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WO2009044659A1 - パターン形成方法 - Google Patents

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WO2009044659A1
WO2009044659A1 PCT/JP2008/067256 JP2008067256W WO2009044659A1 WO 2009044659 A1 WO2009044659 A1 WO 2009044659A1 JP 2008067256 W JP2008067256 W JP 2008067256W WO 2009044659 A1 WO2009044659 A1 WO 2009044659A1
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pattern forming
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silicon oxide
pattern
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Katsura Hirai
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Konica Minolta Inc
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Abstract

　本発明は、絶縁層を、塗布層及びそのプラズマ処理によって形成して、かつ、表面エネルギーを利用し、電極、或いは有機半導体層のパターン化を行うパターン形成方法を提供する。本発明のパターン形成方法は、基体上に設けられた珪素を含有する層を、酸化処理することにより、表面に酸化珪素を含有する層を形成した後、前記酸化珪素に、酸化珪素に結合する表面処理材料のパターンを形成することを特徴とする。
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