WO2006016677A1

WO2006016677A1 - 成膜装置および気化器

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Publication number: WO2006016677A1
Application number: PCT/JP2005/014850
Authority: WO
Inventors: Hachishiro Iizuka; Akira Yasumuro; Koichiro Kimura; Norihiko Tsuji
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2004-08-13
Filing date: 2005-08-12
Publication date: 2006-02-16
Anticipated expiration: 2007-02-13
Also published as: JP2006077321A; US20070266944A1; JP4845385B2; US8758511B2

Abstract

　液体もしくは気液混合物で構成される原料を供給する原料供給部と、原料を聞かして原料ガスを生成する原料気化部と、生成された原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜部とを有する成膜装置において、原料気化部から成膜部の導入部分に至る原料ガスの輸送経路の途中にフィルタ１５３が配置される。フィルタ１５３の外縁１５３ａは、押圧方向の負荷に対して前記外縁１５３ａよりも変形し難い環状の支持部材１５８により、その全周に亘って輸送経路の内面に対して押しつけられ、輸送経路の内面と支持部材１５８との間で圧縮された状態で、輸送経路の内面に固定される。

Description

成膜装置および気化器

技術分野

[0001] 本発明は成膜装置に係り、特に、有機金属などの液体若しくは気液混合状態の原料を気化することにより得た原料ガスを用いて成膜を行う装置の構造に関する。更に、本発明は上記成膜装置に好適に用いることができる気化器に関する。

背景技術

[0002] 有機金属の液体原料或いは有機金属の原料を溶媒中に溶解させて液体化させた原料などを気化器にて気化させて原料ガスを形成し、この原料ガスを用いて成膜を行う成膜装置、例えば、 CVD (ィ匕学気相成長)装置が知られている。この種の成膜装置の典型例としては MO (有機金属） CVD装置があり、 PZT(Pb— Zr— Ti酸化物）や BST(Ba— Sr— Ti酸ィ匕物）などの高誘電率薄膜、 Wなどの金属薄膜、 InPなどの半導体薄膜を成膜する場合等に用いられている（例えば、 JP10— 177971Aを参照 ) o CVDは、化学反応を生じさせるエネルギーの供給方式により、熱 CVD、光 CVD 、プラズマ CVD等に分類される。

[0003] 上記の成膜装置では、気化器の内部や成膜室へ向かう原料ガスの輸送経路において、原料の固化や分解などによって生ずる微細粒子（以下、単に「パーティクル」という。）が発生する場合がある。このように発生したパーティクルは、成膜室内に導入されて基板上に堆積し、薄膜の品位の低下をもたらし、絶縁特性の悪ィ匕などの製品不良を招く。

[0004] これを防止するため、従来から、気化器の出口にフィルタを配置すること (例えば、 J P7— 94426Aを参照）、或いはガス供給源と成膜室との間にフィルタ（ラインフィルタ >を配置すること (例えば、 JP5— 68826Aを参照）などが提案されている。上記の各フィルタによって上流側力流下してくるパーティクルを捕捉して下流側へ流さないようにすることで、成膜室へ導入されるパーティクル量を低減して、る。

[0005] し力しながら、上記の手法では、フィルタによって上流側から流下してくるパーテイクルを捕捉しているにも拘らず、成膜室内の基板上に到達するパーティクル量が充分に低減されないという問題がある。この原因は必ずしも明らかではないが、例えば、細かなパーティクルがフィルタの目を通過した後に下流側において成長したり、微細な原料飛沫 (残留ミスト）がフィルタを通過した後に下流側においてパーティクルになつたりすることが考免られる。

[0006] これを阻止するために、細かなパーティクルや原料飛沫をも捕捉できるようにフィルタの目を小さくするなどにより、フィルタの捕捉効率を高くすることが考えられる。しかし、そうすると、フィルタが短期間で目詰まりを起こすため、原料ガスの供給流量を維持するためには、フィルタの清掃や交換などのメンテナンス作業を頻繁に行う必要がある。

[0007] また、成膜室の内部においても、チャンバ内面ゃサセプタ周辺などに付着した堆積物が剥離してパーティクルが生じうる。このため、フィルタによってガス供給ラインから成膜室に入ってくるパーティクル量を低減しても、それば無駄になってしまう可能性もある。

発明の開示

[0008] 本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、原料ガスの輸送経路にフィルタを配置した成膜装置にぉヽて、パーティクル量を従来よりも有効に低減することのできる新規な構造を提供することにある。

本発明の別の課題は、充分なフィルタ効果を得つつ、フィルタのメンテナンス頻度を低減することもできる構造を提供することにある。

本発明の更に別の課題は、成膜室の内部におけるパーティクルの発生量を抑制することにより、パーティクルによる不具合を低減することのできる構造を提供することにある。

本発明の更に別の課題は、パーティクルを低減することができるフィルタ付きの気ィ匕器を提供することにある。

[0009] 本願発明者らは、上記のように原料ガスの輸送経路にフィルタを配置した成膜装置にお、て、成膜室へ導入されるパーティクル量が低下しな、原因を種々検討してヽる過程で、輸送経路の内面とフィルタとの間の隙間をガス流が通過していることに気づいた。 [0010] 従来のフィルタは、金属繊維や金属のリボン材を押し固めてなるフィルタ素材の外縁を、表裏両側から金属製の一対のリング状の薄板材で挟みこみ、これらの薄板材の外縁を相互に溶接することによって一体に構成される。そして、このフィルタの外縁に上記一対の薄板材を貫通する取付孔が設けられ、この取付孔にボルトを挿通させて輸送経路の内面にネジ止めすることによって、フィルタが輸送経路の内面に締付固定される。ところが、このフィルタの外縁には上述のように一対の薄板材が相互に溶接された状態で固定されているので、ボルトでフィルタの外縁を締め付けると、ボルトの固定部分において一対の薄板材が変形して局部的に内面に押し付けられた状態になることによりフィルタの外縁に歪みが発生するとともに、ボルトで固定されていない部分 (すなわちボルトとボルトの間にある部分）における密着力が不足するため、当該部分において輸送経路の内面との間に隙間が発生しやすくなる。

[0011] また、通常、原料ガスを高温に維持した状態で成膜室に導入するために原料ガスの輸送経路及びフィルタは常時加熱されているため、フィルタと輸送経路の内面の熱膨張率の差異によって上記隙間が形成されたり、拡大したりすることが考えられる。例えば、上記のフィルタが加熱されると、輸送経路の内面よりも薄板材が余分に熱膨張することにより上記部分が湾曲し、上述の隙間が大きくなる場合が考えられる。そして、実際に発明者らが観察したところによると、フィルタの上記の部分及びこれに対向する輸送経路の内面には原料ガスが通過した筋状の痕跡 (堆積物の付着縞）が生じていた。

[0012] 本発明は、液体若しくは気液混合物で構成される原料を供給する原料供給部と、前記原料を気化して原料ガスを生成する原料気化部と、生成された前記原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜部とを有する成膜装置から出発した。そして、本願発明者らは、上記の隙間の発生を防止するための種々の検討を行った結果、以下の発明に到達したものである。

すなわち、第 1の発明は、上記の成膜装置において、前記原料気化部から前記成膜部の導入部分に至る前記原料ガスの輸送経路の途中にフィルタが配置され、前記フィルタの外縁は、押圧方向の負荷に対して前記外縁よりも変形し難い環状の支持部材により、全周に亘つて前記輸送経路の内面に対して押圧され、これによつて前記輸送経路の内面と前記支持部材との間で圧縮された状態で前記輸送経路の内面に固定されて、ることを特徴とする。

[0013] この発明によれば、フィルタの外縁を内面に対して全周に亘つてほぼ均等な押圧力で固定することができるとともに、フィルタの外縁と輸送経路の内面との間に隙間が生ずることを防止できる。したがって、フィルタの外縁と輸送経路の内面との問を原料ガスが流通することがなくなるので、上記隙間を通してパーティクルや未気化の原料 ( 残留ミスト）がフィルタの下流側へ漏出することが防止され、パーティクルが下流の成膜部へ導入されることが防止される。

[0014] 本発明において、前記フィルタの径方向断面で見た場合、前記フィルタの外縁に、凹部または凸部が設けられていることが好ましい。これによれば、フィルタの外縁と輸送経路の内面との間の気密性をさらに高めることができる。

[0015] 次に、第 2の発明は、上記成膜装置において、前記原料気化部から前記成膜部の導入部分に至る前記原料ガスの輸送経路の途中にフィルタが配置され、前記フィルタの外縁は、当該外縁の一側に配置された環状の支持部材により、当該外縁の他側に配置されるとともに前記輸送経路の内面に直接接触する環状のシール部材を介して、前記輸送通路の内面に対して押圧された状態で前記輸送通路の内面に固定され、前記支持部材は、押圧方向の負荷に対して前記フィルタの外縁よりも変形し難く構成され、かつ、前記環状のシール部材は、押圧方向の負荷に対して前記フィルタの外縁よりも押圧方向に変形し易く構成されていることを特徴とする。

[0016] この第 2の発明によれば、フィルタの外縁を環状のシール部材に対して全周に亘って均等な押圧力で固定することができるとともに、支持部材による押圧力に起因してフィルタの外縁と輸送経路の内面との間でシール部材が圧縮変形されるため、フィルタの外縁と輸送経路の内面との間に隙問が生ずることを防止できる。したがって、フィルタの外縁と輸送経路の内面との間を原料ガスが流通することがなくなるので、上記隙間を通してパーティクルや未気化の原料がフィルタの下流側へ漏出することを防止することができる。

[0017] 本発明において、前記フィルタの外縁は、フィルタ素材そのもので構成されていることが好ましい。これによれば、フィルタ全体をフィルタ素材で一体に構成できるなど、その構造を簡易なものとすることができるとともに、フィルタの外縁とその内側のフィルタ素材との問の気密性を考慮する必要もなくなるので、フィルタ性能を犠牲にすることなしにフィルタの製造コストを低減できる。また、フィルタ素材で構成された外縁を直接に輸送経路の内面に圧接させることで、フィルタ素材が輸送経路の内面形状に整合した態様で圧縮変形されるために輸送経路の内面に対する密着性が向上し、また、その圧縮状態により輸送経路の内面に対するフィルタの当接部分が緻密に構成されるようになるため、フィルタの外縁と輸送経路の内面との間の気密性をさらに向上させることが可能になる。

[0018] 上記第 1または第 2の発明において、前記フィルタの外縁は、内側に配置されたフィルタ素材に対して隙間なく接続された、別素材カゝらなる外縁部材で構成されてヽることが好ましい。これによれば、上記第 1の発明においては、剛性の高い支持部材が外縁部材を全周に亘つて押圧することにより、外縁部材が輸送経路の内面に整合する態様で圧縮変形されるので、フィルタの外縁と輸送経路の内面との間の気密性を確保できる。また、上記第 2の発明においては、剛性の高い支持部材が外縁部材を全周に亘つて押圧することにより、外縁部材がシール部材に対して均一に押圧されるので、シール部材を介してフィルタの外縁と輸送経路の内面との間の気密性を確保できる。

[0019] さらに、第 3の発明は、上記成膜装置において、前記原料気化部から前記成膜部の導入部分に至る前記原料ガスの輸送経路の途中にフィルタが配置され、前記フィルタの外縁は、環状の外縁部材により構成され、前記外縁部材は、その内側に配置されたフィルタ素材の外周部に対して気密に接続され、前記外縁部材は、押圧方向の負荷に対して前記フィルタ素材よりも変形し難く構成されるとともに、前記輸送経路の内面に対して固定されていることを特徴とする。

[0020] この発明によれば、外縁部材を輸送経路の内面に対して全周に亘つて均等な押圧力で固定することができるとともに、フィルタの外縁と輸送経路の内面との間に隙間が生ずることを防止できる。したがって、フィルタの外縁と輸送経路の内面との間を原料ガスが流通することがなくなるので、上記隙間を通してパーティクルや未気化の原料力 Sフィルタの下流側へ漏出することを防止することができる。 [0021] 前記フィルタの前記外縁の内側の部分には、前記フィルタを加熱する伝熱部が当接していることが好ましい。これによれば、伝熱部によってフィルタの内側部分にも熱が伝達されるので、原料ガスの流れや未気化原料の気化などにより生ずるフィルタの内側部分の温度低下を低減することができることから、フィルタの目詰まりを抑制することができ、メンテナンス作業を削減することができる。

[0022] 前記原料ガスの輸送経路は、前記成膜部に向けて上方若しくは斜め上方に伸びる上昇ライン部分を有することが好ましい。これによれば、原料ガスの輸送経路が成膜部に向けて上方若しくは斜め上方に伸びる上昇ライン部分を有することにより、輸送経路に混入したパーティクルが成膜部に進むことを抑制できるため、成膜部の内部に導入されるパーティクル量を低減できる。

[0023] ここで、上記の上昇ライン部分は、成膜部と、この成膜部に対して原料ガスの供給および停止を行うガス導入バルブとの間に設けることが望ましい。上昇ライン部分が原料ガスの輸送経路の上流側部分に設けられて 1、ると、それよりも下流側の輸送経路中にて発生したパーティクルの進行を抑制することはできな、が、上記のように原料ガスの輸送経路のうち最も成膜部に近い領域に上昇ライン部分を設けることにより

、輸送経路の大部分において発生したパーティクルの進行を抑制できるため、成膜部内のパーティクル量の低減効果をさらに高めることができる。

[0024] この場合に、前記輸送経路には、前記成膜部に対して原料ガスの供給および停止を行うガス導入バルブが設けられ、前記ガス導入バルブ、又は、前記ガス導入バルブ近傍の前記成膜部側の部分に、パージガスを導入するためのパージラインが接続されていることが好ましい。これによれば、ガス導入バルブを停止したときの原料ガスの滞留空間（ガス導入バルブと成膜室との間の配管内の空間）をなくす力、或いは、低減することができるため、配管内に原料ガスが滞留することがなくなり、或いは、原料ガスが滞留してもパージガスによりその原料ガスを迅速かつ十分に希釈又は置換することができることから、配管内における原料ガスの滞留に起因するパーティクルの発生を防止することができる。

[0025] 前記成膜部には、基板が載置される成膜領域を備えた載置部材の周囲に配置される金属製のシールド部材が設けられていることが好ましい。これによれば、成膜部にお、て上記載置部材 (サセプタ或いは静電チャックサセプタ）の周囲に金属製のシ一ルド部材を配置することにより、シールド部材の熱伝導性が良好になるので、シールド部材に付着した堆積物が剥離しにくくなることから、成膜部内におけるパーテイクルの発生を抑制することができる。

[0026] 前記成膜部には、基板が載置される成膜領域を備えた載置部材が設けられ、かつ、前記成膜領域の周囲には、前記基板を位置決めするための複数の離散的に配置された位置決め突起が設けられていることが好ましい。これによれば、基板を位置決めするための手段として、基板の成膜領域の周囲に複数の位置決め突起が離散的に配置されていることにより、基板上力その外周側へと向力ガスの滞留を低減することができるので、成膜領域の周囲における堆積物の量を低減することができるため、成膜部内におけるパーティクルの発生を抑制することができる。

[0027] この場合に、前記載置部材は、前記成膜領域から前記位置決め突起の外側に亘る範囲が、同素材で一体に構成され、し力も、他の部材により覆われていないことが好ましい。これによれば、基板の周囲の温度変化が少なくなる上にガスの滞留も少なくなり、半径方向外側に流れるガスの流れが妨害され難くなり、堆積物の量が低減され均一に形成されると同時にその堆積物が剥離しにくくなることから、パーティクルの発生がさらに低減される。ここで、載置部材における同素材で一体に構成され、しかも、他の部材により覆われていない範囲が、上記位置決め突起から成膜領域の半径の 30%以上離れた位置まで広がっていることが好ましい。特に、上記範囲は、上記位置決め突起力成膜領域の半径の 45%以上離れた位置まで広がっていることがより望まし!/、。

[0028] 成膜装置において、前記原料気化部と前記成膜部との間にはガス導入バルブが設けられ、当該ガス導入バルブは、少なくとも前記原料ガスの前記成膜部への供給を制御するダイヤフラム弁を有し、当該ダイヤフラム弁は、ダイヤフラムが臨むバルブ室に開口する導入側開口部と導出側開口部とを備え、前記導入側開口部の開口面積と、前記導出側開口部の開口面積とがほぼ等しいことが好ましい。

[0029] 成膜装置において、前記原料気化部と前記成膜部との間にはガス導入バルブが設けられ、当該ガス導入バルブは、少なくとも前記原料ガスの前記成膜部への供給を制御するダイヤフラム弁を有し、当該ダイヤフラム弁は、ダイヤフラムが臨むバルブ室に開口する導入側開口部と導出側開口部とを備え、一方の開口部が前記バルブ室の中央に設けられ、他方の開口部が前記バルブ室の周辺に設けられ、前記他方の開口部の開口形状が前記バルブ室の中心の周りを周回する方向に延長された形状であるか、或いは、前記他方の開口部が前記バルブ室の中心の周りを周回する方向に複数配置されて、ることが好ま、。

[0030] 更に本発明は、気化器において、内部に原料気化空間を有する気化容器と、前記原料気化空間内に液体若しくは気液混合物で構成される原料を噴霧する噴霧部と、その内面が前記気化空間に面するように前記気化容器に一体的に結合されるとともに、前記気化容器内で気化された原料を前記気化容器外に送り出す原料ガス送出口を有する原料ガス送出部と、前記気化容器を加熱する第 1加熱部と、前記原料ガス送出部を加熱する第 2加熱部と、前記原料ガス送出口を覆うように前記原料ガス送出部に取り付けられたフィルタと、前記フィルタの外縁が前記原料ガス送出部の内面に密接するように前記外縁を前記原料ガス送出部の内面に押圧する環状の支持部材と、前記原料ガス送出部の内面力突出して前記フィルタの前記外縁よりも内側の部分に接触し、前記第 2加熱部が発生した熱を前記フィルタに伝える伝熱部と、前記原料気化空間側から見たときに前記フィルタを覆うように配置された遮蔽板であって、原料ガスが前記原料気化空間から当該遮蔽板を迂回して前記フィルタに流入することができるように前記フィルタとの間に間隔をおいて配置されるとともに前記伝熱部に熱的に接続された遮蔽板と、を備え、前記環状の支持部材は、押圧方向の負荷に対して前記フィルタの外縁よりも変形し難いように形成され、かつ、全周に亘つて前記原料ガス送出部の内面に対して押圧され、これにより前記フィルタの外縁は、前記原料ガス送出部の内面と前記支持部材との間で圧縮された状態で前記輸送経路の内面に固定されていることを特徴とする気化器を提供する。

[0031] 本発明によれば、成膜部内のパーティクル量を大幅に低減することができ、成膜品位を向上させることができるという優れた効果を奏し得る。

図面の簡単な説明

[0032] [図 1]本発明の一実施形態に係る成膜装置の全体構成を示す概略構成図。圆 2]原料気化部の縦断面図。

[図 3] (a)はガス送出部の内面図、（b)はその縦断面図。

圆 4]ガス送出部の拡大部分断面図。

[図 5]ガズ送出部の他の構成例を示す拡大部分断面図。

[図 6]ガス送出部の他の構成例を示す拡大部分断面図。

圆 7]ガス送出部の他の構成例を示す拡大部分断面図。

[図 8]ガス送出部の他の構成例を示す拡大部分断面図。

圆 9]ガス送出部の他の構成例を示す拡大部分断面図。

[図 10] (a)はガス送出部の他の構成例を示す拡大部分断面図、 (b) (c) (d)は (a)に示すシール部材の他の例を示す断面図。

圆 11]成膜部の主要部及びその近傍の構造を示す部分断面図。

圆 12]成膜部のサセプタの平面図及び位置決め突起の拡大斜視図。

圆 13]成膜部の主要部の構造を示す縦断面図。

圆 14]本発明の実施形態の成膜装置と従来構造の成膜装置におけるパーティクル量の処理時問依存性を比較して示すグラフ。

圆 15]原料ガス輸送ラインの下降ライン部分の高さ Hによる影響を調べる際の前提条件を示す説明図。

圆 16]原料ガス輸送ラインの下降ライン部分の高さ H別のパーティクル分布を示すグラフ。

圆 17]本発明の実施形態のサセプタの一部を示す縦断面図。

[図 18]従来構造のサセプタの平面図。

圆 19]従来構造のサセプタの一部を示す縦断面図。

圆 20]本発明の異なる実施形態のサセプタの一部を示す縦断面図。

圆 21]本発明の実施形態のガス導入バルブの構造を示す部分縦断面図。

[図 22]本発明の実施形態のガス導入バルブの構造を図 23の II— II線に沿った端面で示す部分縦端面図。

[図 23]本発明の実施形態のガス導入バルブの構造を図 21の ΠΙ— III線に沿つた断面で示す横断面図。 [図 24]本発明の異なる実施形態のガス導入バルブの横断面図。

[図 25]本発明のさらに異なる実施形態のガス導入バルブの横断面図 [図 26]従来構造のガス導入バルブの横断面図。

符号の説明

100·· -成膜装置

110·· -原料供給部

HOP …パージライン

115·· '原料供給ライン

120·· -原料気化部

121·· -原料気化容器

122·· '噴霧ノズル

130·· '成膜部

131·· '成膜容器

132·· -ガス導入部

133·· -サセプタ

133A …成膜領域

133B …外周領域

133P …位置決め突起

137·· 'シールド部材

138·· 'シールドゲート板

140·· '排気部

150·· •輸送経路

151··· •隔壁

153·· 'フイノレタ

153a- ··外縁

154··· '遮蔽

155, 157···伝熱部

150X …ガス送出部 150A…内部空間

150B…流通開口部

150S, 150T, 150υ· ··原料ガス輸送ライン

150F…ラインフィルタ

150ν· ··ガス導入ノレブ

150Υ· ··バルブブロック

150ux…上昇ライン部分

150uy…下降ライン部分

H…高さ

好適な実施形態の説明

[0034] 以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。

[成膜装置の全体構成]

図 1は、本実施形態の成膜装置の全体構成を模式的に示す概略構成図である。成膜装置 100は、原料供給部 110と、この原料供給部 110から供給される原料を気化する原料気化部 120と、原料気化部 120にて気化された原料ガスを用 1ヽて成膜を行う成膜部 130と、この成膜部 130の内部を排気する排気部 140と、上記の原料気化部 120にて気化された原料ガスを上記の成膜部 130へ輸送する輸送経路 150とを備えている。

[0035] 原料供給部 110は、複数の容器111八〜1110と、これらの複数の容器のそれぞれに接続された個別供給ライン 112A〜112Dと、これらの個別供給ラインの途中にそれぞれ設けられた流量制御器 113A〜113Dと、 Arその他の不活性ガスなどを供給するキャリアガス源に接続された流量制御器 114に接続されるとともに、上記の個別供給ライン 112A〜112Dが共に接続される原料供給ライン 115とを備えている。上記複数の容器 111A〜： L 11Dには、溶媒や液体原料などが収容され、これらの溶媒ゃ液体原料は、圧送用ガスライン (Heなどの不活性ガスを容器に導入するライン〉 110Tによる加圧作用などによって個別供給ライン 112A〜1122Dにそれぞれ送り出される。そして、流量制御器 113A〜113Dによって流量制御された溶媒や液体原料がキャリアガスの流れる原料供給ライン 115に押し出されるようになって、る。 [0036] 例えば、上記の成膜装置 100によってぺロブスカイト結晶の PZT(Pb [Zr_{i x}Ti_x]0 )の

3 強誘電薄膜を成膜しょうとする場合には、液体有機金属材料が使用される。例えば、容器 112Aには酢酸ブチルなどの有機溶媒が収容され、容器 112Bには Pb ( DPM)などの有機 Pb原料が収容され、容器 112Cには Zr (0— t— Bu)などの有機

2 4

Zr原料が収容され、容器 112Dには Ti (0— i— Pr)などの有機 Ti原料が収容される

4

。 PZT薄膜は、上記各原料から生成された原料ガスと、後述する反応ガスである NO

2などの酸化剤とを反応させることによって形成される。成膜対象となるその他の強誘電体膜としては、 BST( (Ba， Si)TiO ) , BTO (BaTiO ) , PZTN (Pb (Zr, Ti) Nb

3 3 2

O )， SBT(SrBi Ta O )， STO (SrTiO )， BTO (Bi Ti O )などが例示される。

8 2 2 9 3 4 3 12

[0037] また、原料供給部 110には、 Arその他の不活性ガスなどの噴霧ガスを供給するための流量制御器 116及び噴霧ガス供給ライン 117と、 O , O , NO , NO, N Oなど

2 3 2 2 の酸化性反応ガスを供給する流量制御器 118及び反応ガス供給ライン 119とが設けられている。なお、図示例では、上記の噴霧ガスの供給系及び反応ガスの供給系が原料供給部 110内に包含されるように構成されてヽるが、原料供給部 110とは別に設けられて!/ヽても構わな!/ヽ。

[0038] 原料気化部 120には、気化容器 121と、上記原料供給ライン 115及び噴霧ガス供給ライン 117が接続された噴霧ノズル 122とが設けられ、噴霧ノズル 122は、気化容器 121の内部に構成された原料気化空間 120Aに開口し、原料気化空間 120A内に上記の原料を Arガス等の不活性ガスを噴霧補助ガスとして用いてミスト状に噴霧する。ここで、上記原料供給部 110は、原料供給ライン 115において液体原料がキヤリアガスによって搬送され、気液混合状態で原料気化部 120に供給されるように構成されているが、原料供給ライン 115において液体原料のみを供給するような構成としてもよい。

[0039] 原料気化部 120の原料気化空間 120Aでは、噴霧ノズル 122から噴霧されたミストが気化面 120Bによって直接若しくは間接的に加熱されることにより気化され、原料ガスが生成される。この原料ガスは、遮蔽板 154と原料ガス送出部 150Xの隔壁 151 によって構成される内部空問 150A内に導入され、フィルタ 153を通過し、原料ガス送出口を介して、原料ガス輸送ライン 150Sに導入される。原料ガス輸送ライン 150S は原料ガス輸送ライン 150Tに接続されている。ここで、原料ガス輸送ライン 150Sと原料ガス輸送ライン 150Tとの問にはラインフィルタ 150Fが介在している。ただし、後述するようにラインフィルタ 150Fを設けなくてもよい。原料ガス輸送ライン 150Tは、ガス導入バルブ 150Vを介して原料ガス輸送ライン 150Uに接続され、この原料ガス輸送ライン 150Uは、成膜部 130に導入されている。上記の原料ガス送出部 150X、原料ガス輸送ライン 150S、（ラインフィルタ 150F)、原料ガス輸送ライン 150T、ガス導入バルブ 150V、及び、原料ガス輸送ライン 150Uは、上述の原料ガスの輸送経路を構成する。なお、バイパスライン 140T、輸送経路 150、原料ガス輸送ライン 150 S, 150U、ノイノスライン 140S、気ライン 140X、ガス導人バノレブ 150V、気ライン 140A、圧力調整弁 140Bは図示しないヒータにより加熱されている。更に、成膜部 130の成膜容器 131を成す隔壁も加熱されて!ヽる。

[0040] また、図 1に示すように、原料供給部 110には、 Arガスなどの不活性ガスその他のパージガスを流量制御器 110Xにより流量制御して送り出すパージライン 110Pが設けられ、このパージライン 110Pはパージバルブ 110Yを介して原料ガスの輸送経路に接続されている。パージラインは、従来一般には、原料ガス輸送ラインの成膜部 13 0近傍部分や成膜部 130のガス導入部 132などに接続されて!ヽたが、本実施形態の場合、パージライン 110Pは、原料ガスの輸送経路のうち、ガス導入バルブ 150Vの近傍位置にある部分に接続されている。より具体的には、図示例では、パージライン 110Pは原料ガス輸送ライン 150Uのうちガス導入バルブ 150Vの近傍にある部分に接続されている。

[0041] 原料ガス輸送ライン 150Sにはバイパスライン 140Sが接続され、このバイパスライン 140Sは後述する排気ライン 140Xに接続されている。また、ガス導入バルブ 150Vはバイパスライン 140Tに接続され、このバイパスライン 140Tもまた排気ライン 140Xに接続されている。

[0042] 成膜部 130には、密閉可能な構造を有する成膜容器 131と、この成膜容器 131の内部にガスを供給するためのガス導入部 132と、成膜対象となる基板を載置するためのサセプタ 133と、サセプタ 133を加熱するための加熱ランプなどで構成される加熱手段 134とが設けられて、る。ガス導入部 132には上記の原料ガス輸送ライン 15 OU及び反応ガス供給ライン 119が導入され、サセプタ 133上に配置された基板に向けて原料ガス及び反応ガスを流すように構成されて、る。ガス導入部 132は本実施形態の場合、サセプタ 133の基板載置面に対向する多数の原料ガス導入口及び反応ガス導入口を備えたシャワーヘッド構造を有する。

[0043] 上記成膜容器 131には排気ライン 140Aが接続され、圧力調整弁 140Bを介して排気トラップ 141A及びドライポンプなどの真空ポンプ 142に接続されて、る。また、この真空ポンプ 142には、上記バイパスライン 140S, 140Tが接続された排気ライン 140Xが排気トラップ 141Xを介して接続されている。なお、上記排気部 140は、排気ライン 140A、圧力調整弁 140B、排気トラップ 141A、真空ポンプ 142、バイパスライン 140S, 140T、排気ライン 140Χ、排気トラップ 141Xによって構成される。

[0044] 上記排気部 140によって成膜部 130の成膜容器 131の内部は圧力調整弁 140B により制御された所定の圧力に減圧された状態とされ、この状態で、上記ガス導入部 132によって導入された原料ガスと反応ガスとが反応してサセプタ 133に載置された基板上に薄膜が形成される。なお、本実施形態の成膜装置 100は、熱 CVD装置として構成されているが、プラズマ CVD装置として構成することもできる。その場合、成膜部 130には高周波電源やマッチング回路などのプラズマ発生手段が設けられる。

[0045] <第 1実施例 > [原料気化部及び原料ガスの輸送経路の詳細構造]

図 2は、上記原料気化部 120の構造をより詳細に示す縦断面図である。原料気化部 120には、上記原料気化空間 120Aを画成する気化容器 121の隔壁内に設置されたヒータなどの加熱手段 123を備えている。この加熱手段 123によって気化面 120 Βが加熱され、この気化面 120B力もの放射熱によって原料気化空間 120A内も加熱されている。気化容器 121には開口部 124が設けられ、この開口部 124と原料気化空間 120Aとの間にフィルタ 125が配置されている。原料ガスの輸送経路内の別の場所にフィルタが設けられるのならば、このフィルタ 125は無くてもよい。また、開口部 124は原料気化空間 120Aの圧力を検出するための図示しない圧力ゲージ (キャパシタンスマノメータ）を取り付ける検出用ライン 126に接続されている。

[0046] 原料ガス送出部 150Xは、「原料ガスの輸送経路」の最も上流側の部分を成し、原料気化空間 120Aにおいて気化された原料ガスを、原料ガス輸送ライン 150Sに送り出す部分である。原料ガス送出部 150Xには、隔壁 151における原料気化空間 120 A側の内面の凹部形状により内部空問 150Aが構成され、この内部空間 150Aを介して原料気化空間 120Aが原料ガス輸送ライン 150Sに連通している。また、隔壁 15 1の内部（収容孔 151a)にはヒータなどの加熱手段 152が配置され、内部空間 150A を加熱するようになっている。さらに、内部空間 150A内には上記のフィルタ 153及び遮蔽板 154が配置され、また、隔壁 151の内面には、上記内部空間 150Aに凸部状に突出してフィルタ 153に当接する柱状の伝熱部 155が設けられている。

[0047] また、内部空問 150Aに配置されるフィルタ 153を構成するフィルタ素材は、パーテイタル捕捉機能を有する通気性のある素材を用いることができるが、例えば、多孔質素材、細孔を多数備えた素材、繊維'線材《帯材などを押し固めた (焼結した)素材、或いは網目（メッシュ）状素材などが挙げられる。より具体的には、高温 (例えば、 180 °C〜350°C程度、ただし、原料の気化温度や分解温度によって適宜に設定される。 ) に耐えられる極細状の金属繊維若しくは金属線材 (たとえばステンレス鋼で構成されたもの）を適度に圧縮成形してなるフィルタ素材を用いることができる。ここで、上記金属繊維の径は 0. 01〜3. Omm程度であることが好ましい。また、繊維'線材 '帯材などの他に、熱伝導性の高い、球状その他の粒状材料を焼結してなる焼結材を用いてもよい。これらの種々のフィルタ素材の構成材料としては、セラミックス、石英などの非金属材料や、ステンレス鋼、アルミニウム、チタン、ニッケルなどの非鉄金属材料及びこれらの合金材料などが挙げられる。

[0048] 図 3 (a)は、上記原料ガス送出部 150Xの内面を原料気化空問 120A側カゝら見た側面図、図 3 (b)は図 3 (a)の B— B線に沿った断面を示す縦断面図、図 4は図 3 (b)に示す断面の一部を拡大して示す拡大部分断面図である。フィルタ 153は上記内部空間 150Aの流通断面を全て覆うように配置され、その外縁は、周囲にある隔壁 151の内面に接触し接続固定されている。より具体的には、フィルタ 153の外縁は、環状の支持部材 158を介して、固定ネジ 158aにより、隔壁 151の内面に密着固定されている。すなわち、図 4に示すように、固定ネジ 158aを支持部材 158及びフィルタ 153の外縁 153aに貫通させて隔壁 151にねじ込むことにより、固定ネジ 158aの軸力により支持部材 158がフィルタ 153の外縁 153aを隔壁 151の内面に押し付けるようになつている。図示例の場合、支持部材 158は平坦なリング状の部材であるため、フィルタ 153の外縁 153aを全周に亘つて押圧することができる。一方、フィルタ 153の外縁 1 53aは、この外縁 153a以外の内側部分と同様に上述のフィルタ素材で構成されている。すなわち、フィルタ 153は、その外縁 153aを含め全体が均一で一体のフィルタ素材で構成されている。

[0049] 上記の支持部材 158は、例えばステンレス鋼などで構成され、押圧方向の負荷に対してフィルタ 153の外縁よりも変形し難い (押圧方向の負荷に対する剛性が高い）ように構成されている。支持部材 158は、周回方向に間隔をおいて配置された複数の固定ネジ 158aの軸力に起因して当該固定ネジ 158aの近傍において局所的な押圧力を受けるが、十分な剛性を有する支持部材 158当該局所的な押圧力により殆ど反る（押圧方向の変形)ことはなぐ支持部材 158のフィルタ 153の外縁 153aに対する接触面は平坦な状態を維持し、周回方向に関して均一に外縁 153aを押圧することができる。また、支持部材 158は、その周回方向に沿って均一な構造を有し (後述のネジが揷通される孔を除く）、その結果、フィルタ 153の外縁をより均一に押圧することができる。具体的には、支持部材 158は周回方向に同一の断面形状を有し、かつ、均一な素材で構成されている。また、支持部材 158は、フィルタ 153と同じくステンレス鋼力もなるが、フィルタ 153のように通気性を有する構造 (多孔質若しくは帯形状や粒形状の素材を押し固めた材質)よりも材料自体が高密度かつ高剛性である。また、支持部材 158は、その周回方向に均一に中実 (ムク）に形成されており、これによりその周回方向により均一に外縁 153aを押圧することができる。更に、支持部材 1 58は、好ましくは図示例のようにフィルタ 153の外縁 153aよりも厚く（好ましくは 2倍若しくはそれ以上の厚さに）形成されており、これにより支持部材 158のより高い剛性が達成され、支持部材 158は、その周回方向により均一に外縁 153aを押圧することができる。

[0050] 本実施形態において、フィルタ 153の外縁 153aは、上記支持部材 158と隔壁 151 との間で圧縮された状態にある。すなわち、固定ネジ 158aを締め付けることにより、フィルタ 153の外縁 153aは、周回方向に均一な構造を有する剛性の高い支持部材 158により隔壁 151の内面に押圧された状態で固定され、これによつて全周に亘つて押しつぶされた状態となって、る。

[0051] 図 3に示すように、フィルタ 153の上記外縁 153a以外の部分 (以下、単に「内側部分」という。）には、隔壁 151より内側に突出する伝熱部 155, 157が当接している。隔壁 151と一体不可分な部材として形成された伝熱部 155, 157は、隔壁 151の内面上に突出した柱形状を備えている。これにより、フィルタ 153の内側部分は伝熱部 155, 157を介して隔壁 151に熱接触していることになるので、フィルタ 153は外縁 1 53aばかりでなぐ内側部分の上記伝熱部 155, 157に当接している部分でも熱を受けることになる。また、上記の伝熱部 155, 157は、フィルタ 153の内側部分を支持する支持体としても機能して、る。

[0052] 上記の伝熱部 155, 157は、熱伝導性の良い金属（たとえばステンレス鋼、ニッケル、銅、クロム、アルミニウム及びこれらの合金など）により構成される。伝熱部 155は長円形横断面を有する柱状に形成され、伝熱部 157の円形横断面を有する柱状に形成されている。なお、これらの伝熱部 155, 157は、図示例では隔壁 151内に配置されたヒータ等の加熱手段 152により問接的に加熱されているが、これらの伝熱部自体が加熱手段で構成されていてもよぐまた、伝熱部の内部に加熱手段を埋め込んでも構わない。

[0053] また、フィルタ 153の原料気化空間 120A側には、遮蔽板 154が隣接配置されている。この遮蔽板 154は、例えば、ステンレス鋼などの熱伝導性材料 (金属材料)で構成されている。この遮蔽板 154は原料気化空間 120Aに面していて、原料気化空間 120Aから見た場合にフィルタ 153を覆い隠している。遮蔽板 154 (の外縁）と隔壁 1 51の内面との間には、上記原料気化空間 120Aと上記内部空間 150Aとを連通させる連通開口部 150Bが設けられている。

[0054] 遮蔽板 154は、上記フィルタ 153とともに、スぺーサ 156を介して伝熱部 155に固定されている。スぺーサ 156は、伝熱性の良い部材、例えば A1やステンレス鋼等の金属、セラミックスなどで構成される。なお、固定ネジ 156aは遮蔽板 154及びスぺーサ 156を伝熱部 155に固定する固定手段である。また、これと同様の固定手段がフィルタ 153を伝熱部 157に固定するためにも用いられている。フィルタ 153及び遮蔽板 154は、伝熱部 155及びスぺーサ 156を介して加熱手段 152からの伝導熱を受けることにより加熱されている力遮蔽板 154は、原料気化空間 120Aに臨む気化面 120 Bからの輻射熱を受けることによつても加熱されて、る。

[0055] 本実施形態では、延長された平面形状を有する伝熱部 155の内部に、隔壁 151に設けられた穴 15 lbに挿入された温度センサ（例えば熱電対） 159の検出点が配置されている。これによつて、伝熱部 155の温度、すなわちフィルタ部材 153の温度にきわめて近い温度を検出することができる。そして、この温度センサ 159の出力は、図示しない温度制御回路に接続され、この温度制御回路は、温度センサ 159の出力に基づいて加熱手段 152を制御するように構成できる。このように、本実施形態では、伝熱部 155の温度を検出して加熱手段 152を制御することができることから、遮蔽板 154の温度の制御性が向上するため、遮蔽板 154の温度低下を低減することができる。この場合、加熱手段 152の設定温度は気化面 120Bに対する設定温度と同一にすることが好ましい。

[0056] この実施形態にお!ヽては、原料供給ライン 115から供給される原料は噴霧ノズル 1 22により原料気化空間 120A内に噴霧され、ここで噴霧された原料のミストは、一部が飛行中に気化し、残余の部分は加熱手段 123によって加熱されている気化面 120 Bに到達してそこで加熱されて気化される。原料を気化させるためには、気化面 120 Bは、加熱手段 123によって原料の分解温度より低ぐかつ、原料の気化温度より高い温度範囲、たとえば 100〜350°C程度に加熱される。

[0057] このようにして原料気化空間 120Aにて生成された原料ガスは、遮蔽板 154を回避して流通開口部 150Bから内部空間 150Aに導入される。ここで、内部空間 150Aに導入された原料ガスはフィルタ 153を通過し、原料ガス輸送ライン 150Sに送出される。ここで、内部空間 150Aに導入された原料ガスには、原料気化空間 120Aにおいて気化されない微細な残留ミストが含まれている力これらの残留ミストはフィルタ 15 3に到達して捕捉され、更に加熱手段 152から伝熱部 155, 157を介してフィルタ 15 3に伝えられた熱によって気化される。このフィルタ 153もまた、上記気化面 120Bと実質的に同じ温度範囲になるように加熱されることが好ま、。

[0058] 本実施形態において、フィルタ 153の外縁 153aは、当該外縁 153aよりも剛性の高い支持部材 158によって全周に亘つて隔壁 151の内面に押圧固定されているので、支持部材 158による押圧力は全周に亘つて均一にフィルタ 153の外縁 153aに及ぼされる。また、隔壁 151とフィルタ 153の外縁 153aとの問に熱膨張率の差が存在することにより加熱手段 152などにより加熱されたときに両者の熱膨張量に差異が生じても、フィルタ 153の外縁 153aは支持部材 158と隔壁 151の内面との間で圧縮された状態にあるので、隔壁 151とフィルタ 153との密着状態が熱膨張率による影響を受けにくいこと力、フィルタ 153の外縁 153aと隔壁 151の内面との間に隙問が発生しにくくなる。したがって、原料ガスや残留ミストが当該隙間を通過して下流側へ漏れるといったことを防止できる。

[0059] 特に、本実施形態では、フィルタ 153の外縁が加熱されるだけではなぐ伝熱部 15 5, 157を介してフィルタ 153の内側部分も直接加熱されるので、当該内側部分の温度低下を低減して気化効率を高めることができるため、当該内側部分が局所的に目詰まりを起こすといったことを防止することができる。なお、上記の伝熱部 155, 157 は、原料ガスの流路断面においてフィルタ 153の全体に亘つてほぼ均一に分散配置されていることが好ましい。これによつて、フィルタ 153をより均一に加熱することが可能になり、残留ミストの気化効率を向上させることができ、また、フィルタの目詰まりをより低減できる。

[0060] 一方、遮蔽板 154は、噴霧ノズル 122から噴霧されるミストがフィルタ 153に直接到達することを防止するので、フィルタ 153が大量のミストによって熱を奪われ、その結果、付着したミストを気化させる能力が所定箇所において部分的に低下して、当該箇所において目詰まりを起こすことにより、原料ガスの送出量が低下するといつたことが防止される。また、伝熱部 155, 157を介して遮蔽板 154に熱が伝えられ、遮蔽板 15 4が加熱されることにより、この遮蔽板 154に原料気化空間 120A内の原料ミストが直接当ると、遮蔽板 154の表面でもミストが気化する。このように、本実施形態では、原料ガス送出部 150Xにおいても原料ミストの気化作用を果たすことができるので、全体として気化効率を高めることができる。

[0061] 上記実施形態において、原料ガス送出部 150Xは、隔壁 151を隔壁 121から取り外すことによって、簡単にフィルタ 153を取り出すことができるように構成されて！、る。したがって、フィルタ 153に目詰まりなどの問題が発生したときには、きわめて簡単かつ迅速にフィルタ 153を取り外し、清掃したり、或いは、新たなフィルタに交換したりすることができるので、メンテナンス時間が短縮され、装置の稼働率が向上し、歩留まりも向上する。

[0062] [他の構成例]

次に、フィルタ 153の外縁 153aと隔壁 151の内面とを気密に固定する取付構造の他の構成例について説明する。以下に説明する各構成例は、いずれも、上記の実施形態の取付構造の代わりに用いることができるものである。

[0063] 図 5に示す構成例では、フィルタ 153Aは、原料ガスを通過させることのできる通気性を有するフィルタ素材で構成された内側部分 153AXと、この内側部分 153AXに対して溶接、溶着、圧着などにより隙間なく接続された外縁部材 153AYとで構成されている。なお、フィルタ 153A以外は上記実施形態と同様に構成されている。ここで、内側部分 153AXは上記実施形態で説明したものと同様のフィルタ素材で構成され、外縁部材 153AYはそのフィルタ素材とは異なる素材、例えば、中実材質 (ムク材質)の金属などの通気性を有しない素材で構成される。外縁部材 153AYは押圧方向の負荷に対して支持部材 158よりも低い剛性を有する（変形し易い)。例えば、外縁部材 153AYが支持部材 158と同様の金属で構成される場合には、外縁部材 153 AYは支持部材 158よりも薄い板状材で構成される。フィルタ 153Aの外縁部材 153 AYは、支持部材 158によって全周に亘つて隔壁 151の内面に押圧固定され、隔壁 151の内面に密着している。この場合、外縁部材 153AYと隔壁 151との密着性を高めるために、相互に密着する外縁部材 153AYの表面と隔壁 151の表面に研磨などの平滑化処理を施すことにより、表面粗さを小さくすることが好ましい。特に、両表面の平坦度を高く構成することが好まし、。

[0064] また、上記構成において、外縁部材 153AYと支持部材 158が同じ剛性を有するように構成される場合は、支持部材 158を省略し、外縁部材 153AYのみを固定ネジ 1 58aを用いて隔壁 151の内面に押圧固定してもよい。この場合には、支持部材 158 が不要となるので、部品数が減り、低コストに構成できる。この場合、環状の外縁部材 153AYは内側に配置されたフィルタ素材 153AXの外周部に対して気密に接続され、し力も、フィルタ素材 153AXよりも高い剛性を有している。また、外縁部材 AYはその周回方向に均一な構造（断面形状)を有するように構成されて、る。

[0065] 図 6に示す構成例では、フィルタ 153Bは、通気性を有するフィルタ素材 153BXと、通気性を有しな、金属薄板などの可擁性板状材で構成される外縁部材 153BYとで構成されている。外縁部材 153BYは屈折し、上記フィルタ素材 153BXの外縁部分を挟み込むように、当該外縁部分に対して溶接、溶着、圧着などにより隙間なく接続されている。フィルタ 153Bの外縁は、上記外縁部材 153BYとこれに挟持されたフィルタ素材 153BXの外縁部分とによって構成される。フィルタ 153Bの外縁は押圧方向の負荷に対して支持部材 158よりも低い剛性を有し、支持部材 158の押圧力によつて、支持部材 158と隔壁 151との間で圧縮された状態にある。

[0066] 図 7に示す構成例では、フィルタ 153Cの外縁が支持部材 158Cと隔壁 151Cの内面との間に挟持され、圧縮された状態にある。フィルタ 153Cの外縁に当接する支持部材 158Cの表面には、フィルタ 153の径方向（図示上下方向）に見て凹凸状に構成され、凸部が設けられた表面凹凸構造 158cxが設けられている。この表面凹凸構造 158cxは、フィルタ 153Cの外縁に対応して設けられた溝部 158cyの内面に形成されている。そして、支持部材 158Cの表面凹凸構造 158cxと、フィルタ 153Cの外縁とは相互に密着し、フィルタ 153Cの密着面が径方向に凹凸状に構成されている。また、フィルタ 153Cの外縁に当接する隔壁 151Cの内面部分にも、フィルタ 153Cの径方向に見て凹凸状に構成され、凸部が設けられた表面凹凸構造 151cxが設けられている。この表面凹凸構造 151cxは、フィルタ 153Cの外縁に対応して設けられた溝部 151cyの内面に形成されている。そして、隔壁 151の表面凹凸構造 151cxと、フィルタ 153Cの外縁とは相互に密着し、フィルタ 153Cの密着面が径方向に凹凸状に構成されている。この構成例では、隔壁 151Cの表面凹凸構造 151cxの凸部と、支持部材 158Cの表面凹凸構造 158cxの凸部とがフィルタ 153Cの外縁を挟んで相互に対向する位置に設けられ、両凸部によってフィルタ 153Cの外縁が局部的に強く圧縮された状態となっているので、フィルタ 153Cの外縁と隔壁 151Cの内面との間の気密性や密着性がより向上して、る。

[0067] 図 8に示す構成例では、図 7に示す構成例と同様に、支持部材 158Dの表面に凸部を備えた径方向の表面凹凸構造 158dxが設けられ、この表面凹凸構造 158dxはフィルタ 153Dの外縁に対応して設けられた溝部 158dyの内面に形成されてヽる。また、隔壁 151Dの内面部分にも凹部を備えた径方向の表面凹凸構造 151dxが設けられている。この表面凹凸構造 151dxはフィルタ 153Dの外縁に対応して設けられた溝部 151dyの内面に形成されている。この構成例が先の構成例と異なる点は、支持部材 158Dの表面凹凸構造 158dxの凸部と隔壁 151Dの表面凹凸構造 151dxの凹部とがフィルタ 153Dの外縁を挟んで相互に対向する位置に設けられている点である。また、支持部材 158の表面凹凸構造 158dxの凹部と隔壁 151Dの表面凹凸構造 1 51dxの凸部とがフィルタ 153Dの外縁を挟んで相互に対向する位置に設けられている。これによつて、フィルタ 153Dの外縁が圧縮されつつ局部的に隔壁 151D側に変形された状態となるので、フィルタ 153Dの外縁と隔壁 151Dの内面との間の気密性や密着性がより向上する。

[0068] 図 9に示す構成例では、フィルタ 153Eの外縁の表面に径方向に凹凸状に構成された表面凹凸構造 153exが形成されている。この表面凹凸構造 153exは、フィルタ 153Eの外縁の一部に凸部を設けたものである。図示例では、フィルタ 153Eの外縁の表裏両面にそれぞれ凸部及び凹部を備えた表面凹凸構造 153exが設けられている。一方、隔壁 151Eには、フィルタ 153Eの外縁に対応する部分に溝部 15 leyが形成され、また、支持部材 158には、フィルタ 153Eの外縁に対応する部分に溝部 158 eyが形成されている。ここで、支持部材 158による押圧固定により、上記表面凹凸構造 153ex力 S支持咅材 158の溝咅 158eyの内面や隔壁 151の溝咅 151eyの内面に圧接され、これによつて、フィルタ 153Eの外縁のうち表面凹凸構造 153exの上記凸部が設けられている部分が局部的に強く圧縮された状態となっているので、フィルタ 153Eの外縁と隔壁 151Eの内面との間の気密性及び密着性が向上する。

[0069] 図 10 (a)に示す構成例では、フィルタ 153Fの外縁が支持部材 158Fと、シール部材 158Gの間に挟持された状態となっており、シール材 158Gは隔壁 151Fの内面の一部に設けられた凹所 151Fxに収容され、その内面部分に密着固定されている。支持部材 158Fは上記各構成例と同様にフィルタ 153Fの外縁よりも押圧方向の負荷に対して高い剛性を有する。また、シール部材 158Gはフィルタ 153Fの外縁よりも、押圧方向の負荷に対して押圧方向に変形し易い (低剛性)。このため、支持部材 15 8Fによってフィルタ 153Fの外縁は全周に亘つて均一に押圧される。また、その押圧力によってシール部材 158Gは圧縮され、フィルタ 153Fの外縁及び隔壁 151Fの内面に対して共に緊密に密着固定される。

[0070] 上記シール部材 158Gは、フィルタ 153Fの外縁よりも押圧方向に弾性変形しやすく構成されている。より具体的には、シール部材 158Gは、合成ゴムなどのように弾性変形しやすい素材で構成されている。なお、シール部材 158Gは、その構造（断面形状）に起因して結果的にシール材 153Fの外縁よりも押圧方向に弾性変形しやすく構成されたものであってもよぐ素材自体の弾性係数は必ずしもフィルタ 153Fの外縁の素材の弾性係数より低くなくてもよい。例えば、図 10 (b)に示すシール部材 158 Hは、その内部が中空に構成されている。また、図 10 (c)に示すシール部材 1581は、一部が開いた湾曲状 (C字状若しくは U字状)の断面を有する。さらに、図 10 (d)に示すシール部材 158は、一部が開いた屈折状 (コ字状)の断面を有する。上記のシ一ル部材の構成素材は、フィルタに熱を伝え易くするという観点では金属材料、特に、ステンレス鋼、或いはアルミニウム、チタン、ニッケルなどの非鉄金属であることが好ましぐまた、セラミックスや石英などの無機材料であってもよぐさら〖こ、弾性変形させやすいものとしては、各種の合成ゴム、テトラフルォロエチレンその他のフッ素系榭脂、ウレタン系榭脂などの耐熱榭脂材料であってもよ!、。

[0071] この構成例では、シール部材 158G〜158Jが主体的に弾性変形することにより、フィルタ 153Fの外縁、シール部材1580〜158】、及び、隔壁 151Fの内面の間の気密性ゃ密着性が確保されるので、シール部材 153Fと隔壁 151Fとの間を原料ガスや残留ミストが流通することを確実に阻止することができる。

[0072] 図 14は、本実施形態のフィルタ取付構造を用いた場合において、成膜部 130で基板 (8インチ径のシリコンウエノ、）上に成膜された薄膜上に存在する 0. 2 μ m以上の粒径を有するパーティクルの数の処理時間依存性を測定したものである。ここで、白抜きの正方形で示すデータが、原料ガス供給ライン途中にラインフィルタ 150Fを介在させた場合のデータであり、白抜きの丸で示すデータがラインフィルタ 150Fを使用しな、場合のデータである。

[0073] 図 14に示すように、本実施形態では、従来に較べてパーティクル数がきわめて少ない良好な結果が得られた。これは、本実施形態では、フィルタの周囲に隙間が発生しないため、パーティクルや残留ミストの漏出も生じないためであると思われる。また、実際には、本実施形態ではパーティクル数の少ない状態が安定して得られるという利点もある。さらに、本実施形態では処理時間が経過してもパーティクル量はほとんど変化しない。これは、本実施形態のフィルタでは内側部分にも上記伝熱部によつて熱が伝達されることにより内側部分の温度低下が少なぐ残留ミストがフィルタに到達しても効率的に気化されるため、また、遮蔽板 154の遮蔽効果が得られるため、フィルタの局部的な目詰まりが発生しにくいからと思われる。また、本実施形態ではラインフィルタ 150Fを使用しない場合と使用した場合とでパーティクル数にほとんど差がないことから、本質的には気化器 120のガス導出部 150Xに設けたフィルタ構造のみによってパーティクルの抑制がなされていることがわかる。

[0074] <第 2実施例 > [原料ガスの輸送経路]

本実施形態において、原料気化部 120は成膜部 130の上方に配置され、原料気化部 120から導出される原料ガス輸送ライン 150S、及び、原料ガス輸送ライン 150T で構成される輸送経路部分は、極力屈曲部を少なくし、かつ、各屈曲部の屈折角度を小さくするように構成されて、る。輸送経路の屈曲部はラインの圧力損失を生じさせ、屈曲角度が大きくなるほど圧力損失が大きくなり、これらによって原料ガスに圧力変動が生じて配管内で固化する可能性が高くなるので、輸送経路内で生ずるパーテイタル量を低減するには、上記のように屈曲部を極力少なくし、かつ、その屈曲角度を小さくすることが効果的である。

[0075] 上記のように、原料ガス輸送ライン 150Sと 150Tとの間にはラインフィルタ 150Fを設けなくてもよいが、このラインフィルタ 150Fを設ける場合においては、その内部に配置されるフィルタは、上記のフィルタ 153又は 153A〜153Fと同様に環状の支持部材ゃシール部材などを用いて取り付けることが好まし、。

[0076] 図 11は、本実施形態の成膜部 130を示す一部縦断面図である。図 11に示すように、成膜部 130の外部には、上記のガス導入バルブ 150Vや成膜部 130に固定されたバルブベースブロック 150Pで構成されるガス導入ブロック 150Yが設けられている。ここで、ガス導入バルブ 150Vは、 2連のダイヤフラムバルブなどで構成され、原料ガス輸送ライン 150Tで供給される原料ガスを、原料ガス輸送ライン 150Uとバイパスライン 140Tのいずれかに切り替えて送出できるように構成されたものである。

[0077] また、上記のガス導入ブロック 150Yの内部にて上記パージライン 110Pが原料ガス輸送ライン 150Uに接続されている。上述のように、パージライン 110P (図 11には図示せず。図 1を参照。）は、原料ガス輸送ライン 150Uにおけるガス導入バルブ 150V の近傍位置 (ガス導入ブロック 150Y)に接続されている。具体的には、図 1に示すように、ガス導入バルブ 150Vの流路切替部よりやや下流側 (原料ガス輸送ライン 150 Uの基部、図示例ではバルブベースブロック 150P内にある部分）にパージライン 11 OPが合流している。この構成によって、本実施形態では、原料ガスの輸送経路におけるパージライン 110Pの合流位置と.ガス導入バルブ 150Vとの間の配管容積 (バルブベースブロック 150P内の配管容積の一部）を従来よりも大幅に低減している。例えば、従来構造の成膜装置では上記配管容積は 42. Ice (ml)であったものが、本実施形態では 2. 4ccとなった。これによつて、成膜部 130への原料ガスの供給状態力停止状態への切替操作時に原料ガスが滞留する空問を極小にすることができる。そして、この滞留空間が極小になることにより、当該滞留空間内の原料ガスをパージガスによって容易に希釈若しくは置換することができるので、原料ガスの滞留に起因する輸送経路内でのパーティクルの発生を防止できる。ここで、パージライン 11 0Pをガス導入バルブ 150Vの内部に直接接続してもよい。すなわち、パージライン 1 10Pをガス導入バルブ 150Vの流路切替部に合流させ、ガス導入バルブ 150Vにより、 4つの流路である原料ガス輸送ライン 150T、原料ガス輸送ライン 150U、パージライン 110P及びバイノスライン 140Tが適宜の接続態様となるように切り替え可能に構成してもよい。この場合には、上記原料ガスの滞留空間はほとんど完全になくなるので、配管内におけるパーティクルの発生をより確実に防止できる。

[0078] なお、本実施形態では、原料気化部 120を成膜部 130の上方に配置しているが、原料気化部 120をガス導入バルブ 150Vの近傍に配置してもよい。この場合には、原料ガスの輸送経路が短くなるので、輸送経路途中におけるパーティクルの発生量をさらに低減させることができる。

[0079] 上記の原料ガス輸送ライン 150Uは、上記ガス導入ブロック 150Y (より具体的にはバルブベースブロック 150P)力も上方若しくは斜め上方へ向力上昇ライン部分 150 uxを備え、この上昇ライン部分 150uxの先に、成膜部 130のガス導入部 132へ向けて垂直下方に伸びる下降ライン部分 150uyが設けられている。

[0080] 上記のように上昇ライン部分 150uxが設けられていることで、本実施形態では、ガス導入バルブ 150Vから成膜部 130へと輸送される原料ガス中にパーティクルが含まれていても、当該パーティクルが上昇ライン部分 150uxにて下流側へ進みに《なるため、成膜部 130へ導入されるパーティクル量を低減できる。特に、パーティクルのうち重いもの（大きいもの）に対して高い効果が得られる。実際に、成膜部 130内で確認されるパーティクルのうち、原料ガスの輸送経路で発生して成膜部 130へ導入されるパーティクルの多くは、小さな複数のパーティクルが凝集した塊状のものであることがわかっている。このような塊状のパーティクルは重量が大きぐ粒径も大きいので、上昇ライン部分 150uxにおいて下流側へ移動しにくい。また、この種の大きなパーテイタルは成膜品位への影響が大き!/、ので、特に大きなパーティクルを除去できると!ヽう点で上昇ライン部分 150uxを設ける構成は非常に有効である。

[0081] また、上昇ライン部分 150uxは、ガス導入バルブ 150Vの下流側、すなわち、成膜部 130の近傍に設けられているので、原料ガスの輸送経路の大部分がそれよりも上流側にあることから、当該大部分において発生したパーティクルの進行を抑制することができるので、成膜部 130へのパーティクル導入量の低減効果が高くなるものと思われる。

[0082] さら〖こ、上昇ライン部分 150uxの基端はガス導入バルブ 150Vの近傍であり、しかも、ガス導入バルブ 150Vに接続されたバイパスライン 140Yは下方に向けて伸びているので、輸送経路に沿って運ばれてくるパーティクルの多くは、ェバック作業時において、原料ガスライン 150Tからガス導入バルブ 150Vを介してバイパスライン 140 Yを通って効率的に排出される。したがって、ェバック作業時において輸送経路内にパーティクルが留まる可能性が少なくなるため、輸送経路内に留まったパーティクルが成膜時において成膜部 130へ向力といったことを防止できる。ここで、バイパスライン 140Yは、気化器内の不安定な気化ガス (パーティクルや未気化の残留ミストを含む。）を排気するもので、安定した気化ガスをチャンバ内へ供給する目的で設けられたものである。

[0083] 本実施形態では、ガス導入部 132に向けて垂直下方に伸びる下降ライン部分 150 uyの高さ Hを充分に確保している。これにより、原料ガスの圧力がガス導入部 132の内部にて慣性や進行方向の変化によって偏ることが防止される。すなわち、上記高さ Hが小さいと、成膜部 130のコンパクト化には好都合であるが、原料ガスが側方（図示右側)力供給されることによって、原料ガスの慣性や流れ方向の変化による圧力変動により、ガス導入部 132の内部において原料ガスの圧力分布が偏る（ばらつく）ことになるので、成膜処理の均一性も損なわれる。ここで、上記の偏り（ばらつき）は比重の重いガスを用いる場合ほど顕著になる。なお、上記事項は原料ガス輸送ライン 1 50U及び原料ガスに関するものである力反応ガス供給ライン 119及び反応ガスについても上記と同様である。

[0084] 本実施形態では、上昇ライン部分 150uxを設けることで、下降ライン部分 150uyの高さ Hを大きく確保することが可能になっている。したがって、成膜部 130へのパーテイタル導入量の低減と、成膜部 130への原料ガスの偏りを抑制する効果とを共に得ることができる。また、これらの効果は、相互に密接に関連している。図 16は、上記高さ Hを変化させてガス導入部 132から成膜部 130内に導入されるガスの流速分布のシミュレーシヨン結果を示すグラフである。ここで、図 15に示すように、ガス導入部 132 に接続される導入管を内径 11mmの直管を 90度屈折させたものとし、導入管を 210 °Cに加熱した状態とし、さら〖こ、予め均一に混合した不活性ガス及び有機溶媒を、導入管の流入側の流量 Linが不活性ガスであるアルゴンガスが 300sccm、有機溶媒である酢酸ブチルが 1. 2mlZminで一定になるように供給し、また、導入管の流出側の圧力 Poutが約 319. 2Pa (2. 4torr)と一定になるように設定してシミュレーションを行った。図中 HIは上記高さ H力 6mmの場合の分布、図中 H2は 92mmの場合の分布、図中 H3は 138mmの場合の分布をそれぞれ示す。この図 16に示すように、下降ライン部分 150uyの高さ Hが小さいときには、ガスの流速分布の偏りにより、基板上の成膜の分布もまた同様に偏ったものになることがわかる。したがって、上記高さ Hを大きくすることで、基板上の成膜の面内均一化も可能となる。この場合、ガス密度などにより上記偏り（均一性〉に関する効果も変化するので、ガスの種類や温度などに応じて上記高さ Hは適宜に設定される。上記高さ Hの範囲としては、好ましくは 6 Ocm以上、より好ましくは 80cm以上であり、また、装置サイズを考慮すれば 1000cm 以下であることが好ましい。

[0085] また、上記原料ガス輸送ライン 150Uは全体としてアーチ状に構成され、上昇ライン部分 150uxの垂直上方に伸びる部分と、斜め上方に伸びる部分との接続部分、並びに、上昇ライン部分 150uxと下降ライン部分 150uxの接続部分が緩やかな（曲率半径の大きな）湾曲形状となっている。これによつて、原料ガス輸送ライン 150Uの途中で圧力変動を防止することができる。

[0086] さらに、図 11に示すように、成膜部 130の近傍において、反応ガス供給ライン 119 は、上記原料ガス輸送ライン 150Uに沿って配管され、上記ガス導入部 132に接続されている。これにより、原料ガス輸送ライン 150Uと同様の下降ライン部分を反応ガスライン 119にも設けることができるため、ガス導入部 132内の反応ガスの偏りを防止できる。また、反応ガス供給ライン 119と原料ガス輸送ライン 150Uとを成膜部 130の近傍で共通のヒータブロック（マントルヒータなど） 150Hで加熱することが可能になるので、ラインの加熱構造を簡易に構成できる。以上の構成により、原料ガスが均一にガス導入部 132に供給され、処理容器内に均一に導入される。

[0087] <第 3実施形態 > [成膜部の構造]

次に、図 11乃至図 13を参照して、本実施形態の成膜部 130の内部構造について説明する。図 11に示すように、成膜部 130は、上記のように成膜容器 131の一部隔壁（図示上部）にガス導入部 132が設けられ、このガス導入部 132から成膜容器 131 の内部の上記サセプタ 133へ向けて原料ガス及び反応ガスが導入されるようになつている。ガス導入部 132には、上記原料ガスを内部に導入するための多数の原料ガス導入口 132aと、上記反応ガスを内部に導入するための多数の反応ガス導入口 13 2bとが設けられた、いわゆるポストミックス型のシャワーヘッド構造を有する。また、このガス導入部 132は、複数のプレートが積層された積層プレート構造を有している。図示例では、ガス導入部 132は上部プレート 132A、中間プレート 132B及び下部プレート 132Cの 3層構造を有する。中間プレート 132Bの表面及び裏面には原料ガスの拡散空間を提供する凹部 132c及び反応ガスの拡散空間を提供する凹部 132dがそれぞれ形成されている。図示された実施形態において、凹部 132cは単一の大きな円盤状の窪みからなり、当該窪みの底から多数の円柱状の凸部 132fが突出している。各凸部 132fは上部プレート 132Aの下面に密接しており、これにより中間プレート 132Bと上部プレート 132Aとの間の良好な熱伝導が確保されている。同様に、凹部 132dは単一の大きな円盤状の窪み力もなり、当該窪みの底力も多数の円柱状の凸部 132gが突出している。各凸部 132gは下部プレート 132Cの上面に密接しており、これにより中間プレート 132Bと下部プレート 132Cとの間の良好な熱伝導が確保されている。このようにプレート 132A, 132Bおよび 132C間の良好な熱伝導を確保することにより、下部プレート 132C表面 (シャワーヘッド表面）の温度を良好に制御することが可能となり、均一な成膜が可能となる。凹部 132cは、原料ガス輸送ライン 150Uに接続されるとともに上部プレート 132Aを貫通して延びる通路に接続されている。凹部 132dは、反応ガス供給ライン 119に接続されるとともに上部プレート 13 2A及び中間プレート 132Bを貫通して延びる通路に接続されている。凹部 132cの底には、中間プレート 132B及び下部プレート 132Cを連続的に貫通して延び、下部プレート 132Cの下面に開口する原料ガス導入口 132aにつながる多数の小通路 13 2a'が接続されている。凹部 132dには、下部中間プレート 132Cを貫通して延び、下部プレート 132Cの下面に開口する反応ガス導入口 132bにつながる多数の小通路 132b'が接続されている。なお上記の凹部および凸部は上部プレート 132A及び Z 又は下部プレート 132Cの中間プレート 132Bと接する側に形成してもよい。

ガス導入部 132の上面には、複数のフィンやプレート構造などで構成される放熱部 132eが設けられている。この放熱部 132eは、成膜容器 131の内部の熱がガス導入部 132を介して外部に放熱される際の放熱効率を高めるためのものである。この放熱部 132eを設けることで、ガス導入部 132内の熱の流れが均等に分散され、また、放熱効率が向上するので、原料ガス導入口 132a及び反応ガス導入口 132bが設けられるガス導入部 132の処理空間側部分（下部プレート 132C)の温度の制御性及び均一性が向上し、成膜領域の温度の安定ィ匕を図ることができる。そして、この温度の安定ィ匕によって、ガス反応の安定ィ匕ゃ堆積物の剥離低減などを図ることができるので、成膜部 130内のパーティクルが低減され、良質な堆積物を形成することが可能になる。

[0089] なお、温度センサ 132tは熱電対などで構成され、ガス導入部 132の処理空間側部分（下部プレート 132C)の温度を検出するようになっている。そして、この温度センサ 132tの検出温度により、ガス導入部 132の内部や外面上などに設けられた図示しないヒータなどの加熱手段や冷却ファンなどの冷却手段を制御し、ガス導入部 132の温度制御を行うようにしてもよい。このよう〖こすると、ガス導入部 132の処理空間側部分（下部プレート 132Cの表面部）の温度をさらに安定ィ匕させることができる。

[0090] また、成膜容器 131の内部は図 1にも示す排気ライン 140Aに接続され、所定の圧力に減圧されるようになっている。また、成膜容器 131の下部には石英などの透光性素材で構成された窓 13 lpが設けられ、この窓 13 lpを通してその下方に配置されたランプ加熱装置 139が垂直軸周りに回転しながらサセプタ 133に加熱用の光を照射するようになつている。このランプ加熱装置 139は、中心側加熱部 139Aの熱線強度 (加熱強度）と周辺側加熱部 139Bの熱線強度 (加熱強度）を独立に制御できるように構成されている。これによつて、後述するように、サセプタ 133の半径方向の温度プロファイルを適宜に制御できるようになつている。窓 131pの上方には環状のリフレクタ 1 31qが設けられている。リフレクタ 131qは、窓 131pを透過したランプ光をサセプタ 13 3に集光し、サセプタ 133の効率的かつ均一な加熱に寄与する。成膜容器 131の底部には、窓 131pとサセプタ 133により区画された空間 131sに Ar若しくは N等のパ

2 ージガスを供給するためのパージガスライン 13 Itが接続されて、る。成膜容器 131 の底部の窓 131pの直ぐ上で、円周方向に等間隔で配置された複数のパージガス導入口 13 luが開口して!/、る。パージガスライン 13 Itと複数のパージガス導入口 13 lu とは、成膜容器 131の隔壁内部に形成された図示しない通路を介して連通している。パージガスを空間 131sに供給することにより、窓 131pの表面にランプ加熱装置 13 9からの熱線を遮る望ましくない堆積物が生じることが防止される。なお、上記のランプ加熱装置 139の代わりに、抵抗加熱装置を用いてもよ!ヽ。

[0091] 図 12は、サセプタ 133及びその近傍を示す平面図である。サセプタ 133の表面上には基板 Wが配置される。サセプタ 133の表面には、基板 Wの位置決めを行うための位置決め突起 133pが設けられている。本実施形態では、複数の位置決め突起 1 33pが基板 Wを配置するための成膜領域 133Aの周囲を取り巻くように離散的に (分散して)配置されている。位置決め突起 133pは、図 12中の拡大斜視図に示すように、基板 W側の内側面が凸曲面状 (平面視円弧状）に構成されている。ここで、位置決め突起 133P全体が平面視円形或いは環状に形成されていてもよい。また、基板 W 側の内側面が角状に構成されていてもよい。さらに、位置決め突起 133pとしては、基板 Wを取り囲むように環状に連続して形成されたものでなければよぐ例えば、環状の位置決め枠の複数箇所にスリットを設けた構造など、結果として基板 Wの載置領域の周囲にお、て不連続に、或、は均等に分散された状態に形成されて!、ればよい。

[0092] サセプタ 133は、図 17に示す支持枠 136S及び 136Tを含む支持体 136によって外周部が支持されている。図示例の場合、サセプタ 133は SiCで構成され、支持枠 1 36Sは環状の石英で構成され、支持枠 136Tは環状のアルミニウムで構成されている。排気口 136aはサセプタ 133の下方空間を排気する開口である。また、サセプタ 1 33と支持枠 136Sの接続部分上にはプロテクションリング 135が載置された状態にある。なお、図 12に示す点線のハッチングは、プロテクションリング 135の範囲を示すだけの目的で施したものであり、断面表示ではない。このプロテクションリング 135は Si Cで構成されている。サセプタ 133やプロテクションリング 135は SiCに限らず、 A120 や A1Nなどの他のセラミックス材料で構成されて!ヽても構わな!/、。プロテクションリン

3

グ 135は、サセプタ 133と支持枠 133Sの間隙を覆うこと〖こより、プロセスガスのサセプタ裏面側への流入を防止するために配置される。

[0093] なお、上記実施形態では、プロテクションリング 135がサセプタ 133と別体に構成されている力サセプタ 133の外周部に支持枠 136S上に張り出す張り出し部を一体に設け、この張り出し部によって支持枠 136Sとの間隙を覆うように構成してもよい。この場合には、張り出し部が一体に構成されているため、プロテクションリング 135を設ける必要がなくなり、基板 Wの外周側の温度勾配をさらに低減することができる。

[0094] 従来構造では、図 18に示すように、サセプタ 133 'には、基板 Wの成膜領域を取り巻くように平面リング状に構成された位置決め枠 133ρ'を設けていた。このため、図 1 9に示すように、プロセスガスが中央の基板 W上力も外周側へ流れる際に、基板 Wと位置決め枠 133ρ'との間に僅かな隙間があると、プロセスガスの滞留が起こり、堆積物が付着しやすくなるとともに、位置決め枠 133ρ 'の内縁段差によってガス流が上方に向けられ、乱流が生じるため、このガス流とともに上記の隙間に形成された堆積物や位置決め枠 133ρ'上の堆積物 (特に剥離片など）が巻き上げられて基板 W上にパ一ティクルとして堆積することにより、成膜品位を悪化させるという問題点があった。

[0095] 本実施形態では、上記のように複数の位置決め突起 133ρが離散的に配置されていることにより、リング状の位置決め枠を備えた従来構造に較べて、基板 W上に導入されたガスが基板 Wの周囲に向けて流れ易くなるので、ガスの滞留が防止され、基板 Wの周囲の堆積物が少なくなるため剥がれにくぐまた、基板 Wと堆積物とが擦れ合うことなどに起因するパーティクルの発生量が低減される。また、位置決め突起 133ρ の内側面が凸曲面状に構成されていることにより、ガス流の流れがスムーズになるので、基板 Wの周囲の堆積物の密着性が向上し、堆積物の剥離物や堆積物がさらに少なくなるという効果がある。

[0096] サセプタ 133の表面は、基板 Wを載置する上記の成膜領域 133Aと、この成膜領域 133Aの周囲に設けられた外周領域 133Bとを備えている。そして、上記の位置決め突起 133ρは、この成膜領域 133Aと外周領域 133Bとの間に形成されている。本実施形態のサセプタ 133では、成膜領域 133Aと外周領域 133Bとが同一素材で一体に構成されている。また、このサセプタ 133の表面上には、基板 Wが載置されるべき成膜領域 133A上だけでなぐその周囲の外周領域 133Bの内周側部分上にも他の部材が配置されていない。さらに、サセプタ 133の成膜領域 133Aの表面と外周領域 133Bの表面とが同一面（同じ高さ）になるように構成されることが好ましい。また、外周領域 133Bの表面と、成膜領域 133A上に載置された基板 Wの表面とが同一面になるように構成されて、てもよ、。

[0097] 図 18及び図 19に示すように、基板 Wが載置される成膜領域 133A'のすぐ外側 ( すなわち位置決め枠 133ρ'の外側）に SiCなどで構成されるプロテクションリング 135 ，が配置された場合とは異なり、本実施形態では、プロテクションリング 135は外周領域 133Bの内周側部分には配置されず、サセプタ 133の最外周の外縁部分上にのみ配置されている。したがって、成膜領域 133Aから外周領域 133Bに亘る範囲上には他部材が存在せず、サセプタ 133の表面は露出して、その表面は上記範囲において同一高さを有する平面となっている。また、サセプタ 133の上記外縁部分の表面はプロテクションリング 135の厚さ分だけ低くなつており、その結果、当該外縁部分上に配置されたプロテクションリング 135の表面と、その内側のサセプタ 133の表面とがほぼ同一高さになるように (すなわち、段差がほとんど形成されな、ように)構成されている。

[0098] また、サセプタ 133'では、基板 Wの温度の均一性を高めるために熱伝導性の高い素材で形成されている力図 18及び図 19に示すように、位置決め枠 133ρ'に隣接してプロテクションリング 135'が配置されていることにより、基板 Wの外縁が位置決め枠 133ρ，を挟んでプロテクションリング 135，に近接しているため、プロテクションリング 135'により基板 Wの外縁の温度が低下しやすい。これは、サセプタ 133'が図 11 に示すランプ加熱装置 139により下方から加熱されるとき、サセプタ 133'とプロテクシヨンリング 135 'は単に接触している力、或いは、極めて微細な隙間を介して隣接しているだけであるので、サセプタ 133'との問の熱伝導性が悪ぐその結果、プロテクシヨンリング 135 'の温度がサセプタ 133'よりも低くなり、これが基板 Wに温度勾配をもたらし、基板 Wの温度均一性を低下させるからである。例えば、直径 200mmの基板 W用のサセプタ 133 'を 650°C程度に設定した所定の成膜条件下で各部の温度を計算すると、プロテクションリング 135'は 585〜630°C、平均で 595°C程度になり、サセプタ 133 'とプロテクションリング 135 'の温度差は 50°Cを越えることが確認されている。なお、図 18に示す点線のハッチングは、プロテクションリング 135'の範囲を示すだけの目的で施したものであり、断面表示ではない。

[0099] 図 17に示す本実施形態では、サセプタ 133において位置決め突起 133pの外側にプロテクションリング 135で覆われていない領域が広がり、プロテクションリング 135 は、サセプタ 133の外縁部のみを覆っている。例えば、図示例の場合、位置決め突起 133pは中心から 100mm離れた位置に形成され、プロテクションリング 135の内縁は中心から 150mm離れた位置にある。

[0100] このように、本実施形態では、成膜領域 133A力も外周領域 133Bまでが同一の素材で一体に構成されているとともに、外周領域 133Bの内周部分をプロテクションリングで覆っていないので、サセプタ 133の温度が均一になる。特に、外周領域 133Bの内周部分の温度低下が抑制されるため、基板 Wの周囲の堆積物の密着性が向上し、温度勾配による堆積物の剥離が抑制される。したがって、堆積物の剥離等に起因するパーティクルの発生量を更に低減できる。図 18及び図 19に示す従来構造で成膜した場合には、位置決め枠 133ρ'上や外周領域 133B'において堆積物が剥離し、特に、位置決め枠 133ρ'の表面では堆積物の剥離が顕著であった。これに対して、本実施形態の構造で成膜を行ったところ、位置決め突起 133ρ上をも含めて外周領域 133Bでは均一に堆積物が付着し、堆積物の剥離は全く観察されな力た。また、本実施形態では、上記のように外周領域 133Bの温度の均一性が向上したことにより、基板 Wの温度分布も均一化され、基板上の成膜の面内均一性、薄膜組成の均一性が向上する。さらに、サセプタ 133の表面と、その外縁部分上に配置されるプロテクションリング 135の表面とがほぼ同一の高さになるように構成されていることにより、プロテクションリング 135の内縁により段差が形成されることもなぐしたがってガスの流れを妨げることもなくなるため、成膜の均一性をさらに向上させることができる。

[0101] プロテクションリング 135の内縁位置は、上記の効果を得るために、位置決め突起 1 33ρの半径位置 (或いは、中心力も基板 Wの半径分だけ離れた位置)よりも、さらに成膜領域 133Aの半径の 30%以上外側に離間した位置に設定されていることが好ましい。特に、上記半径の 45%以上外側に離間した位置に設定されていることがより望ましい。

[0102] 本実施形態では、サセプタ 133の成膜領域 133Aと外周領域 133Bの温度を均一化するため、ランプ加熱装置 139の中心側加熱部 139Aの照射エネルギーと、周辺側加熱部 139Bの照射エネルギーとをそれぞれ独立に制御できるように構成されている。これによつて、サセプタ 133の温度分布をより高精度に均一化することができる。また、温度分布の均一化を図るために、図 20に示すように、サセプタ 133"の外周領域 133B"の厚さ d2を、基板 Wを載置する成膜領域 133A"の厚さ dlよりも薄く形成してもよい。これによつて、サセプタ 133"の外周領域 133B"の表面温度が上昇し易くなるため、外周領域 133B"の外縁から外側（支持体 136側）へ逃げる熱による基板 Wの半径方向の温度勾配が低減される。なお、図 20に示す構造においては、図 1 7と同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。

[0103] なお、図 12に示すリフターピン 133qは、基板 Wの搬入時及び搬出時において基板 Wをサセプタ 133の表面から上方に持ち上げた状態に支持するためのものである。ここで、図 1、図 11及び図 13においては、上記のリフターピン 133q及びこれをサセプタ 133に対して出没させるための昇降駆動機構については、図示を省略してある。

[0104] 図 13は、図 12とは異なる方向の断面形状を示す縦断面図である。図 11及び図 13 に示すように、成膜容器 131の内壁側には、上記サセプタ 133を取り巻くように筒状のシールド部材 137が脱着可能に配置されている。シールド部材 137は、例えば、ァルミ-ゥム、チタン、ニッケル等のような熱伝導性の良好な金属素材で構成され、特に、アルミニウムの表面にアルマイト処理を施したものであることが望ましい。図 13に示すように、成膜容器 131の側部には、基板 Wを搬入及び搬出するための搬送口 1 31Aが形成され、この搬送口 131Aは、搬送通路 131Xに連通し、ゲートバルブ 131 Yの開閉動作によって開閉可能に構成されている。また、搬送口 131Aに対応する位置の上記シールド部材 137の側壁には開口部 137aが形成され、この開口部 137 aは、可動の（上下方向に移動可能に構成された)シールドゲート板 138によって開閉可能に構成されている。このシールドゲート板 138は、上記ゲートバルブ 131Yと同期して開閉するように構成され、シールドゲート板 138及びゲートバルブ 131 Yが開くことによって基板 Wを出し入れできるようになつている。シールドゲート板 138は上記シールド部材 137と同じ素材、すなわち、熱伝導性の良好な金属素材で構成されることが好ましい。このシールド部材 137は脱着可能に構成されているので、稼働率及びメンテナンス性が向上する。

[0105] また、シールド部材 137の内面には支持体 136側に向けて張り出したバッフル部 1 37bが突設されている。このバッフル部 137bは成膜領域の周囲において環状に配置された整流板であり、ノッフル部 137b上には成膜容器 131内を均一に排気するための整流孔が設けられ、この整流孔はスリット状又は丸状に形成されている。これにより、成膜容器 131の内部のガスが整流され、排気ラインへ向けて均等に排気されるようになっている。また、搬出口 131A側に配置されたバッフル部 136bはバッフル部 137bとは別体に形成されている。ただし、バッフル部 136bと 137bとが一体に構成されていてもよい。

[0106] さらに、成膜容器 131の内面と、上記シールド部材 137との間には、導入口 131d から Arその他の不活性ガスなどのパージガスが導入され、成膜容器 131の内面に堆積物が付着しないように構成されている。これにより、成膜装置の稼働率及びメンテナンス性が向上する。さらに、搬送口 131X内から内部に向けて不活性ガスなどのパージガスを導入するための導入口 131Zも設けられて、る。

[0107] 本実施形態では、シールド部材 137を金属で構成したことにより、シールド部材 13 8の熱伝導性が良好になるため、シールド部材 137に付着した堆積物が剥離しにくくなることから、成膜容器 131内において発生するパーティクル量を低減することが可會になる。

[0108] <第 4実施形態 > [ガス導入バルブの構造]

図 21乃至図 23には、本実施形態の上記ガス導入バルブ 150Vの具体的な構造を示す。このガス導入バルブ 150Vは、ガス導入口 180と、ガス導出口 187と、ガス排気口 189とを有する。ガス導入口 180は上記原料ガス輸送ライン 150Tに接続され、ガス導出口 187は上記成膜部 130 (具体的には原料ガス輸送ライン 150U)に接続され、ガス排気口 189は上記バイパスライン 140Yに接続されている。内部には、ガス導入口 180に接続された導入路 181が設けられ、この導入路 181は、ダイヤフラム弁 160の動作により、上記ガス導出口 187を備えた導出路 186に連通した状態と、この導出路 186とは遮断された状態の、ずれかの状態を取るように構成されて、る。

[0109] 具体的には、導入路 181は、ダイヤフラム弁 160のロッド 161 (図示上方のァクチュエータによって上下に動作する。 )によって駆動される弁体 (ダイヤフラム） 162が臨むバルブ内空間（環状の溝） 163 (図 22及び図 23参照）に開口部 182にて開口し、また、当該バルブ内空間 163に対して上記導出路 186が開口部 184にて開口している。なお、図 22に示すように、導入路 181と開口部 182との間の図示上下方向に伸びる接続路 181sは、開口部 182の開口面積と同じ流通断面積を有するように構成され、具体的には、開口部 182と同一の開口形状及び開口寸法を有するように構成されている。ただし、開口部 181の開口面積が導入路 181の流通断面積より大きい場合には、接続路 181sにおける導入路 181側の部分を導入路 181の流通断面積と同じ流通断面積となるように構成し、開口部 182の近傍で開口部 181の開口面積に整合する態様で流通断面積が徐々に増大するように構成してもよい。バルブ内空間 16 3には上記開口部 184を取り巻く環状のリブ 164が突出し、このリブ 164に対してロッド 161が駆動する弁体 162が当接することで、開口部 184が閉鎖されるように構成されている。

[0110] また、上記導入路 181は、ダイヤフラム弁 170の動作により、ガス排気口 189を備えた排気路 188に連通した状態と、排気路 188とは遮断された状態のいずれかの状態を取るように構成されている。具体的には、導入路 181は、ダイヤフラム弁 170のロッド 171によって駆動される弁体 (ダイヤフラム） 172が臨むバルブ内空間 173に開口部 183にて開口し、また、当該バルブ内空間 173に対して上記排気路 188が開口部 185にて開口している。なお、導入路 181と開口部 183との間の接続路は図示されていないが、上述の導入路 181と開口部 182との間の接続路 181sと同様に構成されている。バルブ内空間 173には上記開口部 185を取り巻く環状のリブ 174が突出し、このリブ 174に対してロッド 171が駆動する弁体 172が当接することで、開口部 18 5が閉鎖されるように構成されて！、る。

[0111] 上記構造により、ダイヤフラム弁 160が開き、ダイヤフラム弁 170が閉じている場合には、ガス導入口 180から導入されたガスは導入路 181から導出路 186に流れ、ガス導出口 187から成膜部 130へ向け導出される。また、ダイヤフラム弁 160が閉じ、ダイヤフラム弁 170が開いている場合には、ガス導入口 180から導入されたガスは導入路 181から排気路 188に流れ、ガス排気口 189から排出される。

[0112] 本実施形態のガス導入バルブ 150Vにおいては、ダイヤフラム弁 160のバルブ内空間 163に開口する開口部 182及びダイヤフラム弁 170のバルブ内空問 173に開口する開口部 183がそれぞれ延長形状（図示長孔形状）に構成され、これによつて、ガスの流通断面積が開口部 182及び 183において小さくならないように構成されている。この場合、開口部 182 (183)の開口面積を開口部 184 (185)の開口面積と同じ又はそれ以上にすることが好ましい。具体的には、ノレブ内空間 163, 173の中心に円形の開口形状を有する上記開口部 184, 185力開口するとともに、バルブ内空間 163, 173の周辺に設けられる上記開口部 182, 183の開口形状は、開口部 184 , 185を中心とする周回方向に延長された形状となっている。このようにすると、導入路 181からダイヤフラム弁 160, 170のそれぞれのバルブ内空間を経て導出路 186 或いは排気路 188にガスが流れる際に、開口部 182, 183においてガス圧力が変動して原料が液ィ匕したり固化したりするといつたことを防止でき、これによるパーティクルの発生を抑制できる。

[0113] 例えば、図 26に示す従来構造のガス導入弁 150V' (ここで、図 23と同じ部分には同一符号を付してある。）では、バルブ内空間周辺の開口部 182x及び 183xの開口形状が円形であるとともに、ノレブ構造上の制約力その開口半径を或る程度に留める必要があることから、導入路 181及び導出路 186又は排気路 188の流通断面積よりも開口部 182x及び 183xの開口面積が小さくなり、流路中にオリフィス (絞り）を形成した場合と同様に、開口部 182x及び 183xをガスが通過するときに圧力変動が生ずる。ところが、上記の原料ガス（固体若しくは液体の有機金属材料を気化させてなるもの）は、圧力変動やこれに伴う温度変動によって液ィ匕ゃ固化を起こし易いため、ガス導入口 180に上記の原料ガスが供給されて開口部 182x及び 183xにおいて圧力変動が生ずると、原料ガス力液滴や固形物が析出することにより、バルブ内空間 163, 173内にてパーティクルが発生する。バルブ内空間 163, 173内で発生したパ一ティクルは、そのまま、或いは、或る時期にまとまって導出路を通過してガス導出口力も成膜部 130へ向力ことになり、成膜品位を低下させる原因となる。

[0114] これに対して、本実施形態では、開口部 182及び 183を延長された開口形状を備えたものとすることによって、バルブ構造上の制約が存在するにも拘らず、開口部 18 4, 195の開口面積と同じか或いはそれ以上に開口させることで、圧力変動を抑制できるため、、バルブ内空間 163, 173内におけるパーティクルの発生を抑制できる。ここで、成膜荊 130に直接連通するダイヤフラム弁 160のノレブ内空間 163に設けられる開口部 182のみを上記の延長された開口形状を備えたものとしてもよい。

[0115] 図 24は、上記と異なる実施形態の開口部 182'の開口形状を示す横断面図である。ここで、図 23に示す構造と対応する部分には同一符号を付してある。この図の開口部 182'では、バルブ内空間 163の中心の周りに、或いは、バルブ内の環状溝に沿つて弧状 (図示円弧状）に延長された開口形状を備えている。このようにすると、開口部 182ノの開口面積をバルブ構造上の制約にも拘らずさらに自由に設定することができるようになるため、バルブ室内におけるパーティクルの発生を更に抑制することが可會になる。

[0116] 図 25は、上記とはさらに異なる実施形態の開口部 182"の形成構造を示す横断面図である。ここでも、図 23に示す構造と対応する部分には同一符号を付してある。この図の開口部 182"は、バルブ内空間 163の中心の周りに複数（図示例では 2個）配置されている。ここでぐ複数の開口部 182"はバルブ内空問 163の中心を周回する方向に配列されている。このようにしても、開口部 182"による全開口面積を開口部 184 と同じかそれ以上に設定するのが好ましい。これにより、バルブ室内におけるパーテイタルの発生を更に抑制することが可能になる。

[0117] 特に、周辺の開口部 182, 183は、中心の開口部 184, 185とほぼ同一又はそれ以上の開口面積を有するように構成することが好ましい。このようにすると、これらの開口部に起因する圧力変動を抑制することができるので、パーティクルの発生をさらに抑制できる。但し、周辺の開口部 182, 183の開口面積と中心の開口部 184, 184 5の開口面積とが完全に同一でなくても、一方の開口面積が他方の開口面積の士 1 0%の範囲内にあれば効果が得られ、特に ± 5%の範囲内であればより高い効果が得られる。また、導入路 181からバルブ内空間 163, 173を経て導出路 186に至る流路中において原料ガスの圧力変動が ± 20%以内であることが好ましぐ特に、 ± 10 %以内であることがより望ましい。

[0118] 上記のガス導入バルブ 150Vによれば、ダイヤフラム弁 160, 170のバルブ内空間 163, 173の中央に配置される開口部 184, 185の周囲に設けられる開口部 182, 1 83を、中心の開口部 184, 185の周回方向に延長された形状とすることで、或いは、周回方向に複数配置することで、周辺の開口部 182, 183の開口面積を十分に確保することが可能になるため、周辺の開口部 182, 183を通過する際のガスの圧力変動を抑制することができることから、原料ガスの液ィ匕ゃ固化を防止することができ、パ一ティクルの発生を抑制できる。特に、固体や液体原料を気化してなる原料ガスや減圧液化原料等の場合には、凝縮や固化などを防止するために、供給経路中において圧力差がない状態で供給する必要がある。したがって、供給経路中に設けるバルブ構造としては上記のようなバルブ構造であることがきわめて望まし、。このような原料としては、 Pb, Zr, Ti, Ba, Sr, Ru, Re, Hf, Taなどの金属元素若しくはその酸化物などを含む有機金属化合物、或いは、 Ti, Ta, Wなどの金属元素を含む塩ィ匕物やフッ化物などの無機金属化合物などが挙げられる。

[0119] 一般に、周辺の開口部 182, 183の開口面積を十分に確保するには、中心の開口部 184, 185の開口面積を小さくする力、或いは、ノレブ内空間 163, 173を大きくする必要がある。しかし、中心の開口部 184, 185の開口面積を小さくすると、ダイヤフラム弁 160, 170の流通断面積が低下すると、ともに、導出路 186或いは排気路 1 88の流通断面積よりも開口部 184, 185の開口断面積が小さくなることにより圧力変動が生じ、上記と同様にパーティクルが発生する。また、バルブ内空問 163, 173を大きくすると、導入路 181及び導出路 186又は排気路 188の流通断面積とバルブ室の流通断面積の差が大きくなることによりやはり圧力変動などが発生しやすくなるとともに、ダイヤフラム弁 160, 170全体が大型化し、弁体 162, 172を駆動するために大きな駆動力が必要になる。

[0120] 本実施形態のガス導入バルブ 150Vでは、中心の開口部 184, 185の開口面積を小さくすることなく、また、バルブ内空間 163, 173を大きくすることなぐ周辺の開口部 182, 183の開口面積を増加させることができ、ダイヤフラム弁 160, 170の内部におけるガスの圧力変動や温度変動を抑制することができるという利点が得られる。

Claims

請求の範囲

[1] 液体若しくは気液混合物で構成される原料を供給する原料供給部と、前記原料を気化して原料ガスを生成する原料気化部と、生成された前記原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜部とを有する成膜装置において、

前記原料気化部カゝら前記成膜部の導入部分に至る前記原料ガスの輸送経路の途中にフィルタが配置され、

前記フィルタの外縁は、押圧方向の負荷に対して前記外縁よりも変形し難い環状の支持部材により、全周に亘つて前記輸送経路の内面に対して押圧され、これによつて前記輸送経路の内面と前記支持部材との間で圧縮された状態で前記輸送経路の内面に固定されていることを特徴とする成膜装置。

[2] 前記フィルタの径方向断面で見た場合、前記フィルタの外縁に、凹部または凸部が設けられて!/ヽることを特徴とする請求項 1に記載の成膜装置。

[3] 液体若しくは気液混合物で構成される原料を供給する原料供給部と、前記原料を気化して原料ガスを生成する原料気化部と、生成された前記原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜部とを有する成膜装置において、

前記フィルタの外縁は、当該外縁の一側に配置された環状の支持部材により、当該外縁の他側に配置されるとともに前記輸送経路の内面に直接接触する環状のシ一ル部材を介して、前記輸送通路の内面に対して押圧された状態で前記輸送通路の内面に固定され、

前記支持部材は、押圧方向の負荷に対して前記フィルタの外縁よりも変形し難く構成され、かつ、前記環状のシール部材は、押圧方向の負荷に対して前記フィルタの外縁よりも押圧方向に変形し易く構成されていることを特徴とする成膜装置。

[4] 前記フィルタの外縁は、フィルタ素材そのもので構成されていることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれか一項に記載の成膜装置。

[5] 前記フィルタの外縁は、内側に配置されたフィルタ素材に対して隙間なく接続された、別素材カゝらなる外縁部材で構成されていることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれか一項に記載の成膜装置。

[6] 液体若しくは気液混合物で構成される原料を供給する原料供給部と、前記原料を気化して原料ガスを生成する原料気化部と、生成された前記原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜部とを有する成膜装置において、

前記フィルタの外縁は、環状の外縁部材により構成され、

前記外縁部材は、その内側に配置されたフィルタ素材の外周部に対して気密に接続され、

前記外縁部材は、押圧方向の負荷に対して前記フィルタ素材よりも変形し難く構成されるとともに、前記輸送経路の内面に対して固定されていることを特徴とする成膜装置。

[7] 前記フィルタの前記外縁の内側の部分には、前記フィルタを加熱する伝熱部が当接して、ることを特徴とする請求項 1乃至 6の、ずれか一項に記載の成膜装置。

[8] 前記原料ガスの輸送経路は、前記成膜部に向けて上方若しくは斜め上方に伸びる上昇ライン部分を有することを特徴とする請求項 1乃至 7のいずれか一項に記載の成膜装置。

[9] 前記輸送経路には、前記成膜部に対して原料ガスの供給および停止を行うガス導入バルブが設けられ、前記ガス導入バルブに、又は、前記ガス導入バルブ近傍の前記成膜部側の部分に、パージガスを導入するためのパージラインが接続されて、ることを特徴とする請求項 1乃至 8のいずれか一項に記載の成膜装置。

[10] 前記成膜部には、基板が載置される成膜領域を備えた載置部材の周囲に配置される金属製のシールド部材が設けられていることを特徴とする請求項 1乃至 9のいずれか一項に記載の成膜装置。

[11] 前記成膜部には、基板が載置される成膜領域を備えた載置部材が設けられ、前記成膜領域の周囲には、前記基板を位置決めするための離散的に配置された複数の位置決め突起が設けられていることを特徴とする請求項 1乃至 9のいずれか一項に記載の成膜装置。

[12] 前記載置部材は、前記成膜領域から前記位置決め突起の外側に亘る範囲が、同素材で一体に構成され、し力も、他の部材により覆われていないことを特徴とする請求項 10に記載の成膜装置。

[13] 気化器において、

内部に原料気化空間を有する気化容器と、

前記原料気化空間内に液体若しくは気液混合物で構成される原料を噴霧する噴霧部と、

その内面が前記気化空間に面するように前記気化容器に一体的に結合されるとともに、前記気化容器内で気化された原料を前記気化容器外に送り出す原料ガス送出口を有する原料ガス送出部と、

前記気化容器を加熱する第 1加熱部と、

前記原料ガス送出部を加熱する第 2加熱部と、

前記原料ガス送出口を覆うように前記原料ガス送出部に取り付けられたフィルタと、前記フィルタの外縁が前記原料ガス送出部の内面に密接するように前記外縁を前記原料ガス送出部の内面に押圧する環状の支持部材と、

前記原料ガス送出部の内面力突出して前記フィルタの前記外縁よりも内側の部分に接触し、前記第 2加熱部が発生した熱を前記フィルタに伝える伝熱部と、前記原料気化空間側カゝら見たときに前記フィルタを覆うように配置された遮蔽板であって、原料ガスが前記原料気化空間から当該遮蔽板を迂回して前記フィルタに流入することができるように前記フィルタとの間に間隔をおいて配置されるとともに前記伝熱部に熱的に接続された遮蔽板と、

を備え、

前記環状の支持部材は、押圧方向の負荷に対して前記フィルタの外縁よりも変形し難いように形成され、かつ、全周に亘つて前記原料ガス送出部の内面に対して押圧され、これにより前記フィルタの外縁は、前記原料ガス送出部の内面と前記支持部材との間で圧縮された状態で前記輸送経路の内面に固定されていることを特徴とする気化器。

[14] 液体若しくは気液混合物で構成される原料を供給する原料供給部と、前記原料を気化して原料ガスを生成する原料気化部と、生成された前記原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜部とを有する成膜装置において、前記原料気化部が請求項 13に記載の気化器を備えることを特徴とする成膜装置。