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WO2006057116A1 - 情報記録媒体とその製造方法 - Google Patents

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WO2006057116A1
WO2006057116A1 PCT/JP2005/018965 JP2005018965W WO2006057116A1 WO 2006057116 A1 WO2006057116 A1 WO 2006057116A1 JP 2005018965 W JP2005018965 W JP 2005018965W WO 2006057116 A1 WO2006057116 A1 WO 2006057116A1
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WO
WIPO (PCT)
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layer
recording medium
information recording
dielectric
dielectric layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2005/018965
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Akio Tsuchino
Takashi Nishihara
Rie Kojima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to US11/791,504 priority Critical patent/US20080032156A1/en
Priority to EP05793268A priority patent/EP1835500A4/en
Priority to JP2006547673A priority patent/JPWO2006057116A1/ja
Publication of WO2006057116A1 publication Critical patent/WO2006057116A1/ja
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    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers

Definitions

  • the present invention relates to an information recording medium for recording or reproducing information by optical means or electric means and a method for manufacturing the same.
  • the layer structure of this recording medium includes, in order from the substrate, a reflective layer, a third interface layer, a second dielectric layer, a second interface layer, a recording layer, a first interface layer, and a first dielectric. And a layer formed by laminating a cover layer and a cover layer.
  • An example of a material for these dielectric layers is a mixture of 80 mol% ZnS and 2 O mol% SiO (hereinafter referred to as (ZnS) (SiO 2)) (for example,
  • Patent Document 1 This material is an amorphous material, and has the characteristics of high refractive index with low thermal conductivity and high transparency. In addition, the mechanical properties that increase the film formation rate during film formation are excellent in moisture resistance. Because of these excellent characteristics, (ZnS) (SiO 2) is dielectric
  • the reflective layer optically increases the amount of light absorbed by the recording layer and is thermally generated in the recording layer.
  • This function has a function of quickly diffusing the heated heat and rapidly cooling the recording layer to make it amorphous. Further, it has a function of protecting the recording layer, the interface layer, and the dielectric layer from the usage environment. For this reason, a high thermal conductivity Ag alloy is used as the material of the reflective layer.
  • (ZnS) SiO 2
  • an Ag alloy is applied to the reflective layer.
  • a dielectric excluding sulfide, a metal excluding Ag, a semimetal, and a semiconductor can be used as the material of the third interface layer.
  • the present inventors have found a further problem with respect to the above-described conventional example in which a dielectric material containing sulfur is used for the second dielectric layer and a third interface layer is provided.
  • the heat generated in the recording layer may be diffused.
  • the cooling effect is large, a good recording mark that is easily amorphous can be obtained.
  • the element with the highest thermal conductivity among the elements is Ag.
  • an Ag alloy cannot be used for the third interface layer. Therefore, providing the third interface layer reduces the cooling effect of the recording layer.
  • the interface layer is made of multiple layers using different materials and the film thickness is increased, which further reduces the cooling effect and makes it difficult to quench. Decreases.
  • the number of layers constituting the recording medium may increase. As the number of layers increases, the amount of investment in equipment for manufacturing the recording medium increases and the manufacturing tact becomes long, resulting in an increase in the cost of the recording medium.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Publication No. 06-090808
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-323743
  • the present invention solves the above problems, and provides a dielectric material that does not contain sulfur, has high transparency with respect to a blue-violet wavelength region laser, and has excellent moisture resistance. Furthermore, applying this dielectric material to the second dielectric layer eliminates the need for the third interface layer, and provides an information recording medium with high signal quality and excellent repeated rewriting characteristics.
  • the present invention is an information recording medium for recording or reproducing information, and includes a layer containing Ce—F.
  • the layer containing Ce-F is a dielectric layer.
  • the information recording medium of the present invention comprises a substrate, a reflective layer, a dielectric layer, and a recording layer in this order, and the reflective layer and the dielectric layer are in contact with each other.
  • the information recording medium of the present invention is an information recording medium including two or more information layers, and at least one information layer includes a substrate, a reflective layer, a dielectric layer, and a recording layer in this order.
  • the reflective layer and the dielectric layer are in contact with each other, and the two or more information layers are separated from each other by an optical separation layer! /.
  • the dielectric layer contains 10 mol% or more of Ce-F.
  • the dielectric layer is an oxide of at least one element of which Al, Si ⁇ Ti, Zn ⁇ Ga ⁇ Y, Zr, In, La ⁇ Ce ⁇ Dy ⁇ Yb, Hf, and Ta force are also selected. It is preferable to further include a dielectric material Dl.
  • the dielectric layer preferably further includes a dielectric material Dl that is an oxide of at least one element selected from Si, Ga, Y, Zr, In, Dy, Hf, and Ta. .
  • the dielectric layer is represented by the formula: (Ce— F) Dl, and xl preferably satisfies 10 ⁇ xl ⁇ 90. Good.
  • the dielectric layer preferably further includes a dielectric material D2 which is a nitride of at least one element selected from Al, B, Y and S.
  • the dielectric layer is represented by the formula: (Ce— F) D2, and xl preferably satisfies 10 ⁇ xl ⁇ 90.
  • the dielectric layer preferably further includes a dielectric material D3 that is a fluoride of at least one element selected from Mg, Y, La, Gd, Tb, and Yb.
  • the dielectric layer preferably further includes a dielectric material D3 which is a fluoride of at least one element selected from Y and La.
  • the dielectric layer is represented by the formula: (Ce— F) D3, and xl preferably satisfies 10 ⁇ xl ⁇ 90.
  • the dielectric layer preferably includes a plurality of dielectric materials selected from any one of the dielectric material Dl, the dielectric material D2, and the dielectric material D3.
  • D 1 is an oxide of at least one element selected from Al, Si, Ti, Zn, Ga, Y, Zr, In, La, Ce, Dy, Yb, Hf and Ta
  • D2 is Al.
  • N a nitride of at least one element selected from B, Y and Si
  • D3 represents a fluoride of at least one element selected from Mg, Y, La, Gd, Tb and Yb.
  • the dielectric layer has the formula: (Ce—F) Dl D (where D is the dielectric material D2 and xl x2 100-xl-x2
  • Dielectric material At least one dielectric material selected from D3 is shown. ), Xl, X
  • the dielectric layer is represented by the formula: (Ce— F) D2 D3, xl, x3 force lO ⁇ xl ⁇ 90 and xl x3 100-xl-x3
  • the present invention is a method of manufacturing an information recording medium for recording or reproducing information
  • the information recording medium includes a substrate, a reflective layer, a dielectric layer, and a recording layer in this order, and the reflective layer and the dielectric
  • the dielectric layer is formed using a sputtering target containing Ce—F.
  • the sputtering target further includes at least one dielectric material selected from any one of the dielectric material Dl, the dielectric material D2, and the dielectric material D3.
  • D1 is Al, Si ⁇ Ti, Zn ⁇ Ga ⁇ Y, Zr ⁇ In, La ⁇ Ce ⁇ Dy ⁇ Yb, Hf and Ta force
  • oxide of at least one element selected
  • D2 is Al
  • B, Y and S are nitrides of at least one element selected
  • D3 is a fluoride of at least one element selected from Mg, Y, La, Gd, Tb and Yb.
  • the present invention realizes a low-cost information recording medium having a high repetitive rewriting characteristic with a high signal quality without using sulfur as a material for the dielectric layer and having a reduced number of layers. be able to.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional view of an information recording medium 1 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of information recording medium 2 in Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view of information recording medium 3 in Embodiment 3 of the present invention. 4] Schematic diagram of a partial configuration of a recording / reproducing apparatus for recording / reproducing information on / from the information recording medium of the present invention.
  • the information recording medium of the present invention includes a layer containing Ce—F.
  • this layer is not particularly limited, this layer has high transparency with respect to a blue-violet wavelength region laser, and has dielectric properties excellent in moisture resistance.
  • Ce and F are preferably present in the form of a compound with a stoichiometric ratio, but may be present in the form of a compound with a non-stoichiometric ratio. Also in those states, Ce And compounds of each element of F and other elements may be included. These materials preferably have dielectric properties.
  • FIG. 1 shows a partial cross section of the optical information recording medium.
  • An information recording medium 1 shown in FIG. 1 includes, in order from the substrate 11, a reflective layer 12, a second dielectric layer 13, a second interface layer 14, a recording layer 15, a first interface layer 16, and a first layer.
  • the dielectric layer 17 and the cover layer 18 are laminated.
  • the information recording medium is irradiated with a first dielectric layer 17 side force recording / reproducing energy beam (generally a laser beam) 19.
  • the cover layer 18 is made of, for example, a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric, etc. It is preferable that light absorption is small. Further, the cover layer 18 may be made of a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or polymethyl methacrylate (PMMA), or glass. When these materials are used, the cover layer 18 is made of, for example, a first dielectric layer 17% by a resin such as a photo-curing resin (particularly an ultraviolet-curing resin) or a slow-acting thermosetting resin. This is formed by pasting together.
  • a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric, etc. It is preferable that light absorption is small. Further, the cover layer 18 may be made of a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or polymethyl
  • the substrate 11 is a disk-shaped transparent substrate.
  • the material of the substrate 11 for example, polycarbonate, amorphous polyolefin, resin such as PMMA, or glass can be used.
  • a guide groove for guiding laser light may be formed as necessary.
  • the surface of the substrate 11 opposite to the recording layer 15 is preferably smooth.
  • the recording layer 15 also has a material force that causes a reversible phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by, for example, laser light irradiation.
  • this material for example, the formula: Ge Ml M2 Te
  • Ml is an element selected from Sb and M2, Si, Ti, V, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Se, Ru, Rs, Pd, Mn, Ag, Al, Cr, Sn, Ga, In, Ta, Dy, It is an element selected from Gd, Td, Os, Ir, W, Pt and Au. It is preferable that yl satisfies 30 ⁇ yl ⁇ 50, and yl preferably satisfies 40 ⁇ yl ⁇ 48.
  • Y2 preferably satisfies 0 ⁇ y2 ⁇ 20.
  • Y3 preferably satisfies 0 ⁇ y3 ⁇ 20.
  • the film thickness of the recording layer 15 is preferably in the range of 5 nm to 15 nm in order to obtain good recording characteristics!
  • the thermal influence on the adjacent region due to the diffusion of heat in the in-plane direction becomes large.
  • the recording layer 15 is too thin, the reflectance of the information recording medium 1 becomes small, so that the film thickness is more preferably 8 nm to 12 nm.
  • the recording layer 15 can also be formed using an irreversible phase change material.
  • TeOx + M3 (where M3 is an element such as Pd or Ge) is preferably used as the irreversible phase change material.
  • M3 is an element such as Pd or Ge
  • the film thickness is preferably 5nm ⁇ 15nm!
  • the material of the reflective layer 12 includes, for example, high thermal conductivity! Ag, Au, Cu and A1, which are single metals, and Al-Cr, Al-Ti, Au-Pd, which are alloys thereof, Au—Cr, Ag—Pd, Ag—P d—Cu, Ag—Pd—Ti, Ag—Ru—Au, Ag—Nd—Au, Ag—Nd—Cu, Ag—In—Sn or Cu—Si! , Can be used.
  • Ag and its alloys are particularly preferable as the material of the reflective layer 12 having a high thermal conductivity.
  • the thickness of the reflective layer 12 is preferably in the range of 30 nm to 200 nm. This is because if the film thickness is too thin, a sufficient thermal diffusion effect cannot be obtained, and if it is too thick, the recording sensitivity of the information recording medium 1 decreases.
  • the second interface layer 14 and the first interface layer 16 function as noria for preventing diffusion of elements into the recording layer and mixing of moisture. Further, since it is provided in contact with the recording layer 15, it has an effect of promoting or suppressing the crystallization speed of the recording layer, and it is desired that the recording layer 15 having a chalcogenide material strength is excellent in adhesion. For these interface layers, it is preferable to apply materials with low light absorption. Examples of materials for the interface layers 14 and 16 include ZrO and HfO.
  • the thickness of the interface layers 14 and 16 is preferably 1 nm to 10 nm. If the thickness of the interface layer is too thin, a sufficient effect as Noria cannot be obtained, and element diffusion into the recording layer and moisture may be mixed, resulting in signal quality deterioration. On the other hand, if the film thickness is too thick, the effect of accelerating or suppressing crystallization on the recording layer becomes too great, and the recording / reproducing characteristics deteriorate. For this reason, the film thickness is further 3 ⁇ ! It is preferably ⁇ 7nm.
  • the first dielectric layer 17 functions to protect the recording layer 15 from moisture, etc., functions to adjust the optical distance to increase the light absorption rate of the recording layer 15, and changes in the amount of reflected light before and after recording. It has the function of increasing the signal amplitude by increasing the rate.
  • the first dielectric 17 includes, for example, TiO, ZrO
  • Oxides such as HfO, ZnO, NbO, TaO, SiO and AlO, and C—N, Ti—N, Zr
  • Nitride such as N, Nb—N ⁇ Ta—N, Si—N, Ge—N, CrN ⁇ Al—N ⁇ Ge—Si—N and Ge—Cr—N can be used.
  • a sulfide such as ZnS or a carbide such as SiC can be used.
  • a mixture of the above materials can also be used.
  • a mixture of ZnS and SiO is an amorphous material that has a high film formation rate and a high refractive index.
  • the thickness of the first dielectric layer 17 is calculated based on the matrix method to increase the rate of change in the amount of reflected light when the recording layer 15 is in the crystalline phase and when it is in the amorphous phase. This can be determined depending on the conditions that increase the light absorption. As a specific film thickness, ⁇ ! ⁇ 1 is preferred to be 60nm! / ,.
  • the second dielectric layer 13 is a feature of the present invention. Similar to the first dielectric layer 17, the second dielectric layer 13 adjusts the optical distance to increase the light absorption rate of the recording layer 15, and increases the rate of change in the amount of reflected light before and after recording. It has the function of increasing the signal amplitude. In addition, the heat generated in the recording layer 15 is quickly diffused to the reflective layer 12 to cool the recording layer 15. If this thermal diffusion effect is excellent, the thermal load on the recording layer 15 is reduced, and good repeated rewriting characteristics can be obtained.
  • a material containing Ce—F and further containing at least one selected from the dielectric material Dl, the dielectric material D2, and the dielectric material D3 can be used.
  • the film thickness of the first dielectric layer 17 can be determined by calculation based on the matrix method, similarly to the second dielectric layer 13. Specific film thickness is 3 ⁇ ! It is preferable to be ⁇ 80nm.
  • FIG. 2 shows a partial cross section of the optical information recording medium.
  • An information recording medium 2 shown in FIG. 2 includes, in order from the substrate 11, a reflective layer 12, a second dielectric layer 13, a recording layer 15, a first interface layer 16, a first dielectric layer 17, and a cover. Layer 18 is formed by stacking. This information recording medium 2 is also irradiated with an energy beam (generally a laser beam) 19 for recording and reproduction of the dielectric layer 17 side force.
  • an energy beam generally a laser beam
  • the substrate 11, the reflective layer 12, the recording layer 15, the first interface layer 16, the first dielectric layer 17 and the cover layer 18 have the same materials, functions and shapes as those described in the first embodiment.
  • the material of the second dielectric layer 13 is the same as that shown in the first embodiment. Further, since it is provided in contact with the recording layer 15, it has the effect of promoting or suppressing the crystallization speed of the recording layer. It is also desired that the recording layer 15 such as a chalcogenide material has excellent adhesion.
  • the film thickness of the second dielectric layer 13 can be determined by calculation based on the matrix method, as in the first embodiment.
  • FIG. 3 shows a partial cross section of the optical information recording medium.
  • the information recording medium 3 of the present embodiment includes two information layers (recorded as an information layer 301 and an information layer 302) for recording and reproducing information, and an energy beam (generally, laser light). It is an information recording medium that can record and reproduce information on each information layer by 19 irradiation.
  • the information layer 302 is formed from the substrate 11 in order.
  • the reflective layer 12, the second dielectric layer 13, the second interface layer 14, the recording layer 15, the first interface layer 16, and the first dielectric layer 17 are laminated.
  • the substrate 11, the reflective layer 12, the second dielectric layer 13, the second interface layer 14, the recording layer 15, the first interface layer 16 and the first dielectric layer 17 are each in the first embodiment.
  • the materials, functions and shapes are the same as those shown.
  • the first interface layer 16 is not necessarily provided.
  • the optical separation layer 31 is made of a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric, and the optical separation layer 31 emits light for the laser light to be used. It is preferable that the absorption is small.
  • the information layer 301 is formed by laminating a transmittance adjusting layer 32, a reflective layer 33, a second dielectric layer 34, a recording layer 35, an interface layer 36, and a first dielectric layer 37 in order from the optical separation layer 31. Is formed.
  • the reflective layer 33 can be made of the same material as that of the reflective layer 12 shown in the first embodiment, and has the same function and shape.
  • the interface layer 36 can be formed using the same material as that of the first interface layer 16 described in the first embodiment, and has the same function and shape.
  • the first dielectric layer 37 can be made of the same material as the first dielectric layer 17 shown in the first embodiment, and has the same function and shape.
  • the material of the second dielectric layer 34 As the material of the second dielectric layer 34, the material of the second dielectric layer 13 and the second interface layer 14 in the first embodiment can be used.
  • the second dielectric layer 34 functions to increase the light absorption rate of the recording layer 35 by adjusting the optical distance, and to increase the signal amplitude by increasing the rate of change in the amount of reflected light before and after recording.
  • the heat generated in the recording layer 35 is quickly diffused into the reflective layer 33 to cool the recording layer 35. Further, since it is provided in contact with the recording layer 35, there is an effect of promoting or suppressing the crystallization speed of the recording layer.
  • the recording layer 35 may be made of the same material as the recording layer 15 shown in the first embodiment.
  • the function and shape are the same, but the film thickness is preferably as thin as possible in order to increase the transmittance of the laser beam.
  • the transmittance adjusting layer 32 has a function of adjusting the transmittance of the information layer 301.
  • the transmittance T (%) of the information layer 301 when the recording layer is in the crystalline phase and the transmittance T (%) of the information layer 301 when the recording layer is in the amorphous phase are both increased. be able to.
  • T and T can be improved by 2 to 10% as compared with the case where the transmittance adjusting layer 32 is not provided.
  • the refractive index n and the attenuation coefficient k of the transmittance adjusting layer 32 satisfy n ⁇ 2.0 and n ⁇ 0.1. 2. 0 ⁇ n ⁇ 3. It is more preferable to satisfy 0 and k ⁇ 0.05.
  • the transmittance adjustment layer 32 includes TiO, ZrO, HfO, ZnO, NbO, TaO, AlO, Bi
  • cover layer 18 is formed on the first dielectric layer 37, and the information recording medium 3 is manufactured.
  • the cover layer 18 has the same material, function, and shape as those described in the first embodiment.
  • the information recording medium is described as being limited to two information layers. However, when a plurality of information layers are provided, the information recording medium is manufactured by the same configuration and formation method. This enables a large capacity of the information recording medium.
  • Embodiment 4 of the present invention an example of an information recording medium manufacturing method according to the present invention will be described.
  • a method for manufacturing the information recording medium 1 described in the first embodiment will be described.
  • the reflective layer 12, the second dielectric layer 13, the second interface layer 14, the recording layer 15, the first interface layer 16, and the first dielectric layer 17 are formed in this order in the vapor phase. It is formed using a sputtering method which is one of the methods. Hereinafter, it will be described in order.
  • the substrate 11 for example, a thickness of 1100 ⁇ m
  • the substrate 11 is placed in a film forming apparatus.
  • the reflective layer 12 is formed by using a sputtering target made of a metal or alloy that constitutes the reflective layer 12 in an Ar gas atmosphere or a mixture of Ar gas and a reactive gas (for example, oxygen gas or nitrogen gas). It is performed by sputtering in a gas atmosphere.
  • a sputtering target made of a metal or alloy that constitutes the reflective layer 12 in an Ar gas atmosphere or a mixture of Ar gas and a reactive gas (for example, oxygen gas or nitrogen gas). It is performed by sputtering in a gas atmosphere.
  • the reflective layer 12 is formed on the guide groove side.
  • the second dielectric layer 13 is formed by sputtering using CeF or a mixture thereof.
  • the sputtering target of this mixture is, for example, the formula: (CeF) Dl (mol%), the formula: (CeF) Dl D (where D is D2
  • the second interface layer 14 is formed by using a sputtering target made of a mixture of dielectrics constituting the second interface layer 14 in an Ar gas atmosphere or between Ar gas and a reactive gas. Performed by sputtering in a mixed gas atmosphere. Alternatively, a film can be formed by reactive sputtering in a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas using a sputtering target containing a constituent metal element.
  • the recording layer 15 is formed by using a sputtering target made of a Ge-Ml-Te-M2 alloy in accordance with the composition thereof, in an Ar gas atmosphere, a Kr gas atmosphere, an Ar gas and a reactive gas. Sputtering is performed in a mixed gas atmosphere of or a mixed gas atmosphere of Kr gas and reactive gas.
  • the first interface layer 16 is formed by using a sputtering target made of a compound constituting the first interface layer 16 in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas. Performed by sputtering in the air. Alternatively, a film can be formed by reactive sputtering in a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas using a sputtering target containing a metal element constituting the first interface layer 16. [0061]
  • the first dielectric layer 17 is formed by using a sputtering target made of a compound constituting the first dielectric layer 17 in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas. This is done by sputtering inside. Alternatively, a film can be formed by performing reactive sputtering in a mixed gas atmosphere of Ar gas and reactive gas using a sputtering target containing a metal element constituting the first dielectric layer 17.
  • the cover layer 18 is formed by applying a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the first dielectric layer 17 and spin it. After coating, it is formed by hardening the resin.
  • the cover layer 18 may also be made of a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or polymethyl methacrylate (PMMA), or a glass disk-shaped substrate.
  • a photocurable resin (especially UV curable resin) or a slow-acting thermosetting resin is applied on the first dielectric layer 17 and spread evenly by spin coating. It is formed by curing rosin.
  • a vacuum deposition method As a method for forming each layer, in addition to the sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method (CVD method: Chemical Vapor Deposition), and a molecular beam epitaxy method (MBE method: Molecular Beam). Epitaxy) can also be used.
  • CVD method Chemical Vapor Deposition
  • MBE method molecular beam epitaxy method
  • an initialization step of crystallizing the entire surface of the recording layer 15 may be performed as necessary. This initialization can be performed by laser light irradiation.
  • Embodiment 5 Another example of the method for manufacturing the information recording medium will be described as Embodiment 5 of the present invention.
  • the manufacturing method of the information recording medium 2 described in Embodiment 2 will be described.
  • the substrate 11 (for example, a thickness of 1100 ⁇ m) is placed in a film forming apparatus.
  • the reflective layer 12, the second dielectric layer 13, the recording layer 15, the first interface layer 16, and the first dielectric layer 17 are sequentially formed, and finally the cover layer 18 is formed.
  • the film formation and formation method are the same as those described in the fourth embodiment.
  • an initialization step for crystallizing the entire surface of the recording layer 15 may be performed as necessary. . This initialization can be performed by laser light irradiation. [0068] (Embodiment 6)
  • Embodiment 6 of the present invention another example of an information recording medium manufacturing method will be described.
  • a method for manufacturing the information recording medium 3 described in Embodiment 3 will be described.
  • a substrate 11 (for example, a thickness of 1100 ⁇ m) is placed in a film forming apparatus.
  • the reflective layer 12, the second dielectric layer 13, the second interface layer 14, the recording layer 15, the first interface layer 16, and the first dielectric layer 17 are sequentially formed.
  • Form a film The film formation method is the same as that shown in Embodiment Mode 4 respectively.
  • the optical separation layer 31 is formed.
  • the optical separation layer 31 is formed by applying a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the information layer 302 and performing spin coating. It can be formed by curing.
  • the transfer substrate (mold) having grooves of a predetermined shape formed on the surface is brought into close contact with the resin before curing, and then the substrate 11 and the transfer substrate. And then harden the grease. Further, after that, the transfer substrate is peeled off from the cured resin, whereby the optical separation layer 31 in which the predetermined groove is formed can be formed.
  • an information layer 301 is formed. That is, the transmittance adjusting layer 32, the reflective layer 33, the second dielectric layer 34, the recording layer 35, the interface layer 36, the first dielectric layer 37, and the cover layer 18 are formed in this order.
  • Film formation of the transmittance adjusting layer 32 is performed in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas using a sputtering target made of a dielectric constituting the transmittance adjusting layer 32. It can be formed by sputtering.
  • the transmittance adjusting layer 32 is formed by reactive sputtering in a mixed gas atmosphere of Ar gas and reactive gas using a sputtering target containing a constituent metal element.
  • the reflective layer 33 is formed by the same method as the reflective layer 12 described in the fourth embodiment.
  • the second dielectric layer 34 is formed by a method similar to that for the second dielectric layer 13 or the second interface layer 14 described in the fourth embodiment.
  • the recording layer 35 is formed by the same method as that for the recording layer 15 described in the fourth embodiment.
  • the first interface layer 36 is formed by the same method as the first interface layer 16 described in the fourth embodiment. To do.
  • the first dielectric layer 37 is formed by the same method as that for the first dielectric layer 17 described in the fourth embodiment.
  • cover layer 18 is formed by the same method as in the fourth embodiment.
  • an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 15 may be performed as necessary.
  • an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 35 may be performed as necessary. In either case, the initial phase can be performed by laser light irradiation.
  • FIG. 4 schematically shows a partial configuration of the recording / reproducing apparatus 4 used in the recording / reproducing method of the present embodiment.
  • the recording / reproducing apparatus 4 includes a spindle motor 41 that rotates an information recording medium, an optical head 43 that includes a semiconductor laser 42, and an objective lens 44 that condenses the laser light 46 emitted from the semiconductor laser 42.
  • the numerical aperture (NA) of the objective lens 44 is set within the range of 0.5 to 1.0 in order to adjust the spot diameter of the laser light within the range of 0.4 ⁇ m to 0.7 ⁇ m.
  • the wavelength of the laser light is preferably 450 nm or less (more preferably a blue-violet region of 350 nm to 450 nm).
  • the linear velocity at the time of recording / reproducing information is preferably in the range of 3 mZ seconds to 20 mZ seconds at which crystallization due to reproduction light hardly occurs and a sufficient erasure rate is obtained.
  • Recording, erasing, and overwriting recording of information on the information recording medium is performed by modulating the power of the laser beam with high power peak power and low power bias power.
  • an amorphous phase is formed in a local part of the recording film of the information recording medium, and the amorphous phase becomes a recording portion (recording mark).
  • a laser beam of bias power is irradiated between the recording marks to form a crystal phase, and the crystal phase becomes an erased portion.
  • a multi-pulse formed by a pulse train is generally used. Multipulse is the power level of peak power and bias power. It can be modulated at any power level from OmW to peak power.
  • the information includes the incident side force of the laser beam V V groove surface (group), or the incident side force of the laser beam near the groove surface (land), Or it may be recorded in both.
  • Information reproduction is performed by irradiating an information recording medium with laser light and reading a signal from the information recording medium with a detector.
  • the laser beam power at the time of reproduction is a power that does not affect the optical state of the recording mark and can obtain a sufficient amount of reflected light for detecting a recording mark on the information recording medium.
  • a polycarbonate substrate on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 m) were formed was prepared as the substrate 11.
  • a second dielectric layer 13 and a ZrO—SiO—GaO film as the second interface layer 14 was prepared.
  • e-Sn film (specifically, one represented by the formula: Ge Bi Te Sn (atomic%)) l lnm,
  • a ZrO 2 —SiO 2 —Cr 2 O film (specifically, the formula: (ZrO 2) (SiO 2) (
  • a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 70 m) was adhered, spin-coated, and then the resin was cured with ultraviolet rays to form the cover layer 18.
  • the film thicknesses of the second dielectric layer 13 and the first dielectric layer 17 were determined by calculation based on a matrix method. Specifically, when a laser beam of 405 nm is incident, the reflectance of the information recording medium when the recording layer 15 is in the crystalline phase (reflection on the mirror surface of the substrate) is 15% to 25%, and the recording layer 15 is amorphous. The reflectivity of the information recording medium at the time (reflection at the mirror surface of the substrate) was determined to be 1% to 5%, and the recording layer 15 was determined to have an absorption rate of 60% to 70% during the crystalline phase.
  • the adhesion between the reflective layer and the second dielectric layer 13 and the repeated writing performance were evaluated.
  • the evaluation of adhesion was performed by observing corrosion and peeling with an optical microscope after leaving the information recording medium in a constant temperature bath at a temperature of 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 100 hours.
  • the evaluation of repetitive rewriting performance was performed using the recording / reproducing apparatus 4 shown in FIG.
  • the recording conditions of the information were as follows: the wavelength of the laser beam was 405 nm, the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85, the linear velocity during measurement was 4.9 mZs, and the shortest mark length was 0.149 ⁇ m. It was.
  • the issue number is 1-101.
  • the second dielectric layer 13 is represented by the formula: (Ce—F) Dl (mol%).
  • the second dielectric layer 13 is represented by the formula: (Ce—F) D2 (mol%).
  • the second dielectric layer 13 has the formula: (Ce—F) D2 D3 (mol% xl x3 100-xl-x3
  • the second dielectric layer 13 is represented by the formula: (Ce—F) D3 (mol%).
  • an information recording medium (disk No.) in which (ZnS) (SiO 2) is applied as the second dielectric layer.
  • Table 1 shows the evaluation results.
  • the repeated rewrite characteristics maintain the same characteristics as the conventional example and can be rewritten 10,000 times or more. It was.
  • a rewrite count of 1000 times is preferable, and when it is used as an external memory in a computer, a rewrite count of 10,000 or more is preferable. That is, it was shown that any of the information recording media 1 in this example can be applied as an external memory in a computer.
  • the second dielectric layer 13 in the information recording medium 1 shown in Example 1 is excluded from the combinations shown in Example 1 (Ce-F) Dl, (Ce-F) Dl D
  • the number of rewrites is 1 in any case.
  • Example 3 as the second dielectric layer 13 in the information recording medium 1 shown in Example 1, (CeF) (e ⁇ ⁇ ), (CeF) (YO), (CeF) (Si N), and ( CeF
  • Table 2 shows the evaluation results.
  • Example 4 (CeF) ( ⁇ ) (Si N) and (CeF) (Si N) (YF) were applied as the second dielectric layer 13 in the information recording medium 1 shown in Example 1.
  • Table 3 shows the evaluation results.
  • Si N force Omol% or less, (CeF) (Si N) (YF)
  • each layer of the information recording medium 2 is the same as in Example 1.
  • the second dielectric layer 13 has a Ce—F dielectric xl 100-xl represented by the formula: (Ce—F) Dl (mol%).
  • Information recording media 2-102 to 2-108 were produced by changing the ratio xl, and the adhesion to the recording layer was evaluated.
  • CeF is preferably 90 mol% or less.
  • the method for forming the information layer 302 of the information recording medium 3 is the same as that in the first embodiment.
  • the second dielectric layer 13 has (CeF) ( ⁇ ), (CeF) (Y ⁇
  • the disk numbers are 3 to 101 to 3 to 104, respectively.
  • an optical separation layer 31 provided with guide grooves was formed on the information layer 302.
  • the information layer 301 is formed on the optical separation layer 31.
  • the information layer 301 has a transmittance adjustment layer 32 of TiO 21 nm ((11Z80) ⁇ ⁇ ), and a reflection layer 33 of an Ag—Pd—Cu film 10
  • the recording layer 35 is a 06-81-cho 6-311 film (specifically, the formula:
  • Ge Bi Te Sn (atomic%) is 6nm, and the interface layer 36 is ZrO-SiO — Cr 2 O film (specifically, the formula: (ZrO 2) (SiO 2) (Cr 2 O 3) (mol%))
  • a ZnS—SiO film (specifically, (ZnS) (SiO 2) (mol%) is sequentially deposited.
  • the film was formed by a notching method. Finally, an ultraviolet curable resin is applied to the first dielectric layer 37, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 70 ⁇ m) is adhered, spin-coated, and then the resin is cured with ultraviolet light to form a cover layer. 18 was formed, and information recording medium 3 was produced.
  • the film thicknesses of the second dielectric layer 34 and the first dielectric layer 37 were determined by calculation based on a matrix method. Specifically, when a laser beam of 405 nm is incident, the reflectance of the information recording medium when the recording layer 35 is in the crystalline phase (reflection on the mirror surface of the substrate) is 4% to 10%, and the recording layer 35 is amorphous. The reflectivity of the information recording medium during the quality phase (reflection at the mirror surface of the substrate) is 1% to 5%, and the transmittance T (%) and transmittance T (%) are both 45% to 55%. did.
  • Example 1 For the information recording medium 3 (disc No. 3-101 to 3-104) manufactured as described above, the adhesion between the reflective layer 12 and the second dielectric layer 13, and information The repeated writing performance of layer 302 was evaluated. Further, as in Example 1, an information recording medium (disc No. 3-000) in which the conventional (Z nS) (SiO 2) is applied to the second dielectric layer 13 is manufactured,
  • any information recording medium 3 in this example repeated rewrite characteristics It was found to be good, maintaining the same characteristics as the conventional example, and rewriting over 10,000 times. That is, it was shown that the information recording medium 3 can be used for storing images, sounds, and moving images and as an external memory in a computer.
  • Information recording media 4-102 to 4-108 were prepared and the adhesion to the recording layer 35 was evaluated.
  • CeF is preferably 90 mol% or less.
  • TeOx + M3 (however,
  • M3 uses elements such as Pd and Ge), and the recording layer 35 does not corrode as in the above results.
  • the present invention it is possible to provide a dielectric material that does not contain sulfur, has high transparency with respect to a blue-violet wavelength region laser, and has excellent moisture resistance.
  • this dielectric material is By applying to this dielectric layer, the third interface layer becomes unnecessary, and it is possible to provide an information recording medium with high signal quality and excellent rewrite characteristics.
  • the information recording medium and the manufacturing method thereof of the present invention are useful for a large-capacity optical information recording medium that requires a dielectric layer having excellent characteristics, such as a Blu-ray Disc. It can also be applied to small diameter disks with a diameter of 6cm. Furthermore, it is useful for an electrical information recording medium, for example, an electrical switching element.

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Abstract

　誘電体層材料として硫黄を含むことなく、高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れ、且つ層数を低減した低コストの情報記録媒体を提供する。そのために、情報を記録または再生する情報記録媒体において、Ｃｅ－Ｆを含む層を備え、Ｃｅ－Ｆを含む層は、誘電体層とする。

Description

明 細 書
情報記録媒体とその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、光学的手段または電気的手段によって情報を記録または再生する、情 報記録媒体とその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 光学的情報記録媒体の一例として、ブルーレイ ·ディスク（Blu— ray Disc)がある 。この記録媒体の層構成としては、基板から順に、反射層、第 3の界面層、第 2の誘 電体層、第 2の界面層、記録層、第 1の界面層、第 1の誘電体層、およびカバー層が 積層されて形成されたものが挙げられる。
[0003] 第 1の誘電体層と第 2の誘電体層は、光学距離（=屈折率 X物理距離)を調節する ことで、記録層の光吸収効率を高め、結晶相における反射率と非晶質相における反 射率の差を大きくし、信号振幅を大きくする機能を有する。また、記録層を水分等か ら保護する機能も兼ねる。これら誘電体層の材料の一例として、 80mol%の ZnSと 2 Omol%の SiOの混合物（以下、（ZnS) (SiO ) と表記する）が挙げられる（例えば
2 80 2 20
、特許文献 1参照)。この材料は、非晶質材料であり、熱伝導率が低ぐ高屈折率で 高透明性という特性を有する。また、膜形成時の成膜速度が速ぐ機械的特性ゃ耐 湿性にも優れている。このような優れた特性を有するため、（ZnS) (SiO ) は誘電
80 2 20 体層を形成するのに非常に適した材料として、実用化されている。
[0004] 第 1の界面層と第 2の界面層は、レーザ光を記録層に照射し、繰り返し書き換え記 録を行う際、（ZnS) (SiO ) 中の S元素（以下、硫黄)が記録層に拡散するのを防
80 2 20
止する目的で設けられる。記録層中に硫黄が拡散すると、記録媒体の反射率が著し く低下し、繰り返し書き換え特性が著しく悪ィ匕する。この界面層の材料としては、例え ば ZrOと Oを含む材料が開示されている（例えば、特許文献 2参照)。この材料
2 2 3
は、硫黄を含まず、青紫色波長領域 (405nm付近)レーザに対して透明性が高ぐま た高融点であるため耐熱性も高い優れた材料である。
[0005] 反射層は、光学的には記録層に吸収される光量を増大させ、熱的には記録層で生 じた熱を速やかに拡散させ、記録層を急冷し非晶質化し易くする機能を有する。さら に、記録層、界面層および誘電体層を使用環境カゝら保護する機能をも有する。この ため反射層の材料としては、熱伝導率の高 ヽ Ag合金が適用されて 、る。
[0006] 第 3の界面層は、第 2の誘電体層に (ZnS) (SiO ) を適用し、反射層に Ag合金
80 2 20
を適用した場合に、（ZnS) (SiO ) 中の硫黄が反射層に拡散するのを防ぐ機能を
80 2 20
有する。硫黄が反射層に拡散すると、 Ag合金中の Agと反応し、 Ag Sが生成される。
2
この Ag Sは常温常湿環境でも生成するため、記録媒体の信頼性が著しく低下する。
2
この第 3の界面層の材料としては、硫化物を除く誘電体、 Agを除く金属、半金属、半 導体が用いることができる。
[0007] 本発明者らは、第 2の誘電体層に硫黄を含む誘電体を用い、第 3の界面層を設け た場合の上記従来例について、さらなる課題を見出した。
第 1には、記録層で生じた熱が拡散しに《なることがある。情報記録媒体において 、冷却効果が大きいと非晶質ィ匕し易ぐ良好な記録マークが得られる。元素の中で最 も熱伝導率が高いものは Agである力 先述したように、第 3の界面層には Ag合金を 用いることはできない。そのため第 3の界面層を設けることで、記録層の冷却効果が 低下する。また、元素の相互拡散防止効果を高める目的で、界面層を異なる材料を 用いて多層化したり、膜厚を厚くしたりすることで、さらに冷却効果が失われ急冷化さ れにくくなり、信号品質が低下する。
[0008] 第 2には、第 3の界面層を設けることで、記録媒体を構成する層数が増えることがあ る。層数が増えることで、記録媒体を製造する設備への投資額が増えたり、製造タクト が長くなつたりするという課題が生じ、記録媒体のコストが上昇することになる。
特許文献 1：特公平 06— 090808号公報
特許文献 2：特開 2003 - 323743号公報
発明の開示
[0009] 本発明は、上記の課題を解決するもので、硫黄を含まず、青紫色波長領域レーザ に対して高透明性を有し、耐湿性に優れた誘電体材料を提供する。さら〖こ、この誘電 体材料を第 2の誘電体層に適用することで、第 3の界面層が不要となり、高信号品質 で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を提供する。 [0010] 本発明は、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、 Ce— Fを含む層を 備える。
これにより、高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体が得られる
[0011] 本発明の情報記録媒体において、 Ce— Fを含む層は、誘電体層である。
これにより、高透明性を有し、耐湿性に優れた誘電体材料が得られる。
[0012] 本発明の情報記録媒体は、基板、反射層、誘電体層、記録層をこの順に備え、反 射層と誘電体層とは接触するように構成されて ヽることが好ま 、。
これにより、界面層が不要となり、高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情 報記録媒体を得られる。
[0013] 本発明の情報記録媒体は、 2つ以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少な くとも 1つの情報層において、基板、反射層、誘電体層、記録層をこの順に備え、反 射層と誘電体層とは接触するように構成され、 2つ以上の情報層は、光学分離層によ り互 、に分離されて!、ることが好まし!/、。
これにより、 2つ以上の情報層を含む場合でも、界面層が不要となり、高信号品質 で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を得られる。
[0014] 本発明の情報記録媒体において、誘電体層は、 Ce—Fを 10mol%以上含む。
これにより、記録感度の悪ィ匕を防止できる。
[0015] また、誘電体層は、 Al、 Siゝ Ti、 Znゝ Gaゝ Y、 Zr、 In、 Laゝ Ceゝ Dyゝ Yb、 Hfおよび Ta力も選ばれる少なくとも一つの元素の酸ィ匕物である、誘電体材料 Dlをさらに含む ことが好ましい。
これにより、さらに高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を得 られる。
[0016] 他方、誘電体層は、 Si、 Ga、 Y、 Zr、 In、 Dy、 Hfおよび Taから選ばれる少なくとも 一つの元素の酸ィ匕物である、誘電体材料 Dlをさらに含むことが好ましい。
これによつても、さらに高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体 を得られる。
[0017] 誘電体層は、式：（Ce— F) Dl で表され、 xlが 10≤xl≤ 90を満たすことが好 ましい。
これにより、密着性および繰り返し書き換え特性の悪ィ匕を防止できる。
[0018] あるいは、誘電体層は、 Al、 B、 Yおよび S 選ばれる少なくとも一つの元素の窒 化物である、誘電体材料 D2をさらに含むことが好ましい。
これにより、さらに高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を得 られる。
[0019] 誘電体層は、式：（Ce— F) D2 で表され、 xlが 10≤xl≤ 90を満たすことが好
xl 100-xl
ましい。
これにより、記録感度の悪ィ匕を防止できる。
[0020] あるいは、誘電体層は、 Mg、 Y、 La、 Gd、 Tbおよび Ybから選ばれる少なくとも一 つの元素のフッ化物である、誘電体材料 D3をさらに含むことが好ましい。
これにより、さらに高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を得 られる。
[0021] 他方、誘電体層は、 Yおよび Laから選ばれる少なくとも一つの元素のフッ化物であ る、誘電体材料 D3をさらに含むことが好ましい。
これによつても、さらに高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体 を得られる。
[0022] 誘電体層は、式：（Ce— F) D3 で表され、 xlが 10≤xl≤90を満たすことが好
xl 100-xl
ましい。
これにより、記録感度の悪ィ匕を防止できる。
[0023] あるいは、誘電体層は、誘電体材料 Dl、誘電体材料 D2および誘電体材料 D3の いずれかから選ばれる複数の誘電体材料を備えることが好ましい。（但し、ここで、 D 1は Al、 Si、 Ti、 Zn、 Ga、 Y、 Zr、 In、 La、 Ce、 Dy、 Yb、 Hfおよび Taから選ばれる 少なくとも一つの元素の酸化物、 D2は Al、 B、 Yおよび Siから選ばれる少なくとも一 つの元素の窒化物、 D3は Mg、 Y、 La、 Gd、 Tbおよび Ybから選ばれる少なくとも一 つの元素のフッ化物を示す。）
これにより、さらに高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を得 られる。 [0024] 誘電体層は、式：（Ce— F) Dl D (但し、ここで Dは、誘電体材料 D2および xl x2 100-xl-x2
誘電体材料 D3から選ばれる少なくとも一つの誘電体材料を示す。）で表され、 xl、 X
10≤xl≤90および 50≤xl +x2< 100を満たすこと力好まし!/ヽ。 これにより、記録感度の悪ィ匕を防止できる。
[0025] 誘電体層は、式：（Ce— F) D2 D3 で表され、 xl、 x3力 lO≤xl≤ 90およ xl x3 100-xl-x3
び 50≤xl +x3く 100を満たすことが好ましい。
これにより、記録感度の悪ィ匕を防止できる。
[0026] 本発明は、情報を記録または再生する情報記録媒体の製造方法であって、情報記 録媒体は、基板、反射層、誘電体層、記録層をこの順に備え、反射層と誘電体層と は、接触するように構成され、誘電体層は、 Ce— Fを含むスパッタリングターゲットを 用いて形成される。
これにより、界面層が不要となり、高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情 報記録媒体を得られる。
[0027] スパッタリングターゲットは、さらに誘電体材料 Dl、誘電体材料 D2および誘電体材 料 D3の 、ずれかから選ばれる少なくとも一つの誘電体材料を含むことが好ま ヽ。 ( 但し、ここで、 D1は Al、 Siゝ Ti、 Znゝ Gaゝ Y、 Zrゝ In、 Laゝ Ceゝ Dyゝ Yb、 Hfおよび Ta 力 選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物、 D2は Al、 B、 Yおよび S 選ばれる 少なくとも一つの元素の窒化物、 D3は Mg、 Y、 La、 Gd、 Tbおよび Ybから選ばれる 少なくとも一つの元素のフッ化物を示す。 )
これにより、さらに高信号品質で繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を得 られる。
[0028] 以上、本発明により、誘電体層の材料として硫黄を用いることなぐ高信号品質で優 れた繰り返し書き換え特性を有し、且つ層数を低減した低コストの情報記録媒体を実 現することができる。
図面の簡単な説明
[0029] [図 1]本発明の実施の形態 1における情報記録媒体 1の一部断面図。
[図 2]本発明の実施の形態 2における情報記録媒体 2の一部断面図。
[図 3]本発明の実施の形態 3における情報記録媒体 3の一部断面図。 圆 4]本発明の情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う記録再生装置の一部 構成の概略図。
符号の説明
1、2、3、45 情報記録媒体
301、 302 情報層
4 記録再生装置
11 基板
12、 33 反射層
13、 34 第 2の誘電体層
14 第 2の界面層
15、 35 記録層
16 第 1の界面層
17、 37 第 1の誘電体層
18 カバー層
19 エネルギービーム（レーザ光)
31 光学分離層
32 透過率調整眉
36 界 Hi層
41 スピンドルモータ
42 半導体レーザ
43 光学ヘッド
44 対物レンズ
46 レーザ光
発明を実施するための最良の形態
本発明の情報記録媒体は、 Ce— Fを含む層を備える。この層は、特に限定はされ ないが、青紫色波長領域レーザに対して高透明性を有し、耐湿性に優れた誘電特 性を有する。 Ceと Fとは、化学量論比の化合物の形態で存在することが好ましいが、 化学量論比でない化合物の形態で存在していてもよい。また、それらの状態に、 Ce と Fの各元素と他の元素との化合物が含まれていてもよい。これらの材料は、誘電特 性を有して 、ることが好まし 、。
以下、本発明における実施の形態について図面を参照しながら説明する。
[0032] (実施の形態 1)
本発明の実施の形態 1として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報 記録媒体の一例を説明する。図 1に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。
[0033] 図 1に示す情報記録媒体 1は、基板 11から順に、反射層 12、第 2の誘電体層 13、 第 2の界面層 14、記録層 15、第 1の界面層 16、第 1の誘電体層 17、カバー層 18が 積層されて形成されている。この情報記録媒体には第 1の誘電体層 17側力 記録 · 再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光） 19が照射される。
[0034] カバー層 18は、例えば、光硬化型榭脂 (特に紫外線硬化型榭脂)や遅効性熱硬化 型榭脂等の榭脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小 さいことが好ましい。またカバー層 18には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフ イン、またはポリメチルメタタリレート（PMMA)等の榭脂、あるいはガラスを用いてもよ い。これらの材料を使用する場合は、カバー層 18を、例えば、光硬化型榭脂（特に 紫外線硬化型榭脂)や遅効性熱硬化型榭脂等の榭脂によって第 1の誘電体層 17〖こ 張り合わせることにより形成する。
[0035] 基板 11は円盤状の透明な基板である。基板 11の材料には、例えばポリカーボネー ト、アモルファスポリオレフイン、または PMMA等の榭脂、あるいはガラスを用いること ができる。基板 11の記録層 15側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案 内溝が形成されていてもよい。基板 11の記録層 15との反対側の面は、平滑であるこ とが好ましい。なお、基板 11の厚さは 500 μ m〜1300 μ m程度であるが、特にカバ 一層 18厚みが 100 /z m程度 (NA=0. 85で良好な記録 '再生が可能な厚みである 。）の場合、基板 11の厚みは 1050 m〜l 150 mの範囲にあることが好ましい。
[0036] 記録層 15は、例えば、レーザ光の照射によって結晶相と非晶質相の間で可逆的な 相変化を起こす材料力もなる。この材料としては例えば、式： Ge Ml M2 Te
yl y2 y3 100-(yl+y
2+y3) (原子％)で表される材料である。このような材料によれば、非晶質相が安定で信 号振幅が大きぐ融点の上昇と結晶化速度の低下が少ない記録膜を形成することが できる。 Mlは、 Sbおよび より選ばれる元素である。 M2は、 Si、 Ti、 V、 Fe、 Co、 N i、 Cu、 Zr、 Nb、 Mo、 Se、 Ru、 Rs、 Pd、 Mn、 Ag、 Al、 Cr、 Sn、 Ga、 In、 Ta、 Dy、 G d、 Td、 Os、 Ir、 W、 Ptおよび Auより選ばれる元素である。 ylは 30≤ylく 50を満た すことが好ましぐさらに ylは 40≤yl≤48を満たすことが好ましい。また、 y2は 0<y 2≤ 20を満たすことが好ましい。また、 y3は 0≤y3≤20を満たすことが好ましい。また 、 40≤yl +y2+y3≤60を満たすこと力好ましい。記録層 15の膜厚は良好な記録 特性を得るため 5nm〜 15nmの範囲内にあることが好まし!/、。記録層 15が厚すぎる 場合は、熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、 記録層 15が薄すぎる場合は情報記録媒体 1の反射率が小さくなるため、膜厚は 8n m〜12nmであることがさらに好ましい。また、記録層 15は、非可逆的相変化材料を 用いても形成することができる。非可逆的相変化材料としては、例えば、 TeOx+M3 (但し、 M3は Pdや Geなどの元素）を用いることが好ましい。記録層が非可逆的相変 化材料の場合、 1回のみ書き込み可能な追記型の情報記録媒体となるが、そのよう な情報記録媒体においても、記録感度、信号保存性の課題を改善するため、本発明 が好ましく適用される。膜厚は 5nm〜 15nmであることが好まし!/、。
[0037] 反射層 12の材料には、例えば、熱伝導率が高!、単金属である Ag、 Au、 Cuおよび A1や、またその合金である Al— Cr、 Al— Ti、 Au— Pd、 Au— Cr、 Ag— Pd、 Ag— P d— Cu、 Ag— Pd—Ti、 Ag—Ru—Au、 Ag—Nd—Au、 Ag—Nd—Cu、 Ag—In— Snまたは Cu— Siと!、つたものを用いることができる。この中でも Agおよびその合金 は特に熱伝導率が高ぐ反射層 12の材料として好ましい。反射層 12の膜厚は 30nm 〜200nmの範囲内であることが好ましい。これは膜厚が薄すぎると十分な熱拡散効 果が得られず、また厚すぎると情報記録媒体 1の記録感度が低下するためである。
[0038] 第 2の界面層 14、第 1の界面層 16は記録層への元素の拡散や水分の混入を防止 するノリアとしての働きを有する。また、記録層 15と接して設けられているため記録層 の結晶化速度を促進または抑制する効果があり、カルコゲナイド材料力 なる記録層 15と密着性に優れて ヽることが望まれる。これらの界面層には光吸収の少な 、材料 を適用することが好ましぐ界面層 14および 16の材料としては、例えば、 ZrO、 HfO
2
、 SiO、 Cr O、 Ga O、 In Oおよび Y O等の酸化物、 C— N、 Ti— N、 Zr— N、 N b— N、 Ta— N、 Si— N、 Ge— N、 Cr N、 Al— Nゝ Ge— Si— Nおよび Ge— Cr N 等の窒化物、 SiC等の炭化物および YF等のフッ化物を用いることができる。またそ
3
れらより選ばれる混合物でもよい。界面層 14および 16の膜厚は lnm〜10nmである ことが好ましい。界面層の膜厚が薄すぎると、ノリアとしての十分な効果が得られず、 記録層への元素の拡散や水分の混入を招き、信号品質が悪化する。また、膜厚が厚 すぎると記録層に対する結晶化促進または抑制効果が大きくなりすぎ、記録'再生特 性が悪ィ匕する。このため膜厚はさらに 3ηπ！〜 7nmであることが好ましい。
[0039] 第 1の誘電体層 17は記録層 15を水分等から保護する働きと、光学的距離を調節し て記録層 15の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくし て信号振幅を大きくする働きとを有する。第 1の誘電体 17には、例えば、 TiO、 ZrO
2 2
、 HfO、 ZnO、 Nb O、 Ta O、 SiOおよび Al O等の酸化物や C— N、 Ti— N、 Zr
2 2 5 2 5 2 2 3
N、 Nb— Nゝ Ta— N、 Si— N、 Ge— N、 Cr Nゝ Al— Nゝ Ge— Si— Nおよび Ge — Cr—N等の窒化物を用いることができる。また、 ZnS等の硫ィ匕物や SiC等の炭化 物も用いることができる。また、上記材料の混合物も用いることができる。例えば、 Zn Sと SiOの混合物は非晶質材料で、成膜速度が速ぐまた屈折率が高ぐ機械的強
2
度や耐湿性が良好であるため、第 1の誘電体層 17に適用する材料として特に優れて いる。第 1の誘電体層 17の膜厚はマトリクス法に基づく計算により、記録層 15が結晶 相の場合と非晶質相の場合との反射光量の変化率を大きくし、また記録層 15での光 吸収が大きくなる条件により、決定することができる。具体的な膜厚として、 ΙΟηπ！〜 1 60nmであることが好まし!/、。
[0040] 第 2の誘電体層 13は本発明の特徴と成す部分である。第 2の誘電体層 13は第 1の 誘電体層 17同様、光学的距離を調節して記録層 15の光吸収率を高める働きと、記 録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。ま た記録層 15にお ヽて発生した熱を速やかに反射層 12へ拡散し、記録層 15を冷却 する働きも有する。この熱拡散効果が優れている場合、記録層 15への熱的負荷が軽 減されて、良好な繰り返し書き換え特性が得られる。第 1の誘電体層 13は、例えば、 Ce— Fを含み、さらに誘電体材料 Dl、誘電体材料 D2および誘電体材料 D3から選 ばれる少なくとも一つを含む材料を用いることができる。また、良好な記録感度を得る ため、 Ce— Fを 10mol%以上含むことが好ましぐさらに 50%以上含むことがより好 ましい。第 1の誘電体層 17の膜厚は第 2の誘電体層 13と同様、マトリクス法に基づく 計算により決定することができる。具体的な膜厚として、 3ηπ！〜 80nmであることが好 ましい。
[0041] (実施の形態 2)
本発明の実施の形態 2として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報 記録媒体のさらに別の一例を説明する。図 2に、その光学的情報記録媒体の一部断 面を示す。
[0042] 図 2に示す情報記録媒体 2は、基板 11から順に、反射層 12、第 2の誘電体層 13、 記録層 15、第 1の界面層 16、第 1の誘電体層 17、カバー層 18が積層されて形成さ れている。この情報記録媒体 2には誘電体層 17側力も記録'再生用のエネルギービ ーム（一般的には、レーザ光） 19が照射される。
基板 11、反射層 12、記録層 15、第 1の界面層 16、第 1の誘電体層 17およびカバ 一層 18は、それぞれ実施の形態 1で示したものと材料、機能および形状も同様であ る。
[0043] 第 2の誘電体層 13の材料は、実施の形態 1で示したものと同様である。さらに、記 録層 15と接して設けられているため、記録層の結晶化速度を促進または抑制する効 果もある。また、カルコゲナイド材料カゝらなる記録層 15と密着性に優れていることが望 まれる。第 2の誘電体層 13の膜厚は実施の形態 1同様、マトリクス法に基づく計算に より、決定することができる。
[0044] (実施の形態 3)
本発明の実施の形態 3として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報 記録媒体のさらに別の一例を説明する。図 3に、その光学的情報記録媒体の一部断 面を示す。本実施の形態の情報記録媒体 3は、情報を記録再生する情報層を 2つ（ 情報層 301および情報層 302と記す。）含んでおり、片面からのエネルギービーム（ 一般的には、レーザ光） 19の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる 情報記録媒体である。
[0045] まず、情報層 302の構成について説明する。情報層 302は、基板 11から順に、反 射層 12、第 2の誘電体層 13、第 2の界面層 14、記録層 15、第 1の界面層 16、第 1の 誘電体層 17が積層されて形成されている。基板 11、反射層 12、第 2の誘電体層 13 、第 2の界面層 14、記録層 15、第 1の界面層 16および第 1の誘電体層 17は、それぞ れ実施の形態 1で示したものと材料、機能および形状も同様である。なお、情報層 30 2において、第 1の界面層 16は必ずしも設ける必要はない。
[0046] 光学分離層 31は、光硬化型榭脂 (特に紫外線硬化型榭脂)や遅効性熱硬化型榭 脂等の榭脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいこ とが好ましい。光学分離層 31は、情報層 301および情報層 302のフォーカス位置を 区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数 (NA)とレーザ光の波長 λに よって決定される焦点深度 Δ Ζ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を 無収差の場合の 80%と仮定した場合、 Δ Ζは Δ Ζ= λ Ζ{2 (ΝΑ) }で近似できる。ま た、光学分離層 31にお ヽてレーザ光の入射側に案内溝が形成されて!ヽてもよ!/、。
[0047] 次に情報層 301の構成について説明する。情報層 301は、光学分離層 31から順 に、透過率調整層 32、反射層 33、第 2の誘電体層 34、記録層 35、界面層 36、第 1 の誘電体層 37が積層されて形成されている。
[0048] 反射層 33には、実施の形態 1で示した反射層 12と同様の材料を用いることができ 、また、機能および形状も同様である。
界面層 36は、実施の形態 1で示した第 1の界面層 16と同様の材料を用いることが でき、また、機能および形状も同様である。
[0049] 第 1の誘電体層 37は、実施の形態 1で示した第 1の誘電体層 17と同様の材料を用 いることができ、また、機能および形状も同様である。
第 2の誘電体層 34の材料には、実施の形態 1における第 2の誘電体層 13や第 2の 界面層 14の材料を用いることができる。第 2の誘電体層 34は、光学的距離を調節し て記録層 35の光吸収率を高める働きや、記録前後での反射光量の変化率を大きく して信号振幅を大きくする働きを有する。また、記録層 35において発生した熱を速や かに反射層 33へ拡散し、記録層 35を冷却する働きも有する。また、記録層 35と接し て設けられているため記録層の結晶化速度を促進または抑制する効果もある。
[0050] 記録層 35は、実施の形態 1で示した記録層 15と同様の材料を用いることができ、ま た、機能および形状も同様であるが、膜厚はレーザ光の透過率を上げるため、なるベ く薄くすることが好ましい。
[0051] 透過率調整層 32は、情報層 301の透過率を調整する働きを有する。この層を設け ることにより、記録層が結晶相時における情報層 301の透過率 T (%)と、記録層が 非晶質相時における情報層 301の透過率 T (%)を共に高くすることができる。具体 a
的には、透過率調整層 32を設けた場合、透過率調整層 32が無い場合に比べ、 Tお よび Tを 2〜10%向上することができる。また、記録層 35において発生した熱を速や a
かに反射層 33へ拡散し、記録層 35を冷却する働きも有する。透過率をより高めるた め、透過率調整層 32の屈折率 nおよび減衰係数 kは、 n≥ 2. 0および n≤0. 1を満 たすことが好ましぐさらに 2. 0≤n≤3. 0および k≤0. 05を満たすことがより好まし い。透過率調整層 32には、 TiO、 ZrO、 HfO、 ZnO、 Nb O、 Ta O、 Al O、 Bi
2 2 2 2 2 5 2 5 2 3 2
O、 Y Oおよび CeO等の酸化物や Ti— Nゝ Zr— N、 Nb— Nゝ Ta— N、 Si— N、 Ge
3 2 3 2
— N、 Cr— N、 Al— N、 Ge— Si— Nおよび Ge— Cr— N等の窒化物を用いることがで
(21Z32) λ Ζηを満たすことが好ましい。
[0052] 最後に、第 1の誘電体層 37上にカバー層 18を形成し、情報記録媒体 3が作製され る。なお、カバー層 18は、実施の形態 1で示したものと材料、機能および形状も同様 である。
[0053] 本実施の形態では情報層を 2層に限定した情報記録媒体につ!、て説明したが、こ の情報層を複数設ける場合も、同様の構成、形成方法により情報記録媒体の作製が 可能であり、これにより情報記録媒体の大容量ィ匕が可能となる。
[0054] (実施の形態 4)
本発明の実施の形態 4として、本発明における情報記録媒体の製造方法の一例を 説明する。ここでは、実施の形態 1で説明した情報記録媒体 1の製造方法について 説明する。
[0055] 反射層 12、第 2の誘電体層 13、第 2の界面層 14、記録層 15、第 1の界面層 16お よび第 1の誘電体層 17を、この順に、気相成膜法の一つであるスパッタリング法を用 いて形成する。以下、順に述べる。 [0056] まず、基板 11 (例えば、厚み 1100 μ m)を成膜装置内に配置する。
反射層 12の成膜は、反射層 12を構成する金属または合金力 なるスパッタリングタ 一ゲットを用いて、 Arガス雰囲気中もしくは Arガスと反応ガス（例えば、酸素ガスゃ窒 素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより行う。なお、基板 11に案 内溝が形成されている場合は、この案内溝側に反射層 12を成膜する。
[0057] 第 2の誘電体層 13の成膜は、 CeFもしくはその混合物からなるスパッタリングター
3
ゲットを用いて、 Arガス雰囲気中もしくは Arガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で スパッタリングすることにより行う。具体的に、この混合物のスパッタリングターゲットは 、例えば、式：（CeF ) Dl (mol%)、式：（CeF ) Dl D (但し、 Dは D2
3 zl 100-zl 3 zl z2 100-zl-z2
および D3より選ばれる少なくとも一つを示す。）、式：（CeF ) D2 、式：（CeF )
3 zl 100-zl 3 zl
D2 D3 および（CeF ) D3 で表される。 zl、 z2および z3は、 10≤zl≤90 z3 100-zl-z3 3 zl 100-zl
、 50≤zl + z2< 100および 50≤zl + z3< 100を満たすこと力 子まし！/、。ある！/、は、 CeF、 Dl、 D2および D3の中の必要な誘電体を含むスパッタリングターゲットを、複
3
数の電源を用いて同時にスパッタリングすることにより成膜することもできる。
[0058] 第 2の界面層 14の成膜は、第 2の界面層 14を構成する誘電体の混合物からなるス ノ ッタリングターゲットを用いて、 Arガス雰囲気中もしくは Arガスと反応ガスとの混合 ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより行う。あるいは、構成する金属元素を含 むスパッタリングターゲットを用いて、 Arガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で反応 性スパッタリングすることにより成膜することもできる。
[0059] 記録層 15の成膜は、その組成に応じて、 Ge— Ml—Te— M2合金からなるスパッ タリングターゲットを用いて、 Arガス雰囲気中、 Krガス雰囲気中、 Arガスと反応ガスと の混合ガス雰囲気中または Krガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリング することにより行う。
[0060] 第 1の界面層 16の成膜は、第 1の界面層 16を構成する化合物からなるスパッタリン グターゲットを用いて、 Arガス雰囲気中もしくは Arガスと反応ガスとの混合ガス雰囲 気中でスパッタリングをすることにより行う。あるいは、第 1の界面層 16を構成する金 属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、 Arガスと反応ガスとの混合ガス雰囲 気中で反応性スパッタリングをすることにより成膜することもできる。 [0061] 第 1の誘電体層 17の成膜は、第 1の誘電体層 17を構成する化合物からなるスパッ タリングターゲットを用いて、 Arガス雰囲気中もしくは Arガスと反応ガスとの混合ガス 雰囲気中でスパッタリングをすることにより行う。または、第 1の誘電体層 17を構成す る金属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、 Arガスと反応ガスとの混合ガス 雰囲気中で反応性スパッタリングをすることで成膜できる。
[0062] 最後に、カバー層 18は、光硬化型榭脂 (特に紫外線硬化型榭脂)や遅効性熱硬化 型榭脂等の榭脂を第 1の誘電体層 17上に塗布してスピンコートした後に、榭脂を硬 化させることにより形成する。カバー層 18には、他にもポリカーボネート、アモルファス ポリオレフイン、またはポリメチルメタタリレート（PMMA)等の榭脂、あるいはガラスの 円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第 1の誘電体層 17上に光硬化型榭脂（ 特に紫外線硬化型榭脂)や遅効性熱硬化型榭脂等の榭脂を塗布し、スピンコート〖こ より均一に延ばし、榭脂を硬化させることで形成する。
[0063] 各層の成膜方法としては、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティ ング法、化学気相堆積法（CVD法： Chemical Vapor Deposition)および分子線 エピタキシー法（MBE法： Molecular Beam Epitaxy)を用いることも可能である。
[0064] 第 1の誘電体層 17を成膜した後、またはカバー層 18を形成した後には、必要に応 じて記録層 15の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レ 一ザ光の照射により行うことができる。
[0065] (実施の形態 5)
本発明の実施の形態 5として情報記録媒体の製造方法の別の一例を説明する。こ こでは、実施の形態 2で説明した情報記録媒体 2の製造方法にっ 、て説明する。
[0066] まず、基板 11 (例えば、厚み 1100 μ m)を成膜装置内に配置する。
続けて、反射層 12、第 2の誘電体層 13、記録層 15、第 1の界面層 16、第 1の誘電 体層 17を順次成膜し、最後にカバー層 18を形成する。成膜および形成方法は、そ れぞれ実施の形態 4で示したものと同様である。
[0067] なお、第 1の誘電体層 17を成膜した後、またはカバー層 18を形成した後には、必 要に応じて記録層 15の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化 は、レーザ光の照射により行うことができる。 [0068] (実施の形態 6)
本発明の実施の形態 6として、情報記録媒体の製造方法のさらに別の一例を説明 する。ここでは、実施の形態 3で説明した情報記録媒体 3の製造方法について説明 する。
[0069] まず、基板 11 (例えば、厚み 1100 μ m)を成膜装置内に配置する。
続けて情報層 302を形成するために、反射層 12、第 2の誘電体層 13、第 2の界面 層 14、記録層 15、第 1の界面層 16、第 1の誘電体層 17を順次成膜する。成膜方法 は、それぞれ実施の形態 4で示したものと同様である。
[0070] 次に、光学分離層 31を形成する。光学分離層 31は、光硬化型榭脂 (特に紫外線 硬化型榭脂)や遅効性熱硬化型榭脂等の榭脂を情報層 302上に塗布してスピンコ ートを行った後に、榭脂を硬化させることで形成できる。なお、光学分離層 31に案内 溝を設ける場合は、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板 (型)を硬化前 の榭脂上に密着させた後、基板 11と転写用基板とをスピンコートし、その後榭脂を硬 化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した榭脂から剥がすことにより、所定の案 内溝が形成された光学分離層 31が形成できる。
[0071] さらに情報層 301を形成する。すなわち、透過率調整層 32、反射層 33、第 2の誘 電体層 34、記録層 35、界面層 36、第 1の誘電体層 37、カバー層 18を、この順に形 成する。
[0072] 透過率調整層 32の成膜は、透過率調整層 32を構成する誘電体からなるスパッタリ ングターゲットを用いて、 Arガス雰囲気中もしくは Arガスと反応ガスとの混合ガス雰 囲気中でスパッタリングにより形成できる。また、透過率調整層 32は、構成する金属 元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、 Arガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気 中における反応性スパッタリングすることにより行う。
[0073] 反射層 33の成膜は、実施の形態 4で説明した反射層 12と同様の方法により行う。
第 2の誘電体層 34の成膜は、実施の形態 4で説明した第 2の誘電体層 13または第 2の界面層 14と同様の方法により行う。
[0074] 記録層 35の成膜は、実施の形態 4で説明した記録層 15と同様の方法により行う。
第 1の界面層 36の成膜は、実施の形態 4で説明した第 1の界面層 16と同様の方法 により行う。
[0075] 第 1の誘電体層 37の成膜は、実施の形態 4で説明した第 1の誘電体層 17と同様の 方法により行う。
最後に、カバー層 18を実施の形態 4と同様の方法により形成する。
[0076] なお、第 1の誘電体層 17を成膜した後、またはカバー層 18を形成した後には、必 要に応じて記録層 15の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。また、第 1の 誘電体層 37を成膜した後、またはカバー層 18を形成した後には、必要に応じて記 録層 35の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。いずれの場合の初期ィ匕も 、レーザ光の照射により行うことができる。
[0077] (実施の形態 7)
本発明の実施の形態 7として、実施の形態 1および 2で説明した情報記録媒体 45 ( 情報記録媒体 1または 2)に対して、情報の記録再生を行う方法について説明する。 図 4に、本実施の形態の記録再生方法に用いられる記録再生装置 4の一部の構成を 模式的に示している。 記録再生装置 4は、情報記録媒体を回転させるスピンドルモ ータ 41と、半導体レーザ 42を備える光学ヘッド 43と、半導体レーザ 42から出射され るレーザ光 46を集光する対物レンズ 44とを備える。
[0078] 対物レンズ 44の開口数（NA)は、レーザ光のスポット径を 0. 4 μ m〜0. 7 μ mの範 囲内に調整するため、 0. 5〜1. 0の範囲内であることが好ましい。レーザ光の波長 は 450nm以下（より好ましくは 350nm〜450nmの青紫領域）であることが好ましい。 情報を記録再生する際の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくぐ且つ十分な 消去率が得られる 3mZ秒〜 20mZ秒の範囲内であることが好ましい。
[0079] 情報記録媒体への情報の記録、消去、および上書き記録は、レーザ光のパワーを 高パワーのピークパワーと低パワーのバイアスパワーとの変調により行う。ピークパヮ 一のレーザ光を照射することにより、情報記録媒体の記録膜の局所的な一部に非晶 質相が形成され、その非晶質相が記録部（記録マーク）となる。記録マーク間ではバ ィァスパワーのレーザ光が照射され、結晶相が形成され、その結晶相が消去部となる 。ピークパワーのレーザ光を照射するときには、パルス列で形成するマルチパルスと するのが一般的である。マルチパルスはピークパワーとバイアスパワーのパワーレべ ルで変調さえてもょ 、し、 OmWからピークパワーの任意のパワーレベルで変調され てよい。
[0080] なお、基板 11に案内溝が設けられている場合、情報は、レーザ光の入射側力 遠 Vヽ溝面 (グループ）、またはレーザ光の入射側力 近 、溝面 (ランド）、またはその両 方に記録してもよい。
[0081] また、情報の再生はレーザ光を情報記録媒体に照射し、情報記録媒体からの信号 を検出器で読み取ることにより行われる。再生時におけるレーザ光パワーは、記録マ ークの光学的な状態が影響を受けず、且つ情報記録媒体の記録マーク検出のため の十分な反射光量が得られるパワーとする。
以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
[0082] (実施例 1)
本実施例では、情報記録媒体 1の一例をその製造方法と共に説明する。 まず、基板 11として、案内溝 (深さ 20nm、トラックピッチ 0. 32 m)が形成されたポ リカーボネート基板を用意した。その基板上に、反射層 12として Ag— Pd— Cu膜を 8 Onm、第 2の誘電体層 13、第 2の界面層 14として ZrO— SiO— Ga O膜（具体的に
2 2 2 3
は、式：（ZrO ) (SiO ) (Ga O ) (mol%) )を 5nm、記録層 15として Ge— Bi— T
2 25 2 25 2 3 50
e— Sn膜 (具体的には、式： Ge Bi Te Sn (原子％)で表されるもの）を l lnm、
44.0 3.0 50.7 2.3
第 1の界面層 16として ZrO -SiO -Cr O膜 (具体的には、式：（ZrO ) (SiO ) (
2 2 2 3 2 25 2 25
Cr O ) (mol%) )を 5nm、第 1の誘電体層 17して ZnS— SiO膜（具体的には、（Zn
2 3 50 2
S) (SiO ) (mol%) )を順次スパッタリング法により成膜した。最後に紫外線硬化榭
80 2 20
脂を第 1の誘電体層 17に塗布し、ポリカーボネート基板 (直径 120mm、厚さ 70 m )を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により榭脂を硬化させ、カバー層 18を形 成した。
[0083] 第 2の誘電体層 13および第 1の誘電体層 17の膜厚は、マトリクス法に基づく計算に より決定した。具体的には、 405nmのレーザ光を入射したとき、記録層 15が結晶相 時の情報記録媒体の反射率 (基板の鏡面部における反射）が 15%〜25%、記録層 15が非晶質相時の情報記録媒体の反射率 (基板の鏡面部における反射)が 1%〜5 %、記録層 15が結晶相時の吸収率が 60%〜70%となるように決定した。 [0084] 以上のように作製された情報記録媒体 1および従来例の情報記録媒体について、 反射層と第 2の誘電体層 13との密着性、および繰り返し書き返し性能を評価した。 密着性の評価は、情報記録媒体を温度 90°C、相対湿度 80%の条件の恒温槽に 1 00時間放置した後、光学顕微鏡により腐食、剥離を観察することにより行った。
また、繰り返し書き返し性能の評価は、図 4で示した記録再生装置 4を用いて行つ た。この際のグループへの情報の記録条件は、レーザ光の波長は 405nm、対物レ ンズの開口数 NAは 0. 85、測定時の線速度は 4. 9mZs、最短マーク長は 0. 149 μ mとした。
[0085] グループへの情報の記録は、 0. 149 μ m (2T)力 0. 596 μ m (8T)までのランダ ムな信号を用い、同じグループに連続して行った。各書き換え回数において信号の 再生を行い、前端ジッタ (記録マークの前端部のジッタ）、後端ジッタ (記録マークの 後端部のジッタ）、および前端ジッタと後端ジッタの平均ジッタをタイム'インターバル- アナライザにより測定した。ここで、 1回目のジッタ値に対して 3%増加する書き換え回 数を情報記録媒体の繰り返し書き返し性能の上限値とした。
[0086] 本実施例では、第 2の誘電体層 13として CeFを適用した。この情報記録媒体のデ
3
イスク No.を 1— 101とする。
さらに別の例では、第 2の誘電体層 13として、式：（Ce—F) Dl (mol%)で表
100-xl
される Ce—F誘電体において、 xl = 50とし D1として In O、 Y O、 Dv O、 HfO、 (
2 3 2 3 2 3 2
ZrO ) (SiO ) および (ZrO ) (Y O ) を選択したものを適用した。これらのデイス
2 25 2 25 2 25 2 3 25
ク No.をそれぞれ 1 102力ら 1 107とする。
[0087] さらに別の例では、第 2の誘電体層 13として、式：（Ce—F) Dl D (mol%) xl x2 100-xl-x2 で表される Ce—F誘電体において、 xl = 50、 x2 = 25とし Dlとして In O、 Dに Si N
2 3 3
、 YFおよび（Si N ) (YF ) を選択したものを適用した。これらのディスク No.をそ
4 3 3 4 15 3 10
れぞれ 1 108力ら 1 110とする。
[0088] さらに別の一例として、第 2の誘電体層 13に、式：（Ce—F) D2 (mol%)で表 xl 100-xl
される Ce—F誘電体において、 xl = 50とし D2として A1N、 Si Nおよび (A1N) (Si
3 4 25 3
N ) を選択したものを適用した。これらのディスク No.をそれぞれ 1— 111から 1—1
4 25
13とする。 [0089] さらに別の例では、第 2の誘電体層 13として、式：（Ce—F) D2 D3 (mol% xl x3 100-xl-x3
)で表される Ce F誘電体において、 xl = 50、 x3 = 25とし D2として Si N、 D3とし
3 4 て YFを選択したものを適用した。これらのディスク No.を 1 114とする。
3
[0090] さらに別の例では、第 2の誘電体層 13として、式：（Ce—F) D3 (mol%)で表 xl 100-xl
される Ce— F誘電体において、 xl = 50とし D3として YF、 TbFおよび (YF ) (Tb
3 3 3 25
F ) を選択したものを適用した。これらのディスク No.をそれぞれ 1—115から 1—1
3 25
17とする。
[0091] また、従来の第 2の誘電体層を用いた場合の繰り返し書き返し性能と比較するため に、第 2の誘電体層として (ZnS) (SiO ) を適用した情報記録媒体 (ディスク No.
80 2 20
を 1— 000とする）を作製し、同様の評価を行った。
[0092] 評価結果を表 1に示す。
(表 1) ディスク Να 第 2の誘電体層材料 反射層との密着性 書き換え回数
1-101 CeF3 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-102 (CeF3)50(In203)5o 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-103 (CeF3);o(Y203);0 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-104 (CeF3)5o(Dy203)50 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-105 (CeF3)50(HfO2)5o 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-106 (CeF3)50(ZiO (SiO 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-107 (CeF 。 (ZiO (Y203)25 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-108 (CeF 。 (In203)25(Si3N4)25 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-109 (CeF3)50(In2O3)25(YF3)25 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-110 (CeF3)5。(In203)25(Si3N (YF3)10 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-111 (CeF3);o(AlN);o 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-112 (CeF3)5。(Si3N4)50 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-113 (CeF3)5o(AlN)25(Si3N4)25 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-114 (CeF3);o(Si3N4)25(YF3)2; 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-115 tCeF3);o(YF3);o 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-116 (CeF3);o(TbF3);o 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-117 (CeF3)50(YF3)25(TbF3)25 剥離、 腐食無し 10000回以上
1-000 (ZnS)80(SiO2)20 円形の腐食多数発生 10000回以上 表 1に示すように、密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体 1に おいても反射層 12に対して剥離、腐食は発生せず、従来例 1 100より大きく改善し た結果が得られた。つまり、本実施例の第 2の誘電体層として適用したいずれの Ce F誘電体と Agとの反応性は無ぐ情報記録媒体の特性を悪化させないことが示さ れた。
[0093] また、本実施例における!/、ずれの情報記録媒体 1にお 、ても繰り返し書き換え特性 は、従来例と同等の特性を維持し、 1万回以上の書き換えが行えることが示された。 情報記録媒体を画像、音声、動画の保存用として用いるときは、 1000回の書き換え 回数が好ましく、さらにコンピュータにおける外部メモリとして用いるときは 1万回以上 の書き換え回数が好ましい。つまり、本実施例における情報記録媒体 1はいずれもコ ンピュータにおける外部メモリとしても適用可能であることが示された。
以上、本発明により、従来を上回る性能を有する情報記録媒体が得られた。
[0094] (実施例 2)
本実施例では、実施例 1で示した情報記録媒体 1における第 2の誘電体層 13として 、実施例 1で示した組み合わせを除ぐ (Ce-F) Dl 、 (Ce-F) Dl D
x 1 100-x 1 xl x2 100-xl-x2
、 (Ce-F) D2 、 (Ce-F) D2 D3 および（Ce— F) D3 を xl = 50 xl 100-xl xl x3 100-xl-x3 xl 100-xl
、x2 = 25および x3 = 25として適用した（例えば、（CeF ) (Ta O ) )。
3 50 2 5 50
[0095] 実施例 1同様に、反射層 12との密着性および繰り返し書き換え性能を評価した。
その結果、いずれの場合においても、剥離や腐食は発生しなかった。また、いずれ の場合においても、書き換え回数が 5000回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得 られた。特に、 D1として、 SiO、 Ga O、 Y O、 ZrO、 In O、 Dy O、 HfOおよび T
2 2 3 2 3 2 2 3 2 3 2 a O力 選ばれる少なくとも一つを用いたときは、いずれの場合も書き換え回数が 1
2 5
万回以上と極めて良好な繰り返し書き換え性能が得られた。
[0096] (実施例 3)
実施例 3では、実施例 1で示した情報記録媒体 1における第 2の誘電体層 13として 、（CeF ) (Ιη θ ) 、（CeF ) (Y O ) 、（CeF ) (Si N ) 、および（CeF
3 xl 2 3 100-xl 3 xl 2 3 100-xl 3 xl 3 4 100-xl 3
) (TbF ) を適用した。各 Ce— F誘電体において組成比 xlを変え、情報記録媒 xl 3 100-xl
体 1— 201から 1— 212を作製し、実施例 1同様、反射層 12との密着性および繰り返 し書き換え特性の評価を行った。
評価結果を表 2に示す。
(表 2)
Figure imgf000023_0001
表 2に示すように密着性に関して、本実施例における!/、ずれの情報記録媒体 1に おいても反射層 12に対して剥離、腐食は発生しなかった。また、いずれの情報記録 媒体 1においても書き換え回数が 5000回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得ら れ、画像、音声、動画の保存用の情報記録媒体として用いるが可能であることが示さ れた。なお、コンピュータにおける外部メモリとして用いるときは、 CeF力 lOmol%以
3
上であることが好ましい。
(実施例 4)
実施例 4では、実施例 1で示した情報記録媒体 1における第 2の誘電体層 13として 、（CeF ) (Ιη θ ) (Si N ) および（CeF ) (Si N ) (YF ) を適用した
3 xl 2 3 x2 3 4 100-xl-x2 3 xl 3 4 x3 3 100-xl-x3
。各 Ce— F誘電体において組成比 xl = 30とし、 x2および x3を変え、情報記録媒体 1— 301から 1— 308を作製し、実施例 1同様、反射層 12との密着性および繰り返し 書き換え特性の評価を行った。
評価結果を表 3に示す。
(表 3)
Figure imgf000024_0001
表 3に示すように密着性に関して、本実施例における!/、ずれの情報記録媒体 1に おいても反射層 12に対して剥離、腐食は発生しなかった。また、いずれの情報記録 媒体 1においても書き換え回数が 5000回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得ら れ、画像、音声、動画の保存用の情報記録媒体として用いるが可能であることが示さ れた。なお、コンピュータにおける外部メモリとして用いるときは、（CeF ) (Ιη θ ) (
3 xl 2 3 x2
Si N ) においては Si N力 Omol%以下、（CeF ) (Si N ) (YF ) に
3 4 100-xl-x2 3 4 3 xl 3 4 x3 3 100-χ1-χ3 お！/ヽては YFカ 50mol0/0以下、つまり、 xl +x2≥50、 xl +x3≥50であること力 子
3
ましい。
[0100] (実施例 5)
本実施例では、情報記録媒体 2の一例を説明する。
情報記録媒体 2の各層の形成方法は、実施例 1と同様である。本実施例において は、第 2の誘電体層 13に、式：（Ce— F) Dl (mol%)で表される Ce— F誘電体 xl 100-xl
を適用した。 D1として、 In Oおよび Y Oを選択し、各 Ce— F誘電体において組成
2 3 2 3
比 xlを変え、情報記録媒体 2— 102から 2— 108を作製し、記録層との密着性の評 価を行った。
[0101] 評価結果を表 4に示す。 (表 4)
Figure imgf000025_0001
表 4に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体 2においても、記録層 12に対して腐食は発生しな力つた。また、 CeFが 90mol%以下のいずれの情報記
3
録媒体 2においては、剥離も発生しなかった。 CeFが 90mol%より多くなると剥離が
3
発生する。そのため、 CeFは 90mol%以下にすることが好ましい。また、 TeOx + M
3
3 (但し、 M3は Pdや Geなどの元素を用いる）でも、上記の結果と同様、記録層 15に 対して腐食は発生しな力つた。
[0102] (実施例 6)
本実施例では、情報記録媒体 3の一例を説明する。
情報記録媒体 3の情報層 302の形成方法は実施例 1と同様である。
本実施例においては、第 2の誘電体層 13には（CeF ) (Ιη θ ) 、 (CeF ) (Y Ο
3 50 2 3 50 3 50 2 3
) 、（CeF ) (Si N ) および (CeF ) (TbF ) を適用した。これらの情報記録媒体
50 3 50 3 4 50 3 50 3 50
のディスク No.をそれぞれ 3— 101から 3 - 104とする。
[0103] 続けて、情報層 302上に案内溝の設けられた光学分離層 31を形成した。
続けて、光学分離層 31上に情報層 301を形成する。情報層 301は透過率調整層 32として TiOを 21nm ( （11Z80) λ Ζη)、反射層 33として Ag— Pd— Cu膜を 10
2
nm、第 2の誘電体層 34として ZrO— SiO— Ga O膜（具体的には、式：（ZrO ) (S
2 2 2 3 2 25 iO ) (Ga O ) (11101%) )、記録層35として06— 81—丁6— 311膜(具体的には、式：
2 25 2 3 50
Ge Bi Te Sn (原子％)で表されるもの）を 6nm、界面層 36として ZrO—SiO — Cr O膜 (具体的には、式：（ZrO ) (SiO ) (Cr O ) (mol%) )を 5nm、第 1の
2 3 2 25 2 25 2 3 50
誘電体層 37して ZnS— SiO膜 (具体的には、（ZnS) (SiO ) (mol%) )を順次ス
2 80 2 20
ノ ッタリング法により成膜した。最後に紫外線硬化榭脂を第 1の誘電体層 37に塗布し 、ポリカーボネート基板（直径 120mm、厚さ 70 μ m)を密着させ、スピンコートした後 に、紫外線により榭脂を硬化させ、カバー層 18を形成し、情報記録媒体 3を作製した
[0104] 第 2の誘電体層 34および第 1の誘電体層 37の膜厚は、マトリクス法に基づく計算に より決定した。具体的には、 405nmのレーザ光を入射したとき、記録層 35が結晶相 時の情報記録媒体の反射率 (基板の鏡面部における反射）が 4%〜10%、記録層 3 5が非晶質相時の情報記録媒体の反射率 (基板の鏡面部における反射)が 1%〜5 %、透過率 T (%)および透過率 T (%)がともに 45%〜55%となるように決定した。
c a
[0105] 以上のように作製された情報記録媒体 3 (ディスク No.を 3— 101から 3— 104とす る）について、反射層 12と第 2の誘電体層 13との密着性、および情報層 302の繰り 返し書き返し性能を評価した。また、実施例 1と同様、第 2の誘電体層 13に従来の (Z nS) (SiO ) を適用した情報記録媒体 (ディスク No.を 3— 000とする）を作製し、
80 2 20
比較した。
[0106] 評価結果を表 5に示す。
(表 5)
Figure imgf000026_0001
表 5に示すように密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体 3に おいても反射層 12に対して剥離、腐食は発生せず、従来例 3— 100より大きく改善し た結果が得られた。
また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体 3においても繰り返し書き換え特性 は良好で、従来例と同等の特性を維持し、 1万回以上の書き換えが行えることが示さ れた。つまり、情報記録媒体 3は画像、音声、動画の保存用およびコンピュータにお ける外部メモリとして用いることが可能であることが示された。
[0107] (実施例 7)
本実施例では、実施例 6に記述の情報記録媒体において、誘電体層 34に式： (Ce -F) Dl (mol%)で表される Ce— F誘電体を適用した例について説明する。 D xl 100-xl
1として、 In Oおよび Y Οを選択し、各 Ce— F誘電体において組成比 xlを変え、情
2 3 2 3
報記録媒体 4— 102から 4— 108を作製し、記録層 35との密着性の評価を行った。
[0108] 評価結果を表 6に示す。
(表 6)
Figure imgf000027_0001
表 6に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体においても記録層 35 に対して腐食は発生しな力つた。また、 CeFが 90mol%以下のいずれの情報記録
3
媒体においては、剥離も発生しな力つた。 CeFが 90mol%より多くなると剥離が発生
3
する。そのため、 CeFは 90mol%以下にすることが好ましい。また、 TeOx + M3 (但
3
し、 M3は Pdや Geなどの元素を用いる）でも、上記の結果と同様、記録層 35に対し て腐食は発生しな力つた。
[0109] 以上、本発明により、硫黄を含まず、青紫色波長領域レーザに対して高透明性を 有し、耐湿性に優れた誘電体材料を提供可能となる。さらに、この誘電体材料を第 2 の誘電体層に適用することで、第 3の界面層が不要となり、高信号品質で繰り返し書 き換え特性に優れた情報記録媒体を提供可能となる。
以上、本発明の実施の形態について例を取り上げ説明したが、本発明は上記の実 施の形態に限定されず、本発明の技術発想に基づいて他の実施の形態にも適用で きる。
産業上の利用可能性
本発明の情報記録媒体とその製造方法は、優れた特性を有する誘電体層を必要と する大容量な光学的情報記録媒体、例えば Blu— ray Disc等に有用である。また、 直径 6cmのような小径ディスクに応用することもできる。さらに、電気的情報記録媒体 、例えば、電気的なスイッチング素子に対しても有用である。
いずれにおいても、書き換え型、追記型または再生専用型を問わず応用することが 可能である。

Claims

請求の範囲
[1] 情報を記録または再生する情報記録媒体であって、 Ce— Fを含む層を備える、情 報記録媒体。
[2] 前記 Ce— Fを含む層は、誘電体層である、請求項 1に記載の情報記録媒体。
[3] 基板、反射層、前記誘電体層、記録層をこの順に備え、
前記反射層と前記誘電体層とは接触するように構成されている、
請求項 2に記載の情報記録媒体。
[4] 2つ以上の情報層を含む情報記録媒体であって、
少なくとも 1つの情報層において、基板、反射層、前記誘電体層、記録層をこの順 に備え、
前記反射層と前記誘電体層とは接触するように構成され、
前記 2つ以上の情報層は、光学分離層により互いに分離されている、
請求項 2に記載の情報記録媒体。
[5] 前記誘電体層は、 Ce—Fを 10mol%以上含む、請求項 2から 4のいずれ力 1項に 記載の情報記録媒体。
[6] 前記誘電体層は、 Al、 Siゝ Ti、 Znゝ Gaゝ Y、 Zrゝ In、 Laゝ Ceゝ Dyゝ Yb、 Hfおよび T aから選ばれる少なくとも一つの元素の酸ィ匕物である、誘電体材料 Dlをさらに含む、 請求項 2から 5のいずれか 1項に記載の情報記録媒体。
[7] 前記誘電体層は、 Si、 Ga、 Y、 Zr、 In、 Dy、 Hfおよび Taから選ばれる少なくとも一 つの元素の酸化物である、誘電体材料 D1をさらに含む、請求項 6に記載の情報記 録媒体。
[8] 前記誘電体層は、
式：（Ce— F) Dl
xl 100-xl
で表され、
xl力 O≤xl≤90を満たす、
請求項 5または 7に記載の情報記録媒体。
[9] 前記誘電体層は、 Al、 B、 Yおよび Siから選ばれる少なくとも一つの元素の窒化物 である、誘電体材料 D2をさらに含む、請求項 2から 5のいずれ力 1項に記載の情報 記録媒体。
[10] 前記誘電体層は、
式：（Ce— F) D2
xl 100-xl
で表され、
xl力 O≤xl≤90を満たす、
請求項 9に記載の情報記録媒体。
[11] 前記誘電体層は、 Mg、 Y、 La、 Gd、 Tbおよび Ybから選ばれる少なくとも一つの元 素のフッ化物である、誘電体材料 D3をさらに含む、請求項 2から 5のいずれ力 1項に 記載の情報記録媒体。
[12] 前記誘電体層は、 Yおよび Laから選ばれる少なくとも一つの元素のフッ化物である 、誘電体材料 D3をさらに含む、請求項 11に記載の情報記録媒体。
[13] 前記誘電体層は、
式：（Ce— F) D3
xl 100-xl
で表され、
xl力 O≤xl≤90を満たす、
請求項 11または 12に記載の情報記録媒体。
[14] 前記誘電体層は、 Al、 Siゝ Ti、 Zn、 Gaゝ Y、 Zrゝ In、 Laゝ Ceゝ Dyゝ Yb、 Hfおよび T aから選ばれる少なくとも一つの元素の酸ィ匕物である誘電体材料 Dl、 Al、 B、 Yおよ び Siから選ばれる少なくとも一つの元素の窒化物である誘電体材料 D2、および Mg 、 Y、 La、 Gd、 Tbおよび Ybから選ばれる少なくとも一つの元素のフッ化物である誘 電体材料 D3の 、ずれかから選ばれる複数の誘電体材料を備える、請求項 2から 5の V、ずれか 1項に記載の情報記録媒体。
[15] 前記誘電体層は、
式：（Ce— F) Dl D
xl x2 100-xl-x2
(但し、ここで Dは、前記誘電体材料 D2および前記誘電体材料 D3から選ばれる少な くとも一つの誘電体材料を示す。 )
で表され、
xl、 x2力 10≤xl≤90および 50≤xl +x2く 100を満たす、 請求項 14に記載の情報記録媒体。
[16] 前記誘電体層は、
式：（Ce— F) D2 D3
xl x3 100-xl-x3
で表され、
xl、 x3力 O≤xl≤90および 50≤xl +x3く 100を満たす、
請求項 14に記載の情報記録媒体。
[17] 基板、反射層、誘電体層、記録層をこの順に備えた、情報を記録または再生する 情報記録媒体の製造方法であって、
前記誘電体層を、 Ce— Fを含むスパッタリングターゲットを用いて、前記反射層に 接触するように形成する、
情報記録媒体の製造方法。
[18] 前記スパッタリングターゲットは、 Al、 Si、 Ti、 Zn、 Ga、 Y、 Zr、 In、 La、 Ce、 Dy、 Y b、Hfおよび Ta力も選ばれる少なくとも一つの元素の酸ィ匕物である誘電体材料 Dl、 Al、 B、 Yおよび S 選ばれる少なくとも一つの元素の窒化物である誘電体材料 D 2、および Mg、 Y、 La、 Gd、 Tbおよび Ybから選ばれる少なくとも一つの元素のフッ 化物である誘電体材料 D3のいずれかから選ばれる少なくとも一つの誘電体材料をさ らに含む、
請求項 17に記載の情報記録媒体の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013218781A (ja) * 2007-12-06 2013-10-24 Panasonic Corp 記録再生装置、記録再生方法および情報記録媒体

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101317225A (zh) * 2005-11-30 2008-12-03 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法
KR102671822B1 (ko) * 2021-04-12 2024-06-04 한국전자기술연구원 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6276037A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学記録部材
JPS6478444A (en) * 1987-09-19 1989-03-23 Nippon Telegraph & Telephone Rewriting type laser recording medium
JP2001101712A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Hitachi Ltd 情報記録媒体及び情報記録装置
JP2002367222A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Hitachi Ltd 多層情報記録媒体
JP2003341241A (ja) * 2002-03-19 2003-12-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録媒体とその製造方法
JP2004310992A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録媒体とその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4847132A (en) * 1986-10-20 1989-07-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Protective layer for optical information recording medium
US5631056A (en) * 1994-03-31 1997-05-20 Victor Company Of Japan, Ltd. Optical recording medium
US6858278B2 (en) * 2001-12-18 2005-02-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Information recording medium and method for producing the same
DE60207676T2 (de) * 2001-12-18 2006-09-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Informationsaufzeichnungsmedium und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100906056B1 (ko) * 2002-03-19 2009-07-03 파나소닉 주식회사 정보 기록매체와 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6276037A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学記録部材
JPS6478444A (en) * 1987-09-19 1989-03-23 Nippon Telegraph & Telephone Rewriting type laser recording medium
JP2001101712A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Hitachi Ltd 情報記録媒体及び情報記録装置
JP2002367222A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Hitachi Ltd 多層情報記録媒体
JP2003341241A (ja) * 2002-03-19 2003-12-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録媒体とその製造方法
JP2004310992A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録媒体とその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013218781A (ja) * 2007-12-06 2013-10-24 Panasonic Corp 記録再生装置、記録再生方法および情報記録媒体

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