WO2004109722A1

WO2004109722A1 - インバータトランス

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Publication number: WO2004109722A1
Application number: PCT/JP2004/007714
Authority: WO
Inventors: Hiroshi Shinmen; Masashi Norizuki
Original assignee: Minebea Co Ltd
Current assignee: Minebea Co Ltd
Priority date: 2003-06-09
Filing date: 2004-06-03
Publication date: 2004-12-16
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Abstract

　２本の棒状の磁心３ａ、３ｂに一次巻線１ａ、１ｂ及び二次巻線２ａ、２ｂがそれぞれ卷回されおり、それぞれ巻かれた前記一次巻線１ａ、１ｂ及び二次巻線２ａ、２ｂが所定の漏洩インダクタンスを持つように前記棒状の磁心３ａ、３ｂの少なくとも両端を含む周囲の全部又は一部が磁性体樹脂６で覆われている。磁性体樹脂６の比透磁率は、棒状の磁心３ａ、３ｂの比透磁率に比べて十分に小さい。棒状の磁心３ａ、３ｂで発生した磁束は、一部が棒状の磁心３ａ、３ｂ及び磁性体樹脂６の外に漏洩し、漏洩インダクタンスを有するように作用し、これがバラストインダクタとして作用する。また、磁性体樹脂６の中を通り磁性体樹脂６の外側へ漏れる磁束が低減され周辺への影響を低減する。

Description

技術分野

[0001] 本発明は、液晶ディスプレイの画面照明用光源などに用レ、られる冷陰極蛍光管などの放電灯を点灯するインバータ回路に用いられるインバータトランスに関するものである。

背景技術

明

[0002] 近年、パーソナルコンピュータ等のディスプレイ装置として液晶ディスプレイ（以下、田

LCDという。）が広く使用されるようになってきた。この LCDは発光機能を持たないので、バックライト方式やフロントライト方式の画面照明用の光源を必要としており、このような光源には冷陰極蛍光管（以下、 CCFLという。）を使用しているのが一般的である。この種の CCFLの放電、点灯には、例えば長さ約 500mmの CCFLの場合、放電開始時に 60kHz、 1600V程度の高周波電圧を発生させるインバータ回路が用いられている。このインバータ回路は、 CCFLの放電後には CCFLに印加される電圧を、放電維持のために必要な 1200V程度の電圧まで下げるように制御している。ィンバータ回路には、閉磁路構造のインバータトランスとバラストコンデンサーを用いるものがあるが、このインバータ回路は、前記インバータトランス以外にバラストコンデンサ一が必要なために、小型化と低価格化を阻害し、 CCFLの放電後でも放電開始時の電圧を維持しなければならず安全性においても良くなレ、。近年はバラストコンデンサ一の代わりにバラストインダクタンスの役割を果たす漏洩インダクタンスを有する、所謂、開磁路構造のインバータトランスが用いられている。

[0003] このようなインバータ回路に用いられる、漏洩インダクタンスを有する開磁路構造のインバータトランスとしては、従来から、棒状 (I形状）の磁心を用いたインバータトランスがある。また、棒状磁心と枠形（口の字状）の磁心を組み合わせたインバータトランスもある（例えば特許文献 1参照。）。

[0004] 前記漏洩インダクタンスを有するインバータトランスの等価回路は、図 16に示すようなものである。図 16において、符号 100は、損失がない l : nの理想的トランス、符号し 1、 L2は漏洩インダクタンス、 Lsは相互インダクタンス、符号 2は CCFLである。このような図 16に示した等価回路を有するインバータトランスでは、漏洩インダクタンス Ll、 L2がバラストインダクタンスの役割を果たし、閉磁路構造の前記インバータトランス以外にバラストコンデンサーを用いなくとも CCFL2を正常に点灯することができる。

[0005] 開磁路構造のインバータトランスの従来例として、図 17に示すような棒状 (I形状）の磁心を用いたインバータトランスがある。図 17に示すインバータトランス 1では、筒状のボビン 4に軸方向に延びて形成される空孔部 5に、点線で示すように棒状磁心 3が揷入されている。ボビン 4には、一次卷線 6、二次卷線 7が卷回されており、一次卷線 6の端子ピン 8を搭載した端子台 9、二次卷線 7の端子ピン 10を搭載した端子台 11 が設けられている。また、二次側に誘起される電圧は高圧なので、二次卷線 7はボビン 4の仕切板 12により分割して卷回され、沿面放電を阻止している。このような、棒状磁心を用いたインバータトランスは、四角形などの閉じた形状に形成した磁心に卷線を卷回して構成される構造のインバータトランス（図示せず）に比べて構造が簡単である。しかし、棒状磁心からは周囲の空間に磁束が漏洩しており、特にその両端からの漏洩磁束は大きい。

[0006] 別の構造として、棒状磁心の周囲を囲むように口の字状の磁心を配置したインバータトランスが従来からある。図 18に示すインバータトランス 1Aはその一例であり、口の字状の磁心 13と棒状磁心 3を組み合わせて磁心を構成したものである。筒状のボビン 14の空孔部（符号省略）に棒状磁心 3を挿入し、ボビン 14に一次卷線 6と二次卷線 7を卷回し、棒状磁心 3を口の字状の磁心 13の嵌合溝 15に嵌合した構造となっている。そして、嵌合溝 15の部分には非磁性体のギャップシートが挿入されていて、口の字状の磁心 13と棒状磁心 3の間に空隙を設けた構造として、所定の漏洩インダクタンスをもつようにしている。この場合、周囲に漏洩する磁束は口の字状の磁心 13を通るので、漏洩磁束は図 17に示す棒状の磁心（I形状）に比べると小さくなる。

特許文献 1 :特開 2002 - 353044号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0007] インバータトランスとして、このような漏洩インダクタンスを持つものを用いる場合、漏洩磁束があるために周辺に配置された部品や配線に影響を与えたりノイズを放射したりする可能性がある。そのために、周辺に配置される部品や配線を漏洩磁束が少ない方向に配置しなければならないなど、部品配置上の制限をうける。その結果、製品が大きくなつたり、特性が劣化したりする場合がある。また、インバータトランスの周囲の漏洩磁束が通る位置に磁性体が置かれていると、前記漏洩磁束がその磁性体を通過したりして磁路に影響を受け、漏洩インダクタンスが変化したり、あるいは変動して不安定になったりしてインバータトランスの特性に変動を生じ、インバータの動作が変化する場合がある。

[0008] このように、枠形や口の字状の磁心を用いずに棒状磁心のみで構成した場合にはインバータトランスの構造は簡単となるが、漏洩磁束の分布範囲が広がることになる。また、漏洩インダクタンスの大きさの調整が困難である。一方、口の字状の磁心を用いると、棒状磁心のみで構成した場合に比べて漏洩磁束の分布範囲は狭くなるが、口の字状の磁心の成形やカ卩ェなどの工程が必要となる。またトランス製造時の組立工程においても、漏洩インダクタンスの調整のために、棒状磁心と口の字状の磁心との間にギャップシートを挿入するなどの工程が必要となるために複雑で手間がかかる

[0009] 上述したように従来のインバータトランスでは、棒状磁心を用いたものは周囲に大きな漏洩磁束が発生する。従来、このような漏洩磁束を発生する製品が他の部品に影響しないように、また他の部品力影響を受けないようにするために、当該漏洩磁束を発生する製品を磁気シールドする方法が一般的に知られている。しかし、当該漏洩磁束を発生する製品を磁気シールドすると、製品そのものが大きくなると共に、磁気シールドをするための容器が必要になり、コスト高にもなる。また、前記容器内に漏洩磁束を発生する製品を固定したり、該容器からリード線などを取り出したりすることも必要になり、製造工程が複雑になり低価格化を阻害する。更に、漏洩磁束を発生する製品と磁気シールドをするための容器との取り付けが不完全な場合も生じ、製品の信頼性が低下する場合がある。また、口の字状の磁心を付加した場合には付加しない場合に比べて漏洩磁束は減少するものの、トランスの構造や製造工程が複雑になりコストが上昇するという問題点があった。 [0010] 本発明は、開磁路構造でありながら、力かる問題を解決して全体構成や製造工程も従来の口の字状の磁心による開磁路構造のものに比べて簡略化でき、またコストの上昇も抑えることのできるインバータトランスを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0011] 請求項 1記載の発明は、直流を交流に変換するインバータ回路に備えられて、一次側に入力された交流電圧を変圧して二次側に出力するインバータトランスにおいて、一次卷線と二次卷線とが卷回された棒状磁心を備えており、前記一次卷線及び二次卷線が所定の漏洩インダクタンスを持つように、前記一次、二次卷線及び前記棒状磁心からなる卷線組付体の少なくとも一部が磁性体及び該磁性体を含有する樹脂からなる磁性体樹脂で被覆されていることを特徴とする。

[0012] 請求項 2記載の発明は、請求項 1に記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体樹脂の被覆は、前記卷線組付体の全体に行われてレ、ることを特徴とする。

請求項 3記載の発明は、請求項 1に記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体樹脂の被覆は、前記卷線組付体の両端部及び/又は前記卷線組付体の前記一次、二次卷線の隣接部分に行われていることを特徴とする。

[0013] 請求項 4記載の発明は、請求項 1から 3の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記卷線組付体及び前記磁性体樹脂からなるトランス本体の外周部の少なくとも一部に、前記磁性体樹脂に比して飽和磁束密度が大きい外面部材を配置したことを特徴とする。

請求項 5記載の発明は、請求項 4に記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は、前記磁性体樹脂に比して磁気抵抗が小さい値とされることを特徴とする。

[0014] 請求項 6記載の発明は、請求項 4又は 5に記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は、前記トランス本体の外周部に沿う断面略コ字形又は断面略円弧状をなし、前記トランス本体の外周部を覆うことを特徴とする。

請求項 7記載の発明は、請求項 4又は 5に記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は複数部材からなり、組合せられて前記トランス本体を覆うように箱状をなすことを特徴とする。

[0015] 請求項 8記載の発明は、請求項 4から 7の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は、焼結体で構成されていることを特徴とする。

請求項 9記載の発明は、請求項 1から 8の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体樹脂は、比透磁率が前記棒状磁心の比透磁率より小さいことを特徴とする。

請求項 10記載の発明は、請求項 1から 9の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体は、 Mn— Znフェライト、 Ni— Znフェライト、又は鉄粉であることを特徴とする。

発明の効果

[0016] 請求項 1から 3に記載の発明によれば、直流を交流に変換するインバータ回路に備えられて、一次側に入力された交流電圧を変圧して二次側に出力するインバータトランスにおいて、一次卷線と二次卷線とが卷回された棒状磁心を備えており、前記一次卷線及び二次卷線が所定の漏洩インダクタンスを持つように、前記一次、二次卷線及び前記棒状磁心からなる卷線組付体の少なくとも一部が磁性体を含有する樹脂及び前記磁性体からなる磁性体樹脂で被覆されていることにより、卷線組付体を磁性体樹脂で被覆しない場合に比べてインバータトランスの周囲に広がる漏洩磁束が小さくなり、インバータトランスの周辺に配置された部品や配線に与える影響を小さくできる。また周囲に金属などがあってもインバータトランスの特性が影響を受けにくくなるため、インバータトランスの漏洩インダクタンスを安定に保つことが可能となる。

[0017] 請求項 2に記載の発明によれば、前記磁性体樹脂の被覆は、前記卷線組付体の全体に行われていることにより、磁気シールドするための容器が不必要になり、コスト増にならない。また、前記容器内に漏洩磁束を発生するインバータトランスを固定したり、該容器からリード線などを取り出したりすることも不必要になり、製造工程が簡単になると共に、磁性体樹脂によりインバータトランス全体が樹脂成形される。その結果、機械的な強度が増し製品の信頼性を高めることができる。

更に、磁性体樹脂の比透磁率などの磁気特性や磁性体樹脂で覆う厚さや範囲を調整することにより回路の動作の最適条件に合わせて卷線の卷数ゃ漏洩インダクタンスなどを調整することができる。その結果、インバータトランスの一次卷線ゃ二次卷線の卷数及び棒状磁心の形状、特性を変えず、漏洩インダクタンスの大きさを調整することで各種のインバータトランスに適用できる効果がある。

[0018] 請求項 4から 10に記載の発明によれば、卷線組付体及び前記からなるトランス本体の外周部の少なくとも一部に、前記磁性体樹脂に比して飽和磁束密度が大きい外面部材を配置したので、棒状磁心から漏洩して磁性体樹脂の中を通って外側へ漏れた磁束の大部分は外面部材を通ることになる。

このため、トランス本体を外面部材で被覆しない場合に比べて、インバータトランスの外部に漏れる磁束をより効率よく低減することができるので、磁性体樹脂のみで外側へ漏れる磁束の低減を行う場合に比して、全体の断面積を小さくすることができ、ひいてはインバータトランスの小型化を図ることができる。

図面の簡単な説明

[0019] [図 1]本発明の第 1の実施形態を示す上面図（a)と正面図（b)及び第 2の実施形態を示す正面図（c)と部分断面図（d)である。

[図 2]本発明の第 1の実施形態を示し、（a)はその斜視図、（b)に示す棒状磁心及びその周囲の部材を示す断面図である。

[図 3]本発明の磁界の大きさの測定位置を模式的に説明する図である。

[図 4]本発明の実施例の特性結果を示す図である。

[図 5]本発明の第 3の実施形態を示す上面図（a)と正面図（b)及び第 4の実施形態を示す正面図（c)である。

[図 6]本発明の第 5の実施形態を示す上面図（a)、この上面図（a)中のの X— Y線に沿う断面図（b)、正面図（c)及び第 5の実施形態に用いる外面部材 56を示す断面図 (d)である。

[図 7]本発明の第 6の実施形態を示す上面図（a)、この第 6の実施形態に用いる外面部材 56を示す断面図（b)、第 6の実施形態を示す正面図（c)である。

[図 8]本発明の第 7の実施形態を示す上面図（a)、この第 7の実施形態に用いる外面部材 56を示す断面図（b)、第 7の実施形態におけるトランス本体 55を他のタイプのトランス本体 55に代えた例を示す正面図（c)である。

[図 9]本発明の第 8の実施形態を示す上面図（a)、上面図（a)中の X— Y線に沿う断面図（b)、この第 8の実施形態に用いる外面部材 56を示す斜視図（c)、第 9の実施形態に用いる外面部材 56を示す斜視図（d)である。

[図 10]本発明の第 10の実施形態を示す上面図（a)、正面図（b)である。

[図 11]本発明の第 11の実施形態を示す上面図（a)、正面図（b)、第 11の実施形態におけるトランス本体 55Bをトランス本体 55Aに代えた例を示す正面図（c)である。

[図 12]本発明においての第 12の実施形態を示す上面図（a)、正面図（b)、第 13の実施形態を示す正面図（c)である。

[図 13]本発明の第 14の実施形態を示す一部断面の上面図（a)、第 14の実施形態に用いる外面部材を示す斜視図 (b)、第 14の実施形態を示す断面図（c)、第 15の実施形態を示す断面図（d)である。

[図 14]本発明の第 16の実施形態を示す上面図（a)、正面図（b)、第 17の実施形態を示す正面図（c)、外面部材及び板状部材を示す斜視図（d)である。

[図 15]本発明の第 18の実施形態を示す上面図（a)、断面図 (b)、第 19の実施形態を示す断面図（c)である。

[図 16]漏洩インダクタンスを有するインバータトランスの等価回路である。

[図 17]棒状磁心を用いたインバータトランスの従来例である。

[図 18]棒状磁心を用いたインバータトランスの他の従来例である。

符号の説明

[0020] la、 lb 一次卷線

2a、 2b 二次卷線

3a、 3b 磁心

4a 仕切板

5a、 5b ボビン

6 磁性体樹脂

7、 8 卷線用端子台

7a— 7f 端子ピン

56、 56A— 56H 外面部材

発明を実施するための最良の形態

[0021] 以下、本発明の第 1の実施形態について図 1 (a)、（b)及び図 2に基づいて説明する。なお、各図面で同一の部分には同一の符号を付している。この第 1の実施形態は、 1個のインバータトランスで 2本の冷陰極蛍光管を同時に点灯させるように構成したものである。図 l (a)、（b)及び図 2 (a)、（b)に示すように、このインバータトランス 4 0は、 2本の棒状磁心 3a、 3bと、 2つの一次卷線 la、 lb、及び 2つの二次卷線 2a、 2 bと、 2本の矩形筒状ボビン 5a、 5bと、それらを覆う磁性体及び該磁性体を含有する樹脂からなる磁性体樹脂 6と、絶縁材からなる卷線用端子台 7、 8とから大略構成される開磁路構造のものであり、矩形筒状ボビン 5aに卷回された一次、二次卷線 la, 2a と磁性体樹脂 6との間、及び矩形筒状ボビン 5bに卷回された一次、二次卷線 lb, 2b と磁性体樹脂 6との間には絶縁樹脂 50が介在されている。なお、これ以外に 1以上の冷陰極蛍光管を点灯する場合であってもよぐその場合には前記棒状磁心の数を冷陰極蛍光管の数にあわせて変更するようにしてもよぐ例えば、 3本の冷陰極蛍光管を点灯する場合前記棒状磁心の数を 3としてもよぐあるいは、 1本の棒状磁心で複数本の冷陰極蛍光管を点灯するようにしてもょレ、。

図 1 (a)、（b)及び図 2に示されているように、 2つの棒状磁心 3a、 3bは、 2本の矩形筒状ボビン 5a、 5bの内側を軸方向に貫通する穴の中にそれぞれ挿入されている。なお、 2つのボビン 5a、 5bは、それぞれが嵌め合わされて一体化されている。棒状磁心 3a、 3bは強磁性体の軟磁性材料である Mn— Znフェライトなどからなり、比透磁率は例えば 2000である。図 l (a)、（b)及び図 2において、各一次卷線 la、 lb及び各二次卷線 2a、 2bは、 2つの筒状のボビン 5a、 5bの外周に卷回されており、一次卷線と二次卷線を卷くためにそれぞれのボビンに設けられている 2つの卷線部に一対の一次卷線と二次卷線が卷回されている。すなわち、 2つのボビンのうち、一方のボビン 5 aには一方の冷陰極蛍光管を点灯させるための一次卷線 laと二次卷線 2aが卷回されており、もう一方のボビン 5bには他方の冷陰極蛍光管を点灯させるための他の一次卷線 lbと二次卷線 2bが卷回されている。前記両一次卷線 la、 lbの卷線部と二次卷線 2a、 2bの卷線部の間には、ボビン 5a， 5bにそれぞれ装着された区切りのための仕切板 4aが、それぞれ設けられている。即ち、両一次卷線 la、 lbは、卷線用端子台 7と仕切板 4aとの間に、両二次卷線 2a、 2bは、卷線用端子台 8と仕切板 4aとの間に、それぞれ卷回されている。 [0023] ここで、上記二次卷線 2a、 2bは、ボビン 5a、 5bの軸方向に沿って卷回される力二次卷線 2a、 2bが高電圧を発生するために、ボビン 5a、 5bはその軸方向で卷線用端子台 8と仕切板 4aとの間が複数セクションに分割され、各セクション間には絶縁性の仕切板 4bが設けられ、沿面放電の阻止に必要な沿面距離が保持されている。卷線用ボビン 5a、 5bを介在させた相互に最も離れた位置には、絶縁材からなる卷線用端子台 7、 8が取り付けられており、卷線用端子台 7には端子ピン 7a— 7fが支持固定され、卷線用端子台 8には端子ピン 8a— 8dが支持固定されている。一次卷線 la、 lb の始端と終端は端子ピン 7a— 7dに接続される。また、二次卷線 2aの始端と終端は各々端子ピン 7eと 8a又は 8bに接続され、二次卷線 2bの始端と終端は端子ピン 7fと 8c又は 8dに接続される。

[0024] 前記棒状磁心 3a、ボビン 5a、一次卷線 la、二次卷線 2a及びその周囲の絶縁樹脂 50から第 1卷線組付体 51aが構成され、棒状磁心 3b、ボビン 5b、一次卷線 lb、二次卷線 2b及びその周囲の絶縁樹脂 50から第 2卷線組付体 51bが構成され、第 1卷線組付体 5 la及び第 2卷線組付体 5 lbから卷線組付体 51が構成されている。

[0025] そして、卷線組付体 51は、その全周の低部（図 1 (a)紙面裏側、図 1 (b)下側）を除レ、た部分が包み込まれるようにして磁性体樹脂 6で被覆されている。この場合、磁性体樹脂 6は、少なくとも前記棒状磁心 3a、 3bの一方の端力他方の端までを含めて覆レ、、さらに卷線用端子台 7、 8の一部を覆っている。

なお、卷線組付体 51に対する磁性体樹脂 6の被覆は、後述する第 2の実施形態のように、その全周（図 1 (c) )を包み込むように行なってもよいし、卷線組付体 51の全周の上面部に対して行なってもよいし、側部又は下面部に対して行なってもよい。

[0026] 磁性体樹脂 6は、 Mn— Znフヱライトを焼結した後に粉砕した粉末からなる磁性体と、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂とを混練機で混ぜ合わせて作られるものであり、混合した Mn_Znフェライト粉末の量は体積比で 80%である。前記磁心 3a、ボビン 5a、一次卷線 la及び二次卷線 2aの構成体、並びに前記磁心 3b、ボビン 5b、一次卷線 1 b及び二次卷線 2bの構成体にそれぞれ前記絶縁樹脂 50を施して、第 1卷線組付体 5 la及び第 2卷線組付体 5 lb (すなわち、卷線組付体 51)を形成し、この後に、成形あるいは塗布などにより後述するようにして前記磁性体樹脂 6で覆レ、、例えば 150°C 前後で加熱して硬化させる。

[0027] なお、磁性体樹脂 6に含有される磁性体は Mn— Znフェライトに限られず、 Ni— Znフエライトの粉末や、鉄粉などの磁性体であってもよぐまた樹脂材料はナイロン、その他の樹脂を用いても同様の効果を得ることができる。また、磁性体樹脂 6の比透磁率は、棒状磁心 3a、 3bから出る漏洩磁束に対するシールド効果を保ちながら開磁路構造という条件を満たすような値が選ばれる。磁性体樹脂 6の比透磁率は、使用する磁性体の特性、あるいは磁性体と樹脂の混合比率を変えるなどの方法によって調整すること力 Sでき、例えば Mn— Znフェライトや、 Ni— Znフェライトの場合には数十、鉄粉などの磁性体では数百である。

[0028] 第 1の実施形態のインバータトランス 40は、図 1の上面図（a)と正面図（b)及び図 2 の斜視図（a)と断面図（b)で示すように、磁心 3a、 3b、ボビン 5a、 5b、一次卷線 la、 lb、及び二次卷線 2a、 2bを含んで構成される卷線組付体 51 (第 1卷線組付体 51a 及び第 2卷線組付体 51b)の周囲の上面と側面のみが、前記磁性体樹脂 6により被覆されている。

[0029] また、図 1の正面図（c)に第 2の実施形態を示すが、この第 2の実施形態のインバ一タトランス 40は、磁心 3a、 3b、ボビン 5a、 5b、一次卷線 la、 lb、二次卷線 2a、 2b 及び絶縁樹脂 50を含んで構成される卷線組付体 51 (第 1卷線組付体 51a及び第 2 卷線組付体 51b)の周囲の上面と側面及び下面、即ち前記卷線組付体 51の全周が前記磁性体樹脂 6により被覆されている。

[0030] 第 1、第 2の実施形態の両インバータトランス 40, 40において、軸方向は、少なくとも磁心 3a、 3bの一方の端力他方の端および卷線用端子台 7、 8の一部が前記磁性体樹脂 6により被覆されている。なお、前記第 1、第 2の実施形態において、棒状磁心 3a、 3b (前記卷線組付体 51)は、 1つの磁性体樹脂 6で覆われている力本発明はこれに限らず、 2つの磁性体樹脂 6で棒状磁心 3a (第 1卷線組付体 51 a)と棒状磁心 3b (第 2卷線組付体 51b)とをそれぞれ別に覆ってもよい。

[0031] 前記第 1、第 2の実施形態のインバータトランス 40, 40の作用について以下に説明する。

磁性体樹脂 6の比透磁率が棒状磁心 3a、 3bの比透磁率に比べて十分に小さレ、ので、棒状磁心 3a、 3bで発生した磁束は、その磁気抵抗の差により磁性体樹脂 6を全て通らず一部が棒状磁心 3a、 3b及び磁性体樹脂 6の外に漏洩し、漏洩インダクタンスを有するように作用する。

[0032] 即ち、棒状磁心 3a、 3bと磁性体樹脂 6で構成される磁路は閉磁路を形成しておらず、このインバータトランス 40は実質的に漏洩インダクタンスを有する開磁路構造になっている。そのため、棒状磁心 3a、 3bの全体を通って一次卷線 la、 lbと二次卷線 2a、 2bの両方に鎖交する磁束だけでなぐ一次卷線 la、 lbのみ、又は二次卷線 2a 、 2bのみに鎖交して一次卷線 la、 lbと二次卷線 2a、 2bの間の電磁気的な結合に寄与しない漏洩磁束が発生して、漏洩インダクタンスが生じる。このようなインバータトランス 40の動作は、磁性体樹脂 6にてモールドされていない開磁路構造の場合と同様であり、前記漏洩インダクタンスがバラストインダクタンスとして作用し、二次卷線 2a、 2bに接続された冷陰極蛍光管（CCFL)を正常に放電、点灯することができる。

[0033] 前記漏洩インダクタンスがバラストインダクタンスとして作用するものの、従来のインバータトランスとは異なり、本第 1、第 2の実施形態のように卷線組付体 51の周囲を磁性体樹脂 6で覆うことにより、棒状磁心 3a、 3bから漏洩した磁束の多くは、磁性体榭脂 6の中を通り磁性体樹脂 6の外側へ漏れる磁束は低減される。その結果、インバータトランス 40から周辺へ漏れ出る漏洩磁束の範囲が狭められる。

[0034] 特に、第 1の実施形態（図 1 (a)、（b)及び図 2)のように、その下面が磁性体樹脂 6 により覆われていない場合では、インバータトランスが配設される基板、あるいは筐体の材料が磁性体でない材料により形成される時に有効である。即ち、インバータトランスが配設される基板、あるいは筐体の材料が磁性体でない場合には、棒状磁心 3a 、 3bから漏洩した磁束はその影響を受けて磁路が変らず、従って特性の変動、変化が少ない。一方、その下面以外の側面と上面とが磁性体樹脂 6により被覆されているので、インバータトランス 40から周辺へ漏れ出る漏洩磁束の範囲が狭められ、他に影響を与えることなく漏洩インダクタンスを有するように作用する。一方、その下面が磁性体樹脂 6により覆われていないことによりインバータトランス 40の高さを低くできる効果がある。

[0035] また、第 2の実施形態（図 1 (c) )のように、磁心 3a、 3b、ボビン 5a、 5b、一次卷線 l a 、 lb、二次卷線 2a、 2b及び絶縁樹脂 50を含んで構成される卷線組付体 51の周囲の上面と側面及び下面、即ち卷線組付体 51の全周が前記磁性体樹脂 6により被覆され、少なくとも磁心 3a、 3bの両端間が前記磁性体樹脂 6により被覆されている場合には、インバータトランスが配設される基板、あるいは筐体の材料が磁性体により形成されている場合に有効である。即ち、全周が前記磁性体樹脂 6により被覆されている結果、インバータトランスが配設される下面にも磁気シールド作用が生じ、棒状磁心 3a、 3bから漏洩した磁束は、下面にある磁気材料の影響を受けて磁路が変らず、従って特性の変動、変化が少ない。

[0036] インバータの動作を最適化するためには、インバータトランス 40の一次卷線 la、 lb 及び二次卷線 2a、 2bの卷数や、漏洩インダクタンスなどを調整する必要があるが、漏洩磁束の磁路の磁気特性を変化させることによって漏洩インダクタンスの特性は変化する。本発明のインバータトランスにおいては、磁性体樹脂 6の比透磁率などの磁気特性や磁性体樹脂 6で覆う厚さや範囲を調整し、回路の動作の最適条件に合わせて卷線の卷数ゃ漏洩インダクタンスなどを調整する。その結果、インバータトランス 40の一次卷線 la、 lbや二次卷線 2a、 2bの卷数及び棒状磁心 3a、 3bの形状、特性を変えず、漏洩インダクタンスの大きさを調整することで各種のインバータトランスに適用できる効果がある。

[0037] 前記第 1、第 2の実施形態では、何れの場合も、少なくとも磁心 3a、 3bの両端間が前記磁性体樹脂 6により覆われてレ、たが、磁性体樹脂 6で覆う範囲は漏洩インダクタンスを有するように作用するものであれば、必ずしも全体を覆う必要はなく一部分のみを覆うようにしてもよい。

[0038] 本発明の第 3、第 4の実施形態に係るインバータトランス 40， 40は、かかる場合の実施形態であり、以下、第 3、第 4の実施形態を図 5に基づいて説明する。なお、図 1 又は図 2と同等の部分、部材については図 1又は図 2と同等の符号を付し、その説明は、適宜、省略する。この第 3、第 4の実施形態は図 5に示すように、棒状磁心 3a、 3b (卷線組付体 51)の略中央の部分を除く両端部 511の全周または一部が、磁性体樹脂 6で被覆されている。即ち、少なくとも棒状磁心 3a、 3bの両端部分を含み、卷線用ボビン 5a、 5b、卷線用端子台 7、 8の一部を含んで磁性体樹脂 6で覆うようにしたものである。

[0039] なお、第 3の実施形態（図 5 (a)、（b) )は、前記第 1の実施形態（図 1 (a)、（b) )と同様に上面と側面のみが前記磁性体樹脂 6により被覆されている場合である。即ち棒状磁心 3a、 3b (卷線組付体 51)の略中央の部分を除く両端部 511が、磁性体樹脂 6 で被覆されている。また、図 5 (c)に第 4の実施形態を示すが、この第 4の実施形態は、前記第 2の実施形態（図 1 (c) )と同様に卷線組付体 51の上面と側面及び下面、即ち全周が前記磁性体樹脂 6により被覆されている場合である。即ち棒状磁心 3a、 3b ( 卷線組付体 51 )の略中央の部分を除く両端部 511の全周が磁性体樹脂 6で被覆されている。磁性体樹脂 6で被覆されている範囲が上面、側面のみ及び下面を含む全周の場合における効果は、第 1の実施形態と同様である。

[0040] 棒状磁心 3a、 3b (卷線組付体 51)の両端部分の全部又は一部が磁性体樹脂 6で覆われることによって、磁性体樹脂 6がシールド作用をなし、棒状磁心 3a、 3bの両端部分から出た漏洩磁束 0> Rは主として磁性体樹脂 6の中を通るようになる。その結果、棒状磁心 3a、 3bの両端部分から周辺の空間に広がる漏洩磁束 0> Sは、磁性体樹脂 6の部分がない場合と比較して漏洩磁束の量は低減される。この第 4の実施形態によるインバータトランス 40も第 1の実施形態のものと同じく開磁路構造であるため、一次卷線 la、 lbや二次卷線 2a、 2bに漏洩インダクタンスが生じ、これがバラストインダクタンスとして働いて CCFLを正常に点灯することができる。

[0041] なお、前記第 3、第 4の実施形態において、棒状磁心 3a、 3bの略中央の部分を除く両端部は、棒状磁心 3a、 3bが 1つの磁性体樹脂 6で覆われている力本発明はこれに限らず、 2つの磁性体樹脂 6で棒状磁心 3a (第 1卷線組付体 51 a)と棒状磁心 3b (第 2卷線組付体 51b)の略中央の部分を除く両端部 511をそれぞれ別に覆ってもよレ、。前記第 3、第 4の実施形態のインバータトランス 40, 40においては、磁性体樹脂 6の比透磁率などの磁気特性や磁性体樹脂 6で覆う厚さや範囲を調整し、回路の動作の最適条件に合わせて卷線の卷数ゃ漏洩インダクタンスなどを調整する。

[0042] 第 3、第 4の実施形態のように、磁性体樹脂 6は、棒状磁心 3a、 3bの略中央の部分を除く両端部を磁性体樹脂 6で覆うことにより、棒状磁心 3a、 3bの両端部分から周辺の空間に広がる漏洩磁束 Sが低減され、インバータトランス 40の両端部に配設される部品が、前記漏洩磁束 0> Sの影響を受けないと共に、両端部に配設される部品からの磁束の影響を受けず、特性の変動、変化が少ない。また、両端部に磁性体を有する部品が配設された場合の影響を除去できる。

[0043] また、第 3、第 4の実施形態において、卷線組付体 51 (第 1卷線組付体 51a及び第 2卷線組付体 51b)における仕切板 4aが配置された部分（一次卷線 la及び二次卷線 2aが隣接する部分）〔以下、仕切板配置部分 52という。〕の外周部を、磁性体樹脂 6により被覆するように構成してもよい。この場合、仕切板配置部分 52は、漏れ磁束の発生量が多い部分であり、当該仕切板配置部分 52が磁性体樹脂 6により被覆されることにより、インバータトランス 40から周辺へ漏れ出る磁束の量をより抑制することができる。

[0044] このように仕切板配置部分 52を磁性体樹脂 6により被覆することは、前記第 3、第 4 の実施形態（卷線組付体 51の両端部 511を磁性体樹脂 6により被覆してレ、るインバ一タトランス）において用いるのみならず、単独で行なうようにしてもよい。

[0045] 次に、本発明の第 5の実施形態のインバータトランスを図 6に基づいて説明する。

なお、図 1及び図 2に示す部分、部材と同等の部分、部材には同一の符号を付し、その説明は適宜省略する。この第 5の実施形態のインバータトランス 40, 40は、磁心 3a、 3b、ボビン 5a、 5b、一次卷線 la、 lb、二次卷線 2a、 2b及び絶縁樹脂 50を含んで構成される卷線組付体 51の周囲の上面と側面及び下面、即ち卷線組付体 51の全周が磁性体樹脂 6により被覆され (すなわち、卷線組付体 51及び磁性体樹脂 6が第 2の実施形態と略同等に構成され）、卷線組付体 51及び磁性体樹脂 6によりトランス本体 55が構成されてレ、る。

[0046] 以下、便宜上、適宜、このように卷線組付体 51の全周を磁性体樹脂 6が被覆するトランス本体 55を、トランス本体 55Aといい、卷線組付体 51の外周部の下面部以外の部分を磁性体樹脂 6が被覆するトランス本体 55をトランス本体 55B〔図 8 (a)、 (c)参照〕という。

そして、トランス本体 55Aの外周部（トランス本体 55の周囲の上面、側面、下面並びに正面及び背面の卷線用端子台 7, 8を除いた部分）は、磁性体樹脂 6に比して飽和磁束密度が大きい外面部材 56により被覆されている。この場合、外面部材 56は、例えば Mn— Znフェライト又は Ni— Znフェライトからなる焼結体で構成され、磁性体榭脂 6に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。また、外面部材 56は、磁性体樹脂 6に比して磁気抵抗が小さい値とされている。

[0047] 外面部材 56は、トランス本体 55Aを収納する凹部 57を有する第 1外面部材 56aと、凹部 57を覆うようにして第 1外面部材 56aに載置され、第 1外面部材 56aと共にトランス本体 55Aを覆う第 2外面部材 56bと、力大略構成され、第 1外面部材 56a及び第 1外面部材 56aが組合せられて中空の箱状をなしている。

[0048] 第 1外面部材 56aは、図 6 (b)、（c)、（d)に示すように、下面板 58と、下面板 58の両側に垂設された側板 59と、下面板 58の正面側〔図 6 (a)下側〕、背面側〔図 6 (a)上側〕〕に垂設された正面板 60及び背面板 61と、力なつている。正面板 60及び背面板 61には矩形の切欠 62 (背面板 61の切欠 62の図示は省略する。）が形成されており、切欠 62を通して卷線用端子台 7, 8の一部が外部に配置されるようになっている。すなわち、外面部材 56は、卷線用端子台 7, 8部分のみを除いてトランス本体 55Aを被覆するようにしている。

[0049] この第 5の実施形態のインバータトランス 40によれば、トランス本体 55Aを覆うように、磁性体樹脂 6に比して飽和磁束密度が大きい外面部材 56 (焼結体)を設けたので、棒状磁心 3a、 3bから漏洩して磁性体樹脂 6の中を通り磁性体樹脂 6の外側へ漏れた磁束の大部分は外面部材 56を通ることになる。このため、磁性体樹脂 6のみを設けた場合に比して、インバータトランス 40の外部に漏れる磁束をより効率よく低減すること力 Sできるので、磁性体樹脂 6のみで外側へ漏れる磁束の低減を行う場合に比して、全体の断面積を小さくすることができ、ひいてはインバータトランス 40の小型化を図ること力 Sできる。

[0050] この場合、外面部材 56は、磁性体樹脂 6に比して磁気抵抗が小さい値とされているので、磁性体樹脂 6の外側へ漏れた磁束が、より効率よく外面部材 56を通ることになるので、インバータトランス 40から外側への磁束の漏れがより低減され、これに伴ない、インバータトランス 40の小型化をより進めることが可能となる。

[0051] 第 5の実施形態のインバータトランス 40は、次のように作製される。

すなわち、第 1外面部材 56aの切欠 62形成部分に卷線用端子台 7, 8を載置するようにして、卷線組付体 51を凹部 57に収納し、この状態で、凹部 57内に磁性体樹脂 6 を充填するようにして卷線組付体 51に対してモールド処理を施す。次に、磁性体榭脂 6を例えば 150°C前後で加熱して硬化させ、卷線組付体 51と、卷線組付体 51の周囲に被覆された磁性体樹脂 6とからなるトランス本体 55Aを凹部 57内に得る。

[0052] 続いて、トランス本体 55Aが収納された凹部 57を閉じるように、第 1外面部材 56aに第 2外面部材 56bを重ねてトランス本体 55Aの外周部を第 1外面部材 56aと共に被覆し、上述した第 5の実施形態のインバータトランス 40を得る。

この第 5の実施形態では、凹部 57内に磁性体樹脂 6を充填するようにして卷線組付体 51に対してモールド処理を施すことができるので、作製し易ぐ生産性の向上を図ること力 Sできる。

[0053] なお、この第 5の実施形態のインバータトランス 40において、第 2外面部材 56bを廃止し、外面部材を第 1外面部材 56aのみで構成するようにしてもよい。

第 5の実施形態（図 6)では、トランス本体 55Aの外周部（トランス本体 55の周囲の上面、側面、下面並びに正面及び背面の卷線用端子台 7, 8を除いた部分）を覆える形状の外面部材 56を用い、当該トランス本体 55Aの外周部を前記外面部材 56により被覆する場合を例にした力本発明はこれに限られない。トランス本体 55Aに代えて前記トランス本体 55Bを用いてもよいし、次の図 7 (第 6の実施形態）、図 8 (第 7の実施形態）、図 9 (a)、（b)、 (c) (第 8の実施形態）、図 9 (d) (第 9の実施形態）、図 10 (第 10の実施形態）、図 11 (第 11の実施形態）、図 12 (a)、 (b) (第 12の実施形態）、図 12 (c) (第 13の実施形態）に示すように構成してもよレ、。

[0054] 第 6の実施形態では、外面部材 56Aが、図 7 (a)、（b)、 (c)に示すように、矩形筒状をなしている。この外面部材 56Aは、トランス本体 55Aの外周部（トランス本体 55 の周囲の上面、側面、下面）を被覆するようにしている。外面部材 56Aは、磁性体樹脂 6に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。また、外面部材 56Aは、磁性体樹脂 6に比して磁気抵抗が小さい値とされている。

[0055] 第 6の実施形態では、第 5の実施形態に比して、トランス本体 55Aの外周部のうち正面及び背面が被覆されていなレ、ものの、トランス本体 55Aの外周部の大部分が外面部材 56Aで被覆されているので、インバータトランス 40の外部に漏れる磁束の低減を良好に果し、ひいてはインバータトランス 40の小型化を図ることができる。また、外面部材 56Aは、磁性体樹脂 6に比して磁気抵抗が小さい値とされている分、インバ一タトランス 40の外部への磁束の漏れが少なくなり、ひいてはインバータトランス 40 の小型化をより進めることが可能となる。

[0056] 第 7の実施形態では、外面部材 56Bが、図 8 (a)、（b)、（c)に示すように、上面板 6 3と、その両側部に垂設された側板 64とからなり、トランス本体 55Bの外周部に沿う断面略コ字形をなしている。この外面部材 56Bは、トランス本体 55Bの外周部（トランス本体 55Bの周囲の上面、側面）を被覆するようにしている。外面部材 56Bは、磁性体樹脂 6に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。また、外面部材 56Bは、磁性体樹脂 6に比して磁気抵抗が小さい値とされている。

[0057] 第 7の実施形態では、第 6の実施形態に比して、トランス本体 55Bの外周部のうち下面が被覆されていなレ、ものの、トランス本体 55Bの外周部の大部分が外面部材 56 Bで被覆されているので、インバータトランス 40の外部に漏れる磁束の低減を良好に果し、ひいてはインバータトランス 40の小型化を図ることができる。また、外面部材 56 Bは、磁性体樹脂 6に比して磁気抵抗が小さい値とされている分、インバータトランス 40の外部への磁束の漏れが少なくなり、ひいてはインバータトランス 40の小型化を進めることが可能となる。

[0058] この第 7の実施の形態では、外面部材 56Bがトランス本体 55Bの外周部に沿う断面略コ字形をなしている場合を例にしたが、トランス本体 55Bの外周部が略円弧状をなしてレ、る場合、外面部材をそれに合わせて断面略円弧状に形成するようにしてもょレ、第 7の実施形態におけるトランス本体 55Bに代えて、図 8 (d)に示すように、トランス本体 55A (卷線組付体 51の全周を磁性体樹脂 6が被覆するトランス本体 55)を用いてもよい。

[0059] 第 8の実施形態では、外面部材 56Cが、図 9 (a)、（b)、（c)に示すように、上面板 6 3に、トランス本体 55Aの仕切板 4aの配置部分 (仕切板配置部分 52を含む部分。以下、仕切板含有部分 52Aという。）に臨む架橋板 65を残して 2つの窓（符号省略）を形成し、架橋板 65が仕切板含有部分 52Aを被覆し、かつ上面板 63の両端側部分 6 6がトランス本体 55Aの両端側部分 67を被覆するようにしている。外面部材 56Cは、磁性体樹脂 6に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。

[0060] 上述したように仕切板配置部分 52は、漏れ磁束の発生量が多い部分である力当該仕切板配置部分 52を含む仕切板含有部分 52Aの外周部を架橋板 65及び外面部材 56における架橋板 65に連接する部分が被覆するので、仕切板含有部分 52A を通して漏洩する磁束は大部分が外面部材 56を通ることとなり、インバータトランス 4 0から周辺へ漏れ出る磁束の低減を良好に果すことができる。また、上面板 63の両端側部分 66がトランス本体 55Aの両端側部分 67を被覆するので、その分、インバータトランス 40から周辺へ漏れ出る磁束の低減をさらに進めることができる。

[0061] 第 9の実施形態では、外面部材 56Dが、図 9 (d)に示すように、第 8の実施形態の外面部材 56C〔図 9 (a)、（b)、（c)〕に比して、架橋板 65を廃止し、一つの窓を形成した構造を有している。

[0062] 第 10の実施形態では外面部材 56E力図 10 (a)、（b)に示すように、上面視長方形の板状をなし、トランス本体 55Bの下面部に配置され、トランス本体 55Bの下面部を被覆するようにしている。外面部材 56Eは、磁性体樹脂 6に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。第 10の実施形態において、トランス本体 55Bに代えてトランス本体 55Aを用いるようにしてもよい。

[0063] 第 11の実施形態では、外面部材 56Fは、図 11 (a)、（b)に示すように、第 1、第 2の板状外面部材 56c、 56d力らなり、それぞれトランス本体 55Bの両側部に配置されて当該両側部を被覆する。外面部材 56F (第 1、第 2の板状外面部材 56c、 56d)は、磁性体樹脂 6に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。第 11の実施形態において、図 11 (c)に示すように、トランス本体 55Bに代えてトランス本体 55Aを用いてもよい。

[0064] 第 12の実施形態では、図 12 (a)、（b)に示すように、外面部材 56Gが、第 1、第 2の断面コ字形外面部材 56e， 56fからなり、それぞれトランス本体 55Bの両端側部分 67 の上面部及び側部を被覆するようにしている。外面部材 56G (第 1、第 2の断面コ字形外面部材 56e, 56f)は、磁性体樹脂 6に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。第 12の実施形態において、トランス本体 55Bに代えてトランス本体 55Aを用いてもよい。

[0065] 第 13の実施形態では、図 12 (c)に示すように、外面部材 56Hが、第 1、第 2の断面口字形外面部材 56g、 56h力、らなり、それぞれトランス本体 55Aの両端側部分 67の上面部、側部及び下面部を被覆するようにしている。外面部材 56H (第 1、第 2の断面口字形外面部材 56g、 56h)は、磁性体樹脂 6に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。第 13の実施形態において、トランス本体 55Aに代えてトランス本体 55B を用いてもよい。

[0066] 上述した図 6,図 9ないし図 11に示す実施の形態では、トランス本体 55としては、トランス本体 55A (卷線組付体 51の全周を磁性体樹脂 6が被覆する）である場合、又はトランス本体 55B (卷線組付体 51の外周部の下面部以外の部分を磁性体樹脂 6が被覆する）である場合を例にしたが、これに限らず、他のタイプのトランス本体 55に外面部材 56を用いるようにしてもょレ、。

[0067] 例えば、図 13 (a)、（b)、（c)に示すように、卷線組付体 51の両端部 511及び仕切板配置部分 52における上面部及び側部が磁性体樹脂 6で被覆されるトランス本体 55 ( このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体 55Cという。 )に、断面コ字形の外面部材 56Bを用いるようにしてもよい（第 14の実施形態）。また、図 13 (d)に示すように、卷線組付体 51の両端部 511〔図 13 (a)参照〕及び仕切板配置部分 52における全周（上面部、側部及び下面部）が磁性体樹脂 6で被覆されるトランス本体 55 (このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体 55Dという。）に、断面コ字形の外面部材 56B (図 13 (b) )を用いるようにしてもょレ、（第 15の実施形態）。

[0068] また、図 14 (a)、 (b)に示すように、卷線組付体 51の仕切板配置部分 52における上面部及び側部が磁性体樹脂 6で被覆されるトランス本体 55 (このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体 55C'という。）に、図 9 (d)に示すような外面部材 56Dを用いるようにしても良い（第 16の実施形態)。

また、図 14 (c)に示すように、卷線組付体 51の仕切板配置部分 52における全周（上面部、側部及び下面部）が磁性体樹脂 6で被覆されるトランス本体 55 (このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体 55D'という。）に、図 9 (d)に示すような外部部材 56Dを用いるようにしてもょレヽ（第 17の実施形態）。

また、図 14 (d)に示すように、卷線組付体 51に外面部材 56D〔図 9 (d)参照〕を装着したあと、磁性体樹脂 6の代わりに板状部材 65aを装着しても良い。このとき板状部材 65aの材質は外面部材 56Dと同等、または磁性体樹脂 6と同等にされている。また、図 15 (a)、 (b)に示すように、第 1、第 2の板状外面部材 56c、 56d (外面部材 56F)を、トランス本体 55Cに用いるようにしてもよい（第 18の実施形態）。

また、図 14 (c)に示すように、第 1、第 2の板状外面部材 56c、 56dを、トランス本体 55Dに用いるようにしてもよい（第 19の実施形態）。

[0069] 実施例

以下、前記第 2の実施形態の実施例について説明する。インバータトランス 40の磁心 3a、 3bの高さ、幅はそれぞれ 3mm、長さは 30mm、比透磁率カ¾000の Mn_Zn フェライトであり、磁性体樹脂 6は、熱硬化性のエポキシ樹脂に比透磁率 2000の Mn -Znフェライト粉末を体積比 80%で混合したもので、比透磁率は略 20である。絶縁材からなる卷線用端子台 7、 8の高さは 6mm、ボビン 5a、 5bの高さは 3mm、各セクシヨン間の絶縁性の仕切板 4bの高さは 2mmである。該ボビン 5a、 5bには一次卷線 la 、 lbと二次卷線 2a、 2bが卷回され、その厚さは約 0. 5mmである。

[0070] 力かる構成のインバータトランス 40を、図 1 (c)で示した実施形態（第 2の実施形態）のように前記磁性体樹脂 6で以下のように覆った。磁心 3a、 3b、ボビン 5a、 5b、一次卷線 la、 lb、及び二次卷線 2a、 2bから構成される部分の周囲の上面と側面及び下面、即ち前記構成部分の全周および少なくとも磁心 3a、 3bの両端間が、前記磁性体樹脂 6により被覆されている。具体的には、前記磁性体樹脂 6を絶縁性の仕切板 4b の先端から約 3mmの厚さになるように覆い、約 150°Cで熱硬化させた。

[0071] 前記実施例に基づくインバータを用いて CCFLを点灯させた時、インバータトランス

40から発生する漏洩磁束による周辺の磁界の大きさを測定した結果を図 4に示す。比較のために、本実施例のように磁性体樹脂 6によって覆われたものではなぐ棒状磁心と口の字状の磁心を組み合わせた図 18に示した従来の構造のインバータトランスを使用したときの値も測定した。図 3に示すように、インバータトランスを水平に置いたときに、卷線の上面の中央部から上方へ距離 dだけ離れた場所で測定した。図 4において、横軸は距離 d、縦軸は距離 dにおける磁界の大きさである。

[0072] 図 4に示すように漏れ磁束による磁界は距離 dが大きくなるとともに減少し、おおよそ距離 dの 2乗に反比例している。図 18に示した従来の口の字状の磁心を用いたィンバータトランスと本実施例による磁性体樹脂 6で覆ったインバータトランス 40を比較すると、本実施例によるインバータトランス 40を用いたときの方が測定される磁界は小さレ、。例えば、距離 dが 2cmのときの値を比較すると、従来のインバータトランスでは磁界の大きさは 89AZmであるのに対して、本実施例によるインバータトランス 40 を使用したときは 8. lAZmである。このように、本発明はインバータトランスの漏洩磁束による周辺の磁界を大幅に減少するという効果がある。

産業上の利用可能性

[0073] 開磁路構造でありながら、全体構成や製造工程を簡略化でき、またコストの上昇も抑えることのできるインバータトランスを提供する。

Claims

請求の範囲

[1] 直流を交流に変換するインバータ回路に備えられて、一次側に入力された交流電圧を変圧して二次側に出力するインバータトランスにおいて、一次卷線と二次卷線とが卷回された棒状磁心を備えており、前記一次卷線及び二次卷線が所定の漏洩ィンダクタンスを持つように、前記一次、二次卷線及び前記棒状磁心からなる卷線組付体の少なくとも一部が磁性体及び該磁性体を含有する樹脂からなる磁性体樹脂で被覆されてレ、ることを特徴とするインバータトランス。

[2] 前記磁性体樹脂の被覆は、前記卷線組付体の全体に行われていることを特徴とする請求項 1に記載のインバータトランス。

[3] 前記磁性体樹脂の被覆は、前記卷線組付体の両端部及び/又は前記卷線組付体の前記一次、二次卷線の隣接部分に行われていることを特徴とする請求項 1に記載のインバータトランス。

[4] 前記卷線組付体及び前記磁性体樹脂からなるトランス本体の外周部の少なくとも一部に、前記磁性体樹脂に比して飽和磁束密度が大きい外面部材を配置したことを特徴とする請求項 1から 3の何れかに記載のインバータトランス。

[5] 前記外面部材は、前記磁性体樹脂に比して磁気抵抗が小さい値とされることを特徴とする請求項 4に記載のインバータトランス。

[6] 前記外面部材は、前記トランス本体の外周部に沿う断面略コ字形又は断面略円弧状をなし、前記トランス本体の外周部を覆うことを特徴とする請求項 4又は 5に記載の

[7] 前記外面部材は複数部材からなり、組合せられて前記トランス本体を覆うように箱状をなすことを特徴とする請求項 4又は 5に記載のインバータトランス。

[8] 前記外面部材は、焼結体で構成されてレ、ることを特徴とする請求項 4から 7の何れ力こ記載のインノータトランス。

[9] 前記磁性体樹脂は、比透磁率が前記棒状磁心の比透磁率より小さいことを特徴とする請求項 1から 8の何れかに記載のインバータトランス。

[10] 前記磁性体は、 Mn— Znフェライト、 Ni— Znフェライト、又は鉄粉であることを特徴とする請求項 1から 9の何れかに記載のインバータトランス。