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WO2006038709A1 - トリフェニレン化合物、その製造方法、およびそれを用いた有機電界発光素子 - Google Patents

トリフェニレン化合物、その製造方法、およびそれを用いた有機電界発光素子 Download PDF

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WO2006038709A1
WO2006038709A1 PCT/JP2005/018727 JP2005018727W WO2006038709A1 WO 2006038709 A1 WO2006038709 A1 WO 2006038709A1 JP 2005018727 W JP2005018727 W JP 2005018727W WO 2006038709 A1 WO2006038709 A1 WO 2006038709A1
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WO
WIPO (PCT)
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general formula
formula
represented
independently
hydrocarbon group
Prior art date
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Ceased
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PCT/JP2005/018727
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English (en)
French (fr)
Inventor
Hideyuki Matsumoto
Soichiro Kyushin
Keisuke Negishi
Youhei Ono
Manabu Uchida
Hidefumi Oomori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gunma University NUC
Original Assignee
Gunma University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority claimed from JP2004292415A external-priority patent/JP3777428B2/ja
Application filed by Gunma University NUC filed Critical Gunma University NUC
Priority to US11/576,593 priority Critical patent/US8026663B2/en
Publication of WO2006038709A1 publication Critical patent/WO2006038709A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
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    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Definitions

  • Triphenylene compound process for producing the same, and organic electroluminescence device using the same
  • the present invention relates to a novel triphenylene compound having a silylethynyl group having a large excited triplet energy, a production method thereof, and an organic electroluminescence device using the same.
  • an organic electroluminescence device using phosphorescence having a multilayer structure (hereinafter, an organic electroluminescence device using phosphorescence is also referred to as a phosphorescence device) is already known (see US Pat. No. 6,097,147).
  • the theoretical limit value of the internal quantum efficiency is 25% because the excited singlet state is used.
  • the phosphorescent device emits the excitation energy of the triplet state to emit light.
  • the theoretical limit of internal quantum efficiency is considered to be 100%. Therefore, the phosphorescent light emitting element is superior to the fluorescent light emitting element because it can improve the light emission efficiency, that is, the ratio of the light emission luminance to the driving current density.
  • the phosphorescent light emitting device can be obtained by doping a small amount of a phosphorescent phosphorescent dopant into the host compound of the light emitting layer.
  • the host compound must have an excited triplet energy greater than the excited triplet energy of the phosphorescent dopant, and the available compounds are limited.
  • carbazole derivatives disclosed in App 1. Phy s. Let t., 75, 4 (1999) are disclosed in JP-A-2004-103463, A pp 1.
  • Phy s. Let t., 83, 3818 ( 2003) is used as a phosphorescent host compound.
  • a phosphorescent light emitting device using an existing phosphorescent host compound has problems such as a high voltage during driving, it is necessary to develop a new host compound.
  • triphenylene compound having a silylethynyl group (terminal H) is subjected to a desilylation reaction of 2,3,6,7,10,11-hexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene.
  • a desilylation reaction of 2,3,6,7,10,11-hexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene is difficult to isolate because it was unstable in the air and immediately caused a polymerization reaction to form a polymer-like product. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made in view of the state of the prior art as described above, and has a novel excited phenylene group compound having a silylethynyl group, which has the largest excited triplet energy, a method for producing the same, and phosphorescence emission thereof. It is an object of the present invention to provide a novel phosphorescent light emitting device that can be driven at a low voltage by being used for a light emitting layer in the device.
  • the present invention has been completed based on the above findings. That is, the present invention is as follows.
  • Ri to R 6 are each independently a hydrogen atom or a substituent represented by the following general formula (II), and at least one of 1 to! ⁇ Is represented by the general formula (II). There is a replacement c.
  • R a , R b and R c are each independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group.
  • Formula (I) a substituent any one or two of to 11 6 is represented by the general formula ([pi), and, in the general formula (II), R a , R b and Rc are phenyl groups (1).
  • each ⁇ 6 independently represent a hydrogen atom, a bromine atom or an iodine atom, at least one bromine atom of the Chi ⁇ kai6, is either an iodine atom.
  • R a , R b and Re are each independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to C carbon atoms: L 0 or an aromatic hydrocarbon group.
  • ⁇ to 6 are each independently a substituent represented by H or the following general formula ⁇ ), and at least one of 1 to! ⁇ Is a substituent represented by the general formula (II) It is.
  • R a , R b and Re are each independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to C carbon atoms: L 0 or an aromatic hydrocarbon group.
  • An organic electroluminescence device using phosphorescence having at least a pair of electrodes and a light emitting layer disposed between the electrodes, wherein the light emitting layer is at least one of the compounds represented by the general formula (I)
  • a phosphorescent organic electroluminescent device comprising a seed and a phosphorescent dopant.
  • ⁇ to 6 are each independently a hydrogen atom or a substituent represented by the following general formula (II): At least one of ⁇ to 6 is a substituent represented by the general formula (II).
  • RR b and Re are each independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group.
  • any one or two of 1 to! ⁇ Are substituents represented by the general formula (II), and in the general formula (II), (7)
  • the organic electroluminescence device using phosphorescence according to (7) further comprising an electron transport layer, a hole blocking layer, a hole transport layer, and a hole injection layer between at least a pair of electrodes.
  • the compound of the present invention has high heat resistance and light resistance and is stable, and has high processability because it is soluble in an organic solvent.
  • the compound of the present invention is useful as an optical material for organic electroluminescent devices because it has the property of emitting fluorescence or phosphorescence.
  • those that emit phosphorescence have high excitation triplet energy, and are suitable as host compounds for the light-emitting layer in phosphorescent light-emitting elements, and can provide novel phosphorescent light-emitting elements. It becomes. Brief Description of Drawings
  • Figure 1 is a 0RTEP diagram (viewed from above) showing the results of an X-ray crystallographic analysis of 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis (trimethylsilylether) and rifuenylene.
  • Figure 2 is a 0RTEP diagram (side view) showing the results of X-ray crystallographic analysis of 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis ( ⁇ -methylsilylethynyl) triphenylene. is there.
  • Figure 3 shows the results of X-ray crystallographic analysis of 2, 3, 6, 7, 10, 11_hexakis ( ⁇ limethylsilyledinyl) ⁇ rifuenylene.
  • 0RTEP diagram (viewed from the a-axis direction) ).
  • Figure 4 is a 0RTEP diagram (viewed from the b-axis direction) showing the results of X-ray crystallographic analysis of 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis (trimethylsilyledinyl) triphenylene. .
  • Figure 5 shows the bond distance of 2, 3, 6, 7, 10, 11 hexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene.
  • Figure 6 shows the bond angles of 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis (trimethylsilylethynyl) ⁇ phenylene.
  • Figure 7 shows the UV-visible absorption spectra of 2,3,6,7,10,11-hexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene and triphenylene.
  • Fig. 8 shows the fluorescence spectra of 2,3,6,7,10,11-hexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene and triphenylene.
  • Fig. 9 shows 2, 3, 6, 7, 10, 11 monohexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene and triphenylene in 3-MP, degassed sealed tube, excitation wavelength 296 thighs, To 77K It is a figure which shows the light emission spectrum in it.
  • Fig. 10 shows the ultraviolet-visible absorption spectrum of each triphenylene compound, where 1 is 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene, 2 Is 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis (triisopropylpropylethylinyl) triphenylene.
  • Figure 11 shows the fluorescence spectrum of each triphenylene compound, where 1 is 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis (trimethylsilyl ether) triphenylene, 2 is 2, 3, 6, 7, 10, 11—Hexakis (triisoprovir silylethynyl) Triphenylene.
  • Figure 12 shows the emission spectrum of each triphenylene compound in 3-MP, degassed sealed tube, excitation wavelength 296 dishes, 77K, 1 is 2, 3, 6, 7, 10, 11-Hexakis (trimethylsilylethynyl) ⁇ phenylene, 2 is 2, 3, 6, 7, 10, 11 1-hexakis (triisopropyl silylethynyl) triphenylene.
  • the compound of the present invention is a compound represented by the general formula (I).
  • R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom or a substituent of the following general formula (II), and at least one of 1 to! ⁇ 6 is a substituent of the general formula (II).
  • 3 to 6 of R i R 6 are substituents represented by the general formula (II), more preferably all 6 of ⁇ 16 are represented by the general formula (II). It is.
  • the substituents represented by the general formula ( ⁇ ) may be different from each other on the scale 1 to! ⁇ 6 , but are preferably the same.
  • R a and R b are each independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group, and more preferably each independently having 1 carbon atom.
  • -10 aliphatic hydrocarbon groups more preferably each independently an aliphatic hydrocarbon group having 1-8 carbon atoms.
  • the aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and may be branched. In the case of an unsaturated aliphatic hydrocarbon group, there may be a plurality of double bonds.
  • the type of the aliphatic hydrocarbon group is not particularly limited as long as it has 1 to 10 carbon atoms, and examples thereof include the following substituents such as a methyl group and an ethyl group, and an isopropyl group or a methyl group is particularly preferable.
  • aromatic hydrocarbon groups include phenyl groups, tolyl groups, substituted phenyl groups, and the like as shown below.
  • R a , R b , and R c may be the same substituent as each other or different from each other.
  • the number of substituents represented by the general formula (II) in the compound represented by the general formula (I) is preferably 1 or 2. .
  • Particularly preferred as the compound of the general formula (I) is 2, 3, 6, 7, 10, 11 monohexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene, 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis (triisoprovir silylethynyl) triphenylene and the like.
  • R a, R b, examples of R c is, R a, R b, R c is not limited thereto.
  • alkyl group may be branched as in the following example.
  • R is H, preferably a linear or branched alkyl group having 18 carbon atoms.
  • -CH CR 2 (R is preferably a linear or branched alkyl group having H and 18 carbon atoms. When the type of R is different, cis and trans are not important.)
  • R is preferably a straight-chain or branched alkyl group having 17 carbon atoms. If the type of R is different, cis and ⁇ lances do not matter.
  • the method for producing the compound of the present invention is not particularly limited as long as the compound is obtained.
  • the compound can be produced by reacting the compound of the general formula (III) with the compound of the general formula (IV).
  • X i X 6 are each independently a hydrogen atom, a bromine atom or a silicon atom, and at least one of d to 6 is either a bromine atom or an iodine atom. It is particularly preferred that all of X i X 6 are bromine atoms.
  • the compound (III) can be obtained, for example, by bromination or iodination of triphenylene as shown in the Examples.
  • R a , R b and R c are each independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group.
  • the aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and may be branched. In the case of an unsaturated aliphatic hydrocarbon group, there may be a plurality of double bonds.
  • the aliphatic hydrocarbon group is not particularly limited as long as it has 1 to C carbon atoms, and includes the above-described substituents such as an ethyl group, an isopropyl group, or a methyl group. I like it.
  • Aromatic hydrocarbon groups include those mentioned above, such as phenyl groups, tolyl groups, and substituted phenyl groups.
  • R a and RR c may be the same substituent as each other or different from each other.
  • the compound (IV) can be obtained, for example, by the Grignard reaction as shown in the examples.
  • the reaction between compound (III) and compound (IV) follows the usual halogen substitution reaction. It can be carried out.
  • the reaction is preferably performed using a catalyst.
  • the type of the catalyst is not particularly limited as long as it can promote the reaction, and (PP) 2 PdCl 2 ZCuI, (PPh 3 ) 4 Pd / CuL (PPh 3 ) 2 PdCl 2 ZCuAc 2 and the like can be mentioned.
  • the solvent used in the reaction is not particularly limited as long as compound (III) and compound (IV) can be dissolved and reacted, and examples thereof include diisopropylamine, triethylamine, jetylamine, and pyridine. These may be used in combination with benzene or toluene.
  • the compound obtained by the above reaction can be recovered by a normal isolation operation such as column chromatography.
  • the structure of the compound can be confirmed by X-ray crystal structure analysis or concealment.
  • the compound of the present invention emits fluorescence or phosphorescence, and thus can be applied to optical materials such as organic light-emitting elements.
  • the phosphorescent light emitting device of the present invention is a phosphorescent light emitting device having at least a pair of electrodes and a light emitting layer disposed between the electrodes, wherein the light emitting layer is at least one compound represented by the general formula (I), And a phosphorescent light emitting device containing a phosphorescent dopant.
  • the anode metals, alloys, electrically conductive compounds and mixtures thereof having a work function larger than 4 eV can be used. Specific examples thereof include metals such as Au, Cul, indium oxide (hereinafter abbreviated as ITO), Sn 0 2 , ZnO, and the like.
  • metals, alloys, electrically conductive compounds, and mixtures thereof with work functions smaller than 4 eV can be used.
  • specific examples thereof are aluminum, calcium, magnesium, lithium, magnesium alloy, aluminum alloy and the like.
  • Specific examples of the alloy include aluminum Z lithium fluoride, aluminum / lithium, magnesium silver, magnesium / indium, and the like.
  • it is desirable that at least one of the electrodes has a light transmittance of 10% or more.
  • the sheet resistance as the electrode is preferably several hundred ⁇ / mouth or less.
  • the film thickness depends on the properties of the electrode material, but is usually 10 nm to lm, preferably 10 to 4 It is set in the range of 0 0 nm.
  • Such an electrode can be produced by forming a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering using the electrode material described above.
  • the light emitting layer of the phosphorescent device of the present invention contains the compound of the general formula (I) as a host compound, and further contains a phosphorescent dopant that emits phosphorescence.
  • the compound of the general formula (I) contained in the light emitting layer may be one type or two or more types.
  • Preferred compounds as phosphorescent components include, but are not limited to, iridium complexes, platinum complexes, osmium complexes, and gold complexes. Specific examples thereof include tris [2- (2-pyridinyl) phenyl-C, N] -iridium (hereinafter referred to as Ir (ppy) 3), bis [(4,6-difluorophenyl) monopyridinate.
  • the amount of droop varies depending on the drunt and can be determined according to the characteristics of the drunt.
  • the standard of the amount of dopant used is 0.001 to 50% by weight of the entire luminescent material, preferably 0.1 to L: 0% by weight.
  • the phosphorescent device of the present invention preferably further includes an electron transport layer, a hole blocking layer, a hole transport layer, and a hole injection layer between the electrodes.
  • the order in which the layers of the phosphorescent light emitting device of the present invention are laminated is not particularly limited, but it is more preferred that the layers are laminated in the order of cathode, electron transport layer, hole blocking layer, hole transport layer, hole injection layer and anode.
  • Specific examples of materials used for the electron transport layer of the phosphorescent light-emitting device of the present invention include quinolinol-based metal complexes, phenanthrene phosphorus derivatives, pyridine derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, quinoxaline derivatives, triazine derivatives, borane derivatives. Examples include, but are not limited to, conductors. Specific examples of quinolinol-based metal complexes include tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (hereinafter abbreviated as Al q3), bis (2-methyl-1-8-hydroxyquinoline) one (4-phenylphenol) aluminum (hereinafter BA1 q Abbreviated).
  • phenantorin phosphorus derivatives are 4,7-diphenyl-1,10-phenantorin, 2,9-dimethyl-1,4,7-diphenyl-1,10-phenantorin (hereinafter abbreviated as BCP). ) Etc.
  • Specific examples of pyridine derivatives are 2,5-bis (6,-(2 ', 2 "-bipyridyl) -1,1,1-dimethyl-1,3,4-diphenylsilole, 9,10-di (2,2,2" 1 bibilidyl) anthracene, 2,5-di (2,2,2 "-pipyridyl) thiophene, etc.
  • the material used for the hole blocking layer of the phosphorescent light emitting device of the present invention include quinolinol metal complexes, phenanthrene phosphorus derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, porane derivatives, anthracene derivatives. It is not limited to these.
  • Specific examples of the quinolinol-based metal complex and the phenanthroline derivative are BA1 Q and BCP described above.
  • Specific examples of oxaziazole derivatives are 2 _
  • the material used for the hole injection layer and the material used for the hole transport layer of the phosphorescent light emitting device of the present invention include force rubazole derivatives, triarylamine derivatives, and phthalocyanine derivatives, but are not limited thereto. It is not something.
  • Specific examples of carpazol derivatives are 4, 4, 1 bis (carpazole 19-yl) -biphenyl.
  • CBP polypinylcarbazole
  • triarylamine derivatives include polymers having aromatic tertiary amines in the main chain or side chain, 1,1 bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N, — Diphenyl N, N, —di (3-methylphenyl) 1,4'-diamino Biphenyl, N, N ′ —Diphenyl N, N ′ —Dinaphthyl 1, 4, 4′—Diaminobiphenyl (hereinafter abbreviated as NPD), 4, 4 ′, 4 ”—Tris ⁇ N— (3 Monomethyl phenyl ) 1-N-phenylamino ⁇ Triphenylamine, Subtilastamine derivatives, etc.
  • phthalocyanine derivatives are metal-free phthalocyanine, copper phthalocyanine, and the like.
  • Each layer constituting the phosphorescent light emitting device of the present invention can be formed by forming a thin film by a method such as a vapor deposition method, a spin coating method, or a casting method from the material that constitutes each layer.
  • the film thickness of each layer formed in this way is not particularly limited, and can be appropriately set according to the properties of the material, but is usually in the range of 2 nm to 500 nm.
  • a method for thinning the light emitting material it is preferable to employ a vapor deposition method from the viewpoint that a homogeneous film can be easily obtained and pinholes are not easily generated.
  • the vapor deposition conditions vary depending on the kind of the light emitting material of the present invention, the target crystal structure and the associated structure of the molecular accumulation film, and the like.
  • Deposition conditions are generally port heating temperature 50 to 400, vacuum degree 10 to 6 : L 0 to 3 Pa, deposition rate 0.0 1 to 50 nm / sec, substrate temperature 1 It is preferable to set appropriately within the range of 5 to 10 300 and a film thickness of 5 nm to 5 / xm.
  • the phosphorescent light emitting device of the present invention is preferably supported by a substrate in any of the structures described above.
  • the substrate only needs to have mechanical strength, thermal stability, and transparency, and glass, transparent plastic film, and the like can be used.
  • a thin film of an anode material is formed on a suitable substrate by vapor deposition to produce an anode, and then a thin film of a hole injection layer and a hole transport layer is formed on the anode.
  • a host compound of (I) and a dopant are co-evaporated to form a thin film to form a light emitting layer, a hole blocking layer and an electron transport layer are formed on the light emitting layer, and a thin film made of a cathode material is further deposited.
  • the desired phosphorescent light-emitting device can be obtained by forming the cathode by the method. can get. In the above phosphorescent light emitting device, the production order is reversed, and the cathode, the electron transport layer, the hole blocking layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode may be produced in this order. Is possible.
  • the phosphorescent light emitting device When a direct current voltage is applied to the phosphorescent light emitting device thus obtained, it is sufficient to apply the anode with tens and the cathode with one polarity. When a voltage of about 2 to 40 V is applied, it is transparent or translucent. Light emission can be observed from the electrode side (anode or cathode and both). The phosphorescent light emitting element also emits light when an alternating voltage is applied.
  • the applied AC waveform may be arbitrary.
  • Triphenylene was synthesized according to the following reaction formula.
  • a 200 iL three-necked flask equipped with a dropping funnel, a Dimroth, and a spinner was framed out and replaced with argon. Mg was placed in the flask and activated at 180 ° C for 2 hours. 85 mL of THF was placed in a flask, and 2-bromoiluorobenzene and 15 mL of THF were placed in a dropping funnel and dropped over 20 minutes (exotherm immediately after dropping). After completion of the dropwise addition, the mixture was refluxed at THF reflux temperature for 6 hours.
  • Tr ipheiy 1 ene (synthetic product) 2. 00 g / 8. 51 x 10— 3 mol Br 2 (Wako) 4.0 iL
  • a 200 IDL three-necked flask equipped with a dropping funnel, Dimroth, and spinner was framed out and replaced with Ar. Triphenylene and Fe powder flask, PM0 2 to yield meta. Br 2 was placed in one dropping port and dropped over 15 minutes. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at room temperature for 10 hours and then stirred at 200 ° C for an hour. After cooling, put Et 20 into the reaction mixture, filter the insoluble matter, and recrystallize with o-DicWorobenzene 800 iL to obtain the target product as white powder, yield 5.18 g, yield 873 ⁇ 4. It was.
  • EtMgBr (Prepared, 1.5 M in THF) 400 mL / 600 nnnol
  • a 2000 mL four-necked flask equipped with a dropping funnel, a Jim mouth, and a spinner was framed out and replaced with Ar.
  • the flask was charged with 200 mL of THF.
  • EtMgBr prepared separately from a dropping funnel was added dropwise over 1 hour and 50 minutes.
  • the mixture was stirred for 30 minutes with publishing, stopped and stopped for 40 minutes.
  • the path was changed to a dry ice-methanol bath, and Me 3 SiBr was dropped from the dropping funnel over 40 minutes. After stirring in a dry ice-methanol bath for 30 minutes, the mixture was returned to room temperature and stirred for a while.
  • dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (II) was synthesized.
  • Ion-exchanged water, concentrated hydrochloric acid, and PdCl 2 were placed in a 200 mL three-necked flask. While stirring, slowly dropped into the EtOH solution of PPh 3 using a cannula (while heating to 60 ° C with an oil bath) ). After completion of dropping, the mixture was stirred at 60 ° C for 3 hours.
  • Insoluble matter was filtered off and washed in the order of boiling water lOO niL hot EtOH 100 mL hot Et 2 0 100 mL (crude yield 2.09 g, crude yield 5330, of which lg was removed to heat CHC1 3 Dissolved in 50 BIL, 150 mL of hexane was added thereto to precipitate (P 3 ) 2 PdCl 2. The obtained (PPh 3 ) 2 PdCl 2 was heated and dried at 100 ° C. using phosphorus pentachloride (yellow) Fine powder crystals, recovered 0.83 g, recovery 833 ⁇ 4) o
  • a 300 mL three-necked flask equipped with a dropping funnel, a Dimroth, and a spinner was framed out and replaced with N 2 .
  • the flask was filled with 2, 3, 6, 7, 10, 1 hexane hexafluoroethylene and (PP) 2 PdCl 2 , Cul, -Pr 2 NH.
  • Me 3 SiC ⁇ CH was added dropwise from the dropping funnel over 30 minutes (the solution was immediately yellowish brown). Thereafter, the mixture was stirred for 3 hours under reflux.
  • solubility is considered to be improved compared to the parent triphenylene.
  • Common organic solvents hexane, benzene, toluene, acetone , Et 2 0, THF, CH 2 C1 2, CHCI3 to soluble, less soluble EtOH, in MeOH.
  • Triphenylene and triphenylene ultraviolet-visible absorption spectra measured in hexane at room temperature are shown in Fig. 7.
  • Table 1 summarizes the values of the absorption maximum and molar extinction coefficient ( ⁇ ) of each absorption band. As for any peak, it can be seen that 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis (trimethylsilyledinyl) triphenylene has a wavelength shift of about 40-50 dishes. In addition, the molar extinction coefficient is increasing.
  • Luminescence Fluorescence, Phosphorescence
  • 3-MP 3-fflethylpentane
  • Figure 8 shows the measurement results at an excitation wavelength of 296 nm.
  • the fluorescence maxima are 415, 428, and 439 thighs. They shift about 60 nm longer than the corresponding fluorescence maxima of triphenylene, and the intensity is stronger.
  • triisopropylpropylsilylacetylene was synthesized by the following reaction.
  • Triphenylene was measured by UV-Vis absorption spectrum in hexane at room temperature. The results are shown in FIG. 10 together with data on triphenylene and 2, 3, 6, 7, 10, 11 monohexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene.
  • Triphenylene also has a wavelength shift of about 60 nm longer than the corresponding fluorescence maximum of triphenylene, and the intensity I found out that it is getting stronger.
  • Triphenylene difluorescence Fluorescence 'phosphorescence Spectrum in 3-MP, degassed sealed tube, excitation wavelength 296 M, Measured at 77K. The results are shown in Fig. 12 together with data for triphenylene and 2, 3, 6, 7, 10, 11-hexakis (trimethylsilylethynyl) triphenylene.
  • a transparent support substrate was prepared by depositing ITO on a glass substrate to a thickness of 150 nm.
  • This transparent support substrate is fixed to the substrate holder of the vapor deposition system, and a molybdenum vapor deposition port containing copper phthalocyanine (hereinafter referred to as “CuP c”), a molybdenum vapor deposition port containing NPD, I r (ppy) Molybdenum deposition port containing 3; Molybdenum deposition port containing Compound 1; Molybdenum deposition port containing B CP; Molybdenum deposition port containing Al q 3; A molybdenum vapor deposition port containing lithium oxide and a tundane vapor deposition port containing aluminum were attached.
  • CuP c molybdenum vapor deposition port containing copper phthalocyanine
  • the vacuum chamber was evacuated to 1X10- 3 Pa, and deposition to a film thickness of 25 nm to form a hole injection layer by heating vapor deposition port containing the CuPc, then, NPD is input ivy deposition port
  • the hole transport layer was formed by heating and vapor-depositing to a thickness of 35 nm.
  • a boat containing Ir (ppy) 3 and a boat containing Compound 1 were heated at the same time and evaporated to a film thickness of 35 nm to form a light emitting layer.
  • the hole containing the BCP was heated and evaporated to a thickness of 10 nm to obtain a hole blocking layer.
  • the deposition rate was adjusted so that the weight ratio of I r (ppy) 3 to Compound 1 was approximately 5 to 95. Thereafter, the vapor deposition port containing A 1 d 3 was heated to a film thickness of 40 nm to form an electron transport layer.
  • the deposition rate of each layer was 0.001 to 3. OnmZ seconds. After that, the deposition port containing lithium fluoride is heated to deposit at a deposition rate of 0.003 to 0.01 nm / second so as to have a film thickness of 0.5 nm, and then a deposition boat containing aluminum is installed. A phosphorescent light emitting device was obtained by heating and depositing at a deposition rate of 0.1 to 1 nm / second to a film thickness of 100 nm.
  • Example 1 a phosphorescent light emitting device was obtained in exactly the same manner except that CBP was used instead of Compound 1 used in the light emitting layer.
  • the anode of I TO electrodes and a lithium fluoride / aluminum electrode as the cathode about 1. 5 mA / cm 2 of current flows upon application of a dc voltage of 7V, the wavelength 510 nm and peak one click I r (ppy) Green light emission having a spectrum derived from 3 was obtained.

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Abstract

本発明によれば、下記一般式(I)で表される新規な化合物、その製造方法、それを用いた有機電界発光素子が提供される。(I)式中、R1～R6はそれぞれ独立に水素原子または下記一般式(II)で表される置換基であって、R1～R6のうちの少なくとも1個は一般式(II)で表される置換基である。(II)式中、Ra、Rb、Rcはそれぞれ独立に炭素数1～10の脂肪族炭化水素基、または芳香族炭化水素基である。

Description

明 細 書
トリフエ二レン化合物、 その製造方法、 およびそれを用いた有機電界発光素子 技術分野
本発明は、 励起三重項エネルギーの大きい、 シリルェチニル基を有する新規な トリフエ二レン化合物、 その製造方法、 およびそれを用いた有機電界発光素子に 関する。 背景技術
多層積層構造からなる燐光を利用した有機電界発光素子（以下、 燐光を利用し た有機電界発光素子を燐光発光素子とも称する） は既に知られている （米国特許 第 6097147号明細書参照)。 蛍光のみを利用して発光させる場合、 励起一 重項状態を利用するため、 内部量子効率の理論上の限界値は 25%であるが、 燐 光発光素子は三重項状態の励起エネルギーが発光に寄与するため、 内部量子効率 の理論的限界値は 100 %と考えられている。従つて、燐光発光素子は発光効率、 即ち、 駆動電流密度に対する発光輝度の比率を向上させることができるため、 蛍 光発光素子に比べて優れている。
燐光発光素子は発光層のホスト化合物に燐光発光性の燐光ドーパントを少量 ドーピングすることで得られる。ホスト化合物は燐光ドーパントの励起三重項ェ ネルギ一より大きい励起三重項エネルギーを有する必要があり、利用可能な化合 物が限られている。例えば App 1. Phy s. Le t t., 75, 4 (1999) に開示されているカルバゾール誘導体ゃ特開 2004- 103463号公報、 A pp 1. Phy s. Le t t., 83, 3818 (2003) に開示されている匕 合物が燐光ホスト化合物に用いられている。 しかしながら、 既存の燐光ホスト化 合物を用いた燐光発光素子は駆動時の電圧が高い等の問題を有するため、新規な ホスト化合物の開発が必要とされている。
ケィ素を含む置換基を有するトリフエニレン化合物としていくつかの化合物 が知られている （特開 2003-252818号公報、 特開平 11— 25578 1号公報、 特開 2003-252880号公報参照)。 特開 2003— 2528 18号公報および特開平 11— 255781号公報では、 ゲイ素を含む側鎖が酸 素原子を介してトリフエ二レン骨格に結合した化合物が開示されている。 また、 特開 2003— 252880号公報参照ではケィ素を含む側鎖が直接ケィ素を 介してトリフエ二レン骨格に結合した化合物が開示されている。 しかしながら、 シリルェチニル基を有するトリフエ二レン化合物については知られていなかつ た。 そしてシリルェチニル基を有するトリフエ二レン化合物 （末端 Hのもの） に 関して、 2, 3,6,7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルェチニル） トリフエ二 レンの脱シリル化反応を行い単離を試みたが、そのものが空気中で不安定であり、 すぐに重合反応を起こしポリマ一状の生成物となつてしまうため、単離すること は困難であった。 発明の開示
本発明は、 このような従来技術の実状に鑑みてなされたもので、 励起三重項ェ ネルギ一の大きい、 シリルェチニル基を有する新規な卜リフエ二レン化合物、 そ の製造方法、 およびそれを燐光発光素子における発光層に用いることで、 低電圧 駆動が可能な新規燐光発光素子を提供することを目的とする。
本発明者らは鋭意検討した結果、 2， 3, 6, 7, 10, 11—へキサブ口モトリフエニレ ンとトリアルキルシリルアセチレンを反応させることによって 2， 3, 6, 7, 10, 11- へキサキス （トリメチルシリルェチニル） トリフエ二レンなどを製造することに 成功した。 また、 この化合物を包含する下記一般式 （I) で表される新規トリフ ェニレン化合物 （以下、 本発明の化合物とも称する） が同様の手法によって得ら れることを見出した。 さらに、 本発明の化合物を燐光発光素子における発光層に ホスト化合物として用い、 これに燐光ドーパントをドーピングすることで、 発光 素子から低電圧で燐光を取り出し得ることを見出した。以上の知見に基づいて本 発明を完成した。 すなわち、 本発明は以下のとおりである。
(1) 下記一般式 （I) で表される化合物。
Figure imgf000004_0001
式中、 Ri〜R6はそれぞれ独立に水素原子または下記一般式（II)で表される置 換基であって、 1〜!^のうちの少なくとも 1個は一般式 (II)で表される置換 cある。
C=C—— SiRaRbRc (Π)
式中、 Ra、 Rb、 Rcはそれぞれ独立に炭素数 1〜10の脂肪族炭化水素基、 ま たは芳香族炭化水素基である。
(2)前記一般式 (I) において、 1〜!^6の全てが一般式 (II)で表される置 換基であり、 かつ、 前記一般式 （II) において、 Ra、 Rb、 Rcはそれぞれ独立 に炭素数 1〜： L 0の脂肪族炭化水素基である （1) の化合物。
(3) 前記一般式 （II) において、 置換基 Ra、 Rb、 Rcの全てがアルキル基で ある （1) の化合物。
(4) 前記アルキル基がイソプロピル基またはメチル基である （3) の化合物。
(5) 前記一般式 （I) において、 〜116のうちの任意の 1または 2個が一般 式（Π)で表される置換基であり、かつ、前記一般式 (II)において、 Ra、 Rb、 Rcがフエニル基である （1) の化合物。
(6) 下記一般式 （III) で表される化合物に下記一般式 （IV) で表される化合 物を反応させることを特徵とする一般式 (I) で表される化合物の製造方法。
Figure imgf000005_0001
式中、 丄〜 6はそれぞれ独立に水素原子、臭素原子またはヨウ素原子であって、 χΐ〜χ6のうちの少なくとも 1個は臭素原子、 ヨウ素原子のいずれかである。
H-C=C—— SiRaRbRc ( ）
式中、 Ra、 Rb、 Reはそれぞれ独立に炭素数 1〜： L 0の脂肪族炭化水素基、 ま たは芳香族炭化水素基である。
Figure imgf000005_0002
式中、 ：^〜 6はそれぞれ独立に Hまたは下記一般式 ι)で表される置換基で あって、 1〜!^のうちの少なくとも 1個は一般式（II)で表される置換基であ る。
=C—— SiRaRbRc (ii)
式中、 Ra、 Rb、 Reはそれぞれ独立に炭素数 1〜： L 0の脂肪族炭化水素基、 ま たは芳香族炭化水素基である。
(7)少なくとも一対の電極おょぴ該電極間に配置された発光層を有する燐光を 利用した有機電界発光素子であって、 該発光層が一般式 (I) で表される化合物 の少なくとも 1種、 および燐光ドーパントを含有する、 燐光を利用した有機電界 発光素子。
Figure imgf000006_0001
中、 6はそれぞれ独立に水素原子または下記一般式 (II) で表される置 換基であって、 ！^〜 6のうちの少なくとも 1個は一般式（II) で表される置換 基である。
C=C—— SiRaRbRc (II)
式中、 R Rb、 Reはそれぞれ独立に炭素数 1〜10の脂肪族炭化水素基、 ま たは芳香族炭化水素基である。
(8) 前記一般式（I) において、 ！^〜 6の全てが一般式（II) で表される置 換基であり、 かつ、 前記一般式 (II) において、 Ra、 Rb、 Rcはそれぞれ独立 に炭素数 1〜10の脂肪族炭化水素基である、 （7) の燐光を利用した有機電界 発光素子。
(9) 前記一般式 （II) において、 置換基 Ra、 Rb、 Rcの全てがアルキル基で ある、 （7) の燐光を利用した有機電界発光素子。
(10) 前記アルキル基がイソプロピル基またはメチル基である、 （7) の燐光 を利用した有機電界発光素子。
(11) 前記一般式 (I) において、 1〜!^のうちの任意の 1または 2個が一 般式 （II) で表される置換基であり、 かつ、 前記一般式 （II) において、 Ra、 Rb、 ITがフエニル基である、 （7) の燐光を利用した有機電界発光素子。
(12) 前記燐光ドーパントがイリジウム錯体、 白金錯体、 オスミウム錯体及び 金錯体から選ばれる少なくとも 1種である、 （7) の燐光を利用した有機電界発 光素子。
(13) 少なくとも一対の電極間に、 さらに、 電子輸送層、 正孔阻止層、 正孔輸 送層及ぴ正孔注入層を有する、 （7) の燐光を利用した有機電界発光素子。 本発明の化合物は、 耐熱性、 耐光性が高く安定であり、 また、 有機溶媒に可溶 であるため加工性が高い。 また、 本発明の化合物は、 蛍光や燐光を発する性質を 有するため有機電界発光素子などの光学材料として有用である。
さらに、 本発明の化合物の化合物のうち燐光を発光するものは、 励起三重項の エネルギーが大きく、燐光発光素子における発光層のホスト化合物として適して おり、 新規な燐光発光素子を提供することが可能となる。 図面の簡単な説明
図 1は、 2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルェチェル） 卜リフエ 二レンの X線結晶構造解析の結果を示す 0RTEP図 （上から見た図） である。 図 2は、 2, 3， 6， 7, 10, 11—へキサキス （卜リメチルシリルェチニル） トリフエ 二レンの X線結晶構造解析の結果を示す 0RTEP図 （横から見た図） である。 図 3は、 2, 3, 6， 7, 10, 11_へキサキス （卜リメチルシリルエヂニル） 卜リフエ 二レンの X線結晶構造解析の結果を示す 0RTEP図 （a軸方向から見た図） であ る。
図 4は、 2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルエヂニル） トリフエ 二レンの X線結晶構造解析の結果を示す 0RTEP図 （b軸方向から見た図） であ る。
図 5は、 2, 3, 6， 7， 10， 11一へキサキス （卜リメチルシリルェチニル） トリフエ 二レンの結合距離を示す図である。
図 6は、 2， 3， 6, 7， 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルェチニル） 卜リフエ 二レンの結合角を示す図である。
図 7は、 2, 3， 6， 7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルェチニル） トリフエ 二レンのおよびトリフエ二レンの紫外一可視吸収スペクトルを示す図である。 図 8は、 2，3，6, 7, 10, 11—へキサキス （卜リメチルシリルェチニル） トリフエ 二レンおよび卜リフエ二レンの蛍光スぺク卜ルを示す図である。
図 9は、 2, 3, 6, 7, 10， 11一へキサキス (卜リメチルシリルェチニル) トリフエ 二レンおよびトリフエ二レンの 3-MP 中、 脱気封管、 励起波長 296腿、 77Kに おける発光スぺクトルを示す図である。
図 1 0は、各トリフエ二レン化合物の紫外—可視吸収スペクトルを示す図であ り、 1は 2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルェチニル） トリフエ二 レン、 2は 2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス （トリイソプロビルシリルェチニル） ト リフエ二レンを示す。
図 1 1は、 各トリフエ二レン化合物の蛍光スペクトルを示す図であり、 1は 2, 3, 6, 7, 10, 11 -へキサキス （トリメチルシリルェチェル） トリフエ二レン、 2 は 2， 3, 6， 7， 10, 11—へキサキス （トリイソプロビルシリルェチニル） トリフエ二 レンを示す。
図 1 2は、 各トリフエ二レン化合物の 3-MP 中、 脱気封管、 励起波長 296皿、 77Kにおける発光スぺクトルを示す図であり、 1は 2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス (トリメチルシリルェチニル) 卜リフエ二レン、 2は 2, 3, 6, 7, 10, 11一へキサキ ス （トリイソプロビルシリルェチニル） トリフエ二レンを示す。 発明を実施するための最良の形態
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明の化合物は、 一般式 （I ) で表される化合物である。
Figure imgf000008_0001
R 1〜 R 6はそれぞれ独立に水素原子または下記一般式（I I)の置換基であつて、 1〜!^ 6のうちの少なくとも 1個は一般式（II) の置換基である。好ましくは R i R6のうちの 3〜6個が一般式 (II)で表される置換基であり， より好ましく は 〜1 6の 6個全てが一般式 （II) で表される置換基である。 一般式（Π)で表される置換基は、 尺1〜!^6において互いに異なるものであつ てもよいが、 同じものであることが好ましい。
C=C—— SiRaRbRc (II)
一般式 （II) において、 Ra、 Rb、 はそれぞれ独立に炭素数 1〜10の脂 肪族炭化水素基、 または芳香族炭化水素基であり、 より好ましくは、 それぞれ独 立に炭素数 1〜10の脂肪族炭化水素基であり、 さらに好ましくは、 それぞれ独 立に炭素数 1〜 8の脂肪族炭化水素基である。脂肪族炭化水素基は飽和でも不飽 和でもよく、 枝分かれしていてもよい。 また、 不飽和脂肪族炭化水素基の場合、 2重結合は複数あってもよい。脂肪族炭化水素基の種類は炭素数 1~10である 限り特に制限されず、 メチル基、 ェチル基など下記に示すような置換基が挙げら れるが、 イソプロピル基またはメチル基が特に好ましい。 芳香族炭化水素基とし てはフエニル基、 トリル基、 置換されたフエニル基など下記に示すようなものが 挙げられる。 なお、 Ra、 Rb、 Rcは互いに同じ置換基であってもよいし、 異な るものであってもよい。 Ra、 Rb、 Rcが全てフエニル基の場合、 一般式（I)で 表される化合物における、 一般式 (II) で表される置換基の数は 1又は 2個であ ることが好ましい。
一般式（I)の化合物として、特に好ましくは、 2, 3, 6, 7, 10， 11一へキサキス（ト リメチルシリルェチニル） トリフエ二レン、 2，3，6, 7, 10,11—へキサキス （トリ ィソプロビルシリルェチニル） トリフエ二レンなどが挙げられる。
以下に、 Ra、 Rb、 Rcの例を挙げるが、 Ra、 Rb、 Rcはこれらに限定され ない。
(アルキル基の例）
-CH3
― C H2 C Γ .3
―し H2し n2し riii
― CH2し n2し し Ho
―し ri2CH2し "HoC isし
―し tl2Ch_2 HoCHoし Γ12 [し ig -CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH3
n2 n2^ri2 n2 n2 h2 n2 H3
H2し Η·>し Ιτ·2 ig HoCh2 ig H2CH3
-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH3
(上記アルキル基は下記の例のように枝分かれしていてもよい。)
CH し OH3 CH3
― GHGH¾ ― Hし H2 H3 ― ΟΗρ Η Ηβ H H? Ho
Figure imgf000010_0001
CH, CH, CH2CH3 CH3
― CH2CHCH2CH3 ― CH2CH2CHCH3 ― CHCH Hg HoC H3
CH3
CH3 CH3 CH3
•CHCH ίΗ CH2CH3 ― CH2CHCH2CH2CH3 一 H2CH2CHCH2CH3
CHg CH3 CH3 CH3 CH3
■CH2CH2CH2CHCH3 ― CHCH2CHCH3 ― CH2CCH2CH
CHg CH3
■"Cn H
Figure imgf000010_0002
(不飽和炭化水素基の例）
一 C≡C一 R (Rは H、 炭素数 1 8の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が 好ましい。）
-CH=CR2 (Rは H、 炭素数 1 8の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基 が好ましい。 Rの種類が異なる場合、 シス、 トランスは問わない。）
-CH2-CH=CR2 (Rは H、炭素数 1 7の直鎖状もしくは分岐鎖状のアル キル基が好ましい。 Rの種類が異なる場合、 シス、 卜ランスは問わない。）
(フエニル基）
Figure imgf000010_0003
本発明の化合物の製造方法は、 該化合物が得られる限り特に制限されないが、 例えば、 一般式 （III) の化合物と一般式 （IV) の化合物を反応させることによ り製造することができる。
Figure imgf000011_0001
H-C^=C—— SiRaRbRc (IV)
一般式 (III) において、 X i X6はそれぞれ独立に水素原子、 臭素原子また はョゥ素原子であって、 ェ〜 6のうち少なくとも 1個が臭素原子かヨウ素原子 のいずれかである。 X i X6の全てが臭素原子であることが特に好ましい。なお、
(III) の化合物は、 例えば、 実施例に示すようにトリフエ二レンを臭素化また はヨウ素化することによって得ることができる。
一般式 (IV) において、 R a、 Rb、 R cはそれぞれ独立に炭素数 1〜1 0の脂 肪族炭化水素基、 または芳香族炭化水素基である。 脂肪族炭化水素基は飽和でも 不飽和でもよく、 枝分かれしていてもよい。 また、 不飽和脂肪族炭化水素基の場 合、 2重結合は複数あってもよい。脂肪族炭化水素基としては炭素数 1〜： L 0で ある限り特に制限されず、 ェチル基、 イソプロピル基またはメチル基などの上述 したような置換基が挙げられるが、ィソプロピル基またはメチル基が特に好まし い。 芳香族炭化水素基としてはフエニル基、 トリル基、 置換されたフエニル基な ど上述したようなものが挙げられる。 なお、 R a、 R R cは互いに同じ置換基 であってもよいし、 異なるものであってもよい。 （IV) の化合物は、 例えば、 実 施例に示すような Grignard反応によって得ることができる。
化合物 （III) と化合物 （IV) の反応は通常のハロゲン置換反応にしたがって 行うことができる。 該反応は触媒を用いて行うことが好ましい。触媒の種類は該 反応を促進できるものであれば特に制限されないが、 （PP ) 2PdCl2ZCuI、 (PPh3) 4Pd/CuL (PPh3) 2PdCl2ZCuAc2などが挙げられる。 反応に用いる溶媒は、 化合物 （III) と化合物 （IV) がそれぞれ溶解して反応できるものであれば特に 制限されないが、 例えば、 ジイソプロピルァミン、 トリェチルァミン、 ジェチル ァミン、 ピリジンなどを挙げることができ、 これらとベンゼンやトルエンを混合 して用いてもよい。
上記反応によって得られた化合物は、カラムクロマトグラフィーなどの通常の 単離操作によって回収することができる。 化合物の構造は X線結晶構造解析や 匿などによつて確認することができる。
実施例に示すように本発明の化合物は、 蛍光や燐光を発するので、 有機発光素 子などの光学材料に応用することができる。
次に、 本発明の化合物を利用した燐光発光素子について説明する。
本発明の燐光発光素子は、少なくとも一対の電極および該電極間に配置された 発光層を有する燐光発光素子であって、 該発光層が一般式（I)で表される化合物 の少なくとも 1種、 および燐光ドーパントを含有する、 燐光発光素子である。 陽極としては、 4 e Vより大きな仕事関数を有する金属、 合金、 電気伝導性化 合物およびこれらの混合物を用いることができる。その具体例は、 Au等の金属、 C u l、 インジウムースズ酸化物 （以下、 I TOと略記する）、 S n 02、 Z n O等である。
陰極としては、 4 e Vより小さな仕事関数の金属、 合金、 電気伝導性化合物、 およびこれらの混合物を使用できる。その具体例は、アルミニウム、カルシウム、 マグネシウム、 リチウム、 マグネシウム合金、 アルミニウム合金等である。 合金 の具体例は、 アルミニウム Z弗化リチウム、 アルミニウム/リチウム、 マグネシ ゥムノ銀、 マグネシウム/インジウム等である。 燐光発光素子の発光を効率よく 取り出すために、電極の少なくとも一方は光透過率を 1 0 %以上にすることが望 ましい。電極としてのシート抵抗は数百 Ω /口以下にすることが好ましい。なお、 膜厚は電極材料の性質にもよるが、 通常 1 0 nm〜l m、 好ましくは 1 0〜4 0 0 nmの範囲に設定される。 このような電極は、 上述の電極物質を使用して、 蒸着やスパッ夕リング等の方法で薄膜を形成させることにより作製することが できる。
本発明の燐光発光素子の発光層は一般式 (I) の化合物をホスト化合物として 含み、さらに燐光を放射する燐光ド一パントを含む。発光層に含まれる一般式（I) の化合物は、 1種類であってもよいし、 2種類以上であってもよい。 燐光ド一パ ントとして好ましい化合物としては、 イリジウム錯体、 白金錯体、 オスミウム錯 体及び金錯体が挙げられるが、 これらに限定されるものではない。それらの具体 例として、 トリス [ 2 - ( 2—ピリジニル) フエニル— C, N]—イリジウム（以 下記号 I r (p p y) 3で表記する）、 ビス [(4， 6—ジフルオロフェニル） 一 ピリジネート一 N, C 2'] ピナコレートイリジウム、 ビス （4，， 6， ージフル オロフェニルピリジネート） テトラキス ( 1—ピラゾリル) ボレート、 ビス ( 2 —フエ二ルペンゾチアゾ一ル）イリジウムァセチルァセトナート及ぴ 2 , 3， 7 , 8 , 1 2， 1 3 , 1 7， 1 8—ォク夕ェチニルー 2 1 H, 2 3 H—ポルフィリン 白金 （Π) 等、 化学工業 2 0 0 4年 6月号 1 3ページおよび、 それにあげられた 参考文献などに記載された化合物などが挙げられる。 なお、 発光層に含まれる燐 光ド一パントは、 2種類以上の化合物であってもよい。
ド一パントの使用量はド一パントによって異なり、そのド一パントの特性に合 わせて決めれば良い。 ドーパントの使用量の目安は発光材料全体の 0. 0 0 1 ~ 5 0重量％であり、 好ましくは 0. 1〜： L 0重量％である。
本発明の燐光発光素子は、 電極間に、 さらに電子輸送層、 正孔阻止層、 正孔輸 送層、 正孔注入層を含むものであることが好ましい。
本発明の燐光発光素子の各層の積層順は特に制限されないが、 陰極、 電子輸送 層、 正孔阻止層、 正孔輸送層、 正孔注入層及ぴ陽極の順に積層されることがより 好ましい。
本発明の燐光発光素子の電子輸送層に用いる材料の具体例として、 キノリノ一 ル系金属錯体、 フエナント口リン誘導体、 ピリジン誘導体、 ォキサジァゾール誘 導体、 トリァゾール誘導体、 キノキサリン誘導体、 トリアジン誘導体、 ボラン誘 導体が挙げられるが、 これらに限定されるものではない。 キノリノール系金属錯 体の具体例は、 トリス （8—ヒドロキシキノリン） アルミニウム （以下 Al q3 と略記する）、 ビス （2—メチル一8—ヒドロキシキノリン） 一 （4—フエニル フエノール） アルミニウム （以下 BA1 qと略記する） 等である。 フエナント口 リン誘導体の具体例は、 4， 7—ジフエ二ルー 1, 10—フエナント口リン、 2， 9ージメチル一 4, 7—ジフエニル— 1， 10—フエナント口リン （以下、 BC Pと略記する）等である。ピリジン誘導体の具体例は、 2， 5-ビス（6，—（2 ', 2"ービピリジル) 一 1, 1ージメチル一 3， 4ージフエニルシロール、 9， 1 0—ジ (2，， 2" 一ビビリジル） アントラセン、 2， 5—ジ (2，, 2" —ピピ リジル） チォフェン等である。
本発明の燐光発光素子の正孔阻止層に用いる材料の具体例として、 キノリノー ル系金属錯体、 フエナント口リン誘導体、 ォキサジァゾ一ル誘導体、 トリァゾ一 ル誘導体、 ポラン誘導体、 アントラセン誘導体が挙げられるが、 これらに限定さ れるものではない。キノリノール系金属錯体及びフエナントロリン誘導体の具体 例は先述 BA1 Q及び B CP等である。ォキサジァゾール誘導体の具体例は 2 _
(4， 一 t e r t—ブチルフエニル） -5- (4"—ビフエ二ルー 1, 3， 4— ォキサジァゾール等である。 トリァゾ一ル誘導体の具体例は 1—フエニル一 2― ビフエ二ルー 5—パラー t e r t—ブチルフエ二ルー 1, 3， 4一トリァゾ一ル 等である。 アントラセン誘導体の具体例は 9， 10—ビスナフチルアントラセン 等である。
本発明の燐光発光素子の正孔注入層に用いる材料および正孔輸送層に用いる 材料の具体例として、 力ルバゾール誘導体、 トリアリールァミン誘導体、 フタ口 シァニン誘導体が挙げられるが、 これらに限定されるものではない。 カルパゾー ル誘導体の具体例は、 4, 4， 一ビス （カルパゾール一9一ィル） ービフエニル
(以下記号 C BPで表記する）、 ポリピニルカルバゾール等である。 トリアリー ルァミン誘導体の具体例は、芳香族第 3級アミンを主鎖あるいは側鎖に持つポリ マー、 1， 1一ビス（4—ジ一 p—トリルァミノフエ二ル）シクロへキサン、 N, N， —ジフエ二ルー N, N， —ジ （3—メチルフエニル） 一 4， 4'ージァミノ ビフエニル、 N， N' —ジフエ二ルー N， N' —ジナフチル一 4， 4 '—ジアミ ノビフエニル （以下、 N P Dと略記する。）、 4 , 4 '， 4" —トリス {N— ( 3 一メチルフエニル） 一N—フエニルァミノ } トリフエニルァミン、 ス夕一バース トァミン誘導体等である。 フタロシアニン誘導体の具体例は、 無金属フタロシア ニン、 銅フタロシアニン等である。
本発明の燐光発光素子を構成する各層は、 各層を構成すべき材料を蒸着法、 ス ピンコート法またはキャスト法等の方法で薄膜とすることにより、形成すること ができる。 このようにして形成された各層の膜厚については特に限定はなく、 材 料の性質に応じて適宜設定することができるが、通常 2 nm〜5 0 0 0 nmの範 囲である。 なお、 発光材料を薄膜化する方法は、 均質な膜が得やすく、 かつピン ホールが生成しにくい等の点から蒸着法を採用するのが好ましい。蒸着法を用い て薄膜化する場合、 その蒸着条件は、 本発明の発光材料の種類、 分子累積膜の目 的とする結晶構造および会合構造等により異なる。 蒸着条件は一般的に、 ポート 加熱温度 5 0〜4 0 0で、 真空度 1 0— 6〜： L 0— 3 P a、 蒸着速度 0. 0 1〜 5 0 nm/秒、 基板温度— 1 5 0〜十 3 0 0で、 膜厚 5 nm〜 5 /xmの範囲で適 宜設定することが好ましい。
本発明の燐光発光素子は、 前記のいずれの構造であっても、 基板に支持されて いることが好ましい。 基板は機械的強度、 熱安定性および透明性を有するもので あればよく、 ガラス、 透明プラスチックフィルム等を用いることができる。
次に、 一般式 （I) の化合物 （ホスト化合物） を用いて燐光発光素子を作成す る方法の一例として、 前述の陽極/正孔注入層 Z正孔輸送層/一般式 （I) のホ スト化合物 +ドーパント （発光層） /正孔阻止層 電子輸送層/陰極からなる燐 光発光素子の作製法について説明する。
適当な基板上に、 陽極材料の薄膜を蒸着法により形成させて陽極を作製した後、 この陽極上に正孔注入層および正孔輸送層の薄膜を形成させる。 この上に一般式
(I) のホスト化合物とドーパントを共蒸着し薄膜を形成させて発光層とし、 こ の発光層の上に正孔阻止層及び電子輸送層を形成させ、 さらに陰極用物質からな る薄膜を蒸着法により形成させて陰極とすることにより、 目的の燐光発光素子が 得られる。 なお、 上述の燐光発光素子の作製においては、 作製順序を逆にして、 陰極、 電子輸送層、 正孔阻止層、 発光層、 正孔輸送層、 正孔注入層、 陽極の順に 作製することも可能である。
このようにして得られた燐光発光素子に直流電庄を印加する場合には、 陽極を 十、 陰極を一の極性として印加すればよく、 電圧 2〜4 0 V程度を印加すると、 透明又は半透明の電極側 （陽極又は陰極、 および両方） より発光が観測できる。 また、 この燐光発光素子は、 交流電圧を印加した場合にも発光する。 なお、 印加 する交流の波形は任意でよい。
次に、 本発明を実施例に基づいて更に詳しく説明する。
ぐ実施例 1 >
1 . 2, 3， 6, 7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルェチニル） トリフエニレ ン（2， 3, 6, 7, 10, Π-Hexakis (triiethylsilyletynyl) triphenyleiie；一般式（V)) の合成
下記に示すような手順で、 2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルェ チニル） トリフエ二レンを合成した。
Figure imgf000016_0001
. 1 . トリフエ二レン （Triphenylene) の合成
以下の反応式にしたがって、 トリフエ二レンを合成した。
Figure imgf000017_0001
(仕込量)
2-Bromof luorobenzene (東京化成、 99¾ί) 10. 12 g / 5. 73 χ If)-2 mol
Mg (和光、 削り状、 99. 5%) 1. 54 g / 6. 30 x 10一2 mol
THF (ベンゾフエノンケチル処理) 85+15 mL
(操作および結果）
滴下ロートおよびジムロート、 スピナ一を備えた 200 iL三口フラスコをフレ —ムアウト、 アルゴン置換した。 フラスコに Mg を収め、 180 ° Cにて 2時間活 性化した。 フラスコに THF 85 mL, 滴下ロートに 2- Bromoiluorobenzeneおよび THF 15 mLを収め、 20分かけて滴下した （滴下直後から発熱)。 滴下終了後、 THF 還流温度にて 6時間還流した。 飽和 NH4C1 水溶液 (100 mL X 3) にて洗浄後、 Benzene (50 mL x 2) で水相を抽出、 有機相をあわせて無水 MgS04 にて乾燥させ た。 溶媒除去後、 昇華、 再結晶にて精製し、 目的物を無色透明針状結晶として、 収量 789 mg、 収率 18¾で得た。
1 . 2 . 2, 3， 6， 7， 10, 11—へキサブ口モトリフエ二レン （2, 3, 6, 7, 10, 1卜 Hexabromo t r ipheiy 1 ene) の合成
以下の反応式にしたがって、 2， 3, 6， 7, 10, 11 -へキサプロモトリフエ二レンを合 成した。
Figure imgf000017_0002
(仕込量)
Tr ipheiy 1 ene (合成品) 2. 00 g / 8. 51 x 10— 3 mol Br2 (和光） 4. 0 iL
Fe (粉末状） 0. 484 g / 3. 29 x 10— 3 mol
PhN02 (関東、 単蒸留） 80 IDL
(操作および結果）
滴下ロートおよびジムロート、 スピナ一を備えた 200 IDL三口フラスコをフレ ームアウト、 Ar置換した。フラスコに Triphenyleneおよび Fe粉、 PM02 を収 めた。滴下口一トに Br2を収め 15分かけて滴下した。滴下終了後、室温にて 10 時間撹拌した後、 200 ° C にて 時間撹拌した。冷却後、反応混合物中に Et20 を 入れ、 不溶分をろ別し、 o-DicWorobenzene 800 iL にて再結晶を行い、 目的物 を白色粉末として、 収量 5. 18 g、 収率 87¾で得た。
1 . 3 . トリメチルシリルアセチレン （Trine thylsilyl acetylene) の合成 以下の反応式にしたがって卜リメチルシリルアセチレンを合成した。
H 二 MgBr
Me3SiBr ► e3Si = -H
THF 3
(仕込量）
アセチレン （ボンべ、 カンサン）
EtMgBr (調整品、 1. 5 M in THF) 400 mL / 600 nnnol
Me3SiBr (チッソ、 99 ) 85. 54 g / 553 mmol
THF (ベンゾフエノンケチル処理） 200 mL
(操作および結果）
滴下ロートおよびジム口一ト、 スピナ一を備えた 2000 mL 四口フラスコをフ レームアウト、 Ar置換した。 フラスコに THF 200 mL収めた。 氷浴にてァセチ レンガスを 1. 5時間パブリングした後、 滴下ロートからあらかじめ別途調製し ておいた EtMgBr を 1時間 50分かけて滴下した。 滴下終了後、 パブリングを したまま 30分撹拌し、 パブリングをやめて 40分撹拌した。 パスをドライアイ ス-メタノール浴に換え、 滴下ロートから Me3SiBr を 40分かけて滴下した。 ド ライアイス -メタノール浴のまま 30分撹拌後、 室温に戻し一晚撹泮した。 再び 氷浴にし、 飽和塩化アンモニゥム水溶液 200 mL を入れ、 反応を終了させた。 分 液操作にて有機相を集め、無水 MgS04で乾燥させた。常圧蒸留、次いで精流塔を 用いて分取をし、 目的化合物を無色透明液体として、 トリメチルシリルァセチレ ンを得た。
1 . 4. ジクロロビス （トリフエニルホスフィン） パラジウム （II)
(Dichlorobis ( t r ip eny lphosp ine) pa 11 ad ium (I I) ) の調製
以下の反応式に従って、 ジクロロビス （トリフエニルホスフィン） パラジウム (II) を合成した。
cone. HC1 aq, PP
PdCI2 ► (PPhゥ)。 PdCIゥ
EtOH, H20, 60 °C
(仕込量）
PdCl2 (和光、 98%) 1. 00 g / 5. 54 10— 3 mol
PP (関東、 99%) 3. 00 g / 1. 14 x 10"2 mol
cone. HC1 . (関東、 35-37¾) 0. 17 mL
EtOH (単蒸留） 50 mL
H20 (イオン交換水） 100 mL
(操作および結果）
200 mLの三口フラスコにイオン交換水および濃塩酸、 PdCl2 を収め、撹拌しつ つ、 キヤヌラーを用いて PPh3の EtOH溶液にゆっくりと滴下した （その間オイ ルバスで 60 ° C に加温しながら）。滴下終了後 60 ° C のまま 3 時間撹拌した。 不溶物 （目的物） を濾別し、 沸騰水 lOO niL 熱 EtOH 100 mL 熱 Et20 100 mLの 順で洗浄した（粗収量 2. 09 g、粗収率 5330。そのうち l gをとり熱 CHC13 50 BIL に溶かし、 そこに hexane 150 mL を入れ （P 3) 2PdCl2 を析出させた。 得られた (PPh3) 2PdCl2は五塩化リンを用いて 100 ° Cで加熱乾燥した（黄色微粉末結晶、 回収 0. 83 g、 回収率 83¾)o
1 . 5. 2JJ, 7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルェチニル） トリフエ 二レンの合成
以下の反応式にしたがって 2, 3, 6， 7, 10, 11一へキサキス (トリメチルシリルェ チニル） トリフエ二レンを合成した。
Figure imgf000020_0001
(仕込量）
2， 3, 6， 7, 10, 11- exabromot r ipheny 1 ene 205 mg / 2. 92 10~4 ιοΐ t r i e thy 1 silyl ace tylene 1. 68 g / 1. 71 x 10"2 lol (PPh3) 2PdCl2 245 mg / 3. 49 10"4 mol Cul (和光） 66 mg / 3. 47 10— 4 mol
/-Pr2NH (東京化成、 Ca¾ より蒸留） 200 mL
(操作および結果）
滴下ロートおよびジムロート、 スピナ一を備えた 300 mL三口フラスコをフレ ームアウト、 N2置換した。 フラスコに 2, 3， 6， 7， 10, 1卜へキサブ口モトリフエ二 レンおよび （PP ) 2PdCl2、 Cul、 -Pr2NHを収めた。滴下ロートから 30分かけて Me3SiC≡CHを滴下した（溶液はすぐに黄色 褐色)。その後、還流下で 3時間撹 拌した。 ロータリーエバポレー夕一にて溶媒を除去後、 フラッシュカラム （ヮコ 一ゲル C-60, benzene) で不溶分を除去し、 ゥエツトカラム （一回目；ヮコーゲ ル C-60, hexane I Et20 = 9 / 1、 二回目；ヮコ一ゲル C-60, hexane I C¾C12 = 81 2) にて分取を行い、 黄色結晶として 、 3, 6, 7, 10, 11一へキサキス （トリメチ ルシリルェチェル） 卜リフエ二レンを収量 210 mg、 収率 90¾で得た。
2. 2, 3, 6, 7, 10， 11一へキサキス （トリメチルシリルェチニル） トリフエニレ ンの解析
2 . 1 . X線結晶構造解析
同定は各種スぺクトルにて行い、 最終的に X線結晶構造解析にて構造を決定 した。 2, 3, 6, 7, 10， 11—へキサキス (トリメチルシリルェチニル) トリフエ二レンの スぺクトルデータは以下のとおりであった。
MS (質量分析) (EI, 70 eV) i/z (¾) 804 (Μ+, 83) , 789 は)， 731 (3) , 716 (7) , 701 (8) , 73 (100)
IR (赤外吸収スペクトル） (KBr) cm"1 2959, 2899, 2162, 1483, 1404, 1248, 1190, 1146, 997, 864, 845, 760, 650
!H NMR (核磁気共鳴スペクトル） （500 MHz, CDC13) δ 0. 34 (s， 54H) , 8. 63 (s, 6H) 訓
13C NMR (126 MHz, CDC13) δ 0, 06， 99. 88, 103. 03, 124. 91, 127. 91, 128. 51 ppm
29Si NMR (99 MHz, CDC13) δ -17. 2 ppm
融点 300 ° C (decomposit ion and polymerization)
ジクロロメタン、へキサン、エタノール混合溶媒から再結晶し、 2， 3, 6, 7, 10, 11 —へキサキス （トリメチルシリルェチニル） トリフエ二レンの黄色透明結晶を得 た。 図 1〜4に X線結晶構造解析の結果を示す。 トリフエ二レン環はほぼ平面 構造を有していたが、 トリメチルシリルェチニル基は、 若干、 環平面からずれて いた。 結合距離、 結合角のまとめを図 5， 6に示す。 芳香環は置換基が結合して いる間の結合距離が、 他より長くなつていた。 炭素-炭素三重結合は通常値 (1. 2 A) よりわずかに短い （av. 1. 181 A) o また、 一ヶ所のトリメチルシリル基の 炭素にデイスオーダーが見られた。 パッキングをみると、 それぞれの分子は矢害 型に積層していた。平行に位置する分子の層間の最近接距離は sp炭素間の 4. 5 Aである。 対角に位置するケィ素原子間距離は約 1 6 Aである。
2. 2. 2，3, 6， 7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルェチェル） トリフエ 二レンの性質など
2. 2. 1 . 物理的性質
2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス (トリメチルシリルェチニル) トリフエ二レンは 明確な融点を示さず、 約 300 ° C まで加熱したところで、 結晶がオレンジ色に 変化し、 なお加熱し続けると約 400 ° Cで褐色に変化する （融点測定器にて観 測)。 このことから結晶内で重合が起こっていることが考えられ、 後の熱重量分 析により、 確かに重合が起こっていることがわかった。
溶解性に関しては、母体のトリフエ二レンと比較すると向上していると考えら れる。一般的な有機溶媒 (hexane, benzene, toluene, acetone, Et20、 THF、 CH2C12、 CHCI3) に可溶、 EtOH、 MeOHに難溶である。
結晶状態において空気中に放置しても、 透明度等に変化はない。
2. 2 . 2. 紫外-可視吸収スペクトル
2，3，6，7, 10, 11—へキサキス （トリメチルシリルエヂニル） トリフエ二レンお よびトリフエ二レンの紫外一可視吸収スペクトルを hexane 中、室温で測定した 結果を図 7に示す。 それぞれの吸収帯の吸収極大とモル吸光係数 （ε ) の値をま とめたものを表 1に示す。 いずれのピークに関しても、 2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサ キス （トリメチルシリルエヂニル） トリフエ二レンの方が約 40〜50皿長波長 シフトしていることがわかる。 また、 モル吸光係数の値も増大している。
2, 3, 6， 7, 10, 11—へキサキス (トリメチルシリルェチニル） トリフエ二レン
およびトリフエ二レンの紫外一可視吸収スぺクトル
% absorpt ion band aosorption band absorption band 化合物 / n /舰
2, 3, 6， 7, 10, 315 (214000) 339 (89300) 403 (sh) (240) U-へキサキス（ト 292 (87500) 390 (850) リメチルシリルェチニ 380 (800) ル）トリフヱニレン 370 (1120) トリフエ二レン 257 (147700) 285 (18100) 346 (sh) (40)
249 (85700) 273 (20200) 335 (290) 241 (sh) (40500) 327 (250)
320 (370) 発光 （蛍光、 燐光） スぺクトル 2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス (トリメチルシリルェチニル) トリフエ二レンお よびトリフエ二レンの蛍光スぺクトルを 3- fflethylpentane (3-MP)中、脱気封管、 室温、 励起波長 296 nmで測定した結果を図 8 に示す。 蛍光極大は 415、 428、 439腿 であり、 トリフエ二レンの対応する蛍光極大よりも約 60 nm長波長シフ トし、 強度も強くなつている。 トリフエ二レン （Φ£ = 0. 09) を元にして算出し た蛍光の量子収率は Φί = 0. 16である。
2, 3, 6, 7, 10， 11—へキサキス (トリメチルシリルェチニル) トリフエ二レンお よびトリフエ二レンの 3- MP 中、 脱気封管、 励起波長 296舰、 77Kにおける発 光スペクトル測定の結果を図 9に示す。 発光極大はそれぞれ約 60 nmの長波長 シフトを観測した。 これにより、 2, 3, 6, 7， 10， 11—へキサキス （トリメチルシリ ルェチニル） トリフエ二レンが燐光発光素子の発光層に使用できることがわかつ た。
<実施例 2 >
2, 3, 6, 7, 10， 11一へキサキス (トリイソプロビルシリルェチニル） 卜リフエニレ ンの合成とスぺクトル解析
まず、 以下の反応によってトリイソプロビルシリルアセチレンを合成した。
H ~ ^^-MgBr
i-Pr3SiBr ► i-Pr3Si ~~≡— H
THF
これを 2， 3, 6, 7, -10, 11-へキサブロモトリフエ二レンと反応させることによつ て、 2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス （トリイソプロビルシリルェチニル） トリブェ 二レン （一般式 (VI)) を合成した。反応は 2, 3， 6, 7, 10， 11—へキサキス （トリメ チルシリルェチニル） トリフエ二レンと同様にして行った。 収率は 5 5 %であつ た。
Figure imgf000024_0001
2, 3, 6， 7, 10. 11—へキサキス (トリイソプロビルシリルェチニル） トリフエ二 レンの紫外一可視吸収スペクトルを hexane 中、 室温で測定した。 結果を、 トリ フエ二レン及び 2, 3, 6, 7, 10, 11一へキサキス (トリメチルシリルェチニル) トリ フエ二レンのデータとともに図 1 0に示す。
2， 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス (トリイソプロビルシリルェチニル） トリフエ二 レンについても、 トリフエ二レンと比較して長波長シフ卜が見られた。
2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス (トリイソプロピルシリルェチニル) トリフエ二 レンの蛍光スぺクトルを 3-metliylpentaiie (3-MP) 中、 脱気封管、 室温、 励起波 長 296皿で測定した。 結果を、 トリフエ二レン及び 2, 3, 6， 7, 10, 11—へキサキ ス（トリメチルシリ レエチニレ） トリフエ二レンのデータとともに図 1 1に示す。
2, 3, 6, 7， 10， U—へキサキス （トリイソプロビルシリルェチニル） トリフエ二 レンについても、 トリフエ二レンの対応する蛍光極大よりも約 60 nm長波長シ フ卜し、 強度も強くなつていることがわかった。
2, 3, 6, 7, 10, 11—へキサキス （トリイソプロビルシリルェチニル） トリフエ二 レンの発光 （蛍光'燐光） スペクトルを 3-MP 中、 脱気封管、 励起波長 296 M, 77Kで測定した。 結果を、 トリフエ二レン及び 2， 3， 6， 7， 10, 11—へキサキス （ト リメチルシリルェチニル） トリフエ二レンのデータとともに図 1 2に示す。
2, 3, 6, 7, 10， 11一へキサキス (トリイソプロピルシリルェチニル) トリフエ二 レンについても、 長波長シフトが見られた。 これにより、 2, 3， 6， 7, 10， 11一へキ サキス （トリイソプロピルシリルェチニル） トリフエ二レンが燐光発光素子の発 光層に使用できることがわかった。 ぐ実施例 3 >
2, 3, 6， 7， 10， 11一へキサキス （トリメチルシリルエヂニル） トリフエ二レン （化 合物 1 ) をホスト化合物に用いた燐光発光素子の製造と発光の確認
ガラス基板上に I TOを 150 nmの厚さに蒸着したものを透明支持基板と した。 この透明支持基板を蒸着装置の基板ホルダ一に固定し、 銅フタロシアニン (以下記号 C uP cで表記する） を入れたモリブデン製蒸着用ポート、 NPDを 入れたモリブデン製蒸着用ポ一卜、 I r (ppy) 3を入れたモリブデン製蒸着 用ポート、 化合物 1を入れたモリブデン製蒸着用ポート、 B CPを入れたモリブ デン製蒸着用ポート、 Al q 3を入れたモリブデン製蒸着用ポー卜、 弗化リチウ ムを入れたモリブデン製蒸着用ポート、およびアルミニウムを入れたタンダステ ン製蒸着用ポートを装着した。
真空槽を 1X10— 3Paまで減圧し、 CuPcが入った蒸着用ポートを加熱し て膜厚 25 nmになるように蒸着して正孔注入層を形成し、 ついで、 NPDが入 つた蒸着用ポートを加熱して膜厚 35 nmになるように蒸着して正孔輸送層を 形成した。 次に、 I r (ppy) 3が入ったボートと化合物 1の入ったボートを 同時に加熱して膜厚 35 nmになるように蒸着して発光層を形成した。 次に、 B C Pの入ったポートを加熱して膜厚 10 nmになるように蒸着して正孔阻止層 を得た。 I r (ppy) 3と化合物 1の重量比がおよそ 5対 95になるように蒸 着速度を調節した。その後、 A 1 d 3を入れた蒸着用ポートを加熱して膜厚 40 nmになるように加熱して電子輸送層を形成した。
各層の蒸着速度は 0. 001〜3. OnmZ秒であった。 その後、 弗化リチウ ム入りの蒸着用ポートを加熱して膜厚 0. 5nmになるように 0. 003〜0. 01 nm/秒の蒸着速度で蒸着し、 次いで、 アルミニウム入りの蒸着用ボートを 加熱して膜厚 100 nmになるように 0. 1〜 1 nm/秒の蒸着速度で蒸着する ことにより、 燐光発光素子を得た。 I TO電極を陽極、 弗化リチウム/アルミニウム電極を陰極として、 7Vの直 流電圧を印加すると約 3. 0mA/ cm2の電流が流れ、 波長 510 nmをピー クとする I r (ppy) 3由来のスペクトルを有する緑色発光を得ることが出来 た。 ぐ比較例 1>
実施例 1において、 発光層に用いた化合物 1の代わりに、 CBPを用いた以外 は、 全く同様にして燐光発光素子を得た。
I TO電極を陽極、 弗化リチウム/アルミニウム電極を陰極として、 7Vの直 流電圧を印加すると約 1. 5mA/ cm2の電流が流れ、 波長 510 nmをピ一 クとする I r (ppy) 3由来のスペクトルを有する緑色発光を得ることが出来 た。

Claims

請求の範囲
1. 下記一般式 (I) で表される化合物。
Figure imgf000027_0001
式中、 1^〜 6はそれぞれ独立に水素原子または下記一般式（II)で表される置 換基であって、 ！^〜：^6のうちの少なくとも 1個は一般式 (II)で表される置換 基である。
C=C—— SiRaRbRc (II)
式中、 Ra、 Rb、 Reはそれぞれ独立に炭素数 1~10の脂肪族炭化水素基、 ま たは芳香族炭化水素基である。
2. 前記一般式 (I) において、 R1〜： 6の全てが一般式（II)で表される置換 基であり、 かつ、 前記一般式 (II) において、 Ra、 Rb、 Rcはそれぞれ独立に 炭素数 1〜： L 0の脂肪族炭化水素基である請求の範囲 1の化合物。
3. 前記一般式 (II) において、 置換基 Ra、 Rb、 Rcの全てがアルキル基であ る請求の範囲 1の化合物。
4. 前記アルキル基がィソプロピル基またはメチル基である請求の範囲 3の化合 物。
5. 前記一般式 （I) において、 〜 6のうちの任意の 1または 2個が一般式 (II) で表される置換基であり、 かつ、 前記一般式 （II) において、 Ra、 Rb、 Reがフエニル基である請求の範囲 1の化合物。
6. 下記一般式 （III) で表される化合物に下記一般式 （IV) で表される化合物 を反応させることを特徵とする一般式 (I) で表される化合物の製造方法。
Figure imgf000028_0001
式中、 X 1〜x 6はそれぞれ独立に水素原子、臭素原子またはヨウ素原子であつて、 χΐ〜χ6のうちの少なくとも 1個は臭素原子、 ョゥ素原子のいずれかである。
H-C=C SiRaRbRc (IV)
式中、 R Rb、 Reはそれぞれ独立に炭素数 1〜10の脂肪族炭化水素基、 ま たは芳香族炭化水素基である
1. 下記一般式 (I) で表される化合物。
Figure imgf000028_0002
式中、 Ri〜R6はそれぞれ独立に水素原子または下記一般式（II)で表される置 換基であって、 ！^〜 6のうちの少なくとも 1個は一般式（II) で表される置換
C"ある。
C=C—— SiRaRbRc (Π)
式中、 Ra、 Rb、 Reはそれぞれ独立に炭素数 1〜10の脂肪族炭化水素基、 ま たは芳香族炭化水素基である。
7.少なくとも一対の電極および該電極間に配置された発光層を有する燐光を利 用した有機電界発光素子であって、 該発光層が一般式 (I)で表される化合物の 少なくとも 1種、 および燐光ドーパントを含有する、 燐光を利用した有機電界発 光素子。
Figure imgf000029_0001
式中、 1〜!^ 6はそれぞれ独立に水素原子または下記一般式 αι)で表される置 換基であって、 1〜!^6のうちの少なくとも 1個は一般式（Π)で表される置換 基である。
C=C—— SiRaRbRc (II)
式中、 Ra、 Rb、 ITはそれぞれ独立に炭素数 1~10の脂肪族炭化水素基、 ま たは芳香族炭化水素基である
8.前記一般式 (I) において、 1〜!^6の全てが一般式 （Π) で表される置換 基であり、 かつ、 前記一般式 （II) において、 Ra、 Rb、 Rcはそれぞれ独立に 炭素数 1〜： L 0の脂肪族炭化水素基である、請求の範囲 7の燐光を利用した有機 電界発光素子。
9.前記一般式（II)において、置換基 Ra、 Rb、 Rcの全てがアルキル基である、 請求の範囲 7の燐光を利用した有機電界発光素子。
10.前記アルキル基がイソプロピル基またはメチル基である、 請求の範囲 7の 燐光を利用した有機電界発光素子。
1 1.前記一般式（I) において、 ！^〜 6のうちの任意の 1または 2個が一般式 (II) で表される置換基であり、 かつ、 前記一般式 (II) において、 R a、 Rb、
R cがフエニル基である、 請求の範囲 7の燐光を利用した有機電界発光素子。
1 2.前記燐光ドーパントがイリジウム錯体、 白金錯体、 オスミウム錯体及び金 錯体から選ばれる少なくとも 1種である、請求の範囲 7の燐光を利用した有機電 界発光素子。
1 3ノ少なくとも一対の電極間に、 さらに、 電子輸送層、 正孔阻止層、 正孔輸送 層及び正孔注入層を有する、 請求の範囲 7の燐光を利用した有機電界発光素子。
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