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WO2005083153A1 - Cvd-reaktor mit prozesskammerhöhenstabilisierung - Google Patents

Cvd-reaktor mit prozesskammerhöhenstabilisierung Download PDF

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WO2005083153A1
WO2005083153A1 PCT/EP2005/050242 EP2005050242W WO2005083153A1 WO 2005083153 A1 WO2005083153 A1 WO 2005083153A1 EP 2005050242 W EP2005050242 W EP 2005050242W WO 2005083153 A1 WO2005083153 A1 WO 2005083153A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
process chamber
reactor
wall
ceiling
cvd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2005/050242
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English (en)
French (fr)
Inventor
Walter Franken
Johannes KÄPPELER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Priority to JP2007500200A priority Critical patent/JP2007524002A/ja
Publication of WO2005083153A1 publication Critical patent/WO2005083153A1/de
Priority to US11/511,110 priority patent/US20070074661A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
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    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45508—Radial flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor

Definitions

  • the invention relates to a CVD reactor with a process chamber arranged in a reactor housing, the process chambers comprising ments, a process chamber bottom and a process chamber 5 - surrounded by a bottom arranged process chamber ceiling, wherein the reactor housing at least one in a change in pressure Within the reactor housing slightly elastically deformable reactor wall has, which reactor wall in particular centrally has an opening through which projects a functional element which is fixedly connected to a first portion with a process chamber wall and a second portion which is arranged outside the reactor housing.
  • Such CND reactors are known from DE 10043597 AI, DE 10043599 AI, DE 10043600 AI, DE 10043601 AI, DE 10057134 AI, DE 10064941 AI, DE 10064942 AI, DE 10064944 AI, DE 10124609 AI, DE 10133914 AI, DE 10136858 AI, DE 10153463 AI and DE 10211442 AI.
  • the known CND reactors have a reactor housing in which a process chamber is arranged.
  • the reactor housing has an upper and a lower wall and a, the process chamber surrounding, lateral wall.
  • In the center of the upper wall and possibly in the center of the lower wall are openings.
  • a gas inlet member projects from the outside into the reactor housing.
  • the process gases are fed into the process chamber.
  • the gas inlet member is located in the center of the reactor and at the same time carries a process chamber ceiling bounding the process chamber at the top.
  • the process chamber floor opposite the process chamber ceiling can be either with NG ⁇ 265098 25059DE drg / gz February 27, 2004 the bottom of the reactor housing, be connected to the reactor housing wall or with an opening of the bottom by projecting rotary drive.
  • the process chamber height is the clear distance between the process chamber ceiling and the process chamber floor. This distance measure is critical for certain processes taking place within the process chamber. It has to stay constant.
  • the processes taking place in the process chamber take place at different total pressures, which are generally lower than the atmospheric pressure.
  • the total pressures within the process chamber can thus vary in a range between zero and 1,000 mbar.
  • the reactor ceiling and the reactor bottom serve as pressure barriers.
  • at least the process chamber ceiling is rigidly connected to the gas inlet element which is firmly connected in the middle to the process chamber ceiling.
  • the reactor cover can be removed from the reactor.
  • the process chambers are also open for loading and unloading. This corrigenda has the consequence that the distance between the process chamber ceiling and the process chamber floor can change depending on the total pressure within the process chamber. To counteract this effect, the process chamber ceiling or the process chamber floor has been stiffened accordingly.
  • the invention has the object to provide measures to keep the process chamber height constant.
  • VGN 265098 25059EN drg / gz 27th Ebbruary 2004 The object is achieved by the invention specified in the claims.
  • the claim 1 provides initially and essentially that the functional element is elastically evasive connected to the reactor wall.
  • the process chamber floor can then be rigidly connected to the process chamber ceiling by suitable means. This rigid connection takes place bypassing the two opposing reactor walls. This has the consequence that both the reactor bottom and the reactor ceiling can be made less rigid. Their deformation no longer affects the distance between the process chamber floor and the process chamber ceiling. Rather, the distance dimension is defined by the elements that connect the process chamber ceiling to the process chamber floor.
  • the elastically evasive connection between the functional element and the reactor wall takes place, in particular, through the fact that the drive element passes through an opening in the reactor cover or the reactor bottom
  • the drive shaft may be rotatably mounted on a support structure arranged in the reactor housing, rigidly connected to a side wall of the reactor housing or to the edge of a wall. This can then be used to rigidly connect the drive shaft to the gas inlet member, but the process chamber ceiling can also be rigid with a side wall or with the edge of the Be connected reactor ceiling, since the edge of the reactor cover only slightly deformed at a pressure change. The latter is advantageous if the reactor ceiling forms a lid that can be opened for loading and unloading.
  • the process chamber floor can be rotatably mounted on a support structure arranged in the reactor housing, rigidly connected to a side wall of the reactor housing or to the edge of a wall. This can then be used to rigidly connect the drive shaft to the gas inlet member, but the process chamber ceiling can also be rigid with a side wall or with the edge
  • VGN 265098 25059EN drg / gz 27 February 2004 have additional aggregates, such as a Gasableitring, a process chamber heater or substrate carrier.
  • the latter can be rotatably arranged on the process chamber floor.
  • the opening to which the functional element protrudes through the reactor wall is preferably sealed by means of a bellows.
  • This bellows is an elastic connecting element between the functional element and the wall associated with the functional element and is preferably made of stainless steel.
  • a structural chamber floor, a Gasableitring, a process chamber heating and a drive shaft assembly is fixedly connected to a rigid reactor housing structure is connected, the reactor wall can move in deformation within the reactor housing relative to the structure / deform.
  • the process chamber ceiling and the process chamber bottom are in particular rigidly connected to one another via edge-side connecting means.
  • the entire process chamber can thus hang on the gas inlet member.
  • the connecting elements which rigidly connect the process chamber floor to the process chamber ceiling can be arranged both inside and outside the reactor. These connecting elements may even be formed by elements of the wall of the reactor which do not deform in the direction in which they exert a rigid connection. In particular, the side wall surrounding the process chamber can exert this function. It is sufficient if the process chamber ceiling is only supported there.
  • FIG. 1 shows a first exemplary embodiment of the invention in half section
  • VGN 265098 25059EN drg / gz 27 February 2004 2 shows a second embodiment of the invention in half section
  • Figure 3 shows a third embodiment of the invention in half-section
  • Figure 4 shows a fourth embodiment of the invention in half section.
  • the reactor housing illustrated in the exemplary embodiments in each case has a substantially circular disk-shaped reactor cover 3, which faces a substantially likewise circular reactor bottom 4.
  • the cross-sectional shape of the reactor may also differ from the round shape.
  • the reactor chamber arranged between the reactor bottom 4 and the reactor cover 3 is laterally surrounded by a tubular reactor side wall 5.
  • the reactor cover 3 has a central opening 17, through which a gas inlet member 9 projects into the interior of the reactor housing 1.
  • the gas inlet element 9 is seated in a section 9 "located outside the reactor housing 1 and a section 9 'arranged inside the reactor housing 1. Process gases are conducted into the process chamber 2 through the gas inlet element, as described in particular in the cited documents a gas discharge 21, the process gases are discharged again.
  • the process chamber 2 is bounded at the top by a process chamber ceiling 6 and at the bottom by a process chamber floor 7 running parallel to the process chamber ceiling 6.
  • On the process chamber bottom 7 are in ringfö miger arrangement around the arranged in the center gas inlet
  • VGN 265098 25059EN drg / gz 27 February 2004 organ 9 the substrates to be coated.
  • the process gas flowing out of the gas inlet member 9 flows through the circular disk-shaped process chamber 2 from the center to the periphery.
  • the periphery may have gas discharge means, not shown, in particular a gas discharge ring.
  • FIG. 3 schematically shows such a gas discharge ring 20.
  • a heater 19 for the process chamber bottom 7 The process chamber ceiling 6 can also be heated. Both the heater 19 and the Gasableitring 20 can form an assembly together with the process chamber bottom 7.
  • the opening 17 of the reactor cover 3, through which the gas inlet member projects, is sealed with a corrugated bellows 12 made of stainless steel, so that elastic deformation of the reactor cover 3 is possible without the position of the gas inlet member 9 or fixed to the gas inlet member 6 associated process chamber ceiling 6 with respect to the process chamber bottom 7 changes.
  • the reactor bottom 4 likewise has a substantially central opening 18.
  • a drive shaft 10 protrudes through this central opening 18 and is driven in rotation by drive elements (not shown) arranged outside the reactor housing 1.
  • a pivot bearing 11 Within the Reaktorgehauses 1 is a pivot bearing 11 to which the drive shaft 10 is fixedly connected to a supporting structure 8, which is rigidly connected via a connecting element 15 with the reactor side wall 5.
  • the connecting element 15 is located on the edge of the reactor bottom 4.
  • reactor cover 3 At the outer edge of the reactor cover 3 is a connecting element 14, with which the process chamber ceiling 6 is rigidly connected to the edge of the reactor cover 3.
  • VGN 265098 25059EN drg / gz 27 February 2004 are rigidly interconnected via the reactor side wall 5.
  • the process chamber can be opened by lifting the reactor cover 3.
  • the protruding into the reactor housing 1 section 10 'of the drive shaft 10 is fixedly connected to the process chamber floor 7, so that the drive shaft 10 can drive the process chamber bottom 7 rotationally.
  • the accessed by the drive shaft 10 opening 18 is sealed by a bellows 13.
  • the process chamber ceiling 6 is rigidly connected to the gas inlet member 9. However, the process chamber ceiling 6 is connected there to the process chamber bottom 7 via a process chamber side wall 16.
  • the process chamber side wall 16 may form a gas discharge ring.
  • the process chamber ceiling 6 is rigidly connected to the hollow-cylindrical reactor side wall 5 by means of a connecting element 14. It relies only on it, so that here, too, the process comb it is apparent by E-ntfemen the reactor cover 3. Also, the structure 8, which carries the drive shaft 10 via a pivot bearing 11, in this embodiment, with the reactor side wall 5 is connected.
  • the pivot bearing 11 of the drive shaft 10 is disposed outside of the reactor housing 1. It is arranged on a reactor housing 1 surrounding the outside supporting structure 8, on which also the gas inlet member 9 is seated. In this embodiment, gas inlet member 9 and drive shaft 10 are rigidly connected to the supporting structure 8.

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneter Prozesskammer (2), die, Prozesskammerwandungen umfas­send, einen Prozesskammerboden (7) und eine vom Prozesskammerboden (7) mit einem Abstand (h) angeordnete Prozesskammerdecke (6) aufweist, wobei das Reaktorgehäuse (1) zumindest eine sich bei einer Änderung des Drucks innerhalb des Reaktorgehäuses (1) geringfügig elastisch verformbare Reaktor­wandung (3, 4) besitzt, welche Reaktorwandung (3, 4) insbesondere mittig eine Öffnung (17,18) aufweist, durch die ein Funktionselement (9, 10) ragt, welches mit einem ersten Abschnitt (9', 10') fest mit einer Prozesskammerwandung (6, 7) verbunden ist und einen zweiten Abschnitt (9", 10") aufweist, der ausserhalb des Reaktorgehäuses (1) angeordnet ist. Zur Erhöhung der Reproduzierbarkeit der Ergebnisse ist vorgesehen, dass das Funktionselement (9, 10) elastisch aus­weichbar mit der Reaktorwandung (3, 4) verbunden ist.

Description

CVD-Reaktor mit Prozesskammer öhenstabilisierung
Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einer in einem Reaktorgehäuse angeordneten Prozesskammer, die, Prozesskaminer andungen umfassend, einen Prozesskammerboden und eine vom Prozess-5--unmerboden mit einem Abstand angeordnete Prozesskammerdecke aufweist, wobei das Reaktorgehäuse zumindest eine sich bei einer Änderung des Drucks innerhalb des Reaktorgehäuses geringfügig elastisch verformbare Reaktorwandung besitzt, welche Reaktorwandung insbesondere mittig eine Öffnung aufweist, durch die ein Funktionselement ragt, welches mit einem ersten Abschnitt fest mit einer Prozesskammerwandung verbunden ist und einen zweiten Abschnitt aufweist, der außerhalb des Reaktorgehäuses angeordnet ist.
Derartige CND-Reaktoren sind bekannt aus den DE 10043597 AI, DE 10043599 AI, DE 10043600 AI, DE 10043601 AI, DE 10057134 AI, DE 10064941 AI, DE 10064942 AI, DE 10064944 AI, DE 10124609 AI, DE 10133914 AI, DE 10136858 AI, DE 10153463 AI und DE 10211442 AI.
Die bekannten CND-Reaktoren besitzen ein Reaktorgehäuse, in welchem eine Prozesskammer angeordnet ist. Das Reaktorgehäuse besitzt eine obere und eine untere Wandung sowie eine, die Pro zesskammer umgebende, seitliche Wandung. Im Zentrum der oberen Wandung und ggf. im Zentrum der unteren Wandung befinden sich Öffnungen. Durch die Öffnung der oberen Wandung, die auch als Reaktordecke bezeichnet wird, ragt ein Gaseinlassorgan von außen in das Reaktorgehäuse. Durch dieses Gaseinlassorgan werden die Prozessgase in die Prozesskammer geleitet. Üblicherweise befindet sich das Gaseinlassorgan im Zentrum des Reaktors und ist gleichzeitig Träger einer die Prozesskammer nach oben hin begrenzenden Prozesskammerdecke. Der der Prozesskammerdecke gegenüberliegende Prozesskammerboden kann entweder mit NGΝ 265098 25059DE drg/ gz 27. Februar 2004 dem Boden des Reaktorgehäuses, mit der Reaktorgehäusewand oder mit einem eine Öffnung des Bodens durchragenden Drehantriebs verbunden sein. Die Prozesskammerhöhe ist der lichte Abstand zwischen der Prozesskammerdecke und dem Prozesskammerboden. Dieses Abstandsmaß ist für gewisse innerhalb der Prozesskammer stattfindende Prozesse kritisch. Es muss konstantbleiben.
Die in der Prozesskammer ablaufenden Prozesse finden bei unterschiedlichen Totaldrucken statt, welche im Allgemeinen niedriger sind, als der Atmosphärendruck. Die Totaldrucke innerhalb der Prozesskammer können somit in einem Bereich zwischen Null und 1.000 mbar variieren. Einhergehend damit ver- for en sich die als Druckbarriere dienenden Reaktordecke und Reaktorboden. Bei den bekannten CVD-Reaktoren ist zumindest die Prozesskammerdecke starr mit dem in der Mitte fest mit der Prozesskammerdecke verbundenen Gaseinlassorgan verbunden. Die Reaktordecke kann dabei vom Reaktor entfernt werden. Damit einhergehend sind auch die Prozesskammern zum Be- und Entladen geöffnet. Diese Koristruktion hat zur Folge, dass sich der Abstand zwischen Prozesskammerdecke und Prozesskammerboden je nach Totaldruck innerhalb der Prozesskammer ändern kann. Um diesem Effekt entgegenzuwirken hat man die Prozesskammerdecke bzw. den Prozesskammerboden entsprechend versteift.
Zur Erhöhung der Produktivität sind größere Prozesskaπαmern erforderlich. Dies fuhrt zu größeren Durchmessern der Prozesskammerwandungen und damit zu einer Erhöhung der Verformung einer Totaldruckänderung.
Der Erfindung Hegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen anzugeben, um die Prozesskammerhöhe konstant zu halten.
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Ebbruar 2004 Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.
Der Anspruch 1 sieht zunächst und im Wesentlichen vor, dass das Funktionselement elastisch ausweichbar mit der Reaktorwandung verbunden ist. Der Prozesskammerboden kann dann mit geeigneten Mitteln starr mit der Prozesskammerdecke verbunden werden. Diese starre Verbindung erfolgt unter Umgehung der beiden sich gegenüberliegenden Reaktorwandungen. Dies hat zur Folge, dass sowohl der Reaktorboden als auch die Reaktordecke weniger steif ausgestaltet werden können. Ihre Verformung wirkt sich nicht mehr auf das Abstandsmaß zwischen Prozesskammerboden und Prozesskammerdecke aus. Das Abstandsmaß wird vielmehr durch die Elemente definiert, die die Prozesskammerdecke mit dem Prozesskammerboden verbinden. Die elastisch ausweichbare Verbindung zwischen Funktionselement und Reaktorwandung erfolgt insbesondere dadurch, dass das --"unktionselement, also das Gaseinlassorgan oder eine den Reaktorboden durchragende Antriebswelle eine Öffnung der Reaktordecke bzw. des Reaktorbodens durchgreifen. Das Gaseinlassorgan ist dann fest mit der Prozesskammerdecke und die Antriebswelle fest mit dem -ftozesskammerboden verbunden. Der Prozesskammerboden kann gleichzeitig einen Substrathalter ausbilden. Die Antriebswelle kann an einem im Reaktorgehäuse angeordneten, starr mit einer Seitenwandung des Reaktorgehäuses oder mit dem Rand einer Wandung verbundenen Tragwerk drehgelagert sein. Es ist aber auch möglich, dass das Tragwerk, welches die Antiiebswelle drehlagert, außerhalb des Reaktorgehäuses angeordnet ist. Dieses kann dann dazu verwendet werden, die Antriebswelle starr mit dem Gaseinlassorgan zu verbinden. Die Prozesskammerdecke kann aber auch starr mit einer Seitenwandung oder mit dem Rand der Reaktordecke verbunden sein, da der Rand der Reaktordecke sich bei einer Druckänderung nur geringfügig verformt. Letzteres ist vorteilhaft wenn die Reaktordecke einen Deckel ausbildet, der zum Be- und Entladen geöffnet werden kann. Der Prozesskammerboden kann
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Februar 2004 ergänzende Aggregate aufweisen, wie ein Gasableitring, eine Prozesskammerheizung oder Substratträger. Letztere können drehbar auf dem Prozesskammerboden angeordnet sein. Die Öffnung, aufweiche das Funktionselement durch die Reaktorwandung ragt, wird vorzugsweise mittelst eines Balges abgedichtet. Dieser Balg ist ein elastisches Verbindungselement zwischen dem Funktionselement und der dem Funktionselement zugeordneten Wandung und besteht vorzugsweise aus Edelstahl. Ferner kann vorgesehen sein, dass eine den Prozesskammerboden, einen Gasableitring, eine Prozesskammerheizung sowie eine Antriebswelle aufweisende Baugruppe fest mit einem starren Reaktorgehäuse angeordneten Tragwerk verbunden ist, wobei die Reaktorwandung sich bei Deformation innerhalb des Reaktorgehäuses gegenüber dem Tragwerk bewegen/ verformen kann. In einer Variante der Erfindung ist vorgesehen, dass die Prozesskammerdecke und der Prozesskammerboden insbesondere überrandseitige Verbindungsmittel starr miteinander verbunden sind. Bei dieser Ausgestaltung kann die gesamte Prozesskammer somit am Gaseinlassorgan hängen. Die Verbindungselemente, die den Prozesskammerboden starr mit der Prozesskammerdecke verbinden, können sowohl innerhalb als auch außerhalb des Reaktors angeordnet sein. Diese Verbindungselemente können sogar von Elementen der Wandung des Reaktors gebildet sein, die sich in der Richtung, in der sie eine starre Verbindung ausüben, nicht verformen. So kann insbesondere die die Prozesskammer umgebende Seitenwandung diese Eunktion ausüben. Es reicht aus, wenn sich die Prozesskammerdecke dort lediglich abstützt.
Ausfuhrurigsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnung erläutert. Es zeigen:
Figur 1 ein erstes Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung im Halbschnitt,
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Februar 2004 Figur 2 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung im Halbschnitt,
Figur 3 ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung im Halbschnitt und
Figur 4 ein viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung im Halbschnitt.
Das in den Ausführungsbeispielen dargestellte Reaktorgehäuse besitzt jeweils eine im Wesentlichen kreisscheibenförmige Reaktordecke 3, der ein im Wesentlichen ebenfalls kreisförmiger Reaktorboden 4 gegenüberliegt. Die Querschnittsform des Reaktors kann aber auch von der Rundform abweichen. Die zwischen dem Reaktorboden 4 und der Reaktordecke 3 angeordnete Reaktorkammer wird seitlich von einer rohrf rmigen Reaktorseitenwandung 5 umgeben.
Die Reaktordecke 3 besitzt eine zentrale Öffnung 17, durch welche ein Gaseinlassorgan 9 in das Innere des Reaktorgehäuses 1 ragt. Das Gaseinlassorgan 9 be-sitzt einen außerhalb des Reaktorgehäuses 1 liegenden Abschnitt 9" und einen innerhalb des Reaktorgehäuses 1 angeordneten Abschnitt 9'. Durch das Gas-einlassorgan werden, wie insbesondere in den eingangs zitierten Druckschriften beschrieben, Prozessgase in die Prozesskammer 2 geleitet. Durch eine Gasableitung 21 werden die Prozessgase wieder abgeleitet.
Die Prozesskammer 2 wird nach oben hin durch eine Prozesskammerdecke 6 und nach unten hin durch einen parallel zur Prozesskammerdecke 6 verlaufenden Prozesskammerboden 7 begrenzt. Der Prozesskammerboden 7, der von der Prozesskamm erdecke 6 mit einem Abstand h beabstandet ist, bildet den Substrathalter bzw . Suszeptor aus. Auf den Prozesskammerboden 7 befinden sich in ringfö miger Anordnung um das im Zentrum angeordnete Gaseinlass-
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Februar 2004 organ 9 die zu beschichtenden Substrate. Das aus dem Gaseinlassorgan 9 ausströmende Prozessgas durchströmt die kreisscheibenförmige Prozesskammer 2 vom Zentrum zur Peripherie. Die Peripherie kann nicht dargestellte Gasableitmittel, insbesondere einen Gasableitring aufweisen. Die Figur 3 zeigt schematisch einen derartigen Gasableitring 20.
Ebenfalls nur schematisch ist eine Heizung 19 für den Prozesskammerboden 7 dargestellt Die Prozesskammerdecke 6 kann auch beheizt werden. Sowohl die Heizung 19 als auch der Gasableitring 20 können zusammen mit dem Prozesskammerboden 7 eine Baugruppe ausbilden.
Die Öffnung 17 der Reaktordecke 3, durch welche das Gaseinlassorgan ragt, ist mit einem Wellbalg 12 aus Edelstahl verschlossen, so dass eine elastische Verformung der Reaktordecke 3 möglich ist, ohne dass sich die Position des Gas- einlassorganes 9 bzw. der fest mit dem Gaseinlassorgan 6 verbundenen Prozesskammerdecke 6 in Bezug auf den Prozesskammerboden 7 ändert.
Bei dem in Figur 1 dargestellten Ausf^hrungsbeispiel besitzt der Reaktorboden 4 ebenfalls eine im Wesentlichen zentrale Öffnung 18. Durch diese zentrale Öffnung 18 ragt eine Antriebswelle 10, die von nicht dargestellten, außerhalb des Reaktorgehäuses 1 angeordneten Antriebsorganen drehangetrieben wird. Innerhalb des Reaktorgehauses 1 befindet sich ein Drehlager 11, an welchem die Antriebswelle 10 fest mit einem Tragwerk 8 verbunden ist, das starr über ein Verbindungselement 15 mit der Reaktorseitenwand 5 verbunden ist. Das Verbindungselement 15 befindet sich am Rande des Reaktorbodens 4.
Am äußeren Rand der Reaktordecke 3 befindet sich ein Verbindungselement 14, mit welchem die Prozesskammerdecke 6 starr mit dem Rand der Reaktordecke 3 verbunden ist. Die Ränder von Reaktordecke 3 bzw. Reaktorboden 4
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Februar 2004 sind starr über die Reaktorseitenwand 5 miteinander verbunden. Zufolge dieses mechanischen Auf baus ist das Drehlager 11 starr mit dem Gaseinlassorgan verbunden. Die Prozesskammer lässt sich durch Abheben der Reaktordecke 3 öffnen.
Der in das Reaktorgehäuse 1 einragende Abschnitt 10' der Antriebswelle 10 ist fest mit dem Pro zesskammerboden 7 verbunden, so dass die Antriebswelle 10 den Prozesskammerboden 7 drehantreiben kann.
Die mit der Bezugsziffer 19 bezeichnete, lediglich schematisch dargestellte Heizung kann starr mit dem Tragwerk 8 direkt verbunden sein.
Die von der Antriebswelle 10 durchgriffene Öffnung 18 ist von einem Wellbalg 13 abgedichtet.
Bei dem in Figur 2 dargestellten CVD-Reaktor ist die Prozesskammerdecke 6 starr mit dem Gaseinlassorgan 9 verbunden. Die Prozesskammerdecke 6 ist dort aber ui-mittelbar über eine Prozesskammerseitenwand 16 mit dem Pro- zesskammerboden 7 verbunden. Die Prozesskammerseitenwand 16 kann einen Gasableitring ausbilden.
Bei dem in Figur 3 dargestellten Ausfü-hrungsbeispiel ist die Prozesskammerdecke 6 starr mittelst eines Verbindungselementes 14 mit der hohlzylinderfor- migen Reaktorseitenwand 5 verbunden. Sie stützt sich dort lediglich ab, so dass auch hier die Prozesskamm er durch E-ntfemen der Reaktordecke 3 offenbar ist. Auch das Tragwerk 8, welches über ein Drehlager 11 die Antriebswelle 10 trägt, ist bei diesem Ausführungsbeispiel mit der Reaktorseitenwand 5 verbunden.
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Februar 2004 Bei dem in Figur 4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Drehlager 11 der Antriebswelle 10 außerhalb des Reaktorgehäuses 1 angeordnet. Es ist an einem das Reaktorgehäuse 1 außen umgreifenden Tragwerk 8 angeordnet, an welchem auch das Gaseinlassorgan 9 sitzt. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind Gaseinlassorgan 9 und Antriebswelle 10 starr mit dem Tragwerk 8 verbunden.
Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesent-ich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. In den Offenbarungsgehalt dieser Anmeldung werden auch die in dieser Anmeldung zitierten Druckschriften ausdrücklich mit eingeschlossen.
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Februar 2004

Claims

ANSPRUCHE
1. CVD-Reaktor mit einer in einem Reaktorgehäuse ( 1) angeordneter Pro zess- kammer (2), die, Prozesskammerwandungen umfassend, einen Prozesskammerboden (7) und eine vom Prozesskammerboden (7) mit einem Abstand (h) angeordnete Prozesskammerdecke (6) aufweist, wobei das Reaktorgehäuse (1) zumindest eine sich bei einer Änderung des Drucks innerhalb des Reaktorgehäuses (1) geringfügig elastisch verformbare Reaktorwandung (3, 4) besitzt, welche Reaktorwandung (3, 4) insbesondere mittig eine Öffnung (17, 18) aufweist, durch die ein Eunktionselement (9, 10) ragt, welches mit einem ersten Abschnitt (9', 10') fest mit einer Prozesskammerwandung (6, 7) verbunden ist und einen zweiten Abschnitt (9", 10") aufweist, der außerhalb des Reaktorgehäuses (1) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement (9, 10) elastisch ausweichbar mit der Reaktorwandung (3, 4) verbunden ist.
2. CVD-Reaktor nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Prozesskammerboden (7) insbesondere an seinem Rande starr mit der Prozesskammerdecke (6) verbunden ist.
3. CVD-Reaktor nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement ein, eine Öffnung (17) der insbesondere kreisförmigen Reaktordecke (3) durchragendes, mit der I^ozessl--ammerdecke (3) fest verbundenes Gaseinlassorgan (9) ist.
4. CVD-Reaktor nach einem o der mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement eine, eine Öffnung (18) des insbesondere kreisförmigen Reaktorbo-
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Eebruar 2004 dens (4) durchragende Antriebswelle (10) für den einen Substrathalter ausbildenden Prozesskammerboden (7) ist.
5. CVD-Reaktor nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Antriebswelle (10) an einem im Reaktorgehäuse angeordneten, starr mit einer Seitenwandung (5) des Reaktorgehäuses oder mit dem Rand einer Wandung (4) verbundenen Tragwerk (8) drehgelagert ist.
6. CVD-Reaktor nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozesskammerdecke (6) starr mit einer Seitenwandung (5) oder dem Rande einer Reak- tordecke (3) verbunden ist.
7. CVD-Reaktor nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch starr mit dem Prozesskammerboden (7) verbundene weitere Aggregate, wie ein Gasableitring, eine Prozesskammerheizung oder zusätzliche Substratträger.
8. CVD-Reaktor nach einem o der mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Eunktionse- lement (9, 10) mittels eines Wellbalges (12, 13) mit der zugeordneten Wandung (3, 4) verbunden ist.
9. CVD-Reaktor nach einem o der mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass eine den Prozesskammerboden (7), einen Gasableitring, eine Prozesskammerbodenheizung sowie eine Antriebswelle (10) aufweisende Baugruppe fest mit einem starr im Reaktorgehäuse (1) angeordneten Tragwerk (8) verbunden ist, wo-
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Ebbruar 2004 bei die Reaktorwandung (3, 4) sich bei Druckvariation innerhalb des Reaktorgehäuses (1) gegenüber dem Tragwerk (8) bewegen/ verformen kann.
10. CVD-Reaktor nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozesskammerdecke (6) und der Prozesskammerboden (7) mittels einer, insbesondere als Gasableitring ausgebildeten Prozesskammerseitenwand (19) starr miteinander verbunden sind.
11. CVD-Reaktor nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Gaseinlassorgan (9) und die Antriebswelle (10) mittels eines außerhalb des Reaktorgehäuses (1) angeordneten Tragwerkes (8) starr miteinander verbunden sind.
VGN 265098 25059DE drg/ gz 27. Februar 2004
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11501957B2 (en) 2020-09-03 2022-11-15 Applied Materials, Inc. Pedestal support design for precise chamber matching and process control

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006011107B3 (de) 2006-03-08 2007-07-05 Benteler Automobiltechnik Gmbh Querlenker
US8039052B2 (en) * 2007-09-06 2011-10-18 Intermolecular, Inc. Multi-region processing system and heads
FI122940B (fi) * 2009-02-09 2012-09-14 Beneq Oy Reaktiokammio
DE102011056589A1 (de) * 2011-07-12 2013-01-17 Aixtron Se Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors
US9388494B2 (en) * 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
WO2014098905A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Clearedge Power Corporation Deposition cloud tower with adjustable field
DE102014106871A1 (de) 2014-05-15 2015-11-19 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf einem Substrat und einer höhenverstellbaren Prozesskammer
WO2018234611A1 (en) 2017-06-21 2018-12-27 Picosun Oy APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5232508A (en) * 1991-10-07 1993-08-03 Commissariat A L'energie Atomique Gaseous phase chemical treatment reactor
US5356476A (en) * 1992-06-15 1994-10-18 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing method and apparatus with heat and gas flow control
EP0909836A2 (de) * 1997-07-22 1999-04-21 Ebara Corporation Vorrichtung zum Herstellen von dünnen Schichten
US6289842B1 (en) * 1998-06-22 2001-09-18 Structured Materials Industries Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition system
DE10153463A1 (de) * 2001-10-30 2003-05-15 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten
DE10217806A1 (de) * 2002-04-22 2003-10-30 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf einem Substrat in einer höherverstellbaren Prozesskammer
US20040003779A1 (en) * 2000-09-01 2004-01-08 Holger Jurgensen Device for depositing in particular crystalline layers on one or more, in particular likewise crystalline substrates

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4152802B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-17 日本エー・エス・エム株式会社 薄膜形成装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5232508A (en) * 1991-10-07 1993-08-03 Commissariat A L'energie Atomique Gaseous phase chemical treatment reactor
US5356476A (en) * 1992-06-15 1994-10-18 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing method and apparatus with heat and gas flow control
EP0909836A2 (de) * 1997-07-22 1999-04-21 Ebara Corporation Vorrichtung zum Herstellen von dünnen Schichten
US6289842B1 (en) * 1998-06-22 2001-09-18 Structured Materials Industries Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition system
US20040003779A1 (en) * 2000-09-01 2004-01-08 Holger Jurgensen Device for depositing in particular crystalline layers on one or more, in particular likewise crystalline substrates
DE10153463A1 (de) * 2001-10-30 2003-05-15 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten
DE10217806A1 (de) * 2002-04-22 2003-10-30 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf einem Substrat in einer höherverstellbaren Prozesskammer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11501957B2 (en) 2020-09-03 2022-11-15 Applied Materials, Inc. Pedestal support design for precise chamber matching and process control

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