[go: up one dir, main page]

TWM613115U - 複合式導線架及高亮度發光二極體的封裝結構 - Google Patents

複合式導線架及高亮度發光二極體的封裝結構 Download PDF

Info

Publication number
TWM613115U
TWM613115U TW110200689U TW110200689U TWM613115U TW M613115 U TWM613115 U TW M613115U TW 110200689 U TW110200689 U TW 110200689U TW 110200689 U TW110200689 U TW 110200689U TW M613115 U TWM613115 U TW M613115U
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting diode
lead frame
chip
cup
Prior art date
Application number
TW110200689U
Other languages
English (en)
Inventor
黃嘉能
Original Assignee
長華科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 長華科技股份有限公司 filed Critical 長華科技股份有限公司
Priority to TW110200689U priority Critical patent/TWM613115U/zh
Publication of TWM613115U publication Critical patent/TWM613115U/zh
Priority to US17/501,531 priority patent/US20220231208A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10W74/00—

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種複合式導線架，適用於高亮度的發光二極體晶片，包含一供該發光二極體晶片設置的晶片座、一填充膠體，及一設置於該晶片座上且為環狀的反射杯。該晶片座形成至少一通孔，令該填充膠體填置於該至少一通孔內，用以加強該晶片座與該反射杯間的密著性。該反射杯同時與該晶片座及該至少一通孔內的填充膠體接合，包含矽基高分子材料及白色無機填充料，具有高反射性且具有高光耐受性，進而提高該發光二極體晶片的出光效率，並同時增加該反射杯的耐光性，以避免因受光線照射而產生黃化或變質。此外，本新型還提供一高亮度發光二極體的封裝結構。

Description

複合式導線架及高亮度發光二極體的封裝結構
本新型是有關於一種導線架及封裝結構，特別是指一種具有反射杯的導線架及使用該導線架進行二極體晶片封裝的封裝結構。
習知用於高流明發光二極體元件的封裝杯導線架，一般是以金屬材料(例如銅合金、鋁合金)透過蝕刻或沖壓成型的方式形成一平面狀導線架後，再將模塑料，例如環氧樹脂(EMC，epoxy molding compound)等，透過模注等方式於該導線架的表面形成一用於反射LED光線的封裝杯。
然而，環氧樹脂類的模塑料雖然具有良好的機械性質且與金屬的結合性良好，但因為環氧樹脂的耐候性與光穩定性不佳，隨著使用時間增長，原本成白色且用於反射光線的環氧樹脂會開始老化而逐漸黃化、劣化，導致對於光線的反射率逐漸下降且使用壽命降低。
因此，本新型之目的，即在提供一種複合式導線架，增加耐光性而延長其使用壽命。
於是，本新型的複合式導線架，適用於封裝一發光二極體晶片，包含一晶片座、一填充膠體，及一反射杯。
該晶片座具有至少兩個成平板狀且彼此成一間隙間隔，用於供與該發光二極體晶片電連接的電極，且每一電極具有彼此反向的一頂面、一底面，及至少一自該頂面貫穿至該底面的通孔。
該填充膠體由透光或不透光的高分子材料構成，填置於該間隙及該至少一通孔中。
該反射杯成環狀且設置於該等電極的頂面，並與該等電極的頂面界定出一供容置該發光二極體晶片的容置空間，該反射杯供反射該發光二極體晶片發出之光，並成白色，構成材料包括與該填充膠體的高分子材料不同的矽基高分子材料，及白色無機填充料，且該反射杯同時與該等電極及該等通孔內的填充膠體接合。
又，本新型的另一目的即在於提供一種高亮度發光二極體的封裝結構，增加耐光性而延長其使用壽命。
於是，本新型高亮度發光二極體的封裝結構，包含一如前所述的複合式導線架、一發光二極體單元，及一封膠層。
該發光二極體單元具有一設置於該複合式導線架的晶片座上且與該晶片座電連接的發光二極體晶片。
該封膠層為可透光性，填置於該複合式導線架的容置空間並覆蓋該發光二極體晶片。
本新型之功效在於：通過成白色且由矽基高分子材料為主的該反射杯能提高對於光的反射性以提高整體封裝結構的出光效率，並避免該反射杯因直接受光線照射而導致黃化、變質的情形發生。此外，通過填充在該至少一通孔中的填充膠體，能加強該反射杯與該晶片座的密著性。
參閱圖1，本新型高亮度發光二極體的封裝結構200的一實施例，包含一複合式導線架2、一發光二極體單元3，及一封膠層4。
配合參閱圖2與圖3，該複合式導線架2包括一晶片座21、一填充膠體22，及一反射杯23。
該晶片座21的構成材料選自銅系合金或鐵鎳合金，具有至少兩個成平板狀且彼此成一間隙間隔，用於供與該發光二極體單元3電連接的電極211，且每一電極211具有彼此反向的一頂面2111、一底面2112，及至少一自該頂面2111貫穿至該底面2112的通孔212，且該至少一通孔212大致與該反射杯23的形成位置相對應。
在本實施例中，該二電極211是以經沖壓或蝕刻後形成方形的銅片，並各自形成多個貫穿相應電極211的通孔212為例作說明，然而，該等電極211與該等通孔212可依設計需求可以有各種不同的形狀態樣，且每一個電極211的通孔212數量也可依需求而有不同，只要該二電極211彼此為電性獨立並具有通孔212即可，並不以前述之舉例說明為限。
該填充膠體22填置於該等通孔212及該二電極211的間隙中，並選自熱固性樹脂或熱塑性樹脂。該填充膠體22可為透光或不透光，且與該反射杯23擁有良好的密著性，例如：環氧樹脂、黑色樹脂等。
該反射杯23成環狀且設置於該二電極211的頂面2111，並與該二電極211的頂面2111界定出一供容置該發光二極體單元3的容置空間213，且令該晶片座21的該二電極211的部分頂面自該容置空間213露出。
詳細的說，該反射杯23大致與該等電極211的通孔212位置相對應，並成白色，其中，該反射杯23具有一遠離該晶片座21的上表面231，及一自該上表面231朝該晶片座21方向形成的內周面232，該內周面232與該二電極211的頂面2111的夾角大於90度。該反射杯23的構成材料包括與該填充膠體22的高分子材料不同的矽基高分子材料，及白色無機填充料。由於該填充膠體22會填置於該等通孔212中，因此，該反射杯23除了會與該等電極211的頂面2111接合，還會同時與填置於該等通孔212的填充膠體22接合，而可透過該填充膠體22提升該反射杯23與該晶片座21的密著性。在本實施例中，該等通孔212形成於該晶片座21對應於該反射杯23的位置，而不會位於該容置空間213，該反射杯23的該矽基高分子材料為矽膠，該白色無機填充材料選自硫酸鋇、二氧化鈦的其中至少一種為例，但並不以此為限。
該發光二極體單元3具有一設置於該晶片座21的其中一電極211上的發光二極體晶片31，及多條分別令該發光二極體晶片31與該二電極211電連接的導線32。
該封膠層4為可透光性，填置於該複合式導線架2的容置空間213中並覆蓋該發光二極體單元3。該封膠層4選自具有高透光性的封裝膠材，如環氧樹脂或矽膠等，因此，該封膠層4在保護該發光二極體單元3的同時，還能不影響該發光二極體晶片31的出光效率。
當該發光二極體晶片31設置於該晶片座21上並發出光時，該反射杯23能反射至少部分角度的光線使其改變光路徑方向，而朝向出光口行進(即該反射杯23反向於該晶片座21一側的開口)，以提高該發光二極體晶片31的出光效率。
本新型利用於該晶片座21形成該等通孔212，並於該等通孔212中預充填該填充膠體22，因此，可透過該填充膠體22與該反射杯23的接合，提升該反射杯23與該晶片座21間的密著性，此外，配合該反射杯23的材料選擇，還可增強該反射杯23本身的耐光性。
本新型透過該反射杯23的設置，除了可藉由該反射杯23的高分子材料選擇，提升該反射杯23本身的耐光性及穩定性以維持其反射率之外，以避免反射杯23直接受到激發光的照射而產生光降解的情形發生，進而改善習知的由環氧樹脂構成的封裝杯耐候性不佳而導致黃化、變質的問題。此外，通過該填充膠體22能進一步增加該反射杯23與該晶片座21間的密著性，使該反射杯23不易自該晶片座21剝離。
綜上所述，本新型高亮度發光二極體的封裝結構200通過填充在該等通孔212中的填充膠體22，能加強該晶片座21與該反射杯23間的密著性。此外，透過該反射杯23的材料選擇，能避免因受光線照射而產生黃化或變質，相較於傳統的封裝杯導線架是由環氧樹脂類構成的封裝杯以直接承受光的照射，而因環氧樹脂類本身的耐光性不佳而導致黃化、變質，使該封裝杯的反射性隨著使用時間增長而下降，本案之複合式導線架2的反射杯23含有矽基高分子材料與白色無機填充材料，因此在提高對於光線的反射性的同時，還能避免因受到該半導體晶片31的激發光直接照射而導致黃化，確實能達成本新型之目的。
惟以上所述者，僅為本新型之實施例而已，當不能以此限定本新型實施之範圍，凡是依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。
200:封裝結構 2:複合式導線架 21:晶片座 211:電極 2111:頂面 2112:底面 212:通孔 213:容置空間 22:填充膠體 23:反射杯 231:上表面 232:內周面 3:發光二極體單元 31:發光二極體晶片 32:導線 4:封膠層
本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1一剖視示意圖，說明本新型高亮度發光二極體的封裝結構的一實施例； 圖2是一立體圖，說明一複合式導線架；及 圖3是一沿圖2的割面線III-III的剖視示意圖，輔助圖2說明該複合式導線架。
2:複合式導線架
21:晶片座
211:電極
2111:頂面
2112:底面
212:通孔
213:容置空間
22:填充膠體
23:反射杯
231:上表面
232:內周面

Claims (5)

  1. 一種複合式導線架，適用於封裝一發光二極體晶片，包含： 一晶片座，具有至少兩個成平板狀且彼此成一間隙間隔，用於供與該發光二極體晶片電連接的電極，且每一電極具有彼此反向的一頂面、一底面，及至少一自該頂面貫穿至該底面的通孔； 一填充膠體，由透光或不透光的高分子材料構成，填置於該間隙及該至少一通孔中；及 一反射杯，成環狀且設置於該等電極的頂面，並與該等電極的頂面界定出一供容置該發光二極體晶片的容置空間，該反射杯供反射該發光二極體晶片發出之光並成白色，構成材料包括與該填充膠體的高分子材料不同的矽基高分子材料，及白色無機填充料，且該反射杯同時與該等電極及該等通孔內的填充膠體接合。
  2. 如請求項1所述的複合式導線架，其中，該反射杯還具有一遠離該晶片座的上表面，及一自該上表面朝該晶片座方向形成的內周面，該內周面與該晶片座的頂面的夾角大於90度。
  3. 如請求項1所述的複合式導線架，其中，該反射杯的矽基高分子材料為矽膠，且該白色無機填充材料選自硫酸鋇、二氧化鈦的其中至少一種。
  4. 一種高亮度發光二極體的封裝結構，包含： 一如請求項1所述的複合式導線架； 一發光二極體單元，具有一設置於該複合式導線架的晶片座上且與該晶片座電連接的發光二極體晶片；及 一封膠層，為可透光性，填置於該複合式導線架的容置空間中並覆蓋該發光二極體晶片。
  5. 如請求項4所述的高亮度發光二極體的封裝結構，其中，該發光二極體單元還具有多條導線，該發光二極體晶片設置於其中一電極上並透過該等導線與該等電極電連接。
TW110200689U 2021-01-20 2021-01-20 複合式導線架及高亮度發光二極體的封裝結構 TWM613115U (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110200689U TWM613115U (zh) 2021-01-20 2021-01-20 複合式導線架及高亮度發光二極體的封裝結構
US17/501,531 US20220231208A1 (en) 2021-01-20 2021-10-14 Composite lead frame and light-emitting diode package structure including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110200689U TWM613115U (zh) 2021-01-20 2021-01-20 複合式導線架及高亮度發光二極體的封裝結構

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWM613115U true TWM613115U (zh) 2021-06-11

Family

ID=77518807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110200689U TWM613115U (zh) 2021-01-20 2021-01-20 複合式導線架及高亮度發光二極體的封裝結構

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220231208A1 (zh)
TW (1) TWM613115U (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2739083A (en) * 1951-11-08 1956-03-20 Bjorksten Res Lab Inc Electrically conductive material
CN103682028A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
KR102008315B1 (ko) * 2013-01-23 2019-10-21 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
WO2016021476A1 (ja) * 2014-08-05 2016-02-11 シチズン電子株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2017034218A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 株式会社東芝 半導体発光装置
CN111370560B (zh) * 2020-02-12 2021-09-28 上海天马微电子有限公司 微型led显示面板、制作方法、母版及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220231208A1 (en) 2022-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2477242B1 (en) Light-emitting device package
CN100576590C (zh) 光半导体器件和光半导体器件的制造方法
US9059386B2 (en) Light emitting diode package
KR101825473B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20080095169A (ko) 열전도 효율이 높은 ｌｅｄ의 패키지 방법 및 구조체
CN103718314A (zh) 发光装置
CN102593330A (zh) 发光装置封装件
JP2021061416A (ja) Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
KR20090044306A (ko) 발광다이오드 패키지
CN102544315B (zh) 发光二极管封装件
KR20120094280A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101111985B1 (ko) 발광 소자 패키지
JP5455720B2 (ja) 光半導体パッケージおよび光半導体装置
CN110890354A (zh) 发光二极管封装件
CN101127377A (zh) 发光二极管装置及发光芯片
CN111837245A (zh) 发光器件封装
TWM613115U (zh) 複合式導線架及高亮度發光二極體的封裝結構
KR20090103292A (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR20120030475A (ko) 발광다이오드 패키지
CN100552992C (zh) 高功率发光元件封装的工艺
JP3888810B2 (ja) Ｌｅｄランプ
TWI479701B (zh) 發光二極體
CN102509761A (zh) 芯片构装
KR101443365B1 (ko) 발광 효율이 개선된 발광 다이오드
KR20120100626A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법