WO2009110136A1

WO2009110136A1 - 表示装置用基板、その製造方法、表示装置、多層配線の形成方法及び多層配線基板

Info

Publication number: WO2009110136A1
Application number: PCT/JP2008/069689
Authority: WO
Inventors: 森脇弘幸
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2008-03-04
Filing date: 2008-10-29
Publication date: 2009-09-11
Anticipated expiration: 2010-09-04
Also published as: CN101971235A; US20110000705A1; US8710375B2; CN101971235B

Abstract

本発明は、配線の微細加工や接続不良の抑制、表示装置の信頼性の向上が可能である表示装置用基板、その製造方法、表示装置、多層配線の形成方法及び多層配線基板を提供する。本発明は、絶縁基板（２１）上に、他の外部接続部品（７０）を接続するための接続端子（２６）が設けられた端子部と、周辺回路（２９）が設けられた周辺回路領域との少なくとも一方を備える表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、有機絶縁膜（５１ａ）の直上に無機絶縁膜（４１ａ）が積層された有機・無機膜積層体を有する表示装置用基板である。

Description

表示装置用基板、その製造方法、表示装置、多層配線の形成方法及び多層配線基板

本発明は、表示装置用基板、その製造方法、表示装置、多層配線の形成方法及び多層配線基板に関する。より詳しくは、ＦＰＣ接続等を行うための接続端子が設けられた端子部を備えるとともに、多層配線構造を有する、すなわち、額縁領域の端子部の下層側や周辺回路、画素領域内の回路等に多層構造の配線が引き回されることよって、集積度が高められるとともに、パネルの狭額縁化や画素メモリ等が可能である液晶表示パネルや有機ＥＬパネルに好適な表示装置用基板、その製造方法、表示装置、多層配線の形成方法及び多層配線基板に関するものである。

近年、液晶表示装置、有機エレクトロルミネセンス表示装置（有機ＥＬディスプレイ）等が実装される携帯電話、ＰＤＡ等の携帯型の電子機器において、より一層の小型化及び軽量化が要求されている。それに伴い、表示領域周辺の小型化、すなわち、狭額縁化を図っていく傾向があり、盛んに開発が行われている。また、薄型化やコスト削減等が図れることから、基板上にドライバ回路等の駆動に必要な周辺回路が作り込まれたフルモノリシック型の表示装置用基板を備える表示装置が増加の傾向にある。

図７は、従来の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。従来の液晶表示装置６００は、図７（ａ）に示すように、表示装置用基板であるＴＦＴ基板１１１と、ＦＰＣ基板１７０とが端子部においてＡＣＦ１８０により接続された構造を有する。

ＴＦＴ基板１１１は、図７（ａ）に示すように、端子部において、絶縁基板１２１上に、ベースコート膜１２２と、ゲート絶縁膜１２４と、ゲート電極１２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜１４１と、第一配線層１６１からなる接続端子（外部接続端子）１２６と、保護膜として機能する有機絶縁膜１５１ａとが絶縁基板１２１側からこの順に積層された構造を有する。また、接続端子１２６の端部には、パッド部１２７が設けられている。

また、ＴＦＴ基板１１１は、図７（ｂ）に示すように、周辺回路領域において、絶縁基板１２１上に、ベースコート膜１２２と、半導体層１２３と、ゲート絶縁膜１２４と、ゲート電極１２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜１４１と、第一配線層１６１からなるソース・ドレイン電極１２８及び引き回し配線１３０ａと、層間絶縁膜として機能する有機絶縁膜１５１ａと、第二配線層１６２からなる引き回し配線１３０ｂと、保護膜として機能する有機絶縁膜１５１とが絶縁基板１２１側からこの順に積層された構造を有する。

このように、平坦性に優れた有機絶縁膜１５１ａを平坦化膜として用いることによって、下層側の第一配線層１６１やＴＦＴ１２９の段差を軽減し、上層側の第二配線層１６２を引き回しても第二配線層１６２が短絡しないようにする技術が提案されていた。

なお、従来の表示装置について、パネル内部、すなわち画素領域（表示領域）の配線に用いるアルミニウム膜を、アルミニウム膜より下層側に位置する金属膜にパネル内部で接続し、この金属膜を用いてパネル外部に延伸させる形態が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

また、半導体装置の分野においては、層間絶縁膜のスルーホール開口部の側面がＯ_２プラズマ処理の際に損傷を受けて吸湿性が増大するのを抑制し、また、下層の第一配線と上層の第二配線とのコンタクト不良を無くし、更に、段差に起因する第二配線のエレクトロマイグレーションを無くすための技術として、絶縁膜にスルーホールを形成した後、レジストを剥離する前に、スルーホール部を有機膜で穴埋めし、Ｏ_２プラズマ処理し、次いで、レジスト剥離液で処理して、レジストとともに穴埋めした有機膜を除去する工程を含む多層配線の形成方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開平３－５８０１９号公報特開平３－１８３７５６号公報

しかしながら、図７（ｂ）に示すように、有機絶縁膜１５１ａにコンタクトホール（ビアホール）１３１ｃを形成する方法として、レジストマスクを必要としない感光性エッチングを利用する方法ではなく、微細加工精度の高いドライエッチング等のレジストマスクを利用する方法を採用すると、レジストマスク及び有機絶縁膜１５１ａの双方が有機膜であり、両者の選択比が同程度となるため、レジストマスクのアッシング（剥離）工程においてレジストマスク及び有機絶縁膜１５１ａの選択比が取れず、エッチングがうまく行かないことがあった。具体的には、レジストマスクのアッシング時に、有機絶縁膜１５１ａまでもアッシング除去されてしまうことがあった。また、例えレジストマスクのみをアッシングできたとしても有機絶縁膜１５１ａがアッシングによるダメージを受けてしまい、有機絶縁膜１５１ａ上に形成される第二配線層１６２の堆積が不充分となり、第一配線層１６１と第二配線層１６２とで接続不良が発生することがあった。したがって従来は、有機絶縁膜１５１ａは、感光性樹脂を用いて形成されるとともに、レジストマスクを用いることなくコンタクトホール１３１ｃが形成され、また、有機絶縁膜１５１ａ直上の第二配線層１６２は、ウエットプロセスを用いてパターニングされていた。このように、従来の技術においては、配線の微細加工を可能にするとともに、上層及び下層の配線間での接続不良の発生を抑制するという点で改善の余地があった。また、有機絶縁膜１５１ａの代わりに無機系の平坦化膜を用いた場合でも、同様の課題があった。

また、液晶表示パネル等の外部接続端子を備えたパネルでは、表示装置特有の課題として、図７（ａ）に示すように、最上層が有機絶縁膜１５１ａであると、パネルとＦＰＣ基板１７０とを接続する工程においてリワークする必要が生じた場合、有機絶縁膜１５１ａ等の有機膜は、ピール強度や硬度等の機械的強度が無機膜に比べ低い（外圧により傷が入りやすい）ため、有機絶縁膜１５１ａが剥れたり傷付いたりすることによって、有機絶縁膜１５１ａの下層に位置する配線が剥き出しになり、その結果、水分等による腐食や、剥れた有機絶縁膜１５１ａのカスによるＦＰＣ基板１７０の接続不良が発生することがあり、信頼性の面で改善の余地があった。なお、端子部においてのみ有機絶縁膜１５１ａを除去し、第一配線層１６１を最上層に配置することも考えられるが、この場合もやはり、外部からの水分の影響により第一配線層１６１の信頼性が悪化することが懸念される。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、配線の微細加工や接続不良の抑制、表示装置の信頼性の向上が可能である表示装置用基板、その製造方法、表示装置、多層配線の形成方法及び多層配線基板を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、配線の微細加工や接続不良の抑制、表示装置の信頼性の向上が可能である表示装置用基板、その製造方法、表示装置、多層配線の形成方法及び多層配線基板について種々検討したところ、層間絶縁膜及び平坦化膜として利用される有機絶縁膜に着目した。そして、有機絶縁膜単独では加工性や機械的強度が無機絶縁膜に比べて劣ることを見いだすとともに、有機絶縁膜を無機絶縁膜と組み合わせて用いることによって、より具体的には、有機絶縁膜の直上に無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を用いることにより、有機絶縁膜の平坦性を活かしつつ、加工性と機械的強度とを向上することができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明は、絶縁基板上に、他の外部接続部品を接続するための接続端子が設けられた端子部と、周辺回路が設けられた周辺回路領域との少なくとも一方を備える表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、有機絶縁膜の直上に無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有する表示装置用基板である。

これにより、有機絶縁膜を機械的強度に優れた無機絶縁膜により保護することができる。したがって、有機・無機膜積層体を端子部に配置することによって、表示装置用基板と他の回路基板や素子、例えばＦＰＣ基板とを接続する工程においてリワークする必要が生じた場合でも、有機絶縁膜が剥れたり傷付いたりするのを抑制することができる。そのため、有機絶縁膜の下層に位置する配線層が剥き出しになり、この配線層が水分等により腐食するのを抑制することができる。また、剥れた有機絶縁膜のカスに起因して端子とＦＰＣ等の外部接続部品との接触不良が発生するのも抑制することができる。すなわち、本発明の表示装置用基板によれば、優れた信頼性を有する液晶表示装置を実現することができる。

また、無機絶縁膜をレジストマスクのアッシングに対するストッパ材として利用することができるため、有機・無機膜積層体にコンタクトホールを形成する方法として、アッシング工程を含む方法、すなわち、微細加工精度の高いドライエッチング等のレジストマスクを利用する方法が可能となり、有機・無機膜積層体の下層に位置する配線、なかでも微細な加工が求められる周辺回路領域に設けられる引き回し配線等の配線を微細かつ高精度に形成することができる。

更に、有機絶縁膜がアッシングによるダメージを受けにくくすることができるので、有機・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

なお、本明細書において、上とは、絶縁基板からより遠い方を意味し、一方、下とは、絶縁基板により近い方を意味する。すなわち、上層とは、絶縁基板からより遠い層を意味し、一方、下層とは、絶縁基板により近い層を意味する。

本発明の表示装置用基板の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。本発明の表示装置用基板における好ましい形態について以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各種形態は、適宜組み合わされてもよい。

上記表示装置用基板は、上記端子部及び上記周辺回路領域を備えることが好ましい。すなわち、上記表示装置用基板は、絶縁基板上に、他の外部接続部品を接続するための接続端子が設けられた端子部と、周辺回路が設けられた周辺回路領域とを備えるが好ましい。これにより、配線の微細加工と、表示装置の信頼性の向上とが可能になる。

なお、上記外部接続部品としては上記表示装置用基板を用いて構成される表示パネルに接続され得る回路基板や素子であれば特に限定されず、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）基板、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）、抵抗素子、容量素子等が挙げられるが、なかでもＦＰＣ基板が好適である。

上記表示装置用基板は、上記端子部に上記有機・無機膜積層体を有することが好ましい。これにより、上述したように、表示装置の信頼性の向上が可能になる。

上記表示装置用基板は、上記周辺回路領域に上記有機・無機膜積層体を有することが好ましい。これにより、上述したように、微細加工された配線を備えた周辺回路を形成することができる。

上記表示装置用基板は、上記有機・無機膜積層体を複数有することが好ましい。これにより、配線の多層化が可能になる。

上記表示装置用基板は、上記端子部に上記複数の有機・無機膜積層体を有してもよく、このとき、上記表示装置用基板は、上記複数の有機・無機膜積層体の層間に設けられた複数の配線層を有し、上記接続端子は、上記複数の配線層のうち、最も絶縁基板側（下層側）に位置する配線層を除く配線層を含んで構成されることが好ましい。これにより、表示装置の信頼性を確保しつつ、接続端子の下に配線を形成することができる。

上記表示装置用基板は、上記複数の有機・無機膜積層体の層間に設けられた複数の配線層を有し、上記接続端子は、上記複数の配線層のうち、最も上層側に位置する配線層を含んで構成されることがより好ましい。これにより、表示装置の信頼性を確保しつつ、接続端子の下に更に多くの配線を形成することができる。

他方、上記表示装置用基板は、上記端子部において、上記接続端子の直上に上記無機絶縁膜が積層された領域を有してもよいし、上記端子部に上記有機絶縁膜が設けられていなくてもよい。これらにより、表示装置の機械的な信頼性を特に向上することができる。

なお、上記端子部は、より具体的には、本発明の表示装置用基板と、他の外部接続部品（好適には回路基板）とを接続するための導電材料（好適には、ＡＣＦ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍ）等の異方性導電材料）が配置される領域であることが好ましい。このように、上記無機絶縁膜は、有機絶縁膜が上記導電材料と少なくとも接触しないように有機絶縁膜を覆うことが好ましい。

上記表示装置用基板は、上記周辺回路領域に上記複数の有機・無機膜積層体を有することが好ましい。これにより、微細であり、かつ多層化された配線を備えた周辺回路を形成することができる。また、上記無機絶縁膜は、上記周辺回路領域において、上記有機絶縁膜の少なくとも上層側の面を覆うように設けられることが好ましい。更に、上記無機絶縁膜は、上記周辺回路領域において、上記有機絶縁膜の開口部の壁面の少なくとも下層側の一部を除く、全ての上記有機絶縁膜を覆うように設けられてもよいし、上記周辺回路領域において、上記有機絶縁膜の開口部の壁面を含む、全ての上記有機絶縁膜を覆うように設けられてもよい。

上記有機絶縁膜の開口部は、上記無機絶縁膜より上層の配線により覆われることが好ましい。これにより、有機絶縁膜の開口部を上層の配線により覆うとともに、有機絶縁膜の上層の配線に覆われていない領域を無機絶縁膜により覆うことができるので、有機絶縁膜がアッシングやドライエッチングによるダメージを受けなくすることができる。その結果、有機・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

上記有機絶縁膜は、感光性樹脂を含むことが好ましい。これにより、配線の接続不良が発生するのをより効果的に抑制することができる。

本発明はまた、本発明の表示装置用基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記感光性樹脂を含む上記有機絶縁膜をエッチングする有機絶縁膜エッチング工程と、上記有機絶縁膜エッチング工程の後に、上記無機絶縁膜を成膜する無機絶縁膜成膜工程と、上記無機絶縁膜成膜工程の後に、上記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程とを含む表示装置用基板の製造方法（以下、「本発明の第一の表示装置用基板の製造方法」ともいう。）でもある。これにより、配線の接続不良が発生するのを抑制しつつ、配線の微細加工が可能になる。

本発明の第一の表示装置用基板の製造方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。本発明の第一の表示装置用基板の製造方法における好ましい態様について以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各種態様は、適宜組み合わされてもよい。

上記無機絶縁膜エッチング工程は、第一レジストを介して上記無機絶縁膜をドライエッチングすることが好ましい。これにより、配線の微細加工をより確実に行うことができる。

上記無機絶縁膜エッチング工程は、上記感光性樹脂を含む上記有機絶縁膜のエッチング除去された領域と重なる領域の上記無機絶縁膜をエッチング除去することが好ましい。これにより、微細なコンタクトホールを形成することができる。

上記表示装置用基板の製造方法は、上記有機絶縁膜エッチング工程の前に、第一フォトマスクを介して上記有機絶縁膜を感光する有機絶縁膜感光工程を含むことが好ましい。これにより、配線の接続不良が発生するのをより確実に抑制することができる。このように、上記有機絶縁膜は、感光及びエッチング（現像）、すなわち感光エッチングされることが好ましい。

また、上記表示装置用基板の製造方法が、上記有機絶縁膜エッチング工程の前に、第一フォトマスクを介して上記有機絶縁膜を感光する有機絶縁膜感光工程を含む場合、上記表示装置用基板の製造方法は、上記無機絶縁膜成膜工程の後に、上記無機絶縁膜上に第二レジストを成膜するレジスト成膜工程と、上記レジスト成膜工程の後に、上記第一フォトマスクを介して上記第二レジストを感光するレジスト感光工程とを含むことがより好ましい。これにより、有機絶縁膜感光工程及びレジスト感光工程において共通の第一フォトマスクを用いることができるので、製造工程における必要なフォトマスクの枚数を一枚削減でき、製造コストを削減することができる。また、異なるフォトマスクを使用した場合、異なるフォトマスク間の仕上がりのズレに起因して有機絶縁膜及び無機絶縁膜それぞれの開口部の位置がずれてしまうことがあるが、上記態様によれば、この有機絶縁膜及び無機絶縁膜それぞれの開口部の位置ズレの発生を抑制することができる。

本発明はまた、本発明の表示装置用基板の製造方法であって、上記製造方法は、レジストをマスクとしてウェットエッチングにより上記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、上記無機絶縁膜エッチング工程の後に、上記レジストを除去するレジスト除去工程と、上記レジスト除去工程の後に、上記無機絶縁膜をマスクとして上記有機絶縁膜をエッチングする有機絶縁膜エッチング工程とを含む表示装置用基板の製造方法（以下、「本発明の第二の表示装置用基板の製造方法」ともいう。）でもある。このように、無機絶縁膜をウェットエッチングによりエッチングするため、アッシング処理ではなく剥離液によりレジストを剥離することができる。したがって、コンタクトホール内に露出する有機絶縁膜の壁面部に対してアッシングのダメージが与えられることがない。その結果、配線の接続不良が発生するのを抑制することができる。

本発明の第二の表示装置用基板の製造方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。

本発明はまた、本発明の表示装置用基板の製造方法であって、上記製造方法は、レジストをマスクとしてドライエッチングにより上記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、上記無機絶縁膜エッチング工程の後に、ドライエッチングにより、上記レジストをアッシング除去するとともに、上記無機絶縁膜をマスクとして上記有機絶縁膜をエッチングする工程とを含む表示装置用基板の製造方法（以下、「本発明の第三の表示装置用基板の製造方法」ともいう。）でもある。これにより、レジストの除去（アッシング）と、有機絶縁膜のエッチング（開口）とを同時に行うため、ドライエッチングにより有機絶縁膜に与えられるトータルのダメージを軽減することができる。その結果、配線の接続不良が発生するのを抑制することができる。

本発明の第三の表示装置用基板の製造方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。

本発明は更に、本発明の表示装置用基板を備える表示装置でもある。本発明はそして、本発明の表示装置用基板の製造方法により作製された表示装置用基板を備える表示装置でもある。これらによれば、狭額縁化や高機能化、信頼性の向上が可能である。

本発明はまた、感光性樹脂を含む有機絶縁膜の直上に無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有する多層配線の形成方法であって、上記形成方法は、上記有機絶縁膜をエッチングする有機絶縁膜エッチング工程と、上記有機絶縁膜エッチング工程の後に、上記無機絶縁膜を成膜する無機絶縁膜成膜工程と、上記無機絶縁膜成膜工程の後に、上記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程とを含む多層配線の形成方法（以下、「本発明の第一の多層配線の形成方法」ともいう。）でもある。これにより、配線の接続不良が発生するのを抑制しつつ、配線の微細加工が可能になる。

本発明の第一の多層配線の形成方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。本発明の第一の多層配線の形成方法における好ましい態様について以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各種態様は、適宜組み合わされてもよい。

上記多層配線の形成方法は、上記有機絶縁膜エッチング工程の前に、第一フォトマスクを介して上記有機絶縁膜を感光する有機絶縁膜感光工程を含むことが好ましい。これにより、配線の接続不良が発生するのをより確実に抑制することができる。このように、上記有機絶縁膜は、感光及びエッチング（感光エッチング）されることが好ましい。

また、上記多層配線の形成方法が、上記有機絶縁膜エッチング工程の前に、第一フォトマスクを介して上記有機絶縁膜を感光する有機絶縁膜感光工程を含む場合、上記多層配線の形成方法は、上記無機絶縁膜成膜工程の後に、上記無機絶縁膜上に第二レジストを成膜するレジスト成膜工程と、上記レジスト成膜工程の後に、上記第一フォトマスクを介して上記第二レジストを感光するレジスト感光工程とを含むことがより好ましい。これにより、有機絶縁膜感光工程及びレジスト感光工程において共通の第一フォトマスクを用いることができるので、製造工程における必要なフォトマスクの枚数を一枚削減でき、製造コストを削減することができる。また、異なるフォトマスクを使用した場合、異なるフォトマスク間の仕上がりのズレに起因して有機絶縁膜及び無機絶縁膜それぞれの開口部の位置がずれてしまうことがあるが、上記態様によれば、この有機絶縁膜及び無機絶縁膜それぞれの開口部の位置ズレの発生を抑制することができる。

本発明は更に、有機絶縁膜の直上に無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有する多層配線の形成方法であって、上記形成方法は、レジストをマスクとしてウェットエッチングにより上記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、上記無機絶縁膜エッチング工程の後に、上記レジストを除去するレジスト除去工程と、上記レジスト除去工程の後に、上記無機絶縁膜をマスクとして上記有機絶縁膜をエッチングする有機絶縁膜エッチング工程とを含む多層配線の形成方法（以下、「本発明の第二の多層配線の形成方法」ともいう。）でもある。このように、無機絶縁膜をウェットエッチングによりエッチングするため、アッシング処理ではなく剥離液によりレジストを剥離することができる。したがって、コンタクトホール内に露出する有機絶縁膜の壁面部に対してアッシングのダメージが与えられることがない。その結果、配線の接続不良が発生するのを抑制することができる。

本発明の第二の多層配線の形成方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。

本発明はそして、有機絶縁膜の直上に無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有する多層配線の形成方法であって、上記形成方法は、レジストをマスクとしてドライエッチングにより上記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、上記無機絶縁膜エッチング工程の後に、ドライエッチングにより、上記レジストをアッシング除去するとともに、上記無機絶縁膜をマスクとして上記有機絶縁膜をエッチングする工程とを含む多層配線の形成方法（以下、「本発明の第三の多層配線の形成方法」ともいう。）でもある。これにより、レジストの除去（アッシング）と、有機絶縁膜のエッチング（開口）とを同時に行うため、ドライエッチングにより有機絶縁膜に与えられるトータルのダメージを軽減することができる。その結果、配線の接続不良が発生するのを抑制することができる。

本発明の第三の多層配線の形成方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。

本発明者らはまた、有機絶縁膜のみならず、無機絶縁膜からなる平坦化膜についても単独ではレジストマスクのアッシングやドライエッチングによるダメージを受けてしまうことを見いだすとともに、平坦化膜を無機絶縁膜と組み合わせて用い、更に、平坦化膜の開口部の壁面の少なくとも上層側の一部を無機絶縁膜で覆うことにより、接続不良の発生を抑制できることを見いだした。

すなわち、絶縁基板上に、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有する多層配線基板であって、上記平坦化膜の開口部の壁面の少なくとも上層側の一部は、上記無機絶縁膜で覆われている多層配線基板もまた本発明の一つである。これにより、ウェットエッチングを用いて無機絶縁膜のパターニングを行い、平坦化膜がアッシングやドライエッチングによるダメージを受けなくすることができる。その結果、平坦化膜・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

なお、本明細書において、平坦化膜とは、段差を平坦化（小さく）する平坦化作用を有する膜である。上記平坦化膜の表面は、実質的に平坦であることが好ましいが、高さ５００ｎｍ（好ましくは２００ｎｍ）程度以下の段差を有してもよい。上記平坦化膜が表面に段差部を有する場合、段差部の曲率半径は、段差の高さよりも大きいことが好ましく、これにより、上層の配線層を形成するためのエッチング時に、エッチング残渣が発生するのを効果的に抑制することができる。また、上記平坦化膜は、（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるものであってもよい。

本発明の多層配線基板の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。本発明の多層配線基板における好ましい形態について以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各種形態は、適宜組み合わされてもよい。

上記無機絶縁膜は、上記平坦化膜の開口部の壁面の少なくとも下層側の一部を除く、全ての上記平坦化膜を覆うように設けられてもよいが、上記平坦化膜の開口部の壁面を含む、全ての上記平坦化膜を覆うように設けられることが好ましい。このように、上記平坦化膜の開口部の壁面の全部は、上記無機絶縁膜で覆われていることがより好ましい。これにより、微細加工精度の高いドライエッチング等のレジストマスクを利用する方法により無機絶縁膜をエッチングすることが可能となるので、平坦化膜・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制しつつ、平坦化膜・無機膜積層体の下層に位置する配線の微細加工が可能となる。

上記平坦化膜としては、有機絶縁膜及び無機絶縁膜が好適であり、上記有機絶縁膜は、感光性樹脂を含むことがより好ましい。これにより、本発明の多層配線基板を容易に実現することができる。

上記平坦化膜の開口部は、上記無機絶縁膜より上層の配線により覆われることが好ましい。これにより、平坦化膜の開口部を上層の配線により覆うとともに、平坦化膜の上層の配線に覆われていない領域を無機絶縁膜により覆うことができるので、平坦化膜がアッシングやドライエッチングによるダメージを受けなくすることができる。その結果、平坦化膜・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

上記多層配線基板は、表示装置用基板であることが好ましい。これにより、表示装置用基板、すなわち表示装置の信頼性の向上が可能である。

なお、本発明の第一～第三の多層配線の形成方法により形成される多層配線と本発明の多層配線基板とはそれぞれ、有機・無機膜積層体又は平坦化膜・無機膜積層体を挟んで少なくとも二つの配線層（上層及び下層の配線）を含んでいればよく、本発明の第一～第三の多層配線の形成方法により形成される多層配線と本発明の多層配線基板とにおける配線層の層数は特に限定されない。

本発明の表示装置用基板、その製造方法、表示装置、多層配線の形成方法及び多層配線基板によれば、配線の微細加工や接続不良の抑制、表示装置の信頼性の向上が可能である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

（実施形態１）
図１は、実施形態１の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。図１３は、実施形態３の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。本実施形態の液晶表示装置１００は、図１（ａ）に示すように、表示装置用基板であるＴＦＴ基板１１と、他の回路基板であるＦＰＣ基板７０とが端子部においてＡＣＦ８０により接続された構造を有する。

なお、液晶表示装置１００は、絶縁基板上に、遮光部材からなるブラックマトリクスと、赤、緑及び青のカラーフィルタと、オーバーコート層と、透明導電膜からなる共通電極と、配向膜とが絶縁基板側からこの順に形成されるとともに、ＴＦＴ基板１１に対向配置されたＣＦ基板（図示せず）を有し、更に、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板間には液晶材料が充填されている。

ＴＦＴ基板１１は、図１（ａ）に示すように、端子部において、絶縁基板２１上に、ベースコート膜２２と、ゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１と、第一配線層６１からなる接続端子（外部接続端子）２６と、保護膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。また、接続端子２６の端部上の有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａは除去されるとともに、接続端子２６の端部上にはパッド部（ＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１との当接部）２７が設けられている。このパッド部２７と、ＦＰＣ基板７０の接続端子７１とがＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１に接触することによって、ＴＦＴ基板１１とＦＰＣ基板７０とが接続及び固定されている。第一配線層６１からなる接続端子（外部接続端子）２６は、無機絶縁膜４１に設けられたコンタクトホール３１ａを介してゲート電極（ゲート配線）２５に接続されている。

また、ＴＦＴ基板１１は、図１（ｂ）に示すように、周辺回路領域において、絶縁基板２１上に、ベースコート膜２２と、半導体層２３と、ゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１と、第一配線層６１からなるソース・ドレイン電極２８及び引き回し配線３０ａと、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体と、第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｂと、保護膜として機能する有機絶縁膜５１とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。このように、ＴＦＴ基板１１を構成する絶縁基板２１上には、半導体層２３、ゲート絶縁膜２４及びゲート電極２５を含み、かつドライバ回路等の周辺回路を構成するＴＦＴ２９が直接作り込まれている。第一配線層６１からなるソース・ドレイン電極２８は、無機絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２４に設けられたコンタクトホール３１ｂを介して半導体層２３のソース・ドレイン領域に接続されている。また、第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｂは、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｃを介して第一配線層６１からなるソース・ドレイン電極２８及び引き回し配線３０ａと接続されている。なお、周辺回路としては特に限定されず、トランスミッションゲート、ラッチ回路、タイミングジェネレータ、電源回路等によるインバータ等の回路を含むドライバ回路の他、バッファ回路、デジタル－アナログ変換回路（ＤＡＣ回路）、シフトレジスタ、サンプリングメモリ等の回路等であってもよい。

ＴＦＴ基板１１は、図１３に示すように、画素領域（複数の画素が配列された表示領域）において、絶縁基板２１上に、ベースコート膜２２と、半導体層２３と、ゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５及び画素補助容量６８ａの上電極として機能する補助容量上電極６６ａと、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１と、第一配線層６１からなるソース電極３４及びドレイン電極３５と、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及びガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ａの積層体と、第二配線層６２からなるドレイン配線６５と、保護膜として機能する有機絶縁膜５１と、画素毎に設けられた画素電極３６と、画素領域を覆うように設けられた配向膜（図示せず）とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。このように、ＴＦＴ基板１１を構成する絶縁基板２１上には、半導体層２３、ゲート絶縁膜２４及びゲート電極２５を含み、かつ画素スイッチング素子として機能するＴＦＴ２９が画素毎に直接作り込まれている。また、補助容量下電極としても機能する半導体層２３と、ゲート絶縁膜２４と、補助容量上電極６６ａとを含む画素補助容量６８ａが画素毎に直接作り込まれている。第一配線層６１からなるソース電極３４及びドレイン電極３５は、無機絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２４に設けられたコンタクトホール３１ｆを介して半導体層２３のソース・ドレイン領域に接続されている。また、ドレイン配線６５は、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｇを介して第一配線層６１からなるドレイン電極３５と接続されている。更に、画素電極３６は、有機絶縁膜５１に設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｊを介して第二配線層６２からなるドレイン配線６５と接続されている。

有機絶縁膜５１ａ等を構成する有機膜は、柔らかいために剥れが発生したり傷が付いたりしやすいが、平坦性に優れている。一方、無機絶縁膜４１ａ等を構成する無機膜は、平坦性は悪いが、固いために剥れにくいとともに傷が付きにくい。

液晶表示装置１００によれば、層間絶縁層及び／又は平坦化層として、有機絶縁膜５１ａの直上に無機絶縁膜４１ａが積層された有機・無機積層体を有する。このように、端子部において、有機絶縁膜５１ａ（有機絶縁膜５１ａの少なくとも上層側の面）を無機絶縁膜４１ａにより覆うことにより、有機絶縁膜５１ａを無機絶縁膜４１ａにより保護することができる。したがって、パネルとＦＰＣ基板７０、より具体的には、ＴＦＴ基板１１とＦＰＣ基板７０とを接続する工程においてリワークする必要が生じた場合でも、有機絶縁膜５１ａが剥れたり傷付いたりするのを抑制することができる。そのため、有機絶縁膜５１ａの下層に位置する第一配線層６１（接続端子２６）が剥き出しになり、第一配線層６１が水分等により腐食するのを抑制することができる。また、剥れた有機絶縁膜５１ａのカスに起因してＦＰＣ基板７０の接触不良が発生するのも抑制することができる。すなわち、液晶表示装置１００によれば、信頼性を向上することができる。

また、無機絶縁膜４１ａをレジストマスクのアッシングに対するストッパ材として利用することができるため、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａにコンタクトホール３１ｃ、３１ｇを形成する方法として、アッシング工程を含む方法、すなわち、微細加工精度の高いドライエッチング等のレジストマスクを利用する方法が可能となり、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体の下層に位置する配線、なかでも微細な加工が求められる周辺回路領域に設けられる引き回し配線３０ａ等の配線を微細かつ高精度に形成することができる。

更に、平坦性に優れた有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１を平坦化膜として用いることによって、下層側の第一配線層６１やＴＦＴ２９の段差を軽減し、短絡が発生するのを効果的に抑制しつつ、上層側に第二配線層６２を引き回すことができる。

以下に、実施形態１の液晶表示装置の製造方法について説明する。
まず、絶縁基板２１に対して、前処理として、洗浄とプレアニールとを行う。絶縁基板２１としては特に限定されないが、コスト等の観点からは、ガラス基板、樹脂基板等が好適である。次に、以下（１）～（１７）の工程を行う。

（１）ベースコート膜の形成工程
絶縁基板２１上に、プラズマ化学気相成長（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）法により膜厚５０ｎｍのＳｉＯＮ膜と、膜厚１００ｎｍのＳｉＯ_ｘ膜とをこの順に成膜し、ベースコート膜２２を形成する。ＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ_４）、亜酸化窒素ガス（Ｎ_２Ｏ）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等が挙げられる。なお、ＳｉＯ_ｘ膜は、原料ガスとして正珪酸四エチル（Ｔｅｔｒａ　Ｅｔｈｙｌ　Ｏｒｔｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ）ガスを用いて形成されることが好ましい。また、ベースコート膜２２は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等を用いて形成された窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜を含んでもよい。

（２）半導体層の形成工程
ＰＥＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）膜を形成する。ａ－Ｓｉ膜形成のための原料ガスとしては、例えば、ＳｉＨ_４、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等が挙げられる。ＰＥＣＶＤ法により形成したａ－Ｓｉ膜には水素が含まれているため、約５００℃でａ－Ｓｉ膜中の水素濃度を低減する処理（脱水素処理）を行う。続いて、レーザアニールを行い、ａ－Ｓｉ膜を溶融、冷却及び結晶化させることにより、ｐ－Ｓｉ膜を形成する。レーザアニールには、例えば、エキシマレーザを用いる。ｐ－Ｓｉ膜の形成には、レーザアニールの前処理として、（連続粒界結晶シリコン（ＣＧ－シリコン）化するため）、脱水素処理せずニッケル等の金属触媒を塗布して、熱処理による固相成長を行ってもよい。また、ａ－Ｓｉ膜の結晶化としては、熱処理による固相成長のみを行ってもよい。次に、四フッ化炭素（ＣＦ_４）及び酸素（Ｏ_２）の混合ガスによるドライエッチングを行い、ｐ－Ｓｉ膜をパターニングし、半導体層２３を形成する。

（３）ゲート絶縁膜の形成工程
次に、原料ガスとしてＴＥＯＳガスを用いて、膜厚４５ｎｍの酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２４を形成する。ゲート絶縁膜２４の材質としては特に限定されず、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。ＳｉＮ_ｘ膜及びＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、ベースコート膜の形成工程で述べたものと同様の原料ガスが挙げられる。また、ゲート絶縁膜２４は、上記複数の材料からなる積層体でもよい。

（４）イオンドーピング工程
ＴＦＴ２９の閾値を制御するために、イオンドーピング法、イオン注入法等により、半導体層２３に対してボロン等の不純物をドーピングする。より具体的には、Ｎチャネル型ＴＦＴ及びＰチャネル型ＴＦＴとなる半導体層に対してボロン等の不純物をドーピングした後（第一のドーピング工程）、Ｐチャネル型ＴＦＴとなる半導体層をレジストによりマスクした状態で、Ｎチャネル型となる半導体層に対して更にボロン等の不純物をドーピングする（第二のドーピング工程）。なお、Ｐチャネル型ＴＦＴの閾値制御が必要でない場合は、第一のドーピング工程は行わなくてもよい。

（５）ゲート電極及び補助容量上電極の形成工程
次に、スパッタリング法を用いて、膜厚３０ｎｍの窒化タンタル（ＴａＮ）膜と膜厚３７０ｎｍのタングステン（Ｗ）膜とをこの順に成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、アルゴン（Ａｒ）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、酸素（Ｏ_２）、塩素（Ｃｌ_２）等の混合ガス分量を調整したエッチングガスを用いてドライエッチングを行い、ゲート電極２５及び補助容量上電極６６ａを形成する。ゲート電極２５及び補助容量上電極６６ａの材料としては、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）等の表面が平坦で特性の安定した高融点金属や、アルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属が挙げられる。また、ゲート電極２５及び補助容量上電極６６ａは、上記複数の材料からなる積層体であってもよい。

（６）ソース・ドレイン領域の形成工程
次に、ＴＦＴ２９のソース・ドレイン領域を形成するため、ゲート電極２５をマスクとして、半導体層２３に対して、Ｎチャネル型ＴＦＴではリン等の不純物を、Ｐチャネル型ＴＦＴではボロン等の不純物をイオンドーピング法、イオン注入法等により高濃度にドーピングする。このとき、必要に応じて、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）領域を形成してもよい。続いて、半導体層２３中に存在している不純物イオンを活性化させるために、約７００℃、６時間の熱活性化処理を行う。これにより、ソース・ドレイン領域の電気伝導性を向上させることができる。なお、活性化の方法としては、エキシマレーザを照射する方法等も挙げられる。

（７）無機絶縁膜の形成工程
次に、絶縁基板２１全面にＰＥＣＶＤ法により、膜厚１００～４００ｎｍ（好適には、２００～３００ｎｍ）のＳｉＮ_ｘ膜と、膜厚５００～１０００ｎｍ（好適には、６００～８００ｎｍ）のＴＥＯＳ膜とを成膜することによって、無機絶縁膜４１を形成する。無機絶縁膜４１としては、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。また、トランジェント劣化等によりＴＦＴ特性が低下するのを抑制するとともに、ＴＦＴ２９の電気特性を安定化するため、無機絶縁膜４１の下層には５０ｎｍ程度の薄いキャップ膜（例えば、ＴＥＯＳ膜等）を形成してもよい。

（８）コンタクトホールの形成工程
次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、フッ酸系のエッチング溶液を用いてゲート絶縁膜２４及び無機絶縁膜４１のウェットエッチングを行い、コンタクトホール３１ａ、３１ｂ、３１ｆを形成する。なお、エッチングには、ドライエッチングを用いてもよい。

（９）水素化工程
次に、無機絶縁膜４１のＳｉＮ_ｘ膜から供給される水素によって結晶Ｓｉの欠陥補正を行うため、約４００℃で１時間、熱処理を行う。

（１０）第一配線層の形成工程
次に、スパッタ法等で、膜厚１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と、膜厚５００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜と、膜厚１００ｎｍのＴｉ膜とをこの順で成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、ドライエッチングによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの金属積層膜をパターニングし、第一配線層６１を形成する。これにより、接続端子（外部接続端子）２６、ソース・ドレイン電極２８、引き回し配線３０ａ、ソース電極３４及びドレイン電極３５が形成される。なお、第一配線層６１を構成する金属としては、Ａｌに代えてＡｌ－Ｓｉ合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにＡｌを用いたが、高耐熱性が必要であり、かつ抵抗値のある程度の増加が許される場合（例えば、短い配線構造にする場合）は、第一配線層６１を構成する金属として、上述したゲート電極材料（Ｔａ、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｗ、ＴａＮ等）を用いてもよい。

（１１）有機・無機積層体の形成工程
次に、絶縁基板２１全面にスピンコート法等により、膜厚１～５μｍ（好適には、２～３μｍ）の感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を成膜（塗布）することによって、有機絶縁膜５１ａを形成する。有機絶縁膜５１ａの材料としては、非感光性アクリル樹脂等の非感光性樹脂や、感光性又は非感光性のポリアルキルシロキサン系やポリシラザン系、ポリイミド系パレリン系の樹脂等を用いてもよい。また、有機絶縁膜５１ａの材料としては、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料や多孔質ＭＳＱ系材料も挙げられる。有機絶縁膜５１ａの材料として、感光性樹脂を用いることによって、無機絶縁膜４１ａを形成するよりも先に感光性樹脂膜の感光（露光）及びエッチング（現像処理）し、有機絶縁膜５１ａをパターン形成することもできる。続いて、絶縁基板２１全面にスパッタ法やＰＥＣＶＤ法により膜厚１０～２００ｎｍ（好適には、２０～１００ｎｍ）のＳｉＮ_ｘ膜、又は、ＴＥＯＳガスを原料ガスとして膜厚１０～２００ｎｍ（好適には、２０～１００ｎｍ）のＳｉＯ_２膜を成膜することによって、無機絶縁膜４１ａを形成する。無機絶縁膜４１ａとしては、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。その他、無機絶縁膜４１ａとしては、低温で高品質な膜の形成が可能であるスパッタ法、ＣＡＴ－ＣＶＤ法、ＩＣＰプラズマＣＶＤ法（例えば、セルバック社製、ＩＣＰ－ＣＶＤ装置を用いる方法）、オゾン酸化法（例えば、明電舎社製、明電ピュアオゾンジェネレータを用いる方法）等により形成されたＳｉＯ_２膜やＳｉＮ膜を成膜してもよい。これにより、有機絶縁膜５１ａ上に無機絶縁膜４１ａが積層されたの有機・無機積層体が形成される。なお、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａはそれぞれ、異なる材料からなる複数の膜が積層されてもよい。また、無機絶縁膜４１ａは、少なくとも端子部、周辺回路領域及び画素領域における有機絶縁膜５１ａを覆うように形成されればよく、必ずしも絶縁基板２１全面に形成される必要はない。

（１２）コンタクトホールの形成工程
次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、四フッ化炭素（ＣＦ_４）及び酸素（Ｏ_２）の混合ガスを用い、かつ両ガスの流量を調整しながらドライエッチングを行い、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇを形成するとともに、パッド部２７が設けられる領域の有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａを除去する。そして、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、レジストマスクのアッシング（剥離）を行う。これにより、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇの微細加工が可能になることから、下層にある第一配線層６１の微細化が可能になる。

ただし、この場合、レジストマスクのＯ_２アッシング時に、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇ内に露出した有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面部も同時にアッシングされ、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面部が上層の無機絶縁膜４１ａの開口部の壁面部に対して後退し、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇがオーバーハング状となり、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇを介して上層の第二配線層６２と下層の第一配線層６１とが断線することが懸念される。

（１３）第二配線層の形成工程
次に、スパッタ法等により、膜厚１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と、膜厚５００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜と、膜厚１００ｎｍのＴｉ膜とをこの順で成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、ドライエッチングによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの金属積層膜をパターニングし、第二配線層６２を形成する。これにより、引き回し配線３０ｂ及びドレイン配線６５が形成される。なお、第二配線層６２を構成する金属としては、Ａｌに代えてＡｌ－Ｓｉ合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにＡｌを用いたが、高耐熱性が必要であり、かつ抵抗値のある程度の増加が許される場合（例えば、短い配線構造にする場合）は、第二配線層６２を構成する金属として、上述したゲート電極材料（Ｔａ、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｗ、ＴａＮ等）を用いてもよい。

このとき、平坦化膜でもある有機絶縁膜５１ａの開口部は、無機絶縁膜４１ａより上層の配線である第二配線層６２により覆われる。これにより、有機絶縁膜５１ａの開口部を第二配線層６２により覆うとともに、有機絶縁膜５１ａの第二配線層６２に覆われていない領域を無機絶縁膜４１ａにより覆うことができるので、有機絶縁膜５１ａがアッシングやドライエッチングによるダメージを受けなくすることができる。その結果、有機・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

（１４）有機絶縁膜の形成工程
次に、スピンコート法等により、膜厚１～３μｍ（好適には、２～３μｍ）の感光性アクリル樹脂膜を成膜することによって、有機絶縁膜５１を形成する。より詳細には、基板２１全面にスピンコート法等により、膜厚１～５μｍ（好適には、２～３μｍ）の感光性アクリル樹脂、例えばナフトキノンジアジド系の紫外線硬化型樹脂を塗布することによって、有機絶縁膜５１を形成する。続いて、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスクを通して有機絶縁膜５１を感光（露光）した後、エッチング（現像処理）を行うことによってコンタクトホール３１ｊとなる領域の有機絶縁膜５１を除去する。続いて、有機絶縁膜５１のベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行う。これにより、有機絶縁膜５１の開口部（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｊのアスペクト比を低減することができる。また、有機絶縁膜５１のコンタクト部（コンタクトホール３１ｊとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。有機絶縁膜５１としては、非感光性アクリル樹脂膜等の非感光性樹脂膜や、感光性又は非感光性のポリアルキルシロキサン系やポリシラザン系、ポリイミド系パレリン系の樹脂等を用いてもよい。また、有機絶縁膜５１の材料としては、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料や多孔質ＭＳＱ系材料も挙げられる。

（１５）パッド部及び画素部の形成工程
次に、スパッタリング法等によって、膜厚５０～２００ｎｍ（好適には、１００～１５０ｎｍ）のＩＴＯ膜やＩＺＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によって所望の形状にパターニングし、パッド部２７及び画素部を形成する。これにより、表示領域の有機絶縁膜５１上には、各画素に対応して画素電極３６が形成される。その後、表示領域に配向膜（図示せず）を塗布するとともに、配向膜の配向処理を行うことにより、ＴＦＴ基板１１が完成する。

（１６）パネル組み立て工程
次に、従来公知の方法と同様にして、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板の貼り合わせ工程と、液晶材料の注入工程と、偏光板の貼り付け工程とを行うことによって液晶表示パネルを作製する。なお、液晶表示パネルの液晶モードとして特に限定されず、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ　Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＶＡＴＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＰＳＡモード等が挙げられる。また、液晶表示パネルは、配向分割されたものであってもよい。更に、液晶表示パネルは、透過型であってもよしい、反射型であってもよしい、半透過型（反射透過両用型）であってもよい。そして、液晶表示パネルの駆動方式は、単純マトリクス型であってもよい。

ＰＳＡモードを採用する場合は、パネル貼り合わせ及び液晶注入工程として以下の工程を行う。すなわち、まず、ＴＦＴ基板１１の画素領域の外周にシール材を塗布した後、ディスペンサ等を用いて負の誘電率を有する液晶分子に重合性成分を添加した液晶材料をシール材の内側に滴下する。重合性成分として使用できる材料は特に限定されず、例えば、光重合性モノマーや光重合性オリゴマーを用いることができる。次に、液晶材料が滴下されたＴＦＴ基板１１にＣＦ基板を貼り合わせる。ここまでの工程は真空中で行われる。次に、貼り合わせた両基板を大気中に戻すと、貼り合わされた両基板間を液晶材料が大気圧により拡散する。次に、シール材の塗布領域に沿ってＵＶ光源を移動させながらＵＶ光をシール材に照射し、シール材を硬化させる。このようにして、拡散した液晶材料が２枚の基板間に封止されて液晶層が形成される。

なお、液晶材料を注入する方法としては、両基板の側方に液晶注入口を設け、そこから液晶材料を注入し、その後、液晶注入口を紫外線硬化樹脂等で封止する方法であってもよい。

続いて、重合性成分の光照射工程を行う。まず、ＴＦＴ２９がオンとなる電圧をゲート電極２５に印加した状態でソース電極３４とＣＦ基板の共通電極との間に交流電圧を印加し、液晶分子をチルトさせながら液晶層にＴＦＴ基板１１側からＵＶ光を照射する。これにより、液晶材料に添加された光重合性モノマーが重合され、配向膜の液晶層側の表面に液晶分子のプレチルト角を規定する重合体が形成される。

（１７）ＦＣＰ基板の貼り付け工程
次に、樹脂接着剤（例えば、熱硬化性エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂）中に導電性微粒子８１が分散されたＡＣＦ（異方性導電膜）８０を介して、ＴＦＴ基板１１とＦＰＣ基板７０とを熱圧着する。これにより、ＴＦＴ基板１１とＦＰＣ基板７０とが接続及び固定される。このとき、リワークする必要が生じたとしても、有機絶縁膜５１ａは、無機絶縁膜４１ａにより保護され、ＡＣＦ８０に直接接していないため、有機絶縁膜５１ａが剥れたり傷付いたりするのを抑制することができる。そのため、有機絶縁膜５１ａの下層に位置する第一配線層６１が剥き出しになり、第一配線層６１が水分等により腐食するのを抑制することができる。また、剥れた有機絶縁膜５１ａのカスに起因してＦＰＣ基板７０の接触不良が発生するのも抑制することができる。

その後、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板の外側にそれぞれ偏光板を貼り付け、更に、液晶表示パネルとバックライトユニットとを組み合わせることによって、本実施形態の液晶表示装置１００を完成することができる。

以上、本実施形態の液晶表示装置１００によれば、信頼性の向上と、配線の微細加工とが可能になる。

また、有機絶縁膜５１ａと画素電極３６との間にガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ａが設けられていることから、ＰＳＡモードにおけるガスや気泡による不良の発生を抑制することができる。すなわち、有機絶縁膜５１ａ等を感光性樹脂により形成し、重合性成分の光照射工程において有機絶縁膜５１ａ等にＵＶ光が照射され、画素電極３６の下層からガスが発生したとしても、有機絶縁膜５１ａよりも下層から発生するガスが液晶層に侵入するのを無機絶縁膜４１ａにより防ぐことができる。したがって、液晶層中に気泡が発生するのを抑制することができる。

なお、本実施形態において、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１は、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ－Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置１００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

以下に、本実施形態の更なる変形例について説明する。
図１４は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の周辺回路領域を示す断面模式図である。図１５は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
本変形例において、有機絶縁膜５１ａは、図１４、１５に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成されている。より具体的には、無機絶縁膜４１ａを形成するよりも先に感光性樹脂膜の感光（露光）及びエッチング（現像処理）し、有機絶縁膜５１ａをパターン形成する。続いて、有機絶縁膜５１ａのベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行う。これにより、有機絶縁膜５１ａの開口部（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇのアスペクト比を低減することができる。また、有機絶縁膜５１ａのコンタクト部（コンタクトホール３１ｃ、３１ｇとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。その後、無機絶縁膜４１ａを成膜し、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチングにより、有機絶縁膜５１ａが除去された領域と重なるようにコンタクトホール３１ｃ、３１ｇとなる領域の無機絶縁膜４１ａを除去する。無機絶縁膜４１ａをドライエッチングによりパターニングすることによって、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇの微細加工が可能になるとともに、下層にある第一配線層６１の微細化が可能になる。その後、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、Ｏ_２プラズマによりレジストマスクをアッシング除去する。これにより、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａを貫通するコンタクトホール３１ｃ、３１ｇが形成される。

このように、感光性樹脂からなる有機絶縁膜５１ａ上に無機絶縁膜４１ａ（パッシベーション膜）を形成することによって、ドライプロセスによるダメージが発生するのを抑制することができる。より具体的には、無機絶縁膜４１ａをドライエッチングによりエッチングする際に、有機絶縁膜５１ａの液晶層側の全面が無機絶縁膜４１ａに覆われている。すなわち、有機絶縁膜５１ａの液晶層側の上面及び側面（例えば、開口部の壁面）が無機絶縁膜４１ａに覆われている。そのため、有機絶縁膜５１ａにドライエッチングによるダメージが発生するのを抑制することができる。また、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇの形成工程におけるレジストアッシング時に、有機絶縁膜５１ａが酸素プラズマによるダメージを受けないようにすることができる。このような観点から、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面の全部は、無機絶縁膜４１ａで覆われていることが好ましい。

またこのとき、無機絶縁膜４１ａは、ウェットエッチングされてもよい。この場合は、レジストマスクは剥離液により剥離すればよい。したがって、有機絶縁膜５１ａがアッシングやドライエッチングのダメージを受けなくすることができる。

図１６は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図１７は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
図１６（ｂ）、１７に示すように、本変形例において、有機絶縁膜５１上には、無機絶縁膜４１ａと同様にガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ｃが形成される。すなわち、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体と同様に、有機絶縁膜５１及び無機絶縁膜４１ｃの積層体が形成される。

このように、画素電極３６よりも下層にガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ａ、４１ｃが設けられていることから、ＰＳＡモードにおけるガスや気泡による不良の発生をより抑制することができる。すなわち、有機絶縁膜５１ａ、５１を感光性樹脂により形成し、重合性成分の光照射工程において有機絶縁膜５１ａ、５１にＵＶ光が照射され、画素電極３６の下層からガスが発生したとしても、画素電極３６よりも下層から発生するガスが液晶層に侵入するのを無機絶縁膜４１ａ、４１ｃによりほぼ完全に防ぐことができる。したがって、液晶層中に気泡が発生するのをより抑制することができる。

また、図１６（ａ）に示すように、端子部には有機絶縁膜５１は設けられていないことから、端子部において、無機絶縁膜４１ａ上には無機絶縁膜４１ｃが直接積層される。このように、端子部に無機絶縁膜４１ａ、４１ｃの積層体を設けることによって、無機絶縁膜４１ａ単層の場合より、膜の機械的強度を向上することができる。したがって、ＦＰＣ基板７０の熱圧着時のリワークに起因する種々の不良をより効果的に抑制することができる。

更に、画素電極３６と同一層の最上層配線層（ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透明導電膜）から形成されたパッド部２７の下には、最上層配線層の直下の配線層（最近接下層配線層６９、本実施形態では第二配線層６２）が配置されている。これにより、パッド部２７の端子抵抗を低減することができる。パッド部２７を最上層配線層のみから形成した場合、最上層配線層は、通常、ＩＴＯ膜等の透明導電膜であり、シート抵抗値が高くなるが、下層の低抵抗配線層（第一配線層６１や第二配線層６２）との積層構造にすることで、パッド部２７のシート抵抗値を低減することが期待できる。しかしながらそのために、ドライエッチ等で最近接下層配線層６９を除去した場合、最近接下層配線層６９の下の配線層（本実施形態では第一配線層６１）の表面がエッチングダメージを受けるため、最近接下層配線層６９の下の配線層（第一配線層６１）と最上層配線層（透明導電膜）とのコンタクト抵抗が増大し、結果的に端子抵抗が増加する。したがって、パッド部２７の最上層配線層の下に最近接下層配線層６９を残した方が好ましい。

図１８は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図１９は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
本変形例において、図１８（ｂ）、１９に示すように、無機絶縁膜４１ａが形成されない代わりに、有機絶縁膜５１上に無機絶縁膜４１ａと同様のガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ｃが形成される。

このように、画素電極３６よりも下層にガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ｃが設けられていることから、ＰＳＡモードにおける気泡による不良の発生を抑制することができる。すなわち、有機絶縁膜５１ａ、５１を感光性樹脂により形成し、重合性成分の光照射工程において有機絶縁膜５１ａ、５１にＵＶ光が照射され、画素電極３６の下層からガスが発生したとしても、画素電極３６よりも下層から発生するガスが液晶層に侵入するのを無機絶縁膜４１ｃによりほぼ完全に防ぐことができる。したがって、液晶層中に気泡が発生するのをより抑制することができる。また、無機絶縁膜４１ａの形成工程を削減することができるので、製造工程の簡略化が可能となる。

また、端子部においては、図１８（ａ）に示すように、有機絶縁膜５１ａ上に無機絶縁膜４１ｃが積層され、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ｃの積層体が設けられている。これにより、無機絶縁膜４１ａを用いた場合と同様に、ＦＰＣ基板７０の熱圧着時のリワークに起因する種々の不良を抑制することができる。また、パッド部２７の最上層配線層の下には最近接下層配線層６９が設けられている。更に、有機絶縁膜５１ａは、図１８、１９に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成されている。

図２０は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
本変形例は、図２０に示すように、有機絶縁膜５１が感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成されていること以外は、図１９で示した例と同じ構成を有する。すなわち、無機絶縁膜４１ｃを形成するよりも先に感光性樹脂膜の感光（露光）及びエッチング（現像処理）し、有機絶縁膜５１をパターン形成する。続いて、有機絶縁膜５１のベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行う。これにより、有機絶縁膜５１の開口部（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｊのアスペクト比を低減することができる。また、有機絶縁膜５１のコンタクト部（コンタクトホール３１ｊとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。その後、無機絶縁膜４１ｃを成膜し、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチングにより、有機絶縁膜５１が除去された領域と重なるようにコンタクトホール３１ｊとなる領域の無機絶縁膜４１ｃを除去する。無機絶縁膜４１ｃをドライエッチングによりパターニングすることによって、コンタクトホール３１ｊの微細加工が可能になるとともに、下層にある第二配線層６２の微細化が可能になる。その後、無機絶縁膜４１ｃをストッパ材として、Ｏ_２プラズマによりレジストマスクをアッシング除去する。これにより、有機絶縁膜５１及び無機絶縁膜４１ｃを貫通するコンタクトホール３１ｊが形成される。

このように、感光性樹脂からなる有機絶縁膜５１上に無機絶縁膜４１ｃ（パッシベーション膜）を形成することによって、ドライプロセスによるダメージが発生するのを抑制することができる。より具体的には、無機絶縁膜４１ｃをドライエッチングによりエッチングする際に、有機絶縁膜５１の液晶層側の全面が無機絶縁膜４１ｃに覆われている。すなわち、有機絶縁膜５１の液晶層側の上面及び側面（例えば、開口部の壁面）が無機絶縁膜４１ｃに覆われている。そのため、有機絶縁膜５１にドライエッチングによるダメージが発生するのを抑制することができる。また、コンタクトホール３１ｊの形成工程におけるレジストアッシング時に、有機絶縁膜５１が酸素プラズマによるダメージを受けないようにすることができる。このような観点から、有機絶縁膜５１の開口部の壁面の全部は、無機絶縁膜４１ｃで覆われていることが好ましい。

またこのとき、無機絶縁膜４１ｃは、ウェットエッチングされてもよい。この場合は、レジストマスクは剥離液により剥離すればよい。したがって、有機絶縁膜５１がアッシングやドライエッチングのダメージを受けなくすることができる。

図２１は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図２２は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
本変形例において、有機絶縁膜５１ａは、図２１、２２に示すように、エッチバックされている。より具体的には、有機絶縁膜５１ａを成膜した後、第一配線層６１が露出するまで有機絶縁膜５１ａをドライエッチングによりエッチバックする。続いて、無機絶縁膜４１ａを成膜し、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチングによりコンタクトホール３１ｃ、３１ｇとなる領域の無機絶縁膜４１ａを除去する。本変形例では、有機絶縁膜５１ａの厚さ分だけパッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおける段差が低減するため、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量が緩和され、ＡＣＦの接触性をより向上することができる。

また、端子部においては、図２１（ａ）に示すように、パッド部２７の最上層配線層の下には最近接下層配線層６９が設けられている。

図２３は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図２４は、実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。

本変形例においては、図２４に示すように、補助容量上電極６６ａと重なる領域に、第一配線層６１により形成された第二の補助容量下電極６７と、第二配線層６２により形成された第二の補助容量上電極６６ｂとが設けられている。そして、補助容量下電極６７及び補助容量上電極６６ｂが重なる領域の有機絶縁膜５１ａは除去され、補助容量下電極６７及び補助容量上電極６６ｂは、無機絶縁膜４１ａを介して対向配置されている。このように、各画素には、半導体層２３、ゲート絶縁膜２４及び補助容量上電極６６ａを含む画素補助容量６８ａのみならず、補助容量下電極６７、無機絶縁膜４１ａ及び補助容量上電極６６ｂを含む第二の画素補助容量６８ｂが設けられている。これにより、一つの画素内に一つの画素補助容量６８ａのみを形成する場合に比べて、画素補助容量６８ａ及び画素補助容量６８ｂの大きさ（面積）を小さくすることができるので、画素開口率を向上することができる。

また、有機絶縁膜５１ａ、５１は、図２３、２４に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成され、その後、無機絶縁膜４１ａ、４１ｃが成膜及びエッチングされることによってパターン形成されている。また、端子部においては、図２３（ａ）に示すように、有機絶縁膜５１ａ上に無機絶縁膜４１ａ、４１ｃの積層体が積層されている。更に、パッド部２７の最上層配線層の下には最近接下層配線層６９が設けられている。

（実施形態２）
図２は、実施形態２の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。なお、本実施形態と実施形態１とで重複する内容についての説明は省略する。

本実施形態の液晶表示装置２００は、実施形態１の液晶表示装置における有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１の積層体上に、更に有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの積層体が形成された構造を有する。

より具体的には、本実施形態のＴＦＴ基板１２は、図２（ａ）に示すように、端子部において、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体上に、第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｃと、保護膜として機能する有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの積層体とが絶縁基板２１側からこの順に更に積層された構造を有する。第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｃは、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｄを介して第一配線層６１からなる接続端子（外部接続端子）２６と接続されている。

また、ＴＦＴ基板１２は、図２（ｂ）に示すように、周辺回路領域において、第二配線層６２上に、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの積層体と、第三配線層６３からなる引き回し配線３０ｄとが絶縁基板２１側からこの順に更に積層された構造を有する。第三配線層６３からなる引き回し配線３０ｄは、有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｅを介して第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｂと接続されている。

このように、本実施形態の液晶表示装置２００によれば、微細加工が可能である配線の更なる多層化が可能になる。

なお、追加される配線層と、有機絶縁膜及び無機絶縁膜の積層体の数は特に限定されず、所望のレイアウトに合わせて適宜設定すればよい。

また、本実施形態の液晶表示装置２００は、実施形態１の（１１）有機・無機積層体の形成工程と、（１２）コンタクトホールの形成工程と、（１３）配線層（第二配線層）の形成工程とを適宜、必要回数繰り返し行うことによって作製することができる。なお、有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの膜厚はそれぞれ、膜厚１～４μｍ（好適には、２～３μｍ）及び膜厚１０～２００ｎｍ（好適には、２０～１００ｎｍ）とすればよい。また、有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂはそれぞれ、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａと同様、異なる材料からなる複数の膜が積層されてもよい。更に、有機絶縁膜５１ａ及び有機絶縁膜５１ｂと、無機絶縁膜４１ａ及び無機絶縁膜４１ｂとはそれぞれ、異なる材料から形成されてもよい。

そして、本実施形態において、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１ｂ、有機絶縁膜５１は、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ－Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置２００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

図２５は、実施形態２の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。
本変形例において、有機絶縁膜５１ａ、５１ｂは、図２５に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成され、その後、無機絶縁膜４１ａ、４１ｂが成膜及びエッチングされることによってパターン形成されている。また、端子部においては、図２５（ａ）に示すように、最上層配線層により形成されたパッド部２７の下には最近接下層配線層６９が設けられている。

（実施形態３）
図３は、実施形態３の液晶表示装置の端子部における断面模式図である。なお、本実施形態と実施形態１及び２とで重複する内容についての説明は省略する。

本実施形態の液晶表示装置３００は、接続端子（外部接続端子）２６が第一配線層６１ではなく、より上層の第二配線層６２から形成されたことを除いては、実施形態２の液晶表示装置２００と同様の形態を有する。

より具体的には、本実施形態のＴＦＴ基板１３は、図３に示すように、端子部において、無機絶縁膜４１上に、第一配線層６１からなる引き回し配線３０ｅと、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体と、第二配線層６２からなる接続端子（外部接続端子）２６と、保護膜として機能する有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの積層体とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。第二配線層６２からなる接続端子（外部接続端子）２６は、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｄを介して第一配線層６１からなる引き回し配線３０ｅと接続されている。

実施形態２の液晶表示装置２００においては、有機絶縁膜及び無機絶縁膜の積層体と、配線層との積層構造を増やすほど、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量の差が増大するため、応力の不均一化が生じ、その結果、ＴＦＴ基板１２とＦＰＣ基板７０との接続不良に繋がることが懸念される。

それに対して、本実施形態の液晶表示装置３００のように、端子部において、なるべく上層、好ましくは最上層の無機絶縁膜及び有機絶縁膜の積層体の直下の配線層（本実施形態では第二配線層６２）により接続端子２６を形成することによって、パッド部２７の溝が小さくなり、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量の差が緩和されるため、応力の不均一化に起因する接続不良の発生を抑制することができる。

なお、本実施形態において、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１ｂは、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ－Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置３００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

図２６は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、額縁領域における端子部を示す。
本変形例において、有機絶縁膜５１ａ、５１ｂは、図２６に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成され、その後、無機絶縁膜４１ａ、４１ｂが成膜及びエッチングされることによってパターン形成されている。

図２７は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図２８は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
有機絶縁膜５１ｂは、図２７（ａ）に示すように、端子部において除去され、接続端子２６上には直接、無機絶縁膜４１ｂが形成されている。本変形例では、有機絶縁膜５１ｂの厚さ分だけパッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおける段差が低減するため、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量が更に緩和され、ＡＣＦの接触性をより向上することができる。

また、パッド部２７の最上層配線層の下には最近接下層配線層６９が設けられている。更に、有機絶縁膜５１ａ、５１ｂは、図２７（ｂ）、２８に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成され、その後、無機絶縁膜４１ａ、４１ｂが成膜及びエッチングされることによってパターン形成されている。

（実施形態４）
図４は、実施形態４の液晶表示装置の端子部における断面模式図である。なお、本実施形態と実施形態１～３とで重複する内容についての説明は省略する。

本実施形態の液晶表示装置４００は、端子部において有機絶縁膜が全て除去されていることを除いては、実施形態１の液晶表示装置１００と同様の形態を有する。

より具体的には、ＴＦＴ基板１４は、図４に示すように、端子部において、第一配線層６１からなる接続端子（外部接続端子）２６上に直接、保護膜として機能する無機絶縁膜４１ａが積層された構造を有する。

実施形態１～３の液晶表示装置１００、２００、３００のように、端子部に有機絶縁膜が存在する限り、ＦＰＣ基板７０のリワークに起因する信頼性の低下を完全に解決することは困難である。また、実施形態３の液晶表示装置３００は、応力の不均一化に起因する接続不良の発生を抑制することができるが、やはり有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの厚さの分だけパッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおいて段差が存在するため、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量が完全に同一になることはなく、ＡＣＦの接触性の点が改善の余地がある。

それに対して、本実施形態の液晶表示装置４００は、端子部においてリワークで問題となる有機絶縁膜が全く存在しない構造であるため、上述のリワークに起因する信頼性の低下を完全に改善することができる。また、有機絶縁膜の厚さ分だけパッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおける段差が低減するため、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量が更に緩和され、ＡＣＦの接触性をより向上することができる。

なお、本実施形態の液晶表示装置４００は、端子部に有機絶縁膜を設けないことを除いて、実施形態１の液晶表示装置１００と同様にして作製することができる。

また、本実施形態において、有機絶縁膜は、少なくともＡＣＦ８０等の異方性導電材料が設けられた領域に形成されないことが好ましい。

図２９は、実施形態４の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、額縁領域における端子部を示す。
本変形例は、図２９に示すように、パッド部２７の最上層配線層の下に最近接下層配線層６９が設けられている。

図５は、実施形態４の液晶表示装置の変形例の端子部における断面模式図である。
ＴＦＴ基板１４は、図５に示すように、ゲート電極（ゲート配線）２５と同一層からなる接続端子（外部接続端子）２６が端子部にまで延伸されるとともに、第一配線層６１と、ＩＴＯ膜等の透明導電膜とから構成されるパッド部２７を有してもよい。これにより、無機絶縁膜４１ａを端子部に設けずとも、無機絶縁膜４１を保護膜として機能されることができるので、図４で示した場合と同様の効果を奏することができる。

他方、本実施形態の液晶表示装置４００は、端子部において有機絶縁膜５１ｂが除去されていることを除いては、図３で示した実施形態３の液晶表示装置３００と同様の形態を有してもよい。すなわち、本実施形態のＴＦＴ基板１４は、端子部において、無機絶縁膜４１上に、第一配線層６１からなる引き回し配線３０ｅと、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａと、第二配線層６２からなる接続端子（外部接続端子）２６と、保護膜として機能する無機絶縁膜４１ｂとが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有してもよい。これによっても、図４で示した場合と同様に、ＡＣＦの接触性をより向上することができる。なおこの形態において、有機絶縁膜５１ａは、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ－Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置４００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

以下、上記実施形態１～４において、無機絶縁膜を形成する前に有機絶縁膜をエッチングする実施形態について説明する。なお以下では、周辺回路領域を例に説明するが、以下の実施形態は周辺回路領域に特に限定されず、端子部に適用してもよいし、画素領域に適用してもよい。
図６は、実施形態１～４に係る液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。また、図８－１（ａ）～（ｄ）及び図８－２（ｅ）～（ｇ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。なお、以下の実施形態と実施形態１～４とで重複する内容についての説明は省略する。

実施形態１で示した製造方法のように、有機絶縁膜と無機絶縁膜とを積層した後に、有機絶縁膜及び無機絶縁膜の積層体を一括してドライエッチングすることによってコンタクトホールを形成する場合、有機絶縁膜の膜厚は、例えば２μｍ以上と厚く、有機絶縁膜及び無機絶縁膜の積層体に形成されるコンタクトホールのアスペクト比が高くなり、上下の配線層間のコンタクトが取りにくくなることがある。また、このコンタクトホールの内壁では、ドライエッチング及びレジストアッシング時に有機絶縁膜が露出するため、上述のように、有機絶縁膜がエッチング及びレジストアッシングによるダメージを受ける場合がある。

それに対して、本実施形態の液晶表示装置５００は、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１の材料として感光性樹脂膜が用いられるとともに、以下に示す方法により作製される。

まず、実施形態１の（１０）第一配線層の形成工程までを行う。次に、図８－１（ａ）に示すように、実施形態１の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスピンコート法等により感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を成膜（塗布）することによって、有機絶縁膜５１ａを形成する。これにより、第一配線層６１が有機絶縁膜５１ａにより被覆されるとともに、ＴＦＴ基板の表面が平坦化される。

次に、有機絶縁膜５１ａの感光エッチングを行う。すなわち、図８－１（ｂ）に示すように、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスク３２ａを介して有機絶縁膜５１ａを感光（露光）した後、エッチング（現像処理）を行うことによってコンタクトホール３１ｃとなる領域の有機絶縁膜５１ａを除去する。

次に、有機絶縁膜５１ａ（感光性樹脂膜）のベーク工程（略２００℃、３０分間）を行う。これにより、図８－１（ｃ）に示すように、有機絶縁膜５１ａの開口部の（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｃのアスペクト比を低減することができる。

次に、図８－１（ｄ）に示すように、実施形態１の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスパッタ法やＰＥＣＶＤ法等により無機絶縁膜４１ａ（ＳｉＮ_ｘ膜やＳｉＯ_２膜）を形成する。なお、チャンバー内の汚染の影響等を考慮すると、無機絶縁膜４１ａは、基板温度を低温にした状態での成膜が可能であるスパッタ法により形成されることが好ましい。これにより、無機絶縁膜４１ａの膜質を向上することができる。これは、高温処理では有機成分が飛散し、膜性能の劣化や装置のチャンバーの汚染が発生する可能性があるためである。

次に、フォトリソグラフィ法によりレジストをパターン形成する。具体的には、図８－２（ｅ）に示すように、フォトマスク３２ａとは異なるフォトマスク３２ｂでレジスト３３ａを感光した後、現像処理することによって、レジスト３３ａのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。

次に、図８－２（ｆ）に示すように、レジスト３３ａをマスクとして、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチング、又は、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングにより、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面が無機絶縁膜４１ａにより全て覆われ、かつ無機絶縁膜４１ａの開口部が有機絶縁膜５１ａが除去された領域と重なるように無機絶縁膜４１ａをエッチングし、コンタクトホール３１ｃを形成する。

次に、図８－２（ｇ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、ドライエッチングを用いた場合は、Ｏ_２プラズマによりレジスト３３ａをアッシングし、一方、ウェットエッチングを用いた場合は、剥離液によりレジスト３３ａを剥離する。

その後、実施形態１と同様に、上記（１３）第二配線層の形成工程以降の工程を行い、図６に示すように、本実施形態の液晶表示装置５００が完成する。

このように、有機絶縁膜５１ａの材料として感光性樹脂を用いるため、有機絶縁膜５１ａのコンタクト部（コンタクトホール３１ｃとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。このため、この感光エッチングにより形成された有機絶縁膜５１ａのコンタクト部（開口部）は、図６に示すように、ドライプロセスにより形成される場合に比べて、なだらかな形状に仕上がる。したがって、コンタクトホール３１ｃのアスペクト比を低減することができ、この上層に積層される第二配線層６２に断線不良が発生するのを効果的に抑制することができる。

また、コンタクト部の内壁部分（壁面部）を含む全ての有機絶縁膜５１ａが次の無機絶縁膜の形成工程において無機絶縁膜４１ａにより覆われる。したがって、その後、無機絶縁膜４１ａをエッチングする際に、有機絶縁膜５１ａがエッチングによるダメージを受けないようにすることができる。

更に、有機絶縁膜５１ａの感光エッチング後に積層される無機絶縁膜４１ａは、感光性エッチングよりも微細化できるドライエッチング等を利用することができる。したがって、この方法によっても、コンタクトホール３１ｃの微細加工が可能であるとともに、下層にある第一配線層６１の微細化が可能である。

そして、有機絶縁膜５１ａの材料として感光性樹脂を用いるため、本実施形態を実施形態４に適用する場合、無機絶縁膜４１ａを積層する前に、高い微細加工を必要としない端子部の有機絶縁膜を容易に除去することが可能となる。

図１２は、図８－２（ｇ）で示される周辺回路領域の別の形態の断面模式図である。無機絶縁膜４１ａをウェットエッチングする場合は、有機絶縁膜５１ａの開口部よりも無機絶縁膜４１ａの開口部を大きくすることによって、図１２に示すように、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面の下層側の一部が露出していてもよい。これによっても、有機絶縁膜５１ａがアッシングやドライエッチングのダメージを受けなくすることができる。

なお、この場合は、上述の方法により、有機絶縁膜５１ａの成膜、有機絶縁膜５１ａの感光エッチング、有機絶縁膜５１ａのベーク及び無機絶縁膜４１ａの成膜を行った後（図８－１（ａ）～（ｄ））、フォトマスク３２ａとは異なるフォトマスクでレジストをパターン形成し、次に、レジストをマスクとして、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングにより、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面の下層側の一部が露出するように無機絶縁膜４１ａをエッチングすることによってコンタクトホールを形成し、最後に、剥離液によりレジストを剥離すればよい。

以下に、本実施形態の変形例について説明する。図９－１（ａ）～（ｄ）及び図９－２（ｅ）～（ｈ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。

本変形例では、まず、実施形態１の（１０）第一配線層の形成工程までを行う。次に、図９－１（ａ）に示すように、実施形態１の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスピンコート法等により感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を成膜（塗布）することによって、有機絶縁膜５１ａを形成する。これにより、第一配線層６１が有機絶縁膜５１ａにより被覆されるとともに、ＴＦＴ基板の表面が平坦化される。

次に、有機絶縁膜５１ａの感光エッチングを行う。すなわち、図９－１（ｂ）に示すように、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスク３２ｃを介して有機絶縁膜５１ａを感光した後、現像処理を行うことによってコンタクトホール３１ｃとなる領域の有機絶縁膜５１ａを除去する。このとき、有機絶縁膜５１ａの開口部（コンタクト部）が後述する無機絶縁膜４１ａの開口部（コンタクト部）よりも大きくなるように、有機絶縁膜５１ａをオーバー露光する。

次に、有機絶縁膜５１ａ（感光性樹脂膜）のベーク工程（略２００℃、３０分間）を行う。これにより、図９－１（ｃ）に示すように、有機絶縁膜５１ａの開口部の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｃのアスペクト比を低減することができる。

次に、図９－１（ｄ）に示すように、実施形態１の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスパッタ法やＰＥＣＶＤ法等により無機絶縁膜４１ａ（ＳｉＮ_ｘ膜やＳｉＯ_２膜）を形成する。なお、チャンバー内の汚染の影響等を考慮すると、無機絶縁膜４１ａは、基板温度を低温にした状態での成膜が可能であるスパッタ法により形成されることが好ましい。これにより、無機絶縁膜４１ａの膜質を向上することができる。これは、高温処理では有機成分が飛散し、膜性能の劣化や装置のチャンバーの汚染が発生する可能性があるためである。

次に、フォトリソグラフィ法によりレジストをパターン形成する。具体的には、図９－２（ｅ）に示すように、有機絶縁膜５１ａの露光に用いたフォトマスク３２ｃでレジスト３３ｂを感光した後、現像処理することによって、レジスト３３ｂのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。このとき、無機絶縁膜４１ａの開口部が有機絶縁膜５１ａの開口部よりも小さくなるように、レジスト３３ｂは、通常の露光量で露光される。

次に、図９－２（ｆ）に示すように、レジスト３３ｂをマスクとして、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチング、又は、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングにより、有機絶縁膜５１ａが除去された領域と重なるように無機絶縁膜４１ａをエッチングし、コンタクトホール３１ｃを形成する。このとき、有機絶縁膜５１ａは、図９－２（ｆ）の点線で囲まれた領域近傍の拡大図である図９－２（ｇ）に示すように、無機絶縁膜４１ａに被覆されているため、上記エッチング時と、後述するアッシング時とにおいてダメージを受けないようにすることができる。また、無機絶縁膜４１ａのエッチングに、感光性エッチングよりも微細化できるドライエッチング等を利用することができる。したがって、この方法によっても、コンタクトホール３１ｃの微細加工が可能であるとともに、下層にある第一配線層６１の微細化が可能である。

次に、図９－２（ｈ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、ドライエッチングを用いた場合は、Ｏ_２プラズマによりレジスト３３ｂをアッシングし、一方、ウェットエッチングを用いた場合は、剥離液によりレジスト３３ｂを剥離する。

このように、本変形例によれば、有機絶縁膜５１ａ及びレジスト３３ｂの露光に同一のフォトマスク３２ｃを用いることにから、必要なフォトマスクの枚数を一枚削減でき、製造コストを削減することができる。また、異なるフォトマスク間の仕上がりのズレに起因して発生し得る有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａそれぞれの開口部の位置ズレの発生を抑制することができる。

図１０－１（ａ）～（ｃ）及び図１０－２（ｄ）～（ｆ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。

本変形例では、まず、実施形態１の（１０）第一配線層の形成工程までを行う。次に、図１０－１（ａ）に示すように、実施形態１の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスピンコート法等により感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を成膜（塗布）することによって、有機絶縁膜５１ａを形成する。これにより、第一配線層６１が有機絶縁膜５１ａにより被覆されるとともに、ＴＦＴ基板の表面が平坦化される。

次に、必要に応じて有機絶縁膜５１ａの感光を行った後、ベーク工程（略２００℃、３０分間）を行う。このように、本変形例において、有機絶縁膜５１ａは、感光性樹脂であってもよいし、非感光性樹脂であってもよい。

次に、図１０－１（ｂ）に示すように、実施形態１の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスパッタ法やＰＥＣＶＤ法等により無機絶縁膜４１ａ（ＳｉＮ_ｘ膜やＳｉＯ_２膜）を形成する。なお、チャンバー内の汚染の影響等を考慮すると、無機絶縁膜４１ａは、基板温度を低温にした状態での成膜が可能であるスパッタ法により形成されることが好ましい。これにより、無機絶縁膜４１ａの膜質を向上することができる。これは、高温処理では有機成分が飛散し、膜性能の劣化や装置のチャンバーの汚染が発生する可能性があるためである。

次に、フォトリソグラフィ法によりレジストをパターン形成する。具体的には、図１０－１（ｃ）に示すように、フォトマスク３２ｄでレジスト３３ｃを感光した後、現像処理することによって、レジスト３３ｃのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。

次に、図１０－２（ｄ）に示すように、レジスト３３ｃをマスクとして、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングにより、無機絶縁膜４１ａのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。

次に、図１０－２（ｅ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、剥離液によりレジスト３３ｃを剥離する。

次に、図１０－２（ｆ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをマスクとして、Ｏ_２プラズマ等を用いたドライエッチングにより有機絶縁膜５１ａをエッチングし、コンタクトホール３１ｃを形成する。

このように、本変形例によれば、無機絶縁膜４１ａをウェットエッチングにエッチングするため、アッシング処理ではなく剥離液によりレジスト３３ｃを剥離することができる。したがって、コンタクトホール３１ｃ内に露出する有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面部に対してアッシングのダメージを与えることがない。

図１１（ａ）及び（ｂ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。

本変形例では、まず、上述の変形例と同様に、図１０－１（ｃ）に示すように、レジスト３３ｃのパターン形成までの工程を行う。

次に、図１１（ａ）に示すように、レジスト３３ｃをマスクとして、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチングにより、無機絶縁膜４１ａのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。このように、ドライエッチングを用いることによって、コンタクトホール３１ｃの微細加工が可能である。

次に、図１１（ｂ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、Ｏ_２プラズマ等を用いたドライエッチングにより、レジスト３３ｂのアッシングと、有機絶縁膜５１ａのエッチングとを行い、コンタクトホール３１ｃを形成する。

このように、本変形例によれば、レジスト３３ｂの除去（アッシング）と、有機絶縁膜５１ａのエッチング（開口）とを同時に行うため、ドライエッチングにより有機絶縁膜５１ａに与えられるトータルのダメージを軽減することができる。

なお、本実施形態において、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１は、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ－Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置５００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

以上、実施形態１～４及びその他の実施形態を用いて本発明について説明したが、各実施形態は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜組み合わされてもよい。例えば、本発明の表示装置用基板は、周辺回路領域を有さず、有機・無機膜積層体が端子部のみに設けられた形態であってもよいし、端子部に有機絶縁膜が設けられず、周辺回路領域のみに有機・無機膜積層体が設けられた形態であってもよい。

また、上記実施形態では液晶表示装置を例にして本発明について説明したが、本発明は、液晶表示装置以外の表示装置、例えば有機ＥＬディスプレイ等に対しても適用可能である。

更に、本発明の多層配線の形成方法や多層配線基板については、表示装置以外、例えば半導体集積回路等に利用される半導体基板や、ＦＰＣ基板等の配線基板等に対しても適用可能である。

本願は、２００８年３月４日に出願された日本国特許出願２００８－５３７７９号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。

実施形態１の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。実施形態２の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。実施形態３の液晶表示装置の端子部における断面模式図である。実施形態４の液晶表示装置の端子部における断面模式図である。実施形態４の液晶表示装置の変形例の端子部における断面模式図である。実施形態１～４に係る液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。従来の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。（ａ）～（ｄ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。（ｅ）～（ｇ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。（ａ）～（ｄ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。（ｅ）～（ｈ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。（ａ）～（ｃ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。（ｄ）～（ｆ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。（ａ）及び（ｂ）は、製造工程における実施形態１～４に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。図８－２（ｇ）で示される周辺回路領域の別の形態の断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の周辺回路領域を示す断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。実施形態１の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。実施形態２の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、額縁領域における端子部を示す。実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。実施形態４の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、額縁領域における端子部を示す。

符号の説明

１１、１２、１３、１４：ＴＦＴ基板
２１：絶縁基板
２２：ベースコート膜
２３：半導体層
２４：ゲート絶縁膜
２５：ゲート電極（ゲート配線）
２６：接続端子（外部接続端子）
２７：パッド部
２８：ソース・ドレイン電極
２９：ＴＦＴ
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ：引き回し配線
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、３１ｆ、３１ｇ、３１ｊ：コンタクトホール
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ：フォトマスク
３３ａ、３３ｂ、３３ｃ：レジスト
３４：ソース電極
３５：ドレイン電極
３６：画素電極
４１、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ：無機絶縁膜
５１、５１ａ、５１ｂ：有機絶縁膜
６１：第一配線層
６２：第二配線層
６３：第三配線層
６５：ドレイン配線
６６ａ、６６ｂ：補助容量上電極
６７：補助容量下電極
６８ａ、６８ｂ：画素補助容量
６９：最近接下層配線層
７０：ＦＰＣ基板
７１：接続端子
８０：ＡＣＦ
８１：導電性微粒子
１００、２００、３００、４００、５００：液晶表示装置

Claims

絶縁基板上に、他の外部接続部品を接続するための接続端子が設けられた端子部と、周辺回路が設けられた周辺回路領域との少なくとも一方を備える表示装置用基板であって、
該表示装置用基板は、有機絶縁膜の直上に無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有することを特徴とする表示装置用基板。
前記表示装置用基板は、前記端子部及び前記周辺回路領域を備えることを特徴とする請求項１記載の表示装置用基板。
前記表示装置用基板は、前記端子部に前記有機・無機膜積層体を有することを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置用基板。
前記表示装置用基板は、前記周辺回路領域に前記有機・無機膜積層体を有することを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の表示装置用基板。
前記表示装置用基板は、前記有機・無機膜積層体を複数有することを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の表示装置用基板。
前記表示装置用基板は、前記端子部に前記複数の有機・無機膜積層体を有することを特徴とする請求項５記載の表示装置用基板。
前記表示装置用基板は、前記複数の有機・無機膜積層体の層間に設けられた複数の配線層を有し、
前記接続端子は、該複数の配線層のうち、最も絶縁基板側に位置する配線層を除く配線層を含んで構成されることを特徴とする請求項５又は６記載の表示装置用基板。
前記表示装置用基板は、前記複数の有機・無機膜積層体の層間に設けられた複数の配線層を有し、
前記接続端子は、該複数の配線層のうち、最も上層側に位置する配線層を含んで構成されることを特徴とする請求項５～７のいずれかに記載の表示装置用基板
前記表示装置用基板は、前記周辺回路領域に前記複数の有機・無機膜積層体を有することを特徴とする請求項５記載の表示装置用基板。
前記表示装置用基板は、前記端子部において、前記接続端子の直上に前記無機絶縁膜が積層された領域を有することを特徴とする請求項１～９のいずれかに記載の表示装置用基板。
前記表示装置用基板は、前記端子部に前記有機絶縁膜が設けられていないことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置用基板。
前記有機絶縁膜の開口部は、前記無機絶縁膜より上層の配線により覆われることを特徴とする請求項１～１１のいずれかに記載の表示装置用基板。
前記有機絶縁膜は、感光性樹脂を含むことを特徴とする請求項１～１２のいずれかに記載の表示装置用基板。
請求項１３記載の表示装置用基板の製造方法であって、
該製造方法は、前記感光性樹脂を含む前記有機絶縁膜をエッチングする有機絶縁膜エッチング工程と、
該有機絶縁膜エッチング工程の後に、前記無機絶縁膜を成膜する無機絶縁膜成膜工程と、
該無機絶縁膜成膜工程の後に、前記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程とを含むことを特徴とする表示装置用基板の製造方法。
前記無機絶縁膜エッチング工程は、第一レジストを介して前記無機絶縁膜をドライエッチングすることを特徴とする請求項１４記載の表示装置用基板の製造方法。
前記無機絶縁膜エッチング工程は、前記感光性樹脂を含む前記有機絶縁膜のエッチング除去された領域と重なる領域の前記無機絶縁膜をエッチング除去することを特徴とする請求項１４又は１５記載の表示装置用基板の製造方法。
前記表示装置用基板の製造方法は、前記有機絶縁膜エッチング工程の前に、第一フォトマスクを介して前記有機絶縁膜を感光する有機絶縁膜感光工程を含むことを特徴とする請求項１４～１６のいずれかに記載の表示装置用基板の製造方法。
前記表示装置用基板の製造方法は、前記無機絶縁膜成膜工程の後に、前記無機絶縁膜上に第二レジストを成膜するレジスト成膜工程と、
該レジスト成膜工程の後に、前記第一フォトマスクを介して該第二レジストを感光するレジスト感光工程とを含むことを特徴とする請求項１７記載の表示装置用基板の製造方法。
請求項１～１３のいずれかに記載の表示装置用基板の製造方法であって、
該製造方法は、レジストをマスクとしてウェットエッチングにより前記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、
該無機絶縁膜エッチング工程の後に、該レジストを除去するレジスト除去工程と、
該レジスト除去工程の後に、前記無機絶縁膜をマスクとして前記有機絶縁膜をエッチングする有機絶縁膜エッチング工程とを含むことを特徴とする表示装置用基板の製造方法。
請求項１～１３のいずれかに記載の表示装置用基板の製造方法であって、
該製造方法は、レジストをマスクとしてドライエッチングにより前記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、
該無機絶縁膜エッチング工程の後に、ドライエッチングにより、該レジストをアッシング除去するとともに、前記無機絶縁膜をマスクとして前記有機絶縁膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする表示装置用基板の製造方法。
請求項１～１３のいずれかに記載の表示装置用基板を備えることを特徴とする表示装置。
請求項１４～２０のいずれかに記載の表示装置用基板の製造方法により作製された表示装置用基板を備えることを特徴とする表示装置。
感光性樹脂を含む有機絶縁膜の直上に無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有する多層配線の形成方法であって、
該形成方法は、該有機絶縁膜をエッチングする有機絶縁膜エッチング工程と、
該有機絶縁膜エッチング工程の後に、該無機絶縁膜を成膜する無機絶縁膜成膜工程と、
該無機絶縁膜成膜工程の後に、該無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程とを含むことを特徴とする多層配線の形成方法。
前記無機絶縁膜エッチング工程は、第一レジストを介して前記無機絶縁膜をドライエッチングすることを特徴とする請求項２３記載の多層配線の形成方法。
前記無機絶縁膜エッチング工程は、前記感光性樹脂を含む前記有機絶縁膜のエッチング除去された領域と重なる領域の前記無機絶縁膜をエッチング除去することを特徴とする請求項２３又は２４記載の多層配線の形成方法。
前記多層配線の形成方法は、前記有機絶縁膜エッチング工程の前に、第一フォトマスクを介して前記有機絶縁膜を感光する有機絶縁膜感光工程を含むことを特徴とする請求項２３～２５のいずれかに記載の多層配線の形成方法。
前記多層配線の形成方法は、前記無機絶縁膜成膜工程の後に、前記無機絶縁膜上に第二レジストを成膜するレジスト成膜工程と、
該レジスト成膜工程の後に、前記第一フォトマスクを介して該第二レジストを感光するレジスト感光工程とを含むことを特徴とする請求項２６記載の多層配線の形成方法。
有機絶縁膜の直上に無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有する多層配線の形成方法であって、
該形成方法は、レジストをマスクとしてウェットエッチングにより該無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、
該無機絶縁膜エッチング工程の後に、該レジストを除去するレジスト除去工程と、
該レジスト除去工程の後に、該無機絶縁膜をマスクとして該有機絶縁膜をエッチングする有機絶縁膜エッチング工程とを含むことを特徴とする多層配線の形成方法。
有機絶縁膜の直上に無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有する多層配線の形成方法であって、
該形成方法は、レジストをマスクとしてドライエッチングにより該無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、
該無機絶縁膜エッチング工程の後に、ドライエッチングにより、該レジストをアッシング除去するとともに、該無機絶縁膜をマスクとして該有機絶縁膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする多層配線の形成方法。
絶縁基板上に、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有する多層配線基板であって、
該平坦化膜の開口部の壁面の少なくとも上層側の一部は、該無機絶縁膜で覆われていることを特徴とする多層配線基板。
前記平坦化膜の開口部の壁面の全部は、前記無機絶縁膜で覆われていることを特徴とする請求項３０記載の多層配線基板。
前記平坦化膜は、有機絶縁膜であることを特徴とする請求項３０又は３１記載の多層配線基板。
前記有機絶縁膜は、感光性樹脂を含むことを特徴とする請求項３２記載の多層配線基板。
前記平坦化膜は、無機絶縁膜であることを特徴とする請求項３０又は３１記載の多層配線基板。
前記平坦化膜の開口部は、前記無機絶縁膜より上層の配線により覆われることを特徴とする請求項３０～３４のいずれかに記載の多層配線基板。
前記多層配線基板は、表示装置用基板であることを特徴とする請求項３０～３５のいずれかに記載の多層配線基板。