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WO2006129538A1 - ホスホン酸を含む半導体ウェハ洗浄用組成物及び洗浄方法 - Google Patents

ホスホン酸を含む半導体ウェハ洗浄用組成物及び洗浄方法 Download PDF

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WO2006129538A1
WO2006129538A1 PCT/JP2006/310354 JP2006310354W WO2006129538A1 WO 2006129538 A1 WO2006129538 A1 WO 2006129538A1 JP 2006310354 W JP2006310354 W JP 2006310354W WO 2006129538 A1 WO2006129538 A1 WO 2006129538A1
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WO
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mass
semiconductor wafer
composition
ammonium fluoride
concentration
Prior art date
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PCT/JP2006/310354
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English (en)
French (fr)
Inventor
Tomoe Miyazawa
Yoichiro Fujita
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Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor wafer cleaning composition and a semiconductor wafer cleaning method used for processing a semiconductor wafer, and in particular, a process of forming a metal wiring mainly composed of copper and a copper alloy on a semiconductor substrate.
  • the present invention relates to a semiconductor wafer cleaning composition and a semiconductor wafer cleaning method capable of removing residues generated in step (b).
  • a semiconductor element is usually manufactured through a photolithographic process and a dry etching process by applying a resist film on a metal film as a wiring material formed on a substrate and an insulating material as an interlayer insulating film. .
  • the resist film remaining after the photolithographic process is removed by a plasma ashing process, and residues remaining on the wiring material and interlayer insulating film material generated by the dry etching process and the plasma ashing process are removed by chemical composition (semiconductor wafer cleaning).
  • Wet treatment is generally removed by a composition for use.
  • Patent Document 1 U.S. Pat.No. 5,334,332
  • Patent Document 2 European Patent No. 662705 Specification
  • Patent Document 3 US Patent Application Publication No. 2003Z0143495
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the object of the present invention is to remove the residue generated after the plasma ashing process and the dry etching process in the copper wiring process.
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer cleaning yarn and composition capable of efficiently removing k material without corrosion, and a semiconductor wafer cleaning method using the yarn and composition.
  • the present inventors have conducted semiconductor wafer cleaning capable of efficiently removing residues without corroding copper wiring and low-k materials. And a semiconductor wafer cleaning method using the composition.
  • the present invention relates to the following aspects.
  • hydrofluoric acid, acidic ammonium fluoride and ammonium fluoride power at least one selected fluorine compound
  • composition comprising
  • composition for cleaning a semiconductor wafer according to (1) wherein the concentration of each component of the composition is represented by the following mass%, and the total of the concentration of each component is 100%:
  • [Chemical 1] (a) at least one fluorine compound selected from hydrofluoric acid, acidic ammonium fluoride and ammonium fluoride 0.5 to 2.0 mass%
  • Triethanolamine Aminoethoxyethanol, Hydroxyethylmorpholine, Hydroxycetylbiperazine, Aminoethylmorpholine, Aminoethylpiperazine, Aminopropylmorpholine, Aminopropylpiperazine, Pentamethyljetylenetriamine, Dimethylaminoethoxyethanol, Trimethylamino Ethylethanolamine, trimethylaminopropylethanolamine, N— (2-cyanoethyl) ethylenediamine, N— (2-cyanopropyl) ethylenediamine, N— (2-cyanoethyl) N methylethylenediamine, N— ( 2-Cyanoethyl) trimethylenediamine, N- (2-Cyanethyl) N-methyltrimethylenediamine, bis (2-Cyanoethyl) methylamine, N, N jetylhydroxylamine, and ethylene Elementary
  • the semiconductor wafer cleaning composition according to (1) selected from the group consisting of:
  • the semiconductor wafer cleaning composition according to (1) selected from the group consisting of:
  • the semiconductor wafer cleaning composition according to (1) further comprising at least one.
  • the (f) at least one organic solvent is
  • composition for cleaning a semiconductor wafer according to (5), wherein the group force is selected is selected.
  • composition for cleaning a semiconductor wafer according to (1) wherein the concentration of each component of the composition is represented by the following mass%, and the total of the concentration of each component is 100%:
  • composition for cleaning a semiconductor wafer according to (1) wherein the concentration of each component of the composition is represented by the following mass%, and the total of the concentration of each component is 100%:
  • composition for cleaning a semiconductor wafer according to (5) selected from the group consisting of an alkylamine oxide having an oxyethylene group and an oxypropylene group.
  • composition for cleaning a semiconductor wafer according to (1) wherein the concentration of each component of the composition is represented by the following mass%, and the total of the concentration of each component is 100%:
  • the semiconductor wafer according to (5) which is selected from (i) at least one anticorrosive agent having a mercapto group, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzoimidazole, and 2-mercaptobenzotetrazole Cleaning composition.
  • composition for cleaning a semiconductor wafer according to (1) wherein the concentration of each component of the composition is represented by the following mass%, and the total of the concentration of each component is 100%:
  • hydrofluoric acid, acidic ammonium fluoride and ammonium fluoride power at least one selected fluorine compound
  • a method for cleaning a semiconductor wafer comprising using a composition for cleaning a semiconductor wafer comprising: ( 14) :
  • Triethanolamine Aminoethoxyethanol, Hydroxyethylmorpholine, Hydroxycetylbiperazine, Aminoethylmorpholine, Aminoethylpiperazine, Aminopropylmorpholine, Aminopropylpiperazine, Pentamethyljetylenetriamine, Dimethylaminoethoxyethanol, Trimethylamino Ethylethanolamine, trimethylaminopropylethanolamine, N— (2-cyanoethyl) ethylenediamine, N— (2-cyanopropyl) ethylenediamine, N— (2-cyanoethyl) N-methylethylenediamine, N— (2-Cyanethyl) trimethylenediamine, N- (2-Cyanethyl) N-methyltrimethylenediamine, bis (2-Cyanethyl) methylamine, N, N Jetylhydroxylamine, and ethylene Elementary
  • the (f) at least one organic solvent is
  • At least one anticorrosive agent having a mercapto group is selected from 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzoimidazole, and 2-mercaptobenzotetrazole Cleaning method.
  • each component concentration of the yarn composition is represented by the following mass%, and the total concentration of each component is 100%:
  • An advantage of the present invention is that plasma ashing residues can be efficiently removed.
  • An advantage of the present invention is that the etching stopper layer etching residue after the plasma ashing process can be efficiently removed.
  • the advantage of the present invention is that metal oxides such as copper oxide and metal halides such as copper copper after plasma ashing can be efficiently removed.
  • An advantage of the present invention is that metal oxides such as copper oxide after CMP (chemical mechanical polishing) can be efficiently removed.
  • the major advantage of the present invention is that it is a low-k material and ultra low-k $ i ⁇ (ultra-low dielectric constant interlayer insulating film) compared to conventional amine-based cleaning solutions and ammonium fluoride-based cleaning solutions.
  • Material copper, aluminum, and aluminum alloys are extremely low in corrosiveness.
  • the present invention is a semiconductor wafer cleaning composition suitable for removing residues generated when a semiconductor wafer is etched and ashed by high-density plasma.
  • A Hydrofluoric acid, acidic ammonium fluoride, and fluoride fluoride At least one fluorine compound selected from ammonium, (b) phosphonic acid, (c) formic acid, (d) at least one organic amine, and (e) water.
  • the composition also includes as optional components: (f) at least one organic solvent, (g) ascorbic acid, (h) at least one surfactant, and (i) at least one having a mercapto group. At least one selected from the group consisting of anticorrosive agents may be added.
  • the pH of the semiconductor wafer cleaning composition is preferably 4 to 9, more preferably 5 to 7.
  • the component concentration of the selected at least one fluorine compound is preferably 0.5 to 2.0% by mass. More preferably, it is 0.8 to 1.5% by mass.
  • the concentration of the component (b) phosphonic acid is preferably 0.2 to 15% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass.
  • the component concentration of (c) formic acid is 5 to 15% by mass, more preferably 10 to 15% by mass.
  • the (d) at least one organic amine is preferably triethanolamine, aminoethylethanol, hydroxyethylmorpholine, hydroxyethylpiperazine, aminoethyl morpholine, aminoethylpiperazine, aminopropylmorpholine, aminopropyl.
  • Piperazine pentamethyljetylenetriamine, dimethylaminoethoxyethanol, trimethylaminoethylethanolamine, trimethylaminopropylethanolamine, N— (2-cyanoethyleno) ethylenediamine, N— (2-cyanopropynole) ethylenediamine, N— (2—Cyanethinole) N—Methylenoethylenediamine, N- (2—Cyanethinole) trimethylenediamine, N— (2—Cyanethyl) N—Methyltrimethylenediamine, bis (2—Cyanethyl) me Yo, Ruamin, N, N Jefferies chill hydroxyl ⁇ Min, and is selected from the group consisting of ethylene urea, it is used in combination of two or more of these.
  • the (d) at least one organic amine is more preferably triethanolamine, hydro It is selected from the group consisting of xichetyl morpholine and N- (2-cyanoethyl) ethylenediamine, and these may be used in combination of two or more.
  • the (d) at least one organic amine is most preferably selected from the group consisting of triethanolamine and N- (2-cyanoethyl) ethylenediamine, and may be used in combination.
  • a combination of triethanolamine and hydroxyethyl morpholine, or a combination of triethanolamine and N- (2-cyanoethyl) ethylenediamine is preferred.
  • Its ingredient concentration is, the combination of triethanolamine ⁇ Min 20 to 25 weight 0/0 and hydroxy E chill mole phosphonium phosphate 10 to component concentration of 15 wt%, or, to triethanolamine ⁇ Min 20 25 Weight 0/0 and N - (2 Shianoechiru) Echirenjiamin 10 to preferably a combination of component concentration of 15 weight 0/0.
  • the component concentration of the (d) at least one organic amine is preferably 25 to 40% by mass, more preferably 30 to 35% by mass.
  • the component concentration of water is preferably 40 to 55% by mass.
  • the (f) at least one organic solvent is preferably formamide, N, N dimethylformamide, N, N dimethylacetamide, N, N dimethylacetoamide, N-methylpyrrolidone, ethylene glycol monomethyl ether , Ethylene glycol monoethyl etherenole, ethylene glycol monomono butylene ethere, diethylene glycol monomono methinore etherenore, diethylene glycol monomono chinenoate ethere, diethylene glycol monomono butylene ethere, 1,3 butylene glycol, propylene glycol Monomethyl ether, propylene glycol n propyl ether, dipropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol n propyl ether, dipropylene glycolinoresin methinoate, tripro Pyrene glycol n —Propyl ether, glycerin, ethylene carbonate, propylene carbonate, sulfolane, 1,3 butan
  • the (f) at least one organic solvent is more preferably N-methylpyrrolidone, N, N -Group power consisting of dimethylacetamide, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene carbonate, and propylene carbonate may be selected, and two or more of these may be used in combination.
  • the component concentration of the (f) at least one organic solvent is preferably 1 to 15% by mass, more preferably 5 to 15% by mass.
  • the concentration of the component (g) ascorbic acid is preferably 0.1 to 5% by mass, more preferably 3 to 5% by mass.
  • Said (h) at least one surfactant is preferably
  • Alkylamine oxide having an oxyethylene group and an oxypropylene group is selected as a group power, and two or more kinds may be used in combination.
  • the component (h) concentration of at least one surfactant, 0.01 to 0.1 wt% is good preferred, more are preferably ⁇ or 0.05 a! ⁇ to 0.08 mass 0/0 .
  • the (i) at least one anticorrosive agent having a mercapto group is preferably selected from the group forces of 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzozoimidazole, and 2-mercaptobenzozotetrazole.
  • the concentration of the component of the at least one anticorrosive having a 0 mercapto group is preferably 0.001 to 0.05% by mass, more preferably 0.005 to 0.02% by mass.
  • the use temperature of the composition is not limited as long as the residue can be completely removed, but a sufficient effect can be obtained at a low temperature of 21 to 40 ° C., for example.
  • the use time of the composition is not limited as long as the residue can be completely removed. For example, a sufficient effect can be obtained in a short time of 1 to 5 minutes.
  • the method of using the composition is not particularly limited as long as the composition is in contact with a semiconductor wafer containing a residue, but is preferably used in a batch type or single wafer type cleaning apparatus. Further, in the semiconductor cleaning process, the composition can be used in any process in which residues are present on the wafer. For example, (1) a cleaning process after formation of a via hole, and (2) a wiring groove It can be used for a cleaning process after formation, (3) a cleaning process after punching the etch stop film, and (4) a cleaning process after CMP (chemical mechanical polishing).
  • CMP chemical mechanical polishing
  • Copper solid film was treated with O plasma (250 ° C, 120 seconds irradiation), and the resulting copper oxide film wafer was
  • cuprates The removal property of cuprates was judged comprehensively by visual observation with an optical microscope and qualitative analysis of the copper valence on the wafer surface by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS: ESCA3200 manufactured by Shimadzu Corporation).
  • a KrF resist was applied on a Si substrate, a resist pattern was formed by photolithography, and then a wafer that was etched with CF gas for 6 minutes was used for evaluation. This was immersed in the compositions of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 6 at room temperature for 5 minutes, and then the wafer was washed with water and air-dried. The resist removability was judged by visual observation with an optical microscope.
  • CVD SiOC (k value 2.8, the film thickness 500 nm) crush immersed for 30 seconds in hydrofluoric acid aqueous solution of 0.1 mass 0/0, using a membrane to remove the alteration layer adhering to the surface in the evaluation .
  • the film thickness and refractive index of this were measured with a spectroscopic ellipsometer [manufactured by n & k, n & k analyzer (registered trademark)], and further immersed in the compositions of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 6 at room temperature for 10 minutes. Thereafter, the wafer was washed with water and air-dried. Thereafter, the film thickness and refractive index of the film were measured again, and the corrosiveness to the interlayer insulating film was judged by changes in the film thickness and refractive index before and after the treatment of the composition.
  • An electrolytically plated copper film (1650 nm) was immersed in a 0.1% by mass hydrofluoric acid aqueous solution for 30 seconds, and a film obtained by removing the natural cuprate film adhering to the surface layer was used for evaluation.
  • the resistance of this was measured with a sheet resistance measuring device, and further immersed in the compositions of Examples 1 and 8 and Comparative Example 1 and 6 for 10 minutes at room temperature, and then the wafer was washed with water and air-dried. Then measure the resistance again, and calculate the copper etching rate based on the difference in resistance before and after treatment of the composition. Judged.
  • organic substance removal property was evaluated as follows.
  • ⁇ Thickness change of 0.1 InmZ or more, refractive index change of less than 0.01 or film thickness change of less than 0.1 nmZ, refractive index change of 0.01 or more
  • X Thickness change of 0.1. InmZ or more, Refractive index change of 0.01 or more
  • CEEDA N— (2-Cyanoethyl) ethylenediamine
  • NMP N—Metinolepyrrolidone

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Abstract

【課題】ホスホン酸を含む半導体用洗浄液組成物及び洗浄方法を提供する。 【解決手段】本発明は、半導体ウェハ加工工程において、残渣物を洗浄するための組成物及び洗浄方法に関する。前記組成物は、（ａ）フッ化水素酸、フッ化水素アンモニウム及びフッ化アンモニウムから選択された少なくとも１種のフッ素化合物、（ｂ）ホスホン酸、（ｃ）ギ酸、（ｄ）少なくとも１種の有機アミン、及び（ｅ）水を含有する。また、この組成物に任意成分として、（ｆ）少なくとも１種の有機溶媒、（ｇ）アスコルビン酸、（ｈ）少なくとも１種の界面活性剤、及び（ｉ）メルカプト基を有する少なくとも１種の防食剤からなる群から選択された少なくとも一つを加えてもよい。

Description

明 細 書
ホスホン酸を含む半導体ウェハ洗浄用組成物及び洗浄方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体ウェハの加工に用いられる半導体ウェハ洗浄用組成物及び半導 体ウェハ洗浄方法に関し、特に、半導体基板上に銅及び銅合金を主成分とする金属 配線を形成する過程で生じる残渣を除去し得る半導体ウェハ洗浄用組成物及び半 導体ウェハ洗浄方法に関する。
背景技術
[0002] 半導体素子は通常、基板上に形成された配線材料となる金属膜や層間絶縁膜とな る絶縁材料上にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフイエ程及びドライエッチング工程 を経て製造される。フォトリソグラフイエ程後に残存するレジスト膜は、プラズマアツシ ング工程により除去し、ドライエッチング工程及びプラズマアツシング工程により生じる 配線材料や層間絶縁膜材料上に残存する残渣を、化学組成物 (半導体ウェハ洗浄 用組成物）により除去するウエット処理が一般的である。
従来、配線材料にはアルミニウム及びアルミニウム合金が使用されており、それらを 除去する際に使用される前記化学組成物としては、アルカリ性アミン系組成物（米国 特許第 5334332号明細書)、フッ素化合物系組成物（欧州特許第 662705号明細 書)、有機カルボン酸系組成物 (米国特許出願公開第 2003Z0143495号明細書） が報告されている。
特許文献 1 :米国特許第 5334332号明細書
特許文献 2：欧州特許第 662705号明細書
特許文献 3 :米国特許出願公開第 2003Z0143495号明細書
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] し力しながら、近年では半導体素子の微細化、高速ィ匕が要求されており、配線材料 は従来のアルミニウム合金力 より低 、抵抗率を有する銅に、層間絶縁膜はより低 ヽ 誘電率を有する、 V、わゆる low— k材料 (低誘電率層間絶縁膜材料)への移行が急 速に進行して ヽる。従来の化学組成物は銅などの配線金属や low— k材料を不必要 に除去してしまう欠点を有している。そのため、レジストアツシング後の工程において 効率よく残渣を除去し、かつ配線金属や low— k材料に影響を及ぼさな ヽ化学組成 物が必要とされている。
本発明は前記従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的と するところは、銅配線プロセスにお 、てプラズマアツシング工程及びドライエッチング 工程後に生じる残渣を、銅配線及び low— k材料を腐食することなく効率よく除去す ることが可能な半導体ウェハ洗浄用糸且成物及び、該糸且成物を用いる半導体ウェハ洗 浄方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0004] 本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、銅配線及び lo w— k材料を腐食することなぐ効率よく残渣を除去することが可能な半導体ウェハ洗 浄用組成物及び、該組成物を用いる半導体ウェハ洗浄方法を見い出した。
[0005] 即ち、本発明は以下の態様に関する。
(1)：
半導体ウェハ加工工程に使用される半導体ウェハ洗浄用組成物であって、
(a)フッ化水素酸、酸性フッ化アンモ-ゥム及びフッ化アンモ-ゥム力 選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物、
(b)ホスホン酸、
(c)ギ酸、
(d)少なくとも 1種の有機ァミン、及び
(e)水、
を含む組成物。
(2) :
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、（1)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物：
[化 1] ( a ) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及ぴフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0 . 5ないし 2 . 0 質量％
( b ) ホスホン酸 0 . 2ないし 1 5 質量％
( c ) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
( d ) 少なくとも 1種の有機ァミン 2 5ないし 4 0 質量％
( e ) 水 4 0ないし 5 5 質量％。
(3) :
前記 (d)少なくとも 1種の有機ァミンが、
トリエタノールァミン、アミノエトキシエタノール、ヒドロキシェチルモルホリン、ヒドロキ シェチルビペラジン、アミノエチルモルホリン、アミノエチルピペラジン、ァミノプロピル モルホリン、ァミノプロピルピぺラジン、ペンタメチルジェチレントリァミン、ジメチルアミ ノエトキシエタノール、トリメチルアミノエチルエタノールァミン、トリメチルァミノプロピ ルエタノールァミン、 N— (2—シァノエチル）エチレンジァミン、 N— (2—シァノプロピ ル）エチレンジァミン、 N—（2—シァノエチル） N メチルエチレンジァミン、 N— ( 2—シァノエチル） トリメチレンジァミン、 N— (2—シァノエチル） N—メチルトリメチ レンジァミン、ビス（2—シァノエチル）メチルァミン、 N, N ジェチルヒドロキシルアミ ン、及びエチレン尿素
からなる群から選択された、 (1)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
(4) :
前記 (d)少なくとも 1種の有機ァミンが、
トリエタノールァミン、ヒドロキシェチルモルホリン、 N— (2—シァノエチル） エチレン ジァミン及び N, N ジェチルヒドロキシルァミン
からなる群から選択された、 (1)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
(5) :
さらに、（f)少なくとも 1種の有機溶媒、（g)ァスコルビン酸、（h)少なくとも 1種の界 面活性剤、及び (i)メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤からなる群から選択 された少なくとも一つを含む、（1)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
(6) :
前記 (f )少なくとも 1種の有機溶媒が、
ホルムアミド、 N, N ジメチルホルムアミド、 N, N ジメチルァセトアミド、 N, N- ジメチルァセトァセトアミド、 N—メチルピロリドン、エチレングリコールモノメチルエー テノレ、エチレングリコーノレモノエチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノブチノレエーテ ノレ、ジエチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノェチノレエー テル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、 1, 3 ブチレングリコール、プロピ レングリコーノレモノメチノレエーテル、プロピレングリコール n プロピノレエ一テル、ジプ ロピレングリコーノレメチノレエーテル、ジプロピレングリコーノレ n プロピノレエーテ Λ^、ジ プロピレングリコーノレジメチノレエーテノレ、トリプロピレングリコール η プロピノレエーテ ル、グリセリン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、スルホラン、 1, 3 ブ タンジオール、 1， 4 ブタンジオール、及び γ—ブチロラクトン
力 なる群力 選択された、 (5)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
(7) :
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、（1)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物：
[化 2]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及びフッ化アンモユウムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量0 /0
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量0 /o
(d) 少なく とも 1種の有機アミン 25ないし 40 質量0 /0
(e) 水 40ないし 55 質量％
( f ) 少なくとも 1種の有機溶媒 1ないし 1 5 質量0 /o。
(8) :
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、（1)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物：
[化 3]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及ぴフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量0 /0
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 25ないし 40 質量％ 、e) 水 40ないし 55 質量0 /0
(g) ァスコルビン酸 0. iないし 5 質量％。 (9)
前記 (h)少なくとも 1種の界面活性剤が、
炭素原子数 1な 、し 10のアルキルダルコシド、並びに
ォキシエチレン基及びォキシプロピレン基を持つアルキルアミンォキシド からなる群から選択された、 (5)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
(10):
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、（1)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物：
[化 4]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモ-ゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
( d ) 少なくとも 1種の有機ァミン 2 5ないし 4 0 質量％
(e) 水 40ないし 5 5 質量0 /0
(h) 少なくとも 1種の界面活性剤 0. 0 1ないし 0. 1質量0 /0,
(11)
前記 (i)メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤力 2—メルカプトべンゾキサゾ ール、 2—メルカプトべンゾイミダゾール、及び 2—メルカプトベンゾテトラゾールから 選択された、（5)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
(12):
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、（1)に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物：
[化 5]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモ-ゥム及ぴフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量0 /0
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機ァミン 2 5ないし 40 質量％
(e) 水 40ないし 5 5 質量％
( i ) メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤 0. 0 0 1なぃし0. 0 5質量％,
(13):
Figure imgf000007_0001
ヽて、
(a)フッ化水素酸、酸性フッ化アンモ-ゥム及びフッ化アンモ-ゥム力 選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物、
(b)ホスホン酸、
(c)ギ酸、
(d)少なくとも 1種の有機ァミン、及び
(e)水、
を含む半導体ウェハ洗浄用組成物を使用することによる、半導体ウェハ洗浄方法。 ( 14) :
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、（13)に記載の半導体ウェハ洗浄方法：
[化 6]
( a ) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及びフッ化アンモニゥムから選択されたル、 なくとも 1種のフッ素化合物 0 . 5ないし 2 .
( b ) ホスホン酸 0 . 2ないし 1 5
( c ) ギ酸 5ないし 1 5
( d ) 少なくとも 1種の有機ァミン 2 5ないし 4 0
( e ) 水 4 0ないし 5 5
( 15)
前記 (d)少なくとも 1種の有機ァミンが、
トリエタノールァミン、アミノエトキシエタノール、ヒドロキシェチルモルホリン、ヒドロキ シェチルビペラジン、アミノエチルモルホリン、アミノエチルピペラジン、ァミノプロピル モルホリン、ァミノプロピルピぺラジン、ペンタメチルジェチレントリァミン、ジメチルアミ ノエトキシエタノール、トリメチルアミノエチルエタノールァミン、トリメチルァミノプロピ ルエタノールァミン、 N— (2—シァノエチル） エチレンジァミン、 N— (2—シァノプロ ピル）エチレンジァミン、 N— (2—シァノエチル） N—メチルエチレンジァミン、 N— (2—シァノエチル） トリメチレンジァミン、 N— (2—シァノエチル） N—メチルトリメ チレンジァミン、ビス（2—シァノエチル）メチルァミン、 N, N ジェチルヒドロキシル ァミン、及びエチレン尿素
からなる群から選択された、 ( 13)に記載の半導体ウェハ洗浄方法。 (16) :
前記 (d)少なくとも 1種の有機ァミンが、
トリエタノールァミン、ヒドロキシェチルモルホリン、 N— (2—シァノエチル） エチレン ジァミン及び N, N ジェチルヒドロキシルァミン
からなる群から選択された、 (13)に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
(17) :
さらに、（f)少なくとも 1種の有機溶媒、（g)ァスコルビン酸、（h)少なくとも 1種の界 面活性剤、及び (i)メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤からなる群から選択 された少なくとも一つを含む、（13)に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
(18) :
前記 (f )少なくとも 1種の有機溶媒が、
ホルムアミド、 N, N ジメチルホルムアミド、 N, N ジメチルァセトアミド、 N, N- ジメチルァセトァセトアミド、 N—メチルピロリドン、エチレングリコールモノメチルエー テノレ、エチレングリコーノレモノエチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノブチノレエーテ ノレ、ジエチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノェチノレエー テル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、 1, 3 ブチレングリコーノレ、プロピ レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール n—プロピルエーテル、ジプ ロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコール n プロピルエーテル、ジ プロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコール n プロピルエーテ ル、グリセリン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、スルホラン、 1, 3 ブ タンジオール、 1, 4 ブタンジオール、及び γ ブチロラタトン
からなる群から選択された、 (17)に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
(19) :
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、（13)に記載の半導体ウェハ洗浄方法： (a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(C ) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機ァミン 25ないし 40 質量％
(e) 水 40ないし 55 質量％
(f ) 少なくとも 1種の有機溶媒 1ないし 1 5 質量％。
(20):
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、（13)に記載の半導体ウェハ洗浄方法：
[化 8]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 2 5ないし 40 質量％
(e) 水 40ないし 5 5 質量％
(g) ァスコルビン酸 0. 1ないし 5 質量％。
(21)
前記 (h)少なくとも 1種の界面活性剤が、
炭素原子数 1な！、し 10のアルキルダルコシド. び
ォキシエチレン基及びォキシプロピレン基を持つアルキルアミンォキシド からなる群から選択された、（17)に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
(22):
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合 0%となる、（13)に記載の半導体ウェハ洗净方法：
[化 9]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモュゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
( C ) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 25ないし 40 質量％
(e) 水 40ないし 5 5 質量％
( h ) 少なくとも 1種の界面活性剤 0. 0 1ないし 0. 1質量％。 (23) :
前記 (i)メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤力 2—メルカプトべンゾキサゾ ール、 2—メルカプトべンゾイミダゾール、及び 2—メルカプトベンゾテトラゾールから 選択された、（17)に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
(24) :
前記糸且成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、（13)に記載の半導体ウェハ洗浄方法：
[化 10]
( a ) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモ；:二ゥム及ぴフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0 . 5ないし 2 . 0 龍％
( b ) ホスホン酸 0 . 2ないし 1 5 龍％
( C ) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
( d ) 少なくとも 1種の有機アミン 2 5ないし 4 0 質量％
( e ) 水 4 0なレ、し 5 5 質量％
( i ) メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤
0 . 0 0 1ないし 0 . 0 5 質量％。 発明の効果
[0006] 本発明の利点はプラズマアツシング残渣を効率よく除去できる点にある。
また、本発明の利点はプラズマアツシング工程後のエッチストッパ層エッチング残渣 を効率よく除去できる点にある。
さらには本発明の利点はプラズマアツシング後の酸化銅等の金属酸ィ匕物、フツイ匕 銅などの金属ハロゲンィ匕物を効率よく除去できる点にある。
また本発明の利点は CMP (化学的機械的研磨)後の酸化銅などの金属酸化物を 効率よく除去できる点にある。
また本発明の大きな利点は、残渣を除去する工程において従来のアミン系洗浄液 やフッ化アンモニゥム系洗浄液に比べて、 low— k材料、さらに ultra low-k$i^ ( 超低誘電率層間絶縁膜材料)、銅、アルミニウム、アルミニウム合金に対する腐食性 が極めて低い点にある。
発明を実施するための最良の形態
[0007] 本発明のこれらの、およびその他の特徴および利点は、好ま 、実施態様の以下 の詳細な説明により、当業者に容易に理解されうるものである。
本発明は、半導体ウェハを高密度プラズマによりエッチング及びアツシングした際に 生じる残渣を除去するのに適した半導体ウェハ洗浄用組成物であり、 (a)フッ化水素 酸、酸性フッ化アンモニゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少なくとも 1種の フッ素化合物、（b)ホスホン酸、（c)ギ酸、（d)少なくとも 1種の有機ァミン、及び (e)水 を含有する。また、この組成物に任意成分として、（f)少なくとも 1種の有機溶媒、（g) ァスコルビン酸、（h)少なくとも 1種の界面活性剤、及び (i)メルカプト基を有する少な くとも 1種の防食剤カゝらなる群カゝら選択された少なくとも一つを加えてもよい。
また、当該半導体ウェハ洗浄用組成物の pHは、 4ないし 9が好ましぐより好ましく は 5ないし 7である。
前記（a)フッ化水素酸、酸性フッ化アンモ-ゥム及びフッ化アンモ-ゥム力 選択さ れた少なくとも 1種のフッ素化合物の成分濃度は、 0. 5ないし 2. 0質量％が好ましぐ より好ましくは 0. 8ないし 1. 5質量％である。
前記 (b)ホスホン酸の成分濃度は 0. 2ないし 15質量％が好ましぐより好ましくは 0. 5な!、し 10質量％である。
前記 (c)ギ酸の成分濃度は 5な 、し 15質量％が好ましぐより好ましくは 10な 、し 1 5質量％である。
前記 (d)少なくとも 1種の有機アミンは、好ましくは、トリエタノールァミン、アミノエトキ シエタノール、ヒドロキシェチルモルホリン、ヒドロキシェチルピペラジン、アミノエチル モルホリン、アミノエチルピペラジン、ァミノプロピルモルホリン、ァミノプロピルピペラ ジン、ペンタメチルジェチレントリァミン、ジメチルアミノエトキシエタノール、トリメチル アミノエチルエタノールァミン、トリメチルァミノプロピルエタノールァミン、 N— (2—シ ァノエチノレ）エチレンジァミン、 N— (2—シァノプロピノレ）エチレンジァミン、 N— (2— シァノエチノレ） N—メチノレエチレンジァミン、 N- (2—シァノエチノレ）トリメチレンジ ァミン、 N— (2—シァノエチル） N—メチルトリメチレンジァミン、ビス（2—シァノエ チル）メチルァミン、 N, N ジェチルヒドロキシルァミン、及びエチレン尿素からなる 群から選択され、これらを 2種以上組み合わせて使用してもょ 、。
前記 (d)少なくとも 1種の有機アミンは、さらに好ましくは、トリエタノールァミン、ヒドロ キシェチルモルホリン、及び N— (2—シァノエチル）エチレンジァミンからなる群から 選択され、これらを 2種以上組み合わせて使用してもよい。
前記 (d)少なくとも 1種の有機アミンは、もっとも好ましくは、トリエタノールァミン、及 び N—（2—シァノエチル）エチレンジァミンからなる群から選択され、これらを組み合 わせて使用してもよい。
具体的には、トリエタノールァミンとヒドロキシェチルモルホリンの組み合わせ、又は 、トリエタノールァミンと N— (2—シァノエチル）エチレンジァミンの組み合わせが好ま しい。
その成分濃度は、トリエタノールァミン 20ないし 25質量0 /0とヒドロキシェチルモルホ リン 10ないし 15質量％の成分濃度の組み合わせ、又は、トリエタノールァミン 20ない し 25質量0 /0と N— (2 シァノエチル）エチレンジァミン 10ないし 15質量0 /0の成分濃 度の組み合わせが好まし 、。
前記 (d)少なくとも 1種の有機ァミンの成分濃度は、 25な 、し 40質量％が好ましく、 より好ましくは 30ないし 35質量％である。
前記 ）水の成分濃度は、 40ないし 55質量％が好ましい。
前記 (f)少なくとも 1種の有機溶媒は、好ましくは、ホルムアミド、 N, N ジメチルホ ルムアミド、 N, N ジメチルァセトアミド、 N, N ジメチルァセトァセトアミド、 N—メチ ルピロリドン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノェチル エーテノレ、エチレングリコーノレモノブチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノメチノレ エーテノレ、ジエチレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノブチ ノレエーテノレ、 1, 3 ブチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、 プロピレングリコール n プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、 ジプロピレングリコール n プロピルエーテル、ジプロピレングリコーノレジメチノレエーテ ル、トリプロピレングリコール n—プロピルエーテル、グリセリン、エチレンカーボネート 、プロピレンカーボネート、スルホラン、 1, 3 ブタンジオール、 1, 4 ブタンジォー ル、及び 0 —プチ口ラタトン力 なる群力 選択され、これらを 2種以上組み合わせて 使用してちょい。
前記 (f)少なくとも 1種の有機溶媒は、さらに好ましくは、 N—メチルピロリドン、 N, N ージメチルァセトアミド、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレンカーボネ ート及びプロピレンカーボネートからなる群力 選択され、これらを 2種以上組み合わ せて使用してもよい。
前記 (f)少なくとも 1種の有機溶媒の成分濃度は、 1ないし 15質量％が好ましぐよ り好ましくは 5ないし 15質量％である。
前記 (g)ァスコルビン酸の成分濃度は、 0. 1ないし 5質量％が好ましぐより好ましく は 3な!、し 5質量％である。
前記 (h)少なくとも 1種の界面活性剤は、好ましくは、
炭素原子数 1な 、し 10のアルキルダルコシド、並びに
ォキシエチレン基及びォキシプロピレン基を持つアルキルアミンォキシド 力 なる群力 選択され、 2種以上組み合わせて使用してもよい。
前記 (h)少なくとも 1種の界面活性剤の成分濃度は、 0. 01ないし 0. 1質量％が好 ましく、より好ましく ίま 0. 05な!ヽし 0. 08質量0 /0である。
前記 (i)メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤は、好ましくは、 2—メルカプト ベンゾキサゾール、 2—メルカプトべンゾイミダゾール、及び 2—メルカプトべンゾテトラ ゾールカ なる群力 選択される。
前記 (0メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤の成分濃度は、 0. 001ないし 0. 05質量％が好ましぐより好ましくは 0. 005ないし 0. 02質量％である。
当該組成物の使用温度は、残渣物が完全に除去できる範囲の温度であれば限定 されな 、が、例えば 21な 、し 40°Cの低温で十分な効果が得られる。
当該組成物の使用時間は、残渣物が完全に除去できる範囲の時間であれば限定 されな 、が、例えば 1な 、し 5分の短時間で十分な効果が得られる。
当該組成物の使用方法は、当該組成物が残渣物を含む半導体ウェハに接触して いれば、特に限定されないが、バッチ式、枚葉式洗浄装置での使用が好ましい。 また、半導体カ卩ェ工程において、当該組成物はウェハに残渣物が存在するあらゆ る工程において使用され得るが、例えば、（1)ビア孔の形成後の洗浄工程、（2)配線 溝の形成後の洗浄工程、（3)エッチストツバ膜のパンチング後の洗浄工程、 (4) CM P (化学的機械的研磨)後の洗浄工程にぉ 、て使用可能である。 実施例
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例に限定される ものではない。
1)銅酸化物の除去性評価試験
銅ベタ膜を、 Oプラズマ（250°C、 120秒照射)処理し、得られた銅酸ィ匕膜ウェハを
2
評価に用いた。これを実施例 1ないし 8および比較例 1ないし 5の組成物に室温、 10 分間浸潰し、その後ウェハを水洗、風乾した。
銅酸ィ匕物除去性は、光学顕微鏡による目視的観察および X線光電子分光分析法（ XPS :島津製作所製 ESCA3200)によるウェハ表面上の銅価数の定性分析により総 合的に判断した。
2)有機物除去性評価試験
KrFレジストを Si基板上に塗布し、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成さ せ、その後 CFガスにより 6分間エッチングを行ったウェハを評価に用いた。これを実 施例 1ないし 8及び比較例 1ないし 6の組成物に室温、 5分間浸漬し、その後ウェハを 水洗、風乾した。レジスト除去性は光学顕微鏡による目視観察により判断した。
3)層間絶縁膜への腐食性評価試験
CVD SiOC (k値 2. 8、膜厚 500nm)を 0. 1質量0 /0のフッ化水素酸水溶液に 30 秒間浸潰し、表層に付着している変質膜を除去した膜を評価に用いた。これの膜厚 、屈折率を分光エリプソメーター [n&k社製、 n&k analysiser (登録商標）]で測定 し、さらに実施例 1ないし 8及び比較例 1ないし 6の組成物に室温、 10分間浸漬し、そ の後ウェハを水洗、風乾した。その後、再びこれの膜厚、屈折率を測定し、層間絶縁 膜への腐食性を、組成物の処理前後における膜厚、屈折率の変化により判断した。
4)銅配線への腐食性評価試験
電解めつき銅膜（1650nm)を 0. 1質量％のフッ化水素酸水溶液に 30秒間浸漬し 、表層に付着している自然銅酸ィ匕膜を除去した膜を評価に用いた。これの抵抗をシ ート抵抗測定装置で測定し、さらに実施例 1な 、し 8及び比較例 1な 、し 6の組成物 に室温、 10分間浸漬し、その後ウェハを水洗、風乾した。その後再びこれの抵抗を 測定し、組成物の処理前後における抵抗値の差により、銅のエッチングレートを算出 し判断した。
実施例 1ないし 8、比較例 1ないし 6の組成物の各組成、及び実験結果を表 1及び 表 2に示す。なお、銅酸ィ匕物の除去性は以下のように評価した。
〇：光学顕微鏡で黄色、 XPS測定で Cu2+のピーク検出されず
△：光学顕微鏡で黄色、 XPS測定で Cu2+のピークを検出
X：光学顕微鏡で赤銅色、 XPS測定で Cu2+のピークを検出
また有機物除去性は以下のように評価した。
〇：光学顕微鏡により 100%レジスト剥離を確認
△：光学顕微鏡により一部剥離可能、残部にレジストを確認
X：光学顕微鏡によりほぼ前面にレジスト残を確認
また層間絶縁膜への腐食性は以下のように評価した。
〇:膜厚変化量 0. InmZ分未満、屈折率変化量 0. 01未満
△:膜厚変化量 0. InmZ分以上、屈折率変化量 0. 01未満または膜厚変化量 0. 1 nmZ分未満、屈折率変化量 0. 01以上
X：膜厚変化量 0. InmZ分以上、屈折率変化量 0. 01以上
また銅配線への腐食性は以下のように評価した。
〇：エッチングレート 0. 2nmZ分未満
X：エッチングレート 0. 2nmZ分以上
[表 1]
Figure imgf000016_0001
表 1(数値は組成物全体に対する質量％)
Figure imgf000016_0002
¾ TEAsHri
表 2(数値は組成物全体に対する質量％) (ϋ;τ DI¾W :^K) Deionized water.
Figure imgf000017_0001
HEM：ヒドロキシェチルモルホリン
CEEDA:N— (2—シァノエチル） エチレンジァミン
NMP :N—メチノレピロリドン
を表す。
本発明は、特定の好ましい実施態様に関して記述されているものの、本発明の真 の精神および範囲力 逸脱することなぐ種々の変更および改良をこれに行いうるこ とは、当業者によって理解される。したがって、本発明の請求の範囲は、このようなす ベての変更および改良を含み、やはり本発明の真の精神および範囲を包含すること を意図している。

Claims

請求の範囲
[1] 半導体ウェハ加工工程に使用される半導体ウェハ洗浄用組成物であって、
(a)フッ化水素酸、酸性フッ化アンモ-ゥム及びフッ化アンモ-ゥム力 選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物、
(b)ホスホン酸、
(c)ギ酸、
(d)少なくとも 1種の有機ァミン、及び
(e)水、
を含む組成物。
[2] 前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、請求項 1に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物：
[化 1]
( a ) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニ .ゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0 . 5ないし 2 . 0 質量％
( b ) ホスホン酸 0 . 2ないし 1 5 質量％
( c ) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
( d ) 少なくとも 1種の有機アミン 2 5ないし 4 0 質量％
( e ) 水 4 0ないし 5 5 質量％。
[3] 前記 (d)少なくとも 1種の有機ァミンが、
トリエタノールァミン、アミノエトキシエタノール、ヒドロキシェチルモルホリン、ヒドロキ シェチルビペラジン、アミノエチルモルホリン、アミノエチルピペラジン、ァミノプロピル モルホリン、ァミノプロピルピぺラジン、ペンタメチルジェチレントリァミン、ジメチルアミ ノエトキシエタノール、トリメチルアミノエチルエタノールァミン、トリメチルァミノプロピ ルエタノールァミン、 N— (2—シァノエチル）エチレンジァミン、 N— (2—シァノプロピ ル）エチレンジァミン、 N—（2—シァノエチル） N メチルエチレンジァミン、 N— ( 2—シァノエチル） トリメチレンジァミン、 N— (2—シァノエチル） N—メチルトリメチ レンジァミン、ビス（2—シァノエチル）メチルァミン、 N, N ジェチルヒドロキシルアミ ン、及びエチレン尿素
からなる群から選択された、請求項 1に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
[4] 前記 (d)少なくとも 1種の有機ァミンが、 トリエタノールァミン、ヒドロキシェチルモルホリン、 N— (2—シァノエチル） エチレン ジァミン及び N, N ジェチルヒドロキシルァミン
からなる群から選択された、請求項 1に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
[5] さらに、（f)少なくとも 1種の有機溶媒、（g)ァスコルビン酸、（h)少なくとも 1種の界 面活性剤、及び (i)メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤からなる群から選択 された少なくとも一つを含む、請求項 1に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
[6] 前記 (f )少なくとも 1種の有機溶媒が、
ホルムアミド、 N, N ジメチルホルムアミド、 N, N ジメチルァセトアミド、 N, N- ジメチルァセトァセトアミド、 N—メチルピロリドン、エチレングリコールモノメチルエー テノレ、エチレングリコーノレモノエチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノブチノレエーテ ノレ、ジエチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノェチノレエー テル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、 1, 3 ブチレングリコーノレ、プロピ レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール n—プロピルエーテル、ジプ ロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコール n プロピルエーテル、ジ プロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコール n プロピルエーテ ル、グリセリン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、スルホラン、 1, 3 ブ タンジオール、 1, 4 ブタンジオール、及び γ ブチロラタトン
力 なる群力 選択された、請求項 5に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
[7] 前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、請求項 1に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物：
[化 2]
( a ) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及ぴフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0 . 5ないし 2 . 0 質量％
( b ) ホスホン酸 0 . 2ないし 1 5 質量％
( c ) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
( d) 少なくとも 1種の有機アミン 2 5ないし 4 0 質量％
( e ) 水 4 0ないし 5 5 質量％
( f ) 少なくとも 1種の有機溶媒 1ないし 1 5 質量％。
[8] 前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、請求項 1に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物： [化 3]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモ-ゥム及びフッ化アンモ -ゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 25ないし 40 質量％
(e) 水 40ないし 55 質量％
(g) ァスコルビン酸 0. 1ないし 5 質量％。 前記 (h)少なくとも 1種の界面活性剤が、
炭素原子数 1な 、し 10のアルキルダルコシド、並びに
ォキシエチレン基及びォキシプロピレン基を持つアルキルアミンォキシド からなる群力 選択された、請求項 5に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物。
前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、請求項 1に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物：
[化 4]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモ；:ニゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(C) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
( d ) 少なく とも 1種の有機ァミン 25ないし 40 質量％
(e) 水 40ないし 55 質量％
(h) 少なくとも 1種の界面活性剤 0. 0 1ないし 0 . 1質量％。
[11] 前記 (i)メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤力 2—メルカプトべンゾキサゾ ール、 2—メルカプトべンゾイミダゾール、及び 2—メルカプトベンゾテトラゾールから 選択された、請求項 5に記載の半導体ゥ ハ洗浄用組成物。
[12] 前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10
0%となる、請求項 1に記載の半導体ウェハ洗浄用組成物：
[化 5] (a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 質量％
(e) 水
Figure imgf000022_0001
質量％
( i )メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤 0. 00 1なぃし0. 05質量％。
[13]
Figure imgf000022_0002
ヽて、
(a)フッ化水素酸、酸性フッ化アンモ-ゥム及びフッ化アンモ-ゥム力 選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物、
(b)ホスホン酸、
(c)ギ酸、
(d)少なくとも 1種の有機ァミン、及び
(e)水、
を含む半導体ウェハ洗浄用組成物を使用することによる、半導体ウェハ洗浄方法。
[14] 前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、請求項 13に記載の半導体ウェハ洗浄方法：
[化 6]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニ ■ゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 25ないし 40 質量％
(e) 水 40ないし 55 質量％。
[15] 前記 (d)少なくとも 1種の有機ァミンが、
トリエタノールァミン、アミノエトキシエタノール、ヒドロキシェチルモルホリン、ヒドロキ シェチルビペラジン、アミノエチルモルホリン、アミノエチルピペラジン、ァミノプロピル モルホリン、ァミノプロピルピぺラジン、ペンタメチルジェチレントリァミン、ジメチルアミ ノエトキシエタノール、トリメチルアミノエチルエタノールァミン、トリメチルァミノプロピ ルエタノールァミン、 N— (2—シァノエチル）エチレンジァミン、 N— (2—シァノプロピ ル）エチレンジァミン、 N—（2—シァノエチル） N メチルエチレンジァミン、 N— ( 2—シァノエチル） トリメチレンジァミン、 N— (2—シァノエチル） N—メチルトリメチ レンジァミン、ビス（2—シァノエチル）メチルァミン、 N, N ジェチルヒドロキシルアミ ン、及びエチレン尿素
力 なる群力 選択された、請求項 13に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
[16] 前記 (d)少なくとも 1種の有機ァミンが、
トリエタノールァミン、ヒドロキシェチルモルホリン、 N— (2—シァノエチル） エチレン ジァミン及び N, N ジェチルヒドロキシルァミン
力 なる群力 選択された、請求項 13に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
[17] さらに、（f)少なくとも 1種の有機溶媒、（g)ァスコルビン酸、（h)少なくとも 1種の界 面活性剤、及び (i)メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤からなる群から選択 された少なくとも一つを含む、請求項 13に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
[18] 前記 (f)少なくとも 1種の有機溶媒が、
ホルムアミド、 N, N ジメチルホルムアミド、 N, N ジメチルァセトアミド、 N, N- ジメチルァセトァセトアミド、 N—メチルピロリドン、エチレングリコールモノメチルエー テノレ、エチレングリコーノレモノエチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノブチノレエーテ ノレ、ジエチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノェチノレエー テル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、 1, 3 ブチレングリコーノレ、プロピ レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール n—プロピルエーテル、ジプ ロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコール n プロピルエーテル、ジ プロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコール n プロピルエーテ ル、グリセリン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、スルホラン、 1, 3 ブ タンジオール、 1, 4 ブタンジオール、及び γ ブチロラタトン
力もなる群力も選択された、請求項 17に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
[19] 前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、請求項 13に記載の半導体ウェハ洗浄方法：
[化 7] (a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及ぴフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量0
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 25ないし 40 質量％
(e) 水 40ないし 5 5 質量％
( f ) 少なくとも 1種の有機溶媒 1ないし 1 5 質量％(
[20] 前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10
0%となる、請求項 13に記載の半導体ウェハ洗浄方法：
[化 8]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモ-ゥム及びフッ化アンモニゥムから選択 れた少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量0 /o
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量0 /0
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 2 5ないし 40 質量0 /0
(e) 水 4 0ないし 5 5 質量％
(g) ァスコルビン酸 0. 1ないし 5 質量0ん
[21] 前記 (h)少なくとも 1種の界面活性剤が、
炭素原子数 1な 、し 10のアルキルダルコシド、並びに
ォキシエチレン基及びォキシプロピレン基を持つアルキルアミンォキシド からなる群力も選択された、請求項 17に記載の半導体ウェハ洗浄方法。
[22] 前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、請求項 13に記載の半導体ウェハ洗浄方法：
[化 9]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及びフッ化アンモニゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(c) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 2 5ないし 4 0 質量％
(e) 水 40ないし 5 5 質量％
(h) 少なくとも 1種の界面活性剤 0. 0 1ないし 0. 1質量0 /0。
[23] 前記 (i)メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤力 2—メルカプトべンゾキサゾ ール、 2—メルカプトべンゾイミダゾール、及び 2—メルカプトベンゾテトラゾールから 選択された、請求項 17に記載の半導体ウェハ洗浄方法。 [24] 前記組成物の各成分濃度が以下の質量％で表され、かつ各成分濃度の合計が 10 0%となる、請求項 13に記載の半導体ウェハ洗浄方法：
[化 10]
(a) フッ化水素酸、 酸性フッ化アンモニゥム及ぴフッ化アンモ-ゥムから選択された少 なくとも 1種のフッ素化合物 0. 5ないし 2. 0 質量％
(b) ホスホン酸 0. 2ないし 1 5 質量％
(C) ギ酸 5ないし 1 5 質量％
(d) 少なくとも 1種の有機アミン 25ないし 40 質量％
(e) 水 40ないし 5 5 質量％
( i )メルカプト基を有する少なくとも 1種の防食剤 0. 00 1ないし 0. 05 質量％。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173566A (ja) * 2004-11-18 2006-06-29 Kao Corp 剥離剤組成物
WO2007110720A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 L'air Liquie-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Precedes Georges Claude Cleaning solutions including preservative compounds for post cmp cleaning processes
JP2008177441A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Tosoh Corp 配線工程用レジストの剥離方法
JP2012518715A (ja) * 2009-02-25 2012-08-16 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 酸性、有機溶媒ベースの多目的マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
JP2013011816A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Tosoh Corp レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法
JP2013097193A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法
JP2014067752A (ja) * 2012-09-24 2014-04-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd フォトリソグラフィ用剥離液、及びパターン形成方法
CN104254906A (zh) * 2012-04-27 2014-12-31 和光纯药工业株式会社 半导体基板用清洗剂和半导体基板表面的处理方法
EP3258485A4 (en) * 2015-02-12 2018-03-14 Fujifilm Corporation Solution and method for removal of group iii-v element oxide, solution for treatment of group iii-v element compound, solution for preventing oxidation of group iii-v element, solution for treatment of semiconductor substrate, and method for production of semiconductor substrate product
US10859917B2 (en) 2015-08-13 2020-12-08 Ltc Co., Ltd. Photoresist stripper composition for manufacturing liquid crystal display
CN112175750A (zh) * 2020-11-12 2021-01-05 福建省佑达环保材料有限公司 一种半导体制程中使用的中性水基清洗剂组合物
WO2021100353A1 (ja) * 2019-11-22 2021-05-27 富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社 洗浄液、洗浄方法
CN113862088A (zh) * 2021-10-27 2021-12-31 福建省佑达环保材料有限公司 一种oled用掩膜版清洗剂
JP2023515005A (ja) * 2020-09-22 2023-04-12 エルジー・ケム・リミテッド フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5709756A (en) * 1996-11-05 1998-01-20 Ashland Inc. Basic stripping and cleaning composition
JP2001005200A (ja) * 1999-06-21 2001-01-12 Nagase Denshi Kagaku Kk レジスト剥離剤組成物及びその使用方法
JP2003114539A (ja) * 2001-08-03 2003-04-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液
JP2003129089A (ja) * 2001-10-24 2003-05-08 Daikin Ind Ltd 洗浄用組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5709756A (en) * 1996-11-05 1998-01-20 Ashland Inc. Basic stripping and cleaning composition
JP2001005200A (ja) * 1999-06-21 2001-01-12 Nagase Denshi Kagaku Kk レジスト剥離剤組成物及びその使用方法
JP2003114539A (ja) * 2001-08-03 2003-04-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液
JP2003129089A (ja) * 2001-10-24 2003-05-08 Daikin Ind Ltd 洗浄用組成物

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173566A (ja) * 2004-11-18 2006-06-29 Kao Corp 剥離剤組成物
WO2007110720A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 L'air Liquie-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Precedes Georges Claude Cleaning solutions including preservative compounds for post cmp cleaning processes
JP2008177441A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Tosoh Corp 配線工程用レジストの剥離方法
JP2012518715A (ja) * 2009-02-25 2012-08-16 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 酸性、有機溶媒ベースの多目的マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
JP2013011816A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Tosoh Corp レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法
JP2013097193A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法
EP2843689A4 (en) * 2012-04-27 2015-05-13 Wako Pure Chem Ind Ltd CLEANING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND PROCESS FOR PROCESSING THE SURFACE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
CN104254906A (zh) * 2012-04-27 2014-12-31 和光纯药工业株式会社 半导体基板用清洗剂和半导体基板表面的处理方法
KR20150003217A (ko) * 2012-04-27 2015-01-08 와코 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 반도체 기판용 세정제 및 반도체 기판 표면의 처리방법
KR101966635B1 (ko) 2012-04-27 2019-08-27 후지 필름 일렉트로닉 머트리얼즈 가부시키가이샤 반도체 기판용 세정제 및 반도체 기판 표면의 처리방법
CN104254906B (zh) * 2012-04-27 2017-07-21 和光纯药工业株式会社 半导体基板用清洗剂和半导体基板表面的处理方法
US9803161B2 (en) 2012-04-27 2017-10-31 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Cleaning agent for semiconductor substrates and method for processing semiconductor substrate surface
US9436094B2 (en) 2012-09-24 2016-09-06 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Stripping solution for photolithography and pattern formation method
TWI611276B (zh) * 2012-09-24 2018-01-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 光微影用剝離液及圖型形成方法
JP2014067752A (ja) * 2012-09-24 2014-04-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd フォトリソグラフィ用剥離液、及びパターン形成方法
EP3258485A4 (en) * 2015-02-12 2018-03-14 Fujifilm Corporation Solution and method for removal of group iii-v element oxide, solution for treatment of group iii-v element compound, solution for preventing oxidation of group iii-v element, solution for treatment of semiconductor substrate, and method for production of semiconductor substrate product
US11145514B2 (en) 2015-02-12 2021-10-12 Fujifilm Corporation Removal liquid and method for removing oxide of group III-V element, treatment liquid for treating compound of group III-V element, oxidation prevention liquid for preventing oxidation of group III-V element, treatment liquid for treating semiconductor substrate, and method for producing semiconductor substrate product
US10859917B2 (en) 2015-08-13 2020-12-08 Ltc Co., Ltd. Photoresist stripper composition for manufacturing liquid crystal display
WO2021100353A1 (ja) * 2019-11-22 2021-05-27 富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社 洗浄液、洗浄方法
JPWO2021100353A1 (ja) * 2019-11-22 2021-05-27
JP7365427B2 (ja) 2019-11-22 2023-10-19 富士フイルム株式会社 洗浄液、洗浄方法
US12247300B2 (en) 2019-11-22 2025-03-11 Fujifilm Corporation Cleaning solution and cleaning method
TWI858179B (zh) * 2019-11-22 2024-10-11 日商富士軟片股份有限公司 洗淨液、半導體基板的洗淨方法
JP7577906B2 (ja) 2020-09-22 2024-11-06 エルジー・ケム・リミテッド フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法
JP2023515005A (ja) * 2020-09-22 2023-04-12 エルジー・ケム・リミテッド フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法
CN112175750A (zh) * 2020-11-12 2021-01-05 福建省佑达环保材料有限公司 一种半导体制程中使用的中性水基清洗剂组合物
CN112175750B (zh) * 2020-11-12 2021-08-13 福建省佑达环保材料有限公司 一种半导体制程中使用的中性水基清洗剂组合物
CN113862088A (zh) * 2021-10-27 2021-12-31 福建省佑达环保材料有限公司 一种oled用掩膜版清洗剂
CN113862088B (zh) * 2021-10-27 2023-11-10 福建省佑达环保材料有限公司 一种oled用掩膜版清洗剂

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