WO2006109719A1

WO2006109719A1 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

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Publication number: WO2006109719A1
Application number: PCT/JP2006/307445
Authority: WO
Inventors: Hideki Yamashita; Takafumi Okuma; Hiroshi Hayata; Yoshimasa Takii; Hirokazu Nakaue; Tadashi Kimura; Masaharu Terauchi
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2005-04-08
Filing date: 2006-04-07
Publication date: 2006-10-19
Anticipated expiration: 2007-10-08
Also published as: CN101138063A; JPWO2006109719A1; US20090096375A1; CN101138063B

Description

明細書

プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、平板型表示装置 (フラットパネルディスプレイともいう）として大型のテレビジョンや広告 ·情報等の公衆表示用への利用が拡大してきて、るプラズマディスプレイパネル (以下、 PDPという）及びその製造方法に関する。特に、本発明は、低出力でしかも長時間動作をしても優れた表示品質を維持することを可能にする保護膜を有するプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 近年、大型の平板型表示装置として希ガス放電による紫外線で蛍光体を励起発光させて画像 ·映像表示に利用する PDPは、対角 lm以上になるような大型製品を目標に開発されてきた。 PDPの開発は加速してきており、コンピュータ一等に代表される情報処理装置の表示機器として、ある、は大型のテレビジョン受信機や公衆表示用モニタとして、高性能化、低価格化、最適量産化等を目指して次々と新しい技術が開発されてきている。

[0003] PDPには交流駆動方式と直流駆動方式があるが、ここでは一般的な交流駆動方式の PDP (以下、交流駆動方式の PDPを AC型 PDPと記す)の構造を概略的に説明する図を図 9A及び図 9Bに示す。 AC型 PDPには各種の方式があり、図 9Aは面放電型と呼ばれる方式の一例として、その構造の一部を立体的に描いた斜視図で、また図 9Bは図 9Aの AA部を拡大して断面図で示している。 PDPは、ガラス製の前面ガラス基板 101、背面ガラス基板 108にそれぞれ行電極、列電極が直交配置され、画素（ピクセル）となる行及び列の両電極の交点及び両基板 101, 108間にある隔壁 11 1により放電空間 124を形成する構造となって、る。

[0004] 図 10は、一般的な AC型 PDPの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図である。図 10において、一般的な AC型 PDPの製造工程は、前面板の形成工程 S 110、背面板の形成工程 S 120、及びこれらの組立工程 S 130に大別される。前面板形成工程 S 110は、走査電極,維持電極形成工程 S111と、誘電体層形成工程 S 112と、誘電体保護膜形成工程 (以下、単に保護膜形成工程とも記す) S113とからなる。一方、背面板形成工程 S120は、データ電極形成工程 S 121と、下地誘電体層形成工程 S 122と、隔壁形成工程 S 123と、蛍光体層形成工程 S 124とからなり、組立ェ程 S 130は、封着工程 S131、排気工程 SI 32、放電ガス封入工程 SI 33、エージング工程 S134と、 PDPパネル完成工程 S135の各工程とからなつており、これらのェ程を経て PDP 121が完成する。

[0005] 以下、図 9A及び図 9Bに示した一般的な面放電型の AC型 PDPの前面板 122及び背面板 123の構成について、図 10に示した工程と対応させながら説明する。

[0006] 前面板 122は、前面ガラス基板 101上に、放電の維持信号を入力するための維持電極 103及び順次表示用の走査信号を入力するための走査電極 102が、図 10に示した走査電極 Z維持電極形成工程 S111を経て、それぞれ対をなして平行に複数形成されて表示電極 104となる行電極が構成されている。次いで、これらの表示電極 1 04上に放電による壁電荷を形成するための透明な誘電体層 106が誘電体層形成ェ程 S 112を経て成膜される。さらに、誘電体層 106上に放電によるイオン衝撃から誘電体層 106を保護するための保護膜 (以下、保護膜とも記す) 107が保護膜形成ェ程 S 113を経て形成されている。また、隣り合う維持電極 103と走査電極 102とで構成する 1対の電極間に、表示面のコントラストを高めるため、遮光層となるブラックマトリクスを必要に応じて形成することもある力この形成工程は図 10には示していない。

[0007] 次に、背面板 123は、背面ガラス基板 108上に複数の表示データ信号を入力するための列電極となるアドレス電極（データ電極とも呼ばれる） 110力前面板 122の表示電極 104を構成する維持電極 103及び走査電極 102とそれぞれ交差する方向に、図 10に示したデータ電極形成工程 S121を経て複数形成されている。アドレス電極 110の上にやはり放電による壁電荷を形成するための下地誘電体層 109が下地誘電体層形成工程 S 122を経て成膜され、さらにその上にアドレス電極 110と平行して隔壁 111が隔壁形成工程 S123により形成され、隔壁 111間には赤色、緑色及び青色をそれぞれ発光する蛍光体層 112R、 112G、 112Bが蛍光体層形成工程 SI 24 を経て設けられている。

[0008] そして、前面板 122と背面板 123とをその電極形成面側を対向させながら貼りあわせてフリットガラス等のシール材を用いて封着パネル化（封着工程 S131)して、加熱しながら脱ガス処理 (排気工程 S132)を行った後、放電ガスとして He又は Ne又は X eなどの希ガス力 00Torr〜600Torrの圧力で封入（放電ガス封入工程 S133)して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行うエージングを実施 (エージング工程 S 134)し、放電空間 124が形成された PDP 121が完成する（PDPパネル完成工程 S135)。

[0009] 完成した PDP121には、走査電極 102と維持電極 103及び列電極であるアドレス電極 110とに電気信号を供給するため、これらの電極の電極端子に駆動用のドライバ ICが搭載された回路基板が接続され、制御信号回路や電源回路と共に筐体に組み込んで表示装置として完成する。維持電極 103及び走査電極 102からなる表示電極 104及びアドレス電極 110に所定の信号の電圧パルスを印加することにより封入された希ガスが励起され、紫外線を放出し、その紫外線により隔壁 111間に設けられた各色蛍光体層 112R、 112G、 112Bが可視光を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせて、カラー画像など力もなる情報を表示することができる。

[0010] 特に、前面板 122の形成工程 S110において、前面ガラス基板 101上に維持電極 103、走査電極 102と誘電体層 106を形成し、その上に、放電によるイオン衝撃から誘電体層 106を保護すると共に、 2次電子放出による蛍光体の発光を促進する目的で、保護膜 107が所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成されているが、この保護膜 107は酸ィ匕マグネシウム (MgO)が広く用いられている。このような電子ビーム蒸着で形成された MgO膜は、結晶性が高く緻密な膜であり、耐スパッタリング性に優れ、かつ 2次電子放出係数が高いという優れた特徴を有している。そして、ガス放電によるイオン衝撃カゝら誘電体層 106を保護する保護性能と、放電電圧を下げて応答性の速い放電を実現するため、保護膜 107の結晶学的構造や各種物理的特性を改善する提案がなされている (例えば、特許文献 1、特許文献 2参照。 )₀

[0011] 特許文献 1 :特開平 11 54045号公報

特許文献 2：特開 2002 - 75226号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題 [0012] 前述したように、 PDPはより高精細で低消費電力への要望が高まっており、放電ガスの高工ネルギー化又は走査線数の増加等の開発が進められている。 PDPの高精細化を図ろうとすると、 PDPのパネル容器内の放電セルにおいて、イオン衝突エネルギ一の増加に伴い誘電体保護膜のスパッタリングが加速され、保護膜の寿命が減少するおそれがあり、さらなる保護膜の耐スパッタリング性向上が課題の 1つとして浮上してくる。また、高精細化に伴う走査線数の増加に伴って、アドレス電極に印加するァドレスパルスのパルス幅を狭くして高速駆動を行う必要がある力実際に製造した高精細化 PDPでは、印加パルスの立ち上がりから、かなり遅れて放電が行われるという放電遅れ現象のために、印加されたパルス幅内で放電が終了する確率が低くなり、本来、点灯すべきセルに書き込みができない、などといった現象が出現し、この現象により、 PDPの放電セルの点灯不良が生じる。この放電遅れの期間を短くするには、保護膜の高い電子放出性能が要求される。し力しながら、前述したガス放電によるィオン衝撃から誘電体層 106を保護する保護性能と、放電電圧を下げて応答性の速い放電を実現するため、保護膜 107の結晶学的構造や各種物理的特性を改善する提案では、未だ満足のできる性能、特性が得られているとはいい難い。

[0013] 本発明の目的は、前記の課題を解決するためになされたものであり、 PDPの高精細化に対応可能で耐スパッタリング性に優れた密度の高い誘電体保護膜を作製することができ、高精細表示が可能で長寿命なプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0014] 本発明は、前記目的を達成するため、以下のように構成している。

[0015] 本発明の第 1態様によれば、第 1のガラス基板上に第 1の電極と第 1の誘電体層と保護膜とが形成された第 1の基板と、

第 2のガラス基板上に第 2の電極と第 2の誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された第 2の基板とを備え、

前記第 1の基板と前記第 2の基板とが放電空間を挟んで対向配置され、前記保護膜は、粒状の結晶が集合した構造を有し、

前記保護膜の表面において、前記保護膜の面積に対する前記結晶間の空隙の占める面積が 0%より大きくかつ 10%未満の範囲であるプラズマディスプレイパネルを提供する。

[0016] 本発明の第 2態様によれば、前記保護膜の前記粒状の結晶の最小粒径が 30nm 以上で lOOnm以下の範囲にある第 1態様に記載のプラズマディスプレイパネルを提供する。

[0017] 本発明の第 3態様によれば、前記保護膜が、アルカリ土類金属の酸ィ匕物、フッ化物、水酸化物、及び、炭酸ィ匕物のうち、少なくとも 1種類により形成されている第 1又は 2 態様に記載のプラズマディスプレイパネルを提供する。

[0018] 本発明の第 4態様によれば、前記保護膜が、アルカリ土類金属の酸ィ匕物、フッ化物、水酸化物、及び、炭酸ィ匕物のうちの少なくとも 2種類の材料を混合した化合物により形成されている第 1又は 2態様に記載のプラズマディスプレイパネルを提供する。

[0019] 本発明の第 5態様によれば、前記保護膜が酸ィ匕マグネシウムにより形成され、かつ前記保護膜の膜密度が 3. 3g/cm³より大きい第 1又は 2態様に記載のプラズマディスプレイパネルを提供する。

[0020] これらの構成により、 PDPの前面板に形成する保護膜の空隙率が 0%より大きくかつ 10%未満の範囲に設定すれば、エッチングレートが改善され、耐スパッタリング性力 S向上して密度の高い誘電体保護膜を作製することができ、長寿命化が期待でき、高精細化に対応可能な PDPを使用する PDP表示装置を実現できる。

[0021] さらに、保護膜の粒状の結晶の最小粒径が 30nm以上で lOOnm以下の範囲に設定すれば、エッチングレートがより改善され、またこのような前面板で製造した PDPは、放電遅れ時間（アドレス期間に走査電極とアドレス電極間に電圧を印加して力も放電が起こるまでの時間）を短縮ィ匕できるので、耐スパッタリング性がより向上して長寿命化が期待でき、放電特性が改善されて表示品質に優れた PDPを使用する PDP表示装置を実現できる。

[0022] また、前記目的を達成するために本発明の PDPの製造方法としては、本発明の第 6態様によれば、第 1のガラス基板上に第 1の電極と第 1の誘電体層と保護膜とが形成された第 1の基板と、第 2のガラス基板上に第 2の電極と第 2の誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された第 2の基板とを放電空間を挟んで対向配置させて構成されるプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、

前記第 1の誘電体層が形成された第 1の基板を真空容器内に搬入し、前記真空容器内にスパッタガスと共に H 2 Oガスを供給し、

前記真空容器内の H 2ガス分圧を監視して前記 H 2 Oガスの流量を制御しながら第 1 の基板に保護膜を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。

[0023] また、本発明の第 7態様によれば、前記真空容器内に供給する前記スパッタガスのガス圧を 0. 5Paとすると共〖こ、前記第 1の基板を 250°Cから 350°Cの範囲の所定の温度に加熱し、前記 H 2 Oガスの前記真空容器内の全圧に対する H 2 Oガスの圧力比を 10_⁴以上でかつ ιο^_1以下に設定してスパッタリング法により保護膜を形成する第 6態様に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。

[0024] これらの工程を有する PDPの製造方法により、前面板に形成する保護膜のエッチングレートが改善され、またこのような前面板で製造した PDPは放電遅れ時間を短縮化できるので、耐スパッタリング性が向上して長寿命化が期待でき、放電特性が改善されて表示品質に優れた PDPを使用する PDP表示装置の実現が可能になる。発明の効果

[0025] 本発明によれば、前記保護膜は粒状の結晶が集合した構造を有し、前記保護膜の表面において、前記保護膜の面積に対する前記結晶間の空隙の占める面積が 0% より大きくかつ 10%未満の範囲にあるように構成しているため、耐スパッタリング性が優れた保護膜を得ることが可能となる。その結果、高精細で画質が優れ、長寿命の P DPを実現するといつた、大きな効果を有する。

[0026] また、前記保護膜の粒状の前記結晶の最小粒径が 30nm以上で lOOnm以下の範囲にあるように構成すれば、放電遅れ時間が減少することができ、電子放出特性が良好で、なおかつ耐スパッタリング性がより優れた保護膜を得ることが可能となる。その結果、高精細で画質がより優れ、長寿命の PDPを実現するといつた、大きな効果を有する。

図面の簡単な説明

[0027] 本発明のこれらと他の目的と特徴は、添付された図面についての好ましい実施形態に関連した次の記述から明らかになる。この図面においては、

[図 1A]図 1Aは、本発明の実施形態における AC型 PDPの一部を拡大して構造を示す分解斜視図であり、

[図 1B]図 1Bは、図 1 Aの AA部を拡大して示す断面図であり、

[図 1C]図 1Cは、本発明の前記実施形態における AC型 PDPの製造方法を概略的に説明する製造工程の流れ図であり、

[図 2]図 2は、本発明の前記実施形態における PDPの前面板の保護膜を形成する装置の概略構成図であり、

[図 3]図 3は、比較参照用試料と本発明の前記実施形態の実例の試料を含む合計 6 種類の試料の MgO膜の空隙率と放電遅れ時間の関係を示すグラフであり、

[図 4]図 4は、前記試料の MgO膜の最小粒径と放電遅れ時間の関係を示すグラフであり、

[図 5]図 5は、前記試料の MgO膜の膜密度と放電遅れ時間の関係を示すグラフであり、

[図 6]図 6は、前記試料の MgO膜の空隙率とエッチングレートの関係を示すグラフであり、

[図 7]図 7は、前記試料の MgO膜の最小粒径とエッチングレートの関係を示すグラフであり、

[図 8]図 8は、前記試料の MgO膜の膜密度とエッチングレートの関係を示すグラフであり、

[図 9A]図 9Aは一般的な AC型 PDPの構造を概略的に説明する図であり、

[図 9B]図 9Bは、一般的な AC型 PDPの構造を概略的に説明する図であり、

[図 10]図 10は、一般的な AC型 PDPの製造方法を概略的に説明する製造工程の流れ図である。

発明を実施するための最良の形態

[0028] 本発明の記述を続ける前に、添付図面において同じ部品については同じ参照符号を付している。

[0029] 以下、図面を参照して本発明の実施形態における PDP及びその製造方法について、図面を参照しつつ説明する。

[0030] (実施形態）

本発明の 1つの実施形態について、図 1A〜図 8を用いて説明する。

[0031] 図 1Aは、本発明の前記実施形態における AC型 PDPの一部を拡大して構造を示す分解斜視図、図 1Bは図 1Aの AA部を拡大して示す断面図であり、図 1Cは、本発明の前記実施形態における AC型 PDPの製造方法を概略的に説明する製造工程の流れ図である。既に、背景技術として図 9A及び図 9Bを用いて一般的な AC型 PDP の構造を説明したが、本発明の前記実施形態における AC型 PDPは、ガラス製の前面ガラス基板 1、背面ガラス基板 8にそれぞれ行電極、列電極が直交配置され、画素 (ピクセル）となる行及び列の両電極の交点及び両基板 1, 8間にある隔壁 11により放電空間 24を形成する構造と類似するが、再度、図 1 A及び図 1Bを基に説明する。

[0032] 次いで、図 2は、本発明の前記実施形態における PDPの前面板の保護膜 7の形成に用いる成膜装置の概略構成図、図 3は、比較参照用試料と本発明の前記実施形態の実例の試料を含む合計 6種類の試料の MgO膜の空隙率と放電遅れ時間の関係を示すグラフ、図 4は、前記 6種類の試料の MgO膜の最小粒径と放電遅れ時間の関係を示すグラフ、図 5は、前記 6種類の試料の MgO膜の膜密度と放電遅れ時間の関係を示すグラフ、図 6は、前記 6種類の試料の MgO膜の空隙率とエッチングレートの関係を示すグラフ、図 7は、前記 6種類の試料の MgO膜の最小粒径とエッチングレートの関係を示すグラフ、図 8は、前記 6種類の試料の MgO膜の膜密度とエツチングレートの関係を示すグラフである。

[0033] 図 1A、図 IBにおいて、前面板 22には、透明な前面ガラス基板 1上に、放電ギヤップをあけて平行に対向する順次表示用の走査電極 2と、放電の維持信号を入力するための維持電極 3とで対をなして、ストライプ状に（いわゆる、行電極に相当する）表示電極 4が複数対形成されている。この走査電極 2及び維持電極 3は、それぞれ ITO (Indium -Tin Oxide)や SnO等によって構成される透明電極 2a、 3aと、この透

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明電極 2a、 3aに電気的に接続された、例えば、銀等の厚膜、又は、例えばアルミ- ゥム (A1)薄膜、又は、クロム (Cr)—銅 (Cu)—クロム (Cr)の積層薄膜による補助電極 (バス電極ともいう） 2b、 3bによって構成されている。また、隣り合う維持電極 3と走查電極 2とで構成する 1対の電極間に、表示面のコントラストを高めるため、ブラックマトリタスとなる遮光層（BS膜ともいう） 5を必要に応じて形成することもある。そして、前面ガラス基板 1には、複数対の表示電極 4の群の上に、複数対の表示電極 4の群を覆うように低融点ガラスによって構成されかつ放電による壁電荷を形成するための透明な誘電体層 6が形成され、その誘電体層 6上には、酸ィ匕マグネシウム (MgO)によつて構成されかつ放電によるイオン衝撃カゝら誘電体層 6を保護するための保護膜 7が形成され、これらの各構成要素により、前面板 22が構成されている。なお、表示電極 4の補助電極 2b、 3bは、前面ガラス基板 1上に透明電極 2a、 3aを形成した後、コントラスト向上のため、先に、暗色導電層を形成し、次いで、所定の導体材料で導体層を形成する 2層構造にしてもよい。

[0034] また、前記前面ガラス基板 1に対向配置される背面ガラス基板 8上には、前面ガラス基板 1上の表示電極 4と直交する方向に、下地誘電体層 9で覆われて複数の（、わゆる、列電極に相当する）表示データ信号を入力するためのアドレス電極 (データ電極とも呼ばれる） 10がストライプ状に形成されている。このデータ電極 10上には、放電による壁電荷を形成するための下地誘電体層 9が形成され、さらに、データ電極 1 0上の下地誘電体層 9の上には、データ電極 10と平行してストライプ状の複数の隔壁 11が配置され、隔壁 11間の側面及び下地誘電体層 9の表面上に R (red :赤色）、 G (green：緑色）、 B (blue：青色）の 3色を発光する蛍光体を塗布して蛍光体層 12R、 12G、 12Bが形成されて、背面板 23が構成されている。

[0035] そして、前記構成の前面板 22と背面板 23とは、走査電極 2及び維持電極 3によつて構成される行電極に相当する表示電極 4と、列電極に相当するデータ電極 10とが互いに直交するように、微小な放電空間（又は、複数の微小な放電セル） 24を挟んで対向配置されると共に、前面板 22と背面板 23とが対向配置された状態でそれらの周囲部分が封止され、例えば真空度 1 X 10^_4Pa程度の圧力で高真空排気した後、放電空間 24には、放電ガスとして、 He、 Ne又は Xeなどの希ガス成分によって構成される混合ガスが所定の圧力（例えば、 400Torr〜600Torrの圧力）で封入充填されている。例えば、放電ガスとして、 90体積⁰ /₀ネオン (Ne)— 10体積⁰ /₀キセノン (Xe) の混合ガスを圧力 66. 5kPa (500Torr)で封入している。また、放電空間 24は、隔壁 11によって複数の細長い区画に仕切ることにより、表示電極 4とデータ電極 10との交点が位置する複数の放電セル 24aが設けられ、各放電セル 24aには、前述したように青色、緑色及び赤色の各蛍光体層 12B、 12G、 12Rが順次配置されて、 PDP2 1が構成される。そして、維持電極 3及び走査電極 2、データ電極 10に所定の信号の電圧パルスを印加することにより、各放電セル 24aに封入された放電ガス中の希ガス成分が励起されて波長の短い真空紫外線（147nm)を放出し、その紫外線により下地誘電体層 9、及び隔壁 11上に設けられた蛍光体層 12B、 12G、 12Rが可視光を励起して青色、緑色、赤色の発光をさせて、情報 (例えばカラー画像などによって構成される情報）を PDP21に表示することができる。なお、このような PDP21を駆動する場合、任意のタイミングにおいて同じ駆動波形が全ての維持電極 3に印加されるので、隣接して配置された維持電極 3は前面ガラス基板 1上で互いに接続されている。

[0036] 次に、 PDP21の製造方法の全体について簡単に説明するが、本発明の前記実施形態における PDP21は、図 1Cに示されるように、既に背景技術において図 10に示した製造工程の流れ図を用いて説明した手順に類似した手順に従って製造される。図 1Cにおいて、前記実施形態における AC型 PDP21の製造工程は、前面板の形成工程 S 10、背面板の形成工程 S20、及びこれらの組立工程 S30に大別される。前面板形成工程 S 10は、走査電極,維持電極形成工程 S 11と、誘電体層形成工程 S 12と、誘電体保護膜形成工程 (以下、単に保護膜形成工程とも記す) S13とによって構成されている。一方、背面板形成工程 S20は、データ電極形成工程 S21と、下地誘電体層形成工程 S22と、隔壁形成工程 S23と、蛍光体層形成工程 S24とによって構成されている。組立工程 S30は、封着工程 S31、排気工程 S32、放電ガス封入ェ程 S33、エージング工程 S34と、 PDPパネル完成工程 S35の各工程とによって構成されており、これらの工程を経て前記 PDP21が完成する。

[0037] 具体的には、まず、前面ガラス基板 1上に、表示電極 4の走査電極 2及び維持電極 3をそれぞれ構成する透明電極 2a、 3aを形成した後（走査電極 Z維持電極形成ェ程 S11)、透明電極 2a、 3aと共に走査電極 2及び維持電極 3をそれぞれ構成する補助電極 2b、 3bと、遮光層 5を形成する。ここで、補助電極 2b、 3bは、透明電極 2a、 3 a上にコントラスト向上のために暗色導電層と、その上に所定の導電体で導電層とで構成する 2層構造で形成する方法も可能である。これらの形成方法につ!ヽては後述する。

[0038] 次に、透明電極 2a、 3a、補助電極 2b、 3b、及び遮光層 5を覆うように前面ガラス基板 1上に、ガラスペーストを例えばスクリーン印刷法等を用いて塗布した後、所定温度で所定時間（例えば 560°Cで 20分)焼成することによって、所定の厚み (例えば約 20 μ m)の誘電体層 6を形成する (誘電体層形成工程 S 12)。誘電体層 6を形成するときに使用するガラスペーストとしては、例えば、 PbO (70wt%)、 B O (15wt%)、

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SiO (10wt%)、及び Al O (5wt%)と有機バインダ（例えば、 α—タービネオール

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に 10%のェチルセルローズを溶解したもの）との混合物が使用される。ここで、有機ノインダとは、榭脂を有機溶媒に溶解したものであり、ェチルセルローズ以外に、榭脂としてアクリル榭脂、有機溶媒としてプチルカ一ビトール等も使用することができる。さらに、こうした有機バインダに分散剤（例えば、ダリセルトリオレエート）を混入させてもよい。また、ペーストを用いてスクリーン印刷する代わりに、成型されたフィルム状の誘電体前駆体をラミネートして焼成することによって、誘電体層 6を形成してもよ、

[0039] 次に、誘電体層 6上に保護膜 7を形成する (保護膜形成工程 S13)。保護膜 7は例えば酸ィ匕マグネシウム (MgOとも記す）によって構成され、例えば真空蒸着法等の成膜プロセスにより、保護膜 7が所定の厚み (例えば約 0. 5 m)となるように形成する。このような方法により、前面ガラス基板 1上に、構造物である走査電極 2、維持電極 3 、遮光層 5、誘電体層 6、保護膜 7を形成して、前面板 22が作製される。なお、保護膜 7の成膜形成法及び条件については、別に詳しい説明を後述する。

[0040] また、背面ガラス基板 8上に、データ電極 10をストライプ状に形成する（データ電極形成工程 S21)。具体的には、背面ガラス基板 8上に、データ電極 10の材料、例えば感光性 Agペーストを用い、例えばスクリーン印刷法等により膜を形成し、その後、例えばフォトリソグラフィ一法等によってパターユングし、焼成することで形成することができる。

[0041] 次に、以上のようにして形成したデータ電極 10を覆うように下地誘電体層 9を形成する（下地誘電体層形成工程 S22)。下地誘電体層 9は、例えば、鉛系のガラス材料を含むガラスペーストを、例えば、スクリーン印刷で塗布した後、所定温度、所定時間

(例えば 560°Cで 20分)焼成することによって、所定の層の厚み（例えば約 20 m) となるように形成する。また、ガラスペーストをスクリーン印刷する代わりに、例えば、成型されたフィルム状の下地誘電体層前駆体をラミネートして焼成することによって形成してちょい。

[0042] 次に、隔壁 11を、例えばストライプ状に形成する（隔壁形成工程 S23)。隔壁 11は、例えば Al O等の骨材とフリットガラスとを主剤とする感光性ペーストを例えばスクリ

2 3

ーン印刷法やダイコート法等により成膜し、例えばフォトリソグラフィ一法によりパターユングし、焼成することで形成することができる。又は、例えば、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布した後、焼成することによって形成してもよい。ここで、隔壁 11の間隙の寸法は、例えば、 32 インチ〜 50インチの HD— TV (High Definition -TV)の場合、 130 μ m〜240 μ m 程度である。

[0043] そして、隔壁 11と隔壁 11との間の溝 (放電セル） 24aには、赤色 (R)、緑色 (G)、青色 (B)に発光する蛍光体層 12R、 12G、 12Bを形成する（蛍光体層形成工程 S24) 。この工程では、各色の蛍光体粒子と有機バインダとによって構成されるペースト状の蛍光体インキを塗布し、これを例えば 400°C〜590°Cの温度で焼成して有機ノィンダを焼失させることによって、各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層 12R、 12G、 12Bとして形成する。このような方法により、背面ガラス基板 8上に、構造物であるデータ電極 10、下地誘電体層 9、隔壁 11、蛍光体層 12R、 12G、 12Bを形成して、背面板 23が作製される。

[0044] 続ヽて、蛍光体層 12R、 12G、 12B等の構造物を背面ガラス基板 8に形成した背面板 23の周辺部に、例えば低融点フリットガラスを塗布して乾燥させ、この背面板 23 と、保護膜 7等を前面ガラス基板 1に形成した前面板 22とを対向配置して加熱処理を行うことにより、前面板 22と背面板 23とを低融点フリットガラスにより封着する (封着工程 S31)。

[0045] その後、前面板 22と背面板 23との間の放電空間 24内を高真空 (例えば 1. 1 X 10 _⁴Pa)に加熱しながら排気して脱ガス処理を行う（排気工程 S32)。 [0046] 次!、で、放電空間 24に、放電ガスとして He又は Ne又は Xeなどの希ガスが 400To rr〜600Torrの圧力で封入して封じ切る（放電ガス封入工程 S33)。

[0047] 次いで、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行うエージングを実施する（エージング工程 S34)。

[0048] この結果、放電空間 24が形成された PDP21が製造される（PDPパネル完成工程 S35)。

[0049] 引き続き、以下に、本発明の前記実施形態における PDP21の前面板 22の誘電体層 6上に形成される保護膜 7について、その形成方法を含めて詳しく説明する。

[0050] 通常、前面板 22の誘電体層 6上に保護膜 7を成膜形成する方法は、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法が用いられる。ここでは、図 2に示したスパッタリング法による成膜装置で保護膜 7を成膜形成する方法について説明する。図 2において、成膜装置 30の真空容器 31内の載置台 32に、前面板 22用の前面ガラス基板 1を搬送して載置する。載置台 32は、例えば、抵抗加熱ヒータ等の加熱装置 42により、前面板 22 を加熱昇温させることが可能である。真空容器 31には排気孔 33が設けられ、排気装置 35により真空容器 31内を排気しながら圧力調整装置 36で真空容器 31内の圧力を所定の圧力に保つ。また、真空容器 31にはガス導入口 34が排気孔 33とは別に設けられ、 Ar等の希ガスを主成分とするスパッタガスを供給するガス供給装置 38から、ガス導入装置 37を経て、さらにガス導入孔 34を通って、前記スパッタガスが真空容器 31内に導入され、真空容器 31内が所定の圧力に保持される。また、真空容器 31 には四重極質量分析計（quadrupol mass spectrometer) (Q— mass) 41が取り付けられており、真空容器 31内のガス種とその分圧のモニタリング観測することを可能にしている。加熱装置 42により前面板 22を所定の温度に加熱し、スパッタリング用のターゲット 39を固定保持するターゲット保持台 43に接続された高周波電源 40により、所定の高周波電力をターゲット 39に印加すると、真空容器 31内のターゲット 39の近傍で Ar等の希ガスの放電が起こり、放電により生ずるプラズマイオンが MgOのターゲット 39をスパッタし、ターゲット 39に対向して配置された前面ガラス基板 1上に MgO保護膜 7を成膜形成する。ここで、前記所定の高周波電力は、例えば、量産性を考慮すると、 2kW以上とするのが好ましい。なお、図 2の 100は成膜装置 30の成膜動作を制御する制御装置であり、制御装置 100により、四重極質量分析計 41で真空容器 3 1内のガス種とその分圧のモニタリング観測されたデータが入力され、加熱装置 42と排気装置 35と圧力調整装置 36とガス供給装置 38とガス導入装置 37と高周波電源 4 0とのそれぞれの動作を制御するようにして、る。

[0051] 実際に MgO保護膜 7を成膜形成するにあたり、成膜に必要な各種条件を求める実験を行った。ここでは、前面板 22, 122の製造に用いる複数のソーダライムガラス製の前面ガラス基板 1, 101を準備し、実験に供した。また、電子ビーム蒸着法を用いる MgOの保護膜 107の成膜形成法は、従来の一般的な方法であり、ここでは詳しい説明を省略する。

[0052] あらカゝじめ、それぞれの前面ガラス基板 1, 101に、表示電極 4, 104及び誘電体層 6, 106を順次形成した後、成膜装置 30又は図示しない電子ビーム蒸着法用の従来の成膜装置を用いて、 6種類の MgOによって構成される保護膜 7, 107を、スパッタリング法又は電子ビーム蒸着法で成膜形成した。 6種類の MgOによって構成される保護膜 7, 107のうちの 1種類の MgOによって構成されるの保護膜 107すなわち試料 T

IRef.は、比較参照用として、従来の一般的な方法である電子ビーム蒸着法により成膜形成した。これを比較参照用試料 T とする。そして、他の 5種類の MgOによって

IRef.

構成されるの保護膜 7すなわち試料 T、 T、 T、 T、 Tについては、 MgO膜の各種

2 3 4 5 6

特性が成膜時の雰囲気ガス中の H Oガスの影響を大きく受けることがこれまでの実

2

験結果から知られて!/ヽるので、図 2に示した成膜装置 30のガス供給装置 38で Arガスと H Oガスを混合させて、混合されたガスを、ガス導入装置 37を経てガス導入孔 3

2

4を通して真空容器 31内に供給するときに、前面ガラス基板 1の基板温度と H Oガス

2 流量を変化させて、異なる条件で MgO膜を成膜形成した。成膜時の条件は次の通りである。

[0053] 真空容器 31内のスパッタガス圧力 =0. 5Pa、

Arガス流量 = 100standard cc 'm (以下、 sccmと略記する）、

H Oガス流量 =0sccmより大きく 30sccm以下、

2

前面ガラス基板 1の基板温度： 250°C〜350°C、

MgO膜の成膜厚さ： 600nm〜700nm。 [0054] このうち、 H Oガス流量及び基板温度を順次増力！]させて、 5種類の MgOを成膜し

2

た試料を作製した。 5種類の試料を T、 T、 T、 T、 Tとする。

2 3 4 5 6

[0055] 前記の条件のうち、 H Oガス流量については、成膜装置 30又は図示しない電子ビ

2

ーム蒸着法用の従来の成膜装置に設けた四重極質量分析計 41を用いると、質量数 18の H Oよりもの質量数 2の Hのイオン電流の感度が高ぐ H分圧をモニタすること

2 2 2

で H Oガス流量を精度良く制御できる。従って、例えば、前記実施形態の成膜装置

2

30では、 MgOの保護膜 7の成膜プロセス中に、成膜装置 30の真空容器 31に取り付けた四重極質量分析計 41を用いて成膜中の H分圧を制御装置 100により観測し、

2

制御装置 100によりガス導入装置 37及びガス供給装置 38をそれぞれ制御して H O

2 ガス流量を制御した。従来の成膜装置では実験者が H Oガス流量を制御した。なお

2

、 H Oガス流量は Osccmより大きく 30sccm以下と明記している力 H Oガス流量は

2 2

、成膜装置に依存しないパラメータであるため、成膜装置の真空容器 31の全圧に対する H Oの圧力比が 10一⁴〜 10—¹であるように設定することが望まし!/、。

2

[0056] 以下に示す表 1に、各試料（サンプル） (T 、 T、 T、 T、 T、 T )の H分圧の値

IRef. 2 3 4 5 6 2 を示す。

[0057] [表 1]

[0058] なお、上述した本発明の前記実施形態に関連する試料 Τ、 Τ、 Τ、 Τ、 Τの成膜

2 3 4 5 6 方法には、スパッタ成膜法を用い、そして、比較参照用試料 τ の成膜方法には従

IRef.

来多用されている電子ビーム蒸着法を用いたが、本発明はこれらに限定されるものではなぐ H分圧を制御することが可能な方法であれば、他の成膜方法、例えば CV

2

D法、ゾルゲル法等で成膜して MgOの保護膜 7を形成するものであってもよい。また、得られた MgOの保護膜 7の特性は H分圧のみで決まるわけではなぐ後述する他

2

のパラメータにも依存している力代表的なパラメータとして H分圧の値を取り上げて

2

表 1に示し、 H分圧の種々の値に対する MgOの保護膜 107, 7の特性を分類した。

2

[0059] 前面板 122, 22として形成するために準備したこれらの試料において、それぞれ成膜した MgOの保護膜 107, 7の密度、最小粒径、空隙率を求めた。密度は、成膜面積と、膜厚と、前面板 122, 22の成膜による増加重量とから、計算により得られる。成膜した MgOの保護膜 107, 7は、誘電体層 106, 6の表面上に略垂直に成長した柱状の結晶の集合体として膜状に形成されるので、最小粒径、空隙率については、成膜した MgOの保護膜 107, 7の表面を拡大観察することにより得られる。空隙率は、成膜した面積から、柱状の結晶の占める面積を差し引いたものを、空隙の面積とみなし、この空隙の面積を成膜面積で除して求めた。なお、本発明の前記実施形態における PDP21の MgO膜では、平均粒径ではなぐ後述するように最小粒径を求めているところが重要である。

[0060] そして、耐スパッタリング性の尺度となるエッチングレートは、以下のようにして評価を行った。比較参照用の試料 T を含む 6種類の各試料 (T 、 T、 T、 T、 T、

IRef. IRef. 2 3 4 5

T )として形成されたこれらの前面板 22を、それぞれ、 MgOの保護膜 7の成膜に用

6

いた成膜装置 30と同様な成膜装置 30の真空容器 31内の載置台 32に載置し、真空容器 31内で、高周波電源 40によりバイアス電圧を印加して前面板 22を Arプラズマ中にそれぞれ曝すことにより、 MgO膜のドライエッチングをそれぞれ行い、単位時間当たりのエッチング量を算出してエッチングレートをそれぞれ求めた。これらのエッチングレートは、 PDP21の放電において、イオンによって削られる MgO膜の量を擬似的に評価するものであり、 MgO膜の性能特性を示す重要な尺度となる。

[0061] また、比較参照用を含む 6種類の各試料 T 、 T、 T、 T、 T、 Tの前面板 122

IRef. 2 3 4 5 6

, 22を加熱炉（図示せず)でそれぞれ所定の温度で加熱した後、別に試作した背面板 123, 23とそれぞれ組み合わせた上で封着し、前述した製造工程に沿って排気、放電ガス封入、エージングを行!ヽ、 PDPを完成させた。 6種類の各試料 T 、 T、 T

IRef. 2

、 T、 T、 Tの前面板を用いて完成させた各 PDPを PDPパネル特性検査台（図示

3 4 5 6

せず）に載置し、それぞれの放電遅れ時間を測定した。電子放出性能が高い MgO 膜を使用した場合、 PDPの放電遅れ時間が減少することから、放電遅れ時間も Mg O膜の性能特性を示す重要なパラメータである。

[0062] 今回作製した 6種類の MgO膜の各試料にっヽて、空隙率、密度、最小粒径とエツチングレート、及び放電遅れ時間の各特性値を、以下に示す表 2にまとめた。表 2において、試料 T、 Τ、 Τ、 Τ、 Τの放電遅れ時間及びエッチングレートの特性値は、

2 3 4 5 6

従来の一般的な方法である電子ビーム蒸着法により MgO膜を成膜形成した試料 Τ の値を基準 (言、換えれば、試料 T の値を 1. 00)とした相対値で示して！/、る。

Ref. IRef.

[0063] [表 2]

[0064] 表 2に示すデータに基づき、各特性のデータをグラフにプロットし（図 3〜図 8参照）、その相関関係に注目して、試作した各試料の MgO膜の評価を行った。

[0065] 図 3は、前記 6種類の試料の MgO膜の空隙率（％)と放電遅れ時間（相対値)の関係を示すグラフである。図 3は、試料 T、 T、 Tに形成された MgO膜において、従来

4 5 6

の一般的な方法である電子ビーム蒸着法により成膜形成した試料 T の MgO膜に

IRef.

比べて、放電遅れ時間が大幅に減少していることを示している。このことから、空隙率が減少するにしたがって、放電遅れ時間は急激に減少していることがわかる。そして、従来の電子ビーム蒸着法で形成した試料 τ より放電遅れ時間特性の改善が認

IRef.

められるのは、試料 T の空隙率が 13%であることから、空隙率 13%未満である。

IRef.

したがって、空隙率 13%未満の MgO膜を形成することにより、高精細化に対応可能な高い電子放出性能を有する MgO膜の作製が可能になるといえる。

[0066] 図 4は、前記 6種類の試料の MgO膜の最小粒径 (nm)と放電遅れ時間（相対値)の関係を示すグラフである。図 4に示すように、最小粒径の大きさが 30nm以上で放電遅れ時間は急激に減少し、 lOOnmを超えると再度上昇する。このことから、粒度分布の最小粒径力 30nm以上、 lOOnm以下の範囲で放電遅れ時間が減少する、すなわち、 MgO膜の電子放出性能が向上していることがわかる。 [0067] また、図 5は、前記 6種類の試料の MgO膜の膜密度 (gZcm³)と放電遅れ時間（相対値)の関係を示すグラフである。図 5に示すように、 MgO膜の膜密度が増加するにしたがって、放電遅れ時間は急激に減少しており、膜密度が 3. 3gZcm³より大きいときに、この傾向が顕著であった。

[0068] このように、従来の電子ビーム蒸着法で形成した試料 T に比べて、高い電子放

IRef.

出性能を有する MgO膜 (試料 T、 T、 Tの MgO膜)が得られた要因として、空隙率

4 5 6

の減少と、 MgO膜の最小粒径の大きさと、高密度化が影響していると考えられる。以下、 MgO膜の空隙率、最小粒径、膜密度が放電遅れ時間に影響することについて考察を加えて説明する。

[0069] PDPの放電方式は、誘電体を介して放電するヽゎゆる「誘電体バリア放電」である。誘電体バリア放電は、誘電体部分の誘電率などの状況が変化すると、放電状態が変化することはよく知られている（例えば、内田龍男、内池平榭監修「フラットパネルディスプレイ大事典」 512頁、工業調査会、 2001年、参照)。ここに着目すると、 Mg O膜の空隙率、最小粒径、膜密度が放電遅れ時間に影響することについて以下のように説明できる。

[0070] すなわち、 MgO膜の表面の空隙が大きい場合は、表面付近の凹凸の影響で様々な放電経路ができる。これにより、空隙率が大きくなると、放電遅れ時間が大きくなる。これに対し、 MgO膜が高密度化して、表面に空隙が少ない場合は、放電の経路が比較的揃うので、放電のばらつきは小さぐ放電遅れ時間が短縮される。また、最小粒径も 30nm未満といった小さいものがあると、特に、 MgO膜の表面付近の粒径が不均一になり、不要な放電パスが生ずるために、放電遅れ時間が大きくなる。また、 1 OOnmを超えて最小粒径が拡大すると、 MgO膜の表面の隙間が増加し、空隙率が上昇するために、放電遅れ時間が大きくなる。一方、 MgO膜の空隙率が増加し、膜密度が減少すると、 MgO膜の比表面積が増加し、表面への水分や不純物の吸着が増すことになり、このことも放電遅れ時間が増加した要因の 1つになる。

[0071] したがって、上述した説明から、前記保護膜の表面 (例えば、最表面から 50nmの深さまでの部分）において、 MgO膜の空隙率が 0%より大きぐ 13%未満であり、粒度分布における最小粒径 (例えば、最表面から 50nmの深さまでの部分の表面積相当円の直径）が 30nm以上で、 lOOnm以下の範囲にあり、膜材料が MgO膜の場合には膜密度が 3. 3gZcm³より大きいことにより、従来の電子ビーム蒸着法で形成した試料 T の MgO膜に比べて、試料 T、 T、 Tで示すように、放電遅れ時間特性

IRef. 4 5 6

が大きく改善したことが理解できる。なお、膜密度の上限値は、例えば、 C軸配向 Mg O膜の場合には、 3. 58g/cm³とすることが、実用上、好ましい。

[0072] 続いて、表 1に示すエッチングレートについて、放電遅れ時間と同様にデータをダラフにプロットし、その相関関係に注目して試作した各試料の MgO膜を評価する。図 6 は、前記 6種類の試料の MgO膜の空隙率（％)とエッチングレート (相対値)の関係を示すグラフである。図 6は、試料 T、 T、 Tに形成された MgO膜において、従来の

4 5 6

一般的な方法である電子ビーム蒸着法により成膜形成した試料 T の MgO膜に

IRef.

比べて、エッチングレートが大幅に減少していることを示している。このことから、空隙率が減少するにしたがって、エッチングレートは急激に減少していることがわかる。すなわち、具体的には、空隙率 10%に変曲点があることがわかる。よって、従来の電子ビーム蒸着法で形成した試料 τ より、エッチングレート特性の改善が認められる

IRef.

のは、空隙率 10%未満である。したがって、空隙率 10%未満の MgOを形成することにより、耐スパッタリング性に優れた密度の高い MgO膜 (誘電体保護膜)の作製が可能になるといえる。

[0073] また、図 7は、前記 6種類の試料の MgO膜の最小粒径 (nm)とエッチングレート（相対値)の関係を示すグラフである。図 7に示すように、最小粒径の大きさが 30nm以上でエッチングレートは急激に減少し、 lOOnmを超えると再度上昇する。このことから、粒度分布の最小粒径が、 30nm以上、 lOOnm以下の範囲でエッチングレートが減少する、すなわち、 MgO膜の放電におけるイオン衝撃に対し、スパッタされに《なっていることがわ力る。

[0074] 図 8は、前記 6種類の試料の MgO膜の膜密度 (gZcm³)とエッチングレート (相対値)の関係を示すグラフである。図 8に示すように、 MgO膜の膜密度が増加するにしたがって、エッチングレートは急激に減少しており、膜密度が 3. 3g/cm³より大きいときに、この傾向が顕著であった。

[0075] これらの結果は、耐スパッタリング性に優れた密度の高い MgO膜 (誘電体保護膜）を作製でき、高精細表示が可能で長寿命な PDPの実現が可能になることを示してヽる。このように、従来の電子ビーム蒸着法で形成した試料 T に比べて、高、耐ス

IRef.

ノッタリング性を有する MgO膜が得られた要因として、空隙率の減少と、 MgO膜の最小粒径の大きさ、高密度化が影響していると考えられる。以下、 MgO膜の空隙率、最小粒径、膜密度がエッチングレート (すなわち、耐スパッタリング性）に影響することについて考察を加えて説明する。

[0076] 通常、バルタの MgOは単結晶で最も強固な構造体となり、耐スパッタリング性が最大となるのに対し、薄膜状の MgOについては、成膜後の MgO膜が柱状構造をした細かい結晶が粒状に集合していることは、よく知られている。ここに着目すると、 MgO 膜の空隙率、最小粒径、膜密度がエッチングレート (耐スパッタリング性）に影響することにつ、て以下のように説明できる。

[0077] すなわち、薄膜状に成膜した MgO膜は粒状の結晶が集合した柱状構造を有しており、粒状結晶の粒界間が隙間となり、イオンの衝突により崩れやすぐ削られやすいと考えられる。そこで、粒径を大きくし、空隙を小さくし、高密度にすることで、 MgO 膜の表面が単結晶に近い構造になっているためにエッチングレートが減少し、耐スパッタリング性が向上すると考えられる。そして、最小粒径が大きくなり過ぎる（例えば、 lOOnmを超える）と、このときは、 MgO膜表面の隙間、すなわち空隙部の面積も増加し、削られやすくなると考えられる。また、逆に、最小粒径が小さい（例えば、 30nm 未満)と、粒径分布のばらつきが大きくなり、柱状構造をした粒状結晶が不均一になり、エッチングされやすぐその部分が選択的に削られて壊れやすくなつていると考えられる。いずれにしろ、 MgO膜は柱状構造であることが望ましい。

[0078] したがって、上述した説明から、 MgO膜の空隙率が 0%より大きぐ 10%未満であり、粒度分布における最小粒径が 30nm以上で、 lOOnm以下の範囲にあり、膜材料が MgOの場合には膜密度が 3. 3gZcm³より大きいことで、従来の電子ビーム蒸着法で形成した MgO膜 (試料 T )に比べて、試料 T、 T、 Tのエッチングレート（耐

IRef. 4 5 6

スパッタリング性）がより改善したことを理解できる。

[0079] 以上、説明したように本発明の前記実施形態における PDP21は、その前面板 22 に形成する MgO膜 (保護膜 7)の空隙率、最小粒径、膜密度を適宜設定する (具体的には、空隙率が 0%より大きぐ耐スパッタリング性 (空隙率が 10%未満が好ましい )と放電遅れ時間特性 (空隙率が 13%未満が好ましい)の両方を向上させるためには空隙率が 10%未満であり、粒度分布における最小粒径が 30nm以上でかつ 100 nm以下の範囲にあり、膜材料が MgOの場合には膜密度が 3. 3g/cm³より大きいように設定する)ことにより、放電遅れ時間を短縮して耐スパッタリング性をより改善できるので、放電特性のより優れた長寿命の PDPを実現できることになる。

[0080] なお、上述した本発明の前記実施形態における PDP21の前面板 22に形成する誘電体保護膜 7では、 MgO (酸ィ匕マグネシウム)の場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなぐ誘電体保護膜 7に、例えば、アルカリ土類金属の酸化物、フッ化物、水酸化物、炭酸化物、あるいは、これらの混合化合物等も用いることがでさる。

[0081] また、本発明の前記実施形態における PDP21の前面板 22に形成する誘電体保護膜 7の形成方法は、比較参照用の試料作成の電子ビーム蒸着法と共にスパッタリング法を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなぐ蒸着法、スパッタリング法にカ卩えて、 CVD法やゾルゲル法等を利用することができるし、あるいは、これらの方法を 2つ以上組み合わせて保護膜を形成する方法も適用できる。

[0082] なお、前記様々な実施形態又は変形例のうちの任意の実施形態又は変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。産業上の利用可能性

[0083] 本発明に係るプラズマディスプレイパネル (PDP)及びその製造方法により製造される PDPの前面板に形成される保護膜は、電子放出特性が良好で、なおかつ耐スノッタリング性が優れているので、この保護膜を用いることで、高精細で優れた画質を有し、長寿命の PDPの製造が可能になり、このような PDPを利用した大型 '薄型のフラットパネルディスプレイ装置は、大型テレビジョン受信機や公衆表示用モニタに適用することができる。

[0084] 本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとつては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。

Claims

請求の範囲

[1] 第 1のガラス基板上に第 1の電極と第 1の誘電体層と保護膜とが形成された第 1の基板と、

前記保護膜の表面において、前記保護膜の面積に対する前記結晶間の空隙の占める面積が 0%より大きくかつ 10%未満の範囲であるプラズマディスプレイパネル。

[2] 前記保護膜の前記粒状の結晶の最小粒径が 30nm以上で lOOnm以下の範囲にある請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[3] 前記保護膜が、アルカリ土類金属の酸ィ匕物、フッ化物、水酸化物、及び、炭酸化物のうち、少なくとも 1種類により形成されている請求項 1又は 2に記載のプラズマデイスプレイパネノレ。

[4] 前記保護膜が、アルカリ土類金属の酸ィ匕物、フッ化物、水酸化物、及び、炭酸化物のうちの少なくとも 2種類の材料を混合したィ匕合物により形成されている請求項 1又は 2に記載のプラズマディスプレイパネル。

[5] 前記保護膜が酸ィ匕マグネシウムにより形成され、かつ前記保護膜の膜密度が 3. 3 g/cm³より大きい請求項 1又は 2に記載のプラズマディスプレイパネル。

[6] 第 1のガラス基板上に第 1の電極と第 1の誘電体層と保護膜とが形成された第 1の基板と、第 2のガラス基板上に第 2の電極と第 2の誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された第 2の基板とを放電空間を挟んで対向配置させて構成されるプラズマデイスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、

前記第 1の誘電体層が形成された前記第 1の基板を真空容器内に搬入し、前記真空容器内にスパッタガスと共に H Oガスを供給し、

2

前記真空容器内の Hガス分圧を監視して前記 H Oガスの流量を制御しながら前

2 2

記第 1の基板に前記保護膜を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[7] 前記真空容器内に供給する前記スパッタガスのガス圧を 0. 5Paとすると共に、前記第 1の基板を 250°Cから 350°Cの範囲の所定の温度に加熱し、前記 H Oガスの前記

2

真空容器内の全圧に対する H Oガスの圧力比を 10_⁴以上でかつ 10—¹以下に設定

2

してスパッタリング法により前記保護膜を形成する請求項 6に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。