WO1992009637A1

WO1992009637A1 - Process for producing cyclodextrin derivative and polymer containing cyclodextrin immobilized therein

Info

Publication number: WO1992009637A1
Application number: PCT/JP1991/001011
Authority: WO
Inventors: Masanobu Yoshinaga
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1990-11-30
Filing date: 1991-07-29
Publication date: 1992-06-11
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Description

明細書

シクロデキストリン誘導体及びシクロデキストリン固定化ポリマーの製造方法

技術分野

本発明は、シクロデキストリン誘導体の製造方法及びシクロデキストリン固定化ポリマーの製造方法に関し、更に詳しくは基本となるモノマー単位に対し、必ず 1 ュニットのシクロデキストリンを固定化することのできるシクロデキストリン誘導体の製造方法及びシクロデキストリン固定化ポリマーの製造方法に関する。

背景技術

シクロデキストリンはグルコースが 6 単位以上 α — 1、

^一

4 結合した環状オリゴ糖で、グルコース単位 6、 7、 8 個のものは特によく知られ、それらの応用に関する公知文献も多い。これらの応用例はいずれもシクロデキストリン環の内部が疎水性であり、なおかつこの環の大きさがグルコース単位量で定まっていることによる選択的包接能を利用するもので、クロマト分離用の充填剤、触媒、あるいは食品の異味、異臭のマスキング、揮発性物質の保持、難溶性物質の可溶化などに用いられている。

このような選択的包接能が疎水性物質の分離や抽出にあたっての有力な手段になろうことは容易に予想できるが、シクロデキストリンが水溶性であるため分離、抽出剤として用いるには、反応系から包接化合物を分離すること、および包接された化合物をシクロデキストリンから分離することが困難である。

シクロデキストリンの持つ包接能を維持したままでポリマー等に固定化すればそれらをカラムに充填し、ィォン交換樹脂や活性炭と同様に吸着、脱着操作で、あるいはクロマトグラフィー操作で成分の分離、回収、除去が容易にできる。

そこで、これまでシクロデキストリンの固定化が様々な方法で試みられているが、固定化されたシクロデキス卜リンの利用率が低かったり、またシクロデキス卜リンを固定化した母体ポリマーが疎水性物質を吸着するために、選択性が不十分となったり、また製造に多大の費用を要するものであるなど、産業上有効に利用するのにはいずれも不適当なものであった。

例えば、特公昭 55- 27083号、同 55 -41643号、同 56 - 15806 号各公報には、シクロデキストリン誘導体を有するポリスチレン系重合体の製造法が記載されており、この方法によればスチレンモノマーに対し、必ず 1 ュニットのシクロデキストリン誘導体が固定されるが、その高分子反応においては、反応性が低く固定量は十分でない。また、特開昭 55 -75402号、同 63 - 3 1420 1号等各公報には、グリシジル基あるいはそのエポキシ環を開環した箇所にシクロデキストリンを高分子反応させて固定化を行なっているが、この方法においても十分な量のシクロデキストリンを母体に結合するには、長時間の反応によらねばならず、また実際に結合されたシクロデキストリンは仕込みの量の一部にすぎず、モノマーに対し必ず 1 のシクロデキストリンを固定化することはできず、優れたシクロデキストリンの包接能を種々の目的で活用するには経済性の面で問題があった。

従って本発明の目的は、 C D固定化ポリマーの原料として用いることができ、かつ C Dの水酸基のうちの 1 個のみに保護基を導入した C D誘導体の製造方法を提供することにある。

また、本発明の目的は、 α， /3不飽和酸の酸ハロゲン化物又は末端にイソシァネート基を有する α , 3不飽和酸等のモノマーに対し 1 ュニットのシクロデキストリン誘導体を固定化し、かつ、その高分子反応においても高い反応性を示すシクロデキストリン固定化ポリマーの製造方法を提供することにある。

発明の開示

本発明者等は前記課題に鑑みて鋭意研究の結果、本発明の上記目的は、シクロデキストリンにカルボン酸ハロゲン化物、酸無水物あるいは下記式 [ 1 ] 〜 [ 5 ] のいずれかあるいは下記式 [ 6 ] 及び [ 7 ] で表わされる化合物を反応させて、又はシクロデキストリンの有するメチロール基の 1 つをョード化した後、保護基にて水酸基が保護されたアルコールァミン、メルカプトアルコールあるいはグリコール酸又は下記式 [ 8 ] 〜 [ 10] のいずれかで表わされる化合物と反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の 1 つのみに保護基を導入することを特徵とするシクロデキストリン誘導体の製造方法により、また、，不飽和酸あるいはその誘導体の酸ハロゲン化物モノマー、又は末端にイソシァネート基を有する， /S不飽和酸あるいはその誘導体のモノマーにシクロデキストリン誘導体を反応させる工程を含むシクロデキストリン固定化ポリマーの製造方法において、上記シクロデキストリン誘導体として、前記シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の 1 つのみに保護基を導入したシクロデキストリン誘導体を用い、前記モノマーに対し 1 ュニッ卜のシクロデキストリンあるいはその誘導体を固定化することを特徵とするシクロデキストリン固定化ポリマーの製造方法により達成されることを見出した。

式 [1]

(Xは C£, Br又は Iを表わす。 )

式

(Xは C Br又は Iを表わす。）式 [3]

(Xは C£， Br又は Iを表わす。）式 [4]

式 [5]

R-N-R'

NC-CH₂-CH₂-0-P-X

(式中 R及び R' は各々イソプロビル基、フニル基又はベンジル基を表わし、 Xは C£, Br又は Iを表わす。）式 [6]

式 m

(Xほ C£, Br又は Iを表わす。）式 [8]

(式中、 Rは一 CH₂ 、 -CH₂CH = CH:

， ' )₃ ,

CH₃ H 3 V- H 3

Si— CH₃ 又は C-Bu-t (t-Bu； CH₃— C一） CH₃ H 3 C H 3 を表わし、 R' は水素原子又は一 OCH₃を表わす。

m は 2〜： L 0、好ましくは 2〜 5の整数を表わす。） (式中、 Rは CH₂を表わし

m は 1〜 10の整数を表わす。）式 [10]

H

(式中、 Rは水素原子又は一 OCH₃を表わす。）

以下に本発明を更に詳細に説明する。

本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法においては、シクロデキストリン（以下 C D と略記する）に力ルボン酸ハロゲン化物を反応させるが、ここで用いられるカルボン酸ハロゲン化物としてはカルボン酸塩化物が好ましく、具体的には、ァリルォキシカルボン酸塩化物、 P —ニトロフヱノキシカルボン酸塩化物、ベンジルォキシカルボン酸塩化物、ベンジルチオカルボン酸塩化物、トリクロロェトキシカルボン酸塩化物、トリブロムエトキシカルボン酸塩化物等が用いられる。

- C Dとカルボン酸ハロゲン化物又は前記式 [ I ] 〜 [ 5 ] のいずれかあるいは下記式 [ 6 ] 及び [ 7 ] で表わされる化合物を塩基の存在下、例えばピリジン、イミダゾ一ル、ジィソプロピルェチルァミンまたはこれらのいずれかを含む混合溶媒のもとで反応させることにより、 C D に対し 1 段階で保護基を I 個導入することができる。本発明の C D誘導体の製造方法において C Dのメチロール基の 1 つを選択的にョ一ド化する方法として、例えば C Dにパラトルエンスルホン酸クロライドを反応させ、メチロール基の 1 つをトシル化し、しかる後に沃化カリゥム等と反応させョード化する方法が用いられる。

また上記ョ一ド化した後、該 C D と反応させうる、保護基にて水酸基が保護されるアルコールァミン、メルカブトアルコール及びグリコール酸としては、エタノールアミン、メルカプトェチルァノレコール、ヒドロキシ酢酸等が代表的に挙げられ、更にこれらのメチレン鎖を更に長くした種々の化合物（例えばプロパノールァミン、ブタノールァミン、メリレカプトプロピルアルコール等）、また例えばヒドロキシェチルエタノールアミン等の前記化合物においてエチレンォキシ鎖として更にこれを長くした種々の化合物も含まれる。これらの水酸基を保護する保護基としては、例えば

CH₃ CH₃

CH₃-S i- _r t-Bu— S i—等が用いられる,

CH₃ CH₃ 更に、本発明においては、上述の如く保護基を 1 個導入した C D誘導体の残りの水酸基にエーテル化、エステル化等を施した後、前記保護基部分を例えば水酸基等の反応性基に置換することにより、ポリマ一に架橋することなく担持可能であり、同時にポリマーュニッ卜に 1 個しか反応しないため定量容易であるモノヒドロキシ C D 誘導体を得ることができる。

エーテル化又はエステル化は例えば保護基を導入した C D誘導体にヨウ化メチルなどのハロゲン化アルキノレ.や塩化ベンゾィルなどの酸塩化物、又は無水酢酸などの酸無水物等を反応させることにより行なわれる。

この後に、 P dZ Cを触媒として水素添加を行なうか、水 Zエタノール系で T s O Hを用いて、クロロホルム H C 系を用いて、 T H F中で（ n — C ₄H ₉) ₄N+F一を用いて、また水 Zエタノール系で H g C _Q、水 Zメタノール系で A g N 0₃等を用いて、前記保護基を除去させて水酸基を得ることができる。この結果、 1 個の水酸基を有するモノヒドロキシー C Dが得られる。

また、本発明に用いられる C D としてはな一 C D、 β — C D、ァー C D等のいずれも用いることができる。本発明においては、モノヒドロキシー C Dを， β不飽和酸あるいはその誘導体の酸ハロゲン化物モノマー又は末端にイソシァネート基を有する a , 不飽和酸あるいはその誘導体のモノマーと反応させて該モノマーに対し 1 ュニッ卜の C D誘導体を固定化しうるが、このような《 , 不飽和酸としてはアクリル酸、メタクリル酸等が用いられ、上記の如くこれらのモノマーをモノヒドロキシ — C D と反応させた後、重合又はメタクリル酸メチル等と共重合させることにより C D固定化ポリマーを製造することができる。また、あらかじめ前記酸ハロゲン化物を含む共重合体を合成した後にモノヒドロキシー C D と高分子反応させ C D を固定化する方法も可能である。以下に本発明の C D固定化ポリマーの製造に用いられる C D誘導体の合成反応の 1 例を示す。

(式中、 Rは C H ₃ - C H o - C - C H₀= C H - C H

2

0

等の基を表わし R ' は C H ₃-C —等の基を表わす。

II

o

また、 n は 6 ( a C D ) ， 7 — C D ) 又は 8 ( ァ - C D ) を表わす )

上記反応は具体的には以下のような方法で行なわれる。 1 . 化合物 [ 2 ] の合成

— C D ( n = 7 ) を室温下ピリジンに溶解し、この系にピリジンに溶解したノ、。ラトノレエンスルホン酸クロラィドを 20°C以下で滴下する。滴下終了後室温でさらに 1 昼夜撹拌する。反応終了後、ピリジンを減圧下 40°C以下で留去し残渣を大量のァセトンより再沈殿を行ない、沈殿物は集めて水より再結晶を 3 度行ない化合物 [ 1 ] を得る。（収率： 25% )

得られた化合物 [ 1 ] を D M F に溶解し 70— 80°Cで 1 昼夜 K I と反応させる。反応終了後 D M Fを減圧下で留去し残渣を大量のアセトンより再沈殿を行なう。沈殿物を集めて n — ブタノール Zエタノール /水より再結晶を行ない化合物 [ 2 ] を得る。（収率： 60% )

2 . 化合物（ A ) の合成（ Rが C H ₃—の場合）

次に、 D M F中で別途合成したベンジルォキシエタノールァミンと化合物 [ 2 ] を 60— 70°Cで 8 時間反応させ、反応終了後減圧下で D M Fを留去し、残渣を大量のジェチルエーテルより再沈殿を行なう。沈殿物をジェチルエーテル、アセトン、水の順でよく洗浄し減圧乾燥させ化合物 [ 3 ] を得る。（収率： 85% )

さらに化合物 [ 3 ] を D M Fに溶解し、窒素気流下で 0 - 5 °Cで N a Hを添加し、その温度で 2 時間撹拌し、遮光し、ヨウ化メチルを加えその後室温で 1 昼夜反応させる。反応終了後濾過し D M Fを減圧下留去する。残渣に少量のェタノールを加え大量の水より再沈殿する。沈殿物は水でよく洗浄し減圧乾燥させ化合物 [ 4 ] を得る。 (収率： 40% )

化合物 [ 4 ] を再度エタノールに溶解し 5 % P dZ Cを添加し水素添加（室温、圧力： 4〜 5 kg/cm²) を行なう。水素圧が減少しなくなつた時点で反応を止め、濾過し、エタノールを減圧下で留去する。残渣を大量の水ノメタノールより再沈殿することで化合物（ A ) を得る。（収率： 90% )

3 . 化合物（ B ) の合成（ Rが C H ₃— C - の場合）

II

0

D M F中に別途合成したメルカプトベンジルォキシェタノールと粉末状の N a O H (あるいは N a _oC 0₃) を加え 80°Cにて 2時間反応させる。反応終了後 40 - 50°Cに保ち、その系に化合物 [ 2 ] の D M F溶液を加える。添加後再度 80°Cにて 1 昼夜撹拌する。その後放冷し減圧下で D M Fを留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿物はよく水洗し減圧乾燥させ化合物 [ 5 ] を得る。（収率： 20% )

次に化合物 [ 5 ] をピリジンに溶解し、その系に無水酢酸を加え、 70°Cにて 1 昼夜反応させる。反応終了後、ピリジン、無水酢酸を減圧下で留去し、残渣を大量の氷冷水から再沈殿させる。よく氷冷水で洗浄し減圧乾燥させ化合物 [ 6 ] を得る。（収率： 50% )

化合物 [ 6 ] をエタノールに溶解し、 5 % P dZ Cを添加し水素添加（温度： 50°C、圧力： 4〜 5 kg/ cm²) を行なう。水素圧が減少しなくなった時点で反応を止め、濾過し、エタノールを減圧下で留去する。残渣を大量の水メタノールより再沈殿することで化合物（ B ) を得る。 (収率： 85% )

4 . 化合物（ C ) の合成（ R ' が C H ₃— C — の場合）

II

0

DMF中に別途合成したベンジルォキシ酢酸と 25% N a 0 H 水溶液を加え、室温で 1 時間撹拌する。その後化合物 [ 2 ] の D M F溶液を加えて、さらに 3 時間撹拌する。反応終了後、 D M F を減圧下で留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿物はよく水で洗浄し減圧乾燥させ化合物 [ 7 ] を得る。（収率： 30% )

次に化合物 [ 7 ] をピリジンに溶解し、その系に無水酢酸を加え、 70°Cにて 1 昼夜反応させる。反応終了後、ピリジン、無水酢酸を減圧下で留去し、残渣を大量の氷冷水から再沈殿させる。沈殿物はよく氷冷水で洗浄し減圧乾燥させ化合物 [ 8 ] を得る。（収率： 70%)

化合物 [ 8 ] をエタノールに溶解し、 5 % P dZ Cを添加し、水素添加（室温、圧力： 4〜 5 kg/ cm²) を行なう。水素圧が減らなくなった時点で反応を止め、濾過し、ェタノールを減圧下で留去する。残渣を大量の水/メタノールより再沈殿することで化合物（ C ) を得る。（収率： 90% )

同定は NM Rスぺクトル、マススぺク卜ル、元素分析により行なうことができる。

Gd §/60z6 OM

卜

11一一

个

^!

02 o ls/lea/f!od卜 £9 & T60A

ト

αϋ )

HOCIIa (Cn₂0CH₃),

CD

(1 )

(CHOCH 3 ) I

(9

[36] (Q)

(酸無水物としては上記無水コハク酸以外、無水ダルタル酸、無水マレイン酸なども使用できる。） ¾

/!:>clafI6〔

〇

CO

(式中、 nは 6 (α— C D) , 7 ( 3— C D) 又は 8 ( γ - C D ) を表わす。）

上記反応は具体的には以下のように行なわれる。

但し下記具体的反応例のうち、（ 1 ) 〜（ 9 ) の各々の C D誘導体の残水酸基の保護は化によって行なわれ、また (10)〜（12)の

^々は、 CH₃—化， CH₂ = CH— CH₂—化，、>"CH₂—化及び CH₃— C一化のいずれかによつて行なわれ、更に (13)及び

0

CH₃— C一

(14)ほ、化及び II 化

0

のいずれかによつて行なわれる

(残水酸基の具体例）

(ィ）

I 1 化又は化

、0入

保護基を 1 つ導入した 5— C Dを脱水 D MFに溶解させ、室温下で P — トルエンスルホン酸を添加する。その系に D M Fに溶解した 2 , 3 —ジヒドロー 4 H— ピラン又は 2 , 3 — ジヒドロ— 4 H—チインを滴下する。滴下終了後、室温下で 2 4時間反応させ、反応終了後 D M F を減圧下留去する。残渣に少量のエタノールを加え溶解させ、大量の氷により再沈殿を行なう。沈殿物はよく水で洗浄し乾燥させる。その後シリカゲルカラムクロマトグラフィ一により精製し、残水酸基を保護した目的化合物を得る。

(口） C H₃ —化 Z " C H₂ -化又は C H₂ = C H - C H₂ -化

保護基を 1 つ導入した 3 — C Dを脱水 D M F に溶解させ、系を 0 〜 5 °Cに冷却し、 .窒素雰囲気下に N a Hを添加する。添加後 2 時間 0 〜 5 ^eCで攪拌し、次いでヨウ化メチルを遮光して又は臭化べンジルあるいは臭化ァリルを遮光しないで滴下する。滴下終了後、 0 〜 5 °Cで 2 時間、室温で 2 4時間反応させる。反応終了後濾過し、 D M F を減圧下留去する。残渣に少量のエタノールを加え、大量の水により再沈殿を行なう。沈殿物はよく水で洗い乾燥させる。その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、残水酸基を保護した目的化合物を得る。 (ハ） C H₃— C -化

II

0

保護基を 1 つ導入した /3 — C Dを脱水ピリジンに溶解し、室温において無水酢酸をゆつくり滴下する。滴下終了後 6 0 °Cで 1 2 時間反応させる。反応終了後ピリジンを減圧下濃縮し、残渣は大量の氷冷水より再沈殿を行なう。沈殿物はよく水洗し乾燥させる。その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、残水酸基を保護した目的化合物を得る。

( 1 ) β - C O ( n = 7 ) を脱水ピリジンに溶解させ、その系を 0 — 5 °Cに保つ。これにピリジンに溶解したァリルォキシカルボン酸塩化物を徐々に滴下する。滴下中、そしてその後も 0 — 5 °Cに保ち、そのまま 12時間撹捽する。反応終了後、減圧下、 20 °C以下でピリジンを留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行なう。得られた沈殿を集め、アセトンでよく洗浄し熱エタノールに溶解させる。不溶物を熱時濾過し、濾液を放冷するとモノ — 6 —ァリルォキシカルボニル 3 — C D結晶 [ 9 】が得られる。（収率： 30 % )

得られたモノ一 6 —ァリルォキシカルボニル 3 — C D [ 9 ] を脱水 D M Fに溶解させ、室温下で p — トルエンスルホン酸を添加する。その系に D M Fに溶解した 2 , 3 — ジヒドロー 4 H— ピラン又は 2 , 3 — ジヒドロー 4 H ーチインを滴下する。滴下終了後、室温下で 24時間反応させ、反応終了後 D M Fを減圧下留去する。残渣に少量のエタノールを加え溶解させ、大量の水より再沈殿を行なう。沈殿物はよく水で洗浄し乾燥させる。その後シリ力ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し目的化合物 [ 10] を得る。

得られたモノ 3 — C D誘導体のテトラヒドロビラニル化物（あるいはテトラヒドロチォピラニル化物） [ 10 ] を脱水メタノールに溶解し、 4 〜 5 Mのメタノールアルコラート（メタノール中）を室温下滴下した。滴下終了後、室温下で 24時間反応させ、反応終了後沈殿物を濾過する。濾液に陽イオン交換樹脂を加え室温で 2 時間攪拌し、終了後濾過して樹脂を除く。濾液は減圧下濃縮し、残渣に水を加えクロ口ホルム抽出する。クロ口ホルム層は減圧下濃縮し残渣をシリ力ゲルカラムクロマトグラフィ一により分離 ♦ 精製し、目的物モノヒドロキシ 3 — C D 誘導体（ D ) を得る。

( 2 ) 反応例（ 1 ) においてァリルォキシカルボン酸塩化物をべンジルォキシカルボン酸塩化物にかえた以外は同様にしてモノ一 6 —ベンジルォキシカノレボニル 5 — C D [ 11] を得る。（収率： 45% )

以下、反応例（ 1 ) における化合物 [ 10] 及び（ D.) の合成と同様にして化合物 [ 12] 及び（ E ) を得る。

( 3 ) 3 — C D を脱水ピリジンに溶解させ、 0 〜 5 。C 下でピリジンに溶解したピバリン酸塩化物をゆつくり滴下する。滴下後この系を室温とし 12時間攪拌する。反応終了後、減圧下ピリジンと未反応のビバリン酸塩化物等を留去し、残渣を大量のァセトンより再沈殿を行なう。得られた沈殿を集めアセトンでよく洗浄し、熱メタノールに溶解させる。不溶物を熱時濾過し、濾液を放冷するとモノ - 6 — トリメチルァセチルー C D結晶 [ 13] が得られる。（収率： 45% )

以下、反応例（ 1 ) における化合物 [ 10] 及び（ D ) の合成と同様にして化合物 [ 14] 及び（ F ) を得る。 ( 4 ) 反応例（ 3 ) においてビバリン酸塩化物を 3 — ベンゾィルプロピオン酸塩化物にかえた以外は同様にしてモノー 6 — ベンゾィルプロピオニル 3 — C D [ 15] を得る。（収率： 40% ) 以下、反応例（ 1 ) における化合物 [10] 及び（ D ) の合成と同様にして化合物 [16] 及び（ G ) を得る。 ( 5 ) 反応例（ 3 ) においてビバリン酸塩化物を 3 — フェニルプロピオン酸塩化物にかえた以外は同様にしてモノー 6 —フエニルプロピオニル一 C D [17] を得る。 (収率： 35% )

以下、反応例（ 1 ) における化合物 [10] 及び（ D ) の合成と同様にして化合物 [ 18] 及び（ H ) を得る。 ( 6 ) 反応例（ 3 ) においてビバリン酸塩化物をベンゾィルギ酸塩化物にかえた以外は同様にしてモノ ― 6 - ベンゾィルホルミノレ ^— C D [19] を得る。（収率： 15

% )

以下、反応例（ 1 ) における化合物 [10] 及び（ D ) の合成と同様にして化合物 [20] 及び（ I ) を得る。 ( 7 ) 反応例（ 3 ) においてビバリン酸塩化物を 1 一ァダマンタンカルボン酸塩化物にかえた以外は同様にしてモノー 6 — ァダマンタンカルボ二ルー C D [21] を得る。（収率： 25% )

以下、反応例（ 1 ) における化合物 [10] 及び（ D ) の合成と同様にして化合物 [22] 及び（ J ) を得る。

( 8 ) 一 1 5 — C Dを脱水ピリジンに溶解し、 0 〜 5 °Cに冷却する。その系にピリジンに溶解した 4 , 4 ' , 4 " ートリス（ 4 一べンゾィルォキシ）トリチルブロマィドをゆつくり滴下する。滴下終了後 0〜 5 °Cで 1 時間、次いで室温で 8 時間攪拌する。その後 40°C以下においてピリジンを減圧下留去し、残渣を大量のェチルエーテルより再沈殿させる。沈殿物は熱水で洗浄し、残りをエタノールより再結晶することで化合物 [25] を精製する。 (収率： 25% )

得られた化合物 [25] を用いて、反応例（ 1 ) における化合物 [10] の合成と同様にして化合物 [26] を得る。

得られたモノ /3 — C D誘導体のテトラヒドロビラニルィ匕物（あるいはテトラヒドロチォピラニル化物） [ 26] をエタノールに溶解し、 0.1〜 2M N a O H水溶液.を加え、室温下 2 時間攪拌する。反応終了後エタノールを減圧下留去、残渣をクロ口ホルム一水系で抽出する。クロロホルム層は減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離 · 精製し、モノヒドロキシ /3 — C D誘導体（ L ) を得る。

( 8 ) 一 2 ピリジン中にー C Dを室温で溶解させ、その系にピリジンに溶解させた塩化トリチルを滴下する。滴下終了後 40°Cで 3 時間攪拌する。反応終了後 40°C以下にて減圧でピリジンを留去し、残渣を大量のアセトン中より再沈殿を行なう。沈殿物を集め少量のピリジンに溶解し、大量の水より再沈殿を行なう。沈殿物を集め乾燥した後水 /メタノールょり再結晶し精製することでモノ一 6 — トリチル— — C D を得た。（収率 65% )

沈殿物を集め減圧乾燥して得られた沈殿物を D M F に溶解し、窒素気流下で N a Hを加え室温で 3 時間反応させた後、 0 °Cでヨウ化メチルを加え水酸基のメチル化を行なう。なおメチル化は暗室で 24時間行なう。反応終了後、濾過し、濾液を減圧下留去し、残渣を水 Zクロロホルム系で抽出する。クロ口ホルム層を減圧下濃縮し、粗生成物にエタノールを加え溶解した後、大量の水より再沈殿を行なう。得られた沈殿物を濾過後、濾物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、モノー 6 — 0 — トリメチルーペルー 0—メチル ^ ー C Dを得る（収率： 75% ) o

得られた化合物をクロ口ホルムに溶解し、少量の塩酸を加え振とうさせ、反応終了後クロ口ホルム層を中和し水で洗浄、乾燥させ、溶媒を減圧下で濃縮することにより、モノヒドロキシ一メチノレ 3 — C D (モノー 6 — ヒドロキシ一ペル 0 — メチゾレ）3 — C D ) ( L ' ) を得る（収率： 95% ) 。

( 9 ) yS — C Dをピリジンに溶解し、その系に無水コハク酸を加える。溶解した後、触媒量のジメチルァミノピリジンを添加し、室温下で 24時間攪拌反応させる。反応終了後ピリジンを減圧下留去し、残渣に少量の水を加え、大量のアセトン中より再沈殿させる。沈殿物をよくアセトンで洗狰し、メタノールより再結晶することで生成物 [35] を得る。（収率： 20% )

以下、反応例（ 1 ) における化合物 [10] 及び（ D ) の合成と同様にして化合物 [36] 及び（ Q ) を得る。 (10) ^ 一 C D を室温下、脱水 D M F に溶解する。次にイミダゾールを加えさらに t 一ブチルジフヱニルシリノレクロライドの D M F溶液をゆつくり滴下する。滴下終了後さらに室温で 24時間攪拌する。反応終了後、 D M F を 40°C以下で減圧留去し、残渣をァセトンょり再沈殿させる。得られた沈殿物をイソプロピルアルコールより再結晶し精製し、モノ — 6 — t — プチルジフヱニルシリル β - C Ό [ 23] を得る。（収率： 30% )

他のシリル化剤、例えばトリメチルシリノレクロライド、トリェチルシリノレクロライドあるいは t 一ブチルジメチノレシリノレクロライドなどは 1 級水酸基さらに 2 級水酸基に複数個反応してしまうが、上記シリル化剤では立体障害も関与してか上記条件で反応すると 1 級水酸基に 1 個のみ官能基が導入される。

残水酸基の保護

(ィ）得られたモノー 6 — t— ブチルジフヱニル yS — C D [ 23] を脱水 D M F に溶解させ、系を 0 〜 5 °Cに冷却し、窒素雰囲気下に N a H を添加する。添加後 2 時間 0 〜 5 °Cで攪拌し、次いでヨウ化メチルを遮光して又は臭化べンジルあるいは臭化ァリルを遮光しないで滴下する。滴下終了後、 0 〜 5 °Cで 2 時間、室温で 24時間反応させる。反応終了後濾過し、 D M F を減圧下留去する。残渣に少量のェタノールを加え、大量の水より再沈殿を行なう。沈殿物はよく水で洗い乾燥させる。その後シリ力ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し目的物 [24] を得る。

( 口）得られたモノー 6 — t ーブチノレジフエ二ノレ /3 — C D [23] を脱水ピリジンに溶解し、室温において無水酢酸をゆつくり滴下する。滴下終了後 60°Cで 12時間反応させる。反応終了後ピリジンを減圧下濃縮し、残渣は大量の氷冷水より再沈殿を行なう。沈殿物はよく水洗し乾燥させる。その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し目的物 [24] を得る。

得られたモノー t ーブチルジフエ二ルシリノレ /5 — C D 誘導体 [24] (例えばメチル化物）を脱水 T H Fに溶解し、 0 〜 5 °Cに冷却する。その系に n —テトラブチルァンモニゥムフルオラィドの T H F溶液を滴下し、滴下終了後還流下 6 時間反応させる。反応終了後放冷し、 T H F を減圧下留去し、クロ口ホルム/水系にて抽出を行なう。クロ口ホルム層を乾燥後減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離 · 精製し目的物 ( K ) を得る。

(11) )5 — C Dを脱水ピリジンに溶解し、室温でピリジンに溶解した 9 一クロロー 9 —フエニルキサンテン（= ピキシルク口ライド）をゆつくり滴下する。滴下終了後、室温で 24時間攪拌する。その後 40°C以下においてピリジンを減圧下留去し、残渣を大量のァセトンより再沈殿させる。沈殿物は熱水で洗浄し、残りをメタノールより再結晶することで化合物 [27] を精製する。（収率： 40%) 得られたモノー 6 — ピキシル 3 — C D [ 27] を用いて反応例（10) における化合物 [24] の合成（ィ）又は（口）と同様にして化合物 [28] を得る。モノーピキシル） 5 — C D誘導体 [ 28] (例えばァセチル化物）を脱水塩化メチレンに溶解し 0 〜 5 °Cにてトリフルォロ酢酸の塩化メチレン溶液をゆつくり滴下する。滴下終了後室温下 1 時間反応させる。反応終了後、塩化メチレンを減圧下留去し、残渣をクロ口ホルム /水系にて抽出を行なう。クロ口ホルム層を乾燥後減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離 · 精製し目的物（M ) を得る。

( 12) /3 — C D を脱水ピリジンに溶解し、室温でピリジンに溶解した 1 , 3 —ベンゾジチオリゥムテトラフルォロボレート（ B D T F ) をゆっくり滴下する。滴下終了後、室温で 24時間撹拌する。その後 40°C以下においてピリジンを減圧下留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿物はよく水で洗浄し、残りをエタノールより再結晶することで化合物 [ 29] を精製する。（収率： 40% )

得られた化合物 [29] を用いて、反応例（ 10) における化合物 [ 24] の合成（ィ）又は（口）と同様にして、化合物 [30] を得る。

モノー 1 , 3 — べンゾジチォーノレ一 2 — ィル /3 — C D 誘導体 [ 30] (例えばべンジル化物）を 80%酢酸に溶解させ、室温下で 3 時間攪拌する。反応終了後、酢酸を減圧下留去し、残渣をクロ口ホルム /水系にて抽出を行なう。クロ口ホルム層を乾燥後減圧下濃縮し、残渣をシリ力ゲルカラムクロマトグラフィーにより分離 · 精製し目的物（ N ) を得る。

( 13) — C D とテトラゾ一ルをピリジンに溶解させる。溶解後その系にシクロへキシルアンモニゥム S , S ージフエニルホスホロジチォエート（ P S S ) とメシチレンジスルホニルクロライド（ M D S ) を加え、添加後室温において 6 時間反応させる。その後、ピリジンを 40 で以下で減圧下留去し残渣に水を加え、さらにその溶液を大量のアセトン中より再沈殿させる。沈殿物はよくァセトンで洗い、メタノールより再結晶することで生成物 [31] を得る。（収率： 15% )

- 得られた 3 — C Dモノ誘導体 [31] を脱水 D M F に溶解し、室温下で P — トルエンスルホン酸を添加する。その系に D M F に溶解した 2 , 3 — ジヒドロー 4 H ピラン又は 2 ， 3 — ジヒドロー 4 Hチインを滴下する。滴下終了後、室温下で 24時間反応させ、反応終了後 D M Fを減圧下留去する。残渣は少量のエタノールに溶解させ大量の水より再沈殿させる。沈殿物はよく水洗し乾燥する。その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し目的物 [32] を得る。

また上記残水酸基の保護反応をァセチル化で行なう場合は、得られた； S — C Dモノ誘導体 [31] を用いて反応例（10) における化合物 [23] をァセチル化により保護するのと同様にして行なうこともできる。

モノ） S — C D誘導体（例えばァセチル化物） [32] をジォキサンに溶解させ室温下アンモニアガスを通し反応を始める。開始後に系を 50°Cにし 6 時間反応を行なう。反応終了後放冷し、ジォキサンを減圧下留去し、残渣をクロ口ホルムノ水にて抽出を行なう。クロ口ホルム層は希塩酸、水で洗浄し、乾燥後減圧下濃縮し、残渣をシリ力ゲルカラムクロマトグラフィーにて分離 · 精製を行ない目的物（ 0 ) を得る。

( 14) /S — C D を D M F に溶解し、その系にジイソプ口ピルェチルァミンを加え 0 — 5 °Cに冷却する。亜リン酸化剤（ R ' ， R〃 = イソプロピル基）をゆっくり加える。その後系を室温下で 3時間攪拌する。反応終了後 D M F を減圧下で留去、残渣に水を加えよく攪拌する。不溶物を濾過し、濾物はよく水洗し、その後エタノールより再結晶することで生成物 [33] を得る。（収率： 20% ) 得られた /3— C Dモノ誘導体 [33] を用いて反応例（13) における化合物 [32] の合成と同様にして化合物 [34] を得る。

得られた化合物 [34] を用いて反応例（ 13) における化合物（ 0 ) の合成と同様にして化合物（ P ) を得る。

( 15) ^ 一 C Dをピリジンに室温下溶解し、これにピリジンに溶解したノ、。ラトノレエンスルホン酸クロライドを

20°Cにて滴下する。滴下終了後、 1 昼夜室温で攪拌し、反応終了後ピリジンを 40°C以下で減圧留去して残渣を大量のアセトン中に加え再沈殿する。沈殿物を集め、水より再結晶を繰り返し精製する（収率： 25% ) 。得られた — C Dモノトシレートを D M F中で K I と 70〜 80。Cで一昼夜反応させ、終了後 D M Fを減圧下で留去し、残澄を大量のアセトンより再沈殿する。沈殿物は II ーブタノ一ル/エタノール Z水より再結晶し精製する（収率： 60%) 。次に D M F中でベンジルアルコール（《 ~ C H ₂0 H ) と N a Hを窒素雰囲気中で反応させ、これに室温で — C Dモノアイオダィドの D M F溶液を加え、その後 70〜 80°Cで 24時間反応させる。反応終了後、 D M Fを減圧下留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿物を集め減圧乾燥して得られた沈殿物を D M Fに溶解し-、 N a Hを加え室温で 3時間反応させた後、 0 °Cでヨウ化メチルを加え水酸基のメチル化を行なう。なおメチル化は暗室で 24時間行なう。反応終了後、濾過し、濾液を減圧下留去し、残渣を水ノクロ口ホルム系で抽出する。クロロホルム層を減圧下濃縮し、粗生成物にエタノールを加え溶解した後、大量の水より再沈殿を行なう。得られた沈殿物を濾過後、濾物をシリ力ゲルカラムクロマトグラフィ一で精製し、モノべンジルーメチルー C D (モノ — 6 —べンジルーペル 0—メチル 3— C D) を得る（収率： 75% ) 。

得られた化合物をエタノールに溶解し、 P dZCを触媒として水素添加を行ない、溶媒を減圧下で濃縮することにより、モノヒドロキシーメチノレ 3— C D (モノ一 6 — ヒドロキシーペル 0—メチル 3— C D) ( R ) を得る（収率： 95% ) 。

上記の場合、モノベンジル ^ 一 C D (粗生成物）をピリジンに溶解し、無水齚酸と反応させることでモノベンジルーァセチル 3 — C Dを、また、塩化ベンゾィルと反応させることでモノべンジノレ一ベンゾィノレ 3 — C D を得ることも出来る（エステル化）。

その後は同様に水素添加すると同様にモノヒドロキン誘導体が得られる。

( 16) /3 — C Dをピリジンに室温下溶解し、これにピリジンに溶解したパラトルエンスルホン酸クロライドを 20°Cにて滴下する。滴下終了後、 1 昼夜室温で攪拌し.、反応終了後ピリジンを 40°C以下で減圧留去して残渣を大量のアセトン中に加え再沈殿する。沈殿物を集め、水より再結晶を繰り返し精製する（収率： 25% ) 。得られた 3 — C Dモノトシレートを D M F中で K I と 70〜 80°Cで —昼夜反応させ、終了後 D M Fを減圧下で留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿する。沈殿物は n—ブタノ一ルノエタノール Z水より再結晶し精製する（収率： 60%) 。

次に D M F中で（ 0 H ) と N a Hを窒素

雰囲気中で反応させ、これに室温でー C Dモノアイォダイドの D M F溶液を加え、その後 70〜 80°Cで 24時間反応させる。反応終了後、 D M Fを減圧下留去し、残渣を大量のァセトンょり再沈殿させる。沈殿物を集め減圧乾燥して得られた沈殿物を D M Fに溶解し、窒素気流下で N a Hを加え室温で 3 時間反応させた後、 0 °Cでヨウ化メチルを加え水酸基のメチル化を行なう。なおメチル化は暗室で 24時間行なう。反応終了後、濾過し、濾液を減圧下留去し、残渣を水 Zクロ口ホルム系で抽出する。クロロホルム層を減圧下濃縮し、粗生成物にエタノールを加え溶解した後、大量の水より再沈殿を行なう。得られた沈殿物を濾過後、瀘物をカラムクロマトグラフィーで精製し、 /? — C D (モノ — 6 — トリチルーペル 0 — メチル ^ ー C D ) を得る（収率： 75% ) 。

-得られた化合物をクロ口ホルムに溶解し、少量の塩酸を加え振とうさせ、反応終了後クロ口ホルム層を中和し、水で洗浄、乾燥させ、溶媒を減圧下で濃縮することにより、モノヒドロキシ一メチルー ^ ー C D (モノ一 6 — ヒド口キシ一ペル 0 — メチル 3 — C D ) ( S ) を得る（収率： 95% ) 。

(17)

( a ) C H = C H C H ₂0 H

(式 [10] の化合物） ( b ) C H₂= C H C HnO (C H₂) _mO H

(式 [ 9 ] の化合物）の導入及び除去

D M F中、室温で窒素雰囲気下上記（ a ) 又は（ b ) と N a Hを反応させ、そこに 3 — C Dモノアイオダイドの D M F溶液を加え、その後 70〜80°Cで 24時間反応させた。終了後 D M Fを減圧下留去し、残渣を大量のァセトンより再沈殿させた。沈殿物を集め減圧乾燥した。

収率：（ a ) → 35%

( b ) → 55% ( m = 2 )

メチル化は合成例（ 15) と同様の方法で行なった。収率：（ a ) → 60%

( b ) → Ί0% ( m = 2 )

次にモノァリルーメチル /3 — C D ( ( a ) の誘導体 mono ― 6 — allyl— per— 〇 - methyl β - C D ) を D M S 0 に溶解し、 t 一 B u O Kを用いて 50°Cで 1 時間、その後室温で 24時間攪拌し異性化させる。その後その系に H g O 存在下 H g C £₂水溶液を加える。続いて室温にて 6 時間攪拌する。終了後濾過し、溶液を減圧下で濃縮する。残渣にクロ口ホルムを加え再度濾過、クロ口ホルムを減圧下留去し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離することでモノヒドロキシェチルーメチルー C D mono - 6 - hydroxyethy 1 - per- 0 - methyl β一 C D ) を得る（収率：（ a ) → 25% , ( b ) → 35°/o ) 。

( 18)

( ^c ) 丫 0 CH₂ OH

(式 [ 10] の化合物）の導入及び除去

D M F中、室温で窒素雰囲気下上記（ c ) ( m = 2 ) と N a Hを反応させ、そこに； S — C D モノアイオダィドの D M F溶液を加え、その後 30〜40°Cで 60時間反応させた。終了後 D M Fを減圧下留去し、残渣を大量のァセトンより再沈殿させた沈殿物を集め減圧乾燥した。（収率： 40% )

尚、メチル化は合成例（15) と同様の方法で行なった。 (収率： 55% )

次にモノーテトラヒドロー 2 —チォビラニルォキシェチルーメチノレ^ー C D ( ( c ) の誘導体 mono— 6— tetrahydro — 2 — thiopyr any loxy ethyl— per— O― methyl S — C D ) をァセトニトリルに溶解し A g N 0₃水溶液を室温で加える。添加後さらに室温で 6 時間攪拌する。その後濾過し、溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィ一で分離することによりモノーヒドロキシェチルーメチル jS — C Dを得る。（収率： 45% )

(19)

( d ) (C H。）₃— S i - 0 ( C H ₂) O H

(式 [ 9 ] の化合物）

( e ) ( t -B u) (C H ₃) - S i- O ( C H ₂) _m〇 H

(式 [ 9 ] の化合物）の導入及び除去

D M F中、室温で窒素雰囲気下化合物（ d ) ( m = 2 ) 又は（ e ) と N a Hを反応させ、そこに 3 — C Dモノアィォダイドの D M F溶液を加え、その後反応させた。終了後 D M Fを減圧下留去し、残渣を大量のメタノールより再沈殿させた。沈殿物を集めて減圧乾燥した。（収率： ( d ) → A % , ( e ) → 30% )

尚、メチル化は合成例（15) と同様の方法で行なった。 (収率：（ d ) → 50% , ( e ) → 55% )

次にモノトリメチノレシリノレオキシメチルーメチル yS — C D ( ( d ) の誘導体 mono- 6 - trimethyl silyloxyethyl - per- 0 - methyl β - C Ό ) を T H Fに溶解し、室温下 T H F に溶解したテトラプチルアンモニゥムフルオラィド（（ n — C ₄H ₉) Ν + F—) を滴下する。滴下終了後、還流下で 6 時間反応させ、その後減圧下 T H Fを留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離することによりモノヒドロキシェチルーメチル 5 — C D を得る。（収率：（ d ) → 25% , ( e ) → 30% )

同定は N M Rスぺクトル、マススぺクトル、元素分析により行なうことができる。

また、その他の C D誘導体についても上記の方法に準じて行なうことができる。

次に上記化合物を用いて C D固定化ポリマーを合成する反応を示す。

c

メタクリロイ n

2ル (A)

イソシァネート

CH;

CH₂ = C

（ I ))

マー（ E)) 6

4

メ

CH_:

Cli₂ = C

ボ

fc ボリマー（IV)) V

メ

メチルイソシァネート

/loiedf/JS

C

«¾

上記 C D固定化ポリマーの合成反応は具体的には以下のように行なわれる。

1 . メタクリロイノレイソシァネートを脱水 T H F に溶解し、窒素気流下 0 〜 5 °Cに冷却する。その系に T H F に溶解した化合物（ A ) ( R ： C H ₃ -）をゆっくり滴下する。

滴下終了後、その温度で 1 時間攪拌する。反応終了後、室温に戻し減圧下 30°C以下で溶媒を留去し、残渣をよく乾燥させて C Dモノマー（ I ) を得る。

得られたモノマー（ I ) とメタクリル酸メチルをジォキサン中、ァゾビスイソブチロニトリノレ（ A I B N ) を開始剤として、 80°Cで 8 時間共重合を行なう。反応終了後大量のメタノール中に加え再沈殿させる。沈殿物をよくメタノールで洗浄し乾燥させて C D ポリマー（ II) を

1守

2. 化合物（ C ) ( R ' ： C H ₃— C —）を脱水べンゼ

0

ンに溶解し、さらにトリェチルァミンを加え窒素気流下

0 〜 5 °Cに冷却する。その系にメタクリロイルク口ライドをゆつくり滴下する。滴下後 0 〜 5 °Cで 1 時間、次いで室温で 3 時間攪拌する。反応終了後、ジェチルエーテル /水系で抽出を行ないエーテル層は中和洗浄し、減圧下 30°C以下でエーテルを留去し、残渣をよく乾燥させて C Dモノマー（ III) を得る。得られたモノマー（III) とメタクリル酸 II 一ブチルをベンゼン中 A I B Nを開始剤として 60°Cで 8時間共重合を行なう。反応終了後、大量のメタノール中に加え再沈殿させる。沈殿物をよくメタノールで洗浄し乾燥させて C Dポリマー（IV) を得る。

3. メタクリル酸メチルとメタクリロイルイソシァネートを酢酸ブチル中 A I B Nを開始剤として、窒素気流下 80°C、 5時間共重合を行ないポリマー（V) を得る。その後室温まで放冷し、さらにその系を 0〜 5 ^eCまで冷却し、酢酸ブチルに溶解した化合物（ A ) ( R ： C H。一）を滴下する。滴下終了後、 0〜 5でにおいて 5時間攪拌する。次いで未反応のイソシァネート基をメタノールでつぶし、大量のアセトンより再沈殿を行なう。沈殿物をよくアセトンで洗浄し乾燥させて C Dポリマー（VI) を得る。

4. モノヒドロキシ； 3— C Dメチル化物を脱水べンゼンに溶解し、さらにトリェチルァミンを加え、窒素気流下 0〜5 °Cに冷却する。その系にメタクリロイルクロラィドをゆつくり滴下する。滴下終了後 0〜 5でで 1時間、次いで室温で 3時間攪拌する。反応終了後、ジェチルエーテル Z水系で抽出を行ないエーテル層は中和洗浄し、減圧下 30°C以下でエーテルを留去し、残渣をよく乾燥させて C Dモノマーを得る。

得られたモノマーとメタクリル酸メチルをベンゼン中 A I B Nを開始剤として 60^eCで 8時間共重合を行なう。反応終了後、大量のメタノール中に加え再沈殿させる。沈殿物をよくメタノールで洗浄し乾燥させて C D ポリマ一を得る。

5 . メタクリル酸メチルとメタクリロイノレクロライドをベンゼン中 A I B Nを開始剤として、窒素気流下 80 °C、 5 時間共重合を行ないポリマーを得る。その後室温まで放冷し、トリェチルァミンを添加後、その系を 0 〜 5 °C まで冷却し、ベンゼンに溶解したモノヒドロキシ ^ — C D メチル化物を滴下する。滴下終了後室温にて 6 時間反応させ、次いで未反応の末端基（— C — C ) をジァゾメ

II

0

タン処理し大量のアセトンより再沈殿を行なう。沈殿物はよくアセトンで洗浄し乾燥させて C D ポリマーを得る。

以上詳細に説明したように、本発明によれば、 C D 固定化ポリマーの原料として用いることができ、かつ C D の水酸基の 1 個のみに保護基を導入した C D誘導体を提供することができ、更に酸ハロゲン化物あるいはイソシァネート基とアルコールの反応であるため反応性が高く、 C D の固定化が良好に行なわれる。また、酸ハロゲン化物等のモノマーに対し、 1 ユニットの C D誘導体を確実に固定化しうるため、定量容易な C D 固定化ポリマーの製造方法を提供することができる。

産業上の利用分野

上記の如く得られた C D 固定化ポリマーは、クロマト分離用の充填剤、触媒、あるいは食品の異味、異臭のマスキング、揮発性物質の保持、難溶性物質の可溶化などに用いられている。

Claims

請求の範囲

l . シクロデキストリ .ンにカルボン酸ハロゲン化物を反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の

1 つのみに保護基を導入することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

2. シクロデキストリンに下記式 [ 1 ] で表わされる化合物を反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の 1 つのみに保護基を導入することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。式 [1]

C CH₃— C X

C

(Xは C£, Br又は Iを表わす。）

3. シクロデキストリンに下記式 [ 2 ] で表わされる化合物を反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の 1 つのみに保護基を導入することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

式

-X

(Xは C£, Br又は Iを表わす。）

4. シクロデキストリンに下記式 [ 3 ] で表わされる化合物を反応させて、シロデキストリンの有する 1級水酸基の 1つのみに保護基を導入することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

式 [3]

(Xは C£， Br又は Iを表わす。）

5·.. シクロデキストリンに下記式 [ 4 ] で表わされる化合物を反応させて、シクロデキストリンの有する 1級水酸基の 1つのみに保護基を導入することを特徵とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

式 [4]

6. シクロデキストリンに下記式 [ 5 ] で表わされる化合物を反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の 1つのみに保護基を導入することを特徵とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

式 [5]

R-N-R'

NC— CH₂— CH₂— 0— P— X

(式中 R及びは各々イソプロビル基、フ -ル基叉ほベンジル基を表わし、 Xは C£， Br又は Iを表わす。）

7 . シクロデキストリンに下記式 [ 6 ] で表わされる化合物及び下記式 [ 7 ] で表わされる化合物を反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の 1 つのみに保護基を導入することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。式 [G]

式 m

(Xは CJ2, Br又ほ Iを表わす。）

8 . シクロデキストリンに酸無水物を反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の 1 つのみに保護基を導入することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

9 . シクロデキストリンの有するメチロール基の 1 つをョード化した後、保護基にて水酸基が保護されたアルコールアミン、メルカプトアルコール又はグリコール酸と反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の 1 つのみに保護基を導入することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。 637

54

10. シクロデキストリンの有するメチロール基の 1つをョ一ド化した後、下記式 [ 8 ] で表わされる化合物と反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の

1つのみに保護基を導入することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

式 [8〗

R-0- CH₂½OH

(

CH₃ CH₃ CH₃

Si-CHs 又は C-Bu-t (t-Bu ； CH₃-C-) CH₃ CH₃ CH₃ を表わし、 R' は水素原子又は一 OCH₃を表わす。 m は 2〜 10の整数を表わす。）

11. シクロデキストリンの有するメチロール基の 1つをョード化した後、下記式 [ 9 ] で表わされる化合物と反応させて、シクロデキストリンの有する 1級水酸基の

式 [9]

R— CH₂¾-OH

(式中、 Rは [ ヽ〉又は一 CH = CH₂を表わし、 m は 1 ~ 10の整数を表わす。 )

12. シクロデキストリンの有するメチロール基の 1 つをョード化した後、下記式 [ 10 ] で表わされる化合物と反応させて、シクロデキストリンの有する 1 級水酸基の 1 つのみに保護基を導入することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

式 [10]

(武中、 Rは水素原子又は一 O C H ₃を表わす。）

13. a , ^不飽和酸あるいはその誘導体の酸ハロゲン化物モノマー、又は末端にイソシァネート基を有する α , 3不飽和酸あるいはその誘導体のモノマーにシクロデキストリン誘導体を反応させる工程を含むシクロデキストリン固定化ポリマーの製造方法において、前記シクロデキストリン誘導体として、請求の範囲第 1 項〜 9 項のいずれか 1 項に記載のシクロデキストリン誘導体を用い、前記モノマーに対し 1 ュニットのシクロデキストリンあるいはその誘導体を固定化することを特徴とするシク口デキストリン固定化ポリマーの製造方法。

14. a , S不飽和酸あるいはその誘導体の酸ハロゲン化物モノマー、又は末端にイソシァネート基を有する α， 3不飽和酸あるいはその誘導体のモノマーにシクロデキストリン誘導体を反応させる工程を含むシクロデキストリン固定化ポリマーの製造方法において、前記シクロデキストリン誘導体として、請求の範囲第 10項〜 13項のいずれか l 項に記載のシクロデキストリン誘導体を用い、前記モノマーに対し 1 ュニットのシクロデキストリンあるいはその誘導体を固定化することを特徴とするシク口デキストリン固定化ポリマーの製造方法。