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WO2009079982A3 - Verfahren zur herstellung von halbleiterchips und halbleiterchip - Google Patents

Verfahren zur herstellung von halbleiterchips und halbleiterchip Download PDF

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WO2009079982A3
WO2009079982A3 PCT/DE2008/002056 DE2008002056W WO2009079982A3 WO 2009079982 A3 WO2009079982 A3 WO 2009079982A3 DE 2008002056 W DE2008002056 W DE 2008002056W WO 2009079982 A3 WO2009079982 A3 WO 2009079982A3
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (1) angegeben. Eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern (2) mit wird auf einem Substrat (8) bereitgestellt, wobei die Halbleiterkörper (2) durch Zwischenräume (25) voneinander beabstandet sind. Ein strukturierter Träger (33) wird bereitgestellt, der eine Mehrzahl von Erhebungen (35) aufweist. Der strukturierte Träger (33) wird relativ zu dem Substrat (8) derart positioniert, dass sich die Erhebungen des strukturierten Trägers (33) in die Zwischenräume (25) zwischen den Halbleiterkörpern (2) hinein erstrecken. Ein mechanisch stabiler Verbund (38) wird hergestellt, der das Substrat (8) und den strukturierten Träger (33) umfasst. Der Verbund (38) wird in eine Mehrzahl von Halbleiterchips (1) vereinzelt. Weiterhin wird ein Halbleiterchip angegeben.
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