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WO2008053849A1 - Périphérique d'imagerie à l'état condensécondensé et procédé de fabrication correspondant - Google Patents

Périphérique d'imagerie à l'état condensécondensé et procédé de fabrication correspondant Download PDF

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WO2008053849A1
WO2008053849A1 PCT/JP2007/071046 JP2007071046W WO2008053849A1 WO 2008053849 A1 WO2008053849 A1 WO 2008053849A1 JP 2007071046 W JP2007071046 W JP 2007071046W WO 2008053849 A1 WO2008053849 A1 WO 2008053849A1
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solid
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spacer
partition walls
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Katsumi Yamamoto
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Toppan Printing Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a solid-state imaging device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a solid-state imaging device capable of keeping a distance between a wafer and a glass substrate constant during manufacturing and a manufacturing method thereof.
  • Such a small solid-state imaging device is suitable for being incorporated in an electronic device such as a mobile phone that is desired to be small and light and thin.
  • a spacer for maintaining a certain distance is interposed between a solid-state image sensor chip provided with a number of microlenses on a light receiving surface and an infrared cut transparent glass plate.
  • the gaps are arranged opposite to each other and the periphery of the gap is sealed with an adhesive (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-329852).
  • a small solid-state imaging device configured as described above includes a solid-state imaging device wafer in which a plurality of solid-state imaging device chips are mounted on a single wafer, and an infrared cut transparent glass substrate. It is manufactured by polishing the back surface of the solid-state image sensor wafer to a thickness of about 30 to 100 m and then cutting the bonded structure for each solid-state image sensor chip.
  • the distance between the solid-state imaging device wafer and the infrared cut transparent glass substrate is defined by the height of the spacer, but this is uniformly distributed over the entire surface of the wafer having a diameter of 20 to 30 cm.
  • the upper pressure of the infrared cut transparent glass substrate is applied during shelling, it is easily compressed and the distance is maintained uniformly across the entire wafer surface.
  • a first object of the present invention is to maintain a uniform distance between a solid-state imaging device wafer and a glass substrate, having sufficient strength even when a large pressure is applied in the manufacturing process.
  • An object of the present invention is to provide a solid-state imaging device having a possible structure and a manufacturing method thereof.
  • a second object of the present invention is to provide a solid-state imaging device that does not entrap gas inside the spacer and does not cause defective products when a large pressure is applied in the manufacturing process. It is in providing the manufacturing method.
  • the solid-state imaging device chip, the transparent plate disposed to face the light receiving surface of the solid-state imaging device chip, and the distance between the solid-state imaging device chip and the transparent plate are constant.
  • a spacer disposed in a frame shape around the light receiving surface of the solid-state image sensor chip, and an adhesive layer that seals the periphery of the gap between the solid-state image sensor chip and the transparent plate.
  • the solid-state imaging device is provided in which the spacer has a plurality of partition wall forces.
  • the second aspect of the present invention there is provided a method for manufacturing the above-described solid-state imaging device, wherein at least one of a solid-state imaging element wafer provided with a plurality of solid-state imaging element chips and a transparent substrate is provided.
  • a method for manufacturing a solid-state imaging device comprising the step of cutting the structure for each solid-state imaging device chip.
  • the spacer can have a force S of three partitioning forces.
  • the spacer can be composed of one partition wall having a high height and two partition walls having a low height provided on both sides thereof.
  • a notch for venting air can be formed in at least one of the plurality of partition walls constituting the spacer.
  • the spacer can be composed of at least one resin selected from the group consisting of polyimide resin, epoxy resin, and epoxy acrylate resin.
  • the spacer is constituted by a plurality of partition walls, in particular, a plurality of partition walls having different heights, so that the solid-state imaging element wafer and the transparent substrate can be bonded in the manufacturing process of the solid-state imaging device.
  • two types of spacers with different heights support the two stages, so the distance between the spacer's solid-state imaging device wafer and the transparent substrate must be kept uniform across the entire surface. Can do.
  • a notch for air venting in at least one of the plurality of partition walls constituting the spacer, in the manufacturing process, particularly in the bonding process of the wafer and the transparent substrate.
  • a solid-state imaging device that does not entrap gas inside a spacer and does not cause defective products when a large pressure is applied.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing an arrangement of three partition walls constituting the spacer in the manufacturing process of the solid-state imaging device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a view showing another example of the arrangement of three partition walls constituting the spacer.
  • FIG. 4 is a view showing another example of the arrangement of three partition walls constituting the spacer.
  • FIG. 5 is a top view of the solid-state imaging device in which the spacer has a notch, with the infrared cut transparent glass plate removed.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
  • a plurality of microlenses 2 are provided on the upper surface (light-receiving surface) of the solid-state imaging device chip 1, and a transparent plate, that is, an infrared cut transparent glass is opposed to the microlenses 2.
  • Plate 3 is placed.
  • a CCD (charge coupled device) or a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) sensor can be used as the solid-state imaging device chip 1.
  • a spacer 4 composed of three frame-shaped partition walls is interposed between the solid-state imaging device chip 1 and the infrared cut transparent glass plate 3, and the distance between the two is kept constant.
  • Solid-state image sensor The periphery of the gap between the cup 1 and the infrared cut transparent glass plate 3 is sealed with an adhesive layer 5 formed by curing an ultraviolet curable resin.
  • An electrode pad (not shown) of the solid-state image sensor is provided on the periphery of the upper surface of the solid-state image sensor chip 1, and a back electrode (not shown) is provided on the periphery of the bottom surface.
  • a wiring layer 6 around the side wall extending from the periphery of the upper surface of the solid-state imaging device chip 1 through the side surface to the periphery of the bottom surface is formed.
  • external connection bumps 7 are formed on the wiring layer 6 around the side wall at the periphery of the bottom surface of the solid-state imaging device chip 1.
  • the solid-state imaging device configured as described above is manufactured by the following manufacturing process.
  • a solid-state image sensor wafer provided with a plurality of solid-state image sensor chips and a plurality of microlenses formed on the upper surface thereof, and a transparent glass substrate having a size similar to that of the wafer are prepared.
  • a plurality of partition walls having different heights are formed on one or both of the solid-state image pickup device wafer and the transparent glass substrate at the peripheral portion of each solid-state image pickup device chip or a position corresponding thereto.
  • Figure 2 shows an example.
  • FIG. 2 shows an enlarged portion where a spacer is formed in a state where the solid-state imaging device wafer 11 and the transparent substrate 12 are arranged facing each other for bonding.
  • a first partition wall 13 having a high height is formed on the lower surface of the transparent substrate 12, and the first surface is located on both sides of the first partition wall 13 on the upper surface of the solid-state imaging device wafer 11.
  • Second and third partition walls 14 and 15 having a height lower than that of the partition wall 13 are provided.
  • a spacer 4 shown in FIG. 1 is constituted by these first to third partitions.
  • the height of the first partition wall 13 is, for example, 50 to 120 m, and the width is, for example, 70 to 150 150 m.
  • the height of the second and third partition walls 14 and 15 is higher than the height of the microlens 2 so that the microlens 2 does not come into contact with the transparent glass substrate and is damaged, for example, 40 to 00. ⁇ m, and the width is, for example, 70 to 50 ⁇ m.
  • the partition wall can be formed by patterning a commercially available photosensitive resin composition by photolithography. As the constituent resin, polyimide resin, epoxy resin, epoxy acrylate resin and the like can be used.
  • an adhesive layer made of an ultraviolet curable resin or the like is applied to a position outside the partition wall of the solid-state imaging device wafer. Then, the solid-state image sensor wafer and the transparent glass substrate are bonded together
  • the distance between the solid-state imaging element wafer and the transparent substrate is fixed by curing the adhesive layer by ultraviolet irradiation or the like.
  • the bonded structure is cut for each solid-state imaging device chip at the position of the adhesive layer by a dicing apparatus to form a wiring layer 6 around the side wall and an insulating layer 8 made of a solder resist, thereby insulating the structure.
  • a solid-state image sensor including one solid-state image sensor chip as shown in FIG. 1 is manufactured.
  • the first partition wall 13 having a high height is provided on the lower surface of the transparent substrate 12, and the second and lower walls having a height lower than that of the first partition wall 13 are provided on the upper surface of the solid-state imaging element wafer 11.
  • the third partition walls 14 and 15 are provided, the present invention is not limited to this, and various forms of partition wall arrangement can be employed.
  • FIG. 3 shows that the first partition wall 13 having a high height is provided on the upper surface of the solid-state imaging device wafer 11, and the second and third partition walls 14 and 15 having a height lower than that of the first partition wall 13 are provided.
  • An example provided on the lower surface of the transparent substrate 12 is shown.
  • FIG. 4 shows an example in which the first partition wall 13 having a high height and the second and third partition walls 14 and 15 having a low height are all provided on the upper surface of the solid-state imaging device wafer 11.
  • a high partition wall is provided at the center, and low partition walls are provided on both sides thereof.
  • the present invention is not limited to this, and it is possible to provide a high partition on either side and two low partitions adjacent to it.
  • the number of partition walls is not limited to three, but may be four or more, or may be two in some cases.
  • FIG. 5 is a top view of the solid-state imaging device chip 1 with the infrared cut transparent glass plate 3 removed, according to another embodiment of the present invention. Note that the microlens 2 is omitted. As shown in FIG. 5, the three partition walls 4a, 4b, 4c of different sizes that form the spacer 4 so as to surround the light receiving surface on the upper surface of the solid-state imaging device chip 1 are directed outward. Nested to increase the size, notches 16 are formed at the corresponding positions of these three partition walls 4a, 4b, 4c, and also at positions facing them. A notch 16 is formed. That is, two notches 16 are formed in the partition walls 4a, 4b, and 4c, respectively.
  • the height of the partition walls 4a, 4b, and 4c is, for example, 40 to 100 111 higher than the height of the microlens 2 so that the microlens 2 does not come into contact with the transparent glass substrate and is damaged.
  • the width is, for example, 70 to 150 m.
  • the width of the notch 16 is not particularly limited, as will be described later, since it is sufficient to remove air when pressed in the shellfish forcing process, but it is usually 70 to 300111.
  • Electrode pads 17 are provided on the left and right outer sides of the spacer 4 composed of these three partition walls 4a, 4b, 4c, and these electrode pads 17 are connected to the wiring layer 6 around the side wall. .
  • a back surface electrode (not shown) is provided on the periphery of the bottom surface of the solid-state imaging device chip 1, and a solid-state image sensor is used to connect the electrode pad 17 provided on the periphery of the top surface and the back electrode.
  • a wiring layer 6 around the side wall extending from the periphery of the upper surface of the chip 1 to the periphery of the bottom surface through the side surface is formed.
  • external connection bumps 7 are formed on the side wall peripheral wiring layer 6 at the bottom peripheral portion of the solid-state imaging device chip 1.
  • two notches 16 are formed in the corresponding positions of the three partition walls 4a, 4b, and 4c, respectively.
  • the partition walls 4a, 4b, and 4c may be formed so as to be shifted without being limited to the corresponding positions.

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Description

明 細 書
固体撮像装置及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に係り、特に、製造時におけるウェハ とガラス基板の距離を一定に保持することの可能な固体撮像装置及びその製造方法 に関する。
背景技術
[0002] 近年、 CCDや CMOS等の固体撮像素子を用いたデジタルカメラやビデオカメラが 普及してレ、る力 この固体撮像素子を CSP (チップサイズパッケージ)方式を用いて 更に小型化する技術が開発されている。このような小型固体撮像素子は、携帯電話 等の小型 ·軽量'薄型化が望まれる電子機器に内蔵するのに好適である。
[0003] 小型固体撮像素子は、受光面に多数のマイクロレンズを設けた固体撮像素子チッ プと赤外カット透明ガラス板とが、間に一定の距離を維持するためのスぺーサを介在 させて、対向して配置され、間隙部周縁が接着剤で封止された構造を有する（例え ば、 日本特開 2002— 329852号公報参照）。
[0004] このように構成される小型固体撮像素子は、 1枚のウェハに複数の固体撮像素子 チップが多面付けされている固体撮像素子ウェハと、赤外カット透明ガラス基板を、 間にスぺーサを介在させて貼り合せた後、固体撮像素子ウェハの裏面を研磨して、 その厚さを 30〜； 100 m程度にし、次いで貼り合せ構造を固体撮像素子チップごと に切断することにより製造される。
[0005] この場合、固体撮像素子ウェハと赤外カット透明ガラス基板との間の距離は、スぺ ーサの高さにより規定されるが、これを 20〜30cmの径のウェハ全面にわたって均一 にする必要がある。しかし、従来のスぺーサでは、貝占り合せの際に赤外カット透明ガラ ス基板の上力 圧力を加えると、容易に圧縮されて、その距離をウェハ全面にわたつ て均一に維持することができな!/、と!/、う問題がある。
[0006] また、一方にお!/、て、従来のスぺーサでは、貝占り合せの際に赤外カット透明ガラス 基板の上力 圧力を加えると、枠状のスぺーサの内側の気体が逃げる出口がないた め、内側に気泡を抱き込む形となる。この気泡は光学的な弊害を招くとともに、気体 の圧力により接着剤がはみ出て、不良品を発生する原因となる。
発明の開示
[0007] 本発明の第 1の目的は、製造工程において大きな圧力が加わった際にも、充分な 強度を有し、固体撮像素子ウェハとガラス基板との間の距離を均一に維持することの 可能な構造を有する固体撮像装置及びその製造方法を提供することにある。
[0008] 本発明の第 2の目的は、製造工程において大きな圧力が加わった際に、スぺーサ の内側に気体を抱き込むことがなぐまた不良品の発生を生ずることのない固体撮像 装置及びその製造方法を提供することにある。
[0009] 本発明の第 1の態様によると、固体撮像素子チップと、この固体撮像素子チップの 受光面に対向して配置された透明板と、前記固体撮像素子チップ及び透明板の間 の間隔を一定に保持するために、前記固体撮像素子チップの受光面の周辺部に枠 状に配置されたスぺーサと、前記固体撮像素子チップ及び透明板の間の空隙の周 縁を封止する接着層とを具備する固体撮像装置において、前記スぺーサは、複数個 の隔壁力 なることを特徴とする固体撮像装置が提供される。
[0010] 本発明の第 2の態様によると、上述した固体撮像装置の製造方法であって、複数の 固体撮像素子チップが設けられた固体撮像素子ウェハと透明基板の少なくともいず れか一方の、個々の固体撮像素子チップの周辺部又はそれに対応する位置に、ス ぺーサを構成する高さの異なる複数個の枠状の隔壁を形成する工程、前記固体撮 像素子ウェハと透明基板を、前記複数個の隔壁を間に介在させた状態で、前記ゥェ ハ上の個々の固体撮像素子チップの周縁部に設けられた接着剤層を介して貼り合 せる工程、及び前記貼り合された構造を固体撮像素子チップごとに切断する工程を 具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法が提供される。
[0011] 以上の固体撮像装置及びその製造方法の製造方法において、スぺーサは、 3つの 隔壁力、らなるものとすること力 Sできる。また、スぺーサは、高さの高い 1つの隔壁と、そ の両側に設けられた高さの低い 2つの隔壁とで構成することができる。
[0012] 更に、スぺーサを構成する複数の隔壁のうちの少なくとも外側の 1つに、空気抜き のための切り欠きを形成することができる。 [0013] また、スぺーサは、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、及びエポキシ アタリレート樹脂 力、らなる群から選ばれた少なくとも 1種の樹脂により構成することができる。
[0014] 本発明によると、スぺーサを複数の隔壁、特に高さの異なる複数の隔壁により構成 することにより、固体撮像装置の製造工程における固体撮像素子ウェハと透明基板 の貼り合せの際の大きい圧力によっても、高さの異なる 2種のスぺーサがニ段階に支 えるので、スぺーサの固体撮像素子ウェハと透明基板との間の距離を全面にわたつ て均一に保持することができる。
[0015] また、スぺーサを構成する複数の隔壁のうちの少なくとも外側の 1つに、空気抜きの ための切り欠きを形成することにより、製造工程、特にウェハと透明基板との貼り合せ 工程において大きな圧力が加わった際に、スぺーサの内側に気体を抱き込むことが なぐまた不良品の発生を生ずることのない固体撮像装置が提供される。
図面の簡単な説明
[0016] [図 1]本発明の一実施形態に係る固体撮像装置を示す断面図である。
[図 2]図 1に示す固体撮像装置の製造工程における、スぺーサを構成する 3つの隔 壁の配置を示す図である。
[図 3]スぺーサを構成する 3つの隔壁の配置の他の例を示す図である。
[図 4]スぺーサを構成する 3つの隔壁の配置の他の例を示す図である。
[図 5]スぺーサに切り欠きを設けた固体撮像装置の赤外カット透明ガラス板を取り外し た状態の上面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0017] 以下、本発明の実施形態について説明する。
[0018] 図 1は、本発明の一実施形態に係る固体撮像装置を示す断面図である。図 1にお いて、固体撮像素子チップ 1の上面（受光面）には、複数のマイクロレンズ 2が設けら れており、これらマイクロレンズ 2に対向して、透明板、即ち赤外カット透明ガラス板 3 が配置されている。なお、固体撮像素子チップ 1としては、 CCD (電荷結合型素子） や CMOS (相補型金属酸化物半導体）センサを用いることができる。
[0019] 固体撮像素子チップ 1と赤外カット透明ガラス板 3の間には、枠状の 3つの隔壁から なるスぺーサ 4が介在しており、両者の間隔を一定に保持している。固体撮像素子チ ップ 1と赤外カット透明ガラス板 3の間隙の周縁は、紫外線硬化性樹脂を硬化させて なる接着剤層 5により封止されている。
[0020] 固体撮像素子チップ 1の上面周辺部には、固体撮像素子の電極パッド（図示せず） が設けられ、また、底面周辺部には裏面電極（図示せず）が設けられており、これら電 極パッド及び裏面電極を接続するために、固体撮像素子チップ 1の上面周辺部から 側面を通って底面周辺部に延びる側壁周り配線層 6が形成されている。また、固体 撮像素子チップ 1の底面周辺部における側壁周り配線層 6の部分には、外部接続用 バンプ 7が形成されている。
[0021] このような構造の側部及び底部は、ソルダーレジストからなる絶縁層 8により被覆さ れている。また、赤外カット透明ガラス板 3の下面周辺部には、マイクロレンズ 2の外側 の領域を覆うように、遮光薄膜 9が形成されている。
[0022] 以上のように構成される固体撮像装置は、次のような製造プロセスにより製造される
[0023] 即ち、まず、複数の固体撮像素子チップが設けられ、その上面に複数のマイクロレ ンズが形成された固体撮像素子ウェハと、このウェハと同程度のサイズの透明ガラス 基板を準備する。次いで、これら固体撮像素子ウェハ及び透明ガラス基板のいずれ か一方又は双方に、個々の固体撮像素子チップの周辺部又はそれに対応する位置 に、高さの異なる複数個の隔壁を形成する。図 2にその一例を示す。
[0024] 即ち、図 2は、前記固体撮像素子ウェハ 11と透明基板 12を、張り合せのために対 向して配置した状態の、スぺーサが形成される部分を拡大して示す。図 2において、 透明基板 12の下面には高さの高い第 1の隔壁 13が形成され、固体撮像素子ウェハ 11の上面には、第 1の隔壁 13の両側に位置するように、第 1の隔壁 13よりも高さの 低い第 2及び第 3の隔壁 14, 15が設けられている。これら第 1〜第 3の隔壁により、図 1に示すスぺーサ 4が構成される。
[0025] 第 1の隔壁 13の高さは、例えば 50〜； 120 mであり、幅は、例えば 70〜； 150 ^ m である。また、第 2及び第 3の隔壁 14, 15の高さは、マイクロレンズ 2が透明ガラス基 板と接触して損傷することがないように、マイクロレンズ 2の高さよりも高ぐ例えば 40 〜 00〃 mであり、幅は、例えば 70〜 50〃 mである。 [0026] 隔壁の形成は、市販の感光性樹脂組成物をフォトリソグラフィ一によりパターユング することにより行うこと力 Sできる。構成樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、及 びエポキシ アタリレート樹脂等を用いることができる。
[0027] 次に、固体撮像素子ウェハの、隔壁の外側の位置に、紫外線硬化性樹脂等からな る接着剤層を塗布する。そして、固体撮像素子ウェハと透明ガラス基板とを貼り合せ
[0028] 貝占り合せの際には、透明ガラス基板に大きな圧力が加えられ、その結果、高さの高 い第 1の隔壁 13が圧縮され、高さが減少し、固体撮像素子ウェハと透明基板との間 の距離は減少する。しかし、その両側の第 2及び第 3の隔壁 14, 15の存在のため、 固体撮像素子ウェハと透明基板との間の距離はそれ以上減少せず、全面にわたつ て均一に保持される。即ち、圧縮され、所定の反発力を有する第 1の隔壁 13と、その 両側の高さの低い第 2及び第 3の隔壁 14, 15とからなるスぺーサにより、貼り合せの 際の大きい圧力によっても、固体撮像素子ウェハと透明基板との間の距離は全面に わたって均一に保持することができる。
[0029] なお、貼り合せ後、紫外線の照射等により接着剤層を硬化することにより、固体撮 像素子ウェハと透明基板との間の距離は固定される。
[0030] その後、貼り合された構造を、接着剤層の位置で固体撮像素子チップごとに、ダイ シング装置により切断し、側壁周り配線層 6及びソルダーレジストからなる絶縁層 8を 形成し、絶縁層 8に形成された孔を通して外部接続用バンプ 7を形成することにより、 図 1に示すような 1つの固体撮像素子チップを備える固体撮像素子が製造される。
[0031] 図 2に示す例では、透明基板 12の下面に高さの高い第 1の隔壁 13を、固体撮像素 子ウェハ 11の上面に第 1の隔壁 13よりも高さの低い第 2及び第 3の隔壁 14, 15を設 けたが、本発明はこれに限らず、様々な隔壁の配置の形態とすることができる。
[0032] 例えば、図 3は、高さの高い第 1の隔壁 13を固体撮像素子ウェハ 11の上面に、第 1 の隔壁 13よりも高さの低い第 2及び第 3の隔壁 14, 15を透明基板 12の下面に設け た例を示す。また、図 4は、高さの高い第 1の隔壁 13、及び高さの低い第 2及び第 3 の隔壁 14, 15のすベてを固体撮像素子ウェハ 11の上面に設けた例を示す。
[0033] また、以上の例では、中央に高さの高い隔壁を、その両側に高さの低い隔壁を設け た力 これに限らず、いずれか一方の側に高さの高い隔壁を、それに隣接して高さの 低い隔壁を 2つ設けることも可能である。ただし、隔壁が 3つの場合には、固体撮像 素子ウェハと透明基板との間の距離を確実に一定に保持するため、高さの低い隔壁 を 2つ設けることが望ましい。
[0034] なお、隔壁の個数は、 3つに限らず、 4つ以上であっても、また場合によっては 2つ であってもよい。
[0035] 図 5は、本発明の他の実施形態に係る、赤外カット透明ガラス板 3を取り外した状態 の固体撮像素子チップ 1の上面図である。なお、マイクロレンズ 2は省略されている。 図 5に示すように、固体撮像素子チップ 1の上面の受光面を囲むように、スぺーサ 4を 構成するサイズの異なる矩形枠状の 3つの隔壁 4a, 4b, 4cが、外側に向かってサイ ズを拡大するように、入れ子状に形成されており、これら 3つの隔壁 4a, 4b, 4cの対 応する位置に切り欠き 16が形成されているとともに、それらと対向する位置にも、切り 欠き 16が形成されている。即ち、隔壁 4a, 4b, 4cには、それぞれ 2つの切り欠き 16 が形成されている。
[0036] 隔壁 4a, 4b, 4cの高さは、マイクロレンズ 2が透明ガラス基板と接触して損傷するこ とがないように、マイクロレンズ 2の高さよりも高ぐ例えば 40〜100 111であり、幅は、 例えば 70〜； 150 mである。
[0037] また、切り欠き 16の幅は、後述するように、貝占り合せ工程で押圧する際に空気が抜 ければよいので、特に限定されないが、通常は 70〜300 111である。
[0038] これら 3つの隔壁 4a, 4b, 4cからなるスぺーサ 4の左右の外側には、電極パッド 17 が設けられており、これら電極パッド 17は、側壁周り配線層 6に接続されている。
[0039] 図 1に示すように、固体撮像素子チップ 1と赤外カット透明ガラス板 3の間隙の周縁 は、紫外線硬化性樹脂を硬化させてなる接着剤層 5により封止されて!/、る。
[0040] 固体撮像素子チップ 1の底面周辺部には裏面電極（図示せず）が設けられており、 上面周辺部に設けられた電極パッド 17と裏面電極を接続するために、固体撮像素 子チップ 1の上面周辺部から側面を通って底面周辺部に延びる側壁周り配線層 6が 形成されている。また、固体撮像素子チップ 1の底面周辺部における側壁周り配線層 6の部分には、外部接続用バンプ 7が形成されて!/、る。 図 5に示す例では、 3つの隔壁 4a, 4b, 4cの対応する位置にそれぞれ 2つの切り欠 き 16が形成されている力 切り欠き 16の数は、各隔壁 4a, 4b, 4cごとに 1つでもよく 、あるいは 3つ以上でもよい。また、対応する位置にかぎらず、各隔壁 4a, 4b, 4cごと にずらして形成してもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 固体撮像素子チップと、この固体撮像素子チップの受光面に対向して配置された 透明板と、前記固体撮像素子チップ及び透明板の間の間隔を一定に保持するため に、前記固体撮像素子チップの受光面の周辺部に枠状に配置されたスぺーサと、前 記固体撮像素子チップ及び透明板の間の空隙の周縁を封止する接着層とを具備す る固体撮像装置において、前記スぺーサは、複数個の隔壁からなることを特徴とする 固体撮像装置。
[2] 前記スぺーサは、 3つの隔壁からなることを特徴とする請求項 1に記載の固体撮像 装置。
[3] 前記スぺーサは、高さの高い 1つの隔壁と、その両側に設けられた高さの低い 2つ の隔壁とからなることを特徴とする請求項 2に記載の固体撮像装置。
[4] 前記スぺーサは、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、及びエポキシ アタリレート樹脂か らなる群から選ばれた少なくとも 1種の樹脂からなることを特徴とする請求項 1に記載 の固体撮像装置。
[5] 前記スぺーサを構成する複数の隔壁の少なくとも外側の 1つに、空気抜きのための 切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項 1〜4のいずれかに記載の固体撮 像装置。
[6] 請求項 1に記載の固体撮像装置の製造方法であって、複数の固体撮像素子チッ プが設けられた固体撮像素子ウェハと透明基板の少なくともいずれか一方の、個々 の固体撮像素子チップの周辺部又はそれに対応する位置に、スぺーサを構成する 高さの異なる複数個の枠状の隔壁を形成すること、
前記固体撮像素子ウェハと透明基板を、前記複数個の隔壁を間に介在させた状 態で、前記ウェハ上の個々の固体撮像素子チップの周縁部に設けられた接着剤層 を介して貼り合せること、及び
前記貼り合された構造を固体撮像素子チップごとに切断すること
を具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
[7] 前記スぺーサは、 3つの隔壁からなることを特徴とする請求項 6に記載の固体撮像 装置の製造方法。
[8] 前記スぺーサは、高さの高い 1つの隔壁と、その両側に設けられた高さの低い 2つ の隔壁とからなることを特徴とする請求項 7に記載の固体撮像装置の製造方法。
[9] 前記スぺーサは、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、及びエポキシ アタリレート樹脂か らなる群から選ばれた少なくとも 1種の樹脂からなることを特徴とする請求項 6に記載 の固体撮像装置の製造方法。
[10] 前記スぺーサを構成する複数の隔壁のうちの少なくとも外側の 1つに、空気抜きの ための切り欠きを形成することを更に具備することを特徴とする請求項 6〜9のいずれ かに記載の固体撮像装置の製造方法。
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