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WO2007045669A1 - Radio module and circuit arrangement with a radio module - Google Patents

Radio module and circuit arrangement with a radio module Download PDF

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Publication number
WO2007045669A1
WO2007045669A1 PCT/EP2006/067538 EP2006067538W WO2007045669A1 WO 2007045669 A1 WO2007045669 A1 WO 2007045669A1 EP 2006067538 W EP2006067538 W EP 2006067538W WO 2007045669 A1 WO2007045669 A1 WO 2007045669A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transistor
radio module
signal line
electrical signal
vcc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2006/067538
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Hans-Jürgen Neuhaus
Christian Siebert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
Publication of WO2007045669A1 publication Critical patent/WO2007045669A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M19/00Current supply arrangements for telephone systems

Definitions

  • radio module is generally an electronic component, which is used to establish a communication connection via a mobile network in a variety of areas.
  • radio modules are used for applications in the so-called machine-to-machine (M2M) environment or to support applications in the field of telematics.
  • M2M machine-to-machine
  • radio modules are used in particular in the retail business, i. H. for the transmission of voice and data by users of mobile communication terminals.
  • Mobile communication terminals are electronic arrangements which, in addition to other components such as a display and a keyboard, also contain a radio module.
  • the invention relates to a radio module with a circuit arrangement, which is connected on the one hand to a potential terminal of an operating voltage and on the other hand to an electrical signal line.
  • Such a radio module is known, for example, in the form of the radio module TC35 from Siemens.
  • the TC35 radio module can be used in accordance with the ETSI TS 102 221 V7.2.0 (2005-08) "Smart cards; UICC terminal interface; Physical and logical characteristics (Release 7) "are connected via a serial interface to a smart card in the form of a so-called SIM (Subsciber Identity Module) card SIM cards are used in particular within the framework of the GSM standard (Global System for Mobile Communication) are used for the personalization of mobile devices and usually have a com- complete microprocessor system including a so-called flash data memory on.
  • GSM Global System for Mobile Communication
  • the communication between the radio module and the SIM card via the serial interface which in addition to other lines, for example for a reset signal (Reset) o for a clock signal (Clock), in particular an electrical signal line for transmitting data and / or control signals from the radio module to the SIM card or from the SIM card to the radio module.
  • the electrical signal line also referred to as input / output or I / O line, is bidirectionally designed, the line drivers are not designed as so-called push / pull drivers to avoid possible collisions, but rather as so-called open-collector devices. or so-called open-drain driver.
  • Open-drain (in the case of the use of field effect transistors) or open-collector (in the case of the use of conventional bipolar transistors) circuits or drivers are generally characterized in that they can be represented in an equivalent circuit by a switch which in closed state a connection to the lower potential (LOW level), d. H. for example, produces to the mass. In the open state of the switch, however, the potential lying on it is initially undetermined and is determined only by the external circuitry.
  • LOW level lower potential
  • a circuit consisting of a resistor ("drain resistor” or “collector resistor”) is used as the external circuit.
  • Resistance which is also referred to as a "pull-up" resistor due to its function, is connected, on the one hand, to a potential terminal of an operating voltage and, on the other hand, to the electrical signal line is open, ie no connection is made to the lower potential, the drain resistor ensures that the electrical signal line is pulled to the higher potential (HIGH level).
  • the drain resistance When dimensioning the drain resistance, it should be noted that a larger resistance reduces the current flowing, but increases the rise time of the voltage signal to HIGH level. Due to the specification requirement that the maximum output current on the electrical signal line must not exceed 500 ⁇ A, the drain resistance at the operating voltage of +3 V common for SIM cards must not fall below 6 k ⁇ . Furthermore, due to a corresponding specification, a maximum rise time to HIGH level of 1 ⁇ s must be observed.
  • the invention has for its object to provide a radio module with a simple circuit arrangement, the a wide Going trouble-free signal transmission via the electrical signal line allows.
  • the circuit arrangement is a current source having a primary transistor whose emitter is connected to the one potential terminal of the operating voltage and whose collector is connected to the electrical signal line, a secondary transistor whose emitter with the one potential connection the operating voltage is connected, whose collector is connected to the base of the primary transistor and whose base is connected to a point of connection between the collector of the secondary transistor and the base of the primary transistor, and with a resistor connected to the collector of the secondary transistor and connected to the other potential terminal of the operating voltage.
  • the transistors used are preferably bipolar transistors. It should be noted that in the case of a positive operating voltage pnp transistors are used, while at a negative operating voltage npn transistors are used.
  • the radio module can, as already described above, be connected via the electrical signal line, for example with a SIM card.
  • the electrical signal line is preferably designed as a so-called open-drain or open-collector line, ie, the electrical signal line can be connected at both ends with a lower potential terminal, preferably ground.
  • the two ends of the electrical signal line can assume a high-impedance state, in which case the output current on the electrical signal line is determined by the circuit arrangement in the form of the current source. This generates a stream, which due to the capacitive loads leads to a voltage corresponding to the specified HIGH level. This allows data and / or signal transmission from or to the radio module via the electrical signal line.
  • the radio module according to the invention is preferred because it enables a robust and insensitive signal transmission between the radio module and the SIM card via the electrical signal line.
  • the problems mentioned above in connection with the crosstalk of signals of the clock line to the electrical signal line and with respect to the achievement of the required rise time are avoided.
  • the circuit arrangement of the radio module according to the invention is simple and inexpensive to implement.
  • the solution according to the invention is distinguished by the fact that it avoids the fundamental disadvantage of such current sources that they have a voltage drop within the current source of approximately 0.7 V at a temperature of 25.degree . Since the SIM cards commonly used in conjunction with wireless modules operate with an operating voltage of 3 V or 1.8 V, thus results in the use of a standard power source at an operating voltage of 3 V or 1.8 V, a maximum HIGH Level of 2.3 V or 1.1 V. At the same time corresponds to the minimum permissible HIGH level according to a definition in the specification mentioned above at least 70% of the operating voltage, ie 2.1 V and 1.26 V.
  • the solution according to the invention is also advantageous over other current sources with a low voltage drop (so-called “low-drop current sources”)
  • a current source could be realized, for example, by replacing the secondary transistor with a further resistor in comparison to the radio module according to the invention
  • the voltage at the base of the primary transistor set by means of this voltage divider in addition to the base-emitter voltage of the primary transistor, results in the voltage at an additional resistor connected upstream of the emitter of the primary transistor. If the SIM interface of the radio module is constant, the voltage at the additional resistor connected upstream of the emitter of the primary transistor is also constant, and thus also the emitter current, which is deducted from the (low) base current, the output current of the current source e corresponds to the electrical signal line. Due to the optional adjustability of the voltage at the base of the primary transistor, in contrast to the standard current sources described above
  • the radio module according to the invention has a further resistor which is connected, on the one hand, to a point of connection between the one potential terminal of the operating voltage and the emitter of the primary transistor and, on the other hand, to the emitter of the secondary transistor.
  • This embodiment is preferred because it provides a current relationship between the current through the secondary transistor ("cross current") and the output current through the primary transistor, where the output current of the primary transistor is greater than the cross current through the secondary transistor.
  • cross current current
  • the primary transistor corresponds in its electrical properties to the secondary transistor.
  • This embodiment is preferred because this scattering of the output current of the primary transistor are kept small in the electrical signal line due to different data of the two transistors.
  • the current source is temperature-compensated, as the temperature dependence of the base voltages of the two transistors of -2 mV / K alternately cancel each other out. Same electrical properties of the two transistors, for example, in a simple Way can be realized by the use of double transistors in a housing. If the operating voltage is constant, then the two currents described are constant.
  • the invention further relates to an arrangement with a radio module, a smart card and a circuit arrangement which is connected on the one hand to a potential terminal of an operating voltage and on the other hand to an electrical signal line between the radio module and the smart card.
  • Such an arrangement is known for example in the form of a radio module TC 35 from Siemens, which is connected to a SIM card.
  • the present invention is based on the object of specifying an arrangement with a radio module with a simple circuit arrangement which permits a largely interference-free signal transmission via the electrical signal line.
  • the circuit arrangement is a current source having a primary transistor whose emitter is connected to the one potential terminal of the operating voltage and whose collector is connected to the electrical signal line, a secondary transistor whose emitter with the one potential terminal of the operating voltage is connected, whose collector is connected to the base of the primary transistor and whose base is connected to a point of connection between the collector of the secondary transistor and the base of the primary transistor, and with a resistor, the is connected to the collector of the secondary transistor and to the other potential terminal of the operating voltage.
  • a smart card (often referred to as a smart card) is typically a plastic card, which may include, for example, a microprocessor, hardware logic and / or memory device, and is used for a variety of applications.
  • the inventive arrangement is preferred because it allows a robust and insensitive signal transmission between the radio module and the smart card via the electrical signal line.
  • the circuit arrangement of the inventive arrangement is simple and inexpensive to implement.
  • the inventive arrangement has a further resistance, on the one hand to a point of connection between the one potential terminal of the operating voltage and the emitter of the primary transistor and on the other hand to the emitter of the secondary
  • Transistor is connected.
  • This embodiment is advantageous since, as already explained in connection with the radio module according to the invention, it reduces the transverse current through the secondary transistor in comparison to the output current of the primary transistor, which correspondingly reduces the energy consumption of the arrangement according to the invention.
  • the inventive arrangement is designed so that the primary transistor corresponds in its electrical properties to the secondary transistor. This offers the advantage that scattering of the output current of the primary transistor in the electrical signal line due to different data of the two transistors are largely avoided.
  • the inventive arrangement can also be designed so that the electrical signal line connects a microprocessor of the radio module and a microprocessor of the smart card.
  • This embodiment is preferred because a smart card usually has a microprocessor and thus the microprocessor of the radio module and the microprocessor of the smart card via the electrical signal line data and / or signaling messages can exchange with each other.
  • the smart card is a SIM (Subscriber
  • SIM cards are the type of smart cards commonly used in conjunction with radio modules.
  • FIG. 1 shows a schematic sketch of an exemplary embodiment of the arrangement according to the invention with an exemplary embodiment of the radio module according to the invention
  • FIG. 1 shows a radio module 1, which is connected via an electrical signal line 2 to a smart card 3 in the form of a SIM card. Further connections designated as SIM clock, SIM reset, SIM operating voltage and SIM ground are not shown in FIG.
  • a switch 4 which establishes a connection of the electrical signal line 2 with ground potential in the closed state.
  • a switch 5 which also establishes a connection of the electrical signal line 2 to the ground potential in the closed state.
  • the switches 4 and 5 can be realized in different forms. For example, these may be bipolar transistors, field-effect transistors, for example in the form of so-called MOSFETs, electronic switches or relays.
  • the collector of a primary transistor Tl is connected to a positive operating voltage VCC of the radio module 1.
  • the operating voltage VCC in a smart card 3 in the form of a SIM card usually has a value of +3 V or +1.8 V.
  • Parallel to the primary transistor Tl is the one potential terminal of the operating voltage VCC with the emitter of a secondary Transistor T2 connected.
  • the collector of the secondary transistor T2 is connected to the base of the primary transistor Tl.
  • the base of the secondary transistor T2 is connected to a point of connection between the collector of the secondary transistor T2 and the Base of the primary transistor Tl and also connected via a resistor Rb to the other potential terminal of the operating voltage VCC.
  • Circuit arrangement in the form of a current source, an output current which flows from the collector of the primary transistor Tl to the electrical signal line 2. Due to a capacitive load given inter alia by the electrical signal line 2, a voltage signal is generated which, with suitable dimensioning of the two transistors T1 and T2 and of the resistor Rb and depending on further potential capacitive loads to be taken into account, generates a voltage signal which corresponds to the voltage for the e- lectric signal line 2 of the SIM interface specified HIGH level corresponds. If one potential connection of the operating voltage VCC has a value of +3 V, a HIGH level in the range between +2.1 and +3 V must be observed in accordance with the specification mentioned at the outset.
  • the electrical signal line 2 in the form of a so-called "open-drain driver” possible collisions are avoided when using conventional push / pull drivers, since both the radio module 1 and the smart card 3 by means of the switch 4th or the switch 5, the electrical lectric signal line 2 each active only in the direction of the LOW level, ie in the considered case in the direction of mass, can pull.
  • FIG. 2 shows, in a schematic sketch, another exemplary embodiment of the arrangement according to the invention.
  • the arrangement of the exemplary embodiment of Figure 2 differs from that of Figure 1 by the before the emitter of the secondary transistor T2 inserted further resistor Re.
  • this arrangement offers the advantage that a relationship between the

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

The invention relates to a radio module (1) with a circuit arrangement connected to a power line for an operational voltage (VCC) and to an electrical signal line (2). According to the invention, the radio module may be improved with a circuit arrangement in the form of a power supply provided with a primary transistor (T1), the emitter of which is connected to a supply line at the operational voltage (VCC) and the collector of which is connected to the electrical signal line (2), a secondary transistor (T2), the emitter of which is connected to a supply line at the operational voltage (VCC) the collector of which is connected to the base electrode of the primary transistor (T1) and the base electrode of which is connected to a point on the connection between the collector of the secondary transistor (T2) and the base electrode of the primary transistor (T1) and a resistance (Rb), connected to the collector of the secondary transistor (T2) and to the other supply line at the operational voltage (VCC). The invention further relates to an arrangement with a radio module (1), a smart card (3) and a circuit arrangement connected to a power supply at an operational voltage (VCC) with an electrical signal line (2) connected between the radio module (1) and the smart card (3).

Description

Beschreibungdescription

Funkmodul und Schaltungsanordnung mit einem FunkmodulRadio module and circuit arrangement with a radio module

Bei einem Funkmodul handelt es sich allgemein um ein elektronisches Bauelement, welches zur Herstellung einer Kommunikationsverbindung über ein Mobilfunknetz in verschiedensten Bereichen eingesetzt wird. So werden Funkmodule beispielsweise für Anwendungen im so genannten Maschine-zu-Maschine (Machi- ne-to-Machine, M2M) Umfeld oder zur Unterstützung von Anwendungen im Bereich der Telematik verwendet. Darüber hinaus werden Funkmodule insbesondere im Endkundengeschaft , d. h. für die Übermittlung von Sprache und Daten durch Nutzer von mobilen Kommunikationsendgeraten, eingesetzt. Bei mobilen Kommunikationsendgeraten handelt es sich um elektronische Anordnungen, welche neben weiteren Komponenten, wie beispielsweise einem Display und einer Tastatur, auch ein Funkmodul enthalten .In a radio module is generally an electronic component, which is used to establish a communication connection via a mobile network in a variety of areas. For example, radio modules are used for applications in the so-called machine-to-machine (M2M) environment or to support applications in the field of telematics. In addition, radio modules are used in particular in the retail business, i. H. for the transmission of voice and data by users of mobile communication terminals. Mobile communication terminals are electronic arrangements which, in addition to other components such as a display and a keyboard, also contain a radio module.

Die Erfindung betrifft ein Funkmodul mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung und andererseits an einer elektrischen Signalleitung angeschlossen ist.The invention relates to a radio module with a circuit arrangement, which is connected on the one hand to a potential terminal of an operating voltage and on the other hand to an electrical signal line.

Ein solches Funkmodul ist beispielsweise in Form des Funkmoduls TC35 der Firma Siemens bekannt. Das Funkmodul TC35 kann gemäß der Spezifikation ETSI TS 102 221 V7.2.0 (2005-08) „Smart cards; UICC-Terminal interface; Physical and logical characteristics (Release 7)" über eine serielle Schnittstelle mit einer Smart-Karte in Form einer so genannten SIM (Subsc- riber Identity Module) -Karte verbunden werden. SIM-Karten werden insbesondere im Rahmen des GSM-Standards (Global System for Mobile Communication) zur Personalisierung von mobilen Endgeraten verwendet und weisen üblicherweise ein kom- plettes Mikroprozessorsystem einschließlich eines so genannten Flash-Daten-Speichers auf.Such a radio module is known, for example, in the form of the radio module TC35 from Siemens. The TC35 radio module can be used in accordance with the ETSI TS 102 221 V7.2.0 (2005-08) "Smart cards; UICC terminal interface; Physical and logical characteristics (Release 7) "are connected via a serial interface to a smart card in the form of a so-called SIM (Subsciber Identity Module) card SIM cards are used in particular within the framework of the GSM standard (Global System for Mobile Communication) are used for the personalization of mobile devices and usually have a com- complete microprocessor system including a so-called flash data memory on.

Die Kommunikation zwischen dem Funkmodul und der SIM-Karte erfolgt über die serielle Schnittstelle, welche neben weiteren Leitungen beispielsweise für ein Reset-Signal (Reset) o- der für ein Taktsignal (Clock) insbesondere eine elektrische Signalleitung zur Übertragung von Daten und/oder Steuersignalen von dem Funkmodul an die SIM-Karte beziehungsweise von der SIM-Karte an das Funkmodul aufweist. Da die auch als In- put/Output- bzw. I/O-Leitung bezeichnete elektrische Signalleitung bidirektional ausgelegt ist, sind die Leitungstreiber zur Vermeidung möglicher Kollisionen nicht als so genannte Push/Pull-Treiber auslegt, sondern als so genannte Open- Collector- bzw. so genannte Open-Drain-Treiber .The communication between the radio module and the SIM card via the serial interface, which in addition to other lines, for example for a reset signal (Reset) o for a clock signal (Clock), in particular an electrical signal line for transmitting data and / or control signals from the radio module to the SIM card or from the SIM card to the radio module. Since the electrical signal line, also referred to as input / output or I / O line, is bidirectionally designed, the line drivers are not designed as so-called push / pull drivers to avoid possible collisions, but rather as so-called open-collector devices. or so-called open-drain driver.

Open-Drain- (im Falle der Verwendung von Feldeffekttransistoren) bzw. Open-Collector- (im Falle der Verwendung herkömmlicher Bipolartransistoren) Schaltungen bzw. Treiber zeichnen sich generell dadurch aus, dass sie in einem Ersatzschaltbild durch einen Schalter dargestellt werden können, der im geschlossenen Zustand eine Verbindung zum niedrigeren Potential (LOW-Pegel) , d. h. beispielsweise zur Masse herstellt. Im geöffneten Zustand des Schalters ist das an ihm liegende Potential hingegen zunächst unbestimmt und wird erst durch die äußere Beschaltung festgelegt.Open-drain (in the case of the use of field effect transistors) or open-collector (in the case of the use of conventional bipolar transistors) circuits or drivers are generally characterized in that they can be represented in an equivalent circuit by a switch which in closed state a connection to the lower potential (LOW level), d. H. for example, produces to the mass. In the open state of the switch, however, the potential lying on it is initially undetermined and is determined only by the external circuitry.

Bei dem bekannten Funkmodul wird als äußere Beschaltung eine aus einem Widerstand („Drain-Widerstand" bzw. „Collector- Widerstand") bestehende Schaltungsanordnung verwendet. DerIn the known radio module, a circuit consisting of a resistor ("drain resistor" or "collector resistor") is used as the external circuit. Of the

Widerstand, der aufgrund seiner Funktion auch als „Pull-up"- Widerstand bezeichnet wird, ist einerseits an einem Potenti- alanschluss einer Betriebsspannung und andererseits an der elektrischen Signalleitung angeschlossen. Sofern der Schalter offen ist, d. h. keine Verbindung zum niedrigeren Potential hergestellt wird, sorgt der Drain-Widerstand dafür, dass die elektrische Signalleitung auf das höhere Potential (HIGH- Pegel) gezogen wird.Resistance, which is also referred to as a "pull-up" resistor due to its function, is connected, on the one hand, to a potential terminal of an operating voltage and, on the other hand, to the electrical signal line is open, ie no connection is made to the lower potential, the drain resistor ensures that the electrical signal line is pulled to the higher potential (HIGH level).

Bei der Dimensionierung des Drain-Widerstands ist zu beachten, dass ein größerer Widerstandswert den fließenden Strom reduziert, aber die Anstiegszeit des Spannungssignals auf HIGH-Pegel erhöht. Aufgrund der Spezifikationsanforderung, dass der maximale Ausgangsstrom auf der elektrischen Signalleitung 500 μA nicht übersteigen darf, darf der Drain-Widerstand bei der für SIM-Karten üblichen Betriebsspannung von +3 V nicht unter 6 kΩ fallen. Weiterhin ist aufgrund einer entsprechenden Spezifikation eine maximale Anstiegszeit auf HIGH-Pegel von 1 μs einzuhalten.When dimensioning the drain resistance, it should be noted that a larger resistance reduces the current flowing, but increases the rise time of the voltage signal to HIGH level. Due to the specification requirement that the maximum output current on the electrical signal line must not exceed 500 μA, the drain resistance at the operating voltage of +3 V common for SIM cards must not fall below 6 kΩ. Furthermore, due to a corresponding specification, a maximum rise time to HIGH level of 1 μs must be observed.

Bei größeren kapazitiven Lasten der elektrischen Signalleitung - z. B. bei längeren elektrischen Signalleitungen oder weiteren kapazitiven Belastungen - kommt es nun zu dem Prob- lern, dass die maximale Anstiegszeit von 1 μs trotz Verwendung des Minimalwiderstands von 6 kΩ nicht eingehalten werden kann. Darüber hinaus fuhrt die Verwendung des Open-Drain- bzw. Open-Collector-Treibers weiterhin zu dem Problem, dass die elektrische Signalleitung bei HIGH-Pegeln empfindlich ge- gen ein Ubersprechen von Signalen ist. Dies fuhrt beispielsweise in dem Fall, dass die Taktleitung parallel zur elektrischen Signalleitung gefuhrt wird, zu einem deutlich sichtbaren so genannten „Ripple" auf der elektrischen Signalleitung, welches zur Folge hat, dass standardisierte Gerate zum Test der SIM-Schnittstelle Fehler auf der elektrischen Signalleitung melden .For larger capacitive loads of the electrical signal line - z. As with longer electrical signal lines or other capacitive loads - it comes now to the prob- learning that the maximum rise time of 1 microseconds despite the use of the minimum resistance of 6 kΩ can not be met. In addition, the use of the open-drain or open-collector driver continues to cause the problem that the electrical signal line at HIGH levels is sensitive to signal crosstalk. This leads, for example in the case that the clock line is guided parallel to the electrical signal line, to a clearly visible so-called "ripple" on the electrical signal line, which has the consequence that standardized devices for testing the SIM interface errors on the electrical signal line Report .

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Funkmodul mit einer einfachen Schaltungsanordnung anzugeben, die eine weit- gehend störungsfreie Signalubertragung über die elektrische Signalleitung ermöglicht.The invention has for its object to provide a radio module with a simple circuit arrangement, the a wide Going trouble-free signal transmission via the electrical signal line allows.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemaß dadurch gelost, dass die Schaltungsanordnung eine Stromquelle ist mit einem primären Transistor, dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist und dessen Kollektor mit der elektrischen Signalleitung verbunden ist, einem sekundären Transistor, dessen Emitter mit dem einem Potentialan- Schluss der Betriebsspannung verbunden ist, dessen Kollektor mit der Basis des primären Transistors verbunden ist und dessen Basis an einen Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors und der Basis des primären Transistors angebunden ist, sowie mit einem Widerstand, der mit dem Kollektor des sekundären Transistors und mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist.This object is achieved according to the invention in that the circuit arrangement is a current source having a primary transistor whose emitter is connected to the one potential terminal of the operating voltage and whose collector is connected to the electrical signal line, a secondary transistor whose emitter with the one potential connection the operating voltage is connected, whose collector is connected to the base of the primary transistor and whose base is connected to a point of connection between the collector of the secondary transistor and the base of the primary transistor, and with a resistor connected to the collector of the secondary transistor and connected to the other potential terminal of the operating voltage.

Bei den verwendeten Transistoren handelt es sich vorzugsweise um Bipolartransistoren. Dabei ist zu beachten, dass im Falle einer positiven Betriebsspannung pnp-Transistoren verwendet werden, wahrend bei einer negativen Betriebsspannung npn- Transistoren zum Einsatz kommen.The transistors used are preferably bipolar transistors. It should be noted that in the case of a positive operating voltage pnp transistors are used, while at a negative operating voltage npn transistors are used.

Das Funkmodul kann, wie zuvor bereits beschrieben, über die elektrische Signalleitung beispielsweise mit einer SIM-Karte verbunden werden. Die elektrische Signalleitung ist dabei vorzugsweise als so genannte Open-Drain- bzw. Open-Collector- Leitung ausgebildet, d. h. die elektrische Signalleitung kann an beiden Enden mit einem niedrigeren Potentialanschluss, vorzugsweise Masse, verbunden werden. Alternativ können die beiden Enden der elektrischen Signalleitung einen hochohmigen Zustand einnehmen, in welchem Fall der Ausgangsstrom auf der elektrischen Signalleitung durch die Schaltungsanordnung in Form der Stromquelle bestimmt ist. Diese erzeugt einen Strom, welcher aufgrund der kapazitiven Lasten zu einer dem spezifizierten HIGH-Pegel entsprechenden Spannung fuhrt. Hierdurch wird eine Daten- und/oder Signalubertragung von oder zu dem Funkmodul über die elektrische Signalleitung ermöglicht.The radio module can, as already described above, be connected via the electrical signal line, for example with a SIM card. The electrical signal line is preferably designed as a so-called open-drain or open-collector line, ie, the electrical signal line can be connected at both ends with a lower potential terminal, preferably ground. Alternatively, the two ends of the electrical signal line can assume a high-impedance state, in which case the output current on the electrical signal line is determined by the circuit arrangement in the form of the current source. This generates a stream, which due to the capacitive loads leads to a voltage corresponding to the specified HIGH level. This allows data and / or signal transmission from or to the radio module via the electrical signal line.

Das erfindungsgemaße Funkmodul ist bevorzugt, da es eine robuste und unempfindliche Signalubertragung zwischen dem Funkmodul und der SIM-Karte über die elektrische Signalleitung ermöglicht. Dabei werden insbesondere die anfangs genannten Probleme in Zusammenhang mit dem Ubersprechen von Signalen der Taktleitung auf die elektrische Signalleitung und bezuglich des Erreichens der geforderten Anstiegszeit vermieden. Gleichzeitig ist die Schaltungsanordnung des erfindungsgema- ßen Funkmoduls einfach und kostengünstig zu realisieren.The radio module according to the invention is preferred because it enables a robust and insensitive signal transmission between the radio module and the SIM card via the electrical signal line. In particular, the problems mentioned above in connection with the crosstalk of signals of the clock line to the electrical signal line and with respect to the achievement of the required rise time are avoided. At the same time, the circuit arrangement of the radio module according to the invention is simple and inexpensive to implement.

Gegenüber der Verwendung von bekannten Standard-Stromquellen zeichnet sich die erfindungsgemaße Losung dadurch aus, dass sie den grundlegenden Nachteil solcher Stromquellen, dass diese bei einer Temperatur von 25°C einen Spannungsabfall in- nerhalb der Stromquelle von ca. 0,7 V aufweisen, vermeidet. Da die üblicherweise im Zusammenhang mit Funkmodulen verwendeten SIM-Karten mit einer Betriebsspannung von 3 V bzw. 1,8 V arbeiten, ergibt sich somit bei der Verwendung einer Standard-Stromquelle bei einer Betriebsspannung von 3 V bzw. 1,8 V ein maximaler HIGH-Pegel von 2,3 V bzw. 1,1 V. Gleichzeitig entspricht der minimale zulassige HIGH-Pegel entsprechend einer Festlegung in der eingangs genannten Spezifikation mindestens 70% der Betriebsspannung, d. h. 2,1 V bzw. 1,26 V. Somit wurde bei einer Betriebsspannung von 3 V der so genann- te Storabstand, d. h. die Differenz zwischen dem maximalen und dem minimalen HIGH-Pegel bei 25°C lediglich 0,2 V betragen. Dieser Wert wurde sich bei einer Erhöhung der Temperatur noch weiter verschlechtern, da bei den Standard-Stromquellen die Temperaturabhangigkeit der Basis-Emitter-Spannung von ty- pischerweise -2 mV/K nicht kompensiert wird. Bei einer Betriebsspannung von 1,8 V konnte sogar bereits bei einer Umgebungstemperatur von 25°C der spezifizierte minimale HIGH- Pegel von 1,26 V nicht eingehalten werden.Compared with the use of known standard current sources, the solution according to the invention is distinguished by the fact that it avoids the fundamental disadvantage of such current sources that they have a voltage drop within the current source of approximately 0.7 V at a temperature of 25.degree , Since the SIM cards commonly used in conjunction with wireless modules operate with an operating voltage of 3 V or 1.8 V, thus results in the use of a standard power source at an operating voltage of 3 V or 1.8 V, a maximum HIGH Level of 2.3 V or 1.1 V. At the same time corresponds to the minimum permissible HIGH level according to a definition in the specification mentioned above at least 70% of the operating voltage, ie 2.1 V and 1.26 V. Thus, at an operating voltage of 3 V, the so-called Storabstand, ie the difference between the maximum and the minimum HIGH level at 25 ° C only 0.2 V amount. This value worsened further as the temperature increased, since the standard current sources have the temperature dependence of the base-emitter voltage of ty- typically -2 mV / K is not compensated. At an operating voltage of 1.8 V, even at an ambient temperature of 25 ° C, the specified minimum HIGH level of 1.26 V could not be maintained.

Des Weiteren ist die erfindungsgemaße Losung auch gegenüber anderen Stromquellen mit einem geringen Spannungsabfall (so genannte „Low-Drop-Stromquellen" ) vorteilhaft. Eine solche Stromquelle konnte beispielsweise dadurch realisiert werden, dass im Vergleich zum erfindungsgemaßen Funkmodul der sekundäre Transistor durch einen weiteren Widerstand ersetzt wird, der zusammen mit dem Widerstand einen Spannungsteiler bildet. Die mittels dieses Spannungsteilers eingestellte Spannung an der Basis des primären Transistors ergibt abzuglich der Ba- sis-Emitterspannung des primären Transistors die Spannung an einem dem Emitter des primären Transistors vorgeschalteten zusatzlichen Widerstand. Da die Betriebsspannung der SIM- Schnittstelle des Funkmoduls konstant ist, ist auch die Spannung an dem dem Emitter des primären Transistors vorgeschal- teten zusatzlichen Widerstand konstant, und somit auch der Emitterstrom, der abzuglich des (geringen) Basisstroms dem Ausgangsstrom der Stromquelle an der elektrischen Signalleitung entspricht. Durch die wahlfreie Einstellbarkeit der Spannung an der Basis des primären Transistors wird im Gegen- satz zu den zuvor beschriebenen Standard-Stromquellen eineFurthermore, the solution according to the invention is also advantageous over other current sources with a low voltage drop (so-called "low-drop current sources") Such a current source could be realized, for example, by replacing the secondary transistor with a further resistor in comparison to the radio module according to the invention The voltage at the base of the primary transistor set by means of this voltage divider, in addition to the base-emitter voltage of the primary transistor, results in the voltage at an additional resistor connected upstream of the emitter of the primary transistor If the SIM interface of the radio module is constant, the voltage at the additional resistor connected upstream of the emitter of the primary transistor is also constant, and thus also the emitter current, which is deducted from the (low) base current, the output current of the current source e corresponds to the electrical signal line. Due to the optional adjustability of the voltage at the base of the primary transistor, in contrast to the standard current sources described above

Stromquelle mit geringer Sattigungsspannung (d. h. eine Low- Drop-Stromquelle) realisiert. Der Nachteil dieser Schaltungsanordnung besteht jedoch in der massiven Abhängigkeit des Ausgangstroms in die elektrische Signalleitung von der Tempe- raturdrift der Basis-Emitterspannung des primären Transistors, welche etwa -2 mV/K betragt. So ergibt sich beispielsweise bei einer Spannung von 100 mV an dem dem Emitter des primären Transistors vorgeschalteten Widerstand und einer Temperaturanderung von +50 °C eine Stromanderung von +100%. Dies bedeutet, dass diese Schaltungsanordnung lediglich in Umgebungen mit geringen Temperaturanderungen brauchbar ist.Power source with low saturation voltage (ie a low-drop power source) realized. The disadvantage of this circuit arrangement, however, is the massive dependence of the output current in the electrical signal line on the temperature drift of the base-emitter voltage of the primary transistor, which amounts to approximately -2 mV / K. For example, at a voltage of 100 mV at the emitter of the primary transistor upstream resistance and a temperature change of +50 ° C results in a current change of + 100%. This means that this circuitry is only useful in low temperature environment environments.

In einer besonders bevorzugten Ausfuhrungsform weist das er- findungsgemaße Funkmodul einen weiteren Widerstand auf, der einerseits an einen Punkt der Verbindung zwischen dem einen Potentialanschluss der Betriebsspannung und dem Emitter des primären Transistors und andererseits an den Emitter des sekundären Transistors angeschlossen ist. Diese Ausfuhrungsform ist bevorzugt, da sich hierdurch ein Stromverhaltnis zwischen dem Strom durch den sekundären Transistor („Querstrom") und dem Ausgangsstrom durch den primären Transistor ergibt. Dabei ist der Ausgangsstrom des primären Transistors großer als der Querstrom durch den sekundären Transistor. Somit lasst sich ein hoher Ausgangsstrom bei gleichzeitig geringem Querstrom realisieren. Dies ist insbesondere bei akkubetriebenen Funkmodulen vorteilhaft, da hierdurch der über den Widerstand abfließende Querstrom, der eine entsprechende Verlustleistung erzeugt, begrenzt wird. Die benotigte bzw. erforderliche Gro- ße des weiteren Widerstandes kann in Abhängigkeit von den verwendeten Transistoren beispielsweise empirisch oder durch Simulation ermittelt werden.In a particularly preferred embodiment, the radio module according to the invention has a further resistor which is connected, on the one hand, to a point of connection between the one potential terminal of the operating voltage and the emitter of the primary transistor and, on the other hand, to the emitter of the secondary transistor. This embodiment is preferred because it provides a current relationship between the current through the secondary transistor ("cross current") and the output current through the primary transistor, where the output current of the primary transistor is greater than the cross current through the secondary transistor This is particularly advantageous in the case of battery-operated radio modules, since this limits the crossflow flowing through the resistor, which generates a corresponding power loss the transistors used, for example, be determined empirically or by simulation.

In einer weiteren bevorzugten Ausfuhrungsform des erfindunge- maßen Funkmoduls entspricht der primäre Transistor in seinen elektrischen Eigenschaften dem sekundären Transistor. Diese Ausfuhrungsform ist bevorzugt, da hierdurch Streuungen des Ausgangsstroms des primären Transistors in die elektrische Signalleitung aufgrund von unterschiedlichen Daten der beiden Transistoren klein gehalten werden. Die Stromquelle ist darüber hinaus temperaturkompensiert, da sich die Temperaturab- hangigkeit der Basisspannungen der beiden Transistoren von -2 mV/K wechselseitig aufhebt. Gleiche elektrische Eigenschaften der beiden Transistoren können beispielsweise in einfacher Weise durch die Verwendung von Doppeltransistoren in einem Gehäuse realisiert werden. Falls die Betriebsspannung konstant ist, so sind dann auch die beiden beschriebenen Strome konstant .In a further preferred embodiment of the inventive radio module, the primary transistor corresponds in its electrical properties to the secondary transistor. This embodiment is preferred because this scattering of the output current of the primary transistor are kept small in the electrical signal line due to different data of the two transistors. In addition, the current source is temperature-compensated, as the temperature dependence of the base voltages of the two transistors of -2 mV / K alternately cancel each other out. Same electrical properties of the two transistors, for example, in a simple Way can be realized by the use of double transistors in a housing. If the operating voltage is constant, then the two currents described are constant.

Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Anordnung mit einem Funkmodul, einer Smart-Karte und mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung und andererseits an einer elektrischen Signal- leitung zwischen dem Funkmodul und der Smart-Karte angeschlossen ist.The invention further relates to an arrangement with a radio module, a smart card and a circuit arrangement which is connected on the one hand to a potential terminal of an operating voltage and on the other hand to an electrical signal line between the radio module and the smart card.

Eine solche Anordnung ist beispielsweise in Form eines Funkmoduls TC 35 der Firma Siemens bekannt, welches mit einer SIM-Karte verbunden ist.Such an arrangement is known for example in the form of a radio module TC 35 from Siemens, which is connected to a SIM card.

Bezuglich der Anordnung liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung mit einem Funkmodul mit einer einfachen Schaltungsanordnung anzugeben, die eine weitge- hend störungsfreie Signalubertragung über die elektrische Signalleitung erlaubt.With regard to the arrangement, the present invention is based on the object of specifying an arrangement with a radio module with a simple circuit arrangement which permits a largely interference-free signal transmission via the electrical signal line.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemaß dadurch gelost, dass die Schaltungsanordnung eine Stromquelle ist mit einem primären Transistor, dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist und dessen Kollektor mit der elektrischen Signalleitung verbunden ist, einem sekundären Transistor, dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist, dessen Kollektor mit der Basis des primären Transistors verbunden ist und dessen Basis an einen Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors und der Basis des primären Transistors angebunden ist, sowie mit einem Widerstand, der mit dem Kollektor des sekundären Transistors und mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist.This object is achieved according to the invention in that the circuit arrangement is a current source having a primary transistor whose emitter is connected to the one potential terminal of the operating voltage and whose collector is connected to the electrical signal line, a secondary transistor whose emitter with the one potential terminal of the operating voltage is connected, whose collector is connected to the base of the primary transistor and whose base is connected to a point of connection between the collector of the secondary transistor and the base of the primary transistor, and with a resistor, the is connected to the collector of the secondary transistor and to the other potential terminal of the operating voltage.

Bei einer Smart-Karte (häufig auch als Chipkarte bezeichnet) handelt es sich üblicherweise um eine Plastikkarte, welche beispielsweise einen Mikroprozessor, eine Hardware-Logik und/oder eine Speichereinrichtung enthalten kann und für verschiedenste Anwendungen verwendet wird.A smart card (often referred to as a smart card) is typically a plastic card, which may include, for example, a microprocessor, hardware logic and / or memory device, and is used for a variety of applications.

Die erfindungsgemaße Anordnung ist bevorzugt, da sie eine robuste und unempfindliche Signalubertragung zwischen dem Funkmodul und der Smart-Karte über die elektrische Signalleitung ermöglicht. Dabei werden wie bereits erwähnt insbesondere die anfangs genannten Probleme in Zusammenhang mit dem Uberspre- chen von Signalen der Taktleitung auf die elektrische Signalleitung und bezuglich des Erreichens der geforderten Anstiegszeit vermieden. Gleichzeitig ist die Schaltungsanordnung der erfindungsgemaßen Anordnung einfach und kostengünstig zu realisieren.The inventive arrangement is preferred because it allows a robust and insensitive signal transmission between the radio module and the smart card via the electrical signal line. In this case, as already mentioned, in particular the problems mentioned above in connection with the overshoot of signals of the clock line to the electrical signal line and with regard to the achievement of the required rise time are avoided. At the same time, the circuit arrangement of the inventive arrangement is simple and inexpensive to implement.

In einer bevorzugten Ausfuhrungsform weist die erfindungsgemaße Anordnung einen weiteren Widerstand auf, der einerseits an einen Punkt der Verbindung zwischen dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung und dem Emitter des primären Transistors und andererseits an den Emitter des sekundärenIn a preferred embodiment, the inventive arrangement has a further resistance, on the one hand to a point of connection between the one potential terminal of the operating voltage and the emitter of the primary transistor and on the other hand to the emitter of the secondary

Transistors angeschlossen ist. Diese Ausfuhrungsform ist vorteilhaft, da sie, wie bereits im Zusammenhang mit dem erfin- dungsgemaßen Funkmodul erläutert, den Querstrom durch den sekundären Transistor im Vergleich zu dem Ausgangsstrom des primären Transistors reduziert, wodurch sich der Energieverbrauch der erfindungsgemaßen Anordnung entsprechend verringert . Vorzugsweise ist die erfindungsgemaße Anordnung so ausgestaltet, dass der primäre Transistor in seinen elektrischen Eigenschaften dem sekundären Transistor entspricht. Dies bietet den Vorteil, dass Streuungen des Ausgangsstroms des primären Transistors in die elektrische Signalleitung aufgrund von unterschiedlichen Daten der beiden Transistoren weitestgehend vermieden werden.Transistor is connected. This embodiment is advantageous since, as already explained in connection with the radio module according to the invention, it reduces the transverse current through the secondary transistor in comparison to the output current of the primary transistor, which correspondingly reduces the energy consumption of the arrangement according to the invention. Preferably, the inventive arrangement is designed so that the primary transistor corresponds in its electrical properties to the secondary transistor. This offers the advantage that scattering of the output current of the primary transistor in the electrical signal line due to different data of the two transistors are largely avoided.

Die erfindungsgemaße Anordnung kann auch so ausgestaltet sein, dass die elektrische Signalleitung einen Mikroprozessor des Funkmoduls und einen Mikroprozessor der Smart-Karte verbindet. Diese Ausfuhrungsform ist bevorzugt, da eine Smart- Karte in der Regel einen Mikroprozessor aufweist und somit der Mikroprozessor des Funkmoduls und der Mikroprozessor der Smart-Karte über die elektrische Signalleitung Daten- und/oder Signalisierungsnachrichten untereinander austauschen können .The inventive arrangement can also be designed so that the electrical signal line connects a microprocessor of the radio module and a microprocessor of the smart card. This embodiment is preferred because a smart card usually has a microprocessor and thus the microprocessor of the radio module and the microprocessor of the smart card via the electrical signal line data and / or signaling messages can exchange with each other.

In einer weiteren bevorzugten Ausfuhrungsform der erfindungs- gemäßen Anordnung ist die Smart-Karte eine SIM (SubscriberIn a further preferred embodiment of the arrangement according to the invention, the smart card is a SIM (Subscriber

Identity Module) -Karte . Dies ist vorteilhaft, da es sich bei SIM-Karten um die üblicherweise im Zusammenhang mit Funkmodulen verwendete spezielle Art von Smart-Karten handelt.Identity Module) card. This is advantageous because SIM cards are the type of smart cards commonly used in conjunction with radio modules.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung zeigtTo further illustrate the invention shows

Figur 1 in einer schematischen Skizze ein Ausfuhrungsbeispiel der erfindungsgemaßen Anordnung mit einem Ausfuhrungsbeispiel des erfindungsgema- ßen Funkmoduls und1 shows a schematic sketch of an exemplary embodiment of the arrangement according to the invention with an exemplary embodiment of the radio module according to the invention and FIG

Figur 2 in einer schematischen Skizze ein weiteresFigure 2 in a schematic sketch another

Ausfuhrungsbeispiel der erfindungsgemaßen An- Ordnung mit einem weiteren Ausfuhrungsbeispiel des erfindungsgemaßen Funkmoduls.Exemplary embodiment of the invention Order with a further exemplary embodiment of the inventive radio module.

Figur 1 zeigt ein Funkmodul 1, das über eine elektrische Sig- nalleitung 2 mit einer Smart-Karte 3 in Form einer SIM-Karte verbunden ist. Weitere, als SIM-Clock, SIM-Reset, SIM- Betriebsspannung und SIM-Masse bezeichnete Verbindungen sind dabei in Figur 1 nicht dargestellt. Auf Seiten des Funkmoduls 1 befindet sich am Ende der elektrischen Signalleitung 2 ein Schalter 4, der im geschlossenen Zustand eine Verbindung der elektrischen Signalleitung 2 mit Massepotential herstellt. Gleichermaßen befindet sich am anderen Ende der elektrischen Signalleitung 2, d. h. auf Seiten der Smart-Karte 3, ein Schalter 5, der im geschlossenen Zustand ebenfalls eine Ver- bindung der elektrischen Signalleitung 2 mit dem Massepotential herstellt. Die Schalter 4 und 5 können dabei in unterschiedlichster Form realisiert sein. So kann es sich beispielsweise um Bipolartransistoren, Feldeffekttransistoren, beispielsweise in Form so genannter MOSFETs, elektronische Schalter oder etwa auch Relais handeln.FIG. 1 shows a radio module 1, which is connected via an electrical signal line 2 to a smart card 3 in the form of a SIM card. Further connections designated as SIM clock, SIM reset, SIM operating voltage and SIM ground are not shown in FIG. On the side of the radio module 1 is located at the end of the electrical signal line 2, a switch 4, which establishes a connection of the electrical signal line 2 with ground potential in the closed state. Equally located at the other end of the electrical signal line 2, d. H. on the side of the smart card 3, a switch 5, which also establishes a connection of the electrical signal line 2 to the ground potential in the closed state. The switches 4 and 5 can be realized in different forms. For example, these may be bipolar transistors, field-effect transistors, for example in the form of so-called MOSFETs, electronic switches or relays.

An die elektrische Signalleitung 2 der SIM-Schnittstelle des Funkmoduls 1 ist der Kollektor eines primären Transistors Tl angeschlossen. Der Emitter dieses Transistors Tl ist mit ei- ner positiven Betriebsspannung VCC des Funkmoduls 1 verbunden. Dabei hat die Betriebsspannung VCC bei einer Smart-Karte 3 in Form einer SIM-Karte üblicherweise einen Wert von +3 V oder von +1,8 V. Parallel zu dem primären Transistor Tl ist der eine Potentialanschluss der Betriebsspannung VCC mit dem Emitter eines sekundären Transistors T2 verbunden. Der Kollektor des sekundären Transistors T2 ist mit der Basis des primären Transistors Tl verbunden. Des Weiteren ist die Basis des sekundären Transistors T2 mit einem Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors T2 und der Basis des primären Transistors Tl und darüber hinaus über einen Widerstand Rb mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung VCC verbunden.To the electrical signal line 2 of the SIM interface of the radio module 1, the collector of a primary transistor Tl is connected. The emitter of this transistor Tl is connected to a positive operating voltage VCC of the radio module 1. In this case, the operating voltage VCC in a smart card 3 in the form of a SIM card usually has a value of +3 V or +1.8 V. Parallel to the primary transistor Tl is the one potential terminal of the operating voltage VCC with the emitter of a secondary Transistor T2 connected. The collector of the secondary transistor T2 is connected to the base of the primary transistor Tl. Furthermore, the base of the secondary transistor T2 is connected to a point of connection between the collector of the secondary transistor T2 and the Base of the primary transistor Tl and also connected via a resistor Rb to the other potential terminal of the operating voltage VCC.

Werden nun beide Schalter 4 und 5 geöffnet, so erzeugt dieNow, if both switches 4 and 5 are opened, the generated

Schaltungsanordnung in Form einer Stromquelle einen Ausgangsstrom, der von dem Kollektor des primären Transistors Tl auf die elektrische Signalleitung 2 fließt. Aufgrund einer unter anderem durch die elektrische Signalleitung 2 gegebenen kapa- zitiven Last wird hierbei ein Spannungssignal erzeugt, welches bei geeigneter Dimensionierung der beiden Transistoren Tl und T2 und des Widerstandes Rb sowie in Abhängigkeit von weiteren möglicherweise zu berücksichtigenden kapazitiven Lasten ein Spannungssignal erzeugt, welches dem für die e- lektrische Signalleitung 2 der SIM-Schnittstelle spezifizierten HIGH-Pegel entspricht. Sofern der eine Potentialanschluss der Betriebsspannung VCC einen Wert von +3 V aufweist, so ist dabei gemäß der eingangs genannten Spezifikation ein HIGH- Pegel im Bereich zwischen +2,1 und +3 V einzuhalten.Circuit arrangement in the form of a current source, an output current which flows from the collector of the primary transistor Tl to the electrical signal line 2. Due to a capacitive load given inter alia by the electrical signal line 2, a voltage signal is generated which, with suitable dimensioning of the two transistors T1 and T2 and of the resistor Rb and depending on further potential capacitive loads to be taken into account, generates a voltage signal which corresponds to the voltage for the e- lectric signal line 2 of the SIM interface specified HIGH level corresponds. If one potential connection of the operating voltage VCC has a value of +3 V, a HIGH level in the range between +2.1 and +3 V must be observed in accordance with the specification mentioned at the outset.

Aufgrund der Realisierung der elektrischen Signalleitung 2 in Form eines so genannten „Open-Drain-Treibers" werden die bei der Verwendung üblicher Push/Pull-Treiber möglichen Kollisionen vermieden, da sowohl das Funkmodul 1 als auch die Smart- Karte 3 mittels des Schalters 4 bzw. des Schalters 5 die e- lektrische Signalleitung 2 jeweils aktiv nur in Richtung des LOW-Pegels, d. h. im betrachteten Fall in Richtung Masse, ziehen können.Due to the realization of the electrical signal line 2 in the form of a so-called "open-drain driver" possible collisions are avoided when using conventional push / pull drivers, since both the radio module 1 and the smart card 3 by means of the switch 4th or the switch 5, the electrical lectric signal line 2 each active only in the direction of the LOW level, ie in the considered case in the direction of mass, can pull.

Durch die Verwendung von Doppeltransistoren in einem Gehäuse kann in einfacher Weise erreicht werden, dass der primäre Transistor Tl in seinen elektrischen Eigenschaften dem sekundären Transistor T2 entspricht. Dies hat zur Folge, dass der Ausgangsstrom des primären Transistors Tl in die elektrische Signalleitung 2 identisch mit dem durch den Widerstand Rb bestimmten Strom durch den sekundären Transistor T2 wird.Through the use of double transistors in a housing can be achieved in a simple manner that the primary transistor Tl corresponds in its electrical properties of the secondary transistor T2. This has the consequence that the output current of the primary transistor Tl in the electrical Signal line 2 is identical to the current determined by the resistor Rb current through the secondary transistor T2.

Figur 2 zeigt in einer schematischen Skizze ein weiteres Aus- fuhrungsbeispiel der erfindungsgemaßen Anordnung. Dabei unterscheidet sich die Anordnung des Ausfuhrungsbeispiels der Figur 2 von derjenigen der Figur 1 durch den vor dem Emitter des sekundären Transistors T2 eingefugten weiteren Widerstand Re. Im Vergleich zur Anordnung der Figur 1 bietet diese An- Ordnung den Vorteil, dass sich ein Verhältnis zwischen demFIG. 2 shows, in a schematic sketch, another exemplary embodiment of the arrangement according to the invention. In this case, the arrangement of the exemplary embodiment of Figure 2 differs from that of Figure 1 by the before the emitter of the secondary transistor T2 inserted further resistor Re. Compared to the arrangement of Figure 1, this arrangement offers the advantage that a relationship between the

Querstrom durch T2, der über den Widerstand Rb abfließt, und dem Ausgangsstrom durch den primären Transistor Tl in die e- lektrische Signalleitung 2 ergibt. Dabei ist der Ausgangsstrom durch den primären Transistor Tl großer als der Quer- ström durch den sekundären Transistor T2. Dies ermöglicht es, einen hohen Ausgangsstrom bei gleichzeitig geringem Querstrom zu realisieren, wodurch sich der Stromverbrauch der in Figur 2 dargestellten Anordnung im Vergleich zu der in Figur 1 gezeigten Anordnung reduziert. Cross-current through T2, which flows through the resistor Rb, and the output current through the primary transistor Tl results in the e- lectric signal line 2. In this case, the output current through the primary transistor Tl is greater than the cross-flow through the secondary transistor T2. This makes it possible to realize a high output current with simultaneously low crossflow, which reduces the power consumption of the arrangement shown in Figure 2 compared to the arrangement shown in Figure 1.

Claims

Patentansprüche claims 1. Funkmodul (1) mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung (VCC) und andererseits an einer elektrischen Signalleitung (2) angeschlossen ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Schaltungsanordnung eine Stromquelle ist mit1. radio module (1) with a circuit arrangement, which is connected on the one hand to a potential terminal of an operating voltage (VCC) and on the other hand to an electrical signal line (2), d a d u r c h e c e n e s in that the circuit arrangement is a current source - einem primären Transistor (Tl), - dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist und- A primary transistor (Tl), - whose emitter is connected to the one potential terminal of the operating voltage (VCC) and - dessen Kollektor mit der elektrischen Signalleitung (2) verbunden ist,- whose collector is connected to the electrical signal line (2), - einem sekundären Transistor (T2), - dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist,a secondary transistor (T2) whose emitter is connected to the one potential terminal of the operating voltage (VCC), - dessen Kollektor mit der Basis des primären Transistors (Tl) verbunden ist und- whose collector is connected to the base of the primary transistor (Tl) and - dessen Basis an einen Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und derthe base of which is connected to a point of connection between the collector of the secondary transistor (T2) and the Basis des primären Transistors (Tl) angebunden ist, sowie mitBase of the primary transistor (Tl) is connected, as well as with - einem Widerstand (Rb) ,a resistor (Rb), - der mit dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist.- Which is connected to the collector of the secondary transistor (T2) and to the other potential terminal of the operating voltage (VCC). 2. Funkmodul nach Anspruch 1, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h einen weiteren Widerstand (Re) , der einerseits an einen Punkt der Verbindung zwischen dem einen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) und dem Emitter des primären Transistors (Tl) und andererseits an den Emitter des sekundären Transistors (T2) angeschlossen ist. 2. Radio module according to claim 1, characterized by a further resistor (Re), on the one hand to a point of connection between the one potential terminal of the operating voltage (VCC) and the emitter of the primary transistor (Tl) and on the other hand to the emitter of the secondary transistor (T2 ) connected. 3. Funkmodul nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der primäre Transistor (Tl) in seinen elektrischen Eigenschaften dem sekundären Transistor (T2) entspricht.3. The radio module according to claim 1 or 2, characterized in that the primary transistor (T 1) corresponds in its electrical properties to the secondary transistor (T 2). 4. Anordnung mit einem Funkmodul (1), einer Smart-Karte (3) und mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung (VCC) und andererseits an einer elektrischen Signalleitung (2) zwischen dem Funkmodul (1) und der Smart-Karte (3) angeschlossen ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Schaltungsanordnung eine Stromquelle ist mit4. Arrangement with a radio module (1), a smart card (3) and with a circuit arrangement, on the one hand at a potential terminal of an operating voltage (VCC) and on the other hand to an electrical signal line (2) between the radio module (1) and the Smart Card (3) is connected, characterized in that the circuit arrangement is a power source with - einem primären Transistor (Tl),a primary transistor (Tl), - dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist und- whose emitter is connected to the one potential terminal of the operating voltage (VCC) and - dessen Kollektor mit der elektrischen Signalleitung (2) verbunden ist,- whose collector is connected to the electrical signal line (2), - einem sekundären Transistor (T2),a secondary transistor (T2), - dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist,whose emitter is connected to the one potential terminal of the operating voltage (VCC), - dessen Kollektor mit der Basis des primären Transistors (Tl) verbunden ist und- whose collector is connected to the base of the primary transistor (Tl) and - dessen Basis an einen Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und der Basis des primären Transistors (Tl) angebunden ist, sowie mit- whose base is connected to a point of connection between the collector of the secondary transistor (T2) and the base of the primary transistor (Tl), and with - einem Widerstand (Rb) ,a resistor (Rb), - der mit dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspan- nung (VCC) verbunden ist.- Which is connected to the collector of the secondary transistor (T2) and to the other potential terminal of the operating voltage (VCC). 5. Anordnung nach Anspruch 4, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h einen weiteren Widerstand (Re) , der einerseits an einen Punkt der Verbindung zwischen dem einen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) und dem Emitter des primären Transistors (Tl) und andererseits an den Emitter des sekundären Transis- tors (T2) angeschlossen ist.5. Arrangement according to claim 4, characterized a further resistor (Re) which is connected on the one hand to a point of connection between the one potential terminal of the operating voltage (VCC) and the emitter of the primary transistor (Tl) and on the other hand to the emitter of the secondary transistor (T2). 6. Anordnung nach Anspruch 4 oder 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der primäre Transistor (Tl) in seinen elektrischen Eigen- Schäften dem sekundären Transistor (T2) entspricht.6. Arrangement according to claim 4 or 5, characterized in that the primary transistor (T1) corresponds in its electrical properties to the secondary transistor (T2). 7. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die elektrische Signalleitung (2) einen Mikroprozessor des Funkmoduls (1) und einen Mikroprozessor der Smart-Karte (3) verbindet .7. Arrangement according to one of claims 4 to 6, d a d e r c h e c e n e c e in that the electrical signal line (2) connects a microprocessor of the radio module (1) and a microprocessor of the smart card (3). 8. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, die Smart-Karte (3) eine SIM (Subscriber Identity Module) - Karte ist. 8. Arrangement according to one of claims 4 to 7, the smart card (3) is a SIM (Subscriber Identity Module) - card.
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