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WO2002033725A3 - Systeme et procede permettant de reguler rapidement la production d'une source d'ions en vue d'une implantation ionique - Google Patents

Systeme et procede permettant de reguler rapidement la production d'une source d'ions en vue d'une implantation ionique Download PDF

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WO2002033725A3
WO2002033725A3 PCT/US2001/051033 US0151033W WO0233725A3 WO 2002033725 A3 WO2002033725 A3 WO 2002033725A3 US 0151033 W US0151033 W US 0151033W WO 0233725 A3 WO0233725 A3 WO 0233725A3
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ion
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ion source
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Donald W Berrian
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Proteros LLC
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Publication date
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Abstract

L'invention concerne un système et un procédé qui permettent de réguler rapidement le débit de production dans une source d'ions. La source d'ions comprend une chambre d'ionisation, un filament-cathode, une électrode miroir et une grille. La source d'ions peut être mise en oeuvre pour produire un faisceau ionique à partir de l'ionisation d'un gaz précurseur ionique présent dans la chambre d'ionisation, par des électrons émis depuis le filament. Le taux de génération d'ions est régulé par modification du potentiel de la grille relativement au filament, ce qui permet de contrôler le nombre d'électrons disponibles pour l'ionisation entre la grille et l'électrode miroir. On décrit une autre forme de réalisation permettant de réguler rapidement le débit de production dans une source d'ions. Dans cette forme de réalisation, la source d'ions comprend une chambre d'ionisation présentant des côtés mutuellement opposés et configurés pour recevoir un gaz précurseur ionique; un filament-cathode situé sur un côté de la chambre d'ionisation et pouvant être mis en oeuvre pour émettre des électrons destinés à l'ionisation du gaz précurseur ionique pour la production du faisceau ionique; et une électrode miroir présentant un potentiel associé et située sur l'autre côté de la chambre d'ionisation. L'électrode miroir est connectée à un circuit pour varier son potentiel relativement audit filament, de façon à varier le nombre des électrons disponibles dans la chambre d'ionisation aux fins de l'ionisation.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101490792B (zh) * 2006-07-20 2012-02-01 阿维扎技术有限公司 离子沉积设备

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6992308B2 (en) * 2004-02-27 2006-01-31 Axcelis Technologies, Inc. Modulating ion beam current
US7365346B2 (en) * 2004-12-29 2008-04-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ion-implanting apparatus, ion-implanting method, and device manufactured thereby
WO2006133041A2 (fr) * 2005-06-03 2006-12-14 Axcelis Technologies, Inc. Arret de faisceau et procedes de reglage de faisceau
EP2044608B1 (fr) 2006-07-20 2012-05-02 SPP Process Technology Systems UK Limited Sources d'ions
JP2009545101A (ja) 2006-07-20 2009-12-17 アビザ テクノロジー リミティド プラズマ源
US8803110B2 (en) * 2006-09-29 2014-08-12 Axcelis Technologies, Inc. Methods for beam current modulation by ion source parameter modulation
US7589333B2 (en) * 2006-09-29 2009-09-15 Axcelis Technologies, Inc. Methods for rapidly switching off an ion beam
US7566887B2 (en) * 2007-01-03 2009-07-28 Axcelis Technologies Inc. Method of reducing particle contamination for ion implanters
US8134130B2 (en) * 2010-07-19 2012-03-13 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Ion source with corner cathode
US8766209B2 (en) * 2011-07-21 2014-07-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Current limiter for high voltage power supply used with ion implantation system
CN114959551B (zh) * 2022-04-29 2023-12-19 超微中程纳米科技(苏州)有限公司 模具钢刀具离子氮化工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4754200A (en) * 1985-09-09 1988-06-28 Applied Materials, Inc. Systems and methods for ion source control in ion implanters
US5262652A (en) * 1991-05-14 1993-11-16 Applied Materials, Inc. Ion implantation apparatus having increased source lifetime
US20010017353A1 (en) * 2000-02-25 2001-08-30 Nissin Electric Co., Ltd. Ion source and operation method thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6011417B2 (ja) * 1979-10-23 1985-03-26 株式会社東芝 ホロ−カソ−ド放電装置
US4684848A (en) * 1983-09-26 1987-08-04 Kaufman & Robinson, Inc. Broad-beam electron source
US5256947A (en) * 1990-10-10 1993-10-26 Nec Electronics, Inc. Multiple filament enhanced ion source
US5675152A (en) * 1996-01-16 1997-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Source filament assembly for an ion implant machine
US6184532B1 (en) * 1997-12-01 2001-02-06 Ebara Corporation Ion source
EP1245036B1 (fr) * 1999-12-13 2013-06-19 Semequip, Inc. Source d'ions
US6777686B2 (en) * 2000-05-17 2004-08-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Control system for indirectly heated cathode ion source
US6583544B1 (en) * 2000-08-07 2003-06-24 Axcelis Technologies, Inc. Ion source having replaceable and sputterable solid source material
US6627901B2 (en) * 2001-01-04 2003-09-30 Nec Electronics, Inc. Apparatus and method for distribution of dopant gases or vapors in an arc chamber for use in an ionization source
GB0128913D0 (en) * 2001-12-03 2002-01-23 Applied Materials Inc Improvements in ion sources for ion implantation apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4754200A (en) * 1985-09-09 1988-06-28 Applied Materials, Inc. Systems and methods for ion source control in ion implanters
US5262652A (en) * 1991-05-14 1993-11-16 Applied Materials, Inc. Ion implantation apparatus having increased source lifetime
US20010017353A1 (en) * 2000-02-25 2001-08-30 Nissin Electric Co., Ltd. Ion source and operation method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101490792B (zh) * 2006-07-20 2012-02-01 阿维扎技术有限公司 离子沉积设备

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Publication number Publication date
AU2002231361A1 (en) 2002-04-29
US20020053642A1 (en) 2002-05-09
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