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WO2000028790A1 - Organic electroluminescent element - Google Patents

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WO2000028790A1
WO2000028790A1 PCT/JP1999/006182 JP9906182W WO0028790A1 WO 2000028790 A1 WO2000028790 A1 WO 2000028790A1 JP 9906182 W JP9906182 W JP 9906182W WO 0028790 A1 WO0028790 A1 WO 0028790A1
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WO
WIPO (PCT)
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compound
organic
layer
light emitting
general formula
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP1999/006182
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English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroshi Miyazaki
Koichi Yamashita
Toru Takeda
Tatsuo Mori
Teruyoshi Mizutani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Chemical Co Ltd filed Critical Nippon Steel Chemical Co Ltd
Priority to EP99954412A priority Critical patent/EP1137326B1/en
Priority to DE69932256T priority patent/DE69932256T2/de
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Ceased legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device used for a thin-film electroluminescent device display.
  • the present invention relates to a troll luminescence element.
  • An electroluminescent device using electroluminescence (hereinafter, also referred to as an EL device) has features such as high visibility due to self-luminescence and excellent impact resistance because it is a completely solid device. Because of this, it has attracted attention as a light emitting element in various display devices.
  • EL devices There are two types of EL devices: inorganic EL devices using inorganic compounds and organic EL devices using organic compounds.Of these, the organic EL device can greatly reduce the applied voltage, so the next generation Practical research on the practical use of display elements has been made.
  • the organic EL element is composed of an organic compound layer including a light emitting layer and a pair of electrodes sandwiching the organic compound layer.
  • the organic EL element has a basic structure of an anode Z light emitting layer and a cathode, and holes are injected into this.
  • Layers and electron injection layers appropriately provided, for example, anodes, hole injection layers, Z emission layers / cathodes, and anode / hole injection layers, Z emission layers, Z electron injection layers, and Z cathodes are known.
  • the hole injection layer has a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer
  • the electron injection layer has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. I have.
  • this hole injection layer By interposing this hole injection layer between the light emitting layer and the anode, many holes are injected into the light emitting layer with a lower electric field, and further injected into the light emitting layer from the cathode or the electron injection layer. It is known that the injected electrons are accumulated at the interface between the hole injection layer and the light emitting layer because the hole injection layer does not transport the electrons, and the luminous efficiency is increased.
  • JP-A-3-35083 and JP-A-3-54289 disclose, as light emitting materials used in a light emitting layer, 4— (2,2′-diphenylethenyl) _N, It describes that a styryl-triphenylamine-based material such as N-diphenylbenzamine is used.
  • these electroluminescent devices have a problem in durability, and do not reach a practical level of emission intensity and durability.
  • an object of the present invention is to provide an organic EL device which is excellent in both light emission characteristics and reliability and has a practical level of durability.
  • the present invention relates to an organic electroluminescence element in which at least one organic compound layer including a light emitting layer is interposed between a pair of transparent or translucent electrodes, at least one of the organic compound layers is provided.
  • An organic electroluminescence device comprising a compound represented by the following general formula (1).
  • the present invention is an organic electroluminescent device in which a light emitting layer constituting an organic compound layer contains a compound represented by the general formula (1) as a light emitting material.
  • the present invention is an organic electroluminescence device in which the hole injection layer constituting the organic compound layer contains a compound represented by the general formula (1) as a hole transport material.
  • R ′ to R may be the same or different; an alkoxy group, an aralkyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a halogen atom, a nitro group) , A cyano group or a hydrogen atom, provided that R, and R 2 , R 3 and R, R, and R., And R and R 12 may combine to form an aromatic ring.
  • a light-emitting layer which is an organic compound layer is interposed between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent.
  • the following structures can be exemplified, but the present invention is not limited to the following examples, and a light-absorbing diffusion layer or the like can be interposed as necessary, The layer and the electron injection layer can be the same layer.
  • a general organic EL element is formed on a substrate such as glass or the like, and is put into practical use.
  • Anode / hole injection layer / light-emitting layer Z electron injection layer / cathode The configuration of the organic compound layer sandwiched between the pair of electrodes is not particularly limited as described above, and the organic compound layer containing the compound represented by the general formula (1) is only the light emitting layer. Or a hole injection layer or an electron injection layer, or a light emitting layer and a hole injection layer and a Z or an electron injection layer, as long as they are contained in at least one layer. Preferably, it is contained in the hole injection layer or the light emitting layer.
  • Application Benefits Furuoromechiru group examples include a substituted or unsubstituted phenyl group, naphthyl group, anthryl group, biphenyl group, and the like.
  • the alkoxy group is a substituted or unsubstituted group. Methoxy, ethoxy, propoxy and butoxy groups.
  • R and R, R, and R., R, and R 1 U , and Ru and R may combine to form an aromatic ring.
  • a naphthalene ring may be formed by forming an aromatic ring.
  • Preferred R t to R, 2 are a hydrogen atom, an unsubstituted alkyl group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms or R> and R, R and R, R, and Rmony.
  • R,., R ⁇ , and R are an aromatic ring formed by bonding.
  • the compound represented by the general formula (1) can be produced, for example, by the following method. First, a methylene imidium compound (Vilsmeier mono-complex) formed using phosphoryl chloride and N, N'-dimethylformamide (DMF) is reacted with a triphenylamine derivative represented by the following general formula (2). Perform a Vilsmeier reaction. By reacting the resulting dialdehyde compound represented by the following general formula (3) with a diarylmethylphosphonic acid derivative represented by the following general formula (4) under basic conditions, The compound represented by 1) can be obtained.
  • shaku and shaku represent the same as in general formula (1), and R and 3 represent alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms.
  • the compound represented by the general formula (1) is capable of emitting high-luminance light at a low voltage and can be suitably used as a light emitting material of an organic EL device. It can be suitably used as a hole transporting material or an electron transporting material for EL devices. Further, since the compound has excellent heat resistance, the durability of the organic EL device using the compound represented by the general formula (1) in the organic compound layer can be remarkably improved. In addition to being used in organic EL devices, it has excellent hole transport ability, so it is used for electrophotographic photoconductors. It can also be used as a charge transport agent.
  • the light emitting layer, the hole injection layer, the electron injection layer, and the like constituting the organic compound layer can be usually formed by a vapor deposition method, a spin coating method, a casting method, or the like.
  • the film thickness is preferably from 10 to 100 nm, more preferably from 20 to 200 nm.
  • an organic EL device having an organic compound layer sandwiched between a pair of electrodes is usually formed on a suitable substrate.
  • the substrate is not particularly limited, and is a glass plate such as soda glass, non-fluorescent glass, phosphate glass, silicate glass, quartz, acrylic resin, polyethylene, polyester, and silicone resin. Plastic plates, plastic films, metal foils and the like are used.
  • anode material metals, alloys, electrically conductive compounds, and mixtures thereof having a large work function are used.
  • a metal such as gold, C u I, Lee emissions indium tin oxa Lee de (IT_ ⁇ ), such as S N_ ⁇ 2, Z N_ ⁇ is like et be.
  • the cathode material metals, alloys, electrically conductive compounds, and mixtures thereof having a small work function are used.
  • At least one of the electrodes needs to be transparent or translucent in order to extract light, and the transmittance on the light extracting side is preferably higher than 10%. Further, the resistance of the sheet as an electrode is preferably 100 ⁇ or less.
  • an aromatic compound such as tetrafluorobutadiene
  • a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline
  • Well-known materials such as butane derivatives, coumarin compounds, rare earth complexes, distyrylpyrazine derivatives, P-phenylene compounds, thiadiazolopyridine derivatives, pyrrolic pyrimidine derivatives, and naphthyridine derivatives are used.
  • Examples of the material used for the hole injection layer include, in addition to the compound represented by the general formula (1), for example, a triazole compound, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, and a pyrazopine derivative.
  • Examples of the material having an electron transporting ability used for the electron injection layer include, in addition to the compound represented by the general formula (1), for example, a nitro-substituted fluorene derivative, a thiopyrandioxide derivative and a diphenoquinone derivative, a perylene carboxyl derivative, Traquinodimethane derivatives, fluoronylidenemethane derivatives, anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, perinone derivatives, quinoline complex derivatives, and the like can be used.
  • a polymerizable substituent is introduced into the organic compound constituting each layer before, during or during the film formation. It may be polymerized after film formation.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the organic electroluminescent device of the present invention.
  • 1 is a glass substrate
  • 2 is an anode (ITO layer)
  • 3 is a hole injection layer
  • 4 is a light emission / electron injection layer
  • 5 is a cathode (AlLi layer).
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the organic EL device of the present invention. This organic EL device was manufactured as follows.
  • a vacuum evaporation system of resistance heating system is used to adjust the evaporation rate to a quartz crystal made of ULVAC. while controlling the child type film thickness controller of all, vacuum 2 during the deposition 3 X l (T 7 condition of the ITO layer 2 in the (torr)
  • [Compound 9] was formed as a hole transporting material in a thickness of 500 ⁇ , and a hole injection layer 3 was formed.
  • an aluminum complex of 8-xyquinoline (A1q3) was formed in a thickness of 500 angstrom as a luminescent material in the same vacuum evaporation apparatus to a thickness of 500 angstroms to emit light.
  • Injection layer 4 was formed.
  • a 1 Li (10: 1 atomic ratio alloy) was deposited thereon while maintaining the vacuum condition to form a cathode (AIL i layer) 5.
  • the organic EL device had the following characteristics.
  • Example 1 was repeated except that [Compound 11], [Compound 12], [Compound 22], or [Compound 24] was used in place of [Compound 9] as the hole transport material in Example 1.
  • An organic EL device shown in Table 1 was produced in the same manner as described above. It was confirmed that these organic EL devices had the characteristics shown in Table 1. table 1
  • the vacuum rate of the evaporation rate was set by a ULVAC quartz crystal using a resistance heating type vacuum evaporation system.
  • the organic electroluminescence element of the present invention has characteristics excellent in light emission intensity and durability, and thus is useful as a light emitting element in various display devices.

Landscapes

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Description

有機エレク トロルミネッセンス素子
(技術分野） 本発明は、 有機エレク ト口ルミネッセンス素子に関し、 さ らに詳しく は 薄膜エレク トロルミネッセンス素子ディスプレーに用いられる有機エレク 明
トロルミネッセンス素子に関するものである。
田
(背景技術） 電界発光を利用したエレク ト口ルミネッセンス素子 （以下、 E L素子と もいう） は、 自己発光のため視認性が高く、 また完全固体素子であるため 耐衝撃性に優れるなどの特徴を有することから、 各種表示装置における発 光素子として注目されている。 この E L素子には、 無機化合物を用いた無 機 E L素子と有機化合物を用いた有機 E L素子とがあり、 このうち有機 E L素子は、 印加電圧を大幅に低くすることができるので、 次世代の表示素 子としてその実用化研究が積極的になされている。
有機 E L素子は、 発光層を含む有機化合物層と、 この有機化合物層を挟 持する一対の電極から構成され、 具体的には陽極 Z発光層ノ陰極の構成を 基本とし、 これに正孔注入層や電子注入層を適宜設けたもの、 例えば陽極 Z正孔注入層 Z発光層/陰極や、 陽極/正孔注入層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極などの構成のものが知られている。 この正孔注入層は、 陽極から注 入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、 また電子注入層は、 陰極よ り注入された電子を発光層に伝達する機能を有している。 そして、 この正 孔注入層を発光層と陽極間に介在させることによって、 より低い電界で多 くの正孔が発光層に注入され、 さ らに発光層に陰極又は電子注入層より注 入された電子は、 正孔注入層が電子を輸送しないので、 正孔注入層と発光 層との界面に蓄積され、 発光効率が上昇することが知られている。
近年の活発な研究において、 例えば特開平 3- 35083 号公報、 特開平 3- 5 4289 号公報などに発光層内に使用される発光材料として 4 — ( 2 ， 2 ' ージフエ二ルェテニル） _ N， N —ジフエニルベンズァミ ン等のスチリル - ト リ フエニルァミ ン系材料を用いることが記載されている。 しかしなが ら、 これらのエレク ト口ルミネッセンス素子は耐久性に問題があり、 実用 レベルの発光強度及び耐久性に達していない。
したがって、 本発明の目的は、 発光特性と信頼性のいずれにも優れてお り、 実用レベルの耐久性を有する有機 E L素子を提供することにある。
(発明の開示） 本発明者らは、 鋭意検討した結果、 有機 E L素子の有機化合物層中に特 定の ト リ フエニルァミ ン誘導体を含有させることで上記課題を解決できる ことを見いだし、 本発明を完成するに至った。
本発明は、 少なく とも 1 方が透明又は半透明である一対の電極間に少な く とも発光層を含む有機化合物層が介在された有機エレク トロルミネッセ ンス素子において、 有機化合物層の少なく とも 1層が下記一般式 （ 1 ) で 表わされる化合物を含有することを特徴とする有機エレク 卜口ルミネッセ ンス素子である。 また、 本発明は、 有機化合物層を構成する発光層が発光 材料として一般式 （ 1 ) で表わされる化合物を含有してなる有機エレク ト 口ルミネッセンス素子である。 更に、 本発明は、 有機化合物層を構成する 正孔注入層が正孔輸送材料として一般式 （ 1 ) で表わされる化合物を含有 してなる有機エレク トロルミネッセンス素子である。
Figure imgf000005_0001
(式中、 R ' 〜 R , は同一又は異なってもよい、 アルコキシ基、 ァラルキ ル基、 炭素数 1 〜 6のアルキル基、 炭素数 6 〜 2 0のァリール基、 ハロゲ ン原子、 ニ トロ基、 シァノ基又は水素原子を表す。 ただし、 R , と R 2 、 R 3 と R 、 R , と R 。、 R と R 1 2は結合して芳香族環を形成してもよ い。）
以下に、 本発明について詳細に説明する。
本発明の有機 E L素子は、 少なく とも 1方が透明又は半透明である一対 の電極間に有機化合物層である発光層が介在されている。 具体的には、 下 記の構成を例示することができるが、 本発明は下記例示に限定されるもの でなく、 必要に応じて光吸収性拡散層などを介在させることもできるし、 また発光層と電子注入層を同一の層とするようなこともできる。 そして、 一般的な有機 E L素子は下記構成をガラス等の基板上に形成し実用化され る。
陽極/発光層 陰極
陽極/正孔注入層/発光層ノ陰極
陽極 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極
陽極/正孔注入層/発光層/陰極
陽極/正孔注入層/発光層 Z電子注入層/陰極 一対の電極間に挟みこまれた有機化合物層の構成については、 前記した ように特に制限はなく、 一般式 （ 1 ) で表わされる化合物が含有されてい る有機化合物層は、 発光層のみであっても、 正孔注入層又は電子注入層で あっても、 あるいは発光層と正孔注入層及び Z又は電子注入層とであって もよく 、 少なく とも 1層に含有されていればよい。 好ましくは、 正孔注入 層又は発光層に含有されることがよい。
一般式 （ 1 ) で表わされる化合物において、 1^ 1 〜尺 の炭素数 1 〜 6 のアルキル基としては、 置換又は非置換の、 メチル基、 ェチル基、 プロピ ル基、 ト リ フルォロメチル基などが挙げられ、 炭素数 6 〜 2 0のァリール 基としては、 置換又は非置換の、 フエニル基、 ナフチル基、 アン ト リル基、 ビフエ二ル基などが挙げられ、 アルコキシ基としては、 置換又は非置換の、 メ トキシ基、 エトキシ基、 プロポキシ基、 ブトキシ基などが挙げられる。 また、 と R」 、 R , と R ., 、 R , と R 1 U、 R uと R は結合して芳香 族環を形成してもよく、 例えばこれらが結合しているベンゼン環と共に芳 香族環を形成してナフタ レン環を形成してもよい。 好ましい R t 〜 R , 2は、 水素原子、 炭素数 1 〜 6の非置換アルキル基若しく はアルコキシ基、 炭素 数 6 〜 1 2のァリール基又は R > と R 、 R と R , 、 R„ と R ,。、 R■ , と R , が結合して生ずる芳香族環である。
一般式 （ 1 ) で表される化合物の具体例としては、 下記式で表される 〔化 合物 1〕 〜 〔化合物 1 7〕 が挙げられるが、 これらに限定されるものでは ない。 [化合物 1 ]
Figure imgf000007_0001
[化合物 2 ]
Figure imgf000007_0002
[化合物 3 ]
Figure imgf000007_0003
[化合
Figure imgf000008_0001
[化合物 5 ]
[化合物 7 ]
Figure imgf000009_0001
[化合物 8 ]
Figure imgf000009_0002
[化合物 9 ]
P
WO 00/28790
[ィ匕合
Figure imgf000010_0001
[ィ匕合物 1 1 ]
Figure imgf000010_0002
[ィ匕合物 1 2 ]
Figure imgf000010_0003
H3C0 OCH3
[化合物 1 4 ]
Figure imgf000011_0001
[化合物 1 5 ]
Figure imgf000011_0002
[ィ匕合物 1 6 ]
Figure imgf000012_0001
[化合物 1 7 ]
Figure imgf000012_0002
一般式 （ 1 ) で表される化合物は、 例えば次のような方法で製造するこ とができる。 先ず、 下記一般式 （ 2 ) で表される トリ フエニルァミ ン誘導 体に塩化ホスホリルと N, N' ージメチルホルムアミ ド （DM F) を用い て生成させたメチレンイ ミニゥム化合物 （ビルスマイヤ一錯体） を反応さ せるビルスマイヤー反応を行う。 得られた下記一般式 （ 3 ) で表されるジ アルデヒ ド化合物に、 下記一般式 （ 4 ) で表されるジァリールメチルホス ホン酸誘導体を塩基条件下で反応させることにより、 一般式 （ 1 ) で表さ れる化合物を得ることができる。 なお、 一般式 （ 2 ) 〜 （ 4 ) において、 尺， 〜尺 はー般式 （ 1 ) と同じものを表し、 R , 3は炭素数 1〜 6のアル キル基を表す。
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000013_0002
Figure imgf000013_0003
上記一般式 （ 1 ) で表される化合物は、 低電圧で高輝度の発光が可能で 有機 E L素子の発光材料として好適に利用でき、 また優れた正孔輸送能、 電子輸送能を有するので有機 E L素子の正孔輸送材料や電子輸送材料とし て好適に利用できるものである。 そして、 優れた耐熱特性を有することか ら、 一般式 （ 1 ) で表される化合物を有機化合物層に用いた有機 E L素子 の耐久性を著しく向上させることができる。 さ らに、 有機 E L素子以外に も、 優れた正孔輸送能を有することから、 電子写真用感光体に用いられる 電荷輸送剤としても使用することができる。
本発明の有機 E L素子において、 有機化合物層を構成する発光層、 正孔 注入層、 電子注入層等は、 通常、 蒸着法、 スピンコー ト法、 キャス ト法な どにより形成することができ、その膜厚は好ましくは 1 0〜 1 0 0 0 nm、 より好ましく は 2 0〜 2 0 0 nmである。
本発明において、 一対の電極間に挟みこまれた有機化合物層を有する有 機 E L素子は、 通常、 適当な基板上に形成される。 この基板は、 特に限定 されるものではなく、 ソーダガラス、 無蛍光ガラス、 リ ン酸系ガラス、 珪 酸系ガラス等のガラス板、 石英、 アク リル系樹脂、 ポリエチレン、 ポリエ ステル、 シリ コーン系樹脂等のプラスチック板及びプラスチックフィルム 及び金属ホイルなどが用いられる。
陽極材料としては、 仕事関数の大きい金属、 合金、 電気伝導性化合物や これらの混合物などが用いられる。 具体例としては、 金などの金属、 C u I 、 イ ンジウムチンオキサイ ド （ I T〇）、 S n〇 2 、 Z n〇などが挙げら れる。 また、 陰極材料としては、 仕事関数の小さい金属、 合金、 電気伝導 性化合物やこれらの混合物などが用いられる。 具体例としては、 N a、 N a— K合金、 M g、 L i 、 M g _ A g合金、 A 1 ZA 1 〇 2 、 I n、 希土 類金属などが挙げられる。
そして、 上記電極の少なく とも一方が光を取り出すため透明又は半透明 であることが必要であり、 光を取り出す側の透過率を 1 0 %より高くする ことがよい。 また、 電極としてのシー トの抵抗は 1 0 0 ΩΖ口以下が好ま しい。
有機発光層の材料としては、 一般式 （ 1 ) で表される化合物の他に、 例 えばテ トラフエニルブタジエン等の芳香族化合物、 8—ヒ ドロキシキノ リ ンのアルミニウム錯体等の金属錯体、 シクロペン夕ジェン誘導体、 ペリ ノ ン誘導体、 ォキサジオール誘導体、 ビススチリルベンゼン誘導体、 ペリ レ ン誘導体、 クマリ ン化合物、 希土類錯体、 ジスチリルピラジン誘導体、 P —フエ二レン化合物、 チアジアゾロピリ ジン誘導体、 ピロ口ピリ ジン誘導 体、 ナフチリ ジン誘導体等の公知の材料などが用いられる。
また、 正孔注入層に用いられる材料としては、 一般式 （ 1 ) の化合物の 他に、 例えばト リァゾール化合物、 ォキサジァゾール誘導体、 イ ミダゾー ル誘導体、 ポリ アリールアルカン誘導体、 ピラゾリ ン誘導体及びピラゾ口 ン誘導体、 フエ二レンジァミ ン誘導体、 ァリ一ルァミ ン誘導体、 ォキサゾ —ル誘導体、 スチリルアン トラセン誘導体、 フルオレン誘導体、 ヒ ドラゾ ン誘導体、 スチルベン誘導体、 ポルフィ リ ン化合物、 芳香族第 3級ァミ ン 化合物及びスチリルアミ ン化合物、 ブタジエン化合物、 ボリスチレン誘導 体、 ヒ ドラゾン誘導体、 ト リ フエニルメタン誘導体及びテトラフエニルべ ンジジン誘導体などが挙げられる。 好ましく は、 ポルフィ リ ン化合物、 芳 香族第 3級ァミ ン化合物及びスチリルアミ ン化合物である。
電子注入層に用いられる電子輸送能を有する材料としては、 一般式 （ 1 ) の化合物の他に、 例えばニ トロ置換フルオレン誘導体、 チォピランジオキ サイ ド誘導体及びジフエノキノ ン誘導体、 ペリ レンテ トラカルボキシル誘 導体、 アン トラキノジメタン誘導体、 フルォロニリデンメタン誘導体、 ァ ン トロン誘導体、 ォキサジァゾ一ル誘導体、 ペリ ノ ン誘導体、 キノ リ ン錯 体誘導体などを使用することができる。
なお、 有機化合物層を構成する発光層、 正孔注入層、 電子注入層等の耐 熱性を改善するために各層を構成する有機化合物に重合性置換基を導入し 製膜前、 製膜中あるいは製膜後に高分子化させてもよい。
(図面の簡単な説明）
図 1 は、 本発明の有機エレク 卜口ルミネッセンス素子の一例を示す模式 図である。 図中、 1 はガラス基板、 2 は陽極 （ I T O層）、 3は正孔注入層. 4は発光 · 電子注入層、 5は陰極 （A l L i 層） である。
(発明を実施するための最良の形態） 以下に、 合成例、 実施例及び比較例に基づいて本発明の好適な実施の形 態を具体的に説明する。
合成例 1
〔化合物 9〕 の合成
塩化ホスホリル 20. lg を氷冷した N， K ' ージメチルホルムアミ ド （D M F ) 20.2gに滴下し、 メチレンイ ミニゥム化合物 （ビルスマイヤー錯体） を生成させた。このメチレンイミニゥム化合物を含有する反応混合液に N, N ' ージ -P — ト リル- N, N ' -ジ-フエニル—ベンジジンを D M F 30ml に溶解させた溶液を加えた後、 80°Cに加熱、 5 時間反応させた。 その後、 反応混合物を氷水中に投入し、 水酸化ナ ト リゥム水溶液で中和し加水分解 させた。 沈殿を熟成させた後、 濾過、 水洗、 真空乾燥し、 黄土色粉末を得 た。 これをシリカゲルカラムクロマ トグラフィーで精製し、 N , N' ービ ス （ 4 一ホルミルフエニル） 一 N , N ' ージ （ p— トリル） 一ペンジジン
〔化合物 1 8〕 4.1 を得た。
〔化合物 1 8〕 の N M R及びマススペク トルの測定結果は次のとおりで めつ 7こ。
N M R ： ' H (400MHz: CDC13 :27°C) 2.37, s, 6Η:7.0δ, d， 4H(J=8.5H z):7.11, d, 4H(J=8.3Hz):7.18, d, 4H (J=8.3Hz):7.22, d, 4H(J=8.5Hz): 7.53, d, 4H(J=8.8Hz):7.69, d, 4H(J=8.8Hz):9.81, s, 2H
Figure imgf000016_0001
次いで、 〔化合物 1 8〕 5.7g と （ジフエニルメチル） ホスホン酸ジメチ ル 〔Ph2CH - PO(OCH3)2〕 6.1gを D M F 50mlに溶解し、 10°C以下まで冷 却した。 この混合物にカ リウム一 t e r -ブトキシ ド 3.0gを D M F 50ml に溶解した溶液を同温度で滴下し、 その後に氷浴をはずし室温下で 4 時間 撹拌した。 反応混合物を氷水中に投入し析出物を濾過、 水洗、 真空乾燥し た後シリカゲルカラムクロマ トグラフィーにより精製し、 N， N ' —ビス [ 4一 （ 2， 2 —ジフエ二ルェテニル） 一フエニル] 一 N, N ' —ジ （ p — ト リル） 一べンジジン 〔化合物 9〕 4.4gを得た。
〔化合物 9〕 の N M R及びマススぺク トルの測定結果は次のとおりであ つた。
NMR ： ' H (400MHz: CDC13: 27°C) 2.30, s, 6H:6.91〜 6.80,m, 10H: 7.07〜6.98,m， 12H:7.18, d, 4H(J=8.3Hz):7.22, d, 4H(J=8.5Hz):7.53, d,
4H(J=8.8Hz):7.69, d, 4H(J=8.8Hz):9.81, s, 2H
M S : m/z 872(M -1)
[化合物 1 8 ]
Figure imgf000017_0001
合成例 2
〔化合物 1 1〕 の合成
〔化合物 1 8〕 1.4gと 1 一フエ二ルー 1 — (m— ト リル） メチルホス ホン酸ジェチル 〔Ph (m-CH3-Ph)CH - PO(OC2H5)2〕 2.4gを D M F 30m 1に溶解し、 0 °Cに冷却した。 この混合物にカ リ ウム一 t e r -ブトキシ ド 0.9gを DM F 30mlに溶解した溶液を同温度で滴下し、 その後に氷浴 をはずし室温下で 4 時間撹拌した。 反応混合物を氷水中に投入し析出物 を濾過、 水洗、 真空乾燥した後シリカゲルカラムクロマ トグラフィーに より精製し、 N, N ' —ビス [ 4一 （ 2—フエニル一 2— (m— ト リル） ェテニル） 一フエニル] 一 N， K ' ージ （ p — ト リル） 一ベンジジン 〔化 合物 1 1 〕 を得た。
〔化合物 1 1 〕 の N M R及びマススペク トルの測定結果は次のとおりで あった。
NM R ： ' H (400MHz: CDC13: 27 °C) δ 2.31 (s, 9H), 2.33 (s, 3H), 6.79〜6.82 (m,6H), 6.88 (d， J二 10.0Hz，4H), 7.00 (d, J=8.4Hz,4H), 7.0 7 (dd, J=2.8, 5.2Hz， 12H), 7.25 (dd, J=8.4, 2.8Hz, 6H),7.30〜 7.31
(m, 8H), 7.37〜7.39 (d， J=8.4Hz, 4H)
M S : m/z 900(M -1)
合成例 3
〔化合物 1 2〕 の合成
合成例 2の 1 —フエ二ルー 1 — (m_ トリル） メチルホスホン酸ジェ チルに代えて 1 一フエ二ルー 1 — ( p _ トリル） メチルホスホン酸ジェ チル 〔Ph (p-CH3-Ph)CH - PO(OC2H5)2) を使用した以外は、 合成例 2 と同様にして N, N ' —ビス [ 4 — ( 2 —フエ二ルー 2 — （ p — ト リル） ェテニル） 一フェニル] — K， N ' ージ （ p — ト リル） 一べンジジン 〔ィ匕 合物 1 2〕 を合成した。
〔化合物 1 2〕 の N M R及びマススペク トルの測定結果は次のとおりで めつ /こ。
N M R： Ή (400MHz: CDC13: 27 °C ) δ 2,31 (s,6H), 2.34 (s， 3H), 2. 37 (s, 3H), 6.82 (t, J=8.0Hz, 5H)， 6.88 (q, J二 3.2Hz, 3H), 6.91 (s, 1H),7.00 (m, 3H)， 7.05〜7.19 (m， 14H), 7.19 〜7.34 (m, 14H), 7. 39 (m, 4H)
M S : m/z 900(M- -1)
合成例 4
〔化合物 2 2〕 の合成 合成例 2の 1 —フエ二ルー 1 — ( m— 卜 リル） メチルホスホン酸ジェ チルに代えて 1， 1ージ （ p— ト リル） メチルホスホン酸ジェチル 〔（p- CH3-P )2CH - PO(OC2H5)2) を使用した以外は、 合成例 2 と同様にして N , N ' —ビス [ 4一 （ 2， 2—ジ （ p— ト リル） ェテニル） —フエ二 ル] — N , N ' —ジ （ p— トリル） —ベンジジン 〔化合物 2 2〕 を合成 した。
〔化合物 2 2 ] の N M R及びマススぺク トルの測定結果は次のとおりで めつ /こ。
NMR ： 'H (400MHz: CDC13: 27 °C ) δ 2.31 (s, 6H), 2.34 (s, 6H), 2.92(s, 6H), 6.81 〜6·84 (m， 6H), 6.88 (ddd, J=6.4, 2.0, 2.0Hz, 4 H)， 7.01 (ddd, J=6.4， 2.0, 2.0Hz, 4H), 7.04〜7.08 (m,10H), 7.08〜
7.14 (m, 8H),7.16〜7.23 (m, 5H), 7.25 (s, 1H), 7.35 (ddd, J=6.4,
2.0, 2.0Hz, 4H)
M S : m/z 928(M+ -1)
[化合物 2 2 ]
Figure imgf000019_0001
合成例 5
〔化合物 2 4〕 の合成
合成例 2の 1 _フエニル 1 一 （m— ト リル） メチルホスホン酸ジェ チルに代えて 1 —フエニル 1 一 （ p—ビフエ二リル） メチルホスホン 酸ジェチル 〔Ph ( p -Ph-Ph)CH - PO(OC2Hs)2] を使用した以外は、 合 成例 2 と同様にして N， K ' —ビス [ 4 _ ( 2 —フエニル— 2 — （ 4一 フエニルフエニル） ェテニル） 一フエニル] — N, K ' ージ （ p— ト リ ル） —ベンジジン 〔化合物 2 4〕 を合成した。
〔化合物 2 4〕 の N M R及びマススぺク トルの測定結果は次のとおりで めつ こ。
NMR ： · H (400MHz: CDC13: 27 °C ) δ 2.30 (s, 3H), 2.31 (s, 3H), 6.83〜7.07 (m, 21H), 7.25 〜7.43 (m， 24H), 7.52 〜7.60 (m， 9H) M S : m/z 1024(M -1)
[化合物 2 4 ]
Figure imgf000020_0001
実施例 1
図 1 は、 本発明の有機 E L素子の一例を示す模式断面図である。 この有 機 E L素子は次のようにして作製した。
抵抗率 15Ω Z口及び電極面積 2X2mm2の洗浄した陽極 （ I T O層） 2 を付けたガラス基板 1 (ミクロ技研製） の上に、 抵抗加熱方式の真空蒸着 装置により、 蒸着速度をアルバック製の水晶振動子型膜厚コン トローラ一 で制御しながら、 蒸着中の真空度 2〜 3 X l(T7(torr)の条件で I T O層 2の 上に、 正孔輸送材料として 〔化合物 9〕 を 500オングス トロームの膜厚で 形成し、 正孔注入層 3 を形成した。 その上へ、 真空を破らず、 同じ真空蒸 着装置内で発光材料として 8 —才キシキノ リ ンのアルミニウム錯体 （A 1 q 3 ) を膜厚 500オングス トロームの膜厚で形成して発光 '電子注入層 4 を形成した。 更に、 この上に真空条件を維持したまま A 1 L i (10: 1原子 比合金） を蒸着し、 陰極 （A I L i 層） 5 を形成した。
製作した有機 E L素子に外部電源を接続し、直流電圧を印加したところ、 この有機 E L素子は下記の特性を有することが確認された。
発光色 緑色 （Alq3からの発光のみ）
発光開始電圧 + 7 V
最大輝度 9500cd/ m '
輝度 1000cd/m こおける駆動電流密度 ： 43mA/cm 2
実施例 2〜 5
実施例 1 における正孔輸送材料である 〔化合物 9〕 に代えて 〔化合物 1 1〕、 〔化合物 1 2〕、 〔化合物 2 2〕、 又は 〔化合物 2 4〕 を用いた以外 は、 実施例 1 と同様にして表 1 に示す有機 EL素子を作製した。 これら の有機 E L素子は、 表 1 に示す特性を有することが確認された。 表 1
実施例 正孔輸送材料 発光色 発光開 最大輝度 輝度 1000cd/m2
始電圧 (cd/m2) の駆動電流密度
(V) (mA/cm2)
2 [化合物 11] 緑色 7 3600 50
3 [化合物 12] 緑色 7 5850 43
4 [化合物 22] 緑色 7 4500 48
5 [化合物 24] 緑色 7 4950 46 実施例 6 〜 1 0、 比較例 1 〜 2
次に、 これらの正孔輸送材料の耐熱特性を評価した。 それぞれの材料を 実施例 1 に示した同じ方法でガラス基板上に蒸着膜を作製した。 その後、 温度 20°C、 湿度 70 %雰囲気下に蒸着膜を保存し、 目視により薄膜の結晶 化する日数を追跡した。 比較例として、 既知の正孔輸送材料である 〔T P D〕 及び 〔 α— P S〕 についても耐熱特性を評価した。 結果を表 2 に示す。
〔 T P D〕
〔 ひ 一 P S〕
Figure imgf000022_0001
表 2
正孔輸送材料 結晶化した日数
実施例 6 [化合物 9 ] 6 2
実施例 7 [化合物 11 ] 5 8
実施例 8 [化合物 12] 6 0
実施例 9 [化合物 22] 4 8
実施例 1 0 [化合物 24] 6 0
比較例 1 [ T P D ] 0
比較例 2 [ α - P S ] 3 実施例 1 1
〔化合物 9〕 を発光材料に用いた有機 E L素子を次のようにして作製し た。
抵抗率 15 Ω /口及び電極面積 2 X 2mm 2の洗浄した I T 0電極付ガラス 基板 （ミ クロ技研製） の上に、 抵抗加熱方式の真空蒸着装置により、 蒸着 速度をアルバック製の水晶振動子型膜厚コン ト口一ラーで制御しながら、 蒸着中の真空度 2〜3 X 1(T 7(toi'r)の条件で上記 I T O電極付ガラス基板 の I T O層の上に、 正孔輸送材料として 〔T P D〕 を 500オングス トロー ムの膜厚で形成し、 正孔注入層を形成した。 その上へ、 真空を破らず、 同 じ真空蒸着装置内で発光材料として 〔化合物 9〕 を膜厚 500オングス ト口 —ムの膜厚で形成して発光層を形成した。 更にこの上に、 真空条件を維持 したまま A 1 L i (10: 1原子比合金） を蒸着し、 陰極を形成した。 製作し た有機 E L素子に外部電源を接続し、 直流電圧を印加したところ、 電界発 光が確認され、この有機 E L素子は下記の特性を有することが確認された。 発光色 ： 青緑色
発光開始電圧 ： + 13 V
最大輝度 ： 25cdZ m 2
(産業上の利用の可能性） 本発明の有機エレク トロルミネッセンス素子は、 発光強度及び耐久性に 優れた特性を有するため、 各種表示装置における発光素子として有用であ る。

Claims

求 の 範 囲
( 1 ) 少なく とも 1方が透明又は半透明である一対の電極間に少なく と も発光層を含む有機化合物層が介在された有機エレク トロルミネッセンス 素子において、 有機化合物層の少なく と 1 層が下記一般式 （ 1 ) で表わさ れる化合物を含有することを特徴とする有機エレク ト口ルミネッセンス素 ヨロ青
子。
Figure imgf000024_0001
(式中、 アルコキシ基、 ァラルキル基、 炭素数 1 〜 6のァ ルキル基、 炭素数 6 〜 2 0のァリール基、 ハロゲン原子、 ニトロ基、 シァ ノ基又は水素原子を表す。 ただし、 R , 〜 R は同一又は異なってもよく、 また、 と R„ 、 R s と R , 、 R , と R い,、 R ' 1と R , 2は結合して芳香 族環を形成してもよい。）
( 2 ) 有機化合物層を構成する発光層が発光材料として一般式 （ 1 ) で 表わされる化合物を含有してなる請求項 1記載の有機エレク ト口ルミネッ センス素子。
( 3 ) 有機化合物層を構成する正孔注入層が正孔輸送材料として一般式 ( 1 ) で表わされる化合物を含有してなる請求項 1 の有機エレク トロル ネッセンス素子。
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