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WO2009078330A1 - 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、このスパッタリングターゲットを用いて形成された電極 - Google Patents

酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、このスパッタリングターゲットを用いて形成された電極 Download PDF

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Abstract

　スパッタリングの際に異常放電を発生せず、比抵抗が小さくプラズマ耐性の高い透明電極を成膜することができるスパッタリングターゲットを得る。本発明の酸化亜鉛焼結体の製造方法は、酸化亜鉛(ＺｎＯ)における第１添加物元素(Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのうちいずれか１種以上)の他に、特に電極のプラズマ耐性を高める第２添加物元素として、Ｖを含有する酸化亜鉛焼結体の製造方法である。この製造方法においては、まずＺｎＡｌ２Ｏ４相及びＺｎ３(ＶＯ４)２相を含む仮焼粉末が製造され、この仮焼粉末とＺｎＯ粉末とが配合、成形、焼成されて酸化亜鉛焼結体が形成される。
PCT/JP2008/072498 2007-12-19 2008-12-11 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、このスパッタリングターゲットを用いて形成された電極 Ceased WO2009078330A1 (ja)

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