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WO2009028399A1 - Plaquette semi-conductrice et son procédé de fabrication - Google Patents

Plaquette semi-conductrice et son procédé de fabrication Download PDF

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WO2009028399A1
WO2009028399A1 PCT/JP2008/064945 JP2008064945W WO2009028399A1 WO 2009028399 A1 WO2009028399 A1 WO 2009028399A1 JP 2008064945 W JP2008064945 W JP 2008064945W WO 2009028399 A1 WO2009028399 A1 WO 2009028399A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
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silicon wafer
small silicon
wafer pieces
diameter
manufacturing
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2008/064945
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Kazushige Takaishi
Seiji Sugimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Corp
Original Assignee
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Corp filed Critical Sumco Corp
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Publication of WO2009028399A1 publication Critical patent/WO2009028399A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H10P90/1914—
    • H10W10/181—

Landscapes

  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

L'invention porte sur une plaquette de grand diamètre ayant un diamètre de 450 mm ou plus, qui est fabriquée à un grand débit de production et à un faible coût. Sur un substrat de verre de quartz circulaire ayant un diamètre de 450 mm ou plus destiné à être un substrat de matériau de base, une pluralité de petits morceaux de plaquette de silicium rectangulaires sont liés par recuit ou analogue. Après liaison, les espaces entre les petits morceaux de plaquette de silicium sont remplis par du polysilicium par dépôt du polysilicium par dépôt chimique en phase vapeur. De plus, les surfaces des petits morceaux de plaquette de silicium sont polies de façon à constituer une surface de formation de dispositif. En variante, une surface de dispositif est formée par formation d'une couche épitaxiale sur les surfaces des petits morceaux de plaquette de silicium.
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