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WO2003025995A1 - Dispositif semi-conducteur et amplificateur haute frequence comportant ce dispositif - Google Patents

Dispositif semi-conducteur et amplificateur haute frequence comportant ce dispositif Download PDF

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Publication number
WO2003025995A1
WO2003025995A1 PCT/JP2002/009011 JP0209011W WO03025995A1 WO 2003025995 A1 WO2003025995 A1 WO 2003025995A1 JP 0209011 W JP0209011 W JP 0209011W WO 03025995 A1 WO03025995 A1 WO 03025995A1
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WO
WIPO (PCT)
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electrode
lead wiring
collector
emitter
base
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2002/009011
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Masatomo Hasegawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of WO2003025995A1 publication Critical patent/WO2003025995A1/fr
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/80—Heterojunction BJTs
    • H10D10/821—Vertical heterojunction BJTs

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur de fabrication simplifiée, qui accroît le gain à haute fréquence et ne requiert pas d'accroissement de la surface de puce, ainsi qu'à un amplificateur haute fréquence comportant ce dispositif. Un transistor bipolaire à hétérojonction HBT (100) possède une électrode collectrice (7), une électrode émettrice (5) et une électrode de base (6) disposée entre l'électrode collectrice (7) et l'électrode émettrice (5). L'électrode émettrice (5) est connectée à un câblage conducteur émetteur (8) et l'électrode collectrice (7) est connectée à un câblage conducteur collecteur (9) faisant office de câblage d'électrode de sortie. Le câblage conducteur collecteur (9) est disposé de manière à chevaucher le câblage conducteur émetteur (8) et l'électrode de base (6). Toute la région de recouvrement de l'électrode de base (6) par le câblage conducteur collecteur (9) comporte le câblage conducteur émetteur (8) disposé entre l'électrode de base (6) et le câblage conducteur collecteur (9) de manière à recouvrir l'électrode de base (6) et une structure mesa de base (3).
PCT/JP2002/009011 2001-09-11 2002-09-05 Dispositif semi-conducteur et amplificateur haute frequence comportant ce dispositif Ceased WO2003025995A1 (fr)

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Family

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