WO2007145139A1 - 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

　長手方向と短手方向とを有するスリット形状の照明光を形成するための可変スリット装置２０において、前記スリット形状の前記長手方向に沿った一対の外縁部のうちの一方の外縁部２１ａの光強度分布である第１光強度分布を設定する第１光強度分布設定部２１と、前記一対の外縁部のうちの他方の外縁部２２ａの光強度分布である第２光強度分布を設定する第２光強度分布設定部２２と、前記第１光強度分布を有する光束の第１部分と、前記第２光強度分布を有する光束の第２部分とを選択する選択部材２３，２４とを備える。

Description

明 細 書

可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 技術分野

[0001] この発明は、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソ グラフイエ程で使用される可変スリット装置、該可変スリット装置を備えた照明装置、 該照明装置を備えた露光装置、パターンを基板上に露光する露光方法及び該露光 装置または該露光方法を用いたデバイスの製造方法に関するものである。

背景技術

[0002] 半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造するリソグラフィ 工程では、マスクに形成されたパターンの像を感光剤が塗布された基板上に転写す る露光装置が使用されている。基板上に転写されるパターンの高集積化 ·微細化が 進んでおり、その結果、基板上を照明する照明光のわずかな照明ムラでさえも転写 パターンの線幅の不均一性の要因となっている。したがって、照明光の照明ムラを高 精度に制御する必要があり、例えばスリット形状の照明光に対してマスクと基板とを相 対的に走査して、マスクに形成されたパターンを基板上に転写する走查型露光装置 においては、照明光のスリット形状の長手方向の形状を変化させることにより積算露 光量を均一化させることにより照明光の照明ムラを制御する可変スリット装置が提案さ れている（例えば、米国特許第 5， 895, 737号公報参照）。

発明の開示

[0003] ところで、特許文献 1記載の可変スリット装置においては、照明光の形状を設定する スリットの長手方向に複数のブレードを備え、各ブレードをスリットの短手方向に沿つ て移動させることにより、スリットの長手方向に沿った形状を変化させている。しかしな がら、照明光の照明ムラを制御させるためには所定の時間を要する。したがって、第 1の照明条件に対応したスリット形状から第 2の照明条件に対応したスリット形状に変 更するために要する時間のために、スループットの低下を招く恐れがある。

[0004] この発明は、照明光を所望の形状に迅速に変化させることを目的とする。

[0005] この発明の 1つの態様に力かる可変スリット装置は、長手方向と短手方向とを有する スリット形状の照明光を形成するための可変スリツト装置であって、前記スリット形状の 前記短手方向を横切る外縁部のうちの、 1つの外縁部近傍を通過する第 1部分光束 の光強度分布である第 1光強度分布を設定する第 1光強度分布設定部と、前記複数 の外縁部のうちの別の 1つの外縁部近傍を通過する第 2部分光束の光強度分布であ る第 2光強度分布を設定する第 2光強度分布設定部と、前記第 1部分光束と、前記 第 2部分光束とを選択的に出力する選択部材とを備えることを特徴とする。

[0006] この発明の別の 1つの態様に力、かる可変スリット装置は、長手方向と短手方向とを 有するスリット形状の照明光を形成するための可変スリット装置であって、前記スリット 形状の前記短手方向を横切る複数の外縁部のうちの 1つの外縁部の形状を設定す る第 1形状設定部と、前記複数の外縁部のうちの別の 1つの外縁部の形状を設定す る第 2形状設定部と、前記第 1形状設定部を介する光束と、前記第 2形状設定部を介 する光束とを選択的に出力する選択部材とを備えることを特徴とする。

[0007] また、この発明の 1つの態様に力かる照明装置は、スリット形状の照明光を被照射 面上に導く照明装置において、前記照明光の形状を変更するためのこの発明の 1つ の態様または別の 1つの態様に力かる可変スリット装置を備えることを特徴とする。

[0008] また、この発明の露光装置は、所定のパターンを介した照明光により基板上にスリツ ト形状の照射領域を形成しつつ、該照射領域と前記基板との位置関係を、前記スリツ ト形状の長手方向と交差する方向に沿って変更させることにより、前記所定のパター ンを前記基板上に転写する露光装置において、前記所定のパターンに前記照明光 を照射するためのこの発明の 1つの態様に力かる照明装置を備えていることを特徴と する。

[0009] また、この発明の 1つの態様にかかる露光装置は、所定のパターンを介した照明光 を基板へ導くことによって前記所定のパターンを前記基板上に転写する露光装置に おいて、前記基板上へ導かれる前記照明光の照明条件を、少なくとも第 1照明条件 と第 2照明条件との間で変更する照明条件変更手段と、前記基板上での照明光の光 強度分布を、少なくとも前記第 1照明条件に応じた第 1光強度分布と前記第 2照明条 件に応じた第 2光強度分布との間で変更する光強度分布変更手段とを備え、前記光 強度分布変更手段は、前記第 1照明条件のもとで前記第 1光強度分布を持つ照明 光を前記基板へ導く動作中に、前記第 2光強度分布の設定動作の一部を実行する ことを特徴とする。

[0010] また、この発明の別の 1つの態様に力かる露光装置は、所定のパターンを介した照 明光を基板へ導くことによって前記所定のパターンを前記基板上に転写する露光装 置において、前記基板上での照明光の光強度分布を、第 1光強度分布と第 2光強度 分布との間で変更する光強度分布変更手段を備え、前記光強度分布変更手段は、 前記第 1光強度分布を持つ照明光を前記基板上の前記複数の区画のうちの 1つの 区画へ導く動作中と、前記 1つの区画から前記複数の区画のうちの別の 1つの区画 へ前記基板を移動させる動作中とのうちの少なくとも一方の動作中に、前記第 2光強 度分布の設定動作の一部を実行することを特徴とする。

[0011] また、この発明の 1つの態様に力かるデバイス製造方法は、この発明の露光装置を 用いて前記所定のパターンを前記基板上に露光する露光工程と、前記露光工程に より露光された前記基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。

[0012] また、この発明の 1つの態様にかかる露光方法は、所定のパターンを介した照明光 により基板上にスリット形状の照射領域を形成しつつ、該照射領域と前記基板 (W)と の位置関係を、前記スリット形状の長手方向と交差する方向に沿って変更させること により、前記所定のパターンを前記基板上に転写する露光方法において、前記スリツ ト形状の短手を横切る外縁部のうちの 1つの外縁部近傍を通過する第 1部分光束の 光強度分布である第 1光強度分布を設定する第 1光強度分布設定工程と、前記複数 の外縁部のうちの別の 1つの外縁部の光強度分布である第 2光強度分布を設定する 第 2光強度分布設定工程と、前記第 1部分光束と前記第 2部分光束とから前記光束 の第 1部分光束を選択する選択工程と、前記選択された前記第 1部分光束を用いて 、前記所定のパターンを前記基板上に転写する転写工程とを含み、前記第 2光強度 分布設定工程と前記転写工程とは同時に実行されることを特徴とする。

[0013] また、この発明の別の 1つの態様に力かる露光方法は、第 1パターン領域内に形成 される第 1パターン群と該第 1パターン領域とは異なる第 2パターン領域内に形成さ れる第 2パターン群とを有する所定のパターンを介した照明光を基板へ導くことによ つて前記所定のパターンを前記基板上に転写する露光方法にぉレ、て、前記基板上 へ導かれる前記照明光の照明条件を、少なくとも第 1照明条件と第 2照明条件との間 で変更する照明条件変更工程と、前記基板上での照明光の光強度分布を、少なくと も第 1照明条件に応じた第 1光強度分布と第 2照明条件に応じた第 2光強度分布との 間で変更する光強度分布変更工程と、前記第 1照明条件のもとで前記第 1光強度分 布を持つ照明光を前記第 1パターン群を介して前記基板上に導いて前記第 1パター ン群を前記基板 (W)上に転写する第 1転写工程と、前記第 2照明条件のもとで前記 第 2光強度分布を持つ照明光を前記第 2パターン群を介して前記基板上に導いて前 記第 2パターン群を、前記第 1転写工程によって転写された前記第 1パターン群と重 なるように前記基板上に転写する第 2転写工程とを含み、前記光強度分布変更工程 では、前記第 1転写工程の実行中に、前記第 2光強度分布の設定動作の一部を実 行することを特徴とする。

[0014] また、この発明の別の 1つの態様に力かるデバイス製造方法は、この発明の別の 1 つの露光方法を用いて、前記第 1パターン群及び前記第 2パターン群を前記基板上 に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記基板を現像する現像ェ 程とを含むことを特徴とする。

[0015] また、この発明のさらに別の態様に力かるデバイス製造方法は、基板に感光性材料 を塗布する塗布工程と、前記感光性材料が塗布された前記基板に所定のパターン を露光する露光工程と、前記所定のパターンが露光された前記基板を現像する現像 工程と、現像された前記基板に所定の処理を行う処理工程とを備え、前記塗布工程 、前記現像工程及び前記処理工程のうちの少なくとも 1つに起因する前記基板上で の線幅均一性の誤差を、前記露光工程で補正することを特徴とする。

[0016] また、この発明のさらに別の態様に力かる露光装置は、基板に感光性材料を塗布 する塗布工程と、前記感光性材料が塗布された前記基板に所定のパターンを露光 する露光工程と、前記所定のパターンが露光された前記基板を現像する現像工程と 、現像された前記基板に所定の処理を行う処理工程とを備えるデバイス製造方法の 前記露光工程で用いられる露光装置であって、前記塗布工程、前記現像工程及び 前記処理工程のうちの少なくとも 1つに起因する前記基板上での線幅均一性の誤差 を、前記露光工程で補正することを特徴とする。 図面の簡単な説明

[図 1]第 1の実施の形態に力かる露光装置の構成を示す図である。

[図 2]図 1に示した第 1の実施の形態に力、かる露光装置に用いられる可変スリット装置 の構成を示す図である。

[図 3]第 1の実施の形態にかかる可変スリット装置の第 1形状設定部の構成を示す図 である。

[図 4]第 1の実施の形態に力かる可変スリット装置の第 1選択部材が + X方向へ移動 したときの状態を説明するための図である。

[図 5]第 1の実施の形態にかかる可変スリット装置の第 2形状設定部の構成を示す図 である。

[図 6]第 1の実施の形態に力かる可変スリット装置の第 2選択部材がー X方向へ移動 したときの状態を説明するための図である。

[図 7]第 1照明条件に対応して設定されたスリット形状を示す図である。

[図 8]第 2照明条件に対応して設定されたスリット形状を示す図である。

[図 9]第 1の実施の形態に力かる可変スリット装置の第 1変形例を示す図であって、第

1選択部材力 軸に対して傾斜した状態を示す図である。

[図 10]第 1の実施の形態に力かる可変スリット装置の第 1変形例を示す図であって、 第 2選択部材力 軸に対して傾斜した状態を示す図である。

[図 11]第 1の実施の形態に力かる可変スリット装置の第 2変形例における選択部材の 構成を示す図である。

[図 12]第 1の実施の形態に力かる可変スリット装置の第 3変形例の構成を示す図であ る。

[図 13]第 2の実施の形態に力かる露光方法について説明するためのフローチャート である。

[図 14]第 3の実施の形態に力かるマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方 法を示すフローチャートである。

[図 15]第 4の実施の形態に力かるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法 を示すフローチャートである。 [図 16]第 5の実施の形態に力かる露光方法について説明するための図であり、図 14 (a)はウェハ上のショット配列を示し、図 14 (b)及び（c)はショット領域内の線幅均一 性の状態を示す図である。

[図 17]第 6の実施の形態に力かる露光方法について説明するための図であり、図 14 (a)はウェハ上のショット配列を示し、図 14 (b)はショット領域内の線幅均一性の状態 を示す図である。

[図 18]第 6の実施の形態にかかる露光方法を示すフローチャートである。

[図 19]第 7の実施の形態に力かる露光方法について説明するための図であり、ショッ ト領域内の線幅均一性の状態を示す図である。

[図 20]第 7の実施の形態に力かる露光方法について説明するための図であり、複数 のショット領域の群分けを示す図である。

[図 21]第 8の実施の形態にかかる露光方法を示すフローチャートである。

[図 22]第 9の実施の形態に力かる露光装置の構成を示す図である。

[図 23]第 9の実施の形態に力かる露光装置の動作を説明するための図である。 発明を実施するための最良の形態

[0018] 以下、図面を参照して、この発明の実施の形態に力かる露光装置について説明す る。図 1は、第 1の実施の形態に力かる露光装置の構成を示す図である。なお、以下 の説明においては、図 1中に示す XYZ直交座標系を設定し、この XYZ直交座標系 を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。 XYZ直交座標系は、 X軸及び Y軸がウェハ Wに対して平行となるように設定され、 Z軸がウェハ Wに対して直交する 方向に設定されている。また、この実施の形態ではマスク M及びウェハ Wを移動させ る方向（走查方向）を X軸方向に設定している。

[0019] 図 1に示すように、第 1の実施の形態に力かる露光装置は、露光光（照明光）を供給 するための光源 1を備えている。光源 1として、例えば約 193nmの波長を有する光を 供給する ArFエキシマレーザ光源または約 248nmの波長を有する光を供給する Kr Fエキシマレーザ光源を用いることができる。

[0020] 光源 1から射出されたほぼ平行な光束は、周知の構成を有するビーム送光系 2を介 して所定の矩形状の断面を有する光束に整形された後、偏光状態可変部 3に入射 する。ビーム送光系 2は、入射光束を適切な大きさ及び形状の断面を有する光束に 変換しつつ偏光状態可変部 3へ導くとともに、後段の偏光状態可変部 3へ入射する 光束の位置変動及び角度変動をアクティブに補正する機能を有する。

[0021] 一方、偏光状態可変部 3は、後述のウェハ Wに対する照明光（ひいてはマスク Mに 対する照明光）の偏光状態を変化させる機能を有する。具体的には、偏光状態可変 部 3は、入射した直線偏光の光を振動方向の異なる直線偏光に変換したり、入射し た直線偏光の光を非偏光の光に変換したり、入射した直線偏光の光を変換すること なくそのまま射出したりする。なお、偏光状態可変部 3は、制御部 11によりその動作 を制御されている。また、偏光状態可変部 3の詳細な構成及び作用については、米 国特許公開第 2006/0055834号公報を参照することができる。ここでは、米国特 許公開第 2006/0055834号公報を参照として援用する。

[0022] 偏光状態可変部 3により必要に応じて偏光状態の変換された光束は、ビーム形状 可変部 4を介して、マイクロレンズアレイ（またはフライアイレンズ） 5に入射する。ビー ム形状可変部 4は、例えば回折光学素子や変倍光学系などを含み、マイクロレンズ アレイ 5の入射面に形成される照野の大きさ及び形状を、ひいてはマイクロレンズァレ ィ 5の後側焦点面（照明瞳面）に形成される面光源の大きさ及び形状を変化させる機 能を有する。なお、ビーム形状可変部 4は、制御部 11によりその動作を制御されてい る。なお、マイクロレンズアレイ 5に代えて、回折光学素子や角柱状のロッド型インテ グレータのようなォプティカノレインテグレータを用いることもできる。

[0023] マイクロレンズアレイ 5に入射した光束は多数の微小レンズにより二次元的に分割さ れ、光束が入射した各微小レンズの後側焦点面には光源がそれぞれ形成される。こ うして、マイクロレンズアレイ 5の後側焦点面には、多数の光源からなる実質的な面光 源 (以下、「二次光源」という）が形成される。マイクロレンズアレイ 5の後側焦点面に形 成された二次光源からの光束は、コンデンサ光学系 6を介した後、マスクブラインド 7 を重畳的に照明する。なお、マイクロレンズアレイ 5の後側または前側に開口絞りを配 置して光束を制限することも可能である。なお、オプティカルインテグレータとしての マイクロレンズアレイ 5としては、米国特許第 6， 913， 373号公報、米国特許公開第 2 006/0109443号公報、国際特許公開 WO2006/070580号パンフレツ卜を参照 すること力 Sできる。ここでは、米国特許第 6, 913， 373号公報、及び米国特許公開第 2006/0109443号公報を参照として援用する。

[0024] こうして、照明視野絞りとしてのマスクブラインド 7には、マイクロレンズアレイ 5を構成 する各微小レンズの形状と焦点距離とに応じた矩形状の照野 7a (図 2参照）が形成さ れる。マスクブラインド 7の矩形状の開口部（光透過部）を介した光束は、長手方向と 短手方向とを有するスリット形状 20a (図 7及び図 8参照）の照明光を形成するための 可変スリット装置 20を通過する。可変スリット装置 20は、マスク M及びウェハ Wと光学 的に共役な位置またはその近傍、即ちマスクブラインド 7の近傍に配置されている。 なお、マスクブラインド 7の詳細な構成及び作用については、米国特許第 6, 608， 6 65号公報を参照することができる。なお、ここでは、国特許第 6， 608， 665号公報を 参照として援用する。

[0025] 図 2は、可変スリット装置 20の構成を示す図である。図 2に示すように、可変スリット 装置 20は、第 1形状設定部 21、第 2形状設定部 22、第 1選択部材 23及び第 2選択 部材 24を備えている。第 1形状設定部 21及び第 1選択部材 23は、照野 7aの X方 向側に配置されている。

[0026] 第 1形状設定部 21は、外縁部 21a近傍を通過する第 1部分光束 7alの光強度分布 である第 1光強度分布を設定する。図 3は、第 1形状設定部 21の構成を示す図であ る。図 3に示すように、第 1形状設定部 21は第 1光強度分布を設定するための外縁部 21aの縁形状を形成するための複数（この実施の形態においては 10個）のブレード 2 lcを備えている。複数のブレード 21cは、ステンレス等の完全遮光部材により形成さ れており、照明光の光軸 AXと直交する面 (XZ平面）内に配置され、 Z方向に沿って 櫛歯状に隙間なく配置されている。各ブレード 21cには駆動部 21dが接続されており 、各駆動部 21dの駆動にしたがってブレード 21cはそれぞれ独立して X方向に沿って 移動可能に構成されている。なお、駆動部 21dは、制御部 11によりその駆動を制御 されている。

[0027] 第 1選択部材 23は、図 2に示すように、 Z方向に延びた直線形状のエッジ部 23aを 備えており、第 1形状設定部 21の複数のブレード 21cの _Y方向側、即ち光入射側 に配置されている。第 1選択部材 23には駆動部 23bが接続されており、第 1選択部 材 23は駆動部 23bの駆動にしたがって X方向に沿って移動可能に構成されている。 なお、駆動部 23bは、制御部 11によりその駆動を制御されている。

[0028] 図 4に示すように、第 1選択部材 23が第 1形状設定部 21に対して +X方向に沿つ て移動することにより、第 1形状設定部 21により設定された外縁部 21a (図 3参照）は 第 1選択部材 23により覆い隠される。即ち、第 1形状設定部 21により設定された第 1 光強度分布を有する第 1部分光束光束 7alが遮光され (正確には、第 1形状設定部 21により生成される第 1光強度分布を有する第 1部分光束 7alに対応する入射光束 を遮光する）、スリット形状 20aの長手方向に沿った— X方向側の外縁部の縁形状は 第 1選択部材 23のエッジ部 23aの形状、即ち直線形状となる（図 8参照）。また、第 1 選択部材 23が第 1形状設定部 21に対して— X方向に沿って移動することにより、第 1形状設定部 21により設定された外縁部 21aは第 1選択部材 23により覆い隠されな レ、ようになるため、スリット形状 20aの長手方向に沿った— X方向側の外縁部の縁形 状は第 1形状設定部 21により設定された外縁部 21aとなる（図 7参照）。このように第 1選択部材 23は、第 1部分光束 7alの通過'非通過を選択する。

[0029] また、第 2形状設定部 22及び第 2選択部材 24は、照野 7aの +X方向側に配置され ている。図 5は、第 2形状設定部 22の構成を示す図である。図 5に示すように、第 2形 状設定部 22は外縁部 22a近傍を通過する第 2部分光束 7a2の光強度分布である第 2光強度分布を形成するための複数 (この実施の形態においては 10個）のブレード 2 2cを備えている。複数のブレード 22cは、ステンレス等の完全遮光部材により形成さ れており、照明光の光軸 AXと直交する面 (XZ平面）内に配置され、 Z方向に沿って 櫛歯状に隙間なく配置されてレ、る。各ブレード 22cには駆動部 22dが接続されており 、各駆動部 22dの駆動にしたがってブレード 22cはそれぞれ独立して X方向に沿って 移動可能に構成されている。なお、駆動部 22dは、制御部 11によりその駆動を制御 されている。

[0030] 第 2選択部材 24は、図 2に示すように、 Z方向に延びた直線形状のエッジ部 24aを 備えており、第 2形状設定部 22の複数のブレード 22cの一 Y方向側、即ち光入射側 に配置されている。第 2選択部材 24には駆動部 24bが接続されており、第 1選択部 材 24は駆動部 24bの駆動にしたがって X方向に沿って移動可能に構成されている。 なお、駆動部 24bは、制御部 11によりその駆動を制御されている。

[0031] 図 6に示すように、第 2選択部材 24が第 2形状設定部 22に対して— X方向に沿つ て移動することにより、第 2形状設定部 22により設定された外縁部 22aは第 2選択部 材 24により覆い隠される。即ち、第 2形状設定部 22により設定された第 2光強度分布 を有する第 2部分光束 7a2が遮光され (正確には、第 2形状設定部 22により生成され る第 2光強度分布を有する第 2部分光束 7a2に対応する入射光束を遮光する）、スリ ット形状 20aの長手方向に沿った + X方向側の外縁部の縁形状は第 2選択部材 24 のエッジ部 24aの形状、即ち直線形状となる（図 7参照）。また、第 2選択部材 24が第 2形状設定部 22に対して + X方向に沿って移動することにより、第 2形状設定部 22 により設定された外縁部 22aは第 2選択部材 24により覆い隠されないようになるため 、スリット形状 20aの長手方向に沿った + X方向側の外縁部の縁形状は第 2形状設 定部 22により設定された外縁部 22aとなる（図 8参照）。

[0032] 可変スリット装置 20は、一例としてマスク Mを照明する照明条件に対応して、照明 光の形状、即ちスリット形状 20aを形成する。マスク Mを照明する照明条件について は後述する。制御部 11は、例えばマスク Mを照明する第 1の照明条件に対応した第 1の光強度分布を、第 1形状設定部 21により設定した場合、第 1選択部材 23を第 1 形状設定部 21に対して X方向に移動させ、第 2選択部材 24を第 2形状設定部 22 に対して— X方向に移動させる。その結果、可変スリット装置 20により図 7に示すよう なスリット形状 20a (ドットで示す領域）が形成される。図 7に示すスリット形状 20aは、 第 1形状設定部 21による第 1部分光束 7alと第 3部分光束 7a3とから形成される。こ の第 3部分光束 7a3は、第 1選択部材 23及び第 2選択部材 24によって遮光されない 部分光束である。

[0033] また、例えばマスク Mを照明する第 2の照明条件に対応した第 2の光強度分布を、 第 2形状設定部 22により設定した場合、第 1選択部材 23を第 1形状設定部 21に対し て + X方向に移動させ、第 2選択部材 24を第 2形状設定部 22に対して + X方向に移 動させる。その結果、可変スリット装置 20により図 8に示すようなスリット形状 20a (ドッ トで示す領域）が形成される。図 8に示すスリット形状 20aは、第 2形状設定部 22によ る第 2部分光束 7a2と第 3部分光束 7a3とから形成される。 [0034] なお、第 1選択部材 23が第 1形状設定部 21の外縁部 21aを覆い隠している間に、 第 1形状設定部 21は、複数のブレード 21cを駆動させることにより所定の照明条件に 対応した外縁部の縁形状を形成する。同様に、第 2選択部材 24が第 2形状設定部 2 2の外縁部 22aを覆い隠している間に、第 2形状設定部 22は、複数のブレード 22cを 駆動させることにより所定の照明条件に対応した外縁部の縁形状を形成する。したが つて、照明条件が変更された場合においても、照明条件に対応した照明光の光強度 分布に迅速に変更することができる。

[0035] 図 1に戻って、可変スリット装置 20を通過した光束は、可変スリット装置 20により設 定されたスリット形状 20aとなり、結像光学系 8の集光作用を受けた後、所定のパター ンが形成されたマスク（被照射面） Mを重畳的に照明する。このマスク Mは、マスク側 干渉計 IFmにより座標管理されているマスクステージ MS上に載置されており、走查 方向（±X方向）に移動可能である。ここで、上述のマスクブラインド 7は、結像光学系 8によってマスク Mのパターン面（被照射面）と光学的に共役な位置（ウェハ W面と光 学的に共役な位置）に配置されており、可変スリット装置 20の複数のブレード 21c、 2 2cは被照射面と共役な位置から若干デフォーカスした位置に配置されてレ、る。なお 、光源 1、ビーム送光系 2、偏光状態可変部 3、ビーム形状可変部 4、マイクロレンズァ レイ 5、コンデンサ光学系 6、マスクブラインド 7、可変スリット装置 20、結像光学系 8は 、照明装置を構成している。

[0036] マスク Mのパターンを透過した光束は、投影光学系 PLを介して、感光性基板であ るウェハ（基板) W上に可変スリット装置 20により設定されたスリット形状 20aの照射領 域を形成する。このウェハ Wは、ウェハ側干渉計 IFwにより座標管理されているゥェ ハステージ WS上に載置されており、図中 XY平面内に移動可能となっている。そし て、照射領域とウェハ Wとの位置関係をスリット形状 20aの長手方向と交差する方向（ X方向）に沿って変更することにより、マスクパターンをウェハ W上に転写露光する。 即ち、投影光学系 PLの光軸 AXと直交する平面内にぉレ、てウェハ Wを走查方向に 移動させながらスキャン露光を行うことにより、ウェハ Wの各露光領域にはマスク Mの パターンが逐次露光される。

[0037] なお、ウェハ Wは、例えば直径が 200mm又は 300mm等の円板状の基板である。 また、薄膜磁気ヘッド製造用のセラミックス基板や液晶表示素子製造用のフォトレジ スト (感光材料）が塗布された 1辺又は対角線が 500mmよりも大きい矩形の平板状 のガラスプレートを基板としてもよい。投影光学系 PLとしては、屈折系の他に、反射 屈折光学系や反射光学系を使用することができ、また、その内部に中間像を形成す る光学系であってもよい。

[0038] ここで、図 1に示す露光装置は、ウェハ Wに対する照明光の偏光状態を測定するた めの偏光状態測定装置 9と、照明光の光量を検出するための光量検出部 10とを備 えている。偏光状態測定装置 9の測定結果及び光量検出部 10の検出結果は、制御 部 11に対して出力される。制御部 11は、偏光状態測定装置 9の測定結果から偏光 状態可変部 3の動作を制御し、光量検出部 10の検出結果から光源 1の出力を制御 する。また、制御部 11は、マスク Mのパターン特性 (微細度、方向性など）に応じて、 偏光状態可変部 3及びビーム形成可変部 4の動作をそれぞれ制御する。また、制御 部 11は、照明条件、即ち偏光状態可変部 3及びビーム形成可変部 4の設定等に基 づいて、可変スリット装置 20により形成されるスリット形状 20aを設定する。即ち、偏光 状態可変部 3及びビーム形成可変部 4の設定により発生する照明光の照明ムラによ る積算露光量の不均一性を補正するために、可変スリット装置 20により形成されるス リット形状 20aを変更する。

[0039] 第 1の実施の形態に力かる露光装置によれば、第 1の照明条件に対応した第 1光 強度分布を設定する第 1形状設定部 21と、第 2の照明条件に対応した第 2光強度分 布を設定する第 2形状設定部 22と、第 1光強度分布と第 2光強度分布とを容易かつ 迅速に選択することができる第 1選択部材 23及び第 2選択部材 24とを有する可変ス リット装置 20を備えているため、照明条件に応じた照明ムラを補正するための所望の スリット形状を有する照明光を迅速に形成することができ、高スループットでマスク M のパターンをウェハ W上に高精度に露光することができる。

[0040] なお、第 1の実施の形態に力、かる可変スリット装置 20においては、第 1選択部材 23 及び第 2選択部材 24が X方向にのみ移動可能に構成されている力 S、X方向への移 動に加えて第 1選択部材 23及び第 2選択部材 24の少なくとも一方が Z軸に対して傾 斜可能 (Y軸（光束の進行方向）を中心として回転可能）に構成されるようにしてもよ レ、。

[0041] 図 9及び図 10は、第 1の実施の形態にかかる可変スリット装置の第 1変形例を示す 図であって、図 9は第 1選択部材 23を Z軸に対して傾斜させた状態を示す図、図 10 は第 2選択部材 24を Z軸に対して傾斜させた状態を示す図である。第 1選択部材 23 及び第 2選択部材 24の少なくとも一方を Z軸に対して傾斜可能とすることにより、 Z方 向におレ、て所定の傾きを有する照度不均一性を補正することができる。

[0042] また、第 1の実施の形態に力、かる可変スリット装置 20においては、第 1選択部材 23 及び第 2選択部材 24を備えているが、図 11に示す第 2変形例のように、第 1選択部 材及び第 2選択部材がー体的に形成されている選択部材 25を備えるようにしてもよ レ、。選択部材 25は X方向に移動可能に構成されており、選択部材 25を—X方向に 移動させることにより第 2形状設定部 22により設定された外縁部 22a (第 2部分光束 7 a2)は選択部材 25により覆い隠され、第 1形状設定部 21により設定された外縁部 21 a (第 1部分光束 7al)は選択部材 25により覆い隠されないようになる。従って、図 11 に示すようなスリット形状 20aが形成される。また、選択部材 25を + X方向に移動させ ることにより第 2形状設定部 22により設定された外縁部 22a (第 2部分光束 7a2)は選 択部材 25により覆い隠されず、第 1形状設定部 21により設定された外縁部 21a (第 1 部分光束 7al)は選択部材 25により覆い隠される。これにより、スリット形状 20aの— X側の長手方向の形状は選択部材 25により形成される直線形状となり、スリット形状 20aの +X側の長手方向の形状は第 2形状設定部 22により設定された外縁部 22aの 形状となる。なお、選択部材 25を Z軸に対して傾斜可能に構成してもよい。

[0043] また、第 1の実施の形態に力かる可変スリット装置 20においては、第 1選択部材 23 及び第 2選択部材 24が第 1形状設定部 21及び第 2形状設定部 22に対して一体的 に X方向に移動しているが、第 1形状設定部 21及び第 2形状設定部 22が第 1選択 部材 23及び第 2選択部材 24に対して一体的に X方向に移動するようにしてもよい。 また、第 1形状設定部 21及び第 1選択部材 23、第 2形状設定部 22及び第 2選択部 材 24の少なくとも 1つ力 ¾：方向に移動するようにしてもよい。

[0044] また、第 1の実施の形態に力、かる可変スリット装置 20においては、複数のブレード 2 lc及び 22cが完全遮光部材により形成されているが、濃度分布 (透過率分布）を有 する複数のブレード (光強度分布設定部）を備えるようにしてもよい。ここで、濃度分 布 (透過率分布）を有する光強度分布設定部として米国特許第 6， 404， 499号公報 に開示される修正装置を用いることができ、濃度分布 (透過率分布）を有する複数の ブレードとして米国特許公開第 2005Z0140957号公報に開示される光減衰器の 可動要素を用いることができる。ここでは、米国特許第 6， 404, 499号公報及び米国 特許公開第 2005/0140957号公報を参照として援用する。

[0045] また、第 1の実施の形態に力、かる可変スリット装置 20においては、複数のブレード 2 lcのそれぞれ力 ¾方向に移動可能に構成されている力 S、複数のブレード 21cの少な くとも 1つが移動可能に構成されていればよい。同様に、複数のブレード 22cのそれ ぞれが X方向に移動可能に構成されている力 複数のブレード 22cの少なくとも 1つ が移動可能に構成されていればよい。

[0046] また、第 1の実施の形態に力、かる可変スリット装置 20においては、光源 1側からの光 路中に選択部材 23、第 1形状設定部 21の順に配置しているが、第 1形状設定部 21 、選択部材 23の順に配置するようにしてもよい。同様に、選択部材 24、第 2形状設定 部 22の順に配置しているが、第 2形状設定部 22、選択部材 24の順に配置するよう にしてもよい。

[0047] また、選択部材 23、 24と第 1及び第 2形状設定部 21、 22との間に結像光学系を介 在させ、選択部材 23、 24と第 1及び第 2形状設定部 21、 22とを互いに光学的に共 役な配置としてもよい。

[0048] また、第 1の実施の形態に力かる照明装置においては、マスクブラインド 7により矩 形状の照野 7aを形成しているが、図 12に示す第 3変形例のように、円弧状（弓状）の 照野を形成するようにしてもよい。この場合には、直線形状のエッジ部 23a， 24aを有 する第 1選択部材 23及び第 2選択部材 24から円弧状（弓状）のエッジ部 26a, 27aを 有する第 1選択部材 26及び第 2選択部材 27に置き換える必要がある。

[0049] また、第 1の実施の形態においては、第 1選択部材 23、第 2選択部材 24を X方向に 移動させて第 1形状設定部 21または第 2形状設定部 22により設定されたスリット形状 の長手方向の形状を選択しているが、可変スリット 20に入射する光束自体をスリット 形状の短手方向に移動させることにより、第 1形状設定部 21または第 2形状設定部 2 2により設定されたスリット形状の長手方向の形状を選択してもよい。この場合には、 可変スリット装置の光源側の光路中に光路を傾斜させることが可能な平行平板や光 路折り曲げ鏡を配置し、これらの平行平板又は光路折り曲げ鏡を傾斜させることによ り光束をシフトさせる。これらの傾斜可能な平行平板又は光路折り曲げ鏡は選択部材 と見なすことができる。

[0050] また、第 1の実施の形態に力、かる可変スリット装置においては、 2つの照明条件に応 じた 2つのスリット形状を形成している力 3つ以上の照明条件に応じた 3つ以上のス リット形状を形成することができる。即ち、第 1の照明条件に応じて第 1形状設定部 21 (または第 2形状設定部 22)により形成された第 1のスリット形状を有する照明光により 転写露光している間に、第 2選択部材 24ほたは第 1選択部材 23)に覆われている 第 2形状設定部 22 (または第 1形状設定部 21)により第 2の照明条件に応じて第 2の スリット形状を形成する。そして、第 2のスリット形状を有する照明光により転写露光し ている間に、第 1選択部材 23ほたは第 2選択部材 24)に覆われている第 1形状設定 部 21 (または第 2形状設定部 22)により第 3の照明条件に応じて第 3のスリット形状を 形成する。このように、スループットを低下させることなぐ様々な照明条件に応じた様 々なスリット形状を順次形成することができる。

[0051] 次に、図 13に示すフローチャートを参照して、第 2の実施形態にかかる露光方法と して、第 1の実施の形態に力かる露光装置を用いた露光方法について説明する。な お、第 2の実施の形態にかかる露光方法においては、第 1パターン領域内に形成さ れる第 1パターン群と、第 2パターン領域内に形成される第 2パターン群とを有するマ スク Mを用いて、第 1パターン群が転写されたウェハ W上に重なるように第 2パターン 群を転写する二重露光を例に挙げて説明する。

[0052] まず、第 1パターン領域内に形成された第 1パターン群をウェハ W上に転写露光す る。即ち、制御部 11は、第 1パターン群の線幅や方向性などに応じた第 1照明条件 に基づいて偏光状態可変部 3及びビーム形成可変部 4の動作をそれぞれ制御する。 即ち、第 1照明条件に変更する (ステップ S10、照明条件変更工程)。

[0053] 次に、制御部 11は、第 1照明条件により発生する照明光の照明ムラによる積算露 光量の不均一性を補正するために、第 1形状設定部 21の外縁部 21aの光強度分布 である第 1光強度分布を設定する (ステップ S l l、第 1光強度分布設定工程)。具体 的には、複数のブレード 21cをそれぞれ駆動させることにより、外縁部 21aの縁形状 を形成する。ここで、第 1照明条件により発生する照明光の照明ムラは予め測定され ており、図示しない記憶部等に記憶されている。また、記憶部等に記憶されている照 明ムラによる積算露光量の不均一性を補正するための外縁部 21aの光強度分布、即 ち各ブレード 21 cの移動量も予め算出されており、図示しない記憶部に記憶されてい る。なお、第 1照明条件により発生する照明光の照明ムラを光量検出部 10により検出 し、検出結果から照明ムラによる積算露光量の不均一性を補正するための外縁部 21 aの光強度分布、即ち複数のブレード 21cの移動量を算出するようにしてもよい。

[0054] 次に、制御部 11は、第 1照明条件により発生する照明光の照明ムラによる積算露 光量の不均一性を補正するために、第 1形状設定部 21により外縁部 21aの光強度 分布を有する光束部分 (光束の第 1部分)を選択する (ステップ S 12、選択工程)。具 体的には、第 1選択部材 23及び第 2選択部材 24を第 1形状設定部 21及び第 2形状 設定部 22に対して X方向に沿って移動させ、第 2形状設定部 22の外縁部 22aを 覆い隠し、スリット形状 20aの +X方向側の外縁部の縁形状を第 2選択部材 24のエツ ジ部 24aの形状、即ち直線形状とする。一方、スリット形状 20aの—X方向側の外縁 部の縁形状を第 1形状設定部 21の各ブレード 21cにより形成された形状とする。こう して、スリット形状 20aが形成される。

[0055] 次に、ステップ S12において形成されたスリット形状 20aを通過した照明光により照 明された第 1パターン群を、マスク M及びウェハ Wを照明装置及び投影光学系 PLに 対して走査方向（Y方向）に走査させつつ、ウェハ W上に転写露光する（ステップ S 1 3、第 1転写工程)。ステップ S 13において第 1パターン群を転写露光している間に、 制御部 11は、第 2パターン群の線幅や方向性などに応じた第 2照明条件により発生 する照明光の照明ムラによる積算露光量の不均一性を補正するために、第 2形状設 定部 22により外縁部 22aの光強度分布である第 2光強度分布の設定動作の一部を 実行する (ステップ S 14、第 2光強度分布設定工程)。即ち、第 2形状設定部 22が第 2選択部材 24に覆われた状態で、複数のブレード 22cをそれぞれ駆動させることによ り、外縁部 22aの縁形状を形成する。ここで、第 2照明条件により発生する照明光の 照明ムラは予め測定されており、図示しない記憶部等に記憶されている。また、記憶 部等に記憶されている照明ムラによる積算露光量の不均一性を補正するための外縁 部 22aの光強度分布、即ち各ブレード 22cの移動量も予め算出されており、図示しな い記憶部に記憶されている。なお、第 2照明条件により発生する照明光の照明ムラを 光量検出部 10により検出し、検出結果から照明ムラによる積算露光量の不均一性を 補正するための外縁部 22aの光強度分布、即ち複数のブレード 22cの移動量を算出 するようにしてもよい。

[0056] ステップ S13における第 1パターン群の転写露光が終了した後、制御部 11は、偏 光状態可変部 3及びビーム形成可変部 4をそれぞれ制御し、第 2照明条件に変更す る（ステップ S15、照明条件変更工程)。

[0057] 次に、制御部 11は、第 2照明条件により発生する照明光の照明ムラによる積算露 光量の不均一性を補正するために、第 2形状設定部 22により外縁部 22aの光強度 分布を有する光束部分 (光束の第 2部分)を選択する (ステップ S16、別の選択工程） 。具体的には、第 1選択部材 23を第 1形状設定部 21に対して +X方向に沿って移動 させ、第 1形状設定部 21の外縁部 21aを覆い隠し、スリット形状 20aの X方向側の 外縁部の縁形状を第 1選択部材 23のエッジ部 23aの形状、即ち直線形状とする。同 時に、第 2選択部材 24を第 2形状設定部 22に対して +X方向に沿って移動させ、ス リット形状 20aの +X方向側の外縁部の縁形状を第 2形状設定部 22の外縁部 22aの 形状とする。こうして、スリット形状 20aが形成され、第 2光強度分布の設定動作の全 部が実行されたこととなる。次に、ステップ S16において選択されたスリット形状 20aを 通過した照明光により照明された第 2パターン群を、マスク M及びウェハ Wを照明装 置及び投影光学系 PLに対して走查方向（Y方向）に走查させつつ、ウェハ W上に転 写露光する（ステップ S17、第 2転写工程)。次に、第 1形状設定部 21の外縁部 21a の光強度分布を有する光束部分を選択し、第 2パターン群が転写されたウェハ W上 に重なるように第 1パターン群を転写露光する。このように、第 1パターン群及び第 2 パターン群を順次重ね合わせ露光してレ、く。第 1パターン群及び第 2パターン群が重 ねて転写露光されたウェハ Wは、露光装置から現像装置に搬送され、現像装置にお いて現像される（現像工程)。 [0058] 第 2の実施の形態に力かる露光方法によれば、第 2パターン群に対応した第 2光強 度分布の設定と、第 1パターン群のウェハ上への転写とが同時に実行されるため、第 2光強度分布が選択された際に、第 2光強度分布を有するスリット形状に迅速に変更 することができ、高スループットで高精度な露光を行うことができる。

[0059] なお、第 2の実施の形態にかかる露光方法においては、第 1パターン領域内に形 成される第 1パターン群と、第 2パターン領域内に形成される第 2パターン領域内に 形成される第 2パターン群とを有するマスクを用いて露光を行っているが、第 1パター ン群と第 2パターン群とが別々に形成されているマスクを用いて露光を行うようにして もよレ、。また、第 2の実施の形態にかかる露光方法においては、 2重露光を例に挙げ て説明しているが、 2重露光以外の露光についてもこの発明を適用することができる

[0060] 第 1の実施の形態に力かる露光装置では、投影光学系を用いて所定のパターンを 感光性基板（ウェハ）に露光する（露光工程)ことにより、マイクロデバイス（半導体素 子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、第 3の実施の形態として、第 1の実施の形態に力かる露光装置を用いて感光性基板とし てのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとして の半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図 14のフローチャートを参照して説 明する。

[0061] 先ず、図 14のステップ S301において、ウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステ ップ S302において、ウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ス テツプ S303において、上述の実施の形態に力かる露光装置を用いて、第 1照明条 件に応じて形成された第 1のスリット形状を有する照明光により照明された第 1パター ンが投影光学系を介して、ウェハ上の 1番目のショット領域に走查露光される。そして 、第 1照明条件から変更された第 2照明条件に応じて形成された第 2のスリット形状を 有する照明光により照明された第 2パターンが投影光学系を介して、ウェハ上の 2番 目のショット領域に走查露光される。次に、第 1照明条件に応じて形成された第 1のス リット形状を有する照明光により照明された第 1パターンが、第 2のパターンが露光さ れた 2番目のショット領域に重ね合わせ露光されて、第 2照明条件に応じて形成され た第 2のスリット形状を有する照明光により照明された第 2パターンが投影光学系を介 して、ウェハ上の 3番目のショット領域に走査露光される。このようにして、各ショット領 域に第 1パターン及び第 2パターンを順次重ね合わせ露光していく。

[0062] その後、ステップ S304において、ウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ス テツプ S305において、ウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うこ とによって、所定のパターンに対応する回路パターン力 ウェハ上の各ショット領域に 形成される。

[0063] その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行なレ、、ウェハから複数のデバ イスに切断され、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製 造方法によれば、上述の実施の形態に力かる露光装置を用いて露光を行なっている ため、高スループットで高精度な半導体デバイスを製造することができる。なお、ステ ップ S301〜ステップ S305では、ウェハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジスト を塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っている力 これらの工程に先 立って、ウェハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを 塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行ってもよいことはいうまでもない

[0064] また、第 1の実施の形態に力かる露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定の パターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイス としてのフラットパネルディスプレイ (典型的には液晶表示素子）を得ることもできる。 以下、図 15のフローチャートを参照して、第 4の実施の形態として、フラットパネルデ イスプレイとしての液晶表示素子を得るときの手法の一例につき説明する。まず、図 1 5において、パターン形成工程 S401では、上述の実施の形態にかかる露光装置を 用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写 露光する、所謂光リソグラフイエ程が実行される。即ち、第 1照明条件に応じたスリット 形状を有する照明光により照明された第 1パターンが投影光学系を介して、感光性 基板上の 1番目の領域に走查露光され、第 2照明条件に応じたスリット形状を有する 照明光により照明された第 2パターンが投影光学系を介して、感光性基板上の 2番 目の領域に走查露光される。次に、第 1パターンが第 2のパターンが露光された 2番 目の領域に重ね合わせ露光され、第 2パターンが感光性基板上の 3番目のショット領 域に走査露光される。このようにして、第 1パターン及び第 2パターンを順次重ね合わ せ露光していく。この光リソグラフイエ程によって、感光性基板上には多数の電極等 を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エツチン グ工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターン が形成され、次のカラーフィルタ形成工程 S402へ移行する。

[0065] 次に、カラーフィルタ形成工程 S402では、 R (Red)、 G (Green)、 B (Blue)に対応し た 3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、または R、 G、 Bの 3本のストラ イブのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成 する。そして、カラーフィルタ形成工程 S402の後に、セル組み立て工程 S403が実 行される。セル組み立て工程 S403では、パターン形成工程 S401にて得られた所定 パターンを有する基板、及びカラーフィルタ形成工程 S402にて得られたカラーフィ ルタ等を用いて液晶パネル (液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程 S403では 、例えば、パターン形成工程 S401にて得られた所定パターンを有する基板とカラー フィルタ形成工程 S402にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶 パネル (液晶セル）を製造する。

[0066] その後、モジュール組み立て工程 S404にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セ ノレ）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示 素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の実施の形 態に力かる露光装置を用いて露光を行なっているため、高スループットで高精度な 液晶表示素子を製造することができる。

[0067] さて、第 2の実施の形態にかかる露光方法においては、多重露光を例に挙げて説 明しているが、多重露光以外の露光についてもこの発明を適用することができる。

[0068] 例えば、ウェハ W上の複数の区画（ショット領域）にパターンを露光する場合、ショッ ト領域内の線幅均一性（ショット領域内の線幅のバラツキ）の分布がウェハ W上のショ ット領域の位置によって異なる性状を呈する場合がある。

[0069] ここで、転写されるパターンの線幅の変化とパターン転写時の露光量の変化とは相 関関係があるため、積算露光量の分布をショット領域内で局所的に変化させることに より（ショット領域を所定の露光量分布の露光光で露光することにより）、ショット領域 内の線幅を局所的に変化させて、ショット領域内の線幅均一性 (ショット領域内の線 幅のバラツキ）の分布を所定の分布（典型的には均一）にすることができる。

[0070] ショット領域内の線幅均一性の分布がウェハ W上のショット領域の位置によって異 なる性状を呈する要因としては、露光装置起因や、露光装置による露光とは別のプロ セス起因、或いはウェハ起因（典型的にはウェハ平坦性起因）などが考えられる。

[0071] まず、第 5の実施の形態として、露光装置起因によるショット領域内の線幅均一性 のバラツキの分布を補正した露光方法について説明する。第 5の実施の形態では、 上述した第 1の実施の形態に力かる露光装置を用いてウェハ W上に露光を行う。

[0072] 図 16 (a)は、第 5の実施の形態におけるウェハ W上のショット配列を示す。この図 1 6 (a)において、ウェハ W上には X方向及び Y方向に所定ピッチで多数のショット領域 (代表的にショット領域 A1〜A6で表す）が形成されている。

[0073] 図 16 (a)に矢印で示すように、露光装置はウェハ Wを— Y方向に移動（走査）させ つつショット領域 A1への露光を行った後に、ウェハ Wを X方向へステッピングさせ 、ウェハ Wを + Y方向に移動（走査）させつつショット領域 A2への露光を行う。同様 に残りのショット領域へもウェハ Wを + Y方向又は Y方向へ移動（走査）させつつ露 光を行う。

[0074] ここで、走査方向（+ Y方向， Y方向）に依存して、レチクルとウェハの同期精度 誤差の性状が異なる場合には、 Y方向への走査によって露光されるショット領域 A 1 , A3, A5における線幅均一性の分布と、 +Y方向への走査によって露光されるシ ヨット領域 A2, A4, A6における線幅均一性の分布とが異なる分布となってしまう。図 16 (b)にショット領域 Al， A3, A5における線幅均一性の分布を示し、図 16 (c)にシ ヨット領域 A2, A4, A6における線幅均一性の分布を示す。

[0075] 第 5の実施の形態に力かる露光方法では、例えば— Y方向にウェハ Wを移動させ つつショット領域 A1 , A3, A5へ走查露光する場合に、第 1形状設定部 21によって 第 1の光強度分布を設定しつつ第 2選択部材 24で第 2形状設定部を覆い隠した状 態とし、—Y方向にウェハ Wを移動させつつショット領域 A2， A4, A6へ走查露光す る場合に、第 2形状設定部 22によって第 2の光強度分布を設定しつつ第 1選択部材 23で第 1形状設定部を覆い隠した状態とすることで、走査方向の正逆に応じて積算 露光量の分布を切り換える（照度ムラ補正状態を切り換える）ことができ、ひいては走 查方向の正逆に応じた線幅均一性の分布の変動を防止できる。

[0076] このとき、第 1及び第 2選択部材の切替動作は、ステッピング動作時に行うことがで きる。これにより、積算露光量の分布の切替 (照度ムラ補正状態の切替)動作に要す る時間に律速されることなぐ高スループットのもとで各ショット領域の線幅均一性を 向上させることができる。

[0077] なお、第 5の実施の形態において、走查方向の正逆に応じた線幅均一性の分布の 変動は、ウェハ依存性の無いシステマチックな誤差成分と見なせるため、第 5の実施 の形態における各ショット領域ごとの各ブレード 21c, 22cの駆動量は、少なくとも 1つ のロット処理中では一定である。

[0078] また、例えばウェハ W内のショット領域の位置に依存して同期精度やディフォー力 ス状態が異なってしまう場合には、線幅均一性の分布がウェハ W内のショット領域の 位置ごとに異なってしまうことがある。

[0079] 以下、図 17を参照して、露光装置起因によるショット領域内の線幅均一性のバラッ キの分布を補正した露光方法の第 6の実施の形態について説明する。第 6の実施の 形態では、上述した第 1の実施の形態に力かる露光装置を用いてウェハ W上に露光 を行う。図 17 (a)はウェハ W上のショット配列を示し、図 17 (b)はショット領域内の線 幅均一性の状態を示す。

[0080] 図 17 (a)において、ウェハ W上には X方向及び Y方向に所定ピッチで多数のショッ ト領域 (A1〜H6で表す）が形成されている。ここで、例えば図 17 (b)に示すように、 各ショット領域（代表的にショット領域 A3, B2, B7, El , E4, E8, G2, G7, H3を示 す）間において、線幅均一性の状態が互いに異なっている。

[0081] 第 6の実施の形態にかかる露光方法の手順の一例を図 18のフローチャートを参照 して説明する。

[0082] なお、以下に説明する露光手順の前に、ウェハ W内のショット領域の位置ごとに線 幅均一性の分布が計測され、これら線幅均一性の分布のバラツキを均一にするため の可変スリット装置 20の各ブレード 21c， 22cの駆動量が算出されているものとする。 なお、第 6の実施の形態において、ウェハ W内のショット領域の位置ごとの線幅均一 性の分布のバラツキは、ウェハ依存性の無レ、システマチックな誤差成分と見なせるた め、第 6の実施の形態における各ショット領域ごとの各ブレード 21c, 22cの駆動量は 、少なくとも 1つのロット処理中では一定である。

まず、ウェハ露光開始位置へウェハ Wを移動させる。このとき、第 1形状設定部 21 の複数のブレード 21cによる外縁部 21aの形状設定と、第 2形状設定部 22の複数の ブレード 22cjによる外縁部 22aの形状設定とを行レ、、第 2選択部材 24によって第 2形 状設定部 22を覆い隠す。 （ステップ S21)

次に、ショット領域 A1に対して、第 1形状設定部 21により形成される第 1のスリット形 状の照明光で露光を行う。 （ステップ S22)

ショット領域 A1への露光終了後、ウェハ Wを—X方向へステッピングし、ショット領 域 A2への露光開始位置にウェハ Wを位置決めする。このステッピング動作中に、第 1選択部材 23を照明光路中に挿入して第 1形状設定部 21を覆い隠し、且つ第 2選 択部材 24を照明光路から退避させる選択部材切替の動作を行う。 （ステップ S23) そして、ショット領域 A2に対して、第 2形状設定部 22により形成される第 2のスリット 形状の照明光で露光を行う。この露光動作中に、ショット領域 A3の線幅均一性の分 布のバラツキを均一にするための各ブレード 21cの駆動量の情報に基づいて、第 1 形状設定部 21の各ブレード 21cの駆動を行う。 （ステップ S24)

ショット領域 A2への露光終了後、ウェハ Wを— X方向へステッピングし、ショット領 域 A3への露光開始位置にウェハ Wを位置決めする。このステッピング動作中に、第 2選択部材 24を照明光路中に挿入して第 2形状設定部 22を覆い隠し、且つ第 2選 択部材 23を照明光路から退避させる選択部材切替の動作を行う。なお、上述のステ ップ S24で実施していた第 1形状設定部 21の各ブレード 21cの駆動動作力 ショット 領域 A2への露光動作中に完了しない場合には、このステッピング動作中に引き続 いて動作させてもよレ、。 （ステップ S25)

次に、ショット領域 A3に対して、第 1形状設定部 21により形成される第 1のスリット形 状の照明光で露光を行う。 （ステップ S26)

図 18では省略したが、以下、ウェハ W上の全てのショット領域への露光が完了する まで、上述の動作を繰り返す。

[0084] このように、第 6の実施の形態では、第 1形状設定部 21又は第 2形状設定部 22の 外縁部 21c, 22cの変更動作を、露光動作中及びステッピング動作中の少なくとも一 方の動作中に行うことができ、且つ第 1及び第 2選択部材の切替動作をステッピング 動作時に行うことができる。これにより、積算露光量の分布の切替 (照度ムラ補正状 態の切替)動作に要する時間に律速されることなぐ高スループットのもとで各ショット 領域の線幅均一性を向上させることができる。

[0085] さて、半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフイエ程では、ウェハ等の 被処理体の表面にフォトレジスト (感光性材料)膜を形成した後、これに回路パターン を露光し、さらに現像処理を行うことによってレジストパターンを形成している。このフ オトリソグラフイエ程は、ウェハにレジスト塗布を行うレジスト塗布処理ユニットや露光 後のウェハを現像する現像処理ユニット等を有する塗布現像処理装置 (コータデべ 口ッパ）と、この装置に連続して一体的に設けられた露光装置とにより行われている。

[0086] そして、このような塗布現像処理装置は、例えばウェハ上にレジスト膜を形成した後 、或いは現像処理の前後にウェハに対して加熱処理や冷却処理等の熱処理を行う 加熱処理ユニットや冷却処理ユニットを有している。ここで、ウェハ面内でレジスト膜 厚が均一でな力 たり、これらの熱処理でウェハ面内の温度分布が一様でな力 た りする場合には、ショット領域内の線幅均一性の分布がウェハ W上のショット領域の 位置によって異なる性状を呈する場合がある。

[0087] また、上述のレジストパターンをマスクとして、レジストパターンの下層にある被エツ チング膜をエッチングするエッチング装置においても、ウェハ面内の温度分布が一 様でない場合には、ショット領域内の線幅均一性の分布がウェハ W上のショット領域 の位置によって異なる性状を呈することがある。

[0088] このような塗布現像処理装置やエッチング装置等に起因するウェハ上のショット領 域の位置によるショット領域内の線幅均一性の分布の変動は、ウェハ内でショット位 置に依存しなレ、ある程度安定した誤差分布 (システマチックな誤差分布）を持ってレ、 る。

[0089] 以下、第 7の実施の形態として、露光装置による露光プロセスとは別のプロセス起 因によるショット領域内の線幅均一性のバラツキの分布を補正した露光方法につい て説明する。第 7の実施の形態では、上述した第 1の実施の形態に力かる露光装置 を用いてウェハ W上に露光を行う。

[0090] なお、第 7の実施の形態におけるウェハ W上のショット配列は、図 17 (a)に示した第

6の実施の形態と同様であるため、図示説明を省略する。

[0091] 図 19は、露光プロセスとは別のプロセス起因によるショット領域内の線幅均一性の バラツキの分布を複数のショット領域ごとに示した図である。第 7の実施の形態では、 ウェハ W内の複数のショット領域を、線幅均一性のバラツキの分布が同傾向な複数 のグループ BL1〜BL4に群分けしている。そして、それぞれのショット領域の露光時 の積算露光量の分布を、各グループ内で共通の分布としてレ、る。

[0092] 例えばウェハ W上の複数のショット領域 A1〜H6に対して露光を行う場合、これら 複数のショット領域 A1〜H6のうち、積算露光量分布が実質的に同じと見なせるショ ット領域を 1つのグループにまとめる。

[0093] 第 7の実施の形態では、図 20に示すように、ショット領域 A1〜A3, B1〜B4, CI 〜C3, D1〜D3, E1〜E3を第 1グループ BL1とし、ショット領域 A4, B5, C4〜C5 , D4, Ε4, F1〜F4, G1〜G4を第 2グノレープ BL2とし、ショット領域 A5〜A6, B6 〜B7, C6〜C7, D5〜D7, E5〜E7,F5〜F7, G5〜G7, H1〜F6を第 3グループ BL3とし、ショット領域 B8, C8, D8, E8, F8, G8を第 4グノレープ BL4とする。

[0094] なお、積算露光量分布が実質的に同じとは、要求されるショット領域内の線幅均一 性のバラツキを許容範囲内とすることができる積算露光量分布のことを指す。

[0095] 次に、各グループ BL1〜BL4ごとに、積算露光量分布の情報に基づいて、可変ス リット装置 20の複数のブレードの駆動量 21c， 22cを求める。

[0096] その後、ウェハ W上の複数のショット領域への露光を行う。

[0097] ここでは、図 17 (a) (または図 20)に示した複数のショット領域 A1〜H6のうち、ショ ット領域 A1から A6までを露光する手順について説明する力 他のショット領域 Bl〜 H6への露光も同様に実施することができる。

[0098] まず、ショット領域 A1への露光開始位置にウェハ Wを載置したウェハステージを移 動させる。このとき、可変スリット装置 20の第 1形状設定部 21における複数のブレー ド 21cを算出された駆動量に基づいて駆動して外縁部 21aの縁形状を第 1の形状に 設定する。そして、第 1選択部材 23を照明光路から退避させ、且つ第 2選択部材 24 で第 2形状設定部 22の外縁部 22aを覆い隠す。

[0099] この可変スリット装置 20の設定後、ショット領域 A1〜A3への露光を行う。この露光 動作中に、第 2選択部材 24で覆い隠されている第 2形状設定部 22の複数のブレー ド 22cを算出された駆動量に基づいて駆動して外縁部 22aの形状を第 2の形状に設 定する。

[0100] ショット領域 A3への露光後に、ショット領域 A4への露光開始位置へウェハステー ジを移動させる動作中に、第 1選択部材 23を移動させて第 1形状設定部 21の外縁 部 21aを覆い隠しつつ、第 2選択部材 24を照明光路外へ退避させる。

[0101] その後、ショット領域 A4への露光を行うが、この露光動作中に、第 1選択部材 23で 覆い隠されている第 1形状設定部 21の複数のブレードを 21cをステップ S24で算出 された駆動量に基づいて駆動して外縁部 21aの形状を第 3の形状に設定する。

[0102] このショット領域 A4への露光後に、ショット領域 A5への露光開始位置へウェハステ ージを移動させるが、この動作中に、第 1選択部材 23を照明光路外へ退避させ、且 つ第 2選択部材 24を移動させて第 2形状設定部 22の外縁部 22aを覆い隠す。

[0103] その後、ショット領域 A5〜A6への露光を行い、ショット領域 B8への露光開始位置 へウェハステージを移動させる。このような動作をウェハ W上の全てのショット領域へ の露光が完了するまで繰り返す。

[0104] このように、各ショット領域への露光の際に、ショット領域が属するグループが変わる ごとに可変スリットの補正条件を切り替えることで、スループットを落とすことなぐ各シ ヨットの線幅最適化を行うことが可能となる。

[0105] なお、第 7の実施の形態において、塗布現像処理装置やエッチング装置等に起因 するウェハ上のショット領域の位置によるショット領域内の線幅均一性の分布の変動 を計測する際には、例えば以下の手順を用いることができる。

[0106] まず、露光装置にインライン接続されたコータ 'デベロツバを用いてテストウェハにレ ジストを塗布し (必要があればプリベータし）、テストパターン (又は実パターン）のテス ト露光を行う。その後、コータ 'デベロッパを用いてレジストを現像し (必要があればベ ーク処理を行レ、）、現像されたレジストパターンの線幅均一性の分布を各ショット領域 ごとに計測する。

[0107] また、エッチングの非均一性に起因する線幅均一性の誤差を計測する場合には、 上記の手順に加えて、薄膜形成処理及びエッチング処理を加え、エッチングされた パターンの線幅均一性の分布を各ショット領域ごとに計測すればよい。

[0108] なお、この露光装置以外のプロセス処理に起因する線幅均一性の誤差補正を、上 述の露光装置に起因する線幅均一性の誤差補正と組み合わせてもよい。

[0109] なお、塗布現像処理装置やエッチング装置等に起因するウェハ上のショット領域の 位置によるショット領域内の線幅均一性の分布が短期的（例えば 1ロット内）に変動す る場合には、塗布現像処理装置やエッチング装置等のプロセス装置に測定装置を 組み込み、この組み込まれた測定装置からの測定結果情報に基づいて、露光装置 による積算露光量分布の状態を変更してもよレ、。

[0110] ここで、測定装置としては、例えば膜厚測定装置ゃスキヤトロメータ、或いはプロセ ス装置の熱処理ユニットにおける温度分布や温度分布の履歴を計測する温度計測 装置などを用いることができる。

[0111] ここで、膜厚測定装置をプロセス装置に組み込んだ場合には、この膜厚測定装置 により計測されるレジスト膜厚や反射防止膜 (BARC)厚の分布をロット内の各ウェハ ごと又は数枚おきのウェハごとに計測し、この計測結果より、ウェハ面内の線幅均一 性に与える影響を算出し、この影響を補正するための可変スリット装置の各ブレード の駆動補正量を算出すればよい。

[0112] また、スキヤトロメータをプロセス装置に組み込んだ場合には、このスキヤトロメータ によって線幅均一性の状態を計測し、この計測結果より、可変スリット装置の各ブレ ードの駆動補正量を算出すればよい。

[0113] そして、温度計測装置をプロセス装置の熱処理ユニットに組み込んだ場合には、ゥ ェハ面内の温度分布の履歴 (経時的な変化）を計測し、この計測結果より、ウェハ面 内の線幅均一性に与える影響を算出し、この影響を補正するための可変スリット装置 の各ブレードの駆動補正量を算出すればよい。

[0114] これらプロセス装置に組み込まれた計測装置からの情報は、当該計測装置から直 接、或いは半導体製造工場のホストコンピュータ経由で、露光装置に伝達される。な お、可変スリット装置の駆動補正量の算出は、露光装置内で実施しても、半導体製 造工場のホストコンピュータで実施してもよレ、。

[0115] 次に、ウェハフラットネス起因の場合を考える。

[0116] ウェハ平坦性が悪い場合には、ウェハ W上のショット領域の位置ごとにディフォー カス残渣の分布が異なる。パターン像を露光する際にディフォーカス残渣があると、 そのディフォーカス残渣の量に応じて転写されるパターン像の線幅がベストフォー力 ス状態での線幅とは異なってしまレ、、線幅均一性が悪化する。

[0117] 上述のディフォーカス残渣の分布とは、 1つのショット領域をフィッティングした平面 を基準としたショット領域内の高さ分布と、投影光学系によって形成されるパターン像 面にフィッティングした平面（最適焦点面）を基準としたパターン像面の光軸方向の高 さ分布との差分の分布である。

[0118] 以下、第 8の実施の形態として、ウェハ平坦性に起因する線幅均一性の悪化の影 響を低減させつつ露光を行う露光方法の一例を、図 21に示すフローチャートを参照 して説明する。なお、第 8の実施の形態に力かる露光方法では、第 1の実施の形態に 力かる可変スリット装置を、欧州特許公開第 1037117号公報又は米国特許第 6, 20 8, 407号公報に開示されるツインステージを備えた露光装置に適用した場合を例に 挙げて説明する。

[0119] さて、上述のディフォーカス残渣の分布は、被露光基板としてのウェハの平坦性（ゥ ェハフラットネス）の計測結果と、投影光学系の結像性能 (典型的には収差)の計測 結果とから算出できる。ここでは、欧州特許公開第 1037117号公報及び米国特許 第 6, 208, 407号公報を参照として援用する。

[0120] そのため、まず、例えば米国特許公開第 2006/0170891号公報に開示される収 差測定装置を用いて、投影光学系の収差を計測する (ステップ S31)。なお、この収 差計測は投影光学系の収差変動が無視し得る程度であれば毎回の露光動作のた びに行う必要はなぐ特定の間隔（典型的には 1ロットのウェハ処理ごと）で行えばよ レ、。ここでは、米国特許公開第 2006/0170891号公報を参照として援用する。

[0121] 次に、ウェハを計測ステージに載置し、ウェハ平坦性を計測する (ステップ S32)。 なお、このウェハ平坦性の計測動作は、上記のステップ S21と同時に実行されてもよ レ、。

[0122] そして、上記のステップ S31 , S22の計測結果より、ウェハ上の複数のショット領域 ごとのディフォーカス残渣の分布を算出する（ステップ S33)。

[0123] ここで、ショット領域内の線幅の変化に与える影響は、実際の露光条件と上記ディフ オーカス残渣の分布とから求められる。

[0124] 従って、本例では、マスク Mに形成されたパターン情報、ウェハ Wに塗布されたレ ジスト (感光性材料)の情報、照明条件、投影光学系の開口数などの露光条件と、ス テツプ S23で算出された各ショット領域ごとのディフォーカス残渣の分布とからショット 領域内の線幅均一性を実質的に一定とするための積算露光量分布をウェハ W上の ショット領域 (複数の区画)ごとに算出し、図示なき記憶部へその情報を記憶させる（ ステップ S 34)。

[0125] なお、マスク Mに形成されたパターン情報としては、例えばパターンの種類 (ライン' アンド'スペース、コンタクトホール、孤立線）、マスク上でのパターン密度分布、サイ ズなどを用いることができる。また、感光性材料の情報としては、レジストの種類、構成 (1層か多層か、トップコート付か）、膜厚などを用いることができる。そして、照明条件 としては、照明光の角度分布（照明光学系の瞳位置での瞳輝度分布に対応）、照明 光の偏光分布、基準露光量などを用いることができる。

[0126] そして、各ショット領域ごとに、積算露光量分布の情報に基づいて、可変スリット装 置の複数のブレードの駆動量を求める。

[0127] その後、ウェハ W上の複数のショット領域への露光を行う（ステップ S35)。

[0128] ここでは、図 18 (a)に示した複数のショット領域 A1〜H6のうち、ショット領域 A1から A6までを露光する手順について説明する力 S、他のショット領域 B1〜H6への露光も 同様に実施することができる。

[0129] このように、各ショット領域への露光ごとに高速に可変スリットの補正条件を切り替え ることで、スループットを落とすことなぐ各ショットの線幅最適化を行うことが可能とな る。

[0130] なお、ウェハの平坦性（ウェハフラットネス）がロット内で同一傾向にある場合には、 ロット内の先頭ウェハの平坦性の計測結果を代表値として用いてもよい。

[0131] また、第 8の実施の形態では、各ショットごとに積算露光量分布の情報を持たせた 力 第 7の実施の形態のように、ウェハ内の複数のショット領域をいくつかのグループ に群分けして、各グループごとに積算露光量分布の情報を持たせてもよい。

[0132] また、上述の実施の形態に力、かる可変スリット装置では、 1つのショット領域を露光 する際にはスリット形状は不変であつたが、 1つのショット領域を露光する際にスリット 形状を変更してもよい。この場合、第 1形状設定部 21及び第 2形状設定部 22の双方 を用いてスリット形状が外縁部 21a及び外縁部 22aを同時に持つようにしてもよレ、。こ のときには、複数の形状設定部の駆動ストロークを小さくできるため、高速なむら補正 条件の設定が可能となる。

[0133] また、上述の実施の形態に力、かる可変スリット装置では、走查直交方向における積 算露光量分布の制御が可能であるが、走查方向における積算露光量分布の制御が 必要な場合には、可変スリット装置に入射する照明光、またはウェハのショット領域に 到達する露光光の光量を、 1つのショット領域への走査露光の間で変化させればよ レ、。

[0134] また、上述の実施の形態に力かる可変スリット装置において、第 1選択部材 23 (26) 及び第 2選択部材 24 (27)をマスクブラインド 7が持つ可動ブラインドと兼用させること ができる。

[0135] 以下、第 9の実施の形態として、第 1選択部材及び第 2選択部材をマスクブラインド が持つ可動ブラインドと兼用させた露光装置について説明する。

[0136] 図 22は、第 9の実施の形態に力かる露光装置の構成を示す図である。なお、以下 の説明においては、説明を簡単にするために、図 1に示した第 1の実施の形態と同様 の機能を有する部材には同じ符号を付し、その説明を省略している。また、第 9の実 施の形態ではマスク M及びウェハ Wを移動させる方向（走查方向）を Y軸方向に設 定している。

[0137] 図 22において、マスクブラインド 7は、結像光学系 8に関してマスク Mのパターン形 成面と光学的に共役な平面内に配置されてマスク M上の走査方向の照明領域を設 定する羽根 71， 72を備えている。これらの羽根 71， 72は、 Z方向において照明装置 の光軸を挟むように配置されており、それぞれ力 方向に沿って可動に設けられてい る。

[0138] そして、マスクブラインド 7は、羽根 71を Z方向に移動させる駆動部 71bと羽根 72を Z方向に移動させる駆動部 72bとを備えている。これらの駆動部 71b, 72bによる羽 根 71 , 72の移動は制御部 11からの出力によって制御される。これらの羽根 71 , 72 は第 1選択部材及び第 2選択部材と見なすことができる。

[0139] そして、第 1形状設定部 21及び第 2形状設定部 22のブレード 21c, 22cは、スク M のパターン形成面と光学的に共役な平面から所定間隔だけディフォーカスした平面 内に配置されている。なお、これら第 1形状設定部 21及び第 2形状設定部 22の構成 及び動作は上述の第 1の実施の形態と同様であるため説明を省略する。

[0140] 次に、図 23を参照して、第 9の実施の形態に力、かる露光装置におけるマスクブライ ンド 7の羽根 71 , 72の動作を説明する。図 23は、第 9の実施の形態にかかる露光装 置におけるマスクブラインド 7の羽根 71 , 72と、第 1形状設定部 21及び第 2形状設定 部 22とを Y方向側から見た図である。

[0141] なお、図 22及び図 23において、第 9の実施の形態では、マスクブラインド 7 (第 1形 状設定部 21及び第 2形状設定部 22)とマスク Mとの間に結像光学系 8及び光路折り 曲げ鏡が配置されているため、マスクブラインド 7の位置（第 1形状設定部 21及び第 2 形状設定部 22の位置）における + Z方向とマスク Mの位置における +Y方向とが対 応し、マスクブラインド 7の位置 (第 1形状設定部 21及び第 2形状設定部 22の位置） における Z方向とマスク Mの位置における Y方向とが対応している。

[0142] 図 23 (a)は、ウェハ W上の特定のショット領域（以下、第 1のショット領域と称する） への露光前における羽根 71 , 72と第 1及び第 2形状設定部 21 , 22との位置関係を 示す図である。ここでは、第 1選択部材としての羽根 71のエッジ部 71aと第 2選択部 材としての羽根 72のエッジ部 72aとが境界線を形成するように一致した状態となって いる。ここで、露光開始時点においては、マスク M上の遮光帯 (禁止帯）とエッジ部 71 a, 72aによる境界線とが光学的に一致している（境界線の像が遮光帯上に形成され ている）。

[0143] 図 23 (b)は、第 1のショット領域への走查露光中における羽根 71， 72と第 1及び第 2形状設定部 21 , 22との位置関係を示す図である。この第 1のショット領域への走査 露光に際しては、羽根 72によって第 2形状設定部 22の外縁部が覆い隠され且つ羽 根 71によって第 1形状設定部 21の外縁部が覆い隠されない状態となるため、第 1形 状設定部 21により設定された外縁部と羽根 72の直線状のエッジ部 72aによって縁形 状が規定される光束がマスク M、ひレ、てはウェハ Wへ向かう。

[0144] 上記の光束がマスク M上のパターン領域の +Y方向側の端部に力かるときに、マス クブラインド 7の羽根 71の一Z方向への移動を開始する。このときは、羽根 71のエツ ジ部 71aの像がマスク M上の + Y方向側の遮光帯に一致するように、羽根 71がマス ク Mと同期して移動する。

[0145] 図 23 (c)は、第 1ショット領域への露光終了時における羽根 71， 72と第 1及び第 2 形状設定部 21 , 22との位置関係を示す図である。ここでは、第 1選択部材としての 羽根 71のエッジ部 71aと第 2選択部材としての羽根 72のエッジ部 72aとが境界線を 形成するように一致した状態となっている。

[0146] そして、図 23 (d)は、第 1ショット領域の次に露光される別のショット領域（以下、第 2 ショット領域と称する）への露光前における羽根 71 , 72と第 1及び第 2形状設定部 21 , 22との位置関係を示す図である。

[0147] 図 23 (c)に示した第 1ショット領域への露光終了後の状態と比べて、図 23 (d)の状 態では、エッジ部 71a, 72aにより規定される境界線の位置が Z方向側へ移動した 状態となっている。ここで、第 2ショット領域への露光開始時点においては、マスク M 上の遮光帯 (禁止帯）とエッジ部 71a, 72aによる境界線とが光学的に一致している（ 境界線の像が遮光帯上に形成されている）。

[0148] なお、図 23 (c) , (d)に示した羽根 71， 72の移動の動作は、走查露光間のステツピ ング動作時に実行される。

[0149] 図 23 (e)は、第 2のショット領域への走查露光中における羽根 71， 72と第 1及び第 2形状設定部 21 , 22との位置関係を示す図である。この第 2のショット領域への走查 露光に際しては、羽根 71によって第 1形状設定部 21の外縁部が覆い隠され且つ羽 根 72によって第 2形状設定部 22の外縁部が覆い隠されない状態となるため、第 2形 状設定部 22により設定された外縁部と羽根 71の直線状のエッジ部 71aによって縁形 状が規定される光束がマスク M、ひレ、てはウェハ Wへ向かう。

[0150] 上記の光束がマスク M上のパターン領域の一 Y方向側の端部に力かるときに、マス クブラインド 7の羽根 72の + Z方向への移動を開始する。このときは、羽根 72のエツ ジ部 72aの像がマスク M上の—Y方向側の遮光帯に一致するように、羽根 72がマス ク Mと同期して移動する。

[0151] 図 23 (f)は、第 2ショット領域への露光終了時における羽根 71， 72と第 1及び第 2 形状設定部 21 , 22との位置関係を示す図である。ここでは、第 1選択部材としての 羽根 71のエッジ部 71aと第 2選択部材としての羽根 72のエッジ部 72aとが境界線を 形成するように一致した状態となっている。

[0152] その後、羽根 71 , 72を一体に + Z方向に移動させて、図 23 (a)の状態に戻し、第 1 及び第 2ショット領域以外のショット領域への露光を開始する。

[0153] なお、図 23に示した露光動作では、第 1及び第 2形状設定部 21 , 22の各ブレード 21c, 22cを固定していたが、上述の実施形態と同様に、第 1選択部材としての羽根 71によって第 1形状設定部を覆い隠している間に第 1形状設定部 21の各ブレード 2 lcを駆動して外縁部の形状を変更する動作や、第 2選択部材としての羽根 72によつ て第 2形状設定部を覆い隠している間に第 2形状設定部 22の各ブレード 22cを駆動 して外縁部の形状を変更する動作を行ってもょレ、。

[0154] なお、上述の実施の形態では、走査型露光装置に本発明が適用された場合につ いて説明したが、これに限らず、ステツパなどの静止型露光装置に本発明を適用して も良い。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ ·アンド'ステイッチ方式 の縮小投影露光装置にも本発明は適用することができる。

[0155] また、上述の実施の形態の露光装置における投影光学系の倍率は縮小系のみな らず等倍および拡大系のいずれでも良いし、投影光学系 PLは屈折系のみならず、 反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のい ずれでも良い。

[0156] また、上述の実施の形態において、投影光学系と感光性基板との間の光路中を 1.

1よりも大きな屈折率を有する媒体 (典型的には液体)で満たす手法、所謂液浸法を 適用しても良い。この場合、投影光学系と感光性基板との間の光路中に液体を満た す手法としては、国際公開第 99/49504号パンフレットに開示されているような局所 的に液体を満たす手法や、特開平 6— 124873号公報に開示されているような露光 対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手法や、特開平 10— 3031 14号公報に開示されてレ、るようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中 に基板を保持する手法などを採用することができる。ここでは、国際公開第 99/495 04号パンフレット、特開平 6— 124873号公報及び特開平 10— 303114号公報を参 照として援用する。

[0157] また、上述の実施の形態において、例えば米国特許公開第 2006/0203214号 公報、 2006Z0158624号公報、又は 2006Z0170901号公報に開示されるような 偏光照明を行ってもよい。ここでは、米国特許公開第 2006Z0203214号公報、 20 06/0158624号公報、又は 2006/0170901号公報を参照として援用する。

[0158] また、照明光 ILは、 ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)に限らず、 KrFエキシマ レーザ光（波長 248nm)などの紫外光や、 F2レーザ光（波長 157nm)な

どの真空紫外光であっても良い。例えば真空紫外光として DFB半導体レーザ又はフ アイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えば エルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプ で増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。

[0159] また、上述の実施の形態では、露光装置の照明光 ILとしては波長 lOOnm以上の 光に限らず、波長 lOOnm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近 年、 70nm以下のパターンを露光するために、 SORやプラズマレーザを光源として、 軟 X線領域（例えば 5〜： 15nmの波長域）の EUV (Extreme Ultraviolet)光を発生させ ると共に、その露光波長（例えば 13. 5nm)の下で設計されたオール反射縮小光学 系、及び反射型マスクを用いた EUV露光装置の開発が行われている。この装置に おいては、円弧照明を用いてマスクとウェハを同期走査してスキャン露光する構成が 考えられるので、力かる装置にも本発明を好適に適用することができる。この他、電子 線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる

[0160] また、上述の実施の形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（ 又は位相パターン '減光パターン)を形成した光透過型マスク（レチクル)を用いたが 、このレチクルに代えて、例えば米国特許第 6, 778, 257号公報に開示されている ように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パタ ーン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスク）を用いても良い 。ここでは、米国特許第 6, 778, 257号公報を参照して援用する。

[0161] また、国際公開第 2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞 をウェハ W上に形成することによって、ウェハ W上にライン'アンド 'スペースパタ ーンを形成する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

[0162] さらに、 2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウェハ上で合成し、 1回の スキャン露光によってウェハ上の 1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光 装置にも本発明を適用することができる。ここでは、国際公開第 2001Z035168号 パンフレットを参照として援用する。

[0163] なお、上述の実施の形態及び変形例でパターンを形成すべき物体 (エネルギビー ムが照射される露光対象の物体）はウェハに限られるものでなぐガラスプレート、セ ラミック基板、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。

[0164] 露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなぐ例えば、 角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有 機 EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子 (CCD等）、マイクロマシン及び DNAチップなどを 製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバ イスだけでなぐ光露光装置、 EUV露光装置、 X線露光装置、及び電子線露光装置 などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンゥェ ハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。

[0165] また、上述の実施の形態に力、かる露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた 各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的 精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、 この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調 整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系につい ては電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置 への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接 続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組 み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない 。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ 、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およ びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

[0166] 以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであ つて、本発明を限定するために記載されたものではなレ、。したがって、上記の実施形 態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物 をも含む趣旨である。また、上記実施形態の各構成要素等は、いずれの組み合わせ 等も可能とすることができる。

[0167] この発明の可変スリット装置によれば、第 1光強度分布設定部により設定された第 1 光強度分布を有する光束の第 1部分と、第 2光強度分布設定部により設定された第 2 光強度分布を有する光束の第 2部分とを選択する選択部材を備えているため、第 1 光強度分布を有する光束の第 1部分から第 2光強度分布を有する光束の第 2部分へ 、及び第 2光強度分布を有する光束の第 2部分から第 1光強度分布を有する光束の 第 1部分へ迅速に変更することができる。

[0168] また、この発明の照明装置によれば、この発明の可変スリット装置を備えているため 、所望の形状を有する照明光を迅速に形成することができ、被照射面上を所望の形 状を有する照明光により良好に照明することができる。

[0169] また、この発明の露光装置によれば、この発明の照明装置を備えているため、照明 条件に対応した所望の形状を有する照明光を迅速に形成することができ、高スルー プットで所定のパターンを基板上に高精度に露光することができる。

[0170] また、この発明の露光装置によれば、光強度分布変更手段が第 1照明条件のもと で第 1光強度分布を持つ照明光を基板へ導く動作中に、第 2光強度分布の設定動 作の一部を実行することができるため、照明条件が変化した場合においても、照明条 件に対応した照明光の光強度分布に迅速に変更することができ、高スループットで 高精度な露光を行うことができる。 [0171] また、この発明の露光装置によれば、光強度分布変更手段が第 1光強度分布を持 つ照明光を基板へ導く動作中に、第 2光強度分布の設定動作の一部を実行すること ができるため、基板上の複数の区画のうちの 1つの区画への露光と別の 1つの区画 への露光とで照明光の光強度分布を迅速に変更することができ、高スループットで高 精度な露光を行うことができる。

[0172] また、この発明のデバイス製造方法によれば、この発明の露光装置を用いて所定 のパターンの露光を行なうため、高スループットで高精度なデバイスを製造することが できる。

[0173] また、この発明の露光方法によれば、スリット形状の長手方向に沿った一対の外縁 部のうちの他方の外縁部の光強度分布である第 2光強度分布を設定する第 2光強度 分布設定工程と、選択された第 1部分を有する光束を用レ、て所定のパターンを基板 上に転写する転写工程とが同時に実行されるため、第 2光強度分布を有する光束の 第 2部分が選択された際に、選択された第 2部分を有する光束へ迅速に変更すること ができる。

[0174] また、この発明の露光方法によれば、光強度分布変更工程において、第 1照明条 件のもとで第 1光強度分布を持つ照明光を第 1パターン群を介して基板上に導いて 第 1パターン群を基板上に転写する第 1転写工程の実行中に、第 2光強度分布の設 定動作の一部を実行することができるため、第 1照明条件力も第 2照明条件に変更さ れた場合においても、第 2照明条件に対応した第 2光強度分布に迅速に変更するこ とができ、高スループットで高精度な露光を行うことができる。

[0175] また、この発明のデバイス製造方法によれば、この発明の露光方法を用いて第 1パ ターン群及び第 2パターン群の重ね合せ露光を行なうため、高スループットで高精度 なデバイスを製造することができる。

[0176] また、この発明のデバイス製造方法によれば、露光工程以外の工程に起因する線 幅均一性の誤差を露光工程で補正することができるため、良好にデバイスを製造す ること力 Sできる。

[0177] なお、以上説明した実施の形態は、本発明の理解を容易にするために記載された ものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。従って、実施の形 態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や、均等 物も含む趣旨である。

[0178] また、本開示は、 2006年 6月 16日に提出された日本国特許出願番号 2006— 16 7234号に含まれた主題に関連し、その開示の全てはここに参照事項として明白に 組み込まれる。

産業上の利用可能性

[0179] 本発明は、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグ ラフイエ程で使用される可変スリット装置、該可変スリット装置を備えた照明装置、該 照明装置を備えた露光装置、パターンを基板上に露光する露光方法及び該露光装 置または該露光方法を用いたデバイスの製造方法に好適に用いることが出来る。

Claims

請求の範囲

[1] 長手方向と短手方向とを有するスリット形状の照明光を形成するための可変スリット 装置において、

前記スリット形状の前記短手方向を横切る複数の外縁部のうちの、 1つの外縁部近 傍を通過する第 1部分光束の光強度分布である第 1光強度分布を設定する第 1光強 度分布設定部と、

前記複数の外縁部のうちの別の 1つの外縁部近傍を通過する第 2部分光束の光強 度分布である第 2光強度分布を設定する第 2光強度分布設定部と、

前記第 1部分光束と、前記第 2部分光束とを選択的に出力する選択部材と、 を備えることを特徴とする可変スリット装置。

[2] 前記第 1光強度設定部は前記第 1部分光束の縁形状を設定する第 1形状設定部を 備え、

前記第 2光強度設定部は前記第 2部分光束の縁形状を設定する第 2形状設定部を 備えることを特徴とする請求項 1記載の可変スリット装置。

[3] 前記第 1形状設定部及び前記第 2形状設定部のうちの少なくとも一方は、前記縁 形状を形成するための複数のブレードを備え、

前記複数のブレードのうちの少なくとも 1つは、前記短手方向に沿って移動可能で あることを特徴とする請求項 2記載の可変スリット装置。

[4] 前記複数のブレードの移動を制御する制御部を備え、

前記制御部は、前記外縁部の縁形状を変形させるために、前記複数のブレードの うちの少なくとも 1つのブレードを移動させることを特徴とする請求項 3記載の可変スリ ット装置。

[5] 前記第 1形状設定部及び前記第 2形状設定部は、それぞれ前記外縁部の縁形状 を形成するための複数のブレードを備え、

前記第 1形状設定部の前記複数のブレードのうちの少なくとも 1つのブレードと、前 記第 2形状設定部の前記複数のブレードのうちの少なくとも 1つのブレードとは、前記 外縁部の縁形状を変形させるために、前記短手方向に沿って移動可能であり、 前記選択部材の選択動作と前記複数のブレードの移動とを制御する制御部を更に 備え、

該制御部は、前記選択部材によって前記第 1部分光束を選択している間に、前記 第 2形状設定部の前記少なくとも 1つのブレードを移動させて前記第 2部分光束の縁 形状を設定することを特徴とする請求項 2記載の可変スリット装置。

[6] 前記第 1形状設定部は、前記第 1部分光束の光路中に挿入可能に設けられて所定 の透過率分布を持つ少なくとも 1つのフィルタ部材を備えていることを特徴とする請求 項 1に記載の可変スリット装置。

[7] 前記選択部材は、前記スリット形状の長手方向に延びた形状のエッジ部を備え、 前記照明光の前記複数の外縁部と前記選択部材の前記エッジ部との位置関係を

、前記短手方向に沿って変更することを特徴とする請求項 1乃至請求項 6の何れか 一項に記載の可変スリット装置。

[8] 前記エッジ部は前記長手方向に延びた直線形状であり、

前記選択部材は、前記位置関係を変更することにより、前記第 1部分光束または前 記第 2部分光束の外縁部の形状を直線形状に設定することを特徴とする請求項 7記 載の可変スリット装置。

[9] 前記選択部材の前記エッジ部は、前記短手方向に沿って移動可能であり、

前記選択部材の前記エッジ部の前記短手方向への移動により、前記第 1部分光束 と前記第 2部分光束とを選択的に遮光することを特徴とする請求項 7または請求項 8 記載の可変スリット装置。

[10] 前記選択部材は、前記 1つの外縁部近傍に設けられた第 1選択部材と、前記別の 1 つの外縁部に設けられた第 2選択部材とを備えることを特徴とする請求項 9記載の可 変スリット装置。

[11] 前記第 1選択部材と前記第 2選択部材とのうちの少なくとも一方は、前記長手方向 に対して傾斜可能であることを特徴とする請求項 10記載の可変スリット装置。

[12] 前記第 1選択部材と前記第 2選択部材とは一体的に形成されていることを特徴とす る請求項 10または請求項 11記載の可変スリット装置。

[13] 前記選択部材は、前記第 1及び第 2光強度分布設定部へ向かう光束を前記短手方 向に沿って移動させることを特徴とする請求項 1乃至請求項 6の何れか一項に記載 の可変スリット装置。

[14] 光束が前記可変スリット装置を通過する順に、前記第 1及び第 2光強度分布設定部 と、前記選択部材が配置されていることを特徴とする請求項 1乃至請求項 13の何れ か一項に記載の可変スリット装置。

[15] 光束が前記可変スリット装置を通過する順に、前記選択部材と、前記第 1及び第 2 光強度分布設定部とが配置されていることを特徴とする請求項 1乃至請求項 13の何 れか一項に記載の可変スリット装置。

[16] 長手方向と短手方向とを有するスリット形状の照明光を形成するための可変スリット 装置において、

前記スリット形状の前記短手方向を横切る複数の外縁部のうちの 1つの外縁部の形 状を設定する第 1形状設定部と、

前記複数の外縁部のうちの別の 1つの外縁部の形状を設定する第 2形状設定部と 前記第 1形状設定部を介する光束と、前記第 2形状設定部を介する光束とを選択 的に出力する選択部材と、

を備えることを特徴とする可変スリット装置。

[17] 前記選択部材によって前記第 1形状設定部を介した前記光束を出力しているとき に、前記第 2形状設定部の前記別の 1つの外縁部の形状を変更することを特徴とす る請求項 16に記載の可変スリット装置。

[18] 前記選択部材は前記スリット形状の長手方向に延びた形状のエッジ部を備えること を特徴とする請求項 16又は 17に記載の可変スリット装置。

[19] 前記選択部材のエッジ部は、前記第 1形状設定部を介する光束又は前記第 1形状 設定部を介した光束と、前記第 2形状設定部を介する光束又は前記第 2形状設定部 を介した光束とを選択的に遮光することを特徴とする請求項 18に記載の可変スリット 装置。

[20] 前記第 1及び第 2形状設定部と前記選択部材とを制御する制御部をさらに備えて レ、ることを特徴とする請求項 16乃至請求項 19の何れか一項に記載の可変スリット装 置。

[21] 前記スリット形状はほぼ多角形状またはほぼ円弧形状であることを特徴とする請求 項 1乃至請求項 20の何れか一項に記載の可変スリット装置。

[22] スリット形状を照明光を被照射面上に導く照明装置に用いられることを特徴とする 請求項 1乃至請求項 15の何れか一項に記載の可変スリット装置。

[23] 前記選択部材は、前記照明光を前記被照射面上に導いているときに、前記第 1部 分光束及び前記第 2部分光束のうちの一方のみを出力することを特徴とする請求項

22に記載の可変スリット装置。

[24] スリット形状を照明光を被照射面上に導く照明装置に用いられることを特徴とする 請求項 16乃至請求項 21の何れか一項に記載の可変スリット装置。

[25] 前記選択部材は、前記照明光を前記被照射面上に導いているときに、前記第 1形 状設定部を介する光束又は前記第 1形状設定部を介した光束と、前記第 2形状設定 部を介する光束又は前記第 2形状設定部を介した光束との一方を選択的に遮光す ることを特徴とする請求項 24に記載の可変スリット装置。

[26] 前記選択部材は前記被照射面と光学的に共役な位置に設けられることを特徴とす る請求項 22乃至請求項 25の何れか一項に記載の可変スリット装置。

[27] スリット形状の照明光を被照射面上に導く照明装置において、

前記照明光の形状を変更するための請求項 1乃至請求項 26の何れか一項に記載 の可変スリット装置を備えることを特徴とする照明装置。

[28] 前記可変スリット装置により形成される前記照明光の形状は、前記被照射面を照明 する照明条件に対応して設定されることを特徴とする請求項 27記載の照明装置。

[29] 所定のパターンを介した照明光により基板上にスリット形状の照射領域を形成しつ つ、該照射領域と前記基板との位置関係を、前記スリット形状の長手方向と交差する 方向に沿って変更させることにより、前記所定のパターンを前記基板上に転写する露 光装置において、

前記所定のパターンに前記照明光を照射するための請求項 27または請求項 28記 載の照明装置を備えていることを特徴とする露光装置。

[30] 前記所定のパターンは、前記基板上の複数の区画に転写され、

前記選択部材は、前記複数の区画のうちの 1つの区画への転写動作と別の区画へ の転写動作との間に選択動作を行うことを特徴とする請求項 29に記載の露光装置。

[31] 所定のパターンを介した照明光を基板へ導くことによって前記所定のパターンを前 記基板上に転写する露光装置にぉレ、て、

前記基板上へ導かれる前記照明光の照明条件を、少なくとも第 1照明条件と第 2照 明条件との間で変更する照明条件変更手段と、

前記基板上での照明光の光強度分布を、少なくとも前記第 1照明条件に応じた第 1 光強度分布と前記第 2照明条件に応じた第 2光強度分布との間で変更する光強度 分布変更手段と、

を備え、

前記光強度分布変更手段は、前記第 1照明条件のもとで前記第 1光強度分布を持 つ照明光を前記基板へ導く動作中に、前記第 2光強度分布の設定動作の一部を実 行することを特徴とする露光装置。

[32] 所定のパターンを介した照明光を基板へ導くことによって前記所定のパターンを前 記基板上の複数の区画に転写する露光装置にぉレ、て、

前記基板上での照明光の光強度分布を、第 1光強度分布と第 2光強度分布との間 で変更する光強度分布変更手段を備え、

前記光強度分布変更手段は、前記第 1光強度分布を持つ照明光を前記基板上の 前記複数の区画のうちの 1つの区画へ導く動作中と、前記 1つの区画から前記複数 の区画のうちの別の 1つの区画へ前記基板を移動させる動作中とのうちの少なくとも 一方の動作中に、前記第 2光強度分布の設定動作の一部を実行することを特徴とす る露光装置。

[33] 請求項 29乃至請求項 32の何れか一項に記載の露光装置を用いて前記所定のパ ターンを前記基板上に露光する露光工程と、

前記露光工程により露光された前記基板を現像する現像工程と、

を含むことを特徴とするデバイス製造方法。

[34] 所定のパターンを介した照明光により基板上にスリット形状の照射領域を形成しつ つ、該照射領域と前記基板との位置関係を、前記スリット形状の長手方向と交差する 方向に沿って変更させることにより、前記所定のパターンを前記基板上に転写する露 光方法において、

前記スリット形状の短手方向を横切る外縁部のうちの 1つの外縁部近傍を通過する 第 1部分光束の光強度分布である第 1光強度分布を設定する第 1光強度分布設定 工程と、

前記複数の外縁部のうちの別の 1つの外縁部の光強度分布である第 2光強度分布 を設定する第 2光強度分布設定工程と、

前記第 1部分光束と前記第 2部分光束とから前記第 1部分光束を選択する選択ェ 程と、

前記選択された前記第 1部分光束を用いて、前記所定のパターンを前記基板上に 転写する転写工程と、

を含み、

前記第 2光強度分布設定工程と前記転写工程とは同時に実行されることを特徴と する露光方法。

[35] 前記所定のパターンは、第 1パターン領域内に形成される第 1パターン群と、該第 1 パターン領域とは異なる第 2パターン領域内に形成される第 2パターン群とを有し、 前記転写工程では前記第 1パターン群を前記基板上に転写し、

前記露光方法は、

前記第 2光強度分布設定工程で設定された前記第 2部分光束を選択する別の選 択工程と、

前記選択された前記第 2部分光束を用いて、前記第 2パターン群を前記基板上に 転写する別の転写工程と、

を更に含むことを特徴とする請求項 34記載の露光方法。

[36] 前記第 2光強度分布設定工程で設定された前記第 2部分光束を選択する別の選 択工程と、

前記選択された前記第 2部分光束を用いて前記所定のパターンを前記基板上に 転写する別の転写工程とをさらに含み、

前記別の転写工程は、前記基板上の複数の区画のうち前記転写工程で転写され る区画とは異なる区画に前記所定のパターンを転写することを特徴とする請求項 34 に記載の露光方法。

[37] 第 1パターン領域内に形成される第 1パターン群と該第 1パターン領域とは異なる第 2パターン領域内に形成される第 2パターン群とを有する所定のパターンを介した照 明光を基板へ導くことによって前記所定のパターンを前記基板上に転写する露光方 法において、

前記基板上へ導かれる前記照明光の照明条件を、少なくとも第 1照明条件と第 2照 明条件との間で変更する照明条件変更工程と、

前記基板上での照明光の光強度分布を、少なくとも第 1照明条件に応じた第 1光強 度分布と第 2照明条件に応じた第 2光強度分布との間で変更する光強度分布変更 工程と、

前記第 1照明条件のもとで前記第 1光強度分布を持つ照明光を前記第 1パターン 群を介して前記基板上に導いて前記第 1パターン群を前記基板上に転写する第 1転 写工程と、

前記第 2照明条件のもとで前記第 2光強度分布を持つ照明光を前記第 2パターン 群を介して前記基板上に導いて前記第 2パターン群を、前記第 1転写工程によって 転写された前記第 1パターン群と重なるように前記基板上に転写する第 2転写工程と を含み、

前記光強度分布変更工程では、前記第 1転写工程の実行中に、前記第 2光強度 分布の設定動作の一部を実行することを特徴とする露光方法。

[38] 請求項 34に記載の露光方法を用いて、前記所定のパターンを前記基板上に露光 する露光工程と、

前記露光工程により露光された前記基板を現像する現像工程と、

を含むことを特徴とするデバイス製造方法。

[39] 請求項 35乃至請求項 37の何れか一項に記載の露光方法を用いて、前記第 1パタ ーン群及び前記第 2パターン群を前記基板上に露光する露光工程と、

前記露光工程により露光された前記基板を現像する現像工程と、

を含むことを特徴とするデバイス製造方法。

[40] 基板に感光性材料を塗布する塗布工程と、

前記感光性材料が塗布された前記基板に所定のパターンを露光する露光工程と、 前記所定のパターンが露光された前記基板を現像する現像工程と、

現像された前記基板に所定の処理を行う処理工程とを備え、

前記塗布工程、前記現像工程及び前記処理工程のうちの少なくとも 1つに起因す る前記基板上での線幅均一性の誤差を、前記露光工程で補正することを特徴とする デバイス製造方法。

[41] 前記塗布工程、前記現像工程及び前記処理工程のうちの少なくとも 1つの工程は、 前記基板を加熱する加熱工程を含むことを特徴とする請求項 40に記載のデバイス 製造方法。

[42] 前記露光工程では、所定の積算露光量分布となるように前記基板を露光し、

前記所定の積算露光量分布は、前記線幅均一性の誤差を低減させるように設定さ れることを特徴とする請求項 40又は 41に記載のデバイス製造方法。

[43] 前記露光工程は、第 1の積算露光量分布の露光光で前記基板上の複数の区画の うちの 1つに前記所定のパターンを露光する第 1露光工程と、前記第 1の積算露光量 分布とは異なる第 2の積算露光量分布の露光光で前記基板上の複数の区画のうち の別の 1つに前記所定のパターンを露光する第 2露光工程とを含むことを特徴とする 請求項 40乃至請求項 42の何れか一項に記載のデバイス製造方法。

[44] 基板に感光性材料を塗布する塗布工程と、前記感光性材料が塗布された前記基 板に所定のパターンを露光する露光工程と、前記所定のパターンが露光された前記 基板を現像する現像工程と、現像された前記基板に所定の処理を行う処理工程とを 備えるデバイス製造方法の前記露光工程で用いられる露光装置であって、

前記塗布工程、前記現像工程及び前記処理工程のうちの少なくとも 1つに起因す る前記基板上での線幅均一性の誤差を、前記露光工程で補正することを特徴とする 露光装置。

[45] 前記塗布工程、前記現像工程及び前記処理工程のうちの少なくとも 1つの工程は、 前記基板を加熱する加熱工程を含むことを特徴とする請求項 44に記載の露光装置

[46] 前記線幅均一性の誤差を低減させるように設定された積算露光量分布の露光光を 用いて前記基板を露光することを特徴とする請求項 44又は請求項 45に記載の露光 装置。

[47] 第 1の積算露光量分布の露光光で前記基板上の複数の区画のうちの 1つに前記 所定のパターンを露光し、且つ前記第 1の積算露光量分布とは異なる第 2の積算露 光量分布の露光光で前記基板上の複数の区画のうちの別の 1つに前記所定のパタ ーンを露光することを特徴とする請求項 44乃至請求項 46の何れか一項に記載の露 光装置。