WO2007077743A1

WO2007077743A1 - プローブカード

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Publication number: WO2007077743A1
Application number: PCT/JP2006/325431
Authority: WO
Inventors: Yoshio Yamada; Hiroshi Nakayama; Mitsuhiro Nagaya; Shogo Imuta
Original assignee: NHK Spring Co Ltd
Current assignee: NHK Spring Co Ltd
Priority date: 2005-12-28
Filing date: 2006-12-20
Publication date: 2007-07-12
Anticipated expiration: 2008-06-28
Also published as: JP4842640B2; US20090167335A1; JP2007178405A; EP1970715A1; CN101346633A; EP1970715A4; MY146841A; US7795892B2; TW200735247A; TWI355704B; KR20080079289A; KR101010948B1; CN101346633B

Abstract

　検査時の温度環境によらずにプローブを接触対象に対して確実に接触させることができるプローブカードを提供する。この目的のため、導電性材料から成り、前記半導体ウェハが有する電極パッドに接触して電気信号の入力または出力を行う複数のプローブと、前記複数のプローブを収容保持するプローブヘッドと、前記回路構造に対応する配線パターンを有する基板と、前記プローブヘッドに積層され、前記基板が有する前記配線パターンの間隔を変えて中継し、この中継した配線に対応して前記プローブヘッドと対向する側の表面に設けられた電極パッドを有するスペーストランスフォーマと、を備え、前記プローブの両端は、前記半導体ウェハを検査する際の最低温度と最高温度との平均温度を有する環境下において、前記半導体ウェハおよび前記スペーストランスフォーマがそれぞれ有する前記電極パッドの中央部付近に接触する構成とする。

Description

明細書

プローブカード

技術分野

[0001] 本発明は、検査対象である半導体ウェハと検査用の信号を生成する回路構造との間を電気的に接続するプローブカードに関する。

背景技術

[0002] 半導体の検査工程では、ダイシングする前の半導体ウェハの状態で導電性を有するプローブ (導電性接触子)をコンタクトさせることによって導通検査を行い、不良品を検出することがある（WLT: Wafer Level Test)。この WLTを行う際には、検査装置（テスター）によって生成、送出される検査用の信号を半導体ウェハに伝えるために、多数のプローブを収容するプローブカードが用いられる。 WLTでは、半導体ウェハ上のダイをプローブカードでスキャニングしながらプローブをダイごとに個別にコンタタトさせる力半導体ウェハ上には数百〜数万というダイが形成されているので、一つの半導体ウェハをテストするにはかなりの時間を要し、ダイの数が増加するとともにコストの上昇を招いていた。

[0003] 上述した WLTの問題点を解消するために、最近では、半導体ウェハ上の全てのダィ、または半導体ウェハ上の少なくとも 1Z4〜1Z2程度のダイに数百〜数万のプローブを一括してコンタクトさせる FWLT (Full Wafer Level Test)という手法も用いられている（例えば、特許文献 1を参照)。この手法では、プローブを半導体ウェハに対して正確にコンタクトさせるため、所定の基準面に対するプローブカードの平行度や平面度を精度よく保つことによってプローブの先端位置精度を保持する技術や、半導体ウェハを高精度でァライメントする技術が必要とされる。

[0004] 図 17は、上述した FWLTにおいて適用されるプローブカード要部の構成を模式的に示す図である。同図に示すプローブカード 41は、半導体ウェハ 100に設けられた電極パッド 101に対応して配置された複数のプローブ 42と、プローブ 42を収容するプローブヘッド 43と、プローブヘッド 43における微細な配線パターンの間隔を変換して中継する中継基板であるスペーストランスフォーマ 44とを備える。スペーストランスフォーマ 44にはプローブヘッド 43に収容されたプローブ 42と対応する位置に電極ノッド 45が設けられており、プローブ 42の先端が電極パッド 45に接触している。また、スペーストランスフォーマ 44内部には、電極パッド 45に対応したパターンを有する配線が設けられている（図示せず)。この配線は、インターポーザを介して検査用の基板へと接続されてヽる (インターポーザと基板は図示せず)。

[0005] 特許文献 1：特開 2003— 240801号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0006] ところで、半導体ウェハ 100の検査は、複数の異なる温度環境下で行われる。このため、プローブカード 41においては、プローブヘッド 43、スペーストランスフォーマ 4 4、および半導体ウェハ 100がそれぞれ有する熱膨張係数（CTE : Coefficient of Th ermal Expansion)の値の差が問題となってくる。

[0007] 以下、この点について具体的に説明する。以後の説明において、図 17に示す状態は常温環境下（25°C程度)での状態であるとする。また、プローブヘッド 43の熱膨張係数を C、スペーストランスフォーマ 44の熱膨張係数を C、半導体ウェハ 100の熱

P S

膨張係数を C としたとき、 3つの熱膨張係数間には C < C < C という関係が成り立

W S P W

つているとする。この場合、高温環境下 (例えば 85°C程度)では、図 18に示すように、プローブヘッド 43、スペーストランスフォーマ 44、および半導体ウェハ 100の熱膨張の度合いが異なるため、相互の位置関係が常温時力変化し、プローブ 42が半導体ウェハ 100の電極パッド 101やスペーストランスフォーマ 44の電極パッド 45に接触しなくなつてしまうことがあった。

[0008] このように、プローブカードは熱膨張係数が互いに異なる複数の部材を積層することによって構成されているため、検査時の温度環境によって各部材の膨張の度合いが異なるのは不可避である。そこで、力かる状況を改善するため、検査時の温度環境によらずにプローブを接触対象に対して確実に接触させることができる技術が待望されていた。

[0009] 本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、検査時の温度環境によらずにプローブを接触対象に対して確実に接触させることができるプローブカードを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0010] 上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項 1記載の発明は、検査対象である半導体ウェハと検査用の信号を生成する回路構造との間を電気的に接続するプローブカードであって、導電性材料から成り、前記半導体ウェハが有する電極パッドに接触して電気信号の入力または出力を行う複数のプローブと、前記複数のプローブを収容保持するプローブヘッドと、前記回路構造に対応する配線パターンを有する基板と、前記プローブヘッドに積層され、前記基板が有する前記配線パターンの間隔を変えて中継し、この中継した配線に対応して前記プローブヘッドと対向する側の表面に設けられた電極パッドを有するスペーストランスフォーマと、を備え、前記プローブの両端は、前記半導体ウェハを検査する際の最低温度と最高温度との平均温度を有する環境下におヽて、前記半導体ウェハおよび前記スペーストランスフォーマがそれぞれ有する前記電極パッドの中央部付近に接触することを特徴とする。

[0011] 請求項 2記載の発明は、請求項 1記載の発明において、前記スペーストランスフォ一マに固着され、当該スペーストランスフォーマと前記プローブヘッドとの位置決めを行う複数の位置決めピンを備え、前記プローブヘッドは、前記複数の位置決めピンをそれぞれ挿通する複数の位置決め孔を有し、この複数の位置決め孔のうち少なくとも一つは、長手方向の長さが前記位置決めピンの径よりも大きい長孔形状をなすことを特徴とする。

[0012] 請求項 3記載の発明は、検査対象である半導体ウェハと検査用の信号を生成する回路構造との間を電気的に接続するプローブカードであって、導電性材料から成り、前記半導体ウェハが有する電極パッドに接触して電気信号の入力または出力を行う複数のプローブと、前記複数のプローブを収容保持するプローブヘッドと、前記回路構造に対応する配線パターンを有する基板と、前記プローブヘッドに積層され、前記基板が有する前記配線パターンの間隔を変えて中継し、この中継した配線に対応して前記プローブヘッドと対向する側の表面に設けられた電極パッドを有するスペーストランスフォーマと、前記スペーストランスフォーマに固着され、当該スペーストランスフォーマと前記プローブヘッドとの位置決めを行う複数の位置決めピンと、を備え、前記プローブヘッドは、前記複数の位置決めピンをそれぞれ挿通する複数の位置決め孔を有し、この複数の位置決め孔のうち少なくとも一つは、長手方向の長さが前記位置決めピンの径よりも大きい長孔形状をなすことを特徴とする。

[0013] 請求項 4記載の発明は、請求項 2または 3記載の発明において、前記プローブへッドの表面は中心対称な形状をなし、この表面の中心を通過する対角線の両端付近に一対の位置決めピンが揷通され、この一対の位置決めピンの一方を揷通する位置決め孔は、前記対角線に平行な方向の長さが前記位置決めピンの径よりも大きいことを特徴とする。

[0014] 請求項 5記載の発明は、請求項 2または 3記載の発明において、前記プローブへッドの表面は中心対称な形状をなし、この表面の中心に対して対称な位置に複数の位置決めピンが挿通され、各位置決めピンを挿通する位置決め孔は、前記表面の中心力も放射状に広がっていく径方向の長さが前記位置決めピンの径よりも大きいことを特徴とする。

[0015] 請求項 6記載の発明は、請求項 1〜3のいずれか一項記載の発明において、前記基板に装着されて前記基板を補強する補強部材と、導電性材料から成り、前記基板と前記スペーストランスフォーマとの間に介在して前記基板の配線を中継するインタ一ポーザと、前記基板に固着され、前記インタポーザおよび前記スペーストランスフォーマに圧力を加えて保持する保持部材と、前記保持部材に固着され、前記プロ一ブヘッドの表面であって前記複数のプローブが突出する表面の縁端部近傍を全周に渡つて前記基板の方向へ押さえ付けるリーフスプリングと、をさらに備えたことを特徴とする。

発明の効果

[0016] 本発明に係るプローブカードによれば、導電性材料から成り、前記半導体ウェハが有する電極パッドに接触して電気信号の入力または出力を行う複数のプローブと、前記複数のプローブを収容保持するプローブヘッドと、前記回路構造に対応する配線パターンを有する基板と、前記プローブヘッドに積層され、前記基板が有する前記配線パターンの間隔を変えて中継し、この中継した配線に対応して前記プローブヘッドと対向する側の表面に設けられた電極パッドを有するスペーストランスフォーマと、を備え、前記プローブの両端は、前記半導体ウェハを検査する際の最低温度と最高温度との平均温度を有する環境下において、前記半導体ウェハおよび前記スペーストランスフォーマがそれぞれ有する前記電極パッドの中央部付近に接触する構成とすることにより、検査時の温度環境によらずにプローブを接触対象に対して確実に接触させることが可會となる。

[0017] また、本発明に係るプローブカードによれば、スペーストランスフォーマに固着され、当該スペーストランスフォーマとプローブヘッドとの位置決めを行う複数の位置決めピンを備え、前記プローブヘッドは、前記複数の位置決めピンをそれぞれ挿通する複数の位置決め孔を有し、この複数の位置決め孔のうち少なくとも一つは、長手方向の長さが前記位置決めピンの径よりも大きい長孔形状をなすことにより、検査時の温度環境によらずにプローブを接触対象に対して確実に接触させることができるとともに、熱膨張によるプローブカードの破損等を防止することも可能となる。

図面の簡単な説明

[0018] [図 1]図 1は、本発明の実施の形態 1に係るプローブカードの構成を示す分解斜視図である。

[図 2]図 2は、本発明の実施の形態 1に係るプローブカードの構成を示す上面図である。

[図 3]図 3は、本発明の実施の形態 1に係るプローブカードを用いた検査の概要を示す図である。

[図 4A]図 4Aは、最低温度環境下でのプローブカード要部の構成を示す図である。

[図 4B]図 4Bは、平均温度環境下でのプローブカード要部の構成を示す図である。

[図 4C]図 4Cは、最高温度環境下でのプローブカード要部の構成を示す図である。

[図 5]図 5は、本発明の実施の形態 1の一変形例に係るプローブカード要部の構成を示す図である。

[図 6]図 6は、本発明の実施の形態 2に係るプローブカード要部の最低温度環境下での構成を示す図である。

[図 7]図 7は、図 6の B— B線断面を模式的に示す図である。

[図 8]図 8は、本発明の実施の形態 2に係るプローブカード要部の平均温度環境下での構成を示す図である。

[図 9]図 9は、図 8の C— C線断面を模式的に示す図である。

[図 10]図 10は、本発明の実施の形態 2に係るプローブカード要部の最高温度環境下での構成を示す図である。

[図 11]図 11は、図 10の D— D線断面を模式的に示す図である。

[図 12]図 12は、本発明の実施の形態 2の一変形例に係るプローブカード要部の構成を示す図である。

[図 13]図 13は、本発明の実施の形態 3に係るプローブカード要部の最低温度環境下での構成を示す図である。

[図 14]図 14は、図 13の E—E線断面を模式的に示す図である。

[図 15]図 15は、本発明の実施の形態 3に係るプローブカード要部の平均温度環境下での構成を示す図である。

[図 16]図 16は、本発明の実施の形態 3に係るプローブカード要部の最高温度環境下での構成を示す図である。

[図 17]図 17は、従来のプローブカード要部の構成を模式的に示す図である。

[図 18]図 18は、従来のプローブカード要部の高温環境下での構成を模式的に示す図である。

符号の説明

1、 21、 31、 41 プローブカード

2、 42 プローブ

3 コネクタ座

4 ウェハチャック

11 基板

12 補強部材

13 インターポーザ

14、 14— 2、 22、 25、 32、 44 スペース卜ランスフォーマ

15、 15— 2、 23、 26、 33、 43 プローブヘッド

15p プローブ収容領域 16 保持部材

17 リーフスプリング

18 配線

19 才スコネクタ

20 メスコネクタ

24a, 24b、 27a, 27b, 34a、 34b、 34c、 34d 位置決めピン

45、 101、 141 電極パッド、

100 半導体ウェハ

121 外周部

122 中心部

123 連結部

171 爪部

231、 232、 261、 331、 332、 333、 334 位置決め孔

発明を実施するための最良の形態

[0020] 以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の形態 (以後、「実施の形態」と称する）を説明する。なお、図面は模式的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、それぞれの部分の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

[0021] (実施の形態 1)

図 1は、本発明の実施の形態 1に係るプローブカード要部の構成を示す分解斜視図である。また、図 2は、本実施の形態 1に係るプローブカードの上面図である。さらに、図 3は、本実施の形態 1に係るプローブカードを用いた検査の概要を示す図であり、プローブカードについては図 2の A— A線断面を模式的に示す図である。これらの図 1〜図 3に示すプローブカード 1は、複数のプローブを用いて検査対象である半導体ウェハ 100と検査用の信号を生成する回路構造を備える検査装置とを電気的に接続するものである。

[0022] プローブカード 1は、薄い円盤状をなし、検査装置との電気的な接続を図る基板 11 と、基板 11の一方の面に装着され、基板 11を補強する補強部材 12と、基板 11からの配線を中継するインターポーザ 13と、インターポーザ 13によって中継された配線の間隔を変えて中継するスペーストランスフォーマ 14 (中継基板）と、基板 11よりも径力 S小さい円盤状をなしてスペーストランスフォーマ 14に積層され、検査対象の配線パターンに対応して複数のプローブ 2を収容保持するプローブヘッド 15と、を備える。また、プローブカード 1は、基板 11に固着され、インターポーザ 13およびスペーストランスフォーマ 14を積層した状態で一括して保持する保持部材 16と、保持部材 16に固着されてプローブヘッド 15の端部を固定するリーフスプリング 17と、を備える。

[0023] 以下、プローブカード 1のさらに詳細な構成を説明する。基板 11は、ポリイミド、ベ一クライト、エポキシ榭脂等の絶縁性物質を用いて形成され、複数のプローブ 2と検查装置とを電気的に接続するための配線層（配線パターン）がビアホール等によって立体的に形成されている。

[0024] 補強部材 12は、基板 11と略同径を有する円形の外周部 121と、外周部 121のなす円と同じ中心を有し、インターポーザ 13の表面よりも若干表面積が大きい円盤状をなす中心部 122と、中心部 122の外周方向力も外周部 121に達するまで延出し、外周部 121と中心部 122とを連結する複数の連結部 123 (図 1では 4個）とを備える。力かる補強部材 12は、アルマイト仕上げを行ったアルミニウム、ステンレス、インバー材、コバール材 (登録商標）、ジュラルミンなど剛性の高い材料によって実現される。

[0025] インターポーザ 13は、正 8角形の表面を有し、薄板状をなす。このインターポーザ 1 3として、例えばポリイミド等の絶縁性材料力も成る薄膜状の基材と、この基材の両面に所定のパターンで配設され、片持ち梁状をなす板ばね式の複数の接続端子とを有するものを適用することができる。この場合には、インターポーザ 13の一方の表面に設けられた接続端子がスペーストランスフォーマ 14の電極パッドに接触するとともに、他方の表面に設けられた接続端子が基板 11の電極パッドに接触することによつて両者の電気的な接続を図る。なお、接続端子をコイルピンによって構成してもよい

[0026] インターポーザ 13としては、上記以外にも薄板状のシリコンゴム内部の板厚方向に金属粒子を配列させた加圧導電ゴム（ラバーコネクタ）を適用することもできる。この加圧導電ゴムは、板厚方向に圧力を加えと、シリコンゴム内部で隣接する金属粒子が互いに接触することによって異方導電性を示す。このような性質を有する加圧導電ゴムを用いてインターポーザ 13を構成することにより、基板 11とスペーストランスフォ一マ 14との電気的な接続を図ってもよい。

[0027] スペーストランスフォーマ 14は、内部の配線層も基板 11と同様、ビアホール等によつて立体的に形成されている。このスペーストランスフォーマ 14の表面はインターポ一ザ 13と略合同な正 8角形の表面を有し、薄板状をなしている。力かるスペーストランスフォーマ 14は、セラミックス等の絶縁性材料を母材としており、プローブヘッド 15 の熱膨張係数と基板 11の熱膨張係数との差を緩和する機能も果たしてヽる。

[0028] プローブヘッド 15は、円盤形状をなし、図 2に示すプローブ収容領域 15pにおいて複数のプローブ 2を図 2で紙面垂直に突出するように収容保持している。プローブへッド 15に収容されるプローブ 2の数や配置パターンは、半導体ウェハ 100に形成される半導体チップの数や電極パッド 101の配置パターンに応じて定まる。例えば、直径 8インチ (約 200mm)の半導体ウェハ 100を検査対象とする場合には、数百〜数千個のプローブ 2が必要となる。また、直径 12インチ（約 300mm)の半導体ウェハ 100 を検査対象とする場合には、数千〜数万個のプローブ 2が必要となる。

[0029] プローブヘッド 15は、例えばセラミックス等の絶縁性材料を用いて形成され、半導体ウェハ 100の配列に応じてプローブ 2を収容するための孔部が肉厚方向に形成されている。

[0030] 保持部材 16は、補強部材 12と同様の材料によって構成され、インターポーザ 13とスペーストランスフォーマ 14を積層して保持可能な正八角柱形状の中空部を有する。この保持部材 16は、インターポーザ 13およびスペーストランスフォーマ 14を基板 1 1に対して押し付けて保持することにより、基板 11とスペーストランスフォーマ 14とがインターポーザ 13を介して電気的に接続するために必要な圧力をカ卩えている。

[0031] リーフスプリング 17は、リン青銅、ステンレス !^)、ベリリウム銅などの弾性のある材料から形成され、薄肉の円環状をなし、その内周にはインターポーザ 13、スペーストランスフォーマ 14、およびプローブヘッド 15を保持するための押え用部材としての爪部 171が全周に渡って一様に設けられている。力かる爪部 171は、プローブヘッド 15表面の縁端部近傍を全周に渡って基板 11の方向へ均等に押さえ付けて、る。したがって、プローブヘッド 15で収容するプローブ 2には略均一な初期荷重が発生し、上記の如く多数のプローブ 2を保持する場合のように、プローブヘッド 15の反り、波打ち、凹凸等の変形が問題となってくる場合であっても、そのような変形を抑制することがでさる。

[0032] 基板 11と補強部材 12との間、基板 11と保持部材 16との間、および保持部材 16とリーフスプリング 17との間は、所定の位置に螺着されたねじによってそれぞれ締結されている（図示せず)。

[0033] 基板 11に形成される配線 18の一端は、検査装置（図示せず)との接続を行うために、基板 11の表面であって補強部材 12が装着された側の表面に配設された複数のォスコネクタ 19に接続される一方、その配線 18の他端は、スペーストランスフォーマ 1 4の下端部に形成される電極パッドを介してプローブヘッド 15で収容保持するプロ一ブ 2に接続されている。なお、図 3では、記載を簡略にするために、一部の配線 18のみを模式的に示している。

[0034] 各ォスコネクタ 19は、基板 11の中心に対して放射状に配設され、検査装置のコネクタ座 3で対向する位置に設けられるメスコネクタ 20の各々と対をなし、互いの端子が接触することによってプローブ 2と検査装置との電気的な接続を確立する。ォスコネクタ 19とメスコネクタ 20とから構成されるコネクタとして、ォスコネクタを挿抜する際に外力をほとんど必要とせず、コネクタ同士を結合した後に外力によって圧接力をカロえるゼロインサーシヨンフォース（ZIF : Zero Insertion Force)型コネクタを適用することができる。この ZIF型コネクタを適用すれば、プローブカード 1や検査装置は、プローブ 2の数が多くても接続によるストレスをほとんど受けずに済むため、確実な電気的接続を得ることができ、プローブカード 1の耐久性を向上させることもできる。

[0035] なお、プローブカードと検査装置とで、コネクタのォスとメスとを逆にしても構わない。また、コネクタは放射状以外の配置としてもよい。さらに、プローブカードと検査装置との接続をコネクタによって実現する代わりに、スプリング作用のあるポゴピン等の端子を検査装置に設け、カゝかる端子を介してプローブカードと検査装置とを接続する構成としてもよい。 [0036] 図 3に示すように、プローブ 2は、ウェハチャック 4に載置された半導体ウェハ 100の電極パッドの配置パターンに対応して一方の先端が突出するようにしてプローブへッド 15に収容保持されており、各プローブ 2の先端 (底面側）が半導体ウェハ 100の複数の電極パッド 101の表面に対して垂直な方向から所定圧で接触する。かかるプローブ 2は細針状をなすとともに、長手方向に伸縮自在に弹発付勢されている。このようなプローブ 2として、従来力知られているプローブのいずれかを適用することができる。

[0037] 次に、プローブカード 1と半導体ウェハ 100との位置関係について説明する。半導体ウェハ 100の検査を行う場合には、複数の異なる温度環境下で検査を行うため、検査時の温度の最小値 (最低温度）と最大値 (最高温度）の温度差が大き、と、プローブカード 1を構成する各部材の熱膨張係数の違いによる膨張の度合いの違いが顕著になってくる。このため、検査時の温度によってはプローブ 2の先端が半導体ゥェノ、 100やスペーストランスフォーマ 14の適切な位置に接触しないことが起こりうる。そこで、本実施の形態 1においては、検査時の最低温度と最高温度の平均温度を有する温度環境下で検査を行う場合に、プローブ 2の両端が、半導体ウェハ 100の電極ノッドゃスペーストランスフォーマ 14の電極パッドの中央部付近で接触する構成とする。

[0038] なお、本実施の形態 1では、検査の内容等によって、プローブカード 1およびウェハチャック 4を含む検査システムの雰囲気温度を変化させる場合もあれば、ウェハチヤック 4の温度を変化させる場合もある。したがって、ここでいう温度環境とは、検査時の雰囲気温度および Zまたはウェハチャック 4の温度に応じた環境のことを意味する。この点については、本発明の全ての実施の形態に共通である。

[0039] 図 4A〜図 4Cは、異なる温度を有する温度環境においてプローブカード 1を構成するスペーストランスフォーマ 14、プローブヘッド 15、および半導体ウェハ 100の相互の位置関係を模式的に示す図である。以下の説明においては、上述した背景技術の項と同様、スペーストランスフォーマ 14の熱膨張係数を C、プローブヘッド 15の

s

熱膨張係数を C、半導体ウェハ 100の熱膨張係数を C とする。また、図 4A〜図 4C

P W

では、 3つの熱膨張係数の間に C >C >Cの関係が成り立っているものとする。 [0040] なお、図 4A〜図 4Cでは、スペーストランスフォーマ 14、プローブヘッド 15、および半導体ウェハ 100の位置関係を説明することが主眼であるため、それ以外の構成の詳細については簡略ィ匕しており、プローブ 2も 2本のみを記載している。

[0041] 図 4Aは、検査時の最低温度 T を有する温度環境下でのスペーストランスフォー

low

マ 14、プローブヘッド 15、および半導体ウェハ 100の位置関係を模式的に示す図である。この最低温度環境下において、プローブ 2の上端はスペーストランスフォーマ 1 4に設けられた電極パッド 141の外縁部付近と接触している。また、プローブ 2の下端は、検査時に半導体ウェハ 100に設けられた電極パッド 101の内縁部付近と接触している。

[0042] 図 4Bは、最低温度 T から温度を上昇させ、検査時の最低温度 T および最高温

low low

度 T の平均値 Τ = (Τ +Τ ) Ζ2を有する温度環境下でのスペーストランスフ high mean low high

ォーマ 14、プローブヘッド 15、および半導体ウェハ 100の位置関係を模式的に示す図である。この平均温度環境下において、プローブ 2の上端はスペーストランスフォ一マ 14の電極パッド 141の中央部付近と接触する一方、プローブ 2の下端は半導体ウェハ 100の電極パッド 101の中央部付近と接触する。なお、図 4Bに示す破線は、最低温度環境下での位置関係（図 4A)を示したものである。

[0043] 図 4Cは、平均温度 T からさらに温度を上昇させて検査時の最高温度 T を有す

mean high る温度環境下でのスペーストランスフォーマ 14、プローブヘッド 15、および半導体ゥェハ 100の位置関係を模式的に示す図である。この図 4Cに示す最高温度環境下において、プローブ 2の上端はスペーストランスフォーマ 14の電極パッド 141とその電極パッド 141の内縁部付近と接触している。また、プローブ 2の下端は、検査時に半導体ウェハ 100の電極パッド 101の外縁部付近と接触している。なお、図 4Cに示す破線は、平均温度環境下での位置関係（図 4B)を示したものである。

[0044] このように、プローブ 2の先端が電極パッド 101や電極パッド 141と接触する位置が異なるのは、 3つの熱膨張係数 C , C ,および C に差があるためである。すなわち、

S P W

これら 3つの部材のうち熱膨張係数が最大であるスペーストランスフォーマ 14は、温度の上昇に伴って最も膨張しやすいため、図 4Bや図 4Cで水平方向に広がる割合が最も大きい。これに対して、 3つの部材のうち熱膨張係数の値が最小である半導体ウェハ 100は、図 4Bや図 4Cで水平方向に広がる割合が最も小さい。したがって、図 4Aに示す最低温度環境下では、プローブ 2の先端位置と電極パッド 101および 141 の中央部と位置がずれて接触しているのに対し、図 4Bに示す平均温度環境下では、プローブ 2の先端が電極パッド 101および 141の中央部と接触する。なお、これら 3 つの部材の鉛直方向の厚みは各部材の水平方向の幅と比較して顕著に小さいので、鉛直方向への熱膨張は無視できる。

[0045] 従来のプローブカードでは、常温環境 (最低温度環境と一致することもある）下においてプローブと電極パッドとの位置あわせを行っていた。しかしながらこの場合には、高温環境下でプローブと電極パッドのずれ量が大きくなつてしま、。接触しなくなってしまう場合があった（図 18を参照)。これに対して、本実施の形態 1においては、平均温度環境下でプローブ 2の先端が電極パッド 101および 141の中央部と接触するように位置あわせを行って、るため、検査時に想定される温度帯域における接触位置のずれ量を従来の 1Z2程度と小さくすることができる。この結果、半導体ウェハ 100の電極パッド 101やスペーストランスフォーマ 14の電極パッド 141とプローブ 2の先端とを、温度環境によらずに確実に接触させることが可能となる。

[0046] ところで、 3つ熱膨張係数 C、 C、および Cの間の関係は上述した場合に限られる

S P W

わけではない。図 5は、 3つの熱膨張係数 C、 C、および C の間に C < C < Cの関

S P W S P W

係がある場合の平均温度環境下における相互の位置関係を示す図である。同図に示す場合にも、平均温度環境下においてプローブ 2の先端が電極パッド 101および 141の中央部付近と接触している。なお、図 5においては、最低温度環境下での相互の位置関係を破線で表示するとともに、最高温度環境下での相互の位置関係を 1 点鎖線で示している。

[0047] 図 5に示す場合には、半導体ウェハ 100の熱膨張の度合いが最も大きぐスペーストランスフォーマ 14— 2の熱膨張の度合いが最も小さい。したがって、プローブヘッド 15— 2に収容保持されたプローブ 2の電極パッド 101に対する検査時の接触位置は、温度が上昇していくにつれて外縁部側から内縁部側へ変化する。これに対して、プローブ 2の電極パッド 141との接触位置は、温度が上昇するにつれて電極パッド 141 の内縁部側から外縁部側へと変化する。 [0048] 一般に、シリコンを主成分とする半導体ウェハ 100の熱膨張係数 C は 3. 4 (ppmZ

W

°C)程度であることが知られている力本実施の形態 1においては、検査で使用する温度の平均値における位置関係を基準とすればょ、だけなので、スペーストランスフォーマ 14およびプローブヘッド 15は、熱膨張係数に関わらずに最適な材料を選択することができる。したがって、プローブカード 1を製造する際の材料選択の自由度が格段に増加する。

[0049] 以上説明した本発明の実施の形態 1に係るプローブカードによれば、導電性材料から成り、半導体ウェハが有する電極パッドに接触して電気信号の入力または出力を行う複数のプローブと、前記複数のプローブを収容保持するプローブヘッドと、回路構造に対応する配線パターンを有する基板と、前記プローブヘッドに積層され、前記基板が有する前記配線パターンの間隔を変えて中継し、この中継した配線に対応して前記プローブヘッドと対向する側の表面に設けられた電極パッドを有するスペーストランスフォーマと、を備え、前記プローブの両端は、前記半導体ウェハを検査する際の最低温度と最高温度との平均温度を有する環境下において、前記半導体ウェハおよび前記スペーストランスフォーマがそれぞれ有する前記電極パッドの中央部付近に接触する構成とすることにより、検査時の温度環境によらずにプローブを接触対象に対して確実に接触させることが可能となる。

[0050] また、本実施の形態 1によれば、検査時の温度幅の中間すなわち検査時の最低温度と最高温度の平均温度を有する温度環境下でのプローブヘッド、スペーストランスフォーマ、および半導体ウェハの相互の位置関係を基準とした位置あわせを行っているため、検査時に想定される温度帯域であれば、プローブが半導体ウェハゃスぺ一ストランスフォーマの電極パッドと接触しなくなってしまうことがない。したがって、プローブヘッドやスペーストランスフォーマの材料選択の自由度が増加する。この結果

、顧客の要望に柔軟に対応することができるとともに、コストの削減を図ることも可能となる。

[0051] さらに、本実施の形態 1によれば、半導体ウェハやスペーストランスフォーマの電極ノッドのサイズにも柔軟に対応することが可能であり、例えばプローブを 0. 2mmピッチ以下の微小なサイズの電極パットに接触させることも容易となる。 [0052] (実施の形態 2)

本発明の実施の形態 2に係るプローブカードは、プローブヘッドとスペーストランスフォーマとの位置決めを行う一対の位置決めピンを備え、この一対の位置決めピンを揷通する位置決め孔のうちの一つを長手方向の長さが位置決めピンの径よりも大き Vヽ長孔形状としたことを特徴とする。

[0053] 本実施の形態 2においても、スペーストランスフォーマや半導体ウェハが有する電極パッドとプローブとの位置あわせは、上記実施の形態 1と同様になされているものとする。すなわち、検査時の最低温度と最高温度の平均温度を有する温度環境下でのスペーストランスフォーマ、プローブヘッド、および半導体ウェハの相互の位置関係を基準として位置あわせが行われて、るものとする。

[0054] 図 6は、本実施の形態 2に係るプローブカードのプローブヘッドとスペーストランスフォーマとの構成を示す図である。また、図 7は、図 6の B—B線断面を模式的に示す図である。以下の説明では、スペーストランスフォーマの熱膨張係数 Cとプローブへ

S

ッドの熱膨張係数 Cとの間に C < Cという関係があるものとする。また、図 6および図

P S P

7は、検査時の最低温度環境下でのスペーストランスフォーマとプローブヘッドとの位置関係を示しているものとする。なお、図 7では、プローブを含む内部の配線に関する記載を省略している。この点については、以下で参照する同様の断面についても同じことがいえる。

[0055] 図 6および図 7に示すプローブカード 21は、スペーストランスフォーマ 22と、プロ一ブヘッド 23と、スペーストランスフォーマ 22の表面と直交する方向に延出するように固着された 2本の位置決めピン 24aおよび 24bと、を備える。位置決めピン 24aおよび 24bは、スペーストランスフォーマ 22の表面の中心を通過する対角線の両端付近に固着される。プローブヘッド 23には、互いに同形の位置決めピン 24aおよび 24bをそれぞれ揷通してプローブヘッド 23のスペーストランスフォーマ 22に対する位置決めを行う一対の位置決め孔 231および 232力プローブヘッド 23の表面の中心を通過する対角線上の両端付近に形成されている。

[0056] 二つの位置決め孔のうち、位置決め孔 231は位置決めピン 24a等と略同径を有しており、プローブヘッド 23に対する位置がほぼ固定されている。これに対して位置決め孔 232は、プローブヘッド 23表面のなす円の外周方向の長さが位置決めピン 24a 等の径よりも大きい。したがって、位置決め孔 232に挿通された位置決めピン 24bは、プローブヘッド 23に対して円の外周方向に沿って移動する自由度を有する。

[0057] なお、プローブカード 21の上記以外の構成は、上述したプローブカード 1と同様である。

[0058] 図 8は、プローブカード 21が平均温度環境下におけるスペーストランスフォーマ 22 とプローブヘッド 23の位置関係を示す図であり、図 9は、図 8の C— C線断面を模式的に示す図である。なお、図 8における破線は、図 6の状態すなわち検査時の最低温度環境下でのスペーストランスフォーマ 22とプローブヘッド 23との位置関係を示している。図 8および図 9では、プローブヘッド 23の方が熱膨張の度合いが大きいため、位置決めピン 24bは位置決め孔 232の中央付近に位置する。

[0059] 図 10は、プローブカード 21が検査時の最高温度環境下におけるスペーストランスフォーマ 22とプローブヘッド 23の位置関係を示す図であり、図 11は、図 10の D—D 線断面を模式的に示す図である。なお、図 10における破線は図 6の状態すなわち検查時の最低温度環境下でのスペーストランスフォーマ 22とプローブヘッド 23との位置関係を示している。図 10および図 11に示す状態で、位置決めピン 24bは位置決め孔 232の内縁部付近に位置する。

[0060] このように、プローブヘッド 23に長孔形状をなす位置決め孔 232を設けたことにより、スペーストランスフォーマ 22とプローブヘッド 23との位置関係を温度によって変化させ、スペーストランスフォーマ 22の熱膨張係数 Cとプローブヘッド 23の熱膨張係数 s

Cとの差を緩和、吸収させることができる。この結果、全ての位置決めピンを位置決

P

めピン 24aと同様に略同径の位置決め孔に揷通する場合のように、温度の上昇によつて膨張したプローブヘッドの位置決めピンが挿通された箇所に、亀裂等が生じることによって破損することがなくなる。

[0061] 本実施の形態 2においても、スペーストランスフォーマの熱膨張係数 Cとプローブ

S

ヘッドの熱膨張係数 Cとの間に C >Cという関係が成り立つ場合も想定される。図 1

P S P

2は、この場合に検査時の最低温度環境下でのスペーストランスフォーマとプローブヘッドとの位置関係を示す図である。同図に示す場合、スペーストランスフォーマ 25 とプローブヘッド 26とは、二つの位置決めピン 27aおよび 27bによって位置決めされている。このうち、位置決めピン 27bは、長手方向がプローブヘッド 26表面の径方向に平行な長孔形状をなす位置決め孔 261を揷通している。図 12では、位置決めピン 27bは位置決め孔 261の内縁部側に位置しており、温度が上昇するにつれて位置決め孔 261の外縁部側へと揷通位置が変化していく。

[0062] 以上説明した本発明の実施の形態 2に係るプローブカードによれば、導電性材料から成り、半導体ウェハが有する電極パッドに接触して電気信号の入力または出力を行う複数のプローブと、前記複数のプローブを収容保持するプローブヘッドと、回路構造に対応する配線パターンを有する基板と、前記プローブヘッドに積層され、前記基板が有する前記配線パターンの間隔を変えて中継し、この中継した配線に対応して前記プローブヘッドと対向する側の表面に設けられた電極パッドを有するスペーストランスフォーマと、を備え、前記プローブの両端は、前記半導体ウェハを検査する際の最低温度と最高温度との平均温度を有する環境下において、前記半導体ウェハおよび前記スペーストランスフォーマがそれぞれ有する前記電極パッドの中央部付近に接触する構成とすることにより、上記実施の形態 1と同様に、検査時の温度環境によらずにプローブを接触対象に対して確実に接触させることが可能となる。

[0063] また、本実施の形態 2によれば、スペーストランスフォーマに固着され、当該スぺーストランスフォーマと前記プローブヘッドとの位置決めを行う一対の位置決めピンをさらに備え、その一対の位置決めピンをそれぞれ挿通する位置決め孔のうち少なくとも一つの外周方向の長さを位置決めピンの径よりも大きくすることにより、プローブへッドの熱膨張係数とスペーストランスフォーマとの熱膨張係数に差がある場合でも、高温時の半導体ウェハの検査において、プローブヘッドやスペーストランスフォーマが破損することがない。

[0064] (実施の形態 3)

本発明の実施の形態 3に係るプローブカードは、上記実施の形態 2と同様にプロ一ブヘッドとスペーストランスフォーマとの位置決めを行う位置決めピンを備える。本実施の形態 3においては、中心対称な形状をなすプローブヘッドの表面の中心に対して対称な位置に複数の位置決めピンが挿通され、各位置決めピンを挿通する位置決め孔のプローブヘッド表面の径方向の長さを位置決めピンの径よりも大きい長孔形状としたことを特徴とする。

[0065] 本実施の形態 3においても、スペーストランスフォーマや半導体ウェハが有する電極パッドとプローブとの位置あわせは、上記実施の形態 1と同様になされているものとする。すなわち、検査時の最低温度と最高温度の平均温度を有する温度環境下でのスペーストランスフォーマ、プローブヘッド、および半導体ウェハの相互の位置関係を基準として位置あわせが行われて、るものとする。

[0066] 図 13は、本実施の形態 3に係るプローブカードのプローブヘッドとスペーストランスフォーマとの構成を示す図である。また、図 14は、図 13の E—E線断面を模式的に示す図である。以下の説明では、スペーストランスフォーマの熱膨張係数 Cとプロ

S 一ブヘッドの熱膨張係数 Cとの間に C < Cという関係があるものとする。また、図 13お

P S P

よび図 14は、検査時の最低温度環境下でのスペーストランスフォーマとプローブへッドとの位置関係を示しているものとする。

[0067] 図 13および図 14に示すプローブカード 31は、スペーストランスフォーマ 32と、プローブヘッド 33と、スペーストランスフォーマ 32の表面と直交する方向に延出するように固着された 4本の位置決めピン 34a, 34b, 34c,および 34dと、を備える。位置決めピン 34a〜34dは、スペーストランスフォーマ 32の表面の中心に対して対称な位置に固着される。プローブヘッド 33には、位置決めピン 34a〜34dをそれぞれ揷通してプローブヘッド 33のスペーストランスフォーマ 32に対する位置決めを行う位置決め孔 331〜334力プローブヘッド 33の表面の円の中心に対して対称な位置に形成されている。

[0068] 位置決め孔 331〜334は、プローブヘッド 33表面のなす円の中心から放射状に広力ていく径方向の長さが位置決めピン 34a等の径よりも大きい。したがって、位置決め孔 331〜334にそれぞれ揷通された位置決めピン 34a〜34dはプローブヘッド 33に対して円の径方向に沿って移動する自由度を有する。すなわち、本実施の形態 3においては、温度の上昇に伴って、プローブヘッド 33はその表面の円の中心から放射状に広がって膨張して！/、く。

[0069] なお、プローブカード 31の上記以外の構成は、上述したプローブカード 1と同様である。

[0070] 図 15は、プローブカード 31が検査時の平均温度環境下におけるスペーストランスフォーマ 32とプローブヘッド 33の位置関係を示す図である。なお、図 15における破線は、図 13の状態すなわち検査時の最低温度環境下でのスペーストランスフォーマ 32とプローブヘッド 33との位置関係を示している。本実施の形態 3では、プローブへッド 33の方が熱膨張の度合いが大きいため、平均温度環境下において、位置決めピン 34a〜34dは、位置決め孔 331〜334の中央付近に位置する。

[0071] 図 16は、プローブカード 31が検査時の最高温度環境下におけるスペーストランスフォーマ 32とプローブヘッド 33の位置関係を示す図である。なお、図 16における破線も、図 13の状態すなわち検査時の最低温度環境下でのスペーストランスフォーマ 32とプローブヘッド 33との位置関係を示している。図 16に示す状態で、位置決めピン 34a〜34dは位置決め孔 331〜334の各内縁部付近に位置する。

[0072] このようにして、プローブヘッド 33に表面の径方向を長手方向とする長孔形状をなす位置決め孔 331〜334を設けたことにより、スペーストランスフォーマ 32とプローブヘッド 33との位置関係を温度によって変化させ、スペーストランスフォーマ 32の熱膨張係数 Cとプローブヘッド 33の熱膨張係数 Cとの差を緩和、吸収させることができる

S P

。この結果、上記実施の形態 2と同様に、温度の上昇によって膨張したプローブへッドの位置決めピン挿通箇所に亀裂等が生じることによって破損することがなくなる。

[0073] ところで、スペーストランスフォーマの熱膨張係数 Cとプローブヘッドの熱膨張係数

s

cとの間に c >cという関係がある場合も想定される。この場合には、上記実施の形

P S P

態 2で説明した図 12における位置決め孔 261のように、最低温度環境下での位置決めピンが位置決め孔の内縁部に位置するように位置あわせを行えばよい。

[0074] 以上説明した本発明の実施の形態 3に係るプローブカードによれば、導電性材料から成り、半導体ウェハが有する電極パッドに接触して電気信号の入力または出力を行う複数のプローブと、前記複数のプローブを収容保持するプローブヘッドと、回路構造に対応する配線パターンを有する基板と、前記プローブヘッドに積層され、前記基板が有する前記配線パターンの間隔を変えて中継し、この中継した配線に対応して前記プローブヘッドと対向する側の表面に設けられた電極パッドを有するスペーストランスフォーマと、を備え、前記プローブの両端は、前記半導体ウェハを検査する際の最低温度と最高温度との平均温度を有する環境下において、前記半導体ウェハおよび前記スペーストランスフォーマがそれぞれ有する前記電極パッドの中央部付近に接触する構成とすることにより、上記実施の形態 1と同様に、検査時の温度環境によらずにプローブを接触対象に対して確実に接触させることが可能となる。

[0075] また、本実施の形態 3によれば、スペーストランスフォーマに固着され、当該スぺーストランスフォーマと前記プローブヘッドとの位置決めを行う複数の位置決めピンをさらに備え、各位置決めピンを揷通する位置決め孔のプローブヘッド表面の中心から放射状に広がっていく径方向の長さが位置決めピンの径よりも大きくすることにより、上記実施の形態 2と同様に、プローブヘッドの熱膨張係数とスペーストランスフォーマとの熱膨張係数に差がある場合でも、高温時の半導体ウェハの検査において、プローブヘッドやスペーストランスフォーマが破損することがない。

[0076] 特に、本実施の形態 3によれば、全ての位置決め孔がプローブヘッド表面の中心に対して放射状に広がっていく方向を長手方向とする長孔形状をなすことにより、プローブヘッドは表面の中心に対して放射状に膨張することになるため、プローブへッドの特定の部分に過度の負荷が加わる恐れがほとんどなくなる。

[0077] なお、以上の説明では位置決めピンおよび位置決め孔がそれぞれ 4個の場合を説明したが、位置決めピンおよび位置決め孔の数はこれに限られるわけではなぐ 3個または 5個以上であってもよ、。

[0078] (その他の実施の形態）

ここまで、本発明を実施するための最良の形態として、実施の形態 1〜3を詳述してきた力本発明はそれら 3つの実施の形態によってのみ限定されるべきものではない。例えば、本発明に係るプローブカードは円盤状以外の形状として多角形の表面形状をなすプローブヘッドを備えてもよぐそれらの形状は検査対象の形状または電極ノッドの配置パターンによって変更可能である。

[0079] また、インターポーザやスペーストランスフォーマの各表面形状をプローブヘッドに相似な円形としてもよい。この場合には、 FWLT用のプローブカードとしては最も対称性が高くなるため、プローブカードの平面度や平行度を最優先する場合には最適である。

[0080] 上記以外にも、インターポーザやスペーストランスフォーマの各表面を適当な正多角形とし、プローブヘッドをその正多角形に相似な正多角形としてもよい。また、インターポーザやスペーストランスフォーマの形状の変化に応じて保持部材の抜き形状も変化する。また、プローブヘッドが半導体ウェハにフルコンタクトする場合にはプロ一ブヘッドは円形としてもよい。このように、本発明に係るプローブカードは円盤以外の形状をなす基板やプローブヘッドを備えてもよぐそれらの形状は検査対象の形状やその検査対象に設けられる電極パッドの配置パターンによって変更可能である。

[0081] 以上の説明からも明らかなように、本発明は、ここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含みうるものであり、特許請求の範囲により特定される技術的思想を逸脱しな、範囲内にお、て種々の設計変更等を施すことが可能である。

産業上の利用可能性

[0082] 以上のように、本発明にかかるプローブカードは、半導体ウェハの電気特性検査に有用であり、特に、 FWLTを行うのに好適である。

Claims

請求の範囲

[1] 検査対象である半導体ウェハと検査用の信号を生成する回路構造との間を電気的に接続するプローブカードであって、

導電性材料から成り、前記半導体ウェハが有する電極パッドに接触して電気信号の入力または出力を行う複数のプローブと、

前記複数のプローブを収容保持するプローブヘッドと、

前記回路構造に対応する配線パターンを有する基板と、

前記プローブヘッドに積層され、前記基板が有する前記配線パターンの間隔を変えて中継し、この中継した配線に対応して前記プローブヘッドと対向する側の表面に設けられた電極パッドを有するスペーストランスフォーマと、

を備え、

前記プローブの両端は、前記半導体ウェハを検査する際の最低温度と最高温度との平均温度を有する環境下において、前記半導体ウェハおよび前記スペーストランスフォーマがそれぞれ有する前記電極パッドの中央部付近に接触することを特徴とするプローブカード。

[2] 前記スペーストランスフォーマに固着され、当該スペーストランスフォーマと前記プローブヘッドとの位置決めを行う複数の位置決めピンを備え、前記プローブヘッドは、前記複数の位置決めピンをそれぞれ挿通する複数の位置決め孔を有し、この複数の位置決め孔のうち少なくとも一つは、長手方向の長さが前記位置決めピンの径よりも大きい長孔形状をなすことを特徴とする請求項 1記載のプローブカード。

[3] 検査対象である半導体ウェハと検査用の信号を生成する回路構造との間を電気的に接続するプローブカードであって、

前記複数のプローブを収容保持するプローブヘッドと、

前記回路構造に対応する配線パターンを有する基板と、

前記スペーストランスフォーマに固着され、当該スペーストランスフォーマと前記プローブヘッドとの位置決めを行う複数の位置決めピンと、を備え、

前記プローブヘッドは、前記複数の位置決めピンをそれぞれ挿通する複数の位置決め孔を有し、この複数の位置決め孔のうち少なくとも一つは、長手方向の長さが前記位置決めピンの径よりも大きい長孔形状をなすことを特徴とするプローブカード。

[4] 前記プローブヘッドの表面は中心対称な形状をなし、この表面の中心を通過する対角線の両端付近に一対の位置決めピンが挿通され、この一対の位置決めピンの一方を挿通する位置決め孔は、前記対角線に平行な方向の長さが前記位置決めピンの径よりも大きいことを特徴とする請求項 2または 3記載のプローブカード。

[5] 前記プローブヘッドの表面は中心対称な形状をなし、この表面の中心に対して対称な位置に複数の位置決めピンが挿通され、各位置決めピンを挿通する位置決め孔は、前記表面の中心力放射状に広がっていく径方向の長さが前記位置決めピンの径よりも大きいことを特徴とする請求項 2または 3記載のプローブカード。

[6] 前記基板に装着されて前記基板を補強する補強部材と、

導電性材料カゝら成り、前記基板と前記スペーストランスフォーマとの間に介在して前記基板の配線を中継するインターポーザと、

前記基板に固着され、前記インタポーザおよび前記スペーストランスフォーマに圧力を加えて保持する保持部材と、

前記保持部材に固着され、前記プローブヘッドの表面であって前記複数のプロ一ブが突出する表面の縁端部近傍を全周に渡って前記基板の方向へ押さえ付けるリ一フスプリングと、

をさらに備えたことを特徴とする請求項 1〜3のいずれか一項記載のプローブカード