WO2000070664A1 - Verfahren zum abscheiden einer zweischicht-diffusionsbarriere - Google Patents
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Definitions
- the invention relates to a method for depositing a two-layer diffusion barrier on a semiconductor wafer, preferably consisting of a tantalum nitride (TaN) and an overlying tantalum layer (Ta) as a carrier layer for conductor tracks, in particular copper conductor tracks of wiring levels.
- a semiconductor wafer preferably consisting of a tantalum nitride (TaN) and an overlying tantalum layer (Ta) as a carrier layer for conductor tracks, in particular copper conductor tracks of wiring levels.
- the interconnects of the wiring levels of microelectronic components are usually made of aluminum, but this has limits with regard to the electrical conductivity and the feasible structure widths. For this reason, a new technology for the use of copper for the interconnects was developed, the core of which is the dual damascene - or also inlay concept (D. Edelstein, J. Heidenreich, R. Goldblatt, W. Cote, C. Uzoh, N. Lustig, P. Poper, T. McDevitt,. Motsiff, A. Simon, J. Dukovic, R. achnik, H. Rathore, R. Schulz, L. Su, S. Luce, J. Slattery, IEEE VLSI Tech. Symp . 1997) forms.
- the negative shape of the transition hole and the interconnect is first etched into a planarly deposited silicon oxide layer of the intermetallic dielectric in a first step.
- a barrier and a copper start layer are deposited by sputtering.
- the copper start layer can be deposited electrochemically, or by Cu-PVD (Physical Vapor Deposition) or CVD (Chemical Vapor Deposition).
- the entire negative mold is then electrochemically filled with copper at a low temperature. Since a completely flat surface is required for the further layer structure on the semiconductor wafer, the excess copper is then removed by chemical mechanical polishing (CMP), so that the transition holes and the interconnects remain in the silicon oxide.
- CMP chemical mechanical polishing
- Such two-layer systems are usually deposited in a PVD chamber at fixed temperatures.
- the temperature used here is above 200 ° C., the deposition having such a high temperature having the disadvantage that the silicon wafer on which the barrier was deposited then subsequently drops to a temperature below 50 ° C must be cooled.
- the reason for this can be seen in the fact that the deposition of a copper starting layer must take place at low temperatures in order to ensure that a conformal, gapless copper film is formed and that the copper does not agglomerate.
- the required cooling of the silicon wafer means that a great deal of time is lost, which either limits the throughput of the sputtering system or increases the cost of the system by means of an additional cooling chamber.
- a process control is currently provided for the deposition of a diffusion barrier or seed deposition, in which the semiconductor wafer is pretreated in a degas or tempering step at> 100 ° C. and then in a preclean step with argon at 250 ° C.-300 ° C. Immediately afterwards, the TaN layer and subsequently the Ta layer are sputtered at approximately 250 ° C. Since the deposition of Cu must take place at low temperatures, the semiconductor wafer is cooled to 50 ° -25 ° C. in a further process step. This cooling process can also take place in a separate cooling chamber. A copper start layer can then be deposited at 25 ° C.
- the invention is therefore based on the object of providing a method for depositing a two-layer diffusion barrier on a semiconductor wafer, in which, with the quality of the layer deposition remaining the same, significant time savings can be achieved without additional system costs.
- the object on which the invention is based is achieved in a method of the type mentioned at the outset in that the deposition of the two-layer diffusion barrier takes place in a two-step process in which the TaN layer and subsequently the Ta layer are added in the first step at a high temperature of the semiconductor wafer a low temperature in the range of RT is made.
- the semiconductor wafer can first be treated with a degas or tempering step before the two-layer diffusion barrier is removed to remove adsorbates, and the metal oxide layer in the bottom of transition holes in a lower metal path exposed there can also be removed in a subsequent preclean step by a physical sputtering effect become.
- the high-temperature deposition of the TaN layer is preferably carried out at more than 200 ° C. and the low-temperature deposition of the Ta layer at less than 50 ° C., for example at 25 ° C.
- the Ta layer is deposited in a development of the invention while the semiconductor wafer is cooling to below 50 ° C.
- a further development of the invention is characterized in that the deposition of the TaN and Ta layers is carried out in a PVD deposition system, the deposition of the TaN layer taking place in a nitrogen atmosphere.
- the deposition of the TaN and Ta layers is carried out in the same PVD chamber in that the semiconductor wafer after the degas and preclean step with the wafer temperature of 200 to 300 ° C. reached in the
- the PVD chamber is placed on an electro static chuck (ESC) at a temperature of approx. 25 ° C without chucking, the TaN layer is deposited in the nitrogen atmosphere and, after the TaN layer has been separated, the excess nitrogen is pumped off.
- the semiconductor wafer is then chucked on the ESC and the Ta layer is deposited in a low-nitrogen atmosphere during the cooling to the low temperature.
- ESC electro static chuck
- the semiconductor wafer in a special variant of the invention after the degas and preclean step with the wafer temperature of 200 to 300 ° C. achieved in the first PVD chamber on an electro static heated to approx. 250 to 300 ° C.
- Chuck (ESC) deposited and chucked and then deposited the TaN layer in the nitrogen atmosphere.
- the semiconductor wafer is then chucked in a second PVD chamber on an ESC tempered to less than 50 ° C., and the Ta layer is deposited while the semiconductor wafer is cooling to the chuck temperature.
- a further embodiment of the invention provides that the semiconductor wafer coated with the TaN and Ta layers immediately afterwards in one Cu-PVD chamber is coated with a copper start layer.
- a major advantage of the method according to the invention for depositing a two-layer barrier from TaN and Ta can be seen in the fact that the deposition of both layers can be carried out in a substantially shorter time, the total layer resistance or its morphology compared to a complete deposition of both layers at 250 ° C hardly differs.
- the method according to the invention is not only limited to the use for producing diffusion barriers for copper metallization, but is generally suitable for the formation of diffusion layers which are intended to prevent diffusion of, in particular, metals.
- metals are, for example, platinum, aluminum or tungsten.
- the invention will be explained in more detail below with the aid of two exemplary embodiments. The fundamental difference between the two exemplary embodiments is that in the first exemplary embodiment the TaN and Ta layers are deposited in the same PVD chamber, whereas in the second exemplary embodiment the deposition takes place in two separate PVD chambers.
- the semiconductor wafer has initially been pretreated with Degas and Preclean as standard.
- Degas and Preclean as standard.
- adsorbates are first detached from the surface of the pane at approx. 300 ° C in a vacuum.
- a physical sputtering effect removes the metal oxide layer from the exposed lower metal interconnect in the bottom of the transition holes in order to achieve the lowest possible contact resistance.
- the silicon wafer already has a wafer temperature of 250 to 300 ° C.
- the semiconductor wafer is now fed into the PVD chamber, the electro static chuck (ESC) of which is at a temperature below
- the TaN layer must be deposited at more than 200 ° C., the semiconductor wafer is not chucked on the ESC, so that there is no strong thermal coupling between the semiconductor wafer and the chuck.
- This is followed by the deposition of a thin TaN layer with a thickness of a few 10 nm in a nitrogen atmosphere (a few mT N2). Since the wafer temperature is still between 250 and 300 ° C and the wafer temperature can increase due to the TaN deposition the deposition of the TaN layer with the desired one
- the Ta layer is deposited with a sputter output of a few kW depending on the chamber type.
- the advantage of this method can be seen in the fact that after the Ta deposition the semiconductor wafer already has the low temperature below 50 ° C. required for the copper deposition, without additional cooling processes being necessary.
- the cold silicon wafer coated with TaN and Ta can then be transferred immediately into a Cu-PVD or CVD chamber, in which a copper starting layer is then first deposited.
- the TaN and Ta layers are deposited in separate PVD chambers.
- the semiconductor wafer is also pretreated as described by Degas and Preclean, the semiconductor wafer moving with the wafer temperature of 250 to 300 ° C. achieved in these process steps into the first PVD chamber and there on one ESC watched.
- This ESC is tempered at a temperature of approx. 250 to 300 ° C.
- the semiconductor wafer thus remains controlled at a temperature of 250 to 300 ° C., so that the TaN layer, which is a few 10 nm thick, can be deposited in a nitrogen atmosphere.
- the semiconductor wafer is guided into the next PVD chamber, the chuck of which has a temperature of less than 50 ° C.
- the semiconductor wafer chucked on the ESC.
- the Ta layer which is also some 10 nm thick, is deposited. Since the semiconductor wafer already has the low temperature required for the subsequent copper deposition after the Ta deposition, the half conductor wafers are transferred directly to the deposition of the Ta layer in the Cu-PVD or CVD chamber and the copper starting layer is deposited immediately.
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden einer Zweischicht-Diffusionsbarriere auf einem Halbleiterwafer aus einer TaN- und einer Ta-Schicht als Trägerschicht für Kupferleitbahnen. Erfindungsgemäss erfolgt die Abscheidung der TaN-Schicht bei Temperaturen von über 200 DEG C in einem ersten Schritt und die Abscheidung der Ta-Schicht in einem zweiten Schritt während der Abkühlung des Halbleiterwafers und unter 50 DEG C.
Description
Beschreibung
VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER ZWEISCHICHT-DIFFUSIONSBARRIERE
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden einer Zweischicht-Diffusionsbarriere auf einem Halbleiterwafer, vorzugsweise bestehend aus einer Tantal-Nitrid- (TaN) und einer darüber befindlichen Tantalschicht (Ta) als Trägerschicht für Leiterbahnen, insbesondere Kupferleitbahnen von Verdrah- tungsebenen.
Üblicherweise bestehen Leitbahnen von Verdrahtungsebenen mikroelektronischer Bausteine aus Aluminium, was jedoch hinsichtlich der elektrischen Leitfähigkeit und der realisierba- ren Strukturbreiten Grenzen besitzt. Aus diesem Grund wurde eine neue Technologie zum Einsatz von Kupfer für die Leitbahnen entwickelt, deren Kernstück das Dual Damascene - oder auch Inlett- Konzept (D. Edelstein, J. Heidenreich, R. Goldblatt, W. Cote, C. Uzoh, N. Lustig, P. Poper, T. McDevitt, . Motsiff, A. Simon, J. Dukovic, R. achnik, H. Rathore, R. Schulz, L. Su, S. Luce, J. Slattery, IEEE VLSI Tech. Symp. 1997) bildet. Bei dieser Technologie wird in einem ersten Schritt zunächst die Negativform des Übergangsloches und der Leitbahn in eine planar abgeschiedene Siliziumoxidschicht des intermetallischen Dielektrikums geätzt. In diese Negativform wird durch Sputtern eine Barriere und eine Kupferstartschicht abgeschieden. Die Kupferstartschicht kann elektrochemisch, oder durch Cu-PVD (Physical Vapour Deposition) oder CVD (Chemical Vapour Deposition) abgeschieden werden. Danach wird die gesamte Negativform bei einer niedrigen Temperatur elektrochemisch mit Kupfer aufgefüllt. Da für den weiteren Schichtaufbau auf dem Halbleiterwafer eine vollkommen ebene Oberfläche notwendig ist, wird anschließend das überflüssige Kupfer durch chemisch mechanisches Polieren (CMP) entfernt, so daß die Übergangslöcher und die Leitbahnen im Siliziumoxid zurückbleibe .
Die Verwendung von Kupfer anstelle von Aluminium für die Leitbahnen macht es notwendig, daß das Kupfer vollständig durch entsprechende Barrieren eingekapselt wird, um zu vermeiden, daß Kupfer in Silizium oder auch in das intermetalli- sehe Siliziumoxid eindiffundiert.
Als Diffusionsbarrieren gegenüber dem Siliziumoxid sind derzeit vor allem Einschichtsysteme aus Titannitrid, Tantal und Tantalnitrid bekannt geworden (P. Ding, T. Chiang, R. Tao, B. Sun, I. Hashim, T. Yao, L. Chen, G. Yao, B. Chin, R. Mosley, Z. Xu, F. Chen; Conference Proceedings VMIC Conference, June 10-12, 1997) .
Zur Minimierung des Schichtwiderstandes der gesamten Barrie- reschicht und damit der Minimierung des Übergangslochwiderstandes bzw. der Optimierung der Barriere-Festigkeit durch das Ausnutzen von insgesamt vorteilhaften morphologischen Eigenschaften des Barriereaufbaus wurde auch versucht, ein Zweischichtsystem z.B. aus Titannitrid/Tantal als Barriere zu verwenden, wie dies beispielsweise aus der europäischen Patentanmeldung EP 0 751 566 A2 hervorgeht. Im Fall der Verwendung eines Zweischichtsystemes aus TaN/Ta läßt sich neben der erhöhten Barrierefestigkeit durch eine dünne TaN-Schicht unter der Tantalschicht die niederohmige a-Phase des Tantals schon bei Temperaturen um 200°C herstellen. Eine solche Tantalschicht läßt sich ansonsten nur bei nicht akzeptabel hohen Abscheidetemperaturen von über 400°C realisieren. Ein weiterer Vorteil dieser Zweischichtbarriere ist darin zu sehen, daß gegenüber dem Siliziumoxid und auch gegenüber dem Kupfer eine optimierte Haftung erreicht werden kann.
Derartige Zweischichtsysteme werden in der Regel in einer PVD-Kammer bei fest vorgegebenen Temperaturen abgeschieden. Die dabei zum Einsatz kommende Temperatur liegt über 200°C, wobei die Abscheidung bei einer derart hohen Temperatur den Nachteil hat, daß der Siliziumwafer, auf dem die Barriere abgeschieden wurde, anschließend auf eine Temperatur auf unter
50°C abgekühlt werden muß, Der Grund ist darin zu sehen, daß die Abscheidung einer Kupferstartschicht bei tiefen Temperaturen erfolgen muß, um zu erreichen, daß sich ein konformer, lückenloser Kupferfilm ausbildet und daß das Kupfer nicht ag- glomeriert. Durch die erforderliche Abkühlung des Siliziumwa- fers geht sehr viel Zeit verloren, die entweder den Durchsatz der Sputteranlage beschränkt, oder durch eine zusätzliche Kühlkammer die Kosten der Anlage erhöht.
Derzeit ist zur Abscheidung einer Diffusionsbarriere- bzw. Seed-Abscheidung eine Prozeßführung vorgesehen, bei welcher der Halbleiterwafer in einem Degas- bzw. Temperschritt bei > 100°C und anschließend in einem Precleanschritt mit Argon bei 250°C-300°C vorbehandelt wird. Unmittelbar daran anschließend wird die TaN-Schicht und nachfolgend die Ta-Schicht bei ca. 250°C gesputtert. Da die Abscheidung von Cu bei niedrigen Temperaturen erfolgen muß, wird der Halbleiterwafer in einem weiteren Prozeßschritt auf 50°-25°C abgekühlt. Dieser Abkühlvorgang kann auch in einer separaten Abkühlkammer erfolgen. Anschließend daran kann eine Kupferstartschicht bei 25°C abgeschieden werden.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Abscheiden einer Zweischicht-Diffusionsbarriere auf einem Halbleiterwafer zu schaffen, bei dem bei gleichbleibender Qualität der Schichtabscheidung eine deutliche Zeiteinsparung ohne zusätzliche Anlagenkosten erreicht werden kann.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabenstellung wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß die Abscheidung der Zweischicht-Diffusionsbarriere in einem Zweischrittprozeß erfolgt, bei dem im ersten Schritt bei einer hohen Temperatur des Halbleiterwafers die TaN-Schicht und nachfolgend die Ta-Schicht bei einer niedrigen Temperatur im Bereich der RT vorgenommen wird.
Gegebenenfalls kann der Halbleiterwafer vor Abscheiden der Zweischicht-Diffusionsbarriere zur Entfernung von Adsorbaten zunächst mit einem Degas- bzw. Temperschritt behandelt werden, sowie weiterhin die im Boden von Übergangslöchern befindliche Metalloxidschicht einer dort freiliegenden unteren Metallbahn in einem nachfolgenden Preclean-Schritt durch einen physikalischen Sputtereffekt entfernt werden.
Die Hochtemperaturabscheidung der TaN-Schicht wird bevorzugt bei mehr als 200°C und die Niedrigtemperaturabscheidung der Ta-Schicht bei weniger als 50°C, beispielsweise bei 25°C, vorgenommen.
Um die Zweischichtabscheidung besonders zeitoptimiert vornehmen zu können, erfolgt die Abscheidung der Ta-Schicht in Fortbildung der Erfindung während der Abkühlung des Halblei- terwafers auf unter 50°C.
Eine weitere Fortbildung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Abscheidung der TaN- und der Ta-Schicht in einer PVD-Abscheideanlage vorgenommen wird, wobei die Abscheidung der TaN-Schicht in einer Stickstoffatmosphäre erfolgt.
In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird die Abscheidung der TaN- und der Ta-Schicht in der gleichen PVD-Kammer vorgenommen, indem der Halbleiterwafer nach dem Degas- und Preclean-Schritt mit der dabei erreichten Scheibentemperatur von 200 bis 300°C in der PVD-Kammer auf einem auf ca. 25°C temperierten Electro Static Chuck (ESC) ohne zu chucken abgelegt und die TaN-Schicht in der Stick- stoffatmosphäre abgeschieden und nach erfolgter Abscheidung der TaN-Schicht der überschüssige Stickstoff abgepumpt wird. Anschließend wird der Halbleiterwafer auf dem ESC gechuckt und die Ta-Schicht in einer Stickstoffarmen Atmosphäre während der Abkühlung auf die niedrige Temperatur abgeschieden.
Anstelle der Zweischicht-Abscheidung der Diffusionsbarriere in einer PVD-Kammer, besteht auch die Möglichkeit, die TaN- und die Ta-Schicht in getrennten PVD-Kammern abzuscheiden. Zu diesem Zweck wird der Halbleiterwafer in einer besonderen Variante der Erfindung nach dem Degas- und Preclean-Schritt mit der dabei erreichten Scheibentemperatur von 200 bis 300°C in der ersten PVD-Kammer auf einem auf ca. 250 bis 300°C temperierten Electro Static Chuck (ESC) abgelegt und gechuckt und nachfolgend die TaN-Schicht in der Stickstoffatmosphäre abgeschieden. Anschließend wird der Halbleiterwafer in einer zweiten PVD-Kammer auf einem auf weniger als 50°C temperierten ESC gechuckt und während der Abkühlung des Halbleiterwa- fers auf die Chucktemperatur die Ta-Schicht abgeschieden.
Da der Halbleiterwafer nach der Abscheidung der zweiten Bar- riereschicht bereits die für die Abscheidung einer Kupfer- startschicht niedrige Temperatur aufweist, sieht eine weitere Ausgestaltung der Erfindung vor, daß der mit den TaN- und Ta- Schichten beschichtete Halbleiterwafer unmittelbar in Anschluß daran in einer Cu-PVD-Kammer mit einer Kupferstartschicht beschichtet wird.
Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Abscheiden einer Zweischichtbarriere aus TaN und Ta ist darin zu sehen, daß die Abscheidung beider Schichten in einer wesentlichen kürzeren Zeit vorgenommen werden kann, wobei sich der Gesamtschichtwiderstand bzw. deren Morphologie gegenüber einer kompletten Abscheidung beider Schichten bei 250°C kaum unterscheidet.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist nicht nur auf die Verwendung zur Herstellung von Diffusionsbarrieren für eine Kupfer- metallisierung beschränkt, sondern eignet sich generell für die Bildung von Diffusionsschichten, die eine Diffusion von insbesondere Metallen verhindern soll. Derartige Metalle sind beispielsweise auch Platin, Aluminium oder Wolfram.
Nachfolgend soll die Erfindung anhand von zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Der grundsätzliche Unterschied zwischen beiden Ausführungsbeispielen ist darin zu se- hen, daß im ersten Ausführungsbeispiel die Abscheidung der TaN- und Ta-Schicht in der gleichen PVD-Kammer erfolgt, wohingegen im zweiten Ausführungsbeispiel die Abscheidung in zwei getrennten PVD-Kammern erfolgt.
Bei der Abscheidung der TaN- und der Ta-Schicht in einer PVD- Kammer wird davon ausgegangen, daß der Halbleiterwafer zunächst standardmäßig mit Degas und Preclean vorbehandelt worden ist. Mit dem Degas oder Temperschritt werden bei ca. 300°C im Vakuum zunächst Adsorbate von der Scheibenoberfläche abgelöst. Bei dem anschließenden Preclean-Schritt wird durch einen physikalischen Sputtereffekt gezielt im Boden der Übergangslöcher die Metalloxidschicht der freiliegenden unteren Metalleitbahn entfernt, um einen möglichst geringen Übergangswiderstand zu erreichen.
Nach diesen beiden Prozeßschritten besitzt das Siliziumwafer bereits eine Scheibentemperatur von 250 bis 300°C.
Der Halbleiterwafer wird nun in die PVD-Kammer geführt, de- ren Electro Static Chuck (ESC) auf eine Temperatur unter
50°C, bevorzugt unter 25°C temperiert ist. Da jedoch die Ab- scheidung der TaN-Schicht bei mehr als 200°C erfolgen muß, wird der Halbleiterwafer auf dem ESC nicht gechuckt, so daß zwischen dem Halbleiterwafer und dem Chuck keine starke ther- mische Kopplung besteht. Anschließend daran erfolgt in einer Stickstoffatmosphäre (einige mT N2) die Abscheidung einer dünnen TaN-Schicht mit einer Stärke von einigen 10 nm. Da die Scheibentemperatur noch bei 250 bis 300°C liegt und durch die TaN-AbScheidung die Scheibentemperatur noch ansteigen kann, findet die Abscheidung der TaN-Schicht mit der gewünschten
Morphologie bei der erforderlichen Temperatur statt. Nach der Abscheidung der TaN-Schicht wird der überschüssige Stickstoff
aus der PVD-Kammer abgepumpt und gleichzeitig der Halbleiterwafer auf dem ESC gechuckt. Dadurch wird zwischen dem Halbleiterwafer und dem Chuck ein guter thermischer Kontakt hergestellt, so daß unmittelbar damit die Abkühlung der Scheibe einsetzt. Nun wird die Ta-Schicht mit einer Sputterleistung von einigen kW je nach Kammertyp abgeschieden. Der Vorteil dieses Verfahrens ist darin zu sehen, daß der Halbleiterwafer nach der Ta-Abscheidung bereits die für die Kupferabscheidung benötigte tiefe Temperatur unter 50°C aufweist, ohne daß zu- sätzliche Abkühlvorgänge erforderlich wären. Damit kann das kalte und mit TaN- und Ta-beschichtete Siliziumwafer unmittelbar anschließend in eine Cu-PVD- oder CVD-Kammer überführt werden, in der dann zunächst eine Kupferstartschicht abgeschieden wird.
Im zweiten nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiel erfolgt das Abscheiden der TaN- und der Ta-Schicht in getrennten PVD-Kammern. Auch bei der Verwendung von zwei PVD-Kammern erfolgt die Vorbehandlung des Halbleiterwafers wie beschrie- ben durch Degas und Preclean, wobei der Halbleiterwafer mit der bei diesem Prozeßschritten erreichten Scheibentemperatur von 250 bis 300 °C in die erste PVD-Kammer bewegt und dort auf einem ESC gechuckt. Dieser ESC ist auf einer Temperatur von ca. 250 bis 300°C temperiert. Der Halbleiterwafer bleibt so- mit kontrolliert auf einer Temperatur von 250 bis 300°C, so daß die wenige 10 nm dicke TaN-Schicht in einer Stickstoffatmosphäre abgeschieden werden kann. Anschließend daran wird der Halbleiterwafer in die nächste PVD-Kammer geführt, deren Chuck eine Temperatur von weniger als 50°C aufweist und der Halbleiterwafer auf dem ESC gechuckt. Dabei besteht ein guter thermischer Kontakt zwischen dem ESC und dem Halbleiterwafer, so daß mit dem Chucken die Abkühlung des Halbleiterwafers auf die Chucktemperatur beginnt. Gleichzeitig zum Abkühlen des Halbleiterwafers wird die ebenfalls einige 10 nm dicke Ta- Schicht abgeschieden. Da der Halbleiterwafer nach der Ta- Abscheidung bereits die für die nachfolgende Kupferabscheidung erforderliche tiefe Temperatur aufweist, kann der Halb-
leiterwafer unmittelbar an die Abscheidung der Ta-Schicht in die Cu-PVD- oder CVD-Kammer überführt werden und sofort die Kupferstartschicht abgeschieden werden.
Claims
1. Verfahren zum Abscheiden einer Zweischicht- Diffusionsbarriere auf einem Halbleiterwafer, vorzugswei- se bestehend aus einer Tantal-Nitrid- (TaN) und einer darüber befindlichen Tantalschicht (Ta) als Trägerschicht für Leiterbahnen, insbesondere Kupferleitbahnen, von Verdrahtungsebenen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Abscheidung der Zweischicht- Diffusionsbarriere in einem Zweischrittprozeß erfolgt, bei dem im ersten Schritt bei einer hohen Temperatur des Halbleiterwafers die TaN-Schicht und nachfolgend die Ta- Schicht bei einer bei einer niedrigen Temperatur im Bereich der RT vorgenommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Hochtemperaturabscheidung der TaN-Schicht bei mehr als 200°C und die Niedrig- temperaturabscheidung der Ta-Schicht bei weniger als 50°C vorgenommen wird.
3. Verfahren nach -Anspruch 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Niedrigtemperaturabscheidung bei ca 25°C erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Abscheidung der Ta- Schicht während der Abkühlung des Halbleiterwafers auf unter 50 °C vorgenommen wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß die Abscheidung der TaN- und der Ta-Schicht in einer PVD-Abscheideanlage vorgenommen wird, wobei die Abscheidung der TaN-Schicht in einer Stickstoffatmosphäre erfolgt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Abscheidung der TaN- und der Ta-Schicht in der gleichen PVD-Kammer vorgenommen wird, indem der Halbleiterwafer nach einem Degas- und Preclean-Schritt mit der dabei erreichten Scheibentemperatur von 200 - 300 °C in der PVD-Kammer auf einem auf ca. 25°C temperierten Electro Static Chuck (ESC) ohne zu chucken abgelegt und die TaN-Schicht in der Stickstoffatmosphäre abgeschieden und nach erfolgter Abscheidung der TaN-Schicht der überschüssige Stickstoff abgepumpt wird, anschließend wird der Halbleiterwafer auf dem ESC gechuckt und die Ta-Schicht in einer Stickstoffarmen Atmosphäre während der Abkühlung auf die niedrige Temperatur abgeschieden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Abscheidung der TaN- Schicht -in einer ersten PVD-Kammer erfolgt, indem der Halbleiterwafer nach dem Degas- und Preclean-Schritt mit der dabei erreichten Scheibentemperatur von 200 - 300°C in der ersten PVD-Kammer auf einem auf ca. 250 - 300°C temperierten Electro Static Chuck (ESC) abgelegt und gechuckt wird und nachfolgend die TaN-Schicht in der Stickstoffatmosphäre abgeschieden wird, daß der Halbleiterwa- fer anschließend in einer zweiten PVD-Kammer auf einem auf weniger als 50°C temperierten ESC gechuckt wird und daß während der Abkühlung des Halbleiterwafers auf die Chucktemperatur die Ta-Schicht abgeschieden wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der eine niedrige Temperatur aufweisende mit den TaN- und Ta-Schichten beschichtete Halbleiterwafer in einer CU-PVD- oder CVD-Kammer mit einer Kupferstartschicht beschichtet wird.
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