる。なお、連結電極は、両側のデータ信号線からの影響が等しくなるように、画素中央部に配置することが望ましい。また、この構成においては、連結電極および走査信号線間の寄生容量（Ｃｇｄ）を小さくするため、層間絶縁膜を、無機層間絶縁膜とこれよりも厚い有機層間絶縁膜との二層構造とすることもできる（図７参照）。なお、液晶パネル５ｄでは同一走査信号線に接続される２つのトランジスタそれぞれに接続される画素電極同士が連結電極を介して接続されているため、これら２つのトランジスタの一方と、それから引き出されるドレイン引き出し配線と、該ドレイン引き出し配線に接続するコンタクトホールとを削除し、図１１に示すような構成とすることも可能である。

　図２の液晶パネル５ａでは、１画素内の４つの画素電極それぞれが長方形形状であるがこれに限定されない。例えば図１２に示すように、走査信号線の一方に、直角三角形形状の画素電極および台形形状の画素電極を、前者が保持容量配線と重なり、後者が走査信号線と隣接するように配するとともに、保持容量配線延伸部を、三角形形状の画素電極を電気的にシールドするように延伸させる構成とすることもできる。

　図１２に示す液晶パネル５ｅの画素１００では、この中央を横切る走査信号線１６ｘの図中上側に、トランジスタ１２ａに接続する台形形状の画素電極１７ａとこれに容量を介して接続する直角三角形形状の画素電極１７ｃとが、画素電極１７ａが走査信号線１６ｘに隣接し、画素電極１７ｃが画素１００における行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる。ここで、画素電極１７ｃのエッジは、データ信号線１５ｘに沿う部分と、保持容量配線１８ｐと重なる部分と、斜辺となる部分とからなり、画素電極１７ａのエッジは、データ信号線１５ｘに沿う部分と、走査信号線１６ｘに沿う部分と、データ信号線１５Ｘに沿う部分と、画素電極１７ｃのエッジの一部（斜辺となる部分）に沿う部分とからなる。一方、走査信号線１６ｘの図中下側に、トランジスタ１２ｂに接続する台形形状の画素電極１７ｂとこれに容量を介して接続する直角三角形形状の画素電極１７ｄとが、画素電極１７ｂが走査信号線１６ｘと隣接し、画素電極１７ｄが画素１００における行方向に沿う２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。ここで、画素電極１７ｄのエッジは、データ信号線１５Ｘに沿う部分と、保持容量配線１８ｑと重なる部分と、斜辺となる部分とからなり、画素電極１７ｂのエッジは、走査信号線１６ｘに沿う部分と、データ信号線１５ｘに沿う部分と、データ信号線１５Ｘに沿う部分と、画素電極１７ｄのエッジの一部（斜辺となる部分）に沿う部分とからなる。なお、画素電極１７ａおよび画素電極１７ｂは走査信号線１６ｘを軸として線対称となるように配され、画素電極１７ｃおよび画素電極１７ｄは走査信号線１６ｘを軸として線対称となるように配される。

　そして、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃのエッジの一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｃ）の重なり部分Ｋｃに保持容量Ｃｈｃ（図１参照）が形成される。さらに、保持容量配線１８ｐには、平面的に視て、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｃの上記エッジの残部（データ信号線１５ｘに沿う部分および斜辺となる部分）と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８ｃが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｃが保持容量配線１８ｐおよび保持容量配線延伸部１８ｃによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ａとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ａ）の重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図１参照）が形成される。同様に、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄのエッジの一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｄ）の重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図１参照）が形成される。さらに、保持容量配線１８ｑには、平面的に視て、保持容量配線１８ｑから枝分かれして画素電極１７ｄの上記エッジの残部（データ信号線１５ｘに沿う部分および斜辺となる部分）と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｄが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｄが保持容量配線１８ｑおよび保持容量配線延伸部１８ｄによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｂとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｂ）の重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図１参照）が形成される。

　液晶パネル５ｅでは、走査信号線の一方あるいは他方に設けられる２つの画素電極の間隙が斜めスリットとなるため、これを配向規制用構造物として機能させることができる。この場合、例えば図１３のように、カラーフィルタ基板にリブを、画素電極に各スリットを設けることでＭＶＡ（マルチドメインバーティカルアライメント）方式の液晶パネルを構成することができる。すなわち、画素１００では、画素電極１７ａ・１７ｃ間の間隙がスリットＳａｃとなっており、画素電極１７ａにスリットＳａｃと平行なスリットＳａが設けられ、画素電極１７ｃにスリットＳａｃと平行なスリットＳｃが設けられ、平面的に視てスリットＳａおよびスリットＳａｃの間となる位置に、スリットＳａと平行なリブＬａが設けられ、平面的に視てスリットＳｃおよびスリットＳａｃの間となる位置に、スリットＳｃと平行なリブＬｃが設けられる。同様に、画素電極１７ｂ・１７ｄ間の間隙がスリットＳｂｄとなっており、画素電極１７ｂにスリットＳｂｄと平行なスリットＳｂが設けられ、画素電極１７ｄにスリットＳｂｄと平行なスリットＳｄが設けられ、平面的に視てスリットＳｂおよびスリットＳｂｄの間となる位置に、スリットＳｂと平行なリブＬｂが設けられ、かつ平面的に視てスリットＳｄおよびスリットＳｂｄとの間となる位置に、スリットＳｄと平行なリブＬｄが設けられる。

　図１２のアクティブマトリクス基板５ｅを図３５のように変形することもできる。図３５のアクティブマトリクス基板では、画素領域１００に４つの画素電極（１７ａ～１７ｄ）と、結合容量電極３７ａ・３７ｂとが配され、画素電極１７ａ・１７ｂ（第１および第２画素電極）が、間隙を挟んで互いに向かい合うように配され、走査信号線１６ｘが上記間隙と重なるように画素領域１００を横切り、画素電極１７ａ・１７ｃ（第１および第３画素電極）が、行方向に視てＶ字形状をなすスリット状の境界ＫＹを介して行方向に隣り合うように配されるとともに、画素電極１７ｂ・１７ｄ（第２よび第３画素電極）が、行方向に視てＶ字形状をなすスリット状の境界ｋｙを介して行方向に隣り合うように配され、画素電極１７ａがコンタクトホール１１ａを介してトランジスタ１２ａに接続され、画素電極１７ｂがコンタクトホール１１ｂを介してトランジスタ１２ｂに接続されている。

　スリット状の境界ＫＹは画素領域１００の上段に位置し、平面的に視ると、走査信号線１６ｘとデータ信号線１５ｘとの交差部近傍から一旦行方向に延伸した後に向きを変えて走査信号線１６ｘに対して４５度をなすように延伸し、画素領域１００の上段の中程に達したところでさらに向きを変えて走査信号線１６ｘに対して１３５度をなすように延伸し、画素領域１００のエッジ近傍に至っている。一方、スリット状の境界ｋｙは画素領域１００の下段に位置し、平面的に視ると、走査信号線１６ｘとデータ信号線１５ｘに隣接するデータ信号線１５Ｘとの交差部近傍から一旦行方向に延伸した後に向きを変えて走査信号線１６ｘに対して２２５度をなすように延伸し、画素領域１００の下段の中程に達したところでさらに向きを変えて走査信号線１６ｘに対して３１５度をなすように延伸し、画素領域１００のエッジ近傍に至っている。なお、画素電極１７ａを、画素電極１７ａ・１７ｂの間隙中央を中心として１８０度回転させると、画素電極１７ｂにほぼ一致し、画素電極１７ｂを、上記間隙中央を中心として１８０度回転させると、画素電極１７ｄにほぼ一致する。

　これにより、スリット状の境界ＫＹ・ｋｙが配向規制用構造物として機能し、また、平面的に視たときに、画素電極１７ｃと走査信号線１６ｘとの間には画素電極１７ａの一部が配され、画素電極１７ｄと走査信号線１６ｘとの間には画素電極１７ｂの一部が配されているため、電気的にフローティングである画素電極１７ｃ・１７ｄが走査信号線１６ｘから受ける影響が抑制されている。

　そして、結合容量電極３７ａは、平面的に視ると、トランジスタ１２ａのドレイン電極との接続部から列方向に延伸し、境界ＫＹをくぐった後に向きを変え、カラーフィルタ基板のリブＬｉおよび画素電極１７ｃと重なるように走査信号線１６ｘに対して４５度をなして延伸し、画素領域１００の上段の中程に至っている。一方、結合容量電極３７ｂは、平面的に視ると、トランジスタ１２ｂのドレイン電極との接続部から行方向に延伸し、走査信号線１６ｘとデータ信号線１５Ｘとの交差部近傍で向きを変えて境界ｋｙをくぐった後にさらに向きを変え、リブＬｉおよび画素電極１７ｄと重なるように走査信号線１６ｘに対して２２５度をなして延伸し、画素領域１００の下段の中程に至っている。

　これにより、画素電極１７ｃと結合容量電極３７ａとの重なり部分に、画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量が形成され、画素電極１７ｄと結合容量電極３７ｂとの重なり部分に、画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量が形成される。また、結合容量電極３７ａ・３７ｂの一部がリブＬｉ下に配されるため、開口率と配向規制力が高められる。

　さらに、画素領域１００およびその前段の画素領域それぞれに重なるように保持容量配線１８ｐが設けられ、画素領域１００およびその次段の画素領域それぞれに重なるように保持容量配線１８ｑが設けられ、保持容量配線１８ｐからは、画素電極１７ｃのデータ信号線１５ｘに沿うエッジと重なるように保持容量配線延伸部１８ｃが延伸し、保持容量配線１８ｑからは、画素電極１７ｄのデータ信号線１５Ｘに沿うエッジと重なるように保持容量配線延伸部１８ｄが延伸している。

　これにより、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａおよび画素電極１７ｃそれぞれとの重なり部分に保持容量が形成され、保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｂおよび画素電極１７ｄそれぞれとの重なり部分に保持容量が形成される。１本の保持容量配線が列方向に隣接する２つの画素領域に重なるように配されているため、保持容量配線の数が少なくて済み、開口率が高められる。また、保持容量配線延伸部１８ｃ・１８ｄにより、電気的にフローティングである画素電極１７ｃ・１７ｄがデータ信号線（１５ｘ・１５Ｘ）から受ける影響が抑制される。

　図２の液晶パネル５ａでは、各画素に保持容量配線延伸部を設けているが、この保持容量配線延伸部の代わりに、例えば図１４に示すように、サブ配線とこれに接続する渡し電極を設けてもよい。

　図１４に示す液晶パネル５ｆでは、隣り合う２つの画素行に重なる１本の保持容量配線と走査信号線との間に、これら配線と同層に形成されるサブ配線が設けられるとともに、保持容量配線およびサブ配線間には、両者に接続する渡し電極が１画素あたり２つ設けられており、上記保持容量配線が画素電極のエッジの一部と重なり、サブ配線および１画素内の２つの渡し電極が、上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように配されている。

　具体的には、保持容量配線１８ｐおよび走査信号線１６ｘ間にサブ配線１８αが設けられ、保持容量配線１８ｑおよび走査信号線１６ｘ間にサブ配線１８βが設けられ、保持容量配線１８ｑおよび走査信号線１６ｙ間にサブ配線１８γが設けられ、保持容量配線１８ｒおよび走査信号線１６ｙ間にサブ配線１８δが設けられている。そして、例えば画素１００では、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｃ）の重なり部分Ｋｃに保持容量Ｃｈｃ（図１参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｐおよびサブ配線１８α間には、両者に接続する渡し電極４８α・５８αが間隔をおいて設けられ、サブ配線１８α、渡し電極４８αおよび渡し電極５８αが、画素電極１７ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように配されることで、電気的にフローティングである画素電極１７ｃが保持容量配線１８ｐおよびサブ配線１８α並びに渡し電極４８α・５８αによって電気的にシールドされる。また、サブ配線１８αと画素電極１７ａとが重なることで、両者（サブ配線１８αと画素電極１７ａ）の重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図１参照）が形成される。同様に、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｄ）の重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図１参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｑおよびサブ配線１８β間には両者に接続する渡し電極４８β・５８βが間隔をおいて設けられ、サブ配線１８β、渡し電極４８βおよび渡し電極５８βが、画素電極１７ｄの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように配されることで、電気的にフローティングである画素電極１７ｄが保持容量配線１８ｑおよびサブ配線１８β並びに渡し電極４８β・５８βによって電気的にシールドされる。また、このサブ配線１８βと画素電極１７ｂとが重なることで、両者（サブ配線１８βと画素電極１７ｂ）の重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図１参照）が形成される。なお、渡し電極４８α・５８αと画素電極１７ｃとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｃの一部が形成される。また、渡し電極４８β・５８βと画素電極１７ｄとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｄの一部が形成される。

　液晶パネル５ｆでは、サブ配線と、保持容量配線およびサブ配線間を渡す渡し電極とが設けられているため、保持容量配線の冗長性を高めることができる。例えば、保持容量信号を保持容量配線およびサブ配線それぞれに入力しておけば、保持容量配線側の入力や信号伝達に異常があってもサブ配線側から駆動することが可能となる。

　図２の液晶パネル５ａでは、各画素に保持容量配線延伸部を設けているが、この保持容量配線延伸部の代わりに、例えば図１５に示すように、サブ配線と、画素電極と同層に形成されるシールド電極とを設けてもよい。

　図１５に示す液晶パネル５ｇでは、隣り合う２つの画素行に重なる１本の保持容量配線と走査信号線との間に、これら配線と同層に形成されるサブ配線が設けられるとともに、コンタクトホールを介して保持容量配線に接続されたシールド電極が、画素電極と同層に設けられており、保持容量配線が画素電極のエッジの一部と重なり、シールド電極が上記エッジの残部の外側を通るように配されている。

　具体的には、保持容量配線１８ｐおよび走査信号線１６ｘ間にサブ配線１８αが設けられ、保持容量配線１８ｑおよび走査信号線１６ｘ間にサブ配線１８βが設けられ、保持容量配線１８ｑおよび走査信号線１６ｙ間にサブ配線１８γが設けられ、保持容量配線１８ｒおよび走査信号線１６ｙ間にサブ配線１８δが設けられている。そして例えば画素１００では、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｃ）の重なり部分Ｋｃに保持容量Ｃｈｃ（図１参照）が形成される。さらに、コンタクトホール１１α・６１αを介して保持容量配線１８ｐに接続されるシールド電極６８ｃが、（画素電極１７ｃの）上記エッジの残部の外側を通るようにこれと同層に配されることで、電気的にフローティングである画素電極１７ｃが保持容量配線１８ｐおよびシールド電極６８ｃによって電気的にシールドされる。また、サブ配線１８αと画素電極１７ａとが重なることで、両者（サブ配線１８αと画素電極１７ａ）の重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図１参照）が形成される。同様に、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｄ）の重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図１参照）が形成される。さらに、コンタクトホール１１β・６１βを介して保持容量配線１８ｑに接続されるシールド電極６８ｄが、（画素電極１７ｄの）上記エッジの残部の外側を通るようにこれと同層に配されることで、電気的にフローティングである画素電極１７ｄが保持容量配線１８ｑおよびシールド電極６８ｄによって電気的にシールドされる。また、このサブ配線１８βと画素電極１７ｂとが重なることで、両者（サブ配線１８βと画素電極１７ｂ）の重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図１参照）が形成される。

　液晶パネル５ｇでは、電気的にフローティングとなる画素電極と同層にシールド電極が形成されているため、電気的シールド効果が高い。特に、層間絶縁膜を２層（無機層間絶縁膜およびこれよりも厚い有機層間絶縁膜）で構成した場合に好適である。

　図２の液晶パネル５ａでは、走査信号線の一方の側に配される２つの画素電極間の結合容量と、走査信号線の他方の側に配される２つの画素電極間の結合容量とについて、それぞれの容量値を実質的に等しくしているがこれに限定されない。これらの容量値を異なる値とすることもできる。

　図１６に示す液晶パネル５ｈの画素１００では、トランジスタ１２ｂに接続され、画素電極１７ｄと重なる結合容量電極３７ｂの面積を、トランジスタ１２ａに接続され、画素電極１７ｃと重なる結合容量電極３７ａの面積よりも大きくしている。すなわち、画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量Ｃａｃの容量値＝Ｃ１，画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄの容量値＝Ｃ２とすれば、Ｃ２＞Ｃ１となる。したがって、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ａの電位をＶａとし，トランジスタ１２ｂがＯＦＦした後の画素電極１７ｂの電位をＶｂとすれば、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ｃの電位Ｖｃ＝Ｖａ×（Ｃ１／（Ｃｌｉ＋Ｃｈｊ＋Ｃ１））となるとともに、トランジスタ１２ｂがＯＦＦした後の画素電極１７ｄの電位Ｖｄ＝Ｖｂ×（Ｃ２／（Ｃｌｉ＋Ｃｈｊ＋Ｃ２））となり、Ｖａ＝Ｖｂであるため、|Ｖａ|＝|Ｖｂ|≧|Ｖｄ|≧|Ｖｃ|となる（なお、例えば|Ｖａ|は、Ｖａとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）。これにより、画素電極１７ａを含む副画素および画素電極１７ｂを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７ｃを含む副画素は暗副画素となり、画素電極１７ｄを含む副画素は、明副画素（画素電極１７ａあるいは画素電極１７ｂを含む副画素）と暗副画素（画素電極１７ｃを含む副画素）の間の輝度となる中輝度副画素（以下、中副画素）となる。同様に、画素１０１では、トランジスタ１２ｆと接続され、画素電極１７ｈと重なる結合容量電極３７ｆの面積を、トランジスタ１２ｅと接続され、画素電極１７ｅと重なる結合容量電極３７ｅの面積よりも大きくしている。これにより、画素電極１７ｅを含む副画素および画素電極１７ｆを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７ｇを含む副画素は暗副画素となり、画素電極１７ｈを含む副画素は、明副画素（画素電極１７ａあるいは画素電極１７ｂを含む副画素）と暗副画素（画素電極１７ｃを含む副画素）の間の輝度となる中輝度副画素（以下、中副画素）となる。

　図１７は液晶パネル５ｈを備えた本液晶表示装置（ノーマリブラックモードの液晶表示装置）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、ＳｖおよびＳＶは、隣接する２本のデータ信号線（例えば、１５ｘ・１５Ｘ）それぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙに供給されるゲートオンパルス信号、Ｖａ～Ｖｄ，ＶＡ～ＶＤ，Ｖｅ～Ｖｈはそれぞれ、画素電極１７ａ～１７ｄ，１７Ａ～１７Ｄ，１７ｅ～１７ｈの電位を示している。

　この駆動方法では、図１７に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。

　これにより、連続するフレームＦ１・Ｆ２のＦ１では、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素は中輝度副画素（以下、「中」）となり、画素電極１７ｇ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ｅ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｆ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｈ（マイナス極性）を含む副画素は「中」となり、画素電極１７Ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７Ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「中」となり、全体としては、図１８（ａ）のようになる。

　また、Ｆ２では、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「中」となり、画素電極１７ｇ（プラス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ｅ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｆ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｈ（プラス極性）を含む副画素は「中」となり、画素電極１７Ｃ（プラス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７Ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｄ（プラス極性）を含む副画素は「中」となり、全体としては、図１８（ｂ）のようになる。

　液晶パネル５ｈを用いた液晶表示装置では、１つの画素内に、明副画素および暗副画素に加えて中画素（中輝度画素）を形成することができるため、視野角特性をさらに向上させることができる。

　なお、液晶パネル５ｈを図１９のように変形することもできる。図１９では、画素電極１７ｃと画素電極１７Ｃとが行方向に隣接し、画素電極１７ｄと画素電極１７Ｄとが行方向に隣接していることを前提に、トランジスタ１２ｂに接続され、画素電極１７ｄと重なる結合容量電極３７ｂの面積が、トランジスタ１２ａに接続され、画素電極１７ｃと重なる結合容量電極３７ａの面積よりも大きく、トランジスタ１２Ａに接続され、画素電極１７Ｃと重なる結合容量電極３７Ａの面積が、トランジスタ１２Ｂに接続され、画素電極１７Ｄと重なる結合容量電極３７Ｂの面積よりも大きく、結合容量電極３７ａの面積と結合容量電極３７Ｂの面積とが等しく、結合容量電極３７ｂの面積と結合容量電極３７Ａの面積とが等しくなっている。すなわち、画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量Ｃａｃの容量値＝Ｃ１，画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄの容量値＝Ｃ２，１７Ａ・１７Ｃ間の結合容量ＣＡＣの容量値＝Ｃ３，画素電極１７Ｂ・１７Ｄ間の結合容量Ｃｂｄの容量値＝Ｃ４とすれば、Ｃ１＜Ｃ２，Ｃ３＞Ｃ４，Ｃ１＝Ｃ４，Ｃ２＝Ｃ３となっている。

　これにより、画素電極１７ａを含む副画素および画素電極１７ｂを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７ｃを含む副画素は暗副画素となり、画素電極１７ｄを含む副画素は、中副画素となる。一方、画素１００と行方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７Ａを含む副画素および画素電極１７Ｂを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７Ｃを含む副画素は中副画素となり、画素電極１７Ｄを含む副画素は、暗副画素となる。例えば、データ信号線（例えば、１５ｘ・１５Ｘ）および走査信号線（例えば、１６ｘ・１６ｙ）を図１７に示すように駆動すると、各フレーム（Ｆ１・Ｆ２）では図２０のような表示となり、中副画素が偏在しない（行方向に並ばない）ようにすることができる。

　〔実施の形態２〕
　図２１は実施の形態２にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。同図に示すように、本液晶パネルでは、１つの画素に対応して１本のデータ信号線と１本の走査信号線とが設けられており、列方向に隣接する２つの画素に対応して１本の保持容量配線が設けられている。また、１つの画素に３つの画素電極が設けられており、画素１００に設けられた３つの画素電極１７ａ・１７ｂ・１７ｄ、画素１０１に設けられた３つの画素電極１７ｅ・１７ｆ・１７ｈが一列に配されるともに、画素１０２に設けられた３つの画素電極１７Ａ・１７Ｂ・１７Ｄ、画素１０３に設けられた３つの画素電極１１７Ｅ・１７Ｆ・１７Ｈが一列に配され、画素電極１７ａと１７Ａ、画素電極１７ｂと１７Ｂ、画素電極１７ｄと１７Ｄ、画素電極１７ｅと１７Ｅ、画素電極１７ｆと１７Ｆ、画素電極１７ｈと１７Ｈがそれぞれ行方向に隣接している。

　画素１００では、画素電極１７ｂおよび１７ｄが結合容量Ｃｂｄを介して接続され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ｂを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈａが形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｑの延伸部との間に保持容量Ｃｈｂが形成され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｑおよびその延伸部との間に保持容量Ｃｈｄが形成されている。なお、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　一方、画素１００と列方向に隣接する画素１０１では、画素電極１７ｆおよび１７ｈが結合容量Ｃｆｈを介して接続され、画素電極１７ｅが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｅを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｆが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｆを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｅと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｅが形成され、画素電極１７ｆと保持容量配線１８ｒの延伸部との間に保持容量Ｃｈｆが形成され、画素電極１７ｈと保持容量配線１８ｒおよびその延伸部との間に保持容量Ｃｈｈが形成されている。なお、画素電極１７ｅおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｅが形成され、画素電極１７ｆおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｆが形成され、画素電極１７ｈおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｈが形成されている。

　また、画素１００と行方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７Ｂおよび１７Ｄが結合容量ＣＢＤを介して接続され、画素電極１７Ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ｂを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ａおよび保持容量配線１８ｐ間に保持容量ＣｈＡが形成され、画素電極１７Ｂおよび保持容量配線１８ｑの延伸部間に保持容量ＣｈＢが形成され、画素電極１７Ｄおよび保持容量配線１８ｑ間に保持容量ＣｈＤが形成されている。なお、画素電極１７Ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＡが形成され、画素電極１７Ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＢが形成され、画素電極１７Ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＤが形成されている。

　本液晶パネルを備えた液晶表示装置では、順次走査が行われ、走査信号線１６ｘ、１６ｙが順次選択される。例えば、走査信号線１６ｘが選択された場合には、画素電極１７ａがデータ信号線１５ｘに（トランジスタ１２ａを介して）接続され、画素電極１７ｂがデータ信号線１５ｘに（トランジスタ１２ｂを介して）接続され、画素電極１７ｄがデータ信号線１５ｘに（トランジスタ１２ｂおよび画素電極１７ｂを介して）容量結合されるため、Ｃｌａの容量値＝Ｃｌｂの容量値＝Ｃｌｉ，Ｃｌｄの容量値＝Ｃｌｊとし、Ｃｈａの容量値＝Ｃｈｂの容量値＝Ｃｈｉ，Ｃｈｄの容量値＝Ｃｈｊとし、Ｃｂｄの容量値＝Ｃ２とし、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ａの電位をＶａとし，トランジスタ１２ｂがＯＦＦした後の画素電極１７ｂの電位をＶｂとすれば、トランジスタ１２ｂがＯＦＦした後の画素電極１７ｄの電位Ｖｄ＝Ｖｂ×（Ｃ２／（Ｃｌｉ＋Ｃｈｊ＋Ｃ２））となる。ここで、Ｖａ＝Ｖｂであるため、|Ｖａ|＝|Ｖｂ|≧|Ｖｄ|となり（なお、例えば|Ｖａ|はＶａとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）、画素電極１７ａを含む副画素および画素電極１７ｂを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７ｄを含む副画素は暗副画素となる。同様に、画素電極１７Ａを含む副画素および画素電極１７Ｂを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７Ｄを含む副画素は暗副画素となる。また、例えば、走査信号線１６ｙが選択された場合には、画素電極１７ｅを含む副画素および画素電極１７ｆを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７ｈを含む副画素は暗副画素となり、画素電極１７Ｅを含む副画素および画素電極１７Ｆを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７Ｈを含む副画素は暗副画素となる。

　図２１の液晶パネルの一具体例を図２２に示す。図２２の液晶パネル５ｋでは、各画素はこれを横切る１本の走査信号線によって２つの部分（領域）に分けられ、一方の部分には、１つの画素電極が、画素の行方向に沿う２つのエッジと走査信号線とに隣接するように配され、他方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接し、後者が上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられる。また、隣り合う２つの画素行に対応して（重なるように）１本の保持容量配線が設けられ、該保持容量配線は画素電極のエッジの一部と重なるともに、容量結合された画素電極と重なる保持容量配線には、平面的に視て上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線に合流する保持容量配線延伸部が繋がっている。

　具体的には、画素１００および画素１０１に沿うようにデータ信号線１５ｘが設けられ、画素１０２および画素１０３に沿うようにデータ信号線１５Ｘが設けられ、走査信号線１６ｘが画素１００・１０２それぞれの中央を横切り、走査信号線１６ｙが画素１０１・１０３それぞれの中央を横切っている。また、画素１００・１０２を含む画素行およびこれの図中上側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｐが設けられ、画素１００・１０２を含む画素行および画素１０１・１０３を含む画素行に重なるように保持容量配線１８ｑが設けられ、画素１０１・１０３を含む画素行およびこれの図中下側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｒが設けられている。

　例えば画素１００では、この中央を横切る走査信号線１６ｘの図中上側に、トランジスタ１２ａに接続する長方形形状の画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘと画素１００の行方向に沿う２つのエッジの一方とに隣接するように配され、走査信号線１６ｘの図中下側に、トランジスタ１２ｂに接続する長方形形状の画素電極１７ｂとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｄとが、画素電極１７ｂが走査信号線１６ｘと隣接し、画素電極１７ｄが画素１００における行方向に沿う上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａ並びにトランジスタ１２ｂのソース電極８ｂおよびドレイン電極９ｂが形成されている。ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線２７ａに接続され、ドレイン引き出し配線２７ａはコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続される。また、ソース電極８ｂはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線２７ｂに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｂは、同層に形成された結合容量電極３７ｂに繋がるとともにコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、結合容量電極３７ｂは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｄと重なっており、これによって画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄ（図１参照）が形成される。

　そして、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ａのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａ）の重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図１参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｄ）の重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図１参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｑには、平面的に視て、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｄの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｄが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｄが保持容量配線１８ｑおよび保持容量配線延伸部１８ｄによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｂとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｂ）の重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図１参照）が形成される。なお、保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｄとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｄの一部が形成される。

　また、画素１０１では、この中央を横切る走査信号線１６ｙの図中上側に、トランジスタ１２ｅに接続する長方形形状の画素電極１７ｅが、走査信号線１６ｙと画素１０１の行方向に沿う２つのエッジの一方とに隣接するように配され、走査信号線１６ｙの図中下側に、トランジスタ１２ｆに接続する画素電極１７ｆとこれに容量を介して接続する画素電極１７ｈとが、画素電極１７ｆが走査信号線１６ｙと隣接し、画素電極１７ｈが上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。そして、走査信号線１６ｙ上に、トランジスタ１２ｅのソース電極８ｅおよびドレイン電極９ｅ並びにトランジスタ１２ｆのソース電極８ｆおよびドレイン電極９ｆが形成されている。ソース電極８ｅはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｅはドレイン引き出し配線２７ｅに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｅはコンタクトホール１１ｅを介して画素電極１７ｅに接続される。
また、ソース電極８ｆはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｆはドレイン引き出し配線２７ｆに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｆは、同層に形成された結合容量電極３７ｆに繋がるとともにコンタクトホール１１ｆを介して画素電極１７ｆに接続され、結合容量電極３７ｆは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｈと重なっており、これによって画素電極１７ｆ・１７ｈ間の結合容量Ｃｆｈ（図１参照）が形成される。

　そして、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｅのエッジの一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｅ）の重なり部分Ｋｅに保持容量Ｃｈｅ（図１参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｒが画素電極１７ｈのエッジの一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｒと画素電極１７ｈ）の重なり部分Ｋｈに保持容量Ｃｈｈ（図１参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｒには、平面的に視て、保持容量配線１８ｒから枝分かれして画素電極１７ｈの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｒに合流する保持容量配線延伸部１８ｈが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｈが保持容量配線１８ｒおよび保持容量配線延伸部１８ｈによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｈと画素電極１７ｆとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｈと画素電極１７ｆ）の重なり部分Ｋｆに保持容量Ｃｈｆ（図１参照）が形成される。なお、保持容量配線延伸部１８ｈと画素電極１７ｈとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｈの一部が形成される。

　図２３は図２１・２２に示す液晶パネルを備えた本液晶表示装置（ノーマリブラックモードの液晶表示装置）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、ＳｖおよびＳＶは、隣接する２本のデータ信号線（例えば、１５ｘ・１５Ｘ）それぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙに供給されるゲートオンパルス信号、Ｖａ・Ｖｂ・Ｖｄ，ＶＡ・ＶＢ・ＶＤ，Ｖｅ・Ｖｆ・Ｖｈはそれぞれ、画素電極１７ａ・１７ｂ・１７ｄ，１７Ａ・１７Ｂ・１７Ｄ，１７ｅ・１７ｆ・１７ｈの電位を示している。

　この駆動方法では、図２３に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。

　これにより、連続するフレームＦ１・Ｆ２のＦ１では、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｅ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｆ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｈ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図２４（ａ）のようになる。

　また、Ｆ２では、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｅ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｆ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｈ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｄ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図２４（ｂ）のようになる。

　液晶パネル５ｋでは、走査信号線を画素中央に配置しているため、トランジスタを介してデータ信号線に接続する２つの画素電極（明副画素に対応する画素電極）を画素内で隣接配置するとともに、電気的にフローティングとなる１つの画素電極（暗副画素に対応する画素電極）を、明副画素に対応する２つの画素電極と並べて配置し、かつ保持容量配線および保持容量配線延伸部を、走査信号線から離しながら電気的にフローティングとなる上記画素電極の電気的シールドパターンとしても機能させることができる。これにより、液晶パネル５ｋを備えた液晶表示装置において、該２つの画素電極への電荷の飛び込みを抑制して暗副画素の焼き付きを可及的に回避しつつ、画素内において隣接配置された２つの明副画素と暗副画素とを列方向に並べることができる。これにより、この液晶表示装置において、該２つの画素電極への電荷の飛び込みを抑制して暗副画素の焼き付きを可及的に回避しつつ、異なる画素に属する明副画素同士が隣接しないようにすることができ、上記従来の液晶表示装置よりも自然な表示が可能となる。また、走査信号線を画素中央に配置することでドレイン引き出し配線を短縮することができ、その断線率の低減や開口率の向上といった効果も得ることができる。さらに、保持容量配線延伸部によって保持容量配線の冗長効果も得ることができる。例えば、保持容量配線が、保持容量配線延伸部が枝分かれする部分と保持容量配線延伸部が合流する部分との間で断線しても、保持容量配線延伸部がバイパスルートとなって断線箇所以降の部分に保持容量配線信号（例えば、共通電極の電位に等しいＶｃｏｍ信号）を送ることができる。

　また、図２３・２４に示すように各データ信号線に供給する信号電位の極性を一水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させることで、列方向に隣接する２つの画素間においてトランジスタＯＦＦ時の電位の引き込み方向が逆となり、チラツキ感を抑制することができる。また、同図に示すように同一水平走査期間において、隣接する２本のデータ信号線それぞれに逆極性の信号電位を供給することで、行方向に隣接する２つの画素間においてトランジスタＯＦＦ時の電位の引き込み方向が逆となり、チラツキ感を抑制することができる。

　〔実施の形態３〕
　図２５は実施の形態３にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図２５に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線（１５ｘ・１５Ｘ）、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線（１６ｘ・１６ｙ）、行および列方向に並べられた画素（１００～１０３）、保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ・１８ｒ）、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素１００・１０１が含まれる画素列と、画素１０２・１０３が含まれる画素列とが隣接し、画素１００・１０２が含まれる画素行と、画素１０１・１０３が含まれる画素行とが隣接している。

　本液晶パネルでは、１つの画素に対応して１本のデータ信号線と１本の走査信号線とが設けられており、列方向に隣接する２つの画素に対応して１本の保持容量配線が設けられている。また、１つの画素に６つの画素電極が設けられており、画素１００に設けられた６つの画素電極１７ｃ・１７ｔ・１７ａ・１７ｂ・１７ｓ・１７ｄ、画素１０１に設けられた６つの画素電極１７ｇ・１７ｗ・１７ｅ・１７ｆ・１７ｚ・１７ｈが一列に配されるともに、画素１０２に設けられた６つの画素電極１７Ｃ・１７Ｔ・１７Ａ・１７Ｂ・１７Ｓ・１７Ｄ、画素１０３に設けられた６つの画素電極１７Ｇ・１７Ｗ・１７Ｅ・１７Ｆ・１７Ｚ・１７Ｈが一列に配され、画素電極１７ｃと１７Ｃ、画素電極１７ｔと１７Ｔ、画素電極１７ａと１７Ａ、画素電極１７ｂと１７Ｂ、画素電極１７ｓと１７Ｓ、画素電極１７ｄと１７Ｄ、画素電極１７ｇと１７Ｇ、画素電極１７ｗと１７Ｗ、画素電極１７ｅと１７Ｅ、画素電極１７ｆと１７Ｆ、画素電極１７ｚと１７Ｚ、画素電極１７ｈと１７Ｈがそれぞれ行方向に隣接している。

　画素１００では、画素電極１７ａおよび１７ｔが結合容量Ｃａｔを介して接続されるともに、画素電極１７ｔおよび１７ｃが結合容量Ｃｔｃを介して接続され、かつ、画素電極１７ｂおよび１７ｓが結合容量Ｃｂｓを介して接続されるともに、画素電極１７ｓおよび１７ｄが結合容量Ｃｓｄを介して接続され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ｂを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｐおよびその延伸部との間に保持容量Ｃｈｃが形成され、画素電極１７ｔと保持容量配線１８ｐの延伸部との間に保持容量Ｃｈｔが形成され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｐの延伸部との間に保持容量Ｃｈａが形成され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｑおよびその延伸部との間に保持容量Ｃｈｄが形成され、画素電極１７ｓと保持容量配線１８ｑの延伸部との間に保持容量Ｃｈｓが形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｑの延伸部との間に保持容量Ｃｈｂが形成されている。なお、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ｔおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｔが形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成され、画素電極１７ｓおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｓが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　本液晶パネルを備えた液晶表示装置では、順次走査が行われ、走査信号線１６ｘ、１６ｙが順次選択される。例えば、走査信号線１６ｘが選択された場合には、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ａ、１７ｔ、１７ｃそれぞれの電位をＶａ、Ｖｔ、Ｖｃとし、トランジスタ１２ｂがＯＦＦした後の画素電極１７ｂ、１７ｓ、１７ｄそれぞれの電位をＶｂ、Ｖｓ、Ｖｄとすれば、|Ｖａ|＝|Ｖｂ|≧|Ｖｔ|＝|Ｖｓ|≧|Ｖｃ|＝|Ｖｄ|となり（なお、例えば|Ｖａ|は、Ｖａとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）、画素電極１７ａを含む副画素および画素電極１７ｂを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の明副画素、画素電極１７ｃを含む副画素および画素電極１７ｄを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の暗副画素、画素電極１７ｔを含む副画素および画素電極１７ｓを含む副画素はそれぞれ実質的に同一輝度の中副画素（明副画素と暗副画素の間の輝度となる副画素）となる。

　本液晶パネルの一具体例を図２６に示す。図２６の液晶パネル５ｊでは、画素１００および画素１０１に沿うようにデータ信号線１５ｘが設けられ、画素１０２および画素１０３に沿うようにデータ信号線１５Ｘが設けられ、走査信号線１６ｘが画素１００・１０２それぞれの中央を横切り、走査信号線１６ｙが画素１０１・１０３それぞれの中央を横切っている。また、画素１００・１０２を含む画素行およびこれの図中上側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｐが設けられ、画素１００・１０２を含む画素行および画素１０１・１０３を含む画素行に重なるように保持容量配線１８ｑが設けられ、画素１０１・１０３を含む画素行およびこれの図中下側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｒが設けられている。

　そして、例えば画素１００では、この中央を横切る走査信号線１６ｘの図中上側に、トランジスタ１２ａに接続する長方形形状の画素電極１７ａと、画素電極１７ａに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｔと、画素電極１７ｔに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｃとが、画素電極１７ａが走査信号線１６ｘに隣接し、画素電極１７ｃが画素１００の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接し、画素電極１７ｔが画素電極１７ａおよび画素電極１７ｃに挟まれるように並べられる一方、走査信号線１６ｘの図中下側に、トランジスタ１２ｂに接続する長方形形状の画素電極１７ｂと、画素電極１７ｂに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｓと、画素電極１７ｓに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｄとが、画素電極１７ｂが走査信号線１６ｘと隣接し、画素電極１７ｄが画素１００の行方向に沿う上記２つのエッジの他方と隣接し、画素電極１７ｓが画素電極１７ｂおよび画素電極１７ｄに挟まれるようにするように並べられている。

　走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａ並びにトランジスタ１２ｂのソース電極８ｂおよびドレイン電極９ｂが形成されている。ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線２７ａに接続され、ドレイン引き出し配線２７ａは、同層に形成された結合容量電極３７ａに繋がるとともにコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続され、結合容量電極３７ａは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｔと重なっており、これによって画素電極１７ａ・１７ｔ間の結合容量Ｃａｔ（図２５参照）が形成される。また、画素電極１７ｔはコンタクトホール１１ｔを介して結合容量電極３７ｔに接続され、結合容量電極３７ｔは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｃと重なっており、これによって画素電極１７ｔ・１７ｃ間の結合容量Ｃｔｃ（図２５参照）が形成される。また、ソース電極８ｂはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線２７ｂに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｂは、同層に形成された結合容量電極３７ｂに繋がるとともにコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、結合容量電極３７ｂは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｓと重なっており、これによって画素電極１７ｂ・１７ｓ間の結合容量Ｃｂｓ（図２５参照）が形成される。また、画素電極１７ｓはコンタクトホール１１ｓを介して結合容量電極３７ｓに接続され、結合容量電極３７ｓは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｄと重なっており、これによって画素電極１７ｓ・１７ｄ間の結合容量Ｃｓｄ（図２５参照）が形成される。

　さらに、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｃ）の重なり部分Ｋｃに保持容量Ｃｈｃ（図２５参照）の多くが形成される。また、保持容量配線１８ｐには、平面的に視て、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８ｃが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｃが保持容量配線１８ｐおよび保持容量配線延伸部１８ｃによって電気的にシールドされる。また、保持容量配線延伸部１８ｃが画素電極１７ｔのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ｔ）の重なり部分Ｋｔに保持容量Ｃｈｔ（図２５参照）の一部が形成される。また、保持容量配線延伸部１８ｃには、平面的に視て、保持容量配線延伸部１８ｃから枝分かれして画素電極１７ｔの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線延伸部１８ｃに合流する保持容量配線延伸部１８ｔが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｔが保持容量配線延伸部１８ｃおよび保持容量配線延伸部１８ｔによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｔと画素電極１７ａとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｔと画素電極１７ａ）の重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図２５参照）が形成される。なお、保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ｃとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｃの一部が形成される。また、保持容量配線延伸部１８ｔと画素電極１７ｔとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｔの一部が形成される。

　同様に、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｄ）の重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図２５参照）の多くが形成される。また、保持容量配線１８ｑには、平面的に視て、保持容量配線１８ｑから枝分かれして画素電極１７ｄの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｄが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｄが保持容量配線１８ｑおよび保持容量配線延伸部１８ｄによって電気的にシールドされる。また、保持容量配線延伸部１８ｄが画素電極１７ｓのエッジの一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｓ）の重なり部分Ｋｓに保持容量Ｃｈｓ（図２５参照）の一部が形成される。また、保持容量配線延伸部１８ｄには、平面的に視て、保持容量配線延伸部１８ｄから枝分かれして画素電極１７ｓの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線延伸部１８ｄに合流する保持容量配線延伸部１８ｓが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｓが保持容量配線延伸部１８ｄおよび保持容量配線延伸部１８ｓによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｓと画素電極１７ｂとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｓと画素電極１７ｂ）の重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図２５参照）が形成される。なお、保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｄとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｄの一部が形成される。また、保持容量配線延伸部１８ｓと画素電極１７ｓとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｓの一部が形成される。

　図２７は図２５・２６に示す液晶パネルを備えた本液晶表示装置（ノーマリブラックモードの液晶表示装置）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、ＳｖおよびＳＶは、隣接する２本のデータ信号線（例えば、１５ｘ・１５Ｘ）それぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙに供給されるゲートオンパルス信号、Ｖａ～Ｖｄ，Ｖｔ，Ｖｓはそれぞれ、画素電極１７ａ～１７ｄ，１７ｔ，１７ｓの電位を示している。

　この駆動方法では、図２７に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。

　具体的には、連続するフレームＦ１・Ｆ２において、Ｆ１では、走査信号線を順次選択（例えば、走査信号線１６ｘ・１６ｙをこの順に選択）し、隣接する２本のデータ信号線の一方（例えば、データ信号線１５ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａ・１７ｂの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ｅ・１７ｆの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方（例えば、データ信号線１５Ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ａ・１７Ｂの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ｅ・１７Ｆの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給する。これにより、図２７に示すように、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ｔ（プラス極性）を含む副画素は「中」、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｓ（プラス極性）を含む副画素は「中」、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図２８（ａ）のようになる。

　また、Ｆ２では、走査信号線を順次選択（例えば、走査信号線１６ｘ・１６ｙをこの順に選択）し、隣接する２本のデータ信号線の一方（例えば、データ信号線１５ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａ・１７ｂの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ｅ・１７ｆの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方（例えば、データ信号線１５Ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ａ・１７Ｂの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ｅ・１７Ｆの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給する。これにより、図２７に示すように、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ｔ（マイナス極性）を含む副画素は「中」、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｓ（マイナス極性）を含む副画素は「中」、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図２８（ｂ）のようになる。

　液晶パネル５ｊでは、走査信号線を画素中央に配置しているため、トランジスタを介してデータ信号線に接続する２つの画素電極（明副画素に対応する画素電極）を画素中央に配置するとともに、暗副画素に対応する２つの画素電極（電気的にフローティングとなる）を画素両端に配置し、かつ中副画素に対応する２つの画素電極（電気的にフローティングとなる）それぞれを、明副画素と暗副画素との間に配置し、さらに、保持容量配線および保持容量配線延伸部を、走査信号線から離しながら電気的にフローティングとなる上記４つの画素電極（暗副画素・中副画素）の電気的シールドパターンとして機能させることができる。これにより、液晶パネル５ｊを備えた液晶表示装置において、該４つの画素電極への電荷の飛び込みを抑制して中・暗副画素の焼き付きを可及的に回避しつつ、異なる画素に属する明副画素同士が隣接しないようにすることができ、上記従来の液晶表示装置よりも自然な表示が可能となる。

　また、図２７・２８に示すように各データ信号線に供給する信号電位の極性を一水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させることで、列方向に隣接する２つの画素間においてトランジスタＯＦＦ時の電位の引き込み方向が逆となり、チラツキ感を抑制することができる。また、同図に示すように同一水平走査期間において、隣接する２本のデータ信号線それぞれに逆極性の信号電位を供給することで、行方向に隣接する２つの画素間においてトランジスタＯＦＦ時の電位の引き込み方向が逆となり、チラツキ感を抑制することができる。

　本実施の形態では、以下のようにして、本液晶表示ユニットおよび液晶表示装置を構成する。すなわち、本液晶パネル（５ａ～５ｈ，５ｊ・５ｋ）の両面に、２枚の偏光板Ａ・Ｂを、偏光板Ａの偏光軸と偏光板Ｂの偏光軸とが互いに直交するように貼り付ける。なお、偏光板には必要に応じて、光学補償シート等を積層してもよい。次に、図２９（ａ）に示すように、ドライバ（ゲートドライバ２０２、ソースドライバ２０１）を接続する。ここでは、一例として、ドライバをＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｅｅｒＰａｃｋａｇｅ）方式による接続について説明する。まず、液晶パネルの端子部にＡＣＦ（ＡｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉＣｏｎｄｕｋｔｉｖｅＦｉｌｍ）を仮圧着する。ついで、ドライバが乗せられたＴＣＰをキャリアテープから打ち抜き、パネル端子電極に位置合わせし、加熱、本圧着を行う。その後、ドライバＴＣＰ同士を連結するための回路基板２０９（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄｗｉｒｉｎｇｂｏａｒｄ）とＴＣＰの入力端子とをＡＣＦで接続する。これにより、液晶表示ユニット２００が完成する。その後、図２９（ｂ）に示すように、液晶表示ユニットの各ドライバ（２０１・２０２）に、回路基板２０３を介して表示制御回路２０９を接続し、照明装置（バックライトユニット）２０４と一体化することで、液晶表示装置２１０となる。

　本願でいう「電位の極性」とは、基準となる電位以上（プラス）あるいは基準となる電位以下（マイナス）を意味する。ここで、基準となる電位は、共通電極（対向電極）の電位であるＶｃｏｍ（コモン電位）であってもその他任意の電位であってもよい。

　図３０は、本液晶表示装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、本液晶表示装置は、表示部（液晶パネル）と、ソースドライバ（ＳＤ）と、ゲートドライバ（ＧＤ）と、表示制御回路とを備えている。ソースドライバはデータ信号線を駆動し、ゲートドライバは走査信号線を駆動し、表示制御回路は、ソースドライバおよびゲートドライバを制御する。

　表示制御回路は、外部の信号源（例えばチューナー）から、表示すべき画像を表すデジタルビデオ信号Ｄｖと、当該デジタルビデオ信号Ｄｖに対応する水平同期信号ＨＳＹおよび垂直同期信号ＶＳＹと、表示動作を制御するための制御信号Ｄｃとを受け取る。また、表示制御回路は、受け取ったこれらの信号Ｄｖ，ＨＳＹ，ＶＳＹ，Ｄｃに基づき、そのデジタルビデオ信号Ｄｖの表す画像を表示部に表示させるための信号として、データスタートパルス信号ＳＳＰと、データクロック信号ＳＣＫと、表示すべき画像を表すデジタル画像信号ＤＡ（ビデオ信号Ｄｖに対応する信号）と、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰと、ゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号（走査信号出力制御信号）ＧＯＥとを生成し、これらを出力する。

　より詳しくは、ビデオ信号Ｄｖを内部メモリで必要に応じてタイミング調整等を行った後に、デジタル画像信号ＤＡとして表示制御回路から出力し、そのデジタル画像信号ＤＡの表す画像の各画素に対応するパルスからなる信号としてデータクロック信号ＳＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づき１水平走査期間毎に所定期間だけハイレベル（Ｈレベル）となる信号としてデータスタートパルス信号ＳＳＰを生成し、垂直同期信号ＶＳＹに基づき１フレーム期間（１垂直走査期間）毎に所定期間だけＨレベルとなる信号としてゲートスタートパルス信号ＧＳＰを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づきゲートクロック信号ＧＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹおよび制御信号Ｄｃに基づきゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥを生成する。

　上記のようにして表示制御回路において生成された信号のうち、デジタル画像信号ＤＡ、信号電位（データ信号電位）の極性を制御する極性反転信号ＰＯＬ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、およびデータクロック信号ＳＣＫは、ソースドライバに入力され、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰとゲートクロック信号ＧＣＫとゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとは、ゲートドライバに入力される。

　ソースドライバは、デジタル画像信号ＤＡ、データクロック信号ＳＣＫ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、および極性反転信号ＰＯＬに基づき、デジタル画像信号ＤＡの表す画像の各走査信号線における画素値に相当するアナログ電位（信号電位）を１水平走査期間毎に順次生成し、これらのデータ信号をデータ信号線（例えば、１５ｘ・１５Ｘ）に出力する。

　ゲートドライバは、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとに基づき、ゲートオンパルス信号を生成し、これらを走査信号線に出力し、これによって走査信号線を選択的に駆動する。

　上記のようにソースドライバおよびゲートドライバにより表示部（液晶パネル）のデータ信号線および走査信号線が駆動されることで、選択された走査信号線に接続されたトランジスタ（ＴＦＴ）を介して、データ信号線から画素電極に信号電位が書き込まれる。これにより各副画素の液晶層に電圧が印加され、これによってバックライトからの光の透過量が制御され、デジタルビデオ信号Ｄｖの示す画像が各副画素に表示される。

　次に、本液晶表示装置をテレビジョン受信機に適用するときの一構成例について説明する。図３１は、テレビジョン受信機用の液晶表示装置８００の構成を示すブロック図である。液晶表示装置８００は、液晶表示ユニット８４と、Ｙ／Ｃ分離回路８０と、ビデオクロマ回路８１と、Ａ／Ｄコンバータ８２と、液晶コントローラ８３と、バックライト駆動回路８５と、バックライト８６と、マイコン（マイクロコンピュータ）８７と、階調回路８８とを備えている。なお、液晶表示ユニット８４は、液晶パネルと、これを駆動するためのソースドライバおよびゲートドライバとで構成される。

　上記構成の液晶表示装置８００では、まず、テレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖが外部からＹ／Ｃ分離回路８０に入力され、そこで輝度信号と色信号に分離される。これらの輝度信号と色信号は、ビデオクロマ回路８１にて光の３原色に対応するアナログＲＧＢ信号に変換され、さらに、このアナログＲＧＢ信号はＡ／Ｄコンバータ８２により、デジタルＲＧＢ信号に変換される。このデジタルＲＧＢ信号は液晶コントローラ８３に入力される。また、Ｙ／Ｃ分離回路８０では、外部から入力された複合カラー映像信号Ｓｃｖから水平および垂直同期信号も取り出され、これらの同期信号もマイコン８７を介して液晶コントローラ８３に入力される。

　液晶表示ユニット８４には、液晶コントローラ８３からデジタルＲＧＢ信号が、上記同期信号に基づくタイミング信号と共に所定のタイミングで入力される。また、階調回路８８では、カラー表示の３原色Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの階調電位が生成され、それらの階調電位も液晶表示ユニット８４に供給される。液晶表示ユニット８４では、これらのＲＧＢ信号、タイミング信号および階調電位に基づき内部のソースドライバやゲートドライバ等により駆動用信号（データ信号＝信号電位、走査信号等）が生成され、それらの駆動用信号に基づき、内部の液晶パネルにカラー画像が表示される。なお、この液晶表示ユニット８４によって画像を表示するには、液晶表示ユニット内の液晶パネルの後方から光を照射する必要があり、この液晶表示装置８００では、マイコン８７の制御の下にバックライト駆動回路８５がバックライト８６を駆動することにより、液晶パネルの裏面に光が照射される。上記の処理を含め、システム全体の制御はマイコン８７が行う。なお、外部から入力される映像信号（複合カラー映像信号）としては、テレビジョン放送に基づく映像信号のみならず、カメラにより撮像された映像信号や、インターネット回線を介して供給される映像信号なども使用可能であり、この液晶表示装置８００では、様々な映像信号に基づいた画像表示が可能である。

　液晶表示装置８００でテレビジョン放送に基づく画像を表示する場合には、図３２に示すように、液晶表示装置８００にチューナー部９０が接続され、これによって本テレビジョン受像機が構成される。このチューナー部９０は、アンテナ（不図示）で受信した受信波（高周波信号）の中から受信すべきチャンネルの信号を抜き出して中間周波信号に変換し、この中間周波数信号を検波することによってテレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖを取り出す。この複合カラー映像信号Ｓｃｖは、既述のように液晶表示装置８００に入力され、この複合カラー映像信号Ｓｃｖに基づく画像が該液晶表示装置８００によって表示される。

　図３３は、本テレビジョン受像機の一構成例を示す分解斜視図である。同図に示すように、本テレビジョン受像機は、その構成要素として、液晶表示装置８００の他に第１筐体８０１および第２筐体８０６を有しており、液晶表示装置８００を第１筐体８０１と第２筐体８０６とで包み込むようにして挟持した構成となっている。第１筐体８０１には、液晶表示装置８００で表示される画像を透過させる開口部８０１ａが形成されている。また、第２筐体８０６は、液晶表示装置８００の背面側を覆うものであり、当該表示装置８００を操作するための操作用回路８０５が設けられると共に、下方に支持用部材８０８が取り付けられている。

　本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態を技術常識に基づいて適宜変更したものやそれらを組み合わせて得られるものも本発明の実施の形態に含まれる。

　本発明の液晶パネルおよび液晶表示装置は、例えば液晶テレビに好適である。

Claims

　走査信号線と、該走査信号線に接続されたスイッチング素子と、データ信号線とを備え、１つの画素領域に、スイッチング素子を介して上記データ信号線に接続された第１および第２画素電極と、容量を介して該第１画素電極に接続された第３画素電極とが設けられたアクティブマトリクス基板であって、
　画素領域はこれを横切る上記走査信号線によって２つの部分に分けられ、その一方に第１画素電極が配されるとともに、他方に第２画素電極が配されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
　平面的に視て、上記第１および第２画素電極それぞれが上記走査信号線に隣接して配されていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
　上記２つの部分の一方に第１および第３画素電極が配されていることを特徴とする請求項１または２記載のアクティブマトリクス基板。
　第３画素電極のエッジの一部と重なる第１保持容量配線と、平面的に視て、第１保持容量配線から枝分かれして上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び第１保持容量配線に合流する第１保持容量配線延伸部とを備えることを特徴とする請求項３記載のアクティブマトリクス基板。
　第１保持容量配線延伸部は第１画素電極と重なっていることを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス基板。
　第１保持容量配線延伸部が画素領域ごとに設けられており、列方向に隣り合う第１保持容量配線延伸部同士が互いに接続されていることを特徴とする請求項４または５記載のアクティブマトリクス基板。
　第１保持容量配線は、隣接する２つの画素領域に対応して設けられていることを特徴とする請求項４～６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　第３画素電極のエッジの一部と重なる第１保持容量配線と、第１画素電極と保持容量を形成する第１サブ配線とを備えるとともに、第１保持容量配線および第１サブ配線間には、両配線に接続する渡し電極が１画素領域あたり２つ設けられており、第１サブ配線およびこの２つの渡し電極が、上記第３画素電極のエッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように配されていることを特徴とする請求項３記載のアクティブマトリクス基板。
　各画素電極下に設けられる層間絶縁膜は、第３画素電極および第１保持容量配線と重畳する部分の少なくとも一部と、第３画素電極および第１保持容量配線延伸部と重畳する部分の少なくとも一部とが薄くなっていることを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第３画素電極および第１保持容量配線と重畳する部分の少なくとも一部と、第３画素電極および第１保持容量配線延伸部と重畳する部分の少なくとも一部とについては、有機絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス基板。
　第３画素電極のエッジの一部と重なる第１保持容量配線と、コンタクトホールを介して第１保持容量配線に接続された第１シールド電極とを備え、第１シールド電極は、第３画素電極と同層に形成されるとともに、平面的に視て、上記エッジの残部の外側を通るように延伸していることを特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリクス基板。
　各画素電極の下層に設けられる層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなることを特徴とする請求項１１に記載のアクティブマトリクス基板。
　第１画素電極と電気的に接続された第１結合容量電極を備え、
　第１結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第３画素電極と重なっていることを特徴とする請求項１～１２のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記スイッチング素子は第１トランジスタを含み、第１トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第１画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、該引き出し配線と第１結合容量電極とが同層で繋がっていることを特徴とする請求項１３に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記スイッチング素子は第１トランジスタを含み、第１トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第１画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、コンタクトホールを介して第１画素電極に接続された中継配線と第１結合容量電極とが同層で繋がっていることを特徴とする請求項１３に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記層間絶縁膜は、第３画素電極および第１結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部が薄くなっていることを特徴とする請求項１３に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第３画素電極および第１結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部については、有機絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項１６に記載のアクティブマトリクス基板。
　容量を介して第２画素電極に接続された第４画素電極を備え、
　上記２つの部分の一方に第２および第４画素電極が配されていることを特徴とする請求項１～１７のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　第４画素電極のエッジの一部と重なる第２保持容量配線と、平面的に視て、第２保持容量配線から枝分かれして上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び第２保持容量配線に合流する第２保持容量配線延伸部とを備えることを特徴とする請求項１８記載のアクティブマトリクス基板。
　第２保持容量配線延伸部は第２画素電極と重なっていることを特徴とする請求項１９に記載のアクティブマトリクス基板。
　第２保持容量配線延伸部が画素領域ごとに設けられており、列方向に隣り合う第２保持容量配線延伸部同士が互いに接続されていることを特徴とする請求項１９または２０記載のアクティブマトリクス基板。
　第２保持容量配線は、隣接する２つの画素領域に対応して設けられていることを特徴とする請求項１９～２１のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　第４画素電極のエッジの一部と重なる第２保持容量配線と、第２画素電極と保持容量を形成する第２サブ配線とを備えるとともに、第２保持容量配線および第２サブ配線間には、両配線に接続する渡し電極が１画素領域あたり２つ設けられており、第２保持容量配線およびこの２つの渡し電極が、上記第４画素電極のエッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように配されていることを特徴とする請求項１８記載のアクティブマトリクス基板。
　各画素電極下に設けられる層間絶縁膜は、第４画素電極および第２保持容量配線と重畳する部分の少なくとも一部と、第４画素電極および第２保持容量配線延伸部と重畳する部分の少なくとも一部とが薄くなっていることを特徴とする請求項１９に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第４画素電極および第２保持容量配線と重畳する部分の少なくとも一部と、第４画素電極および第２保持容量配線延伸部と重畳する部分の少なくとも一部とについては、有機絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項２４に記載のアクティブマトリクス基板。
　第４画素電極のエッジの一部と重なる第２保持容量配線と、コンタクトホールを介して第２保持容量配線に接続された第２シールド電極とを備え、第２シールド電極は、第４画素電極と同層に形成されるとともに、平面的に視て、上記エッジの残部の外側を通るように延伸していることを特徴とする請求項１８に記載のアクティブマトリクス基板。
　各画素電極下層に設けられる層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなることを特徴とする請求項２６に記載のアクティブマトリクス基板。
　第２画素電極と電気的に接続された第２結合容量電極を備え、
　第２結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第４画素電極と重なっていることを特徴とする請求項１８～２７のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記スイッチング素子は第２トランジスタを含み、第２トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第２画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、該引き出し配線と第２結合容量電極とが同層で繋がっていることを特徴とする請求項２８に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記スイッチング素子は第２トランジスタを含み、第２トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第２画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、コンタクトホールを介して第２画素電極に接続された中継配線と第２結合容量電極とが同層で繋がっていることを特徴とする請求項２８に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記層間絶縁膜は、第４画素電極および第２結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部が薄くなっていることを特徴とする請求項２８に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第４画素電極および第２結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部については、有機絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項３１に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記スイッチング素子はさらに第２トランジスタを含み、第２トランジスタの一導通端子から引き出された引き出し配線と第２画素電極とがコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項１４または１５に記載のアクティブマトリクス基板。
　第１および第２画素電極と同層に、これら両電極を連結する連結電極が設けられていることを特徴とする請求項１～３３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　容量を介して第２画素電極に接続された第４画素電極と、第１画素電極と電気的に接続された第１結合容量電極と、第２画素電極と電気的に接続された第２結合容量電極とを備え、
　第１結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第３画素電極と重なっているとともに、第２結合容量電極は、上記層間絶縁膜を介して第４画素電極と重なっており、
　第１結合容量電極および第３画素電極の重なり面積と、第２結合容量電極および第４画素電極の重なり面積とが互いに異なっていることを特徴とする請求項１～３４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記走査信号線は画素領域の中央を横切っていることを特徴とする請求項１～３５のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　容量を介して第２画素電極に接続された第４画素電極を備え、
　上記２つの部分の一方に第１および第３画素電極が配されるとともに、他方に第２および第４画素電極が配され、
　第１画素電極および第３画素電極の間隙と、第２画素電極および第４画素電極の間隙とが、配向規制構造物として機能することを特徴とする請求項１～３６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　容量を介して第３画素電極に接続された第５画素電極を備えることを特徴とする請求項１～３７のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　容量を介して第２画素電極に接続された第４画素電極と、容量を介して該第４画素電極に接続された第６画素電極とを備えることを特徴とする請求項１～３８のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　走査信号線と、データ信号線と、該走査信号線および該データ信号線に接続された第１トランジスタと、上記走査信号線および上記データ信号線に接続された第２トランジスタとを備えたアクティブマトリクス基板であって、
　１つの画素領域に、第１トランジスタに接続された第１画素電極と、第２トランジスタに接続された第２画素電極と、容量を介して上記第１画素電極に接続された第３画素電極とが設けられ、
　上記第１および第２画素電極が間隙を挟んで向かい合うように配され、
　上記走査信号線は、この間隙と重なるように上記画素領域を横切っていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
　上記画素領域に、容量を介して上記第２画素電極に接続された第４画素電極が設けられ、
　平面的に視たときに、第１および第３画素電極は、走査信号線に対して４５度をなす部分と１３５度をなす部分とを含むスリット状の境界によって区切られ、
　平面的に視たときに、第２および第４画素電極は、走査信号線に対して２２５度をなす部分と３１５度をなす部分とを含むスリット状の境界によって区切られていることを特徴とする請求項４０記載のアクティブマトリクス基板。
　第１画素電極に電気的に接続され、第３画素電極に重なる第１結合容量電極と、第２画素電極に電気的に接続され、第４画素電極に重なる第２結合容量電極とを備え、
　平面的に視たときに、第１結合容量電極の少なくとも一部は走査信号線に対して４５度あるいは１３５度をなし、　
　平面的に視たときに、第２結合容量電極の少なくとも一部は走査信号線に対して２２５度あるいは３１５度をなすことを特徴とする請求項４１記載のアクティブマトリクス基板。
　平面的に視たときに、上記第３画素電極と走査信号線との間には第１画素電極の一部が配され、上記第４画素電極と走査信号線との間には第２画素電極の一部が配されていることを特徴とする請求項４１記載のアクティブマトリクス基板。
　上記画素領域およびその前段の画素領域それぞれに重なる保持容量配線と、上記画素領域およびその次段の画素領域それぞれに重なる保持容量配線とを備え、
　平面的に視たときに、これら２つの保持容量配線の一方から、第３画素電極の上記データ信号線に沿うエッジと重なるように保持容量配線延伸部が延伸し、他方から、第４画素電極の上記データ信号線に隣接するデータ信号線に沿うエッジと重なるように保持容量配線延伸部が延伸していることを特徴とする請求項４１記載のアクティブマトリクス基板。
　請求項４２項に記載のアクティブマトリクス基板と、これに対向し、配向規制構造物を備えた対向基板とを備え、
　上記第１結合容量電極の走査信号線に対して４５度あるいは１３５度をなす部分が上記配向規制構造物の下に配され、
　上記第２結合容量電極の走査信号線に対して２２５度あるいは３１５度をなす部分が上記配向規制構造物の下に配されていることを特徴とする液晶パネル。
　請求項１～４４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板を備えた液晶パネル。
　請求項４６記載の液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする液晶表示ユニット。
　請求項４７記載の液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
　請求項４８記載の液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナー部とを備えることを特徴とするテレビジョン受像機。