WO1989006422A1 - Tete magnetique a film mince et procede de production - Google Patents

Description

明細書

薄膜磁気へ ッ ド及びその製造方法

技術分野

本発明は磁気ヘ ッ ド及びその製造方法に関する 。 更に詳 述する と 本発明は、 第一磁性体層 と第二磁性体層と の 2 層 の薄膜によ って磁極を構成する薄膜磁気へ ッ ド及びその製 造方法に関する 。

技術用語

本明細書において 、 「対接面」 と は、 記録再生を磁気記 録媒体と ヘ ッ ド と が接触して行う タ イ プの場合、 磁気記録 媒体と接触する面を、 また記録再生を磁気記録媒体とへ ッ ド と が接触せずに行う タ イ プでは、 記録再生を行 う に足る 間隔まで磁気記録媒体と近接 して いる面を意味する また、

「ヘ ッ ド走行方向 」 と はヘ ッ ドが磁気記録媒体に対 し、 相 対的に動く その方向を指 し、 ヘ ッ ドが媒体上を走行する場 合と 、 媒体がヘ ッ ド上を走行する場合の どち ら も含む もの とする 。

背景技術

従来の薄膜磁気ヘ ッ ドは、 F i g . 1 2 、 F i g . 1 3 に示すよ う に、 非磁性基板 3 上に第二磁性体層 2 、 ギャ ッ プ材 8 、 コイ ル導体層 4及び前記第二磁性体層 2 と 共に磁極を構成 する第一磁性体層 1 を順次積層 して作成されて いる 。 通常、 この種の薄膜磁気ヘ ッ ドでは、 第一磁性体層 1 、 ギャ ッ プ 材 8 、 コイ ル導体層 4 及び第二磁性体層 2 は非磁性基板 3 の表面と全て平行な平面内にあ り 、 しかも この平面と 直交 する方向にへ ッ ドが磁気記録媒体 （図示省略） 上を走行す る こ と によ り 記録 · 再生ができ る よ う に設けられている 。 しかしながらこのよ う な薄膜磁気ヘッ ドでは、 F i g . 1 4 の 孤立再生波形図に示すよ う に、 第一磁性体層 1 及び第二磁 性体層 2 の厚さ に起因する波形歪、 疑似パルスの発生を免 れ得ない。 即ち、 波形歪は磁気記録媒体 1 0 と対向する対 接面において 、 記録再生用ギャ ップと平行な疑似ギャ ップ が形成される場合に起 り 、 特に薄膜磁気ヘッ ドでは第一磁 性体層 1 と第二磁性体層 2 と から成る一対の磁極のそれぞ れの層の厚みが記録波長と接近した寸法と なっているため 疑似ギヤ ップによ る疑似パルスが本来のギヤ ップから再^ される信号波彤を歪ませ、 品質を低下させている 。

そこで、 この波形歪を軽減する方法と して 、 例えば特開 昭 6 2 - 2 0 5 5 0 8号公報に記載されている よ う な発明 がある 。 これは、 F i g . 1 5 に示すよ う に、 第一磁性体層 1 の厚さ を トラ ッ ク幅方向で変えて 、 ギャ グプ材 8 と接する 面の反対厠の面 9 をギヤ ップ材 8に対 して傾ける よ う に し た ものである 。 しか し、 この磁気ヘッ ドでは、 疑似ギヤ ッ プによ り再生される疑似信号の出力を抑えてそめ影響を低 减させる こ と はでき て も 、 波形歪を完全に取除く こ と はで き ない。 しかも 、 F i g . 1 5 の磁気ヘッ ドによれば、 非磁性 基板 3 に予め角度 傾いた底面を持つ溝を彤成する必要が あ り 、 更にその基板 3 の上に第一磁性体層 1 をスパッ タ リ ングによ り 形成 してからその上で表面のラ ッ ピングをする 必要があるなど、 機械加工、 機械研磨の工程が多 く 、 薄膜 ヘ ッ ド製造プロセス と しては好ま し く ない。 力 π う る に、 角 度 傾いた底面の表面粗さ を良 く する こ と が困難であるた め第一磁性体層の磁気特性の劣化の虞も ある 。

また、 F i g . 1 6 に示すよ う に、 非磁性基板 3上の第一磁 性体層 1 と 、 第二磁性体層 2 を ト ラ ッ ク幅方向 Aに分離し て形成する もの もある （ 特開昭 6 2 — 9 5 7 1 3 号公報） 。 しかし、 この磁気ヘ ッ ドの場合、 波形歪を取除く こ と はで き るが、 第二磁性体層の対接面にあるエ ッ ジ部分 Eに因る 他の ト ラ ッ クからのク ロス トークや他の ト ラ ッ クへのォー バライ トが問題と なる 。

発明の開示

本発明は疑似パルスによ る波形歪が生 じない薄膜磁気へ ッ ドを提供する こ と を 目的とする 。 また、 本発明は、 第一 磁性体層を形成する プロセスにおいて 、 機械加工や機械研 磨プロセスを全く 必要と しない薄膜磁気へ ッ ド製造方法を 提供する こ と を 目的と する 。

かかる 目的を達成するため、 本発明の薄膜磁気ヘ ッ ドは、 ヘ ッ ド走行方向と 平行な面に非磁性層、 コイ ル導体層及び 第二磁性体層を形成 し、 ヘ ッ ド走行方向 と 非平行な面に第 一磁性体層を形成 している.。

したがって 、 へ ッ ド走行方向 と 平行な第二磁性体層には 対接面においてギヤ ッ プ及び疑似ギャ ッ プが生ぜず、 また へ ツ ド走行方向と対接面で非平行な第一磁性体層はへッ ド 走行方向に対し記録波長よ り 十分短い薄膜に^成でき る 。 依って 、 疑似パルスによ る波形歪の発生を防止する こ と が でき る と共にデ ィ ジタル記録における ピーク シフ ト量の低 減、 アナログ記録における高調波歪、 周波数特性の う ね り ( コンターエフェク ト ） を低減する こ とができ 、 かつ他の 卜ラ ックからのク ロス トークや、 他の 卜 ラ ッ クへのオーバ ライ トを解消でき る 。.

また、 本発明の薄膜磁気ヘッ ドは非磁性基板上に第二磁 性体層 と第一磁性体層及び第二磁性体層を順次形成し、 各 第二磁性体層 と第一磁性体層と の間にコイ ル導体層及び非 磁性層を設けたこ と を特徴とする この構造を採用する場 合、 外部からの電磁誘 妨害に強い薄膜磁気ヘッ ドにでき る 《

また、 本発明の薄膜磁気ヘッ ドは、 ヘッ ド走行方向に延 長形成された二つの非磁性層と 、 該二つの非磁性層の間に 前記へッ ド走行方向に延長形成されて設けられた他の非磁 性層と 、 該他の非磁性層 と前記二つの非磁性層の一方と の 間に前記へ ッ ド走行方向に延長形成されて設けられた第二 磁性体層と 、 前記他の非磁性層の前記ヘ ッ ド走行方向と非 平行な面に开さ成される と共に前記第二磁性体層 と接続され た第二磁性体層 と 、 該第一磁性体層と前記第二磁性体層 と の前記接続部を囲むよ う 設けられたコイ ル導体層 とから構 成する よ う に している 。 また、 本発明の薄膜磁気ヘ ッ ドは、 ヘッ ド走行方向に延 長形成された非磁性の基板と 、 該基板にヘッ ド走行方向に 延長形成されて設けられた第二磁性体層 と 、 前記ヘ ッ ド走 行方向と 非平行な先端露出部を有 し前記第二磁性体層と一 部が接続される第一磁性体層と 、 該第一磁性体層と 前記第 二磁性体層と の前記接続部を囲むよ う に前記第一磁性体眉 と 前記第二磁性体層 と の間に設けられたコイ ル導体層と 、 前記第一磁性体層を囲みこの第一磁性体層を保護する非磁 性のへッ ド保護層と から構成する よ う に している 。

た、 本発明め薄膜磁気へ ッ ドめ製造方法は、 基板上に 第二磁性体層、 コイ ル導体層、 コイ ル絶縁層、 第二磁性体 層と 一対の磁極を形成する第一磁性体層をこの順に膜'付け し、 これらの膜面と 平行方向に走行方向を と る薄膜磁気へ ッ ドの前記第一磁性体層を、 所望の ト ラ ッ ク幅相当の厚さ に形成 し、 それを フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ 及びエ ッチングある いはイ オンビーム ミ リ ングで、 対接面で第二磁性体層の膜 面に対 して平行な角度以外の任意の角度でかつ記録波長に 対 し十分短い線幅と なる形状に形成する よ う に して いる 。

したがって 、 第一磁性体層の ト ラ ッ ク幅は膜厚制御によ つて非常に精度良 く 成形され、 かつ対接面でのヘッ ド走行 方向の厚さは、 エ ッチングまたはイ オンビーム ミ リ ングに よ って所望厚さ に精確に形成される 。

依って 、 本発明の製造方法によ る と 、 機械加工、 機械研 磨作業を第一磁性体層形成工程から完全に無く して本発明 の薄膜磁気ヘッ ドを製造するこ とができ 、 生産性、 経済性 の向上が期待でき る。 更に機械加工、 研磨での基板の歪の 増大、 磁性膜の劣化、 基板の表面の粗れの増加等の影響を 受けない薄膜磁気ヘッ ド、 即ち波形歪、 疑似パルス発生の ない薄膜磁気ヘッ ドを提供でき る。 特にマルチチャ ンネル の薄膜磁気へッ ドに本発明を適用すれば隣接トラ ックから のクロス トークが軽减され、 優れた記録 · 再生特性が得ら れる

図面の簡単な説明

F i g , 1 は本発明による薄膜磁気へッ ドの一実施例を F i g · 2の I — I線に沿って示す要部断面斜視図、 f ig. 2はその ヘッ ドを摺動面側から見た平面図、 Fig.3 ( A ) 〜 （ F ) Fig. 1 の第一磁性体層を製作する工程の一例を示す製造 工程図、 Fig.4は本発明の他の実施例を Fig. 5の W— IV線 に沿って示す要部断面斜視図、 F i g · 5はそのヘッ ドを摺動 面測から見た平面図、 F i g . 6は本発明の他の実施例を F i g . 7の 一 VI線に沿って示す要部断面斜視図、 Fig. 7はその ヘッ ドを摺動面厠から見た平面図、 F i g .8は本発明の他の 実施例を F i g . 9の 1一 1線に沿って示す要部断面斜視図、 F i g .9はそのヘッ ドを摺動面厠から見た平面図、 F i g . 1 0 は本発明の薄膜磁気へッ ドの再生過程及び孤立再生波形を 示した説明図、 Hg. l 1 ( A ) 〜 （ D ) は本発明の薄膜磁 気へッ ドの製造方法の一実施例を説明する製造工程図、 Fig. 1 2は従来の薄膜磁気へッ ドの一例を示す要部断面斜 視図、 F i g . 1 3 はそのヘ ッ ド を摺動面厠から見た平面図、 F i g . 1 4 は徒来の薄膜磁気へ ッ ドの再生過程及び孤立再生 波形を示 した説明図、 F i g . 1 5 は従来の薄膜磁気ヘッ ドの 一例を示す摺動面から見た平面図、 F i g . 1 6 は他の従来の へ ッ ドを示す斜視図である 。

発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明の構成を図面に示す実施例に基づいて詳細 に説明する 。 尚、 本実施例において 、 従来の薄膜磁気へッ ド と 同一構成ない し同一部位については同一符号を付し、 その詳細な説明を省略する ，

F i g . 1 及び F i g . 2 に本発明の薄膜磁気へ ッ ドのー実施例 を示す。 該図において 、 1 は第 磁性体層、 2 は第二磁性 体層、 3 は非磁性基板、 4 はコイ ル導体層、 5 は非磁性材 若 し く は磁性材よ り なるヘ ッ ド保護膜、 6 はコイ ル絶縁層、 7 は溶着または接着剤である 。 この薄膜磁気へ ッ ドは、 非 磁性基板 3 のへッ ド走行方向 B と平行な面にコイ ル絶緣層 6 、 コイ ル導体層 4 ， 第二磁性体層 2及びヘ ッ ド保護膜 5 を順次積層する と 共に非磁性基板 3 のへ ッ ド走行方向と 非 平行な面に第一磁性体層 1 を形成 し、 互いに非平行に配置 された第一磁性体層 1 と第二磁性体層 2 と で一対の磁極を 構成 し、 その間隔を非磁性層たる コイ ル絶緣層 6 によ って 保つよ う に設けられて いる 。 そ して '、 第二磁性体層 2 は、 へ ッ ド走行方向 B にエ ッ ジを有さないよ う に記録媒体から 徐々 に離間する よ う に設けられて.いる 。 こ こ で、 第一磁性 体層 1 と第二磁性体層 2 と は非磁性基板 3上に开 成する こ と によ って互いに非平行となる よ う に配置されているが、 これに限定される ものではなく 、 要はヘッ ドを走行方向 B と平行な或る面に第二磁性体層 2 を形成する と共にこの第 二磁性体層 2 と 非平行な或る面に第一磁性体層を形成すれ ば良い。 こ こで、 第一磁性体層 1 及び第二磁性体層 2 と し ては、 例えばコバル ト系のアモルフ ァ ス （ コバル ト · ジル コニゥム · ニオブ C o - Z r - N bのアモルフ ァス膜） 又はセン ダス ト膜のよ う な軟磁性膜が、 非磁性基板 3 と しては例え ば結晶化ガラス又はアルミ ナ系のセラ ミ ックスが、 コイ ル 導体層 4 と しては例えばアルミ又は銅等の膜が、 へッ ド保 護膜 5 、 コイ ル絶縁層 6 と しては例えば二酸化ケイ 素又は フ ォ ト レジス ト材のよ う なものが使用される

尚、 本明細書において 、 第一磁性体層 1 が非平行である と は、 少なく と も対接面の部分では、 第一磁性体層 1 が非 磁性基板 3 と接触するいずれの面も 、 ヘッ ド走行方向 B換 言すれば第二磁性体層 2に対して平行でないと い う 意味に 使用されている 。 また、 第二磁性体層 2 はヘッ ド走行方向 B と平行に設け、 かつ対接面においてヘ ッ ド走行方向 Bに エ ッ ジを有さないよ う に構成する こ と によ って、 第二磁性 体層 2 に因るへッ ド走行方向 Bの疑似ギャ ップを無く し、 疑似パルスの発生を抑える よ う に している 。 一方、 第一磁 性体層 1 のヘッ ド走行方向 B 厚さ t は記録波長に対 し十 分短い寸法、 例えば 0 . 05 μπ！〜 1 . 0 urnにでき る 。 F i g , 1 0 は 本発明によ る薄膜磁気へ ッ ドの孤立再生波形と その再生過 程を示 した もので、 波形歪が原理的に生 じないこ と が理解 でき る 。

Fig. 3 ( A ) 〜 （ F ) に f i g . 1 に示 した薄膜磁気ヘ ッ ド の第一磁性体層 1 を製作するための製造工程を示す。 まず、 第一磁性体層 1 を非磁性基板 3 上に記録波長よ り十分短い 厚さ 、 例えば約 0.05 〜 1 , 0 μπιに蒸着あるいは電着若 し く はスパ ッ タ リ ングによ り形成する [ F i g . 3 ( A ) 参照 ] 。 そ して 、 形成された第一磁性体層 1 を フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ 等によ りノ、。ターニングを行い ト ラ ッ ク幅に対応する幅 wの く し歯状にエ ッチングする [ Fig. 3 ( B ) 参照 ] 。 その後、 く し歯状の'パターンを一点鎖線で示される よ う に切断する

C Fig. 3 ( C ) 参照 ] 。 この時、 基板 3 の水平面に対 し切 断面のなす角 1 は 0 ， 1 8 0 以外の 自由な値を と り う る 。 尚、 1 の値は、 ヘ ッ ドの数が二つの場合、 この二 つのヘ ッ ドを用いて記録再生する と き 、 ト ラ ッ ク間にガー ドバン ドを設けずに、 ク ロス トークのない信号再生を行う ためには、 一般に、 一方のへ ッ ドのギャ ップに対 して 1 0 度〜 4 5 度のアジマス角度を もたせる よ う にするのがよ い のでこのアジマス角度を考慮 し、 1 の値は 4 5 度から 1 3 5 度の範囲に設定するのが好ま しい。 次いで、 F i g . 3

( C ) に示すよ う に、 切断された第一磁性体層 1 と非磁性 基板 3 と からなる個々のチ ッ プを 、 他のチ ッ プの非磁性基 板 3 と の間で第一磁性体層 1 をはさみ込むよ う に して溶着 剤または接着剤 7によって溶着あるいは接着し、 更にこれ を池の非磁性基板 3に溶着または接着する [ F i g .3 ( D ) 参照 ] 。 その後、 第一磁性体層 1 を挾み込んだ非磁性基板 3の上面を研摩し、 この上面に第一磁性体層 1 の一部を露 出させる [ Fig.3 ( E ) 参照 ] 研摩面の洗浄をする

[ Fig.3 ( F ) 参照 ] 。 こ う して得られた非磁性基板 3 と 第一磁性体層 1 の複合基板の第一磁性体層 1 の一部が露出 した部分 1 aのまわ り にコイ ル導体層 4 を配置し、 この第 一磁性体層 1 の露出部と磁気的に結合し、 一対の磁極を構 成する第二磁性体層 2を形成し、 しかる後にヘ ッ ド保護膜 5 を順次積層 して薄膜磁気ヘッ ドを作成する 尚、 個々の ヘッ ドを構成した後、 記録媒体と の対接面を研摩して曲面 形状と し、 第二磁性体層 2はヘッ ド走行方向 Bにエ ッ ジを 有さないよ う に形成される

Fig.4及び Fig.5に本発明の薄膜磁気へッ ドの他の実施 例を示す。 この実施例の磁気ヘッ ドは、 Fig, 1 の実施例に おける第一磁性体層 1 と第二磁性体層 2の間隔をつめたも のである _ft コイ ル絶縁層 6 を対接面厠において薄く し、 第 二磁性体層 2 を非磁性基板 3厠へ接近させて第一磁性体層 1 と第二磁性体層 2 との間隔を小さ く 設けて いる 。

F i g .6及び F i g .7 に本発明の薄膜磁気へッ ドの他の実施 例を示す。 このヘッ ドは、 前述の実施例と異な り 、 非磁性 基板 3上に先ず第二磁性体層 2 を形成し、 その上にコイ ル 導体層 4 と コイル絶緣層 6 、 更に第一磁性体層 1 を形成し てヘ ッ ド保護膜 5 で被膜 して成る 。 この第一磁性体層 1 の 積層方向の厚み t 2 は ト ラ ッ ク幅に相当する厚さ とする 。 このと き 、 第一磁性体層 1 のヘ ッ ド走行方向 Bめ厚さ t を 対接面で 0 . 05 μιη〜 1 . 0 と し対接面よ り 離れる に従って徐 々 に厚く なる形状に形成する 。 また、 第一磁性体層 1 の対 接面での厚さ t の膜は第二磁性体層 2 に対する角度 2 が

0 ° , 1 8 0 ° 以外の任意の、 例えば本実施例め場合 90 方向に形成されている 。

更に、 F i g . 8及び F ί g . 9 に本発明の薄膜磁気ヘ ッ ドの他 の実施例を示す このヘッ ドは F i g . 6 及び F i g . 7 に示す磁 気へッ ドの第一磁性体層 1 の上に更に 2 番目のコイ ル導体 層 4 a と 2 番目の第二磁性体層 2 a を積層 し、 最後に非磁 性基板 3 a を接着または溶着 した ものであ り 、 コイ ル導体 層 4 ， 4 a を差動的に連結する こ と によ って 、 外部の電磁 妨害の影響を受け難く した ものである 。 この場合において 、 2 番目の第二磁性体層 2 a と の第一磁性体層 1 と は、 コィ ル導体層 4 aの中央部分で連結 して いる こ と が必要である 。 このへ ッ ドの第一磁性体層 1 を形成する までの製造プロセ スは F i g . 6 及び f i g . 7 に示すへ ッ ド と 同 じである 。

F i g . 6〜 F i g . 9 に例示されたタ イ プの磁気へ ッ ドの製造 方法を以下に示す。

まず非磁性基板 3 上に第二磁性体層 2 を形成 し、 それに コイ ル導体層 4 を作 り その上にコ イ ル絶緣層 6 を形成 して 平坦化処理をする 。 こ う して作られた基板上に第一磁性体 層 1 を所望の ト ラ ック幅に相当する厚さ t ₂ まで蒸着、 電 着ある いはスパッタ リ ングで形成する [ F i g . 1 1 ( A ) 参 照 ] 。 次に、 第一磁性体層 1 の上にフ ォ ト レジス ト 2 1 を 塗布し、 フ ォ ト リ ソグラ フ ィ 等によ って対接面での線幅即 ちヘッ ド走行方向 Bの厚み t が 0.05 μπ！〜 1■ 0 μπιであ り 、 対 接面よ り離れるに従って徐々 に線幅 t が広がっていく よ う な形状に成形する [ Fig. 1 1 ( B ) 参照 ] 。 これを ドライ エ ッチング又はゥェ ッ トエ ッチングあるいはイ オンビーム ミ リ ング等によ り異方性を持たせてエ ッチングする 。 尚、 符号 2 2 はイ オンビームである 。 本図では、 エ ッチングの 方向即ち第一磁性体層 1 の第二磁性体眉 2 に対する角度 Θ 2 を 9 0 の例で示してあるが、 θ 1 は 0 。 ， 1 8 0 以外の自由な値を と り う る 。 エ ッチング後、 フ ォ ト レジス ト 2 1 を除去し [ Fig. l 1 ( C ) 参照 ] 、 ヘッ ド保護膜 5 をつける [ F i g . 1 1 ( D 》 参照 ] 。 この工程図から も理解 でき る よ う に 卜ラ ッ ク幅に相当する積層方向の厚さ t .2 は 蒸着、 電着あるいはスパッ タによ り 形成するため、 狭い 卜 ラ ッ ク幅の場合でも膜厚制御によって非常に精度良く 作れ る 。

Fig. l 1 に例示する本発明の製造工程を用いれば、 Fig, 8 、 F i g . 9 に示す外部電磁妨害に強い薄膜磁気ヘッ ドの製 造も容易である し、 更にこれを繰返すこ と によ って ク ロス トークの少ないィ ンライ ンマルチチャ ンネル薄膜磁気へッ ドの製造も可能である、 尚、 上述の実施例は好適な実施例の一つではあるが、 こ れに限定される ものではなく 、 本発明の要旨を逸脱 しない 範囲において種々変形実施可能である 。 例えば、 本実施例 において コイ ル導体層 4 , 4 a を磁気抵抗素子ある いは強 磁性共鳴を利用 した ものとする こ と もでき る 。 また、 本実 施例構造のへッ ドを同 じ手順で更に繰返 してマルチャ ンネ ル化でき る こ と も 当然である 。 上記磁気抵抗素子及び強磁 性共鳴を利用 した もの （ N i 一 F e 膜な どの軟磁性薄膜の 高周波透磁率変化を共振回路の出力信号と して検出する ） は、 上記第一磁性体層 1 と 第二磁性体層 2 の間に配置 して も よい し、 第一磁性体層 1 そのものを磁気抵抗素子及び強 磁性共鳴を利用 した ものに変えて も よい。 また f i g . 6 、 F i g . 7 . F i g . 8 . F i g . 9 に示すヘ ッ ドにおいて 、 非磁性基 板 3 の代 り に磁性基板を用いて も良い。 この場合、 磁性基 板自体が第二磁性体層 と して機能 し、 第一磁性体層 と の間 で一対の磁極を構成する こ と から 、 特に第二磁性体層 2 を 形成する こ と は省略でき る 。 また高周波特性改善のため第 一磁性体層、 第二磁性体層 2 を各々非磁性中間膜を もつ積 層膜と して も良い。

Claims

請求の範囲

( 1 ) 非磁性基板上に第一磁性体層、 非磁性層、 コイ ル導 体層、 前記第一磁性体層と共に一対の磁極を構成する第二 磁性体層を積層 してなる薄膜磁気ヘッ ドにおいて 、 ヘッ ド 走行方向と平行な面に前記非磁性層、 前記コイ ル導体層及 び前記第二磁性体層を形成 し、 少なく と も対接面でへッ ド 走行方向と非平行な面に前記第一磁性体層を开 成する こ と を特徴とする薄膜磁気ヘッ ド。

( 2 ) 前記第二磁性体層は対接面においてへッ ド走行方向 にエ ッ ジを有さないこ と を特徴とする特許請求の範囲第 1 項に記载の薄膜磁気へッ ド。

( 3 ) 前記第一磁性体層のへッ ド走行方向の厚さが対接面 で 0 · 05 _μΠχ〜 1 · 0 iimである こ と を特徴とする特許請求の範囲 第 1 項又は第 2項のいずれかに記載の薄膜磁気へッ ド。

( 4 ) 前記コイ ル導体の代り に磁気抵抗素子あるいは強磁 性共鳴を利用 した素子を用いる こと を特徴とする特許請求 の範囲第 1 項ない し第 3 項のいずれかに記載の薄膜磁気へ

Ύ ト' 。

( 5 } 前記非磁性基板上に第二磁性体層と第一磁性体層及 び第二磁性体層を順次形成 し、 各第二磁性体層と第一磁性 体層 と の間にコイ ル導体層及び非磁性層を設けたこ と を特 徴とする請求項 1 ない し 4 のいずれかに記載の薄膜磁気へ 、ν

C 6 ) へ ッ ド走行方向に延長形成された二つの非磁性層 と 、 該二つの非磁性層の間に前記へ ッ ド走行方向に延長形成さ れて設けられた他の非磁性層と 、 該他の非磁性層 と 前記二 つの非磁性層の一方と の間に前記へ ッ ド走行方向に延長形 成されて設けられた第二磁性体層と 、 前記他の非磁性層の 前記へ ッ ド走行方向と 非平行な面に形成される と 共に前記 第二磁性体層と接続された第一磁性体層と 、 該第一磁性体 層と 前記第二磁性体層と の前記接続部を囲むよ う 設けられ たコイ ル導体層と からなる薄膜磁気へ ッ ド。

( 7 ) へ ッ ド走行方向に延長形成された非磁性の基板と 、 該基板にへッ ド走行方向に延長形成されて設けられた第二 磁性体層 と 、 前記ヘッ ド走行方向 と 非平行な先端露出部を 有 し前記第二磁性体層と 一部が接続される第一磁性体眉と 、 該第一磁性体層と 前記第二磁性体層と の前記接続部を囲む よ う に前記第一磁性体層 と前記第二磁性体層 と の間に設け られたコイ ル導体層と 、 前記第一磁性体層を囲みこの第一 磁性体層を保護する非磁性のへ ッ ド保護層と からなる薄膜 磁気へ ッ ド。

( 8 ) 基板上に第二磁性体層、 ギャ ッ プ材ある いは非磁性 酸化物層、 コイ ル導体層、 コイ ル絶縁層、 前記第二磁性体 層 と 一対の磁極を形成する第一磁性体層を この順に膜付け し、 これらの膜面と 平行方向に走行させる薄膜磁気ヘッ ド を製造する方法において 、 前記第一磁性体層を所望の ト ラ ッ ク幅相当の厚さ に形成 し、 それを フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ 及 びエ ッチングある いはイ オンビーム ミ リ ングで、 対接面で 第二磁性体層の膜面に対して平行な角度以外の任意の角度 でかつ記録波長に対し十分短い線幅と なる开 状に形成する こ と を特徴とする薄膜磁気へッ ドの製造方法。

( 》 前記第二磁性体層は、 対接面で第二磁性体層の膜面 に対して平行な角度以外の任意の角度でかつ 0 . 0 5 μιη〜 1 . O umの線幅と な り 、 対接面よ り離れる に徙つて徐々 に 幅広と なる形状に形成する こ と を特徴とする請求項 8記載 の薄膜磁気へ ッ ドの製造方法。