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WO1999065023A1 - Spektral selektive schicht und optisches bauelement hierfür - Google Patents

Spektral selektive schicht und optisches bauelement hierfür Download PDF

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WO1999065023A1
WO1999065023A1 PCT/CH1999/000233 CH9900233W WO9965023A1 WO 1999065023 A1 WO1999065023 A1 WO 1999065023A1 CH 9900233 W CH9900233 W CH 9900233W WO 9965023 A1 WO9965023 A1 WO 9965023A1
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Definitions

  • the present invention is based on the requirements for optical data memories, in which information is provided in two levels, each by local modulation of reflection-determining physical quantities.
  • optical data storage media such as optical CDs, DVDs, hybrid discs or super audio discs with a high information packing density, are used in two technologies.
  • laser light of a wavelength is reflected at the first level in accordance with the information modulated there. Part of this light is transmitted to the second level and only reflected there according to the information modulated there.
  • laser light of two predetermined wavelengths is directed onto the memory.
  • the light of one wavelength is largely reflected at the first level, correspondingly modulated, while the light of the second wavelength is largely transmitted there and is only reflected at a second level in accordance with the information modulated there.
  • the present invention relates to the second-mentioned technique.
  • hybrid discs or super audio discs for example, are that laser light with a wavelength of 650 nm must be reflected at 18 to 30% on the first level, whereas light of the second wavelength, at 780 nm, must be reflected at least 90% is transmitted at this level in order to finally emerge again reflected on a further level with at least 65 to 70% intensity.
  • this layer should be inexpensive to produce, using customary vacuum coating methods, in particular by means of reactive or non-reactive sputter coating, and the layer material should be relatively inexpensive.
  • a spectrally selective layer is at least predominantly made of the material
  • germanium as a relatively inexpensive semiconductor material in the spectral range between 600 nm and 800 nm, has a sharp absorption edge of its absorption behavior. This absorption edge causes a change in the refractive index in the range from 600 nm to 800 nm.
  • the significantly higher refractive index at the shorter wavelength results in a sufficiently high reflection even with thin layers (approx. 10 - 30 nm), while the reflection decreases sharply at longer wavelengths.
  • a suitable choice of x and y ensures that the absorption edge is not noticeable at the longer wavelength. The result is that light from the lower region or spectral band of the spectral range mentioned is to be reflected on the layer and light from the upper spectral band is to be transmitted through the layer. Since the absorption of pure germanium in the upper band of the specified spectral range is too high, it is proposed to reduce this by providing an Si (1.
  • the layer according to the invention is used in particular for spectrally selective use with light wavelengths of 650 nm ⁇ 10% and 780 nm ⁇ 10%.
  • Silicon and germanium can be alloyed in any way, so that sputtering targets for depositing the layer according to the invention can be produced inexpensively.
  • sputtering silicon / germanium alloy targets in a hydrogen-containing atmosphere selecting the stoichiometric dimension x mentioned on the alloy and the hydrogen partial pressure in the sputtering atmosphere, the deposited layer is trimmed for the spectrally different wavelengths to be treated.
  • an optical component in particular a storage element with information storage in two levels, with the spectrally selective layer according to the invention is proposed.
  • the layer mentioned is on both sides of the same material, in particular of polycarbonate.
  • the layer according to the invention is particularly suitable for CD, DVD, hybrid disc or super audio disc memory elements, a reflection layer, preferably a metal layer, being provided at a distance from the aforementioned layer according to the invention.
  • an optical storage element of the type mentioned according to the invention comprises a 0.6 mm thick polycarbonate layer 1, the spectrally selective layer 3 according to the invention, followed by a further, approximately 0.6 mm thick polycarbonate layer 5 and a reflection layer 7, preferably a metal layer, such as an aluminum or Ag layer.
  • a reflection corresponding to S 0 within the required specification of over 18% was achieved at 650 nm, as was an intensity of the beam S x at 780 nm over 70%.

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

Auf eine Polycarbonat-Lage (1) ist eine spektral selektive Schicht (3) abgelegt, gefolgt von einer weiteren Polycarbonat-Lage (5) sowie einer Reflexionsschicht (7). Die spektral selektive Schicht (3) reflektiert überwiegend im unteren Bereich des Spektralbereiches von 600 nm bis 800 nm und transmittiert Licht vorwiegend im oberen und besteht mindestens überwiegend aus SiGeH.

Description

Spektral selektive Schicht und optisches Bauelement hierfür
Die vorliegende Erfindung geht aus von den Bedürfnissen an optischen Datenspeichern, bei denen in zwei Ebenen Information vorgesehen ist, je durch örtliche Modulation Reflexions-bestim- mender physikalischer Grossen. Solche optischen Datenspeicher, wie optische CD, DVD, Hybriddiscs oder Super Audio Discs mit hoher Informationspackungsdichte werden in zwei Technologien eingesetzt. Bei der einen, auf welche in der EP-A-0 762 406 ausführlich eingegangen wird, wird Laserlicht einer Wellenlänge an der ersten Ebene entsprechend der dort aufmodulierten Information reflektiert. Ein Teil dieses Lichtes wird zur zweiten Ebene transmittiert und erst dort entsprechend der dort aufmodulierten Information reflektiert. Bei der zweiten Technik wird Laserlicht zweier vorgegebener Wellenlängen auf den Speicher gerichtet. Das Licht der einen Wellenlänge wird an der ersten Ebene, entsprechend moduliert, weitestgehend reflektiert, während das Licht der zweiten Wellenlänge dort weitestgehend transmittiert wird und erst in einer zweiten Ebene entsprechend der dort aufmodulierten Information reflektiert wird. Die vor- liegende Erfindung betrifft die zweiterwähnte Technik.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine spektral selektive Schicht zu finden, welche Licht jeweils aus dem unteren und dem oberen Spektralbereich von 600 nm bis 800 nm, den Anforderungen bei optischen Datenspeichern genügend, selektiv re- flektiert bzw. transmittiert.
Die Anforderungen beispielsweise bei Hybriddiscs oder Super Audio Discs sind, dass Laserlicht der Wellenlänge 650 nm an der ersten Ebene zu 18 bis 30 % reflektiert werden muss, hingegen Licht der zweiten Wellenlänge, bei 780 nm, zu mindestens 90 % an dieser Ebene transmittiert wird, um schliesslich an einer weiteren Ebene reflektiert mit mindestens 65 bis 70 % Intensität wieder auszutreten.
Im weiteren soll aufgabengemäss diese Schicht preisgünstig her- stellbar sein, mit üblichen Vakuumbeschichtungsverfahren, insbesondere mittels reaktivem oder nicht-reaktivem Sputterbe- schichten, und das Schichtmaterial soll relativ preisgünstig sein. Erfindungsgemäss wird eine solche spektral selektive Schicht mindestens überwiegend aus dem Material
Si(1.x)Ge(x)Hy
mit
0,1 < x < 0,9,
0 < y < 0,5
realisiert .
Dabei wird von der Erkenntnis ausgegangen, dass Germanium als relativ preisgünstiges Halbleitermaterial im Spektralbereich zwischen 600 nm und 800 nm eine scharfe Absorptionskante seines Absorptionsverhaltens aufweist. Diese Absorptionskante bewirkt eine Änderung des Brechungsindex im Bereich von 600 nm bis 800 nm.
Der bei der kürzeren Wellenlänge deutlich erhöhte Brechungsindex ergibt selbst bei dünnen Schichten (ca. 10 - 30 nm) eine genügend hohe Reflexion, während bei längeren Wellenlängen die Reflexion stark abnimmt. Durch geeignete Wahl von x und y wird gewährleistet, dass sich die Absorptionskante bei der längeren Wellenlänge nicht störend bemerkbar macht. Damit ergibt sich, dass Licht aus dem unteren Bereich bzw. Spektralband des erwähnten Spektralbereiches an der Schicht zu reflektieren ist und Licht aus dem oberen Spektralband durch die Schicht zu transmittieren ist. Da die Absorption von reinem Germanium im oberen Band des angegebenen Spektralbereiches zu hoch ist, wird vorgeschlagen, diese durch Vorsehen einer Si(1.x) Ge(x) -Legierung zu reduzieren, dabei die spektralen Verhältnisse für die spezifisch gewählten Lichtwellenlängen durch Variation des Stöchiometriemasses x einzustellen. Eine weitere Reduktion der Absorption, sei dies an Germanium oder sei dies an der Si- Ge-Legierung, wird vorzugsweise durch Beifügen von Wasserstoff erreicht .
Die erfindungsgemässe Schicht wird insbesondere für den spektral selektiven Einsatz mit Lichtwellenlängen von 650 nm ± 10 % und 780 nm ± 10 % eingesetzt. Silizium und Germanium können beliebig legiert werden, womit sich Sputtertargets für das Ablegen der erfindungsgemässen Schicht kostengünstig herstellen lassen. Durch Sputtern von Silizium/Germanium-Legierungstargets in einer Wasserstoff-enthaltenden Atmosphäre, Selektion des er- wähnten Stöchiometriemasses x an der Legierung und des Wasserstoff-Partialdruckes in der Sputteratmosphäre , wird die abgelegte Schicht für die spektral unterschiedlich zu behandelnden Wellenlängen getrimmt .
Im weiteren wird erfindungsgemäss ein optisches Bauelement, insbesondere Speicherelement mit Informationsspeicherung in zwei Ebenen, mit der erfindungsgemässen spektral selektiven Schicht vorgeschlagen. In einer bevorzugten Ausführungsform des optischen Speicherelementes liegt die erwähnte Schicht beid- seits an gleichem Material, insbesondere an Polycarbonat . Die erfindungsgemässe Schicht eignet sich insbesondere für CD-, DVD-, Hybriddisc- oder Super Audio Disc-Speicherelemente, wobei daran zur erwähnten erfindungsgemässen Schicht beabstandet eine Reflexionsschicht vorgesehen ist, vorzugsweise eine Metall- schicht.
In der einzigen Figur ist schematisch ein erfindungsgemässes optisches Speicherelement genannter Art dargestellt. Es umfasst eine 0,6 mm dicke Polycarbonat-Lage 1, die erfindungsgemässe spektral selektive Schicht 3, gefolgt von einer weiteren, ca. 0,6 mm dicken Polycarbonat-Lage 5 und einer Reflexionsschicht 7, vorzugsweise einer Metallschicht, wie einer AI- oder Ag- Schicht. An einer solchen Struktur wurde bei 650 nm eine Reflexion entsprechend S0 innerhalb der geforderten Spezifikation von über 18 % erreicht, ebenso eine Intensität des Strahles Sx bei 780 nm über 70 %.

Claims

Patentansprüche :
1. Spektral selektive Schicht zur überwiegenden Reflexion von Licht im unteren Bereich des Spektralbereiches von 600 nm bis 800 nm und zur überwiegenden Transmission von Licht im oberen Bereich des erwähnten Spektralbereiches, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht mindestens zum überwiegenden Teil besteht aus
Figure imgf000007_0001
mit
0,l < x < 0,9
0 < y < 0,5.
2. Schicht nach Anspruch 1 für Licht im unteren Spektralbereich bei 650 nm ± 10 % und Licht im oberen Spektralbereich bei 780 nm ± 10 %, vorzugsweise mit einer Schichtdicke zwischen 10 und 30 nm (beide Grenzen eingeschlossen) .
3. Optisches Bauelement mit mindestens einer Schicht nach einem der Ansprüche 1 oder 2.
4. Optisches Datenspeicherelement mit Informationsspeicherung in mindestens zwei beabstandeten Ebenen, dadurch gekennzeich- net, dass in der einen der beiden Ebenen eine Schicht nach einem der Ansprüche 1 oder 2 vorgesehen ist und in der zweiten eine Reflexionsschicht, vorzugsweise eine Metallschicht.
5. Optisches Speicherelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die spektral selektive Schicht beidseitig im selben Material eingebettet ist, vorzugsweise in Polykarbonat.
6. Verwendung der spektral selektiven Schicht an optischen Datenspeichern mit Informationsspeicherung in mindestens zwei Ebenen, insbesondere an CD's, DVD ' s , Hybriddiscs, Super Audio Discs .
PCT/CH1999/000233 1998-06-10 1999-05-31 Spektral selektive schicht und optisches bauelement hierfür Ceased WO1999065023A1 (de)

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007518445A (ja) * 2003-07-15 2007-07-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 高い標高における使用に適した飲料メーカー
US20070007357A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-11 Oc Oerlikon Balzers Ag Wavelength-selective metal dielectric filter and its application to optical discs
US20070224385A1 (en) * 2005-07-08 2007-09-27 Oc Oerlikon Balzers Ag Wavelength selective dielectric filter and its application to optical disks

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3311462A1 (de) * 1982-03-31 1983-10-13 Takao Sakai Osaka Kawamura Photoempfindliches element
EP0228516A2 (de) * 1985-11-30 1987-07-15 Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH Modulationsdotierter Feldeffekttransistor
JPS6329335A (ja) * 1986-07-23 1988-02-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 光デイスク記録素子
JPS6352346A (ja) * 1986-08-21 1988-03-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光デイスク素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3311462A1 (de) * 1982-03-31 1983-10-13 Takao Sakai Osaka Kawamura Photoempfindliches element
EP0228516A2 (de) * 1985-11-30 1987-07-15 Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH Modulationsdotierter Feldeffekttransistor
JPS6329335A (ja) * 1986-07-23 1988-02-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 光デイスク記録素子
JPS6352346A (ja) * 1986-08-21 1988-03-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光デイスク素子

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 238 (P - 726) 7 July 1988 (1988-07-07) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 271 (P - 736) 28 July 1988 (1988-07-28) *

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