UA43991A - METHOD OF OBTAINING THERMOELECTRIC ALLOYS LEAD TELLUR - GERMANY TELLUR - Google Patents
METHOD OF OBTAINING THERMOELECTRIC ALLOYS LEAD TELLUR - GERMANY TELLUR Download PDFInfo
- Publication number
- UA43991A UA43991A UA2000127471A UA2000127471A UA43991A UA 43991 A UA43991 A UA 43991A UA 2000127471 A UA2000127471 A UA 2000127471A UA 2000127471 A UA2000127471 A UA 2000127471A UA 43991 A UA43991 A UA 43991A
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- zone
- temperature
- starting substances
- tellur
- mol
- Prior art date
Links
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 4
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910018219 SeTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- FESBVLZDDCQLFY-UHFFFAOYSA-N sete Chemical compound [Te]=[Se] FESBVLZDDCQLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 2
- 108010023321 Factor VII Proteins 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical group 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у 2 приладобудуванні, термоелектриці, оптоелектроніці.The invention relates to the technology of semiconductor materials and can be applied in 2 instrument building, thermoelectricity, optoelectronics.
Халькогенідні напівпровідники групи АУВУ! і тверді розчини на їх основі, що використовуються як термоелектричні матеріали, отримують у вигляді моно- чи полікристалів з розплаву або з газової фази (АнатьічукChalcogenide semiconductors of the AUVU group! and solid solutions based on them, which are used as thermoelectric materials, are obtained in the form of mono- or polycrystals from the melt or from the gas phase (Anatyichuk
ЛИ. Термозлементь и термозлектрические устройства. Справочник.-- Киев: Наукова думка. -- 1979.-- 768 с.).LI. Thermocouples and thermoelectric devices. Directory.-- Kyiv: Scientific opinion. -- 1979.-- 768 p.).
Однак, ці способи їх отримання складні, дорогі, не дозволяють плавно керувати електричними і то термоелектричними параметрами, а головне досягати їх високих значень.However, these methods of obtaining them are complicated, expensive, do not allow smooth control of electrical and even thermoelectric parameters, and most importantly, to achieve their high values.
Найбільш близьким до запропонованого винаходу є спосіб отримання термоелектричних сплавів РеТе-СетТе, який полягає у тому, що вихідні речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин; ампулу з вихідними речовинами витримують у т першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації (В.М. Шперун, Д.М.The closest to the proposed invention is the method of obtaining thermoelectric alloys ReTe-SetTe, which consists in the fact that the starting substances are placed in a quartz vacuum ampoule, placed in a two-zone furnace, the temperature of the first zone of which is higher than the melting temperature of the starting substances, and the temperature of the second zone is lower than the melting point of the starting substances; the ampoule with the starting substances is kept in the first zone until the melt is obtained, and moved to the second zone until crystallization takes place (V.M. Shperun, D.M.
Фреїк, Р.І. Запухляк. Термоелектрика телуриду свинцю та його аналогів. -- Івано-Франківськ: Плай. 2000. -- 250с.).Freik, R.I. A swelling Thermoelectricity of lead telluride and its analogues. -- Ivano-Frankivsk: Play. 2000. -- 250 p.).
В основу винаходу поставлене завдання створити спосіб отримання термоелектричних сплавів РеТе-сете, в якому вибір складу вихідних речовин, а також додатковий гомонізуючий відпал дозволив би отримати матеріал з 720 високими термоелектричними параметрами.The invention is based on the task of creating a method of obtaining thermoelectric alloys ReTe-sete, in which the selection of the composition of the starting materials, as well as additional homogenizing annealing, would allow to obtain a material with 720 high thermoelectric parameters.
Поставлене завдання вирішується тим, що у способі отримання термоелектричних сплавів РоТе-СетТе, який полягає у тому, що вихідні речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій 29 зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, зразки сплавляли із « попередньо синтезованих бінарних сполук, після чого отриманий сплав відпалювали при 830К протягом 450год., згідно винаходу, як вихідну речовину використовують сплав РеТе-Сете.The task is solved by the fact that in the method of obtaining thermoelectric alloys RoTe-SetTe, which consists in the fact that the starting substances are placed in a quartz vacuum ampoule, placed in a two-zone furnace, the temperature of the first zone of which is higher than the melting temperature of the starting substances, and the temperature of the second zone is lower than the melting temperature of the starting substances, the ampoule with the starting substances is kept in the first 29 zone until the melt is obtained, and moved to the second zone until crystallization takes place, the samples were alloyed from "pre-synthesized binary compounds, after which the resulting alloy was annealed at 830K for 450 hours. , according to the invention, the ReTe-Cete alloy is used as the starting material.
Експериментальне встановлено, що для даної речовини коефіцієнт термо-е.р.с. а, а також термоелектрична добротність 7 із зміною складу змінюється. Крім того, показано, що телуриди германію і свинцю утворюють - неперервний ряд твердих розчинів, які стійкі в області температур 970- 820К. Дослідження мікроструктури (о) сплавів, відпалених при 830ОК і загартованих у крижаній воді, показали, що всі сплави однофазні і мають характерну поліедричну структуру. Також встановлено, що термоелектрична ефективність сплаву 87мол.бо РЬ ФIt was experimentally established that for this substance the thermo-e.r.s. coefficient and, as well as the thermoelectric factor 7 changes with a change in composition. In addition, it is shown that germanium and lead tellurides form a continuous series of solid solutions that are stable in the temperature range of 970-820K. Studies of the microstructure (o) of alloys annealed at 830°C and quenched in ice water showed that all alloys are single-phase and have a characteristic polyhedral structure. It was also established that the thermoelectric efficiency of the alloy is 87 mol.bo РЬ Ф
Те ї- 13мол.95 СетТе значно вища, ніж при інших складах (таблиця). соTe i- 13mol.95 SetTe is much higher than with other compositions (table). co
Спосіб отримання термоелектричних сплавів РоТе-СзеТе здійснюють таким чином. Як вихідну речовину використовують сплав бінарних сполук РьЬтТе і СетТе, взятих у співвідношенні 87 мол.9о РЬ Те ж 13 мол.9о Сете. ЗThe method of obtaining thermoelectric alloys RoTe-SzeTe is carried out as follows. As a starting material, an alloy of binary compounds PbtTe and CetTe, taken in the ratio of 87 mol.9o Pb and 13 mol.9o Cete, is used. WITH
Вихідні речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до « дю отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, зразки плавили із попередньо -о синтезованих бінарних сполук, після чого отриманий сплав відпалювали при 830К протягом 450год. с Приклад конкретного виконання. :з» Вихідні речовини-- сполуки Сете і РьЬтТе, взяті у співвідношенні 87мол.бо РЬ Те ж 1Змол.бо СеТе, розміщують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення їз 15 вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації. Після чого отриманий сплав відпалювали при 830К (95) протягом 450год. Основні їх параметри наведені в таблиці. с ТаблицяThe starting substances, placed in a quartz vacuum ampoule, are placed in a two-zone furnace, the temperature of the first zone of which is higher than the melting temperature of the starting substances, and the temperature of the second zone is lower than the melting temperature of the starting substances, the ampoule with the starting substances is kept in the first zone until obtaining of the melt, and moved to the second zone for crystallization, the samples were melted from previously synthesized binary compounds, after which the resulting alloy was annealed at 830K for 450 hours. c An example of a specific implementation. :z» The starting substances-- the compounds SeTe and PtTe, taken in a ratio of 87 mol.bo Pb and 1 mol.bo SeTe, are placed in a quartz vacuum ampoule and placed in a two-zone furnace, the temperature of the first zone of which is higher than the melting temperature of the starting substances, and the temperature of the second zone is lower than the melting temperature of 15 starting substances, the ampoule with the starting substances is kept in the first zone until the melt is obtained, and moved to the second zone until crystallization takes place. After that, the resulting alloy was annealed at 830K (95) for 450 hours. Their main parameters are given in the table. with Table
Термоелектричні параметри сплаву РЬТе-Сете після відпалу при 830ОК о 50 "7 Ом" Осм7! |Вток 2осм7! ВтоКОсм-! К 59 » Як бачимо із таблиці сплав 87мол.бо РьЬТе ж 1Змол.Уо СеТе володіє високими термоелектричними параметрами у порівнянні з іншими складами. На його основі можуть створюватись різного роду термоелементи і термогенератори, що ефективно функціонують у широкій області температур.Thermoelectric parameters of the PTe-Sete alloy after annealing at 830 OK at 50 "7 Ohm" Osm7! |Vtok 2osm7! VtoKOsm-! K 59 » As we can see from the table, the 87mol.bo PryTe and 1mol.Uo SeTe alloy has high thermoelectric parameters compared to other compositions. On its basis, it is possible to create various types of thermoelements and thermogenerators that function effectively in a wide range of temperatures.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2000127471A UA43991A (en) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | METHOD OF OBTAINING THERMOELECTRIC ALLOYS LEAD TELLUR - GERMANY TELLUR |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2000127471A UA43991A (en) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | METHOD OF OBTAINING THERMOELECTRIC ALLOYS LEAD TELLUR - GERMANY TELLUR |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA43991A true UA43991A (en) | 2002-01-15 |
Family
ID=74173368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2000127471A UA43991A (en) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | METHOD OF OBTAINING THERMOELECTRIC ALLOYS LEAD TELLUR - GERMANY TELLUR |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA43991A (en) |
-
2000
- 2000-12-25 UA UA2000127471A patent/UA43991A/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| 정덕영 et al. | Complex chalcogenides as thermoelectric materials: a solid state chemistry approach | |
| US7166796B2 (en) | Method for producing a device for direct thermoelectric energy conversion | |
| Vedeneev et al. | Tin telluride based thermoelectrical alloys | |
| Caillat et al. | Study of the Bi-Sb-Te ternary phase diagram | |
| Iversen | Fulfilling thermoelectric promises: β-Zn4Sb3 from materials research to power generation | |
| Chen et al. | Microstructure and thermoelectric properties of n-and p-type doped Mg2Sn compounds prepared by the modified bridgman method | |
| Allevato et al. | Phase diagram and electrical behavior of silicon-rich iridium silicide compounds | |
| Huang et al. | The Cu–Te system: phase relations determination and thermodynamic assessment | |
| JP2020065035A (en) | Electrothermal alloy and method of manufacturing the same, and electrothermal alloy composite | |
| US3782927A (en) | Material for direct thermoelectric energy conversion with a high figure of merit | |
| Borshchevsky et al. | CoSb3‐IrSb3 solid solutions: preparation and characterization | |
| UA43991A (en) | METHOD OF OBTAINING THERMOELECTRIC ALLOYS LEAD TELLUR - GERMANY TELLUR | |
| Chen et al. | Eutectic microstructure and thermoelectric properties of Mg2Sn | |
| Parker et al. | Determination of the liquidus-solidus curves for the system PbTe-GeTe | |
| CN101613846B (en) | Method for preparing Mg-Si-Sn based thermoelectric material by rapid solidification | |
| Mallik et al. | Transport properties on Sn-filled and Te-doped CoSb3 skutterudites | |
| UA43995A (en) | METHOD OF OBTAINING SOLID SOLUTIONS (GeTe) <sub> 1-x <sup> (AgSbTe <sub> 2 <sup>) <sub> X <sup> | |
| RU2610058C1 (en) | Method for phase memory material production | |
| UA63275A (en) | A METHOD FOR PRODUCING SOLID SOLUTIONS OF GeTe-SnTe-Bi2Te3-Sb2Te3 | |
| Chung et al. | Searching for new thermoelectrics in chemically and structurally complex bismuth chalcogenides | |
| UA43999A (en) | METHOD OF PREPARATION OF SOLID SOLUTIONS OF GeTe-PbTe | |
| UA63273A (en) | A METHOD FOR PRODUCING SOLID SOLUTIONS OF GeTe-Bi2Te3 | |
| Orujlu et al. | SnTe-Bi2Te3-Te System: Phase Equilibria and Thermodynamic Properties of SnTe-Rich Ternary Phases | |
| UA43994A (en) | METHOD OF PREPARATION OF SOLID SOLUTIONS BASED ON GERMANIUM TELLURIDE | |
| UA63272A (en) | A METHOD FOR PRODUCING SOLID SOLUTIONS OF GeTe-Bi2To3-Cu2Te |