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WO2003009327A1 - Cathode froide du type a emission de champ, procede de production associe et dispositif a ecran plat equipe d'une cathode froide du type a emission de champ - Google Patents

Cathode froide du type a emission de champ, procede de production associe et dispositif a ecran plat equipe d'une cathode froide du type a emission de champ Download PDF

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WO2003009327A1
WO2003009327A1 PCT/JP2002/007228 JP0207228W WO03009327A1 WO 2003009327 A1 WO2003009327 A1 WO 2003009327A1 JP 0207228 W JP0207228 W JP 0207228W WO 03009327 A1 WO03009327 A1 WO 03009327A1
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WO
WIPO (PCT)
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field emission
cold cathode
emission type
type cold
layer
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2002/007228
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Fuminori Ito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of WO2003009327A1 publication Critical patent/WO2003009327A1/fr
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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Abstract

L'invention concerne une cathode froide du type à émission de champ pouvant être commandée à basse tension, un procédé de production associé et un dispositif à écran plat équipé d'une cathode froide du type à émission de champ. Ce procédé de production consiste à appliquer une couche isolante (3) et une couche de grille (4) sur une couche conductrice (2) formée sur un substrat en verre (1), à former une ouverture (5) dans la couche isolante (3) et la couche de grille (4), à recouvrir des parties autres que l'ouverture (5) ainsi que les surfaces latérales de l'ouverture (5) avec un matériau de masque (6) et à déposer une couche à base de nanotubes de carbone ayant une fonction de matériau d'émission sur l'ensemble obtenu. Ce procédé consiste ensuite à graver le masque (6) tout en soulevant la couche à base de nanotubes de carbone située au-dessus du masque (6) pour former une couche d'émission (7) à base de nanotubes de carbone sur la surface inférieure de l'ouverture (5) uniquement.
PCT/JP2002/007228 2001-07-17 2002-07-16 Cathode froide du type a emission de champ, procede de production associe et dispositif a ecran plat equipe d'une cathode froide du type a emission de champ Ceased WO2003009327A1 (fr)

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Publication Number Publication Date
WO2003009327A1 true WO2003009327A1 (fr) 2003-01-30

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006011468A1 (fr) * 2004-07-27 2006-02-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Dispositif de nanotubes de carbone et processus de production de ce dispositif
KR100652572B1 (ko) * 2004-12-14 2006-12-01 엘지전자 주식회사 백라이트용 전계 방출 소자
JP4556678B2 (ja) * 2005-01-21 2010-10-06 株式会社Ｎｈｖコーポレーション 電子線照射装置
JP5349956B2 (ja) * 2005-04-25 2013-11-20 スモルテック エービー ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス
KR100723393B1 (ko) * 2006-02-02 2007-05-30 삼성에스디아이 주식회사 전계방출 소자의 제조방법
US7745319B2 (en) * 2006-08-22 2010-06-29 Micron Technology, Inc. System and method for fabricating a fin field effect transistor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1031954A (ja) * 1996-07-12 1998-02-03 Futaba Corp 電界放出素子およびその製造方法
JP2000348600A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Sharp Corp 円筒型電子源を用いた冷陰極及びその製造方法
JP2000353466A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sony Corp 電子放出素子およびその製造方法、並びに表示装置およびその製造方法
JP2000353467A (ja) * 1999-04-09 2000-12-19 Nec Corp 冷陰極装置の製造方法
JP2001043790A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 冷陰極電界電子放出素子の製造方法及び冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
JP2001167690A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Sony Corp 冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1031954A (ja) * 1996-07-12 1998-02-03 Futaba Corp 電界放出素子およびその製造方法
JP2000353467A (ja) * 1999-04-09 2000-12-19 Nec Corp 冷陰極装置の製造方法
JP2000348600A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Sharp Corp 円筒型電子源を用いた冷陰極及びその製造方法
JP2000353466A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sony Corp 電子放出素子およびその製造方法、並びに表示装置およびその製造方法
JP2001043790A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 冷陰極電界電子放出素子の製造方法及び冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
JP2001167690A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Sony Corp 冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法

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