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WO2008043606A1 - Schichtsystem mit zumindest einer mischkristallschicht eines mehrfachoxids - Google Patents

Schichtsystem mit zumindest einer mischkristallschicht eines mehrfachoxids Download PDF

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WO2008043606A1
WO2008043606A1 PCT/EP2007/059196 EP2007059196W WO2008043606A1 WO 2008043606 A1 WO2008043606 A1 WO 2008043606A1 EP 2007059196 W EP2007059196 W EP 2007059196W WO 2008043606 A1 WO2008043606 A1 WO 2008043606A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
mixed crystal
crystal layer
layer system
pulse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2007/059196
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English (en)
French (fr)
Inventor
Jürgen RAMM
Beno Widrig
Michael Ante
Christian Wohlrab
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon
Original Assignee
Oerlikon Trading AG Truebbach
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to MX2009003130A priority Critical patent/MX2009003130A/es
Application filed by Oerlikon Trading AG Truebbach filed Critical Oerlikon Trading AG Truebbach
Priority to CA2665044A priority patent/CA2665044C/en
Priority to HK09111889.2A priority patent/HK1135439B/xx
Priority to EP07803181.2A priority patent/EP2082079B1/de
Priority to BRPI0719774-8A2A priority patent/BRPI0719774A2/pt
Priority to AU2007306494A priority patent/AU2007306494B2/en
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Priority to CN2007800376573A priority patent/CN101522950B/zh
Priority to JP2009531796A priority patent/JP5725466B2/ja
Priority to KR1020097007421A priority patent/KR101508159B1/ko
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • C23C28/042—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides

Definitions

  • the invention relates to a PVD coating system for coating workpieces according to the preamble of claim 1 and to a method for producing a corresponding layer system according to the preambles of claims 21 and 26. Furthermore, the invention relates to workpieces according to the preamble of claim 42 with a coated layer system according to the invention.
  • the layer has compressive residual stress and consists essentially of mixed crystals with a Cr content greater than 5%, wherein the thermodynamic Namely, the layer is referred to as a modification of the ⁇ -alumina (corundum), which has a displacement corresponding to the chromium content but is absent, due to an alleged 202-line In the case of these evaluations, all other corundum lines were used Establish industrial standard, since the production with the described NVB method due to the insulating layer properties in continuous operation leads to process engineering problems.
  • corundum ⁇ -alumina
  • a circumvention of such process engineering problems by deposition of an at least sufficiently conductive layer of a ternary nitride and a downstream oxidation step is described in the following three documents.
  • all three documents are aimed at providing an oxide layer or deposits in corundum structure as a template for the growth of an ⁇ -aluminum oxide layer.
  • the latter being produced by means of unbalanced magnetron sputtering (UBMS) in an Ar / O 2 atmosphere with elaborate process monitoring by means of a plasma emission monitor (PEM) in order to keep the Al sputtering targets in a transition region between the poisoned, ie oxidic and metallic surfaces.
  • UBMS unbalanced magnetron sputtering
  • PEM plasma emission monitor
  • WO 2004 097 062 also sees a need for improvement in the invention described in JP-No 2002-53946.
  • the starting point is an attempt analog oxidized at the to-No JP 2002-53946 CrN at 75O 0 C and then at the same temperature alumina controlled by a PEM sputtering in an Ar / 0 2 atmosphere is deposited. Although this leads to crystalline, but increasingly coarser with increasing layer thickness and thus too rough layers.
  • WO 2004 097 062 attempts to remedy this by a process in which the crystal growth of the aluminum oxide is carried out either periodically by thin oxide layers of other metal oxides which likewise grow in a corundum structure, such as Cr 2 O 3 , Fe 2 O 3 , (AICr) 2 O 3 ( AIFe) 2 O 3 , or at least interrupted by periodic incorporation of such oxides.
  • the layer areas comprising the other metal oxides should be kept smaller than 10, preferably even less than 2%. The long coating times for producing such Layers, about 5 hours for 2 microns, but seem less suitable for industrial processes.
  • EP 0 744 473 B1 describes a sputtering process which, for substrate temperatures below 700 ° C., produces a layer which consists of the ⁇ and ⁇ phase of the aluminum oxide but is completely crystalline but has high compressive stresses of at least 1 GPa.
  • intermediate layers between tool and aluminum oxide layer metal compounds with O, N and C are called.
  • thermally stable layers are understood to be those which in air in a temperature range from room temperature to at least 900 ° C., preferably 1000 ° C. and in particular 1100 ° C., show no changes in the crystal structure and thus no significant changes in the X-ray diffractogram and thus in the Detect grid parameters.
  • Such layers provided that they have a corresponding basic hardness of at least 1500 HV, but preferably at least 1800 HV, are of particular interest for tool applications with high thermal stress, since no phase transformation processes can be expected during the machining process and the thermal hardness is significantly better than other layers.
  • CVD layers which have grown up tightly due to the incorporation of noble gas atoms, DC bias or for other reasons, have high residual compressive stresses in the region above a GPa, which often lead to flaking at larger layer thicknesses.
  • CVD layers usually show tensile stress, which, due to the different coefficients of thermal expansion of the layer and of the base material, arise during cooling from the process-typical high deposition temperatures. For example, for the deposition of Ot-Al 2 O 3 according to US 2004202877 temperatures between 950 and 1050 ° C are necessary.
  • oxides compounds of at least two or more metals are referred to herein as an oxide. Furthermore, including the oxides of one or more
  • Metals which additionally comprise one or more semiconductor elements such as B or Si understood.
  • An example of such oxides are known as spinels cubic double or multiple oxides of aluminum.
  • the present invention relates to oxides containing an isomorphic the ⁇ -alumina structure of corundum type of composition (i Me1. X Me2 x) 2 O 3, where Me1 and Me2 respectively at least one of the elements Al, Cr, Fe, Li , Mg, Mn 1 comprises Ti, Sb or V, and the elements of Me1 and Me2 are different.
  • the simple ⁇ -2 ⁇ measurement was done in Bragg-Brentano geometry with Cu-k ⁇ radiation, no grazing incidence. Angular range: 20 to 90 °, with rotating substrate.
  • Measuring time with a dwell time of 4s to 0.01 ° the measuring time was 7h 46min (for 70 °).
  • the deviation, determined by means of X-ray diffractometry, of the measuring points of a multiple oxide from the straight line determined by Vegard's law also gives an indication of residual stresses in the layered composite.
  • a further object is to specify a method for producing the layer system that allows a simple and reliably reproducible manner to coat workpieces and to adjust the properties of the layer system for different applications.
  • PVD coating system for coating workpieces, which comprises at least one mixed-crystal layer of a multiple oxide of the following composition:
  • Me1 and Me2 respectively at least one of the elements Al, Cr, Fe, Li, Mg, Mn, Nb, Ti, Sb, or V comprising, while the elements of Me1 and Me2 respectively are different and the crystal lattice of the mixed crystal layer has a corundum structure which is characterized in a measured by X-ray diffractometry or electron diffraction spectrum of the mixed crystal layer by at least three, preferably four in particular five of the corundum structure attributable lines.
  • Me1 is aluminum and Me2 comprises at least one of the elements Cr, Fe, Li, Mg, Mn, Nb, Ti, Sb or V and 0.2 ⁇ x ⁇ 0.98, preferably 0.3 ⁇ x ⁇ 0.95, are particularly well suited for this purpose.
  • Aluminum comes here as an element to increase the oxidation resistance and the hot hardness special Meaning too.
  • an excessively high aluminum content proves to be problematic, especially in the production of the layers, since such layers, especially at low coating temperatures, form progressively smaller crystallites with a corresponding loss of intensity of the reflections in the X-ray diffractor dam.
  • the content of halogens and noble gases in the mixed crystal layer should be less than 2% in order to allow the layer to grow as unimpaired and stress-free as possible. This can be achieved by operating the sources with a process gas which consists of at least 80%, preferably 90%, in particular even 100% oxygen.
  • the mixed-crystal layer preferably be prepared essentially free of noble gas and halogen.
  • the layer can be embodied as a single-layer or multi-layer layer of at least two different alternately deposited multiple oxides.
  • a multiple oxide may be deposited in alternating order with another oxide.
  • it has proven to be particularly resistant to high temperatures that multiple oxides have been produced by arc evaporation or sputtering of aluminum chromium and aluminum vanadium alloys.
  • the layer system In the production of the layer system, it has proven to be advantageous to keep the layer stresses of the mixed crystal layer low, in order to enable the deposition of thick layers, as it is necessary, for example, especially for fast turning of metallic materials.
  • the layer system additionally properties, beechswiese also defined residual stress properties for machining hardened steels, special sliding properties for better chip removal or for use on sliding elements, improved adhesion for different substrates or the like can be embossed, these can for example by a suitable choice of between the substrate and the Mixed layer arranged, for example, consisting of at least one adhesive and / or hard layer intermediate layers, or by applying one or more cover layers to the mixed crystal layer.
  • the hard layer or cover layer preferably contains at least one of the metals of subgroups IV, V and VI of the Periodic Table or Al, Si, Fe, Co, Ni, Co, Y, La or compounds of the named elements with N, C, O, B or mixtures thereof, wherein compounds with N, or CN are preferred.
  • the compounds TiN, TiCN, AITiN 1 AITiCN, AICrN and AICrCN have proven to be particularly suitable for the hard layer, while for the cover layer especially AICrN, AICrCN, Cr 2 O 3 or Al 2 O 3 , in particular ⁇ - Al 2 O 3 or Ct-Al 2 O 3 compounds are suitable.
  • the intermediate layer and / or the hard layer can also comprise a multilayer layer.
  • the layer system can also be constructed as a multi-layer layer with alternating intermediate layer and mixed crystal layer or alternating cover layer and mixed crystal layer.
  • the target is an alloy target, because otherwise there temperatures at Abscheidungstem- below 650 0 C, is not possible as described in more detail below to deposit oxide mixed crystal layer with a corundum structure.
  • Arc processes in which no or only a small, substantially perpendicular to the target surface, external magnetic field is applied to the surface of the target are suitable in principle for the production of novel multiple oxides.
  • a magnetic field having a vertical component B z is applied, it is advantageous for the radial or surface-parallel component B r at least over the majority of the target surface, or at least about 70%, preferably 90% smaller than B set z.
  • the vertical component B z is set between 3 and 50 Gauss, but preferably between 5 and 25 Gauss.
  • Such magnetic fields can be generated, for example, with a magnetic system consisting of at least one axially poled coil and having a geometry similar to the target circumference.
  • the coil plane can be arranged at the level of the target surface or preferably parallel behind it.
  • the methods with pulsed sources described in more detail below can be operated particularly advantageously as arc methods with sources having such a weak magnetic field, but alternatively also without a magnetic field.
  • At least one arc source is fed simultaneously with a direct current as well as with a pulse or alternating current.
  • a layer is applied to the workpiece with a first electrode designed as an alloy target of an are or a sputtering source and with a second electrode, the source being fed simultaneously with a direct current or direct current voltage as well as with a pulsed or alternating current or a pulsed current. or AC voltage is fed.
  • the alloy target corresponds essentially to the composition of the mixed crystal layer.
  • the preferred pulse rate is in a range of IkHz to 20OkHz, the pulse power supply can also be operated with a different pulse width ratio, or with pulse pauses.
  • the second electrode can be separated from the arc source or arranged as the anode of the arc source, the first and the second electrodes being connected to a single pulse power supply. If the second electrode is not operated as an anode of the arc source, the arc source can be connected or operated via the pulse power supply to one of the following material sources:
  • Another arc evaporator source which is also connected to a DC power supply;
  • a cathode of a sputtering source in particular a magnetron source, which is also connected to a power supply, in particular to a DC power supply;
  • An evaporation crucible which is simultaneously operated as the anode of a low-voltage arc evaporator.
  • the DC power supply is carried out with a base current so that the plasma discharge is maintained at least at the Arcverdampfer provoken, but preferably at all sources substantially uninterrupted.
  • each of the DC power supply and the pulse power supply is decoupled with an electrical decoupling filter which preferably contains at least one blocking diode.
  • the coating can be carried out at temperatures below 650 ° C., preferably below 550 ° C.
  • the multiple oxide layers grow in this case despite the relatively low coating temperature and possibly as an adhesive or intermediate layer underlying cubic metal nitride or carbonitride layer in a corundum structure, which is surprising, as in previous experiments in which layers by simultaneous evaporation of the workpieces by means of elemental aluminum and chromium targets under oxygen only amorphous, for example (Al Lx Cr X ) 2 O 3 layer could be produced. This was also the case when the coating area of the sources was overlapped. Only by using alloy targets is it possible to deposit multiple oxides in crystalline, in particular in corundum, structure even at relatively low process temperatures.
  • the temperatures generated by the spark on the target surface in the range of the melting point of the alloy which are good conditions for the formation of high temperature stable corundum Mehrfachoxid füren at sufficiently high oxygen concentration.
  • simultaneous evaporation of elemental aluminum and chromium targets did not produce mixed crystals.
  • oxide layers produced by sputtering technology were prepared by sputtering in to US 6,767,627 analogous experiments by the inventors of the present application, aluminum oxide and aluminum chromium oxide in a temperature range of 400-650 0 C. However, no crystalline aluminum oxide or aluminum chromium oxide layers with corundum structure could be detected.
  • Another possibility for producing oxide layers according to the invention is the operation of a high-power discharge with at least one source.
  • This can be achieved, for example, by operating the pulse current supplies with a pulse edge steepness which is at least in the range from 0.02 V / ns to 2.0 V / ns, preferably in the range from 0.1 V / ns to 1.0 V / ns is to be generated.
  • These voltage pin pulses can be generated, for example, by one or more capacitor cascades, which in addition to various other advantages also makes it possible to relieve the basic power supply.
  • the pulse generator is switched between two simultaneously DC-operated arc sources.
  • the needle pulses in the arc process it is possible to increase the voltage at the source over several ⁇ s as a function of the magnitude of the applied voltage signal, whereas pulses with lower edge steepness only have the effect of increasing the source current as expected.
  • the high-efficiency discharge shows characteristics similar to the abnormal glow discharge known from the Townsend current-voltage diagram for such high-performance and high-power sputtering processes.
  • the approach to this area occurs in each case from opposite sides, therefore on the one hand by the arc discharge of the arc process (low voltage, high current), on the other hand by the glow discharge of the sputtering process (medium voltage, low current).
  • High-current side therefore, from the "arc side” approach wants measures to increase the impedance of the plasma or the target surface (see above) .
  • This can, as described above caused by the superposition of needle pulses, by heating the target surface or by a combination of measures.
  • Another way to increase the plasma impedance is obtained by pulsing a source magnetic field. This can be done, for example, by the pulse current of the source, which is conducted either entirely or only as a partial current through a magnetic system consisting of an axially poled coil as described above. Depending on the high current peaks that occur, cooled coils with a low number of turns (1 to 5) can be used here if required.
  • coating systems according to the invention in general have an excellent suitability for tool applications.
  • the coating systems can therefore advantageously be applied to tools such as milling cutters, drills, gear cutting tools, indexable inserts, parting tools, broaches made of different materials such as cold and hot work steels, HSS steel and sintered materials such as powder metallurgical (PM) steel, hard metal (HM), cermets, cubic boron nitride (CBN), silicon carbide (SiC) or silicon nitride (SiN) can be applied.
  • PM powder metallurgical
  • HM hard metal
  • cermets cubic boron nitride
  • SiC silicon carbide
  • SiN silicon nitride
  • the layers can of course also be used advantageously in other areas.
  • a good suitability for tools for various hot forming processes such as forming and drop forging or injection molding of metals or alloys can be assumed due to the high chemical resistance
  • the layers can also on Tools for plastics processing, for example, injection or pressing tools for moldings are used.
  • Layers can also be deposited with the method according to the invention for temperature-stable sensor layers, for example for piezoelectric and ferroelectric materials and even quaternary superconducting oxide layers. It goes without saying that these layers are not bound to a structure of the substrate and that, in this context, an application in conjunction with silicon-based MEMS is particularly suitable.
  • the treatment chamber is pumped down to a pressure of approx. 10 "4 mbar.
  • NVB low-voltage arc
  • Process time 45 min Alternatives to this are known to the person skilled in the art.
  • the substrates were preferably switched as an anode for the low-voltage arc and preferably additionally pulsed in unipolar or bipolar.
  • the etching is started.
  • the low-voltage arc is operated between the filament and the auxiliary anode.
  • a DC, a pulsed DC or an AC powered MF or RF supply between workpieces and ground can be switched.
  • the workpieces were subjected to a negative bias voltage.
  • the substrate is coated with an AlCrO layer and a TiAIN intermediate layer. All coating processes can be supported by the plasma of the low-voltage arc, if required, due to increased ionization.
  • the AICr arc sources are switched on with a DC source current of 200 A, whereby the positive pole of the DC source is connected to the anode ring of the source and ground.
  • the targets are made by powder metallurgy targets. Alternatively, melt metallurgical targets can also be used. In order to reduce the spatter frequency, single-phase targets, as described in DE 19522331, can be used.
  • alumina is an insulating layer, either a pulsed or an AC bias supply is used.
  • the essential functional layer parameters were set as follows:
  • Substrate bias U 60 V (bipolar, 36 ⁇ s negative, 4 ⁇ s positive)
  • Substrate temperature about 550 ° C
  • Process time 60 to 120 min With the process described above, well-adhering and hard layers could be produced. Comparative tests of the layer on turning and milling tools showed a significantly improved service life compared to known TiAIN layers, although the roughness was clearly above the roughness of optimized pure TiAIN layers.
  • Experiments 2 to 22 listed in Table 1 relate to simple layer systems according to the invention, each of which comprises a double oxide layer of .alpha. Produced at coating temperatures between 450 and 600.degree consist. The other parameters are identical to the parameters described above for producing the functional layer.
  • the measurement of the stoichiometric proportion of the layer composition was carried out by means of Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS).
  • RBS Rutherford Backscattering Spectrometry
  • the greatest deviation from the alloy composition of the target given in column 2 is shown by experiments 10 to 12 with a deviation of 3.5 percentage points at an Al / Cr ratio of 70/30.
  • the metal parts of the layer are normalized to the total metal content of the oxide.
  • layers according to the invention should preferably have a sub stoichiometry with regard to the oxygen of 0 to 10%, since the desired lattice structure is also formed up to a range of about 15% oxygen deficit.
  • the measurements and evaluations were prepared at 55O 0 C. were performed using X-ray diffractometry to those described in detail above with measurement methods parameter settings. the illustration omitted correction of background signals.
  • the determination of the lattice parameter can be effected using other methods, for example with Elektronbeugungsspektrometrie.
  • the unmarked substrate lines grow strongly opposite the striplines of the corundum structure, however, in spectrum C, in spite of a linear representation of the ordinate axis, still 7 lines can be clearly assigned to the corundum lattice.
  • the remaining lines are to be assigned to the hard metal base material (WC / Co alloy).
  • the crystal structure of the layers is finely crystalline and largely with an average crystallite size of less than 0.2 .mu.m, only at high chromium contents and coating temperatures of 650.degree., Crystallite sizes between 0.1 and 0.2 .mu.m were measured.
  • layer stresses can be adjusted as required by selecting a multilayer interlayer and / or a cover layer provided between the workpiece and the mixed crystal layer if necessary. For example, this allows higher compressive residual stresses to be set for increasing the layer hardness for hard machining processes. For industrial applications with high abrasive wear, it is thus possible to economically produce thick layer systems with layer thicknesses greater than 10 or 20 ⁇ m, with the mixed crystal layer preferably being selected to be larger, in particular greater than 8 ⁇ m.
  • Layer stress was measured in a range between stress-free and small compressive or tensile stresses with values less than or equal to 0.5 GPa.
  • layers with a somewhat higher layer stress of about 0.8 GPa are also suitable.
  • Another possibility consists of a sequence of thin layers ( ⁇ 1 ⁇ m) deposited alternately with tensile or compressive stress as a multilayer system.
  • FIG. 4 and FIG. 5 show the results of oxidation tests of known layer systems with reference to an REM fracture pattern of a TiAIN or a TiCN layer which, as described above, was heated to 900 ° C. and subsequently annealed under oxygen at this temperature for 30 minutes ,
  • a significant change in the surface structure can be seen in a range of more than 200 nm.
  • a substantially consisting of alumina outer layer with a layer thickness between 130 and 140 nm is followed by a porous aluminum-depleted layer with layer thickness between 154 and 182 nm.
  • Even worse, the oxidation behavior of the TiCN layer in Figure 5, which in such a treatment except for the base material is oxidized and shows a beginning delamination in the right area of the image.
  • the layer is coarse-grained and no longer shows the columnar structure of the original TiCN layer.
  • 6 and 7 show the results of identical oxidation experiments on a TiCN layer which is protected by an approximately 1 ⁇ m thick (Al 0 7Cr 0 3 ) 2 O 3 layer according to the invention.
  • Fig.6 shows the layer composite in 50,000-fold magnification.
  • the well-known columnar structure of the TiCN layer and the slightly finer crystalline growth of the Al 07 Cr 0 3 J 2 O 3 layer are clearly recognizable
  • the crystallite size of the aluminum chromium oxide layer can be further refined, for example, by using targets with a higher Al content 7 shows the layer composite at a magnification of 150,000, the TiCN layer can only be recognized at the lower edge of the image.
  • the reaction zone is the (Al 05 Cr O s) 2 O. 3 -SchMc with a thickness H 2 of at most 32 nm is much narrower and has a dense structure with no apparent pores
  • a series of comparative experiments with different mixed crystal layers according to the invention showed that these, in contrast to other oxide layers of the prior art, are the underlying ones Protect intermediate layers and thus provide the entire layer system excellent thermal and oxidative resistance
  • the measured layer hardnesses of the (Al 05 Cr o 5 ) 2 O 3 layers are approximately 2000 HV 50 . Also by measurements on other multiple oxides, such as the (Al 05 Ti 03 Cr 02 ) 2 ⁇ 3 , or (Al 06 Ti 0 4) 2 03, (V 05 Cr 0 S) 2 O 3 , (Al 02 Cr o 8 ) 2 O 3l values between 1200 and 2500 HV could be determined.
  • Experiments 23 to 60 in Tables 3 and 4 relate to layer systems in which the oxide mixed crystal layer is constructed continuously in corundum, usually as a single layer. Only in experiment 25, 29 and 31, the mixed crystal layer of two successive individual layers of different chemical composition is constructed. In experiment 29, the mixed crystal layers differ only by a different Al / Cr ratio.
  • Experiments 61 to 107 in Tables 5 and 7 relate to layer systems in which the mixed crystal layer is composed of 5 to 100 layers of individual very thin layers between 50 nm and 1 ⁇ m.
  • both oxide mixed crystal layers in corundum structure with different chemical composition, as well as corresponding mixed crystal layers can alternate with other layer systems.
  • Comparative tests with different turning and milling tests showed clear improvements in the turning and milling processes of layers 23, 24 and 61 to 82 compared to known layer systems such as TiAIN, TiN / TiAIN and AICrN. In comparison with CVD layers, improved tool life was achieved both in milling and in some turning applications.
  • Coil current of the source magnet system 0.1 to 2 A.

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Abstract

Ein PVD Schichtsystem zum Beschichten von Werkstücken umfasst zumindest eine Mischkristallschicht eines Mehrfachoxids mit folgender Zusammensetzung: (Me1 1-xMe2x)2O3. Dabei sind Me1 und Me2 jeweils zumindest eines der Elemente Al, Cr, Fe, Li, Mg, Mn, Nb, Ti, Sb oder V. Die Elemente von Me1 und Me2 sind jeweils verschieden. Das Kristallgitter der Mischkristallschicht im PVD Schichtsystem weist eine Korundstruktur auf, die in einem mittels Röntgendiffraktometrie gemessenen Spektrum der Mischkristallschicht durch mindestens drei der Korundstruktur zuzuordnenden Linien charakterisiert ist. Ferner ist offenbart ein Vakuumbeschichtungsverfahren zur Herstellung einer Mischkristallschicht eines Mehrfachoxids sowie entsprechend beschichtete Werkzeuge und Bauteile.

Description

Schichtsystem mit zumindest einer Mischkristallschicht eines Mehrfachoxids
Die Erfindung bezieht sich auf ein PVD Schichtsystem zum Beschichten von Werkstücken gemäss dem Oberbegriff von Anspruch 1 sowie auf ein Verfahren zur Herstellung eines entsprechenden Schichtsystems gemäss Oberbegriffen der Ansprüche 21 und 26. Weiters bezieht sich die Erfindung auf Werkstücke gemäss Oberbegriff des Anspruchs 42 die mit einem erfindungsgemässen Schichtsystem beschichtet sind.
Stand der Technik In EP 0513662 bzw. US 5 310 607 (Balzers) wird eine (AI.Cr^Os-Hartstoffschicht, ein beschichtetes Werkzeug und ein Prozess zur Herstellung der Schicht beschrieben, wobei aus einem als Anode einer Niedervoltbogen(NVB)entladung geschalteten Tiegel AI und Cr Pulver gemeinsam verdampft und Werkzeuge in einer Ar/O2-Atmosphäre bei ca. 5000C beschichtet werden. Die Schicht weist Druckeigenspannungen auf und besteht im Wesentlichen aus Mischkristallen mit einem Cr-Gehalt grösser 5%, wobei die thermody- namische Stabilität durch einen hohen Aluminiumgehalt, die Beständigkeit gegenüber abrasivem Verschleiss durch einen erhöhten Chromgehalt verbessert wird. Die Schicht wird zwar anhand einer angeblichen 202-Linie als Modifikation des α-Aluminiumoxides (Korund) bezeichnet, die eine dem Chromgehalt entsprechende Verschiebung aufweist, jedoch fehlen bei diesen Auswertungen alle anderen Korundlinien. Trotz der beschriebenen Vorteile konnten sich diese Schichten nicht als industrieller Standard etablieren, da die Herstellung mit dem beschriebenen NVB-Verfahren auf Grund der isolierenden Schichteigenschaften im Dauerbetrieb zu prozesstechnischen Problemen führt.
Eine Umgehung solcher prozesstechnischer Probleme durch Abscheidung einer zumindest ausreichend leitfähigen Schicht eines ternären Nitrids und einem nachgeschalteten Oxidationsschritt wird in den folgenden drei Dokumenten beschrieben. Alle drei Dokumente zielen jedoch darauf ab, eine Oxidschicht bzw. Einlagerungen in Korundstruktur als Vorlage für das Aufwachsen einer α-Aluminiumoxidschicht zur Verfügung zu stellen. Wobei letztere mittels Unbalanced-Magnetron-Sputtering (UBMS) in einer Ar/02-Atmosphäre mit aufwendiger Prozessüberwachung mittels Plasmaemissionsmonitor (PEM) hergestellt wird, um die Al-Sputtertargets in einem Übergangsbereich zwischen vergifteter also oxidischer und metallischer Oberfläche zu halten.
In US 6 767 627 und JP-No 2002-53946 (Kobe) wird ein Schichtsystem und eine Methode zur Herstellung eines α-aluminiumoxidhaltigen Schichtsystems beschrieben. Dabei wird beispielsweise zunächst eine TiAIN- und eine AlCrN-Hartschicht aufgebracht, anschliessend zumindest die Oberfläche der AlCrN-Hartschicht oxidiert wodurch eine korundähnliche Gitterstruktur mit einer Gitterkonstante zwischen 0.4779 und 0.5 nm als Zwischenschicht entsteht. Darauf wird die α-Aluminiumoxidschicht (a = 0.47587 nm) abgeschieden. Die Autoren behaupten dabei auch bei Temperaturen zwischen 300 und 5000C Schichten in Korundstruktur durch einen AIP-Prozesse mit nachfolgendem Oxidationsschritt und anschliessendem UBMS von Aluminiumoxid herstellen zu können. Alternativ werden noch Aluminiumoxidschichten offenbart die auf ebenfalls mit UBMS in Ar/O2-Atmosphäre hergestellten Cr2O3, (AI1Cr)2O3 bzw. (Fe,Cr)2O3-Zwischenschichten abgeschieden wurden. Weiters erwähnen die Autoren, mit Bezug auf JP5-208326, die schlechte Eignung von (AI1Cr)2O3 Schichten für die Bearbeitung von Stählen auf Grund der Reaktion des Chroms an der Oberfläche der Schicht mit dem Eisen des zu bearbeitenden Materials.
Demgegenüber erkennen Erfinder desselben Anmelders in der jüngeren US 2005 005 8850 (Kobe), dass diese Techniken tatsächlich Temperaturen von 6500C bis 8000C benötigen, da bei zu tiefer Temperatur die Oxidation nicht stattfindet. Tatsächlich werden aber lediglich Beispiele bei einer Temperatur von 700° und 7500C offenbart und eine Methode beansprucht bei der zumindest der Oxidationsschritt oder die Abscheidung des Aluminiumoxidfilms bei einer Temperatur von 700° und mehr ausgeführt wird. Bevorzugt werden dabei beide Prozesschritte bei derselben Temperatur durchgeführt. Weiters offenbaren die Erfinder das zusätzliche Aufbringen einer bevorzugt Ti-haltigen Diffusionsbarriere, wie beispielsweise TiN, TiC, TiCN u.a., um die bei diesen hohen Prozesstemperaturen auftretende schädliche Diffusion des Sauerstoffs durch die Oxidschicht in das Substrat zu verhindern.
Auch WO 2004 097 062 (Kobe) sieht Verbesserungsbedarf an der in JP-No 2002-53946 beschriebenen Erfindung. Ausgangspunkt ist dabei ein Versuch, bei dem analog zu JP-No 2002-53946 CrN bei 75O0C oxidiert und anschliessend bei derselben Temperatur Aluminiumoxid durch einen PEM kontrollierten Sputterprozess in einer Ar/02-Atmosphäre abgeschieden wird. Dies führt zwar zu kristallinen, aber mit zunehmender Schichtdicke immer grobkörnigeren und somit zu rauhen Schichten. Dem versucht WO 2004 097 062 durch ein Verfahren abzuhelfen, bei dem das Kristallwachstum des Aluminiumoxids entweder in periodischen Abständen durch dünne Oxidschichten anderer ebenfalls in Korundstruktur aufwachsender Metalloxide, wie Cr2O3, Fe2O3, (AICr)2O3, (AIFe)2O3, oder zumindest durch periodische Einlagerungen solcher Oxide unterbrochen wird. Dabei sollen die die anderen Metalloxide umfassenden Schichtbereiche kleiner 10, bevorzugt sogar kleiner 2% gehalten werden. Die langen Beschichtungszeiten zur Herstellung solcher Schichten, ca. 5 Stunden für 2 μm, scheinen allerdings für industrielle Prozesse wenig geeignet.
In einer Publikation von Ashenford [Surface and Coatings Technology 116-119 (1999) 699- 704] wird das Wachstum von Aluminiumoxid der Korundstruktur und Chromoxid der Eskolaitestruktur im Temperaturbereich zwischen 3000C und 5000C beschrieben. Die Eskolaitestruktur des Chromoxids gleicht der Korundstruktur des Aluminiumoxids, besitzt allerdings etwas veränderte Gitterparameter. Das Ziel der mit einem MBE System im UHV durchgeführten Untersuchungen war es, Chromoxid in Korundstruktur als Kristallisationsvorlage für das Wachstum der Korundhochtemperaturphase des Aluminiumoxids zu benutzen. Der Sauerstoff wird dabei durch das Plasma angeregt, die Metalle getrennt von elementaren Quellen verdampft, die örtlich so angeordnet sind, dass die Materialflüsse gleichzeitig am Substrat auftreffen. Auf Stahlsubstraten konnte im untersuchten Temperaturbereich zwischen 300 und 5000C lediglich amorphes Aluminiumoxid abgeschieden werden, wohingegen Chromoxid, weitgehend unabhängig von der Vorbehandlung der Stahlsubstraten, als polykristalline Schicht in Eskolaitestruktur aufwächst. Reines α-Aluminiumoxid konnte jedoch auch auf Eskolaitschichten nicht hergestellt werden, da in diesem Temperaturbereich ab einer Konzentration von grösser 35 at% Aluminium die Kristallstruktur innerhalb weniger Atomlagen zu amorphen Aluminiumoxid kippt. Diese praktischen Befunde wurden anschliessend durch Simulationsrechnungen an Hand eines halbempirsichen Modells bestätigt, die eine Destabilisierung des α-Aluminium- oxides durch Sauerstofffehlstellen zugunsten der κ-Modifikation voraussagt.
In EP 0 744 473 B1 wird ein Sputterprozess beschrieben, der für Substrattemperaturen unter 700° C ein Schicht liefert, die aus der α- und γ-Phase des Aluminiumoxids besteht, vollständig kristallin ist aber hohe Druckspannungen von mindestens 1 GPa aufweist. Als Zwischenschichten zwischen Werkzeug und Aluminiumoxidschicht werden Metallverbindungen mit O, N und C genannt.
Zusammenfassend kann gesagt werden, dass sich der Stand der Technik im Bereich der Herstellung von Oxiden in Korundstruktur mittels PVD-Verfahren seit weit mehr als 10 Jahren damit auseinandersetzt α-Aluminiumoxidschichten herzustellen, um der im CVD- Bereich seit langem sehr erfolgreichen Schicht ein Äquivalent ohne die durch das CVD- Verfahren bedingten Nachteile bieten zu können. Die Verfahren sind jedoch so komplex, fehleranfällig und umständlich, dass bis heute lediglich von einem Hersteller eine amorphe Aluminiumoxidschicht, jedoch keine kristallinen und insbesondere keine α-Aluminiumoxid- schichten im Bereich der Werkzeugbeschichtung angeboten werden. Aus ähnlichen Gründen werden bis heute keine anderen reinen Oxidschichten, insbesondere dicke Oxidschichten angeboten, wenngleich u.a. das Angebot an Oxinitriden, Oxicarbonitriden und Ähnlichem zeigt, das im Werkzeugmarkt ein hoher Bedarf an thermochemisch resistenten Beschichtungen besteht.
Definitionen
Unter thermisch stabil im Sinne der vorliegenden Erfindung werden Schichten verstanden, die an Luft in einem Temperaturbereich von Raumtemperatur bis zumindest 900° C, bevorzugt 1000° C und insbesondere 1100° C keine Änderungen in der Kristallstruktur und somit keine wesentlichen Änderungen des Röntgendiffraktogramms und somit der Gitterparameter erkennen lassen. Solche Schichten sind sofern sie eine entsprechende Grundhärte von zumindest 1500 HV, bevorzugt jedoch mindestens 1800 HV aufweisen für Werkzeuganwendungen mit hoher thermische Beanspruchung besonders interessant, da keine Phasenumwandlungsprozesse während des Bearbeitungsvorgangs zu erwarten sind und die Warmhärte gegenüber anderen Schichten deutlich besser ist.
Unter spannungsfrei werden Schichten verstanden, die mit im Folgenden näher beschriebenen Prüfverfahren höchstens geringe Druck- bzw. Zugspannungen aufweisen. Dadurch kann beispielsweise aus der Verschiebung des Netzebenenabstandes bzw. der Gitterkonstanten von (AICr)2O3 Schichten durch lineare Interpolation zwischen den Gitterkonstanten der binären Verbindungen Ot-AI2O3 und Ot-Cr2O3 direkt auf den AI- bzw. Cr-Gehalt der Schicht geschlossen werden (Vegardsches Gesetz). Dies steht im Gegensatz zu beispielsweise aus EP 0513662 bzw. EP 0744473 bekannten PVD-Verfahren. Die dort beschriebenen Schichten die durch den Einbau von Edelgasatomen, Gleichstrombias oder aus anderen Gründen verspannt aufwachsen weisen hohe Druckeigenspannungen im Bereich über ein GPa auf, die bei grosseren Schichtdicken oft zu Abplatzungen führen. CVD-Schichten zeigen demgegenüber üblicherweise Zugspannugen, die auf Grund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Schicht und des Grundmaterials beim Abkühlen von den verfahrenstypisch hohen Abscheidungstemperaturen entstehen. Beispielsweise sind für die Abscheidung von Ot-AI2O3 gemäss US 2004202877 Temperaturen zwischen 950 und 1050° C notwendig. Dies ist, mit dem zusätzlichen Nachteil eines unvermeidlichen Gehalts an unerwünschten Zerfallsprodukten (beispielsweise Halogene) aus dem Abscheidungsprozess, der Hauptnachteil des CVD-Beschichtungs- prozesses, da diese Spannungen zur Rissbildung, z.B. Kammrisse, führen und daher die Schichten beispielsweise für Bearbeitungsprozesse mit unterbrochenem Schnitt wenig geignet sind.
Als Mehrfachoxide werden hier Verbindungen zumindest zweier oder mehrerer Metalle mit einem Oxid bezeichnet. Weiters werden darunter auch die Oxide eines bzw. mehrerer
Metalle die zusätzlich ein bzw. mehrere Halbleiterelemente wie beispielsweise B oder Si umfassen, verstanden. Eine Beispiel solcher Oxide sind die als Spinelle bekannten kubischen Doppel- bzw. Mehrfachoxide des Aluminiums. Die vorliegende Erfindung bezieht sich aber auf Oxide, die eine dem α-Aluminiumoxid isomorphe Struktur des Korundtyps der Zusammensetzung (Me1 i.xMe2x)2O3 aufweisen, wobei Me1 und Me2 jeweils zumindest eines der Elemente AI, Cr, Fe, Li, Mg, Mn1 Ti, Sb oder V umfasst und dabei die Elemente von Me1 und Me2 jeweils verschieden sind.
Messmethoden Im Folgenden werden einzelne Methoden und Geräte die zur Charakterisierung bestimmter Schichteigenschaften verwendet wurden zum Zweck der besseren Vergleichbarkeit kurz erwähnt.
Röntgendiffraktionsmessungen Für die Messungen der XRD-Spektren und der daraus berechneten Gitterkonstanten wurde ein D8 Röntgendiffraktometer von Bruker-AXS mit Göbel-Spiegel, Soller-Spalt und energiedispersivem Detektor verwendet.
Die einfache Θ-2Θ-Messung erfolgte in Bragg-Brentano-Geometrie mit Cu-kα-Strahlung, kein streifender Einfall. Winkelbereich: 20 bis 90°, mit rotierendem Substrat.
Messzeit: bei einer Verweilzeit von 4s auf 0.01° betrug die Messzeit 7h 46min (für 70°).
Messung der Schichteigenspannungen
Für die Messungen der Schichteigenspannungen wurde einerseits die Biegestreifenme- thode nach Stoney auf Hartmetallstäbchen (L=2r=20mm, Ds=0.5 mm, Es=210 GPa, vs=0.29) verwendet und die Schichtspannung nach folgender Formel berechnet:
σ = * /
3 * L2 * d / Mit Es ... Young Module des Substrats, Ds ... Gesamtdicke Substrat,df ... Schichtdicke, f ... Durchbiegung und f ... freie Balkenlänge
Zum Anderen wurde die Biegescheibenmethode verwendet und die Schichtspannung nach folgender Formel berechnet:
Figure imgf000007_0001
Mit L=2r=20mm, Ds=0.5 mm, Es=210 GPa, vs=0.29
Zusätzlich gibt auch die mittels Röntgendiffraktometrie ermittelte Abweichung der Messpunkte eines Mehrfachoxids von der durch das Vegard'sche Gesetz bestimmten Gerade einen Hinweis auf Eigenspannungen im Schichtverbund.
Übersicht
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die oben im Detail beschriebenen Nachteile des Standes des Technik zu verbessern und ein für Hochtemperaturanwendungen geeignetes
Schichtsystem, das zumindest eine thermisch stabile oxidische Schicht enthält, sowie
Werkstücke, insbesondere Werkzeuge und Bauteile, die durch das Schichtsystem geschützt sind, zur Verfügung zu stellen. Eine weitere Aufgabe ist es, ein Verfahren zur Herstellung des Schichtsystems anzugeben, dass es in einfacher und sicher reproduzierbarer Weise ermöglicht Werkstücke zu beschichten und die Eigenschaften des Schichtsystems für unterschiedliche Anwendungen einzustellen.
Die Aufgabe wird durch ein PVD Schichtsystem zum Beschichten von Werkstücken gelöst, das zumindest eine Mischkristallschicht eines Mehrfachoxids folgender Zusammensetzung umfasst:
(Me11.xMe2x)2O3 wobei Me1 und Me 2 jeweils zumindest eines der Elemente AI, Cr, Fe, Li, Mg, Mn, Nb, Ti, Sb oder V umfasst und dabei die Elemente von Me1 und Me2 jeweils verschieden sind und das Kristallgitter der Mischkristallschicht eine Korundstruktur aufweist, die in einem mittels Röntgendiffraktometrie oder Elektronenbeugung gemessenen Spektrum der Mischkristal- schicht durch mindestens drei, bevorzugt vier insbesondere fünf der Korundstruktur zuzuordnenden Linien charakterisiert ist. Besonders gut geeignet sind dafür Schichtsysteme bei denen Me1 Aluminium ist und Me2 zumindest eines der Elemente Cr, Fe, Li, Mg, Mn, Nb, Ti, Sb oder V umfasst und 0.2 ≤ x ≤ 0.98, bevorzugt 0.3 ≤ x ≤ 0.95 ist. Aluminium kommt hier als Element zur Erhöhung der Oxidationsbeständigkeit und der Warmhärte besondere Bedeutung zu. Allerdings stellt sich ein zu hoher Aluminiumgehalt besonders bei der Herstellung der Schichten als problematisch heraus, da solche Schichten, insbesondere bei tiefen Beschichtungstemperaturen zunehmend kleinere Kristallite bilden mit entsprechendem Intensitätsverlust der Reflexe im Röntgendiffraktoramm.
Um ein möglichst ungestörtes und spannungsfreies Aufwachsen der Schicht zu ermöglichen sollte der Gehalt an Halogenen und Edelgasen in der Mischkristallschicht jedenfalls weniger als 2% betragen. Dies kann dadurch erreicht werden, dass die Quellen mit einem Prozessgas betrieben werden welches zumindest zu 80%, bevorzugt zu 90%, insbesondere sogar zu 100% aus Sauerstoff besteht. Somit kann auch der Gehalt an Edelgas in der Mischkristallschicht mit maximal 0,1 at%, bevorzugt maximal 0,05 at% und / oder der Gehalt der Halogene mit maximal 0,5 at%, bevorzugt maximal 0,1 at% begrenzt werden, bzw. was der günstigste Fall ist, die Mischkristallschicht bevorzugt im Wesentlichen edelgas- und halogenfrei hergestellt werden.
Bezüglich des Aufbaus der Mischkristallschicht sind mehrere Varianten möglich. Beispielsweise kann die Schicht als Einzel- oder Mehrlagenschicht aus zumindest zwei verschiedenen alternierend abgeschiedenen Mehrfachoxiden ausgeführt werden. Alternativ kann ein Mehrfachoxid in alternierender Reihenfolge mit einem weiteren Oxid abgeschieden werden. Als besonders hochtemperaturbeständig haben sich dabei Mehrfachoxide erwiesen die durch Arcverdampfen bzw. Sputtem von Aluminiumchrom- und Aluminiumvanadiumlegierungen hergestellt wurden. Als weitere Oxide zur alternierenden Beschichtung mit Mehrfachoxiden zeigen HfO2, Ta2O5, TiO2, ZrO2, γ-AI2O3 insbesondere aber Oxide in Korundstruktur, wie Cr2O3, V2O3, Fe2O3, FeTiO31Ti2O3, MgTiO2 und natürlich besonders α- AI2O3 gute Hochtemperatureigenschaften.
Bei der Herstellung des Schichtsystems hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die Schichtspannungen der Mischkristallschicht gering zu halten, um auch die Abscheidung dicker Schichten, wie sie beispielsweise besonders für schnelle Drehbearbeitung metallischer Werkstoffe notwendig ist, zu ermöglichen. Sollen dem Schichtsystem zusätzlich noch Eigenschaften, bespielswiese auch definierte Eigenspannungseigenschaften für die Bearbeitung gehärteter Stähle, besondere Gleiteigenschaften zur besseren Spanabfuhr oder zur Verwendung auf Gleitelementen, verbesserte Haftung für unterschiedliche Substrate oder ähnliches eingeprägt werden, können diese beispielsweise durch geeignete Wahl von zwischen dem Substrat und der Mischkristallschicht angeordneten, beispielsweise aus zumindest einer Haft- und / oder Hartschicht bestehenden Zwischenschichten, bzw. durch Aufbringen einer oder mehrerer Deckschichten auf die Mischkristallschicht erzielt werden.
Die Hartschicht bzw. Deckschicht enthält dabei vorzugsweise zumindest eines der Metalle der Nebengruppen IV, V, und VI des Periodensystems bzw. AI, Si, Fe, Co, Ni, Co, Y, La bzw. Verbindungen der genannten Elemente mit N, C, O, B oder Mischungen davon, wobei Verbindungen mit N, bzw. CN bevorzugt sind. Als besonders geeignet für die Hartschicht haben sich dabei die Verbindungen TiN, TiCN, AITiN1 AITiCN, AICrN bzw. AICrCN erwiesen, während sich für die Deckschicht besonders AICrN, AICrCN, Cr2O3 oder AI2O3, insbeson- dere γ-AI2O3 oder Ct-AI2O3 Verbindungen eignen. Ähnlich wie die Mischkristallschicht können auch die Zwischenschicht und / oder die Hartschicht eine Mehrlagenschicht umfassen. Weiters kann das Schichtsystem auch als Mehrlagenschicht mit alternierender Zwischenschicht und Mischkristallschicht bzw. alternierende Deckschicht und Mischkristallschicht aufgebaut sein.
Für die Herstellung von Mischkristallen in Korundstruktur eignen sich Arcverfahren ohne, bzw. mit speziell ausgelegtem kleinem senkrechten Magnetfeld und pulsüberlagerte Arcverfahren, sowie allgemein Verfahren wie beispielsweise Are- oder Sputterverfahren, bei denen an die Materialquellen, wie Arcverdampfer bzw. Sputterquellen, Hochstromimpulse angelegt, bzw. dem DC-Grundbetrieb überlagert werden. Damit ist ein Betrieb im vergifteten Zustand, bzw. eine Legierungsbildung am Target möglich, sofern gewisse unten näher erläuterte Randbedingungen eingehalten werden.
Bezüglich der Arcverfahren zur Herstellung des erfindungsgemässen Schichtsystems insbesondere zur Herstellung der oxidischen Mischkristallschicht, sei zusätzlich noch auf folgende Anmeldungen desselben Anmelders verwiesen, die bezüglich des Verfahrens den nächsten Stand der Technik bilden: WO 2006099758, WO 2006/099760 sowie CH 01166/06. Alle Verfahren wurden in einem RCS-Beschichtungssystem der Firma Balzers durchgeführt.
Für die Herstellung von Mischkristallen in Korundstruktur ist es bei allen Verfahren wesentlich, dass das Target ein Legierungstarget ist, da es sonst bei Abscheidungstem- peraturen unter 6500C, wie unten näher beschrieben nicht gelingt, oxidische Mischkristallschicht in Korundstruktur abzuscheiden. Im Sinne eines möglichst einfach reproduzierbaren Verfahrens ist es vorteilhaft, die Verfahrensparameter so zu wählen, dass sich die Zusammensetzung der Metalle der Mischkristallschicht, nach Normierung auf den Gesamtmetallgehalt, bezüglich der entsprechenden Metallanteile um nicht mehr als 10 bevorzugt um nicht mehr als 5, insbesondere nicht mehr als 3 Prozent vom Gehalt der metallischen Targetzusammensetzung unterscheidet. Dies gelingt beispielsweise durch Einhaltung der in den Versuchsbeispielen genannten Parameter, durch Wahl eines eher niedrigen Substratbias, beispielsweise unter 100 V, um eine Entmischung durch Kanteneffekte u.a. zu verhindern. Diese können auch vom Fachmann, je nach Legierungssystem angepasst und variiert werden, beispelsweise falls bei Bedarf sehr hohe Druckspannung erzielt werden sollen.
Arcverfahren bei denen an der Oberfläche des Targets kein oder nur ein kleines, im Wesent- liehen zur Targetoberfläche senkrechtes, äusseres Magnetfeld, angelegt wird sind prinzipiell für die Herstellung erfindungsgemässer Mehrfachoxide geeignet. Wird ein Magnetfeld mit einer senkrechten Komponente Bz angelegt, ist es vorteilhaft die radiale oder oberflächenparallele Komponente Br zumindest über den Grossteil der Targetoberfläche, zumindest aber über 70%, bevorzugt 90% kleiner als Bz einzustellen. Die senkrechte Komponente Bz wird dabei zwischen 3 und 50 Gauss, bevorzugt jedoch zwischen 5 und 25 Gauss eingestellt. Solche Magnetfelder können beispielsweise mit einem aus zumindest einer axial gepolten Spule bestehenden Magnetsystem, das eine dem Targetumfang ähnliche Geometrie aufweist, erzeugt werden. Die Spulenebene kann dabei in Höhe der Targetoberfläche oder bevorzugt parallel dahinter angeordnet werden. Die im Folgenden näher beschriebenen Verfahren mit gepulsten Quellen können besonders vorteilhaft als Arcverfahren mit Quellen die ein solches schwaches Magnetfeld aufweisen, alternativ jedoch auch ohne Magnetfeld, betrieben werden.
Bei den folgenden Pulsquellenverfahren zur Herstellung von insbesondere thermisch stabilen Mischkristallschichten von Mehrfachoxiden im Kristallgitter des Korundtyps wird zumindest eine Arcquelle gleichzeitig mit einem Gleichstrom als auch mit einem Puls- bzw. Wechselstrom gespeist. Dabei wird mit einer als Legierungstarget ausgeführten ersten Elektrode einer Are- oder einer Sputterquelle sowie mit einer zweiten Elektrode eine Schicht auf das Werkstück abgeschieden, wobei die Quelle gleichzeitig mit einem Gleichstrom bzw. Gleichspannung als auch mit einem Puls- oder Wechselstrom bzw. einer Puls- oder Wechselspannung gespiesen wird. Das Legierungstarget entspricht dabei im Wesentlichen der Zusammensetzung der Mischkristallschicht. Die bevorzugte Pulsfrequenz liegt dabei in einem Bereich von IkHz bis 20OkHz, wobei die Pulsstromversorgung auch mit einem unterschiedlichen Pulsbreitenverhältnis, bzw. mit Pulspausen, betrieben werden kann. Die zweite Elektrode kann dabei von der Arcquelle getrennt oder als Anode der Arcquelle angeordnete sein, wobei die erste und die zweite Elektroden mit einer einzelnen Pulsstromversorgung verbunden, betrieben werden. Wird die zweite Elektrode nicht als Anode der Arcquelle betrieben, kann die Arcquelle über die Pulsstromversorgung mit einer der folgenden Materialquelle verbunden bzw. betrieben werden:
Einer weiteren Arcverdampferquelle, die ebenfalls mit einer DC-Stromversorgung verbunden ist;
Einer Kathode einer Sputterquelle, insbesondere einer Magnetronquelle, die ebenfalls mit einer Stromversorgung, insbesondere mit einer DC-Stromversorgung verbunden ist;
Einem Verdampfungstiegel der gleichzeitig als Anode eines Niedervoltbogenver- dampfers betrieben wird.
Die DC-Stromversorgung erfolgt dabei mit einem Grundstrom so, dass die Plasmaentladung zumindest an den Arcverdampferquellen, bevorzugt jedoch an allen Quellen im wesentlichen unterbrechungsfrei aufrechterhalten wird.
Vorteilhafterweise wird dabei jeweils die DC-Stromversorgung und die Pulsstromversorgung mit einem elektrischen Entkopplungsfilter entkoppelt das vorzugsweise mindestens eine Sperrdiode enthält. Die Beschichtung kann dabei bei Temperaturen kleiner 6500C , bevorzugt kleiner 5500C erfolgen.
Die Mehrfachoxidschichten wachsen in diesem Fall trotz der verhältnismässig niedrigen Beschichtungstemperatur und eventueller als Haft oder Zwischenschicht darunterliegenden beispielsweise kubischen Metallnitrid oder Karbonitridschicht in korundartiger Struktur auf, was überrascht, da bei vorhergehenden Versuchen, bei denen Schichten durch simultanes Bedampfen der Werkstücke mittels elementarer Aluminium- und Chromtargets unter Sauerstoff lediglich amorphe, beispielsweise (AlLxCrX)2O3 Schicht hergestellt werden konnten. Dies war auch dann der Fall, wenn der Beschichtungsbereich der Quellen überlappend eingestellt wurde. Erst durch die Verwendung von Legierungstargets ist es möglich bereits bei verhältnismässig niedrigen Prozesstemperaturen Mehrfachoxide in kristalliner, insbesondere in Korundstruktur abzuscheiden. Dabei ist zusätzlich darauf zu achten, dass am Target genügend Sauerstoff zur Verfügung steht, weshalb ein hoher Sauerstoffgehalt von zumindest 80%, bevorzugt 90% im Prozessgas eingestellt bzw. wie im nachfolgenden Beispiel 1) ausschliesslich Sauerstoff als Prozessgas verwendet wird. Die Targetoberfläche wird dabei während des Arcprozesses sofort mit einer dünnen nichtleitenden Schicht überzogen. Nach Ansicht der Erfinder könnte der Grund für das Herabsetzen des sonst erst bei wesentlich höhen Temperaturen möglichen kristallinen Schichtwachstums, insbesondere des Wachstums in Korundstruktur auf eine Bildung von Mehrfachoxiden auf der Targetoberfläche zurückzuführen sein, die während des Prozesses verdampfen, zunächst Wachstumskeime auf dem Werkstück bilden und schliesslich am Schichtaufbau beteiligt sind. Auf einen solchen Wachstumsmechanismus kann aus mehreren Günden geschlossen werden. Einerseits liegen die durch den Funken erzeugten Temperaturen auf der Targetoberfläche im Bereich des Schmelzpunktes der Legierung, womit bei ausreichend hoher Sauerstoffkonzentration gute Voraussetzungen für die Bildung von hochtemperaturstabilen korundartigen Mehrfachoxidstrukturen vorliegen. Andererseits konnten wie oben erwähnt beim simultanen Verdampfen von elementaren Aluminium- und Chromtargets keine Mischkristalle hergestellt werden. Ähnliches gilt auch für mittels Sputtertechnik hergestellte Oxidschichten. So wurden bei zu US 6 767 627 analogen Versuchen durch die Erfinder der vorliegenden Anmeldung Aluminiumoxid- und Aluminium- chromoxidschichten in einem Temperaturbereich zwischen 400 und 650 0C mittels Sputtern hergestellt. Es konnten jedoch keine kristallinen Aluminiumoxid- bzw. Aluminiumchromoxidschichten mit Korundstruktur nachgewiesen werden. Dies gelang auch bei Verwendung von Lergierungstargets nicht, was einerseits auf die beim üblichen Sputterverfahren fehlende thermische Anregung auf der Substratoberfläche hindeuten könnte, andererseits auf die Tatsache, dass von der Targetoberfläche keine Verbindungen gesputtert werden, sondern nur Atome.
Wenn auch ein praktischer Beweis eines solchen Bildungsmechanismus, beispielsweise durch Spektralanalyse, an dieser Stelle nicht erbracht werden kann und möglicherweise auch andere Mechanismen von Bedeutung sind, ist doch festzustellen, dass es mit vorliegender Erfindung erstmals gelingt Mehrfachoxide mit eindeutig nachgewiesener Korundgitterstruktur bei einer Beschichtungstemperatur zwischen 450 und 6000C herzustellen.
Um die thermische Anregung auf der Targetoberfläche weiter zu erhöhen wurden auch einzelne Versuche mit ungekühlten, bzw. mit geheizten Targets gefahren und unter Sauerstoff von der bald rot glühenden Targetobefläche Material verdampft. Auch die so hergestellten Schichten zeigen ein Gitter vom Korundtyp. Gleichzeitig kann bei solchen Prozessen an Hand des Anstiegs der Entladungsspannung eine Erhöhung der Plasmaimpedanz festgestell werden, die auf die erhöhte Elektronenemission glühender Oberflächen in Kombination mit erhöhtem Dampfdruck des Targetmaterials zurückzuführen ist und durch das Pulsen des Quellenstroms noch verstärkt wird.
Eine weitere Möglichkeit zur Herstellung erfindungsgemässer Oxidschichten ist das Betreiben einer Hochleistungsentladung mit zumindest einer Quelle. Diese kann beispielsweise durch Betreiben der Pulsstrom- bzw. Pulsspannungsversorgungen mit einer Pulsflankensteilheiten die mindestens im Bereich von 0,02 V/ns bis 2,0 V/ns, vorzugsweise im Bereich von 0,1 V/ns bis 1 ,0 V/ns liegt erzeugt werden. Dabei werden Ströme von zumindest 20 A, bevorzugt jedoch gleich oder grösser 6OA, bei Spannungen zwischen 60 und 800 V, bevorzugt zwischen 100 und 400 V über bzw. zusätzlich zu Spannung und Strom der gleichzeitig betriebenen DC-Entladung angelegt. Diese Spannungsnadelimpulse können beispielsweise durch eine oder mehrere Kondensatorkaskaden erzeugt werden, was neben verschiedenen anderen Vorteilen es auch ermöglicht die Grundstromversorgung zu entlasten. Bevorzugt wird aber der Pulsgenerator zwischen zwei gleichzetig mit DC- betriebenen Arcquellen geschaltet. Überraschenderweise gelingt es durch das Anlegen der Nadelimpulse im Arcverfahren die Spannung an der Quelle über mehrere μs in Abhängigkeit von der Höhe des angelegten Spannungssignals zu erhöhen, wohingegen Pulse mit geringerer Flankensteilheit sich wie zu erwarten lediglich in einer Erhöhung des Quellenstroms auswirken.
Wie erste Versuche gezeigt haben ist es mit solchen Hochstromentladungen auch möglich von Sputterquellen mit Legierungstargets oxidische Mehrfachoxide in Korund-, Eskolait- oder vergleichbaren hexagonalen Kristallstrukturen herzustellen, was vermutlich auf die erhöhte Leistungsdichte an der Oberfläche des Targets und der damit einhergehenden starken Temperaturerhöhung zurückzuführen ist, auch hier könnte die Verwendung ungekühlter oder beheizter Targets wie oben beschrieben vorteilhaft sein. Die Hochleistungsentladung zeigt für solche Prozesse sowohl für das Hochleistungsarcen als auch für das Hochleistungs- sputtern ähnliche Charakteristika, wie sie der aus dem Townsend-Strom-Spannungs-Dia- gramm bekannten anormalen Glimmentladung entsprechen. Die Annäherung an diesen Bereich geschieht dabei jeweils von entgegengesetzten Seiten, daher einserseits von der Bogenentladung des Arcverfahrens (niedrige Spannung, hoher Strom), andererseits von der Glimmentladung des Sputterverfahrens (mittlere Spannung, kleiner Strom).
Grundsätzlich sind, wenn man sich dem Bereich der anormalen Glimmentladung von der
Hochstromseite, daher von der „Arcseite" nähern will Massnahmen zur Impedanzerhöhung des Plasmas bzw. der Targetoberfläche (s.o.) notwendig. Dies kann, wie oben beschrieben durch Überlagerung von Nadelimpulsen, durch Erhitzen der Targetoberfläche oder durch eine Kombination der Massnahmen bewirkt werden.
Eine weitere Möglichkeit zur Erhöhung der Plasmaimpedanz ergibt sich durch das Pulsen eines Quellenmagnetfeldes. Dies kann beispielsweise durch den Pulsstrom der Quelle erfolgen, der entweder zur Gänze oder nur als Teilstroms durch ein wie oben beschriebenes aus einer axial gepolten Spule bestehendes Magnetsystem geleitet wird. Entsprechend der hohen auftretenden Stromspitzen können hier bei Bedarf gekühlte Spulen mit geringer Windungszahl (1 bis 5) verwendet werden.
Aus dem oben Angeführten und den unten beschreibenen Versuchen ist zu erkennen, dass erfindungsgemässe Schichtsysteme ganz allgemein eine ausgezeichnete Eignung für Werkzeuganwendungen aufweisen. Vorteilhaft können daher die Schichtsysteme auf Werkzeuge wie Fräser, Bohrer, Verzahnungswerkzeuge, Wendeschneidplatten, Abstech- messer, Räumnadeln aus unterschiedlichen Werkstoffen wie beispielsweise Kalt- und Warmarbeitsstählen, HSS-Stahl sowie Sinterwerkstoffen wie pulvermetallurgischen(PM) Stahl, Hartmetall (HM), Cermets, kubischem Bornitrid (CBN), Siliziumcarbid(SiC) bzw. Siliziumnitrid(SiN) aufgebracht werden. Besonders gut ist jedoch die Eignung für Werkzeuganwendungen mit hohen Bearbeitungstemperaturen bzw. Schnittgeschwindigkeiten wie zum Beispiel Drehoperationen, Hochgeschwindigkeitsfräsen und Ähnliches, die neben der abrasiven Belastung auch hohe Anforderungen bezüglich der thermochemischen Stabilität der Hartschicht stellen. Für solche Werkzeuge werden heute vor allem CVD-beschichtete Wendeschneidplatten verwendet. Dabei werden häufig Schichtdicken im Bereich zwischen 10 und 40 μm eingesetzt. Auf Grund der oben beschriebenen Eigenschaften sind be- schichtete Wendeschneidplatten daher eine bevorzugte Anwendung der erfindungs- gemässen Schichten. Insbesondere Wendeschneidplatten aus PM-Stahl, Hartmetall-, Cermet-, CBN-, SiC-, SiN-Sinterwerkstoffen oder mit plykristallinem Diamant vorbeschichtete Wendeschneidplatten
Obwohl bei der Arbeit an der vorliegenden Erfindung vor allem die Entwicklung von Schutzschichten für spanende Werkzeuge im Vordergrund stand, können die Schichten selbstverständlich auch in anderen Bereichen vorteilhaft eingesetzt werden. Beispielsweise kann eine gute Eignung für Werkzeuge für verschiedene Warmumformprozesse, wie Formund Gesenkschmieden oder Spritzgiessen von Metallen bzw. Legierungen angenommen werden Auf Grund der hohen chemischen Resistenz können die Schichten auch auf Werkzeugen für die Kunststoffverarbeitung beispielsweise Spritz- oder Presswerkzeuge für Formteile eingesetzt werden.
Weitere mögliche Anwendungen ergeben sich im Bereich der Beschichtung von Bauteilen und Komponenten, wie zum Beispiel dem Einsatz auf temperaturbelasteten Bauteilen von Verbrennungskraftmaschinen wie Einspritzdüsen, Kolbenring, Tassenstössel, Turbinenblätter und ähnlich belastete Komponenten. Auch hier können ähnlich wie oben, zumindest in den dem Verschleiss ausgesetzten Bereichen, folgende Grundmaterialien verwendet werden: Kaltarbeitsstahl, HSS, PM-Stahl, HM-, Cermet- oder CBN-Sinterwerkstoffe.
Auch für temperaturstabile Sensorschichten können Schichten mit dem erfindungsgemässen Verfahren abgeschieden werden, beispilesweise für piezo- und ferroelektrische Materialien bis hin zu quarternären supraleitenden Oxidschichten. Es versteht sich von selbst, dass diese Schichten nicht an eine Struktur des Substrates gebunden sind und dass sich in solchem Zusammenhang vor allem eine Applikation in Verbindung mit MEMS auf Siliziumbasis anbieten.
Beispiele und Figuren
Die Erfindung wird anschliessend anhand von Beispielen erläutert, wobei auf die beispielhaft gezeigten Figuren Bezug genommen wird, welche Folgendes zeigen:
Fig.1 Röntgenspektren von (Ali.xCrx)2θ3-Schichten;
Fig.2 Gitterparameter von (Al^Cr^Oa-Schichten;
Fig.3 Temperaturverhalten der Gitterparameter;
Fig.4 Oxidationsverhalten TϊAIN-Schicht;
Fig.5 Oxidationsverhalten TiCN-Schicht ; Fig.6 Oxidationsverhalten TiCN / (Ali.xCrx)2O3-Schicht ;
Fig.7 Detail (Al^Cr^Oa-Schicht ;
In dem im folgenden näher beschriebenen Versuch 1) wird ein vollständiger Ablauf eines erfindungsgemässen Beschichtungsverfahren mit einem schwachen im Wesentlichen senkrechten Magnetfeld im Bereich der Targetoberfläche gegeben.
Nach Einlegen der Werkstücke in dafür vorgesehenen zwei- oder dreifach rotierbare Halterungen und Einbringen der Halterungen in die Vakuumbehandlungsanlage, wird die Behandlungskammer auf einen Druck von ca. 10"4 mbar abgepumpt.
Zur Einstellung der Prozesstemperatur wurde ein durch Strahlungsheizungen unterstütztes Niedervoltbogen(NVB)plasma zwischen einer durch eine Blende abgetrennte Kathodenkammer mit Heisskathode und den anodisch geschalteten Werkstücken in einer Argon- Wasserstoffatmosphäre gezündet.
Dabei wurden folgende Heizparameter eingestellt:
Entladestrom NVB 250 A
Argonfluss 50 sccm
Wasserstofffluss 300 sccm
Prozessdruck 1.4x10"2 mbar
Substrattemperatur ca. 5500C
Prozesszeit 45 min Alternativen dazu sind dem Fachmann bekannt. Die Substrate wurden dabei bevorzugt als Anode für den Niedervoltbogen geschaltet und bevorzugt zusätzlich unipolar oder bipolar gepulst.
Als nächster Prozessschritt wird das Aetzen gestartet. Dafür wird der Niedervoltbogen zwischen dem Filament und der Hilfsanode betrieben. Auch hier kann eine DC, eine gepulste DC oder eine mit Wechselstrom betriebene MF oder RF Versorgung zwischen Werkstücken und Masse geschaltet werden. Bevorzugt wurden die Werkstücke aber mit einer negativen Biasspannung beaufschlagt.
Dabei wurden folgende Ätzparameter eingestellt:
Argonfluss 60 sccm
Prozessdruck 2.4x103 mbar
Entladestrom NVB 150 A
Substrattemperatur ca. 5000C
Prozesszeit 45 Min
Bias 200 - 250 V
Im nächsten Prozessschritt erfolgt die Beschichtung des Substrates mit einer AlCrO-Schicht und einer TiAIN-Zwischenschicht. Alle Beschichtungsprozesse können bei Bedarf an erhöhter Ionisation noch durch das Plasma des Niedervoltbogens unterstütz werden.
Dabei wurden folgende Parameter bei Abscheidung der TiAIN-Zwischenschicht eingestellt:
Argonfluss 0 sccm (ohne Argonzugabe)
Stickstofffluss Druckgeregelt auf 3 Pa
Prozessdruck 3x102 mbar
DC Quellenstrom TiAI 200 A
Spulenstrom des Quellen-
Magnetfeldes (MAG 6) 1 A
DC Substratbias U = -40 V Substrattemperatur ca. 550° C
Prozesszeit 120 Min
Für den ca. 15 min langen Übergang zur eigentlichen Funktionsschicht werden die AICr- Arcquellen mit einem DC-Quellenstrom von 200 A zugeschaltet, wobei der positiven Pol der DC-Quelle mit dem Anodenring der Quelle und Masse verbunden ist. An die Substrate wird ein DC Substratbias von -40 V während dieses Schrittes angelegt. 5 Minuten nach dem Einschalten der AICr(50/50)-Targets wird mit dem Sauerstoffeinlass begonnen, wobei dieser innert 10 Min von 50 auf 1000 sccm, gerampt wird. Gleichzeitig werden die TiAI(50/50)- Targets ausgeschaltet und der N2 auf ca. 100 sccm zurückgeregelt. Kurz vor Einlass des Sauerstoffs wir der Substratbias von DC auf bipolares Pulsen umgeschaltet und auf U = -60 V erhöht. Damit sind die Zwischenschicht und der Uebergang zur Funktionsschicht fertiggestellt. Bei den Targets handelt es sich um pulvermetallurgisch hergestellte Targets. Alternativ können auch schmelzmetallurgische Targets verwendet werden. Um die Spritzerhäufigkeit herabzusetzen können einphasige Targets, wie in DE 19522331 beschrieben, verwendet werden.
Die Beschichtung der Substrate mit der eigentlichen Funktionsschicht erfolgt im reinen Sauerstoff. Da es sich bei Aluminiumoxid um isolierende Schichten handelt, wird entweder eine gepulste oder eine AC Biasversorgung verwendet.
Die wesentlichen Funktionsschichtparameter wurden dabei wie folgt eingestellt:
Sauerstofffluss 1000 sccm
Prozessdruck 2.6x10"2 mbar DC Quellenstrom AICr 200 A Spulenstrom des Quellen- Magnetfeldes (MAG 6) 0.5 A, damit wurde an der Targetoberfläche ein im Wesentlichen senkrechtes schwaches Feld von ca. 2 mT (20 Gs) erzeugt.
Substratbias U = 60 V (bipolar, 36 μs negativ, 4 μs positiv)
Substrattemperatur ca. 550° C
Prozesszeit 60 bis 120 min Mit oben beschriebenem Prozess konnten gut haftende und harte Schichten erzeugt werden. Vergleichtests der Schicht auf Dreh- und Frässwerkzeugen ergaben eine gegenüber bekannten TiAIN-Schichten deutlich verbesserte Standzeit obwohl die Rauigkeit deutlich über den Rauhwerten optimierter reiner TiAIN-Schichten lag.
Die in Tabelle 1 angeführten Versuche 2 bis 22 beziehen sich auf einfache erfindungsge- mässe Schichtsysteme, die aus jeweils einer bei Beschichtungstemperaturen zwischen 450 und 600° hergestellten Doppeloxidschicht des
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bestehen. Die übrigen Parameter sind mit den oben beschriebenen Parametern zur Herstellung der Funktionsschicht identisch. Die Messung des stöchiometrischen Anteils der Schichtzusammensetzung erfolgte mittels Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS). Die grösste Abweichung von der in Spalte 2 angeführten Legierungszusammensetzung des Targets zeigen die Versuche 10 bis 12 mit einer Abweichung von 3.5 Prozentpunkten bei einem Al/Cr-Verhältnis von 70/30. Die Metallanteile der Schicht werden dazu auf den Gesamtmetallgehalt des Oxids normiert. Demhingegen kommt es bezüglich der Stöchometrie des Sauerstoffs zu etwas grosseren Abweichungen bis über 8%. Trotzdem zeigen alle Schichten eine eindeutige korundartige Gitterstruktur. Bevorzugt sollten daher erfindungsgemässe Schichten eine Unterstöchiometrie bezüglich des Sauerstoffs von 0 bis 10% aufweisen, da auch noch bis in einem Bereich von ca. 15% Sauerstoffdefizit die gewünschte Gitterstruktur ausgebildet wird.
Fig.1 A bis C zeigen typische Korundstrukturen erfindungsgemässer (A^Cr^Os-Schichten, die mit unterschiedlich legierten Targets gemäss Versuchen 18 (AI/Cr=25/75), 14 (50/50) und 3 (70/30) bei 55O0C hergestellt wurden. Die Messungen und Auswertungen erfolgten mittels Röntgendiffraktometrie mit den oben unter Messmethoden näher beschriebenen Parametereinstellungen. Die Darstellung verzichtet auf eine Korrektur der Hintergrundsignale. Die Bestimmung der Gitterparameter kann auch mit anderen Methoden beispielsweise mit Elektronbeugungsspektrometrie erfolgen. Auf Grund der von Fig.1A nach 1C von 3.1 auf 1.5 μm abnehmenden Schichtdicke wachsen die nicht markierten Substratlinien gegenüber den mit Strichen markierten Schichtlinien der Korundstruktur stark an. Trotzdem können auch in Spektrum C, trotz linearer Darstellung der Ordinatenachse, noch 7 Linien eindeutig dem Korundgitter zugeordnet werden. Die restlichen Linien sind dem Hartmetallgrundwerkstoff zuzuordnen (WC/Co-Legierung). Für eine eindeutige Zuordnung des Kristallgitters und der Bestimmung der Gitterkonstanten sollten allerdings zumindest 3, bevorzugt 4 bis 5 Linien eindeutig identifizierbar sein. Die Kristallstruktur der Schichten ist feinkristallin und grossteils mit einer mittleren Kristallit- grösse kleiner 0.2 μm, lediglich bei hohen Chromgehalten und Beschichtungstemperaturen von 650° wurden Kristallitgrössen zwischen 0.1 bis 0.2 μm gemessen.
In Fig.2 werden für die Versuche 2 bis 22 die Gitterkonstanten a (durchgezogene Linie) und c (strichliert) des (AI^Cr^Os-Kristallgitters über dem stöchiometrischen Chromgehalt aufgetragen und mit den jeweils durch drei Werte DB1 bis 3 aus der ICDD (International Center for Diffraction Data) bestimmten punktierten Geraden nach dem Vegardschen Gesetz verglichen. Dabei zeigt sich über den gesamten Konzentrationsbereich eine maximale Abweichung von 0.7 bis 0.8 % von der idealen Vegardsgeraden. Auch Messungen an anderen Mehrfachoxidschichten zeigten ähnliche Ergebnisse, die Abweichungen liegen bei den angegebenen Parametern höchstens bei 1 %. Dies deutet auf sehr geringe Eigenspannungen der Mischkristallschicht hin, weshalb es im Gegensatz zu vielen anderen PVD- Schichten möglich ist die Schichten mit einer grosseren Schichtdicke, beispielsweise zwischen 10 und 30 μm, in Einzelfällen bis zu 40 μm mit guter Haftung abzuscheiden. Grossere Verspannungen in der Schicht konnten nur bei Anlegen hoher Substratspannungen (>150) und/oder Verwendung einer Ar/O2-Mischung des Prozessgasses mit hohem Ar- Anteil erzielt werden. Da für viele Anwendungen besonders Mehrfachschichtsysteme, wie unten näher beschrieben, gut geeinget sind, können bei Bedarf Schichtspannungen durch Auswahl einer bei Bedarf mehrlagigen, zwischen Werkstück und Mischkristallschicht vorgesehenen, Zwischenschicht und / oder einer Deckschicht in weitem Rahmen eingestellt werden. Beispielsweise können damit höhere Druckeigenspannungen zum Erhöhen der Schichthärte für Hartbearbeitungsprozesse eingestellt werden. Für industrielle Anwendungen mit hohem abrasivem Verschleiss können damit dicke Schichtsystemen mit Schichtdicken grösser 10 oder 20 μm wirtschaftlich hergestellt werden, wobei die Mischkristallschicht bevorzugt grösser 5 insbesondere grösser 8 μm gewählt wird.
Parallel dazu wurden Untersuchungen an 2 μm dicken Mischkristallschichten nach den oben beschriebenen Verfahren (Biegestreifenmethode nach Stoney und Biegescheibenmethode) durchgeführt. Dabei wurden Schichtspannung in einem Bereich zwischen spannungsfrei und kleinen Druck- oder Zugspannungen mit Werten kleiner oder gleich 0.5 GPa gemessen. Zum Abscheiden dicker PVD-Schichten sind jedoch auch noch Schichten mit etwas grosserer Schichtspannung von etwa 0.8 GPa geeignet. Eine weitere Möglichkeit besteht in einer Abfolge von abwechselnd mit Zug- bzw. mit Druckspannung abgeschiedenen dünnen Schichten (≤ 1 μm) als Multilagensystem. Zur Prüfung der Temperatur- und Oxidationsbeständigkeit der Korundstruktur der abgeschiedenen
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wurden gemäss Tabelle 2, Versuch 2, beschichtete Hartmetallprüfkörper mit erhöhtem Co-Gehalt innerhalb 50 Minuten auf eine Temperatur von 1000° bzw. 1100° C aufgeheizt dort 30 Minuten gehalten und anschliessend innerhalb 50 Minuten auf 300° C abgekühlt. Nach Abkühlen auf Raumtemperatur wurden die Gitterkonstanten neu bestimmt. Gemäss dem in den „Phase Equilibria Diagrams Volume XII Oxides" der American Ceramic Society angegebenen Phasendiagrams [W.Sitte, Mater.Sci.Monogr., 28A, React. Solids 451-456, 1985] ist im Bereich zwischen ca. 5 bis 70% Aluminium d.h. (Al0 os-o 7Crx095.030)203 für Temperaturen bis ca. 1150° C eine Mischungslücke angegebenen, die eine Entmischung des (AlLxCrX)2O3 Mischkristall in AI2O3 bzw. Cr2O3 und einen (Ali.xCrx)2O3 Mischkristall einer anderen Zusammensetzung erwarten lässt. An Hand des Diagrams ist auch erkennbar, dass es durch den erfindungsgemässen Prozess gelingt die thermodynamisch Bildungstemperatur für (AlLxCrX)2O3 Mischkristallschichten von 1200° C auf 450° bis 600°C zu verschieben. Überraschenderweise zeigt sich aber auch, dass die erfindungsgemäss hergestellten Mischkristallschichten durch den Glühprozess nur minimale Änderungen in den Gitterkonstanten aufweisen und auch keine Entmischung in die binären Komponenten auftritt. Die maximale aus Fig.3 ersichtliche Abweichung von der nach dem Beschichtungsprozess bei Raumtemperatur gemessenen Wert der Gitterparameter a und der geglühten Probe liegt bei ca. 0.064%, die maximale Abweichung des Wertes c bei 0.34%. Auch für verschiedene andere Mehrfachoxide zeigte sich bei Messungen eine ausserordentliche Temperaturstabilität der Schicht und ein geringes Abweichen der Gitterkonstanten von höchstens 1 bis 2 %.
Fig.4 und Fig.5 zeigen die Ergebnisse von Oxidationsversuchen bekannter Schichtsysteme an Hand eines REM-Bruchbilds einer TiAIN- bzw. einer TiCN-Schicht, die wie oben beschrieben auf 900° C aufgeheizt und anschliessend 30 Minuten bei dieser Temperatur unter Sauerstoff geglüht wurde. An der TiAIN-Schicht ist in einem Bereich von über 200 nm eine deutliche Veränderung der Oberflächenstruktur zu erkennen. Einer im wesentlichen aus Aluminiumoxid bestehenden äusseren Schicht mit Schichdicke zwischen 130 und 140 nm folgt eine poröse aluminiumverarmte Schicht mit Schichdicke zwischen 154 und 182 nm. Noch wesentlich schlechter ist das Oxidationsverhalten der TiCN-Schicht in Fig.5, die bei einer solchen Behandlung bis auf den Grundwerkstoff durchoxidiert wird und eine beginnende Schichtablösung im rechten Bereich des Bildes zeigt. Die Schicht ist grobkörnig und zeigt nicht mehr die kolumnare Struktur der ursprünglichen TiCN-Schicht. Fig.6 und Fig.7 zeigen die Ergebnisse identischer Oxidationsversuche an einer TiCN- Schicht, die durch eine ca. 1 μm dicke erfindungsgemässe (Al07Cr0 3)2O3-Schicht geschützt ist. Fig.6 zeigt den Schichtverbund in 50.000-facher Vergrösserung. Die bekannte kolumnare Struktur der TiCN-Schicht und die etwas feiner kristallin aufgewachsene (Al07Cr0 3J2O3- Schicht sind deutlich erkennbar. Die Kristallitgrösse der Aluminiumchromoxidschicht kann dabei beispielsweise durch Verwendung von Targets mit einem höheren AI-Gehalt noch verfeinert werden. Fig.7 zeigt den Schichtverbund in 150.000-facher Vergrösserung, die TiCN-Schicht ist nur noch am unteren Bildrand zu ekennen. Gegenüber den Schichten in Fig.4 und Fig.5 ist die Reaktionszone der (AI05CrO s)2O3-SChJcM mit einer Dicke H2 von maximal 32nm wesentlich schmäler und weist eine dichte Struktur ohne erkennbare Poren auf. Bei einer Serie vergleichender Versuche mit unterschiedlichen erfindungsgemässen Mischristallschichten zeigte sich, dass diese, im Gegensatz zu anderen Oxidschichten aus dem Stand der Technik, die darunterliegenden Zwischenschichten schützen und somit dem gesamten Schichtsystem eine ausgezeichnete thermische und oxidative Beständigkeit verleihen. Grundsätzlich können zu diesem Zweck alle erfindungsgemässen Mischkristallschichten eingesetzt werden, die in oben beschriebenen Oxidationstest keine Reaktionszonen ausbilden, die 100 nm übersteigen. Bevorzugt sind Mischkristallschichten mit Reaktionszonen zwischen 0 bis 50 nm.
Die gemessenen Schichthärten der (Al05Cro 5)2O3-Schichten liegen bei ca. 2000 HV50. Auch durch Messungen an anderen Mehrfachoxiden, wie beispielsweise die (Al05Ti03Cr02)2θ3, oder (AI06Ti04)203, (V05Cr0 S)2O3, (Al02Cro 8)2O3l konnten Werte zwischen 1200 und 2500 HV ermittelt werden.
In Tabelle 3. bis 6. sind weitere mehrlagige Ausführungen des erfindungsgemässen Schichtsystems aufgeführt. Prozessparameter zur Herstellung für AICrO- bzw. AICrON- Mischkristallschichten auf einem 4 Quellenbeschichtungssystem (RCS) finden sich in Tabelle 7, entsprechende Prozessparameter zur Herstellung einzelner Schichtlagen für diverse Stüzschichten in Tabelle 8.
Die Versuche 23 bis 60 in Tabelle 3 und 4 beziehen sich dabei auf Schichtsysteme in denen die oxidischen Mischkristallschicht durchgehend in Korundstruktur, meist als Einzelschicht aufgebaut ist. Lediglich in Versuch 25, 29 und 31 ist die Mischkristallschicht aus zwei aufeinanderfolgenden Einzellagen unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung aufgebaut. In Versuch 29 unterscheiden sich die Mischkristallschichten lediglich durch ein unterschiedliches Al/Cr-Verhältnis. Die Versuche 61 bis 107 in Tabelle 5 und 7 beziehen sich dabei auf Schichtsysteme in denen die Mischkristallschicht aus 5 bis 100 Lagen einzelner sehr dünner Schichten zwischen 50 nm und 1 μm aufgebaut ist. Dabei können sich sowohl oxidische Mischkristallschichten in Korundstruktur mit unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung, als auch entsprechende Mischkristallschichten mit anderen Schichtsystemen abwechseln.
Vergleichende Versuche mit unterschiedlichen Dreh- und Frästests ergaben für Schichten der Versuche 23, 24 und 61 bis 82 im Drehen als auch im Fräsen deutliche Verbesserungen gegenüber bekannten Schichtsystemen wie TiAIN, TiN/TiAIN und AICrN. Auch im Vergleich mit CVD-Schichten konnten sowohl beim Fräsen wie auch für einige Anwendungen im Drehen verbesserte Standzeiten der Werkzeuge erzielt werden.
Wiewohl, wie oben angegeben, bereits eine ganze Reihe unterschiedlicher Schichtsysteme untersucht und getestet wurden, wird der Fachmann bei Bedarf auf bekannte Massnahmen zurückgreifen, falls er bestimmte Eigenschaften des erfindungsgemässen Schichtsystems an spezielle Anforderungen anpassen will. Beispielsweise kann der Einbau von weiteren Elemente in einzelnen oder auch allen Schichten des Systems, insbesondere aber in die Mischkristallschicht in Erwägung gezogen werden. Bekannte Elemente, die beispielsweise zumindest bei nitridischen Schichten die Hochtemperaturbeständigkeit günstig beeinflussen sind Zr, Y1 La oder Ce.
Tabelle 1
Figure imgf000024_0001
Testkörper Hartmetall
Tabe
Figure imgf000025_0001
K> Ul
Figure imgf000026_0001
K*
Figure imgf000027_0001
K*
Figure imgf000028_0001
Tabelle 7
Figure imgf000029_0001
Spulenstrom des Quellenmagnetsystems 0.5 bis 1 A Tabelle 8
Figure imgf000029_0002
Spulenstrom des Quellenmagnetsystems 0.1 bis 2 A

Claims

Ansprüche
1. PVD Schichtsystem zum Beschichten von Werkstücken, das zumindest eine
Mischkristallschicht eines Mehrfachoxids folgender Zusammensetzung umfasst: (Me11.xMe2x)2O3 wobei Me1 und Me 2 jeweils zumindest eines der Elemente AI, Cr, Fe, Li, Mg, Mn, Nb, Ti, Sb oder V umfasst und dabei die Elemente von Me1 und Me2 jeweils verschieden sind, dadurch gekennzeichnet, dass das Kristallgitter der Mischkristallschicht eine Korundstruktur aufweist, die in einem mittels Röntgendiffraktometrie gemessenen
Spektrum der Mischkristallschicht durch mindestens drei, bevorzugt vier insbesondere fünf der Korundstruktur zuzuordnenden Linien charakterisiert ist.
2 Schichtsystem nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Korundstruktur der Mischkristallschicht thermisch so stabil ist, dass sich der Gitterparameter a und/oder c der Mischkristallschicht auch nach 30 Minuten Tempern an Luft bei zumindest 1000° C, bzw. bei zumindest 1100° C um maximal 2 %, bevorzugt um maximal 1 % verschiebt.
3. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mischkristallschicht einen stöchiometrischen oder substöchiometrischen Sauerstoffgehalt aufweist.
4. Schichtsystem gemäss Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Sauerstoffgehalt 0 bis 15 %-Punkte, bevorzugt 0 bis 10 %-Punkte unter der stöchiometrischen Zusammensetzung der Verbindung liegt.
5. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mischkristallschicht feinkristallin mit einer mittleren Kristallitgrösse kleiner 0.2 μm, bevorzugt kleiner 0.1 μm liegt.
6. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Me1 AI, Me 2 zumindest eines der Elemente Cr, Fe, Li, Mg, Mn, Nb, Ti1 Sb oder V umfasst und 0.2 ≤ x ≤ 0.98, bevorzugt 0.3 ≤ x ≤ 0.95 ist.
7. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mischkristallschicht einen Gehalt an Edelgas und Halogenen von jeweils weniger als 2 at% aufweist.
8. Schichtsystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Gehalt an Edelgas in der Mischkristallschicht maximal 0,1 at%, bevorzugt maximal 0,05 at% ist und / oder derjenige der Halogene maximal 0,5 at%, bevorzugt maximal 0,1 at% ist, bzw. die Mischkristallschicht bevorzugt im Wesentlichen kein Edelgas und / oder Halogen enthält.
9. Schichtsystem nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtspannung der Mischkristallschicht so gering ist, dass die Abweichung der Gitterparameter der Mehrfachoxide von dem durch das Vegardsche Gesetz bestimmten Wert kleiner oder gleich 1 %, bevorzugt kleiner oder gleich 0.8 % ist.
10. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die an einer 2 μm dicken Mischkristallschicht gemessene Schichtspannung eine Druck- oder Zugspannung mit einem Wert kleiner ±0.8 GPa, bevorzugt kleiner ±0.5 GPa ist.
11. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mischkristallschicht eine Mehrlagenschicht aus zumindest zwei verschiedenen alternierend abgeschiedenen Mehrfachoxiden umfasst.
12. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mischkristallschicht eine Mehrlagenschicht aus zumindest einem Mehrfachoxid sowie einem weiteren Oxid in alternierender Reihenfolge umfasst.
13. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Mehrfachoxid ein Doppeloxid, insbesondere (AICr)2O3 oder
(AIV) 2O3 ISt.
14. Schichtsystem nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das weitere Oxid HfO2, Ta2O5, TiO2, ZrO2, γ-AI2O3 insbesondere aber ein Oxid in Korundstruktur, wie Cr2O3, V2O3, Fe2O3, FeTiO3, MgTiO2 oder Ct-AI2O3 ist.
15. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich zur Mischkristallschicht zumindest eine Zwischenschicht, insbesondere eine Haftschicht und / oder eine Hartschicht, zwischen Werkstück und Mischkristallschicht und / oder eine Deckschicht auf der Mischkristallschicht angeordnet ist und diese vorzugsweise eines der Metalle der
Nebengruppen IV, V1 und VI des Periodensystems und /oder AI, Si, Fe, Ni, Co, Y, La oder eine Mischung von diesen enthalten.
16. Schichtsystem nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Metalle der Hartschicht und / oder der Deckschicht Verbindungen mit N, C, O, B sind oder
Mischungen davon, wobei die Verbindung mit N, bzw. CN bevorzugt sind.
17. Schichtsystem nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Hartschicht TiN, TiCN, AITiN, AITiCN, AICrN bzw. AICrCN und die Deckschicht AICrN, AICrCN, Cr2O3 oder AI2O3, insbesonder γ-AI2O3 oder Ot-AI2O3 umfasst.
18. Schichtsystem nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht und / oder die Hartschicht eine Mehrlagenschicht umfasst.
19. Schichtsystem nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass Zwischenschicht und Mischkristallschicht bzw. Deckschicht und Mischkristallschicht als alternierende Mehrlagenschicht angeordnet sind.
20. Schichtsystem nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Schichtsystem eine Gesamtschichtdicke von grösser 10 μm, bevorzugt grösser 20 μm aufweist.
21. Schichtsystem nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Mischkristallschicht eine Schichtdicke von grösser 5 μm, bevorzugt grösser 8 μm aufweist.
22. Vakuumbeschichtungsverfahren zur Herstellung einer Mischkristallschicht eines Mehrfachoxids auf einem Werkstück, wobei eine elektrische Bogenentladung zwischen mindestens einer Anode und einer als Target ausgeführten Kathode einer Arcquelle, in einem sauerstoffhaltigen Prozessgas betrieben wird, dadurch gekennzeichnet, dass an der Oberfläche des Targets kein oder nur ein kleines, im Wesentlichen zur Target- Oberfläche senkrechtes, äusseres Magnetfeld, umfassend eine senkrechte Komponente Bz sowie eine im Wesentlichen kleinere radiale oder oberflächenparallele Komponente B1-, zur Unterstützung des Verdampfungsprozesses erzeugt wird, wobei das Target ein Legierungstarget ist, das im Wesentlichen der Zusammensetzung der Mischkristallschicht entspricht und diese in Korundstruktur abgeschieden wird.
23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Zusammensetzung der Metalle der Mischkristallschicht, nach Normierung auf den Gesamtmetallgehalt, bezüglich der entsprechenden Metallanteile um nicht mehr als 10 bevorzugt um nicht mehr als 5, insbesondere nicht mehr als 3 Prozent vom Gehalt der Targetzusam- mensetzung unterscheidet.
24. Verfahren nach Anspruch 22 und 23, dadurch gekennzeichnet, dass die senkrechte Komponente Bz an der Targetoberfläche zwischen 3 und 50, bevorzugt jedoch zwischen 5 und 25 Gauss eingestellt wird.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung des kleinen Magnetfelds, ein aus zumindest einer axial gepolten Spule bestehendes Magnetsystem, das eine dem Targetumfang ähnliche Geometrie aufweist, mit einem Erregerstrom beaufschlagt wird.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Funkenentladung, bzw. die zumindest eine Arcquelle gleichzeitig mit einem
Gleichstrom als auch mit einem Puls- bzw. Wechselstrom gespeist wird.
27. Vakuumbeschichtungsverfahren zur Herstellung einer Mischkristallschicht eines Mehrfachoxids auf einem Werkstück, indem in einem sauerstoffhaltigen Prozessgas, mit einer als Target ausgeführten ersten Elektrode einer Are- oder einer Sputterquelle sowie mit einer zweiten Elektrode eine Schicht auf das Werkstück abgeschieden wird, wobei die Quelle gleichzeitig mit einem Gleichstrom bzw. Gleichspannung als auch mit einem Puls- oder Wechselstrom bzw. einer Puls- oder Wechselspannung gespeist wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Target ein Legierungstarget ist, das im Wesentlichen der Zusammensetzung der Mischkristallschicht entspricht und diese in Korundstruktur abgeschieden wird.
28 Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Zusammensetzung der Metalle der Mischknstallschicht, nach Normierung auf den Gesamtmetallgehalt, bezüglich der entsprechenden Metallanteile um nicht mehr als 10 at%, bevorzugt um nicht mehr als 5 at%, insbesondere nicht mehr als 3 at% vom Gehalt der Targetzusammensetzung unterscheidet
29 Verfahren nach Anspruch 27 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Quelle eine Arcquelle ist und die zweite Elektrode von der Arcquelle getrennt oder als Anode der Arcquelle angeordnete ist
30 Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass beide Elektroden mit einer einzelnen Pulsstromversorgung verbunden, betrieben werden
31 Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode als Kathode einer weiteren Arcverdampferquelle betrieben wird und diese ebenfalls mit einer DC-Stromversorgung verbunden, betrieben wird
32 Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode als Kathode einer Sputterquelle betrieben wird, insbesondere einer Magnetronquelle, und diese ebenfalls mit einer Stromversorgung verbunden, betrieben wird, insbesondere mit einer DC-Stromversorgung
33 Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode als Verdampfungstiegel ausgebildet ist und als die Anode eines Niedervoltbogenverdampfers betrieben wird
34 Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass die DC-Stromversorgung und die Pulsstromversorgung mit einem elektrischen
Entkopplungsfilter entkoppelt wird, wobei dieses vorzugsweise mindestens eine Sperrdiode enthalt
35 Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 34, dadurch gekennzeichnet, dass die DC-Stromversorgung mit einem Grundstrom betrieben wird, derart dass die
Plasmaentladung an den Quellen im wesentlichen unterbrechungsfrei aufrecht erhalten wird, insbesondere an den Arcverdampferquellen
36. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass die Pulsstrom- bzw. Pulsspannungsversorgung mit Pulsflanken betrieben wird, die Steilheiten aufweisen grösser 2,0 V/ns, dass sie vorzugsweise mindestens im Bereich von 0,02 V/ns bis 2,0 V/ns liegen, vorzugsweise mindestens im Bereich von 0,1 V/ns bis 1 ,0 V/ns liegen und eine Hochleistungsentladung entsteht.
37. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass die Pulsstromversorgung mit einer Frequenz im Bereich von I kHz bis 20OkHz betrieben wird.
38. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 36, dadurch gekennzeichnet, dass die Pulsstromversorgung mit einem unterschiedlichen Pulsbreitenverhältnis eingestellt, betrieben wird.
39. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 37, dadurch gekennzeichnet, dass ein gepulstes Magnetfeld an zumindest eine Arcquelle angelegt wird.
40. Verfahren nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetfeld durch den Pulsstrom oder einem Teil des Pulstroms der Arcquelle gepulst wird.
41. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 39, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Arcquelle nicht gekühlt ist oder beheizt wird.
42. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass die Quellen mit einem Prozessgas betrieben werden welches zumindest zu 80%, bevorzugt zu 90% insbesondere bevorzugt zu 100% aus Sauerstoff besteht.
43. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 41 , dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtungstemperatur kleiner 650° C , bevorzugt kleiner 5500C eingestellt wird.
44. Ein Werkzeug oder ein Bauteil für den Einsatz bei hohen Temperaturen und/oder hoher chemischer Belastung dadurch gekennzeichnet, dass es mit einem Schichtsytem gemäss einem der Ansprüche 1 bis 21 beschichtet ist.
45. Werkzeug oder Bauteil gemäss Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass das Grundmaterial des Werkzeugs zumindest in den dem Verschleiss ausgesetzten Bereichen ein Werkzeugstahl, HSS, ein PM-Stahl oder ein HM-, Cermet- oder CBN- Sinterwerkstoffen ist, und das Grundmaterial des Bauteils zumindest in den dem Verschleiss ausgesetzten Bereichen ein Kaltarbeitsstahl, HSS, ein PM-Stahl oder ein HM-, Cermet-, SiC-, SiN- oder CBN-Sinterwerkstoffen, oder polykristaliner Diamant ist.
46. Werkzeug gemäss Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass es ein Schneidwerkzeug, insbesondere eine Wendeschneidplatte aus HSS, HM1 Cermet, CBN, SiN, SiC oder einem PM-Stahl, oder eine diamantbeschichtete Wendeschneidplatte ist.
47. Werkzeug gemäss Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass es ein Umformwerkzeug, insbesondere ein Schmiedewerkzeug ist.
48. Werkzeug gemäss Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass es ein Spritzgiesswerkzeug ist.
49. Bauteil gemäss Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauteil eine Komponente eines Verbrennungsmotors, insbesondere eine Einspritzdüse, ein Kolbenring, ein Tassenstössel, ein Turbinenblatt ist.
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