[go: up one dir, main page]

UA84428C2 - Порошок діоксиду кремнію, виготовлений в пірогенних умовах, спосіб його одержання та застосування - Google Patents

Порошок діоксиду кремнію, виготовлений в пірогенних умовах, спосіб його одержання та застосування

Info

Publication number
UA84428C2
UA84428C2 UAA200600279A UAA200600279A UA84428C2 UA 84428 C2 UA84428 C2 UA 84428C2 UA A200600279 A UAA200600279 A UA A200600279A UA A200600279 A UAA200600279 A UA A200600279A UA 84428 C2 UA84428 C2 UA 84428C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
produced
powder
silicon dioxide
compounds
dioxide powder
Prior art date
Application number
UAA200600279A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Кай Шумахер
Нарюасу Ішібаші
Нарюасу Ишибаши
Хітоші Кобаяші
Хитоши Кобаяши
Пауль Брандль
Original Assignee
Дегусса Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дегусса Аг filed Critical Дегусса Аг
Publication of UA84428C2 publication Critical patent/UA84428C2/uk

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
    • C01B33/183—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by oxidation or hydrolysis in the vapour phase of silicon compounds such as halides, trichlorosilane, monosilane
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G06Q50/00—Information and communication technology [ICT] specially adapted for implementation of business processes of specific business sectors, e.g. utilities or tourism
    • G06Q50/10—Services
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0723—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G06Q20/00—Payment architectures, schemes or protocols
    • G06Q20/08—Payment architectures
    • G06Q20/18—Payment architectures involving self-service terminals [SST], vending machines, kiosks or multimedia terminals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]

Landscapes

  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tourism & Hospitality (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Accounting & Taxation (AREA)
  • Strategic Management (AREA)
  • General Business, Economics & Management (AREA)
  • Marketing (AREA)
  • Primary Health Care (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Human Resources & Organizations (AREA)
  • Finance (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Economics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

Порошок діоксиду кремнію, виготовлений у пірогенних умовах, у вигляді сполук первинних частинок з площею поверхні BET від 300±25 м2/г, де сполуки мають середню площу 4800-6000 нм2, середній еквівалентний діаметр від 60 до 80 нм та середній розмір від 580 до 750 нм. Порошок виготовляють в пірогенних умовах, де тетрахлорид кремнію та другий кремнієвий компонент, вміст якого складає максимум 40 мас. %, який вибирають з групи, яка містить H3SiCl, H2SiCl2, HSiCl3, CH3SiCl3, (CH3)2SiCl2, (CH3)3SiCl й/або (n-C3H7)SiCl3, змішують з первинним повітрям та горючим газом, та під час горіння подають в камеру реактора, причому в камеру реактора подають вторинне повітря, а реагуючі сполуки вибираються таким чином, щоб адіабатна температура полум'я факела складала від 1390 до 1450 °С. Порошок використовують як наповнювач.
UAA200600279A 2005-01-12 2006-01-11 Порошок діоксиду кремнію, виготовлений в пірогенних умовах, спосіб його одержання та застосування UA84428C2 (uk)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005001414A DE102005001414A1 (de) 2005-01-12 2005-01-12 Pyrogen hergestelltes Siliciumdioxidpulver

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA84428C2 true UA84428C2 (uk) 2008-10-27

Family

ID=34934382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAA200600279A UA84428C2 (uk) 2005-01-12 2006-01-11 Порошок діоксиду кремнію, виготовлений в пірогенних умовах, спосіб його одержання та застосування

Country Status (10)

Country Link
US (2) US7351388B2 (uk)
EP (1) EP1686093B1 (uk)
JP (1) JP4440157B2 (uk)
KR (1) KR101148291B1 (uk)
CN (1) CN1803605B (uk)
AT (1) ATE501978T1 (uk)
DE (2) DE102005001414A1 (uk)
ES (1) ES2361672T3 (uk)
PL (1) PL1686093T3 (uk)
UA (1) UA84428C2 (uk)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007025685A1 (de) * 2007-06-01 2008-12-04 Evonik Degussa Gmbh RTV-Zweikomponenten-Silikonkautschuk
DE102007030604A1 (de) * 2007-07-02 2009-01-08 Weppner, Werner, Prof. Dr. Ionenleiter mit Granatstruktur
DE102007035952A1 (de) * 2007-07-30 2009-04-09 Evonik Degussa Gmbh Oberflächenmodifizierte, pyrogen hergestellte Kieselsäuren
US8038971B2 (en) * 2008-09-05 2011-10-18 Cabot Corporation Fumed silica of controlled aggregate size and processes for manufacturing the same
US8729158B2 (en) * 2008-09-05 2014-05-20 Cabot Corporation Fumed silica of controlled aggregate size and processes for manufacturing the same
CN102039069B (zh) * 2009-10-20 2013-02-27 中国石油化工集团公司 气液分离旋流板及其制造方法
KR101431932B1 (ko) * 2009-12-26 2014-08-19 에보니크 데구사 게엠베하 수분 함유 분말 조성물
JP5038449B2 (ja) * 2010-03-09 2012-10-03 キヤノン株式会社 画像形成装置
TWI788111B (zh) 2015-01-02 2022-12-21 美商梅拉洛伊卡公司 多元補充品組成物
US10137164B2 (en) 2015-01-02 2018-11-27 Melaleuca, Inc. Dietary supplement compositions
TWI790189B (zh) 2015-01-02 2023-01-21 美商梅拉洛伊卡公司 細菌組成物
DE102017203998A1 (de) * 2017-03-10 2017-06-01 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von pyrogener Kieselsäure
US11498841B2 (en) 2017-07-13 2022-11-15 Wacker Chemie Ag Method for producing highly dispersed silicon dioxide
EP3428135A1 (de) 2017-07-14 2019-01-16 Evonik Degussa GmbH Wärmedämm-materialien auf basis hochverdickender kieselsäuren
CN107777693B (zh) * 2017-11-14 2021-01-22 湖北汇富纳米材料股份有限公司 一种纳米气相二氧化硅的生产工艺及装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4067954A (en) * 1971-05-11 1978-01-10 Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler Process for the production of finely divided silicon dioxide having a large specific surface
US5340560A (en) * 1993-04-30 1994-08-23 General Electric Company Method for making fumed silica having a reduced aggregate size and product
US5855860A (en) * 1994-10-27 1999-01-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for porifying fine particulate silica
EP0725037B2 (de) * 1995-02-04 2012-04-25 Evonik Degussa GmbH Granulate auf Basis von pyrogen hergestelltem Siliciumdioxid, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE19650500A1 (de) * 1996-12-05 1998-06-10 Degussa Dotierte, pyrogen hergestellte Oxide
DE19922915A1 (de) * 1999-05-19 2000-11-23 Wacker Chemie Gmbh Siliconentschäumer enthaltende wäßrige Polymerisatdispersion
JP3767672B2 (ja) * 2000-04-21 2006-04-19 信越化学工業株式会社 疎水性二酸化珪素微粉末の製造方法
JP3796565B2 (ja) * 2000-08-15 2006-07-12 信越化学工業株式会社 球状シリカ微粒子の製造方法
JP3750728B2 (ja) * 2000-12-05 2006-03-01 信越化学工業株式会社 微細シリカの製造方法
DE10145162A1 (de) * 2001-09-13 2003-04-10 Wacker Chemie Gmbh Kieselsäure mit geringem Gehalt an Kieselsäure-Silanolgruppen
DE10211958A1 (de) * 2002-03-18 2003-10-16 Wacker Chemie Gmbh Hochreines Silica-Pulver, Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung
BR0317395A (pt) * 2002-12-18 2005-11-16 Degussa Sìlica estruturalmente modificada
DE10326049A1 (de) 2003-06-10 2004-12-30 Degussa Ag Flammenhydrolytisch hergestelltes Siliciumdioxid, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung

Also Published As

Publication number Publication date
ES2361672T3 (es) 2011-06-21
PL1686093T3 (pl) 2011-08-31
US7351388B2 (en) 2008-04-01
EP1686093B1 (de) 2011-03-16
CN1803605A (zh) 2006-07-19
ATE501978T1 (de) 2011-04-15
DE102005001414A1 (de) 2006-07-20
EP1686093A3 (de) 2006-08-09
EP1686093A2 (de) 2006-08-02
DE502005011122D1 (de) 2011-04-28
JP4440157B2 (ja) 2010-03-24
US20060153764A1 (en) 2006-07-13
JP2006193403A (ja) 2006-07-27
KR101148291B1 (ko) 2012-05-25
KR20060082383A (ko) 2006-07-18
CN1803605B (zh) 2011-12-28
US20080145659A1 (en) 2008-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
UA84428C2 (uk) Порошок діоксиду кремнію, виготовлений в пірогенних умовах, спосіб його одержання та застосування
UA84021C2 (uk) Порошок діоксиду кремнію,виготовлений в пірогенних умовах, спосіб його виробництва, застосування та силіконовий герметик з вмістом цього порошку
AU2003290058A1 (en) Pyrogenic silicon dioxide and a dispersion thereof
US11565974B2 (en) Granular thermal insulation material and method for producing the same
UA83667C2 (uk) Порошок діоксиду кремнію, виготовлений у пірогенних умовах, спосіб його виготовлення, поліефір та силіконовий каучук, які його містять
UA84153C2 (uk) Порошок діоксиду кремнію, виготовлений в пірогенних умовах, спосіб його виробництва, застосування та водна дисперсія, яка його містить
DE502007006418D1 (de) Pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid mit niedriger Verdickungswirkung
UA86789C2 (uk) Порошкоподібний оксид алюмінію, одержаний полуменевим гідролізом, спосіб його одержання та застосування
JP2009196891A (ja) 火炎加水分解により製造した珪素−アルミニウム−混合酸化物粉末、その製法およびその使用
ATE435837T1 (de) Pyrogenes siliciumdioxidpulver und dispersion hiervon
ES2693907T3 (es) Polvo de dióxido de silicio con una longitud de poro grande
UA83096C2 (uk) Порошкоподібний діоксид титану та спосіб його одержання полуменевим гідролізом
ATE371629T1 (de) Durch flammenhydrolyse hergestelltes silicium- titan-mischoxidpulver
ATE497930T1 (de) Pyrogene kieselsäure
JP2023025185A (ja) 高分散二酸化ケイ素を製造する方法
ATE465976T1 (de) Titandioxid mit erhöhter sinteraktivität
TH80966A (th) ผงซิลิคอนไดออกไซด์ที่ถูกผลิตขึ้นแบบไพโรจีนิคอล และสารประกอบผนึกซิลิโคนที่ประกอบด้วยผงนี้
TH37948B (th) ผงซิลิคอนไดออกไซด์ที่ถูกผลิตขึ้นแบบไพโรจีนิคอล และสารประกอบผนึกซิลิโคนที่ประกอบด้วยผงนี้
CN121449410A (en) Granular heat insulating material and preparation method thereof
TH55727B (th) ผงซิลิคอน ไดออกไซด์ที่ถูกผลิตขึ้นแบบไพโรจีนิคอล
TH80967A (th) ผงซิลิคอน ไดออกไซด์ที่ถูกผลิตขึ้นแบบไพโรจีนิคอล
TH57441B (th) ผงซิลิคอนไดออกไซด์ที่ถูกผลิตขึ้นแบบไพโรจีนิคอล