UA43997A - METHOD OF OBTAINING CRYSTAL PBS - Google Patents
METHOD OF OBTAINING CRYSTAL PBS Download PDFInfo
- Publication number
- UA43997A UA43997A UA2001010018A UA200110018A UA43997A UA 43997 A UA43997 A UA 43997A UA 2001010018 A UA2001010018 A UA 2001010018A UA 200110018 A UA200110018 A UA 200110018A UA 43997 A UA43997 A UA 43997A
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- zone
- temperature
- starting substances
- section
- melting temperature
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 5
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у 2 приладобудуванні, термоелектриці, оптоелектроніці.The invention relates to the technology of semiconductor materials and can be applied in 2 instrument building, thermoelectricity, optoelectronics.
Халькогенідні напівпровідники групи АУВУ! і тверді розчини на їх основі, що використовуються як термоелектричні матеріали, отримують у вигляді моно- чи полікристалів з розплаву або з газової фази (АнатьічукChalcogenide semiconductors of the AUVU group! and solid solutions based on them, which are used as thermoelectric materials, are obtained in the form of mono- or polycrystals from the melt or from the gas phase (Anatyichuk
ЛИ. Термозлементь и термозлектрические устройства. Справочник. -- Киев: Наукова думка. -- 1979. -- 768с.).LI. Thermocouples and thermoelectric devices. Directory. -- Kyiv: Scientific opinion. -- 1979. -- 768p.).
Однак, ці способи їх отримання складні, дорогі і не дозволяють плавно керувати електричними і то термоелектричними параметрами.However, these methods of obtaining them are complicated, expensive and do not allow smooth control of electrical and even thermoelectric parameters.
Найбільш близьким до запропонованого винаходу є спосіб отримання кристалічного РЬ5, який полягає у тому, що вихідні речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин; ампулу з вихідними речовинами витримують у першій т зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації (Абрикосов М.Х., ШелимоваThe closest to the proposed invention is the method of obtaining crystalline РЬ5, which consists in the fact that the starting substances, placed in a quartz vacuum ampoule, are placed in a two-zone furnace, the temperature of the first zone of which is higher than the melting temperature of the starting substances, and the temperature of the second zone is lower than melting point of starting substances; the ampoule with the starting substances is kept in the first t zone until a melt is obtained, and moved to the second zone until crystallization takes place (Abrikosov M.Kh., Shelymova
Л.Е. Полупроводниковьне материаль на основе соєдинений АВМ, -- М.: Наука. -- 1975.).L.E. Semiconductor material on the basis of connected AVM, -- M.: Nauka. -- 1975.).
В основу винаходу поставлене завдання створити спосіб отримання кристалічного РЬ5, в якому легування додатковим компонентом вихідних речовин, дозволило б отримати матеріал з високими термоелектричними го параметрами.The basis of the invention is the task of creating a method of obtaining crystalline Pb5, in which alloying with an additional component of the starting substances would allow obtaining a material with high thermoelectric parameters.
Поставлене завдання вирішується тим, що у способі отримання кристалічного РЬ5, який полягає у тому, що вихідні речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до ов Отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, згідно винаходу, як вихідну речовину використовують кристалічний РЬЗ легований талієм. «The task is solved by the fact that in the method of obtaining crystalline P5, which consists in the fact that the starting substances are placed in a quartz vacuum ampoule, placed in a two-zone furnace, the temperature of the first zone of which is higher than the melting temperature of the starting substances, and the temperature of the second zone is lower from the melting temperature of the starting substances, the ampoule with the starting substances is kept in the first zone until ov Obtaining the melt, and moved to the second zone to carry out crystallization, according to the invention, as a starting substance, crystalline PZZ doped with thallium is used. "
Експериментальне встановлено, що для даної речовини додаткове легування Ті до О4ат. 96 приводить до покащення термоелектричних параметрів даної речовини (фіг.).It was experimentally established that for this substance, additional alloying of Ti to O4at. 96 leads to an improvement in the thermoelectric parameters of this substance (fig.).
Спосіб отримання кристалічного РОЗ здійснюють таким чином. Як вихідну речовину використовують сплав їм зр сполук РЬ ї 5 які легують ТІ. Вихідні речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а (22) температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними Фу речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації. со з Приклад конкретного виконання. «The method of obtaining crystalline ROZ is carried out as follows. As a starting material, they use an alloy of compounds РЬ and 5 doped with TI. The starting substances, placed in a quartz vacuum ampoule, are placed in a two-zone furnace, the temperature of the first zone of which is higher than the melting temperature of the starting substances, and (22) the temperature of the second zone is lower than the melting temperature of the starting substances, the ampoule with the starting Fu substances is kept in the first zone until the melt is obtained, and moved to the second zone for crystallization. so with Example of specific implementation. "
Вихідними матеріалами для приготування сплавів служили талій марки Тл-П, свинець марки С-000, сірка марки ос.ч. Елементи сплавляли в кварцових ампулах, вакуумованих до 1,33010 Па. Сплави охолоджували протягом декількох діб. Леговані кристали досліджували методами диференціально-термічного, рентгенофозового і мікроструктурного аналізів. ДТА проводили на пірометрі ФПК-58, РФА порошків здійснювали « 0. МНа установці ДРОН-О,5. Термоелектричні властивості досліджували потенціометричне у постійних електричних і пт») с магнітних полях. Основні їх параметри наведені на фіг.Talium of the Tl-P grade, lead of the S-000 grade, and sulfur of the os.ch grade served as starting materials for the preparation of alloys. Elements were fused in quartz ampoules vacuumed to 1.33010 Pa. The alloys were cooled for several days. Doped crystals were studied by the methods of differential thermal, X-ray diffraction and microstructural analyses. DTA was carried out on a FPK-58 pyrometer, X-ray analysis of powders was carried out "0. MOn the DRON-O,5 installation. Thermoelectric properties were studied potentiometrically in constant electric and pt»c magnetic fields. Their main parameters are shown in fig.
Як бачимо із фіг. додаткове легування РОЗ талієм до О0,4ат.95 веде до зростання термоелектричних :з» параметрів. На основі легованих кристалів РЬБ5 можна створювати різного роду термоелементи і термогенератори, що ефективно функціонують у широкій області температур. т-As we can see from fig. additional doping of ROZ with thallium up to O0.4at.95 leads to an increase in thermoelectric parameters. On the basis of alloyed РББ5 crystals, it is possible to create various types of thermoelements and thermogenerators that function effectively in a wide range of temperatures. t-
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2001010018A UA43997A (en) | 2001-01-03 | 2001-01-03 | METHOD OF OBTAINING CRYSTAL PBS |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2001010018A UA43997A (en) | 2001-01-03 | 2001-01-03 | METHOD OF OBTAINING CRYSTAL PBS |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA43997A true UA43997A (en) | 2002-01-15 |
Family
ID=74173365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2001010018A UA43997A (en) | 2001-01-03 | 2001-01-03 | METHOD OF OBTAINING CRYSTAL PBS |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA43997A (en) |
-
2001
- 2001-01-03 UA UA2001010018A patent/UA43997A/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101451995B1 (en) | Process for producing ZnO single crystal according to method of liquid phase growth | |
| Triboulet | CdTe And CdTe: Hg alloys crystal growth using stoichiometric and off-stoichiometric zone passing techniques | |
| Strok et al. | The Quasi-Ternary System Cu2Se-Ga2Se3-GeSe2 | |
| Fischer | Techniques for Melt‐Growth of Luminescent Semiconductor Crystals under Pressure | |
| Parasyuk et al. | Phase diagram of the Ag2S–HgS–SnS2 system and single crystal preparation, crystal structure and properties of Ag2HgSnS4 | |
| UA43997A (en) | METHOD OF OBTAINING CRYSTAL PBS | |
| Babu et al. | Growth improvement of AgGaSe2 single crystal using the vertical Bridgman technique with steady ampoule rotation and its characterization | |
| Steininger | High pressure reflux technique for growth of Hg1-xCdxTe crystals | |
| UA57564A (en) | METHOD FOR PRODUCTION OF CRYSTAL PbTe OF n- AND p-TYPE | |
| Lehoczky et al. | Directional solidification and characterization of Hg1− xCdxTe alloys | |
| UA57565A (en) | METHOD FOR PRODUCTION OF CRYSTAL PbSe OF n- AND p-POLARITY OF CONDUCTIVITY | |
| UA43949A (en) | METHOD OF OBTAINING THERMOELECTRIC ALLOYS BASED ON COMPOUNDS A <sup> IV <sup> B <sup> VI <sup> | |
| Dorokhin et al. | Application of the Bridgman Method to Obtain Thermoelectric Silicon Doped with Germanium and Phosphorus | |
| Nihtianova et al. | Investigation of Pb5MoO8 crystal growth in PbOMoO3 system | |
| UA43999A (en) | METHOD OF PREPARATION OF SOLID SOLUTIONS OF GeTe-PbTe | |
| UA43963A (en) | METHOD OF OBTAINING THERMOELECTRIC ALLOYS BASED ON TIN, LEAD AND GERMANY TELLURIDE | |
| UA35208A (en) | A method for obtaining themoelectrical alloys PB1-XINXTE:I | |
| UA35211A (en) | A process for preparation of thermo-electric alloys based on telluride of tin, lead and germanium | |
| UA19990U (en) | PROCESS FOR PREPARATION OF CRYSTALLINE PbSe OF n -TYPE ALLOYED WITH BISMUTH | |
| Woolley | Alloy semiconductors | |
| Strok et al. | The Quasi-Ternary System Cu^ sub 2^ Se-Ga^ sub 2^ Se^ sub 3^-GeSe^ sub 2^ | |
| RU2642890C2 (en) | Method for thermoelectric material production for thermoelectric generator devices on basis of lead telluride | |
| UA63274A (en) | A METHOD FOR PRODUCING SOLID SOLUTIONS OF GeTe-SnTe-Bi2Te3-Sb2Te3 | |
| Seyidov et al. | Phase Diagram of the TlInSe2–TlTmSe2 System and Electrical and Thermal Properties of Tl2InTmSe4 Crystals | |
| Vassilev et al. | Phase equilibria in the GeSe 2–SnSe system |