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WO2006046384A1 - 放射線検出器 - Google Patents

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WO2006046384A1
WO2006046384A1 PCT/JP2005/018144 JP2005018144W WO2006046384A1 WO 2006046384 A1 WO2006046384 A1 WO 2006046384A1 JP 2005018144 W JP2005018144 W JP 2005018144W WO 2006046384 A1 WO2006046384 A1 WO 2006046384A1
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WO
WIPO (PCT)
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light
substrate
radiation detector
light irradiation
radiation
Prior art date
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Ceased
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PCT/JP2005/018144
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English (en)
French (fr)
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WO2006046384B1 (ja
Inventor
Kenji Sato
Toshinori Yoshimuta
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Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
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Priority to JP2006542304A priority patent/JP4162030B2/ja
Publication of WO2006046384A1 publication Critical patent/WO2006046384A1/ja
Publication of WO2006046384B1 publication Critical patent/WO2006046384B1/ja
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    • H04N25/30—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming X-rays into image signals
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    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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    • H10F55/205—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive semiconductor devices have no potential barriers, e.g. photoresistors

Definitions

  • the present invention relates to a radiation detector used in the medical field, the industrial field, and the nuclear field.
  • the radiation detector includes a radiation-sensitive semiconductor (semiconductor layer), and the radiation-sensitive semiconductor is a carrier (charge information) due to the incidence of radiation. Radiation is detected by reading the converted carrier. On the side opposite to the radiation incident side of the semiconductor layer, a plurality of carrier collecting electrodes for collecting carriers are arranged in a two-dimensional form. These radiation-sensitive semiconductors, carrier collecting electrodes, etc. It is formed on an active matrix substrate.
  • the radiation sensitive semiconductor for example, an amorphous amorphous selenium (a-Se) film is used. In the case of amorphous selenium, since a film can be formed easily and thickly by a method such as vacuum deposition, it is suitable for constructing a radiation detector capable of forming a large film with a large area.
  • the active matrix substrate described above is generally fragile because it is formed of quartz glass that is difficult to process. Therefore, before forming a radiation-sensitive semiconductor or carrier collection electrode on the active matrix substrate, a viscoelastic body having thermal conductivity is used between the active matrix substrate and a base material having rigidity and thermal conductivity.
  • a technique has been proposed in which an active matrix substrate and a base material are bonded and fixed in advance by interposing a certain gel sheet (see, for example, Patent Document 3). In this method, depending on the base material, Since the active matrix substrate is fixed in advance and bonded in advance with a gel sheet, stress and temperature distribution when forming a radiation-sensitive semiconductor can be reduced.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-146769 (page 11-14, Fig. 18)
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2000-214297 (Page 6, Figures 3 and 4)
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-281343 (Page 3-5, Fig. 1, 5)
  • the light irradiating means for irradiating the light is used as radiation incident on the active matrix substrate. If it is disposed on the side opposite to the side, it is not easy to attach the active matrix substrate and the light irradiation means.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a radiation detector in which a substrate having a semiconductor layer and a light irradiation means can be easily attached. .
  • Patent Document 3 In order to solve the above problems, the inventors have obtained the following knowledge. That is, focusing on Patent Document 3 described above, the inventors have come up with combining Patent Documents 1 and 2 and Patent Document 3. However, if they are simply combined, the following adverse effects occur. That is, when a substrate typified by an active matrix substrate or the like and a light irradiation means are attached with a base material or a gel sheet interposed therebetween, a semiconductor layer typified by a radiation-sensitive semiconductor is formed on the active matrix substrate. Although the stress and temperature distribution at the time can be reduced, the light irradiated from the light irradiation means is blocked by the gel sheet. Therefore, the inventors have found that the base material, such as a gel sheet, is formed of a light-transmitting substance.
  • the invention described in claim 1 is directed to a substrate having a semiconductor layer that converts information of the radiation into charge information upon incidence of radiation, and on the opposite side of the radiation incidence side of the substrate.
  • Radiation for detecting radiation by reading out the converted charge information and removing the charge information remaining in the semiconductor layer by the light irradiated from the light irradiation means.
  • a detector is characterized in that the substrate and the light irradiation means are attached by interposing a light-transmitting substance therebetween.
  • a substrate having a semiconductor layer that converts information of radiation into charge information by incidence of radiation, and a side opposite to the radiation incidence side of the substrate A plane-shaped light irradiating means provided on the substrate, so that radiation is detected by reading the converted charge information, and the charge information remaining in the semiconductor layer is irradiated from the light irradiating means. Remove with light.
  • the light-transmitting substance is interposed between the substrate and the light irradiation means described above and the light irradiation means has a planar shape, the substrate having the semiconductor layer and the light irradiation means are separated from each other. Easy to install. Further, since the intervening substance has light permeability, the substance having light permeability that does not block the light irradiated from the light irradiation means can be transmitted and irradiated onto the substrate.
  • an example of the light-transmitting substance is a gel-like adhesive sheet, and the adhesive sheet is interposed between the substrate and the light irradiation means, so that the substrate and The light irradiating means is attached and fixed thereto (the invention according to claim 2).
  • the light irradiation means can uniformly irradiate the light while maintaining the adhesiveness that does not include adhesion leakage or bubbles like a liquid adhesive.
  • it is gel-like and has excellent shock absorption.
  • the light-transmitting substance is a plate member having a planar shape on both sides, and the substrate and the light irradiation unit are interposed between the substrate and the light irradiation unit.
  • the mechanical strength can be increased by interposing the plate material.
  • the light-transmitting substance is a gel-like adhesive sheet and a flat plate on both sides, and the above-described adhesive sheet is interposed between the substrate and the above-described plate material.
  • the substrate and the plate material are bonded and fixed, and by interposing the plate material between the substrate and the light irradiation means, the substrate and the light irradiation means are fixed and attached (Claim 4). Invention).
  • the adhesive sheet and the plate material the invention according to claim 2 and the invention according to claim 3 are combined. Therefore, the effects of the respective inventions are also obtained.
  • the substrate and the plate material between the substrate and the plate material are free from adhesion leakage or bubbles, such as a liquid adhesive.
  • Light irradiation means power light can be uniformly irradiated while maintaining adhesiveness. Moreover, since it is a gel form, it is excellent also in shock absorption. Furthermore, the mechanical strength can be increased by interposing a plate material between the substrate and the light irradiation means.
  • the light-transmitting substance is a plate material (the invention according to claims 3 and 4), it is preferable to roughen the surface of the plate material on the substrate side (claim 5). Described invention). Even if air bubbles are contained between the plate material and the substrate, the light is scattered in multiple directions by the rough surface, so that the light can be transmitted uniformly without making the boundary of the air bubbles conspicuous.
  • an example of the planar light irradiation means includes a planar light guide means and a linear light emitting means provided at an end thereof.
  • a light diffusion sheet provided on the substrate side, a light reflection sheet provided on the opposite side of the substrate side, and a transparent plate sandwiched between the sheets (Claim 6). Described invention).
  • Each linear light emitted from the linear light emitting means is reflected to the substrate side by the light reflecting sheet while traveling through the transparent plate, and further irradiated to the substrate and further to the semiconductor layer while being scattered by the light diffusion sheet.
  • the light irradiation means includes a light guide means composed of a powerful sheet and a transparent plate and a linear light emitting means, the planar light irradiation means can be made thin.
  • the light irradiating means includes the light guiding means and the linear light emitting means described above, it is preferable that the surface of the light diffusion sheet is roughened (the invention according to claim 6). (Invention described in claim 7). Even if air bubbles are contained on the substrate side of the light diffusion sheet (between the light diffusion sheet and the adhesive sheet when dependent on claims 2 and 4), light is transmitted in multiple directions due to the rough surface. Since it scatters, it can transmit light uniformly without conspicuous bubble boundaries.
  • the light-transmitting substance is formed of a material having a thermal conductivity higher than that of the substrate (Invention according to Claim 8). Great thermal conductivity! /, Material
  • a radiation detector manufacturing method comprising: detecting radiation by reading out converted charge information; and removing charge information remaining on the semiconductor layer by light irradiated from the light irradiation means,
  • the substrate and the light irradiating means are attached by interposing a substance having optical transparency between them and having higher thermal conductivity than the substrate, and after the attachment, the semiconductor layer is laminated on the substrate.
  • a method of manufacturing a radiation detector characterized by attaching a light irradiation means thereafter.
  • the light-transmitting substance is a gel-like adhesive sheet and a plate material force having a planar shape on both sides.
  • the light irradiation means power light can be maintained while maintaining the adhesiveness that prevents liquid leakage and the inclusion of bubbles like a liquid adhesive. Uniform irradiation is possible. Moreover, since it is a gel form, it is excellent also in shock absorption. Furthermore, the mechanical strength can be increased by using a plate material.
  • the substrate and the light irradiating means are provided with a light-transmitting substance interposed therebetween, and the light irradiating means has a planar shape.
  • the provided substrate and the light irradiation means can be easily attached.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit of a flat panel X-ray detector as viewed from the side according to Examples 1 and 2.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit of a flat panel X-ray detector in plan view according to Examples 1 and 2.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a flat panel X-ray detector according to Embodiment 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a flat panel X-ray detector according to Embodiment 2.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a flat panel X-ray detector in the manufacturing process.
  • Fig. 1 is an equivalent circuit of a flat panel X-ray detector as viewed from the side according to Example 1
  • Fig. 2 is an equivalent circuit of the flat panel X-ray detector as viewed from above
  • Fig. 3 is a flat panel X-ray detector.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a channel type X-ray detector.
  • a direct conversion flat panel X-ray detector hereinafter referred to as “FPD” as appropriate
  • FPD direct conversion flat panel X-ray detector
  • the FPD 1 also includes a glass substrate 11 and a thin film transistor TFT formed on the glass substrate 11 and a force.
  • the thin film transistor TFT has a large number of switching elements 32 (for example, 1028 ⁇ 1028) formed in a vertical and horizontal two-dimensional matrix arrangement.
  • the switching elements 12 are formed separately from each other.
  • FPD1 is a two-dimensional array radiation detector is there.
  • the glass substrate 11 corresponds to the substrate in the present invention.
  • an X-ray sensitive semiconductor 14 is laminated on the carrier collection electrode 13, and the carrier collection electrode 13 is formed of the switching element 12 as shown in FIGS. Connected to source S.
  • a plurality of gate bus lines 16 are connected from the gate driver 15, and each gate bus line 16 is connected to the gate G of the switching element 12.
  • a multiplexer 17 that collects charge signals and outputs them to one is connected to a plurality of data bus lines 19 through amplifiers 18 and is also shown in FIGS.
  • each data bus line 19 is connected to the drain D of the switching element 12.
  • the X-ray sensitive semiconductor 14 corresponds to the semiconductor layer in the present invention.
  • the thin film transistor TFT and the X-ray sensitive semiconductor 14 are laminated on the glass substrate 11, and the switching elements 12 and the carrier collecting electrodes 13 are patterned on the glass substrate 11 in a two-dimensional matrix arrangement. Being! Such a glass substrate 11 is also called an “active matrix substrate”.
  • the gate of the switching element 2 is turned on by applying the voltage of the gate bus line 16 (or to OV), and the carrier collecting electrode 13 is Then, the charge signal (carrier) converted from the X-ray incident on the detection surface side through the X-ray sensitive semiconductor 14 is read out to the data bus line 19 through the source S and drain D of the switching element 12. Until the switching element is turned on, the charge signal is temporarily stored and stored in a capacitor (not shown).
  • the charge signals read out to the data bus lines 19 are amplified by the amplifier 18 and are collectively output to one charge signal by the multiplexer 17.
  • the output charge signal is digitized by an AZD converter (not shown) and output as an X-ray detection signal.
  • the AZD transformation may be placed in front of the multiplexer 17.
  • the X-ray sensitive semiconductor 14 is laminated on the glass substrate 11 described above, and a common electrode (voltage application electrode) 21 is further laminated on the X-ray sensitive semiconductor 14.
  • a common electrode voltage application electrode
  • the X-ray sensitive semiconductor 14 for example, an amorphous semiconductor typified by amorphous amorphous selenium (a-Se) or a compound semiconductor typified by CdZnTe is used.
  • the carrier-selective high-resistance film 22 is placed between the glass substrate 11 and the X-ray sensitive semiconductor 14 (more precisely, the X-ray sensitive semiconductor 14 side of the carrier collecting electrode 13 shown in FIG. 1).
  • a carrier-selective high-resistance film 23 may be formed between the X-ray sensitive semiconductor 14 and the common electrode 21.
  • a material having a large contribution ratio of electrons is used for the carrier-selective high resistance film 23.
  • the carrier selective high resistance film 22 is made of a material having a large contribution ratio of holes. As a result, injection of electrons from the carrier collection electrode 13 is prevented, and dark current can be reduced.
  • a negative bias voltage is applied to the common electrode 21
  • a material having a large contribution ratio of holes is used for the carrier-selective high-resistance film 23.
  • injection of electrons from the common electrode 21 is blocked, and dark current can be reduced.
  • the carrier-selective high-resistance film 22 is made of a material having a large contribution ratio of electrons. As a result, injection of holes from the carrier collecting electrode 13 is blocked, and dark current can be reduced.
  • a spacer 24 is erected on the outer periphery of the glass substrate 11, and an insulating plate member 25 is disposed so as to be supported by the spacer 24.
  • a curable synthetic resin 26 is injected into a space surrounded by the glass substrate 11, the spacer 24, and the insulating plate 25 and sealed.
  • a holding base 27 is disposed on the side opposite to the X-ray incident side of the glass substrate 11, that is, on the side opposite to the X-ray sensitive semiconductor 14 side.
  • a planar light irradiation mechanism 28 is embedded and accommodated in the holding base 27.
  • the light irradiation mechanism 28 is configured to irradiate light toward the X-ray incident side.
  • the light irradiation mechanism 28 includes a planar light guide portion 29 and a linear light emitting portion 30 provided at an end portion thereof.
  • the light guide unit 29 includes a light diffusion sheet 29a provided on the glass substrate 11 side, a light reflection sheet 29b provided on the opposite side of the glass substrate 11 side, and a transparent sandwiched between the sheets 29a and 29b. It consists of a plate 29c.
  • the surface of the light diffusing sheet 29a is roughened to form a so-called “ground glass”.
  • the light irradiation mechanism 28 corresponds to the light irradiation means in this invention
  • the light guide 29 corresponds to the light guide in this invention
  • the linear light emission part 30 corresponds to the linear light emission means in this invention.
  • the light diffusion sheet 29a corresponds to the light diffusion sheet in the present invention
  • the light reflection sheet 29b corresponds to the light reflection sheet in the present invention
  • the transparent plate 29c corresponds to the transparent plate in the present invention.
  • the holding base 27 that houses the light irradiation mechanism 28 and the insulating plate member 25 described above are supported by a fixture 31 at the outer peripheral portion so as to be sandwiched therebetween.
  • This fixing tool 31 can supplement the fixing strength in attaching the glass substrate 11, the light irradiation mechanism 28, and the like.
  • a transparent or translucent gel adhesive sheet 32 is interposed between the glass substrate 11 and the light irradiation mechanism 28. By attaching the adhesive sheet 32 between the glass substrate 11 and the light irradiation mechanism 28, the glass substrate 11 and the adhesive sheet 32 are bonded and fixed.
  • the adhesive sheet 32 may be either a transparent or translucent material, that is, a material having optical transparency. Further, the adhesive sheet 32 is preferably formed of a material having higher thermal conductivity than the glass substrate 11. As the adhesive sheet 32, alumina (Al 2 O 3), silica (SiO 2), etc.
  • Silicone resin to which 2 3 2 powder is added is used.
  • the adhesive sheet 32 need only be transparent or translucent within the effective pixel area A that requires light irradiation from the light irradiation mechanism 28, which does not require the entire surface to be transparent or translucent. It is not always necessary to make the outer peripheral portion other than the region A transparent or translucent.
  • a colored adhesive sheet 32 may be used in the outer peripheral portion other than the effective pixel region A.
  • a transparent or semi-transparent adhesive sheet 32 may be used in the outer peripheral portion other than the effective pixel region A.
  • the gel-like adhesive sheet 32 corresponds to the adhesive sheet in the present invention, and also corresponds to the light-transmitting substance in the present invention.
  • the glass substrate 11 and the light irradiation mechanism 28 described above are interposed between them with a gel-like adhesive sheet 32 that is a light-transmitting substance, and the light irradiation mechanism 28 has a planar shape.
  • the glass substrate 11 having the X-ray sensitive semiconductor 14 and the light irradiation mechanism 28 can be easily attached.
  • the intervening adhesive sheet 32 has a light transmitting property, the glass substrate 11 is irradiated through the adhesive sheet 32 having a light transmitting property so that the light irradiated from the light irradiation mechanism 28 is not blocked. Can do.
  • the light-transmitting substance is the gel-like adhesive sheet 32 as described above.
  • the adhesive sheet 32 light from the light irradiation mechanism 28 can be uniformly irradiated while maintaining adhesiveness such as adhesion leakage and bubble content as in the case of a liquid adhesive.
  • it since it is a gel form, it is excellent also in shock absorption.
  • the light irradiation mechanism 28 includes the light guide unit 29 including the light diffusing Z light reflecting sheets 29a and 29b and the transparent plate 29c, and the linear light emitting unit 30.
  • the planar light irradiation mechanism 28 can be thinned.
  • the surface of the light diffusing sheet 29a is roughened so that the surface of the light diffusing sheet 29a is on the glass substrate 11 side (between the light diffusing sheet 29a and the adhesive sheet 32 in the first embodiment). Even if a bubble is contained, light is scattered in multiple directions by the rough cache, so that the light can be transmitted uniformly without making the boundary of the bubble conspicuous.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a flat panel X-ray detector (FPD) according to the second embodiment.
  • the parts common to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the illustration is omitted and the description is omitted.
  • the pattern formation of the glass substrate 11, the X-ray sensitive semiconductor 14, the switching element 12, and the carrier collection electrode 13 has the same configuration as in FIGS.
  • the FPD 1 according to the second embodiment is similar to the first embodiment described above.
  • the holding base 27 that houses the light irradiation mechanism 28, the gel-like adhesive sheet 32, the glass substrate 11, the carrier-selective high-resistance film 22.
  • An X-ray sensitive semiconductor 14, a carrier-selective high-resistance film 23, a common electrode 21, and an insulating plate 25 are stacked in order from the bottom.
  • a sensor 24 and a fixture 31 are provided, and a curable synthetic resin 26 is injected and sealed.
  • a difference from Example 1 is that a transparent or translucent plate material 33 having a planar shape on both sides is further interposed between the gel-like adhesive sheet 32 and the light irradiation mechanism 28. That is, instead of the light irradiation mechanism 28 of Example 1, the plate material 33 is used in this example 2, and the adhesive sheet 32 is interposed between the glass substrate 11 and the plate material 33, so that the glass substrate 11 and the plate material 33 are interposed. The glass substrate 11 and the light irradiation mechanism 28 are fixed and attached by interposing the plate material 33 between the glass substrate 11 and the light irradiation mechanism 28. As with the adhesive sheet 32, the plate member 33 may be either transparent or translucent, that is, a material having light transmittance.
  • the plate material 33 is preferably formed of a material having higher thermal conductivity than that of the glass substrate 11, similarly to the adhesive sheet 32.
  • the plate material 33 an acrylic resin or a polycarbonate resin to which powders such as alumina and silica are added is used.
  • the surface of the plate 33 on the glass substrate 11 side is roughened.
  • the entire surface may be transparent or semi-transparent in Example 2, but it is not necessary to make the entire surface transparent or semi-transparent, as with the adhesive sheet 32. It suffices if it is transparent or semi-transparent in the effective pixel region A that needs to be irradiated with light from the light irradiation mechanism 28, and it is not necessarily required to be transparent or semi-transparent in the outer peripheral portion other than the effective pixel region A.
  • a colored plate material 33 may be used in the outer peripheral portion other than the effective pixel region A.
  • the transparent or translucent plate member 33 corresponds to a plate member having a planar shape on both sides, and also corresponds to a light-transmitting substance in the present invention.
  • the plate material 33 in the second embodiment is used as a light-transmitting substance.
  • the same actions and effects as in Example 1 are obtained.
  • the interposed adhesive sheet 32 and the plate material 33 are light transmissive, the light radiated from the light irradiation mechanism 28 is transmitted in the order of the light transmissive plate material 33 and the adhesive sheet 32.
  • the glass substrate 11 can be irradiated.
  • the adhesive sheet 32 is interposed between the glass substrate 11 and the plate material 33, so that the glass substrate 11 and the plate material 33 are bonded like a liquid adhesive. Leaks and cares Light can be uniformly irradiated from the light irradiation mechanism 28 while maintaining the adhesion between the glass substrate 11 and the plate material 33 containing no bubbles. Further, since the adhesive sheet 32 is in a gel form, it has excellent shock absorption. Furthermore, the mechanical strength can be increased by interposing the plate material 33 between the glass substrate 11 and the light irradiation mechanism 28.
  • Example 2 it is assumed that air bubbles are contained between the plate material 33 and the glass substrate 11 (for example, the adhesive sheet 32) by roughening the surface of the plate material 33 on the glass substrate 11 side.
  • the light since the light is scattered in multiple directions by the rough cache, the light can be transmitted uniformly without conspicuous bubble boundaries.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a flat panel X-ray detector (FPD) in the manufacturing process.
  • FPD flat panel X-ray detector
  • a transparent or translucent plate member 33 is attached to the cooling base 34, and a gel-like adhesive sheet 32 is interposed between the plate member 33 and the glass substrate 11, and the glass substrate 11 and Attach the plate 33 to the plate 33.
  • the adhesive sheet 32 and the plate material 33 are preferably formed of a material having higher thermal conductivity than the glass substrate 11.
  • the adhesive sheet 32 and the plate material 33 are attached to the glass substrate 11 in advance as a light-transmitting material formed of a material having a large thermal conductivity.
  • the X-ray sensitive semiconductor 14 is laminated on the glass substrate 11.
  • amorphous selenium when used as the X-ray sensitive semiconductor 14, amorphous selenium is vacuum-deposited on the glass substrate 11 through the vapor deposition mask 36 using the amorphous vapor deposition source 35 and laminated.
  • amorphous selenium a thick and wide film can be easily formed by a method such as vacuum deposition, so it is suitable for constructing an FPD1 capable of forming a large film with a large area.
  • Cooling base 34 suppresses the temperature rise during deposition. After the lamination, the cooling base 34 is removed, and the holding base 27 that houses the light irradiation mechanism 28 is attached.
  • a material having a large thermal conductivity! / And a light-transmitting material (adhesive sheet 32 and plate material 33) formed of a material is attached to the glass substrate 11 in advance.
  • the stress and temperature distribution when the sensitive semiconductor 14 is formed on the glass substrate 11 can be reduced.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.
  • the flat panel X-ray detector (FPD) described above may be applied to an X-ray detector of an X-ray fluoroscopic apparatus. It may also be applied to an X-ray detector of an X-ray CT apparatus.
  • a force switching element in which a large number of switching elements are two-dimensionally arranged may be a non-array type having only one switching element.
  • the flat panel X-ray detector (FPD) 1 has been described as an example, but the semiconductor layer represented by the X-ray sensitive semiconductor 14 or the like is included.
  • the present invention can be applied to any detector that includes a substrate and planar light irradiation means represented by the light irradiation mechanism 28 and the like.
  • an X-ray detector for detecting X-rays has been described as an example.
  • the present invention is not limited to a radioisotope (RI) as in an ECT (Emission Computed Tomography) apparatus.
  • RI radioisotope
  • ECT Electronicd Tomography
  • the present invention is not particularly limited as long as it is a radiation detector that detects radiation, as exemplified by a ⁇ -ray detector that detects y-rays radiated from a subject administered.
  • the present invention is not particularly limited as long as it is an apparatus that detects an image by detecting radiation as exemplified by the ECT apparatus described above.
  • Each of the above-described embodiments includes a radiation (X-ray in Examples 1 and 2) -sensitive semiconductor, and directly converts the incident radiation into a charge signal using the radiation-sensitive semiconductor.
  • Force that was a conversion-type detector Instead of the radiation-sensitive type it is equipped with a photo-sensitive semiconductor and a scintillator.
  • the incident radiation is converted into light by the scintillator, and the converted light is photo-sensitive.
  • the scintillator and the photosensitive semiconductor power correspond to the semiconductor layer in the present invention.
  • the gel-like adhesive sheet 32 is bonded and fixed, but the gel-like adhesive sheet 32 is not necessarily interposed.
  • the glass substrate 11 is brought into direct contact with the transparent or translucent plate material 33 of Example 2, and the plate material 33 is interposed between the glass substrate 11 and the light irradiation mechanism 28. Further, the glass substrate 11 and the light irradiation mechanism 28 may be fixed and fixed by fixing with the fixing tool 31.
  • the surface of the plate 33 on the side of the glass substrate 11 is roughened, but there are cases where no bubbles are contained between the plate 33 and the glass substrate 11.
  • the light irradiation mechanism 28 is a force plane shape configured to include the light guide unit 29 and the linear light emitting unit 30 shown in FIGS.
  • the configuration is not limited to that shown in FIGS.
  • a planar light emitting diode may be configured as the light irradiation mechanism 28.
  • Adhesive sheet 32 The light-transmitting substance represented by the plate 33 and the like has a higher thermal conductivity than the glass substrate, and need not be formed of a material. As long as it has optical transparency, it may be formed of a material having lower thermal conductivity than the glass substrate. However, when a semiconductor layer typified by an X-ray sensitive semiconductor 14 is stacked on the glass substrate 11 after the glass substrate 11 and the light irradiation mechanism 28 are attached, the semiconductor layer is formed on the substrate. Since a stress and a temperature distribution are generated, it is preferable to form with a material having a higher thermal conductivity than the glass substrate.

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Abstract

【課題】　半導体層を有した基板と光照射手段とを簡易に取り付けることができる放射線検出器を提供することを目的とする。 【解決手段】　Ｘ線の入射によりキャリアに変換するＸ線感応型半導体１４を有したガラス基板１１と、そのガラス基板１１のＸ線入射側とは逆側に設けられた平面形状の光照射機構２８とを備えることで、Ｘ線感応型半導体１４に残留したキャリアを光照射機構２８から照射された光によって除去する。ガラス基板１１と光照射機構２８との間に、光透過性を有するゲル状の接着シート３２を介在させ、かつ光照射機構２８が平面形状であるので、ガラス基板１１と光照射機構２８とを簡易に取り付けることができる。また、介在された接着シート３２は光透過性を有するので、光照射機構２８から照射された光が遮られることなく、接着シート３２を透過してガラス基板１１に照射することができる。

Description

明 細 書
放射線検出器
技術分野
[0001] この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野などに用いられる放射線検 出器に関する。
背景技術
[0002] 直接変換型の放射線検出器を例に採って説明すると、放射線検出器は、放射線 感応型半導体 (半導体層）を備えており、放射線の入射により放射線感応型半導体 はキャリア (電荷情報）に変換し、その変換されたキャリアを読み出すことで放射線を 検出する。半導体層の放射線入射側とは逆側には、キャリアを収集する複数のキヤリ ァ収集電極などが 2次元状に配列されて構成されており、これら放射線感応型半導 体やキャリア収集電極などをアクティブマトリクス基板上に形成して 、る。放射線感応 型半導体としては、例えば非晶質のアモルファスセレン (a— Se)膜が用いられる。ァ モルファスセレンの場合には、真空蒸着などの方法によって簡単に厚くて広 、膜を 形成することができるので、大面積で厚膜が可能な放射線検出器を構成するのに適 している。
[0003] アモルファスセレンで放射線感応型半導体を形成した場合には、各キャリア収集電 極間において放射線感応型半導体にキャリアが残留する。力かるキャリアの残留によ つて残像が生じるなどの課題がある。そこで、力かるキャリアの残留を除去するために 、放射線の入射動作中あるいは非照射時に放射線入射側とは逆側力 光を照射す る手法が提案されている（例えば、特許文献 1、 2参照)。
[0004] なお、上述したアクティブマトリクス基板は一般に加工し難ぐ石英ガラスで形成され ていることから壊れやすい。そこで、放射線感応型半導体やキャリア収集電極などを アクティブマトリクス基板上に形成する前に、アクティブマトリクス基板と、剛性および 熱伝導性を有するベース材との間に、熱伝導性を有する粘弾性体であるゲルシート を介在させることで、アクティブマトリクス基板とベース材とを予め接着固定する手法 が提案されている（例えば、特許文献 3参照)。かかる手法では、ベース材によってァ クティブマトリクス基板が予め固定され、ゲルシートによって予め接着されているので 、放射線感応型半導体などを形成する際の応力や温度分布を低減させることができ る。
特許文献 1：特開 2004— 146769号公報 (第 11— 14頁、図 1 8)
特許文献 2 :特開 2000— 214297号公報 (第 6頁、図 3, 4)
特許文献 3 :特開 2001— 281343号公報 (第 3— 5頁、図 1, 5)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] し力しながら、上述した特許文献 1、 2のように放射線入射側とは逆側力も光を照射 する手法において、その光を照射する光照射手段を、アクティブマトリクス基板の放 射線入射側とは逆側に配設すると、アクティブマトリクス基板と光照射手段とを取り付 けるのが容易でない。
[0006] この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、半導体層を有した基板 と光照射手段とを簡易に取り付けることができる放射線検出器を提供することを目的 とする。
課題を解決するための手段
[0007] 上記問題を解決するために、発明者らは、以下のような知見を得た。すなわち、上 述した特許文献 3に着目して、特許文献 1、 2と特許文献 3とを組み合わせることに想 到した。ただ、単に組み合わせると、以下のような弊害が生じる。すなわち、ベース材 やゲルシートを介在させて、アクティブマトリクス基板などに代表される基板と、光照 射手段とを取り付けると、放射線感応型半導体などに代表される半導体層をァクティ ブマトリクス基板上に形成する際の応力や温度分布を低減させることができるが、光 照射手段から照射された光がベース材ゃゲルシートによって遮られてしまう。そこで、 ベース材ゃゲルシートなどの介在させる物質を、光透過性を有する物質で形成する という知見を得た。
[0008] このような知見に基づくこの発明は、次のような構成をとる。
すなわち、請求項 1に記載の発明は、放射線の入射により前記放射線の情報を電 荷情報に変換する半導体層を有した基板と、その基板の放射線入射側とは逆側に 設けられた平面形状の光照射手段とを備え、変換された電荷情報を読み出すことで 放射線を検出し、前記半導体層に残留した電荷情報を前記光照射手段から照射さ れた光によって除去する放射線検出器であって、前記基板と光照射手段とを、それ らの間に光透過性を有する物質を介在させることで取り付けることを特徴とするもので ある。
[0009] [作用 ·効果]請求項 1に記載の発明によれば、放射線の入射により放射線の情報 を電荷情報に変換する半導体層を有した基板と、その基板の放射線入射側とは逆 側に設けられた平面形状の光照射手段とを備えることで、変換された電荷情報を読 み出すことで放射線を検出し、上述した半導体層に残留した電荷情報を上述した光 照射手段から照射された光によって除去する。このとき、上述した基板と光照射手段 とを、それらの間に光透過性を有する物質を介在させ、かつ光照射手段が平面形状 であるので、半導体層を有した基板と光照射手段とを簡易に取り付けることができる。 また、介在された物質は光透過性を有するので、光照射手段から照射された光が遮 られることなぐ光透過性を有する物質を透過して基板に照射することができる。
[0010] 上述した発明にお ヽて、光透過性を有する物質の一例は、ゲル状の接着シートで あって、その接着シートを基板と光照射手段との間に介在させることで、基板と光照 射手段とを接着固定して取り付ける (請求項 2に記載の発明)。接着シートの場合に は、液体状の接着剤のように接着漏れや気泡の含有がなぐ接着性を保ったまま光 照射手段力も光を均一に照射することができる。また、ゲル状であるので衝撃吸収性 にも優れる。
[0011] また、光透過性を有する物質の他の一例は、両面が平面形状の板材であって、そ の板材を基板と光照射手段との間に介在させることで、基板と光照射手段とを固定し て取り付ける（請求項 3に記載の発明）。板材の場合には、板材を介在させることによ り機械強度を上げることができる。
[0012] さらに、光透過性を有する物質のさらなる他の一例は、ゲル状の接着シートと、両面 が平面形状の板材とであって、上述した接着シートを基板と上述した板材との間に介 在させることで、基板と板材とを接着固定して取り付け、板材を基板と光照射手段と の間に介在させることで、基板と光照射手段とを固定して取り付ける (請求項 4に記載 の発明）。接着シートおよび板材の場合には、上述した請求項 2に記載の発明と請求 項 3に記載の発明とを組み合わせた発明となる。したがって、それぞれの発明におけ る作用'効果を併せて奏する。すなわち、基板と板材との間に介在する接着シートの 場合には、基板と板材と間にお!、て液体状の接着剤のように接着漏れや気泡の含 有がなぐ基板と板材との接着性を保ったまま光照射手段力 光を均一に照射するこ とができる。また、ゲル状であるので衝撃吸収性にも優れる。さらに、基板と光照射手 段との間に板材を介在させることにより機械強度を上げることができる。
[0013] 光透過性を有する物質が板材の場合にぉ 、て (請求項 3, 4に記載の発明）、板材 の基板側の面を粗面加工するのが好まし ヽ (請求項 5に記載の発明）。板材と基板と の間に気泡がたとえ含有したとしても、粗面カ卩ェによって光が多方向に散乱するので 、気泡の境界が目立つことなく光を均一に透過することができる。
[0014] また、上述した発明において、平面形状の光照射手段の一例は、平面形状の導光 手段と、その端部に設けられた線状発光手段とを備え、上述した導光手段を、基板 側に設けられた光拡散シートと、基板側とは逆側に設けられた光反射シートと、それ らシートの間に狭持された透明板とで構成するものである（請求項 6に記載の発明）。 線状発光手段から照射された線状の各光は、透明板中を進行しながら光反射シート によって基板側に反射して、さらに光拡散シートによって散乱しながら基板、さらには 半導体層に照射される。光照射手段が、力かるシートと透明板とで構成された導光手 段と、線状発光手段とを備えることで、平面形状の光照射手段を薄くすることができる
[0015] 光照射手段が上述した導光手段と線状発光手段とを備えた場合にお!、て (請求項 6に記載の発明）、光拡散シートの表面を粗面加工するのが好ましい（請求項 7に記 載の発明）。光拡散シートの基板側 (請求項 2, 4に従属されている場合には光拡散 シートと接着シートとの間）に気泡がたとえ含有したとしても、粗面カ卩ェによって光が 多方向に散乱するので、気泡の境界が目立つことなく光を均一に透過することができ る。
[0016] また、上述した発明において、光透過性を有する物質を、基板よりも熱伝導性の大 き 、材質で形成するのが好ま U、 (請求項 8に記載の発明）。熱伝導性の大き!/、材質 で形成された光透過性を有する物質を基板に予め取り付けることで、半導体層を基 板上に形成する際の応力や温度分布を低減させることができる。
[0017] なお、本明細書は、次のような放射線検出器を製造する放射線検出器の製造方法 に係る発明も開示している。
[0018] (1)放射線の入射により前記放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を有し た基板と、その基板の放射線入射側とは逆側に設けられた平面形状の光照射手段と を備え、変換された電荷情報を読み出すことで放射線を検出し、前記半導体層に残 留した電荷情報を前記光照射手段から照射された光によって除去する放射線検出 器の製造方法であって、前記基板と光照射手段とを、それらの間に光透過性を有し 、かつ基板よりも熱伝導性の大きい物質を介在させることで取り付け、その取り付け後 に基板上に前記半導体層を積層形成し、その後に光照射手段を取り付けることを特 徴とする放射線検出器の製造方法。
[0019] 前記（1)に記載の発明によれば、熱伝導性の大きい材質で形成された光透過性を 有する物質を基板に予め取り付けることで、半導体層を基板上に形成する際の応力 や温度分布を低減させることができる。
[0020] (2)前記（1)に記載の放射線検出器の製造方法において、前記光透過性を有する 物質は、ゲル状の接着シート、および両面が平面形状の板材力 なることを特徴とす る放射線検出器の製造方法。
[0021] 前記（2)に記載の発明によれば、接着シートを用いることで、液体状の接着剤のよ うに接着漏れや気泡の含有がなぐ接着性を保ったまま光照射手段力 光を均一に 照射することができる。また、ゲル状であるので衝撃吸収性にも優れる。さらに、板材 を用いることにより機械強度を上げることができる。
発明の効果
[0022] この発明に係る放射線検出器によれば、基板と光照射手段とを、それらの間に光 透過性を有する物質を介在させ、かつ光照射手段が平面形状であるので、半導体 層を有した基板と光照射手段とを簡易に取り付けることができる。
図面の簡単な説明
[0023] [図 1]実施例 1, 2に係る側面視したフラットパネル型 X線検出器の等価回路である。 [図 2]実施例 1, 2に係る平面視したフラットパネル型 X線検出器の等価回路である。
[図 3]実施例 1に係るフラットパネル型 X線検出器の断面図である。
[図 4]実施例 2に係るフラットパネル型 X線検出器の断面図である。
[図 5]製造工程におけるフラットパネル型 X線検出器の断面図である。
符号の説明
[0024] 1 … フラットパネル型 X線検出器 (FPD)
11 … ガラス基板
14 … X線感応型半導体
28 … 光照射機構
29 … 導光部
29a … 光拡散シート
29b … 光反射シート
29c … 透明板
30 … 線状発光部
32 … 接着シート
33 … 板材
発明を実施するための最良の形態
[0025] (実施例 1)以下、図面を参照してこの発明の実施例 1を説明する。
図 1は、実施例 1に係る側面視したフラットパネル型 X線検出器の等価回路であり、 図 2は、平面視したフラットパネル型 X線検出器の等価回路であり、図 3は、フラットパ ネル型 X線検出器の断面図である。後述する実施例 2も含めて本実施例 1では、放 射線検出器として、直接変換型のフラットパネル型 X線検出器 (以下、適宜「FPD」と いう）を例に採って説明する。
[0026] FPD1は、図 1に示すように、ガラス基板 11と、ガラス基板 11上に形成された薄膜ト ランジスタ TFTと力も構成されている。薄膜トランジスタ TFTについては、図 1、図 2に 示すように、縦'横式 2次元マトリクス状配列でスイッチング素子 32が多数個（例えば 、 1028個 X 1028個）形成されており、キャリア収集電極 13ごとにスイッチング素子 12 が互いに分離形成されている。すなわち、 FPD1は、 2次元アレイ放射線検出器でも ある。ガラス基板 11は、この発明における基板に相当する。
[0027] 図 1に示すようにキャリア収集電極 13の上には X線感応型半導体 14が積層形成さ れており、図 1、図 2に示すようにキャリア収集電極 13は、スイッチング素子 12のソー ス Sに接続されている。ゲートドライバ 15からは複数本のゲートバスライン 16が接続さ れて 、るとともに、各ゲートバスライン 16はスイッチング素子 12のゲート Gに接続され ている。一方、図 2に示すように、電荷信号を収集して 1つに出力するマルチプレクサ 17には増幅器 18を介して複数本のデータバスライン 19が接続されているとともに、 図 1、図 2に示すように各データバスライン 19はスイッチング素子 12のドレイン Dに接 続されている。 X線感応型半導体 14は、この発明における半導体層に相当する。
[0028] このように、ガラス基板 11上に薄膜トランジスタ TFTや X線感応型半導体 14が積層 形成されており、スイッチング素子 12やキャリア収集電極 13が 2次元マトリックス状配 列でガラス基板 11にパターン形成されて!、る。このようなガラス基板 11は『アクティブ マトリクス基板』とも呼ばれている。
[0029] 図示を省略する共通電極にバイアス電圧を印加した状態で、ゲートバスライン 16の 電圧を印加（または OVに）することでスイッチング素子 2のゲートが ONされて、キヤリ ァ収集電極 13は、検出面側で入射した X線から X線感応型半導体 14を介して変換 された電荷信号 (キャリア）を、スイッチング素子 12のソース Sとドレイン Dとを介してデ ータバスライン 19に読み出す。なお、スイッチング素子が ONされるまでは、電荷信 号はキャパシタ（図示省略)で暫定的に蓄積されて記憶される。各データバスライン 1 9に読み出された電荷信号を増幅器 18で増幅して、マルチプレクサ 17で 1つの電荷 信号にまとめて出力する。出力された電荷信号を、図示を省略する AZD変換器で ディジタルィ匕して X線検出信号として出力する。 AZD変翻は、マルチプレクサ 17 の前段に配置する構成にしてもょ 、。
[0030] 次に、 FPD1の具体的な構造について、図 3を参照して説明する。上述したガラス 基板 11上に X線感応型半導体 14を積層形成するとともに、 X線感応型半導体 14上 に共通電極 (電圧印加電極） 21をさらに積層形成している。 X線感応型半導体 14と しては、例えば非晶質のアモルファスセレン（a— Se)などに代表されるアモルファス 半導体や、 CdZnTeなどに代表される化合物半導体が用いられる。なお、図 3に示 すように、ガラス基板 11と X線感応型半導体 14との間（より正確には図 1に示すキヤリ ァ収集電極 13よりも X線感応型半導体 14側）にキャリア選択性の高抵抗膜 22を形成 するとともに、 X線感応型半導体 14と共通電極 21との間にキャリア選択性の高抵抗 膜 23を形成してもよい。
[0031] 共通電極 21に正のノィァス電圧を印加する場合には、キャリア選択性の高抵抗膜 23に電子の寄与率が大きい材料を使用する。これにより共通電極 21からの正孔の 注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。キャリア選択性の高抵抗膜 22に は正孔の寄与率が大きい材料を使用する。これによりキャリア収集電極 13からの電 子の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。
[0032] 逆に、共通電極 21に負のバイアス電圧を印加する場合には、キャリア選択性の高 抵抗膜 23に正孔の寄与率が大きい材料を使用する。これにより共通電極 21からの 電子の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。キャリア選択性の高抵抗 膜 22には電子の寄与率が大きい材料を使用する。これによりキャリア収集電極 13か らの正孔の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。
[0033] なお、キャリア選択性の高抵抗膜 22, 23を必ずしも設ける必要はなぐ高抵抗膜 2 2, 23の一方または両方が省かれていてもよい。
[0034] ガラス基板 11の外周部にスぺーサー 24を立設して、スぺーサー 24に支持されるよ うに絶縁性の板材 25を配設する。ガラス基板 11、スぺーサー 24、絶縁性の板材 25 に囲まれた空間に硬化性合成樹脂 26を注入して封止する。
[0035] 一方、ガラス基板 11の X線入射側とは逆側、すなわち X線感応型半導体 14側とは 逆側には保持ベース 27を配設している。有効画素領域 A内において保持ベース 27 には平面形状の光照射機構 28を埋設して収容している。
[0036] 光照射機構 28は、 X線入射側に向かって光を照射するように構成されている。すな わち、光照射機構 28は、平面形状の導光部 29と、その端部に設けられた線状発光 部 30とを備えている。導光部 29は、ガラス基板 11側に設けられた光拡散シート 29a と、ガラス基板 11側とは逆側に設けられた光反射シート 29bと、それらシート 29a, 29 bによって狭持された透明板 29cとで構成されている。光拡散シート 29aの表面は、 粗面加工されており、いわゆる『すりガラス状』になっている。線状発光部 30から照射 された線状の各光は、透明板 29cを進行しながら光反射シート 29bによってガラス基 板 11側 (X線入射側）に反射して、さらに光拡散シート 29aによって散乱しながら、ガ ラス基板 11、さらには X線感応型半導体 14に照射される。光照射機構 28は、この発 明における光照射手段に相当し、導光部 29は、この発明における導光手段に相当 し、線状発光部 30は、この発明における線状発光手段に相当し、光拡散シート 29a は、この発明における光拡散シートに相当し、光反射シート 29bは、この発明におけ る光反射シートに相当し、透明板 29cは、この発明における透明板に相当する。
[0037] この光照射機構 28を収容した保持ベース 27と、上述した絶縁性の板材 25とを挟 み込むように外周部において固定具 31で支持している。この固定具 31によってガラ ス基板 11や光照射機構 28などの取り付けにおいて固定強度を補うことができる。
[0038] ガラス基板 11と光照射機構 28との間に、透明または半透明のゲル状の接着シート 32を介在させている。その接着シート 32をガラス基板 11と光照射機構 28との間に介 在させることで、ガラス基板 11と接着シート 32とを接着固定して取り付ける。接着シー ト 32は、透明または半透明のいずれかであればよぐつまり光透過性を有する物質で あればよい。また、接着シート 32を、ガラス基板 11よりも熱伝導性が大きい材質で形 成するのが好ましい。接着シート 32としては、アルミナ (Al O )やシリカ（SiO )など
2 3 2 の粉末が添加されたシリコン榭脂などが用いられる。
[0039] また、接着シート 32は、全面を透明または半透明にする必要はなぐ光照射機構 2 8からの光照射が必要な有効画素領域 A内において透明または半透明であればよく 、有効画素領域 A以外の外周部においては必ずしも透明または半透明にする必要 はない。例えば、有効画素領域 A以外の外周部において有色の接着シート 32を使 用してもよい。もちろん、有効画素領域 A以外の外周部においても透明または半透 明の接着シート 32を使用してもよい。ゲル状の接着シート 32は、この発明における接 着シートに相当し、この発明における光透過性を有する物質にも相当する。
[0040] 以上のように構成された本実施例 1に係る FPD1によれば、 X線の入射により X線の 情報を電荷情報であるキャリアに変換する X線感応型半導体 14を有したガラス基板 11と、そのガラス基板 11の X線入射側とは逆側に設けられた平面形状の光照射機 構 28とを備えることで、変換されたキャリアを読み出すことで X線を検出し、上述した X線感応型半導体 14に残留したキャリアを上述した光照射機構 28から照射された光 によって除去する。このとき、上述したガラス基板 11と光照射機構 28とを、それらの 間に光透過性を有する物質であるゲル状の接着シート 32を介在させ、かつ光照射 機構 28が平面形状であるので、 X線感応型半導体 14を有したガラス基板 11と光照 射機構 28とを簡易に取り付けることができる。また、介在された接着シート 32は光透 過性を有するので、光照射機構 28から照射された光が遮られることなぐ光透過性を 有する接着シート 32を透過してガラス基板 11に照射することができる。
[0041] 本実施例 1では、光透過性を有する物質は、上述したようにゲル状の接着シート 32 である。接着シート 32の場合には、液体状の接着剤のように接着漏れや気泡の含有 力 ぐ接着性を保ったまま光照射機構 28からの光を均一に照射することができる。 また、ゲル状であるので衝撃吸収性にも優れる。
[0042] また、本実施例 1では、光照射機構 28が、光拡散 Z光反射シート 29a, 29bと透明 板 29cとで構成された導光部 29と、線状発光部 30とを備えることで、平面形状の光 照射機構 28を薄くすることができる。また、本実施例 1では、光拡散シート 29aの表面 を粗面加工することで、光拡散シート 29aのガラス基板 11側 (本実施例 1では光拡散 シート 29aと接着シート 32との間）に気泡がたとえ含有したとしても、粗面カ卩ェによつ て光が多方向に散乱するので、気泡の境界が目立つことなく光を均一に透過するこ とがでさる。
[0043] (実施例 2)次に、図面を参照してこの発明の実施例 2を説明する。
図 4は、実施例 2に係るフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の断面図である。実施 例 1と共通する箇所については、同じ符号を付して図示を省略するとともに、その説 明を省略する。なお、ガラス基板 11や X線感応型半導体 14、スイッチング素子 12や キャリア収集電極 13のパターン形成などについては、図 1、図 2と同様の構成である
[0044] 本実施例 2に係る FPD1は、上述した実施例 1と同様に、光照射機構 28を収容した 保持ベース 27、ゲル状の接着シート 32、ガラス基板 11、キャリア選択性の高抵抗膜 22、 X線感応型半導体 14、キャリア選択性の高抵抗膜 23、共通電極 21、絶縁性の 板材 25を下カゝら順に積層することで構成されている。また、実施例 1と同様に、スぺ ーサー 24、固定具 31を配設し、硬化性合成樹脂 26を注入して封止している。
[0045] 実施例 1との相違点は、ゲル状の接着シート 32と光照射機構 28との間に、両面が 平面形状の透明または半透明の板材 33をさらに介在させた点である。すなわち、実 施例 1の光照射機構 28の替わりに本実施例 2では板材 33を用いて、接着シート 32 をガラス基板 11と板材 33との間に介在させることで、ガラス基板 11と板材 33とを接 着固定して取り付け、その板材 33をガラス基板 11と光照射機構 28との間に介在させ ることで、ガラス基板 11と光照射機構 28を固定して取り付ける。板材 33は、接着シー ト 32と同様に、透明または半透明のいずれかであればよぐつまり光透過性を有する 物質であればよい。また、板材 33についても、接着シート 32と同様に、ガラス基板 11 よりも熱伝導性が大きい材質で形成するのが好ましい。板材 33としては、アルミナや シリカなどの粉末が添加されたアクリル榭脂ゃポリカーボネート榭脂などが用いられる 。また、光拡散シート 29aと同様に、板材 33のガラス基板 11側の面は、粗面加工され ている。
[0046] 板材 33の材質の性質上、本実施例 2では全面を透明または半透明にして ヽるが、 接着シート 32と同様に、全面を透明または半透明にする必要はない。光照射機構 2 8からの光照射が必要な有効画素領域 A内において透明または半透明であればよく 、有効画素領域 A以外の外周部においては必ずしも透明または半透明にする必要 はない。例えば、有効画素領域 A以外の外周部において有色の板材 33を使用して もよい。透明または半透明の板材 33は、両面が平面形状の板材に相当し、この発明 における光透過性を有する物質にも相当する。
[0047] 以上のように構成された本実施例 2に係る FPD1によれば、光透過性を有する物質 として、実施例 1のゲル状の接着シート 32に加えて、本実施例 2では板材 33を用い ることで、実施例 1と同様の作用 ·効果を奏する。また、介在された接着シート 32およ び板材 33は光透過性を有するので、光照射機構 28から照射された光が遮られること なぐ光透過性を有する板材 33および接着シート 32の順に透過してガラス基板 11に 照射することができる。
[0048] 本実施例 2のように、ガラス基板 11と板材 33との間に接着シート 32を介在させるこ とで、ガラス基板 11と板材 33との間において液体状の接着剤のように接着漏れや気 泡の含有がなぐガラス基板 11と板材 33との密着性を保ったまま光照射機構 28から 光を均一に照射することができる。また、接着シート 32がゲル状であるので衝撃吸収 性にも優れる。さらに、ガラス基板 11と光照射機構 28との間に板材 33を介在させる ことにより機械強度を上げることができる。
[0049] また、本実施例 2では、板材 33のガラス基板 11側の面を粗面加工することで、板材 33とガラス基板 11との間（例えば接着シート 32)に気泡がたとえ含有したとしても、粗 面カ卩ェによって光が多方向に散乱するので、気泡の境界が目立つことなく光を均一 に透過することができる。
[0050] 次に、上述した実施例 2の FPD1の製造方法について、図 5を参照して説明する。
図 5は、製造工程におけるフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の断面図である。
[0051] 図 5に示すように、冷却ベース 34に透明または半透明の板材 33を取り付け、板材 3 3とガラス基板 11との間にゲル状の接着シート 32を介在させて、ガラス基板 11と板材 33とを接着固定して取り付ける。なお、実施例 1, 2でも述べたように、接着シート 32 ゃ板材 33については、ガラス基板 11よりも熱伝導性が大きい材質で形成するのが好 ま ヽ。このように熱伝導性の大き!/ヽ材質で形成された光透過性を有する材質として 、接着シート 32および板材 33をガラス基板 11に予め取り付ける。
[0052] 上述した取り付け後に、ガラス基板 11上に X線感応型半導体 14を積層形成する。
具体的には、例えばアモルファスセレンを X線感応型半導体 14として用いた場合に は、アモルファス蒸着源 35を用いて蒸着マスク 36を通してガラス基板 11上にァモル ファスセレンを真空蒸着して積層形成する。アモルファスセレンの場合には、真空蒸 着などの方法によって簡単に厚くて広い膜を形成することができるので、大面積で厚 膜が可能な FPD1を構成するのに適している。蒸着の際に温度上昇するのを冷却べ ース 34が抑える。積層形成後に、冷却ベース 34を外して、光照射機構 28を収容し た保持ベース 27を取り付ける。
[0053] 力かる製造方法によれば、熱伝導性の大き!/、材質で形成された光透過性を有する 材質 (接着シート 32および板材 33)をガラス基板 11に予め取り付けることで、 X線感 応型半導体 14をガラス基板 11上に形成する際の応力や温度分布を低減させること ができる。 [0054] この発明は、上記実施形態に限られることはなぐ下記のように変形実施することが できる。
[0055] (1)上述したフラットパネル型 X線検出器 (FPD)を、 X線透視撮影装置の X線検出 器に適用してもよい。また、 X線 CT装置の X線検出器にも適用してもよい。
[0056] (2)上述した各実施例では、スイッチング素子が多数個に 2次元状に配列されてい た力 スイッチング素子が 1個のみの非アレイタイプであってもよい。
[0057] (3)上述した各実施例では、フラットパネル型 X線検出器 (FPD) 1を例に採って説 明したが、 X線感応型半導体 14などに代表される半導体層を有した基板と、光照射 機構 28などに代表される平面形状の光照射手段とを備えて構成された検出器であ れば、この発明は適用することができる。
[0058] (4)上述した各実施例では、 X線を検出する X線検出器を例に採って説明したが、 この発明は、 ECT (Emission Computed Tomography)装置のように放射性同位元素（ RI)を投与された被検体から放射される y線を検出する γ線検出器に例示されるよう に、放射線を検出する放射線検出器であれば特に限定されない。同様に、この発明 は、上述した ECT装置に例示されるように、放射線を検出して撮像を行う装置であれ ば特に限定されない。
[0059] (5)上述した各実施例では、放射線 (実施例 1, 2では X線)感応型の半導体を備え 、入射した放射線を放射線感応型の半導体で直接的に電荷信号に変換する直接変 換型の検出器であった力 放射線感応型の替わりに光感応型の半導体を備えるとと もにシンチレータを備え、入射した放射線をシンチレータで光に変換し、変換された 光を光感応型の半導体で電荷信号に変換する間接変換型の検出器であってもよい 。この場合には、シンチレータおよび光感応型の半導体力 この発明における半導 体層に相当する。
[0060] (6)上述した各実施例では、ゲル状の接着シート 32を介在させて接着固定したが、 ゲル状の接着シート 32を必ずしも介在させる必要はない。例えば、実施例 2の透明 または半透明の板材 33にガラス基板 11を直接に接触させて、その板材 33をガラス 基板 11と光照射機構 28との間に介在させる。さらに、固定具 31で固定させることで、 ガラス基板 11と光照射機構 28とを固定して取り付けてもよ ヽ。 [0061] (7)上述した実施例 2では、板材 33のガラス基板 11側の面を粗面加工したが、板 材 33とガラス基板 11との間に気泡が含有しな!、場合、ある 、は気泡が含有したとし ても気泡の境界が目立つことなく光を均一に透過する場合には、粗面加工を必ずし も行う必要はない。同様に、各実施例の光照射機構 28において、光拡散シート 29a の表面を祖面加工したが、光拡散シート 29aのガラス基板 11側に気泡が含有しな ヽ 場合、あるいは気泡が含有したとしても気泡の境界が目立つことなく光を均一に透過 する場合には、粗面加工を必ずしも行う必要はない。
[0062] (8)上述した各実施例では、光照射機構 28は、図 3、図 4に示す導光部 29および 線状発光部 30を備えて構成されていた力 平面形状であれば、図 3、図 4に示した 構成に限定されない。例えば平面形状の発光ダイオードを光照射機構 28として構成 してちよい。
[0063] (9)接着シート 32ゃ板材 33などに代表される光透過性を有する物質については、 ガラス基板よりも熱伝導性が大き!ヽ材質で形成する必要はな!ヽ。光透過性を有する のであれば、ガラス基板よりも熱伝導性が小さい材質で形成してもよい。ただ、ガラス 基板 11と光照射機構 28とを取り付けた後に、ガラス基板 11上に X線感応型半導体 1 4などに代表される半導体層を積層形成する場合には、半導体層を基板上に形成す る際の応力や温度分布が生じるので、ガラス基板よりも熱伝導性の大き 、材質で形 成するのが好ましい。

Claims

請求の範囲
[1] 放射線の入射により前記放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を有した 基板と、その基板の放射線入射側とは逆側に設けられた平面形状の光照射手段とを 備え、変換された電荷情報を読み出すことで放射線を検出し、前記半導体層に残留 した電荷情報を前記光照射手段力 照射された光によって除去する放射線検出器 であって、前記基板と光照射手段とを、それらの間に光透過性を有する物質を介在 させることで取り付けることを特徴とする放射線検出器。
[2] 請求項 1に記載の放射線検出器にぉ 、て、前記光透過性を有する物質は、ゲル状 の接着シートであって、その接着シートを前記基板と前記光照射手段との間に介在さ せることで、基板と光照射手段とを接着固定して取り付けることを特徴とする放射線検 出器。
[3] 請求項 1に記載の放射線検出器において、前記光透過性を有する物質は、両面が 平面形状の板材であって、その板材を前記基板と前記光照射手段との間に介在さ せることで、基板と光照射手段とを固定して取り付けることを特徴とする放射線検出器
[4] 請求項 1または請求項 2に記載の放射線検出器において、前記光透過性を有する 物質は、ゲル状の接着シートと、両面が平面形状の板材とであって、前記接着シート を前記基板と前記板材との間に介在させることで、基板と板材とを接着固定して取り 付け、板材を基板と前記光照射手段との間に介在させることで、基板と光照射手段と を固定して取り付けることを特徴とする放射線検出器。
[5] 請求項 3または請求項 4に記載の放射線検出器にぉ 、て、前記板材の基板側の面 を粗面加工することを特徴とする放射線検出器。
[6] 請求項 1から請求項 5のいずれかに記載の放射線検出器において、前記光照射手 段は、平面形状の導光手段と、その端部に設けられた線状発光手段とを備え、前記 導光手段を、基板側に設けられた光拡散シートと、基板側とは逆側に設けられた光 反射シートと、それらシートの間に狭持された透明板とで構成することを特徴とする放 射線検出器。
[7] 請求項 6に記載の放射線検出器において、前記光拡散シートの表面を粗面加工す ることを特徴とする放射線検出器。
請求項 1から請求項 7のいずれかに記載の放射線検出器において、前記光透過性 を有する物質を、前記基板よりも熱伝導性の大き!ヽ材質で形成することを特徴とする 放射線検出器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008070253A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Shimadzu Corp 電磁波検出器およびこれを用いた放射線撮影装置
WO2009125584A1 (ja) * 2008-04-08 2009-10-15 株式会社島津製作所 放射線検出器
WO2015075877A1 (ja) * 2013-11-25 2015-05-28 キヤノン株式会社 放射線検出装置および放射線撮像システム

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100978616B1 (ko) * 2008-02-20 2010-08-27 주식회사바텍 대면적 ｘ선 검출장치
US20120043633A1 (en) * 2009-04-30 2012-02-23 Junichi Suzuki Radiation detector
JP5683856B2 (ja) * 2010-07-15 2015-03-11 日立アロカメディカル株式会社 放射線検出装置
KR101174477B1 (ko) * 2010-11-17 2012-08-17 주식회사 디알텍 디지털 ｘ선 검출장치
US8772728B2 (en) * 2010-12-31 2014-07-08 Carestream Health, Inc. Apparatus and methods for high performance radiographic imaging array including reflective capability
JP2014071077A (ja) * 2012-10-01 2014-04-21 Canon Inc 放射線検出装置、及び、放射線検出システム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11513221A (ja) * 1996-07-08 1999-11-09 フィリップス エレクトロニクス エヌ ベー 半導体ｘ線検出器を有するｘ線検査装置
JP2000214297A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Direct Radiography Corp 電子信号の修正方法及び残像除去方法
JP2001281343A (ja) * 2000-03-28 2001-10-10 Shimadzu Corp ２次元画像検出器およびその製造方法
JP2004146769A (ja) * 2002-08-30 2004-05-20 Shimadzu Corp 放射線検出器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900442B2 (en) * 1999-07-26 2005-05-31 Edge Medical Devices Ltd. Hybrid detector for X-ray imaging
JP5016746B2 (ja) * 2000-07-28 2012-09-05 キヤノン株式会社 撮像装置及びその駆動方法
JP4437609B2 (ja) * 2000-10-25 2010-03-24 株式会社日立メディコ Ｘ線画像診断装置
JP4138458B2 (ja) * 2002-11-20 2008-08-27 富士フイルム株式会社 放射線画像記録媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11513221A (ja) * 1996-07-08 1999-11-09 フィリップス エレクトロニクス エヌ ベー 半導体ｘ線検出器を有するｘ線検査装置
JP2000214297A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Direct Radiography Corp 電子信号の修正方法及び残像除去方法
JP2001281343A (ja) * 2000-03-28 2001-10-10 Shimadzu Corp ２次元画像検出器およびその製造方法
JP2004146769A (ja) * 2002-08-30 2004-05-20 Shimadzu Corp 放射線検出器

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008070253A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Shimadzu Corp 電磁波検出器およびこれを用いた放射線撮影装置
WO2009125584A1 (ja) * 2008-04-08 2009-10-15 株式会社島津製作所 放射線検出器
WO2009125476A1 (ja) * 2008-04-08 2009-10-15 株式会社島津製作所 放射線検出器
JP4586939B2 (ja) * 2008-04-08 2010-11-24 株式会社島津製作所 放射線検出器
JPWO2009125584A1 (ja) * 2008-04-08 2011-07-28 株式会社島津製作所 放射線検出器
CN101971338B (zh) * 2008-04-08 2012-07-25 株式会社岛津制作所 辐射检测器
WO2015075877A1 (ja) * 2013-11-25 2015-05-28 キヤノン株式会社 放射線検出装置および放射線撮像システム

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