WO2006054329A1

WO2006054329A1 - コンタクタ及びコンタクタを用いた試験方法

Info

Publication number: WO2006054329A1
Application number: PCT/JP2004/016979
Authority: WO
Inventors: Daisuke Koizumi; Naohito Kohashi; Kazuhiro Tashiro; Takumi Kumatabara
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2004-11-16
Filing date: 2004-11-16
Publication date: 2006-05-26
Anticipated expiration: 2007-05-16
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Abstract

　導電性材料により形成された接触子がコンタクタ基板の複数の孔の各々に配置される。各孔の内面に導電部が形成される。接触子は、電子部品の端子に接触する第１の接触部と、中間部分において導電部に接触する第２の接触部とを有する。第１の接触部が押圧されて接触子がたわむと、第２の接触部がコンタクタ基板の導電部に接触して適度な接触圧が得られる。

Description

明細書

3ンタクタ及び 3ンタクタを用レ、た試験方法

技術分野

[0001] 本発明はコンタクタに係り、特に半導体装置のような電子部品の特性試験に使用するコンタクタ及びコンタクタを用 V、た試験方法に関する。

背景技術

[0002] 近年、携帯通信端末、携帯電話、デジタルカメラ等の電子機器に対して、小型化、軽量ィ匕への要求が強くなつている。これに伴い、これら電子機器に使用される半導体装置等の電子部品に対しても、小型化、軽量ィヒが要望されている。

[0003] このような要求を満たす半導体装置として、 ICチップとほぼ同じサイズにパッケージされたチップサイズパッケージ（CSP : Chip Size Package)と称される半導体装置が用いられている。 CSPの代表例としては、 FBGA (Fine- pitch Ball Grid Array)、 FLGA (Fine-pitch Land Grid Array)等があげられる。

[0004] 一方、 CPU (Central Processing Unit)のようなコンピュータの中央演算装置においては、その集積度の向上により、外部接続端子の数が増え続けている。この結果、上述の CSPとは異なり、 CPUの外形は増大し且つ外部接続端子 (電極)のピッチがさらに減少されている。 CPUに使われる ICパッケージとしては、 BGA(Ball Grid Array)、 LGA (Land Grid Array)等があげられる。

[0005] 以上のように、半導体装置の形状や外部接続端子の形状、大きさは多岐にわたつており、非常に多くの種類の半導体装置が市場に出回っているが、いずれの半導体装置においても、小型化、軽量化、集積度の向上が図られ、電極の微細化及び電極ピッチの低減が図られている。

[0006] これらの半導体装置は、製造工程にお!/、て特性試験が行われる力特性試験の際に半導体装置の外部接続端子と一時的に電気的導通を得る必要がある。半導体装置と試験回路を電気的に接続するために、一般的にコンタクタが用いられる。上述のように半導体装置の外部接続端子の微細化、ピッチの減少に伴い、コンタクタの接触子も微細化しピッチを減少しなければならない。 [0007] ここで、従来のコンタクタの一例を図 1に示す。図 1に示すコンタクタ 2は BGAタイプの半導体装置 4の特性試験に用いられるものであり、複数のコンタクトピン 6を有している。コンタクトピン 6の各々は、半導体装置 4の外部接続端子 4aに接触する接触部と試験用回路基板 8の電極部 8aに接続される接触部とを有してヽる。半導体装置 4 が上方力押圧されることで、コンタクトピン 6がたわみ、半導体装置 4の外部接続端子 4a及び試験回路基板 8の電極部 8aに適切な接触圧が加わる構造である。

[0008] 本発明の背景技術に関連した文献として、例えば以下の特許文献が挙げられる。

特許文献 1：特開平 7-72212号公報

特許文献 2：特開平 7 - 94249号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0009] 上述のような従来のコンタクタを用いて半導体装置の特性試験を行なう際、特に高周波デバイスの特性試験においては、コンタクトピンの長さそのものが容量 (インダクタンス）となってしまい、高周波特性試験を実施する際のノイズ発生源となって、十分な特性試験を実施することがむずか U、場合がある。

[0010] すなわち、従来のコンタクトピン (接触子）は、その一端が電子部品により押圧され、その押圧分だけ、コンタクトピンがたわみ、そのたわみによって発生した荷重によりコンタクトビンの反対端が試験回路基板の端子に接触して押圧され、電子部品と試験回路基板との導通経路が形成される。このような従来のコンタクトピンが例えばアナ口グ系の高周波デバイスを試験するためのコンタクタに用、られた場合には、コンタクトピンの長さが容量 (インダクタンス）となり、ノイズ発生やクロストーク発生等の要因となる。

[0011] したがって、コンタクトピンの長さ、すなわち接触子の導電経路長を短くするために

、様々な形状のコンタクタが提案されているが、年々高周波帯域が向上していく状況下において、従来のコンタクトピンを用いたコンタクタでは特性試験を実施することが困難な場合がますます多くなつている。また、導電経路を短くすることによって、接触子のたわみ量 (ストローク)を十分に確保することができなくなり、量産時の自動搬送装置 (テストハンドラ等）に適用することができなくなるという問題もある。課題を解決するための手段

[0012] 本発明の総括的な目的は、上記の問題を解決した改良された有用なコンタクタを提供することである。

[0013] 本発明のより具体的な目的は、コンタクトすべき電子部品の外部接続端子力試験回路基板までの伝送距離を短くし、高周波特性試験にて特性試験が可能なコンタクタ及びそのようなコンタクタを用いた試験方法を提供することである。

[0014] 上述の目的を達成するために、本発明の一つの面によれば、電子部品の端子を外部回路に電気的に接続するためのコンタクタであって、複数の孔を有するコンタクタ基板と、導電性材料により形成され、該コンタクタ基板の該孔の各々に挿入されて一部が該孔から突出して延在する接触子と、該孔の各々の内面に形成された導電部とを有し、前記接触子の各々は、前記電子部品の前記端子の対応する一つに接触する第 1の接触部と、中間部分において前記導電部に接触する第 2の接触部とを有し、該第 2の接触部を介して前記外部回路に電気的に接続されることを特徴とするコンタクタが提供される。

[0015] 本発明によるコンタクタにおいて、前記接触子の第 1の端部は前記第 1の接触部を形成し、前記接触子の該第 1の端部とは反対側の第 2の端部は略 V字形状であり、該第 1の端部と該第 2の端部との間の中間部分は湾曲され、前記導電部に接触する第 2の接触部が該中間部分に設けられることが好ましい。

[0016] また、前記コンタクタ基板は、前記外部回路に接続される第 1の回路基板と、絶縁材料で形成された絶縁基板とを含み、該第 1の回路基板と該絶縁基板とは積層され、前記孔は該第 1の回路基板を貫通して該絶縁基板まで延在し、前記導電部は前記第 1の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられることとしてもよい。

[0017] さらに、前記接触子の前記第 2の端部は、前記絶縁基板に形成された前記孔内に配置され、前記接触子の前記第 2の端部の先端は前記絶縁基板に形成された前記孔の内面に接触することとしてもよい。

[0018] また、前記接触子の前記第 1の端部と前記中間部分との間に湾曲部が設けられ、該湾曲部は前記第 2の接触部とは反対側の前記孔の内面に接触することとしてもよい。 [0019] 本発明によるコンタクタにおいて、前記コンタクタ基板は、第 1の回路基板と、絶縁材料で形成された絶縁基板と、第 2の回路基板とを有し、該第 1の回路基板と該絶縁基板と該第 2の絶縁基板とは積層され、前記孔は該第 1の回路基板及び該絶縁基板を貫通して延在し、前記導電部は前記第 1の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられ、前記第 2の回路基板は前記孔の底部に相当する位置に端子を有し、前記接触子の前記第 2の端部は該端子に接触する第 3の接触部を有することとしてもよい。この場合、前記接触子の前記第 2の端部は、前記絶縁基板に形成された前記孔内に配置され、前記第 2の端部の先端は前記絶縁基板に形成された前記孔の内面に接触することとしてもよい。また、前記接触子の前記第 1の端部と前記中間部分との間に湾曲部が設けられ、該湾曲部は前記第 2の接触部とは反対側の前記孔の内面に接虫することとしてちょ、。

[0020] 上述のコンタクタにおいて、前記第 1の回路基板に接続される外部回路は伝送速度が速い信号の処理回路であり、前記第 2の回路基板に接続される外部回路は該処理回路より伝送速度の遅い回路であってもよい。あるいは、前記第 1の回路基板と前記第 2の回路基板とは同電位となるように設定され、前記第 1の回路基板と前記第 2の回路基板とはケルビン配線に基づいて接続されることとしてもよい。

[0021] また、本発明によるコンタクタにおいて、前記コンタクタ基板は、複数の第 1の回路基板と、絶縁材料で形成された複数の絶縁基板と、第 2の回路基板とを有し、該複数の第 1の回路基板と該複数の絶縁基板とは交互に積層され、前記孔は該第 1の回路基板と該絶縁基板とを貫通して該第 2の回路基板まで延在し、前記導電部は前記第 1の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられ、前記第 2の回路基板は前記孔の底部に相当する位置に端子を有し、前記接触子の前記第 2の端部は該端子に接触する第 3の接触部を有することとしてもよい。この場合、前記接触子の前記第 2の接触部は、前記複数の第 1の回路基板のうちの一つに形成された前記導電膜に接触する位置に選択的に設けられたこととしてもよい。また、前記接触子の前記第 2の端部は、前記絶縁基板に形成された前記孔内に配置され、前記第 2の端部の先端は前記絶縁基板に形成された前記孔の内面に接触することとしてもよい。

[0022] また、本発明によるコンタクタにおいて、前記コンタクタ基板は、第 1の回路基板と、導電材料で形成された導電基板と、第 2の回路基板を含み、該第 1の回路基板と該導電基板と該第 2の回路基板とは積層され、前記孔は該第 1の回路基板及び該導電基板を貫通して該第 2の回路基板まで延在し、前記導電部は前記第 1の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられ、前記導電基板の前記孔の内面に誘電体材料よりなる絶縁部が設けられたこととしてもよい。この場合、前記接触子の前記第 2の端部は、前記導電基板に形成された前記孔内に配置され、前記第 2の端部の先端は前記導電基板の前記絶縁部に接触することとしてもよい。また、前記接触子の前記第 1の端部と前記中間部分との間に湾曲部が設けられ、該湾曲部は前記第 2の接触部とは反対側の前記孔の内面に接触することとしてもよい。

[0023] さらに、本発明によるコンタクタにおいて、前記第 1の回路基板は前記孔の内面に形成された前記導電部力延在して前記第 1の回路基板の平面に形成されたランド部を更に有し、前記接触子の前記第 2の端部の先端は該ランド部に接触することとしてもよい。

[0024] また、本発明によるコンタクタにおいて、前記接触子の第 1の端部は略 V字形状であって前記第 1の接触部を形成し、該第 1の端部とは反対側の第 2の端部との間の中間部分は湾曲され、前記導電部に接触する第 2の接触部が該中間部分に設けられ、前記第 1の接触部の先端は、前記導電部から延在して前記コンタクタ基板の表面に形成されたランド部に接触することとしてもよい。

[0025] また、本発明の他の面によれば、コンタクタを用いた試験方法であって、基板の孔力突出した接触子の第 1の端部に電子部品の電極を押圧し、押圧力により該接触子を湾曲させて、前記接触子の前記第 1の端部と、前記第 1の端部とは反対側の第 2 の端部との間の中間部分を該基板の該孔の内面に設けられた導電部に接触させ、前記電子部品と該回路基板とを電気的に接続して試験を行なうことを特徴とするコンタクタを用いた試験方法が提供される。

発明の効果

[0026] 上述のように、本発明によれば、接触子の一端を押圧して接触子を中間部分で湾曲させ、湾曲した部分を接触点として導通を得るため、導通経路は接触子の一端と中間部分の接触点との間となる。したがって、導通経路の長さは接触子の両端の間の長さより短くなり、接触子のインダクタンスに起因するノイズ発生やクロストーク発生を減少、することができる。

図面の簡単な説明

[0027] [図 1]従来のコンタクタの一例を示す断面図である。

[図 2]コンタクタの全体を示す斜視図である。

[図 3]図 2に示すコンタクタの断面図である。

[図 4]本発明の第 1実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。

[図 5]図 4に示す接触子の変形例を示す断面図である。

[図 6]本発明の第 2実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。

[図 7]図 6に示すコンタクタの導電経路を示す断面図である。

[図 8]図 6に示すコンタクタの導電経路を示す断面図である。

[図 9]図 6に示す絶縁基板を導電基板に置き換えたコンタクタの接触子が設けられた部分を示す断面図である。

[図 10]本発明の第 3実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。

[図 11]本発明の第 4実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。

[図 12]本発明の第 5実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。

符号の説明

[0028] 12 コンタクタ

14 筐体

14a 開口部

16, 16A, 16B, 16C, 16D, 16D, 16F 接触子

18, 18A, 18C, 18D コンタクタ基板 20 半導体装置

22a 外部接続端子

22 整列板

24 第 1の試験回路基板

24a 貫通孔

24b 導電膜

24cランド言

26, 28, 34, 38 絶縁基板

26a, 32a, 36a, 38a 孔

30 第 2の試験回路基板

30a 端子

32 導電基板

32b 絶縁部

36 試験回路基板

発明を実施するための最良の形態

[0029] まず、本発明に係るコンタクタの全体構成について、図 2及び図 3を参照しながら説明する。図 2はコンタクタの全体を示す斜視図であり、図 3は図 2に示すコンタクタの断面図である。

[0030] 図 2に示すように、コンタクタ 12は、半導体装置が挿入される開口部 14aを有する筐体 14と複数の接触子 (コンタクトピン） 16が設けられたコンタクタ基板 18とよりなる。接触子 16の端部は開口部 14a内で露出している。被試験体である電子部品としての LSI等の半導体装置の外部接続端子に接触子 6の端部を接触させて押圧することにより、接触子 16を介して半導体装置の外部接続端子とコンタクタ基板 18に含まれる回路基板の端子とを電気的に接続する。

[0031] 図 3に具体的に示すように、半導体装置 20の裏面には例えば半田ボールやバンプのような外部接続端子 20aが複数個設けられ、半導体装置 20は外部接続端子 20a を下側に向けた状態で筐体 14の開口部 14a内に配置される。したがって、外部接続端子 20aは開口部 14a内に突出している接触子 16の先端に接触する。 [0032] 接触子 16の各々は、コンタクタ基板 18の孔に個別に配置される。半導体装置 20の外部接続端子 20aが接触子 16の先端に接触した状態で、筐体 14のカバー（図示せず）が閉められると、半導体装置 20は押圧され、この押圧力により接触子 16がたわんで適切な接触圧が得られる構成である。

[0033] なお、コンタクタ基板 18の上側には接触子 16の位置決め孔が設けられた整列板 2 2が配置される。接触子 16はコンタクタ基板 18の孔に入った状態で整列板 22の孔により突出した先端部が保持され、直立した状態を維持することができる。なお、接触子 16をコンタクタ基板 18の孔 18a内で自立して配置できる形状としておけば、整列板 2 2は必ずしも設ける必要はな、。

[0034] 次に、本発明の第 1実施例によるコンタクタについて、図 4を参照しながら説明する。図 4は本発明の第 1実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。

[0035] 図 4において、接触子 16はコンタクタ基板 18の孔 18a内に配置され、先端部が孔 1 8aから突出している。接触子 16の先端は第 1の接触部 Aにおいて半導体装置 20の外部接続端子 20aに接触する。

[0036] コンタクタ基板 18は、試験回路基板 24と、絶縁基板 26及び 28とを含んでいる。試験回路基板 24は接触子 16が配置されるコンタクタ基板 18の孔 18aの一部となる貫通孔 24aを有しており、貫通孔 24aの内面は例えば銅めつき膜のような導電膜 24bで覆われて導電部が形成されている。試験回路基板 24は多層配線基板であり、上述の貫通孔 24aの内面の導電膜 24bは試験回路基板 24の内部に形成されたパターン回路に接続される。そして、パターン回路は、半導体装置 20の電気的特性試験を行なうための試験回路に接続され、半導体装置 20の試験が行われる。

[0037] 絶縁基板 26は、コンタクタ基板 18の孔 18aの一部となる孔 26aを有しており、絶縁性材料で形成される。また、絶縁基板 28はコンタクタ基板の孔 18aの底面を形成するために設けられ、絶縁基板 26と同様に絶縁性材料で形成される。本実施例では絶縁基板 26と絶縁基板 28を重ね合わせた構成としたが、一枚の絶縁性材料の板に、底面を有する孔を形成して一枚の絶縁基板とすることもできる。

[0038] 接触子 16は細長、板状又は棒状の導電材料、例えば銅材より形成され、真っ直ぐに延在した第 1の端部と、湾曲した中間部分と、第 1の端部とは反対側で略 V字形状に湾曲した第 2の端部とを有する。

[0039] 以上のような構成のコンタクタにおいて、コンタクタ基板 18の孔 18aに配置された接触子 16は、孔 18aから突出した第 1の端部の先端が半導体装置 20の外部接続端子 20aに接触する第 1の接触部 Aを有する。そして湾曲した中間部分は試験回路基板 24の貫通孔 24aの内面と接触するように構成され、この部分が第 2の接触部 Bとなる。すなわち、接触子 16は長手方向の両端 (第 1の端部と第 2の端部）との間の中間部分に電気的接点 (第 2の接触部 B)を有してヽる。

[0040] 本実施例では、略 V字形状に湾曲した接触子 16の第 2の端部は第 3の接触部 Cを形成しているが、電気的接点としては機能しない。第 2の端部が略 V字形状に湾曲していることで、接触子 16が押圧されてたわむ (変形する）際に、接触子 16の第 2の端部が孔 18a内で移動しないように、第 2の接触部の反対側で孔 18a (孔 26a)の内面に当接し、第 2の端部が横方向に移動して接触子 16が倒れることを防止している。

[0041] 以上のように、本実施例では、接触子 16の第 1の端部における第 1の接触部 Aと、中間部分における第 2の接触部 Bとの間が導通経路となり、従来の接触子より導通経路が短くなつている。したがって、半導体装置 20の外部接続端子 20aから試験回路基板 24までの伝送距離が短くなり、良好な状態で高周波特性試験を行なうことができる。また、ノイズの混入やクロストークの発生を低減することができる。

[0042] なお、図 4において、接触子 16の第 1の端部を支持する整列板 22 (図 3参照）は省略されている。また、整列板 22を設ける代わりに、図 5に示す接触子 16Aのように接触子 16の第 1の端部を更に湾曲し、第 2の接触部 Bの反対側で孔 18aの内壁に接触させることにより、接触子 16A自身で直立して孔 18a内に配置されることとしてもよい。この場合、接触子 16Aの導通経路は、接触子 16よりさらに短くなる。なお、この接触子 16Aの形状は、以下に説明する他の実施例においても採用することができる。

[0043] 次に、本発明の第 2実施例によるコンタクタについて、図 6を参照しながら説明する。図 6は本発明の第 2実施例によるコンタクタの接触子の部分の拡大断面図である。図 6において図 4に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。 [0044] 本発明の第 2実施例によるコンタクタは、上述の第 1実施例によるコンタクタのうち、コンタクタ基板 18を構成する絶縁基板 28を試験回路基板 30に置き換えたものであり、それ以外の構成は第 1実施例によるコンタクタと同じである。したがって、本実施例によるコンタクタのコンタクタ基板 18Aは、試験回路基板 24 (以下、第 1の試験回路基板と称す)と絶縁基板 26と試験回路基板 30 (以下、第 2の試験回路基板と称す)とを有する。

[0045] 第 2の試験回路基板 30は、コンタクタ基板 18の孔 18aの底面に相当する部分に端子 30aを有している。端子 30aは第 2の試験回路基板 30内に形成されたパターン回路 30bに接続されており、パターン回路 30bを介して試験回路に接続される。

[0046] 図 7は図 6に示すコンタクタの導電経路を示す断面図である。図 7に示すように、例えば、第 1の試験回路基板 24に信号系の電気回路を組み込んで、高周波信号が通過する導電経路は短い導電経路とし、第 2の試験回路基板 30には動作周波数が高くない経路 (例えば、電源経路やグラウンド経路)を形成しておく。すなわち、導電経路が短い方が好ましい信号経路は第 2の接触部 Bを介して第 1の試験回路基板 24に形成し、導電経路が長くても力まわな、信号経路は第 3の接触部 Cを介して第 2の試験回路基板 30に形成し、電源又はグラウンド回路に接続する。

[0047] あるいは、図 8に示すように、第 1の試験回路基板 24と第 2の試験回路基板 30とを同電位としておき、第 1の試験回路基板 24を介してセンス用回路に接続し、第 2の試験回路基板 30を介してフォース用回路に接続することとしてもよい。これにより、ケルビン式測定 (4点式測定)での試験が可能となる。

[0048] また、上述のコンタクタ基板 18の絶縁基板 26を導電基板に置き換えることで、ノィズ発生やクロストークを低減することができる。図 9は図 6に示す絶縁基板 26を導電基板に置き換えたコンタクタの接触子が設けられた部分を示す断面図である。

[0049] 絶縁基板 26の代わりに設けられた導電基板 32は、銅、銅合金、ステンレス鋼等の金属からなる導電材料により形成され、絶縁基板 26と同様に接触子を収容するための孔 32aを有している。孔 32aの内面は誘電体材料よりなる絶縁部 32bにより覆われている。この誘電体材料として、例えば同軸ケーブル等に使用されている PTFE ( Poly Tetra Fluoro Ethylene)などのフッ素系榭脂に代表される低誘電率材料を用いることが好ましい。

[0050] 以上の構成の導電基板 32を用いてコンタクタ基板 18Bを形成し、導電基板 32を第 1の試験回路基板 24又は第 2の試験回路基板 30のグラウンド端子又は電源端子と接続することによって、接触子 16の周囲を同軸構成とすることができる。これにより、接触子 16のインピーダンスマッチングを図り、ノイズ発生及びクロストーク発生を低減させることができる。動作周波数の高いデバイス、例えばアナログデバイス等では信号入力等で動作させた場合に接触子同士の干渉等でノイズが発生してしまう場合があるが、このように孔 32aの内面を誘電体材料 32bにて取り囲むことで、接触子同士の干渉を防止し、ノイズ発生やクロストーク発生等を低減することができる。

[0051] なお、絶縁部 32bの材料は、上述のフッ素系榭脂に限ることなぐ試験特性に合わせた様々な誘電体材料を選択することができる。

[0052] 次に、本発明の第 3実施例について、図 10を参照しながら説明する。図 10は本発明の第 3実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。なお、図 10には、形状の異なる 3種類の接触子 16B, 16C, 16Dが示されている力これらを全てを用いる必要はなく、適宜選択して用いればょ、。

[0053] 図 10に示すコンタクタ基板 18Cは、図 6に示すコンタクタ基板 18Aの上にさらに絶縁基板 34及び試験回路基板 36を設けたものである。絶縁基板 34は図 6に示す絶縁基板 26と同様な構成であり、試験用回路基板 36も図 6に示す試験回路基板 24と同様な構成である。

[0054] 図 10において、左側に示された接触子 16Bは中間部分が長く形成され、第 2の接触部 Bにおいて上側の試験基板 36の孔 36aの内面に形成された導電膜 36bに接触し、第 3の接触部 Cにおいて略 V字形状の端部が試験回路基板 30の端子 30aに接触するよう構成されている。

[0055] 一方、中央に示された接触子 16Cは端部が長く形成され、第 2の接触部 Bにおいて、下側の試験回路基板 24に接触し、第 3の接触部 Cにおいて略 V字形状の端部が試験回路基板 30の端子 30aに接触するよう構成されている。右側に示された接触子 16Dは、中間部分の湾曲部を有しておらず、したがって第 2の接触部 Bを有していない。すなわち、接触子 16Dは上端が半導体装置 20の外部接続端子 20aに接続され、反対側の端部が試験回路基板 30の端子 30aに接触するように構成されている。

[0056] 以上のような接触子 16B, 16C, 16Dを適宜選択して用いることにより、外部接続端子 20aを試験回路基板 24, 30, 36に接続することができる。これにより、例えば半導体装置 20の品種毎にコンタクタ基板を製作する必要がなくなり、コンタクト基板を共通化することができる。

[0057] なお、コンタクタ基板 18Cは、各基板を別個に形成してから重ねて貼り合せて形成することとしてもよぐあるいは一つの基板を多層基板として形成することとてもよい。

[0058] 次に、本発明の第 4実施例について、図 11を参照しながら説明する。図 11は本発明の第 4実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。図

11において、図 6に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

[0059] 本実施例によるコンタクタは、接触子 16Eの略 V字形状端部の先端が第 4の接触部 Dとして機能する点が、図 6に示すコンタクタとは異なる。第 4の接触部 Dを設けるために、接触子 16Eの略 V字形状端部は、図 6に示す接触子 16の略 V字形状端部より大きな形状とされている。これにより、接触子 16Eの略 V字形状端部は、試験回路基板 24の導電膜 24bの延長部として形成されたランド部 24cに接触する。この部分が第 4の接触部 Dとなる。絶縁基板 38の孔 38aは、図 6に示す絶縁基板 26の孔 26aより大きくされており、接触子 16Eの略 V字形状端部の先端は、試験回路基板 24と絶縁基板 36との間でランド部 24cに接触することができる。

[0060] 以上のように第 4の接触部 Dを設けることにより、試験回路基板との接触をより確実にすることができ、試験の信頼性を向上することができる。

[0061] 次に、本発明の第 5実施例について、図 12を参照しながら説明する。図 12は本発明の第 5実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。図 12において、図 11に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

[0062] 本実施例では、図 11に示す接触子 16Eを異なる形状の接触子 16Fに置き換えたものであり、他の部分は図 11に示す構成と同じである。接触子 16Fは図 11に示す接触子 16Eを上下逆にしたような形状であり、半導体装置 20の外部接続端子 20aに接触する部分が略 V字形状端部となっている。そして、略 V字形状端部の先端は試験回路基板 24のランド部 24cに接触しており、第 4の接触部 Dが形成されている。

[0063] 以上のように第 4の接触部 Dを設けることにより、試験回路基板との接触をより確実にすることができ、試験の信頼性を向上することができる。また本実施例の場合、第 1 の接触部 Aと第 4の接触部 Dとの間の距離は、第 1の接触部 Aと第 2の接触部 Bとの間の距離より短ぐより短い導通経路を形成することができる。

[0064] 本発明は具体的に開示された実施例に限られず、本発明の範囲内で様々な変形例、改良例がなされるであろう。

産業上の利用可能性

[0065] 以上説明したように、本発明は高周波信号を扱う半導体装置のような電子部品の特性試験を行なう際に電気的接触を得るためのコンタクタに好適である。

Claims

請求の範囲

[1] 電子部品の端子を外部回路に電気的に接続するためのコンタクタであって、複数の孔を有するコンタクタ基板と、

導電性材料により形成され、該コンタクタ基板の該孔の各々に挿入されて一部が該孔から突出して延在する接触子と、

該孔の各々の内面に形成された導電部と

を有し、

前記接触子の各々は、前記電子部品の前記端子の対応する一つに接触する第 1 の接触部と、中間部分において前記導電部に接触する第 2の接触部とを有し、該第 2の接触部を介して前記外部回路に電気的に接続されることを特徴とするコンタクタ

[2] 請求項 1記載のコンタクタであって、

前記接触子の第 1の端部は前記第 1の接触部を形成し、前記接触子の該第 1の端部とは反対側の第 2の端部は略 V字形状であり、該第 1の端部と該第 2の端部との間の中間部分は湾曲され、前記導電部に接触する第 2の接触部が該中間部分に設けられたことを特徴とするコンタクタ。

[3] 請求項 2記載のコンタクタであって、

前記コンタクタ基板は、前記外部回路に接続される第 1の回路基板と、絶縁材料で形成された絶縁基板とを含み、

該第 1の回路基板と該絶縁基板とは積層され、

前記孔は該第 1の回路基板を貫通して該絶縁基板まで延在し、

前記導電部は前記第 1の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられたことを特徴とするコンタクタ。

[4] 請求項 3記載のコンタクタであって、

前記接触子の前記第 2の端部は、前記絶縁基板に形成された前記孔内に配置され、前記接触子の前記第 2の端部の先端は前記絶縁基板に形成された前記孔の内面に接触することを特徴とするコンタクタ。

[5] 請求項 4記載のコンタクタであって、前記接触子の前記第 1の端部と前記中間部分との間に湾曲部が設けられ、該湾曲部は前記第 2の接触部とは反対側の前記孔の内面に接触することを特徴とするコンタクタ。

[6] 請求項 2記載のコンタクタであって、

前記コンタクタ基板は、第 1の回路基板と、絶縁材料で形成された絶縁基板と、第 2 の回路基板とを有し、

該第 1の回路基板と該絶縁基板と該第 2の絶縁基板とは積層され、

前記孔は該第 1の回路基板及び該絶縁基板を貫通して延在し、

前記導電部は前記第 1の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられ、前記第 2の回路基板は前記孔の底部に相当する位置に端子を有し、

前記接触子の前記第 2の端部は該端子に接触する第 3の接触部を有することを特徴とするコンタクタ。

[7] 請求項 6記載のコンタクタであって、

前記接触子の前記第 2の端部は、前記絶縁基板に形成された前記孔内に配置され、前記第 2の端部の先端は前記絶縁基板に形成された前記孔の内面に接触することを特徴とするコンタクタ。

[8] 請求項 7記載のコンタクタであって、

前記接触子の前記第 1の端部と前記中間部分との間に湾曲部が設けられ、該湾曲部は前記第 2の接触部とは反対側の前記孔の内面に接触することを特徴とするコンタクタ。

[9] 請求項 6記載のコンタクタであって、

前記第 1の回路基板に接続される外部回路は伝送速度が速い信号の処理回路であり、前記第 2の回路基板に接続される外部回路は該処理回路より伝送速度の遅い回路であることを特徴とするコンタクタ。

[10] 請求項 6記載のコンタクタであって、

前記第 1の回路基板と前記第 2の回路基板とは同電位となるように設定され、前記第 1の回路基板と前記第 2の回路基板とはケルビン配線に基づいて接続されることを特徴とするコンタクタ。

[11] 請求項 2記載のコンタクタであって、

前記コンタクタ基板は、複数の第 1の回路基板と、絶縁材料で形成された複数の絶縁基板と、第 2の回路基板とを有し、

該複数の第 1の回路基板と該複数の絶縁基板とは交互に積層され、

前記孔は該第 1の回路基板と該絶縁基板とを貫通して該第 2の回路基板まで延在し、

[12] 請求項 11記載のコンタクタであって、

前記接触子の前記第 2の接触部は、前記複数の第 1の回路基板のうちの一つに形成された前記導電膜に接触する位置に選択的に設けられたことを特徴とするコンタクタ。

[13] 請求項 11記載のコンタクタであって、

[14] 請求項 2記載のコンタクタであって、

前記コンタクタ基板は、第 1の回路基板と、導電材料で形成された導電基板と、第 2 の回路基板を含み、

該第 1の回路基板と該導電基板と該第 2の回路基板とは積層され、

前記孔は該第 1の回路基板及び該導電基板を貫通して該第 2の回路基板まで延在し、

前記導電部は前記第 1の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられ、前記導電基板の前記孔の内面に誘電体材料よりなる絶縁部が設けられたことを特徴とするコンタクタ。

[15] 請求項 14記載のコンタクタであって、前記接触子の前記第 2の端部は、前記導電基板に形成された前記孔内に配置され、前記第 2の端部の先端は前記導電基板の前記絶縁部に接触することを特徴とするコンタクタ。

[16] 請求項 14記載のコンタクタであって、

[17] 請求項 6記載のコンタクタであって、

前記第 1の回路基板は前記孔の内面に形成された前記導電部から延在して前記第 1の回路基板の平面に形成されたランド部を更に有し、前記接触子の前記第 2の端部の先端は該ランド部に接触することを特徴とするコンタクタ。

[18] 請求項 1記載のコンタクタであって、

前記接触子の第 1の端部は略 V字形状であって前記第 1の接触部を形成し、該第 1の端部とは反対側の第 2の端部との間の中間部分は湾曲され、前記導電部に接触する第 2の接触部が該中間部分に設けられ、

前記第 1の接触部の先端は、前記導電部から延在して前記コンタクタ基板の表面に形成されたランド部に接触することを特徴とするコンタクタ。

[19] コンタクタを用いた試験方法であって、

基板の孔力突出した接触子の第 1の端部に電子部品の電極を押圧し、押圧力により該接触子を湾曲させて、前記接触子の前記第 1の端部と、前記第 1の端部とは反対側の第 2の端部との間の中間部分を該基板の該孔の内面に設けられた導電部に接触させ、

前記電子部品と該回路基板とを電気的に接続して試験を行なう

ことを特徴とするコンタクタを用いた試験方法。