TWM606467U - 晶片共面度檢測設備 - Google Patents
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Abstract
本創作公開一種晶片共面度檢測設備，其包含至少一個承載模組與一偵測器。所述承載模組包含一承載台及安裝於所述承載台上的一光學玻璃。所述光學玻璃具有位於相反側的一承載平面與一入光面、及形成於所述承載平面的一對位圖案。所述承載平面能用來供至少一個晶片的多個焊墊設置，以使至少一個所述晶片的部分所述焊墊能通過重力而抵接於所述承載平面。所述偵測器對應於所述光學玻璃設置並能通過偵測所述對位圖案而得知所述承載平面的位置，用以偵測每個所述焊墊以得知其與所述承載平面之間的間距。
Description
本創作涉及一種共面度檢測設備，尤其涉及一種晶片共面度檢測設備。
現有的共面度檢測設備雖然能用來檢測多個待測物（如：錫球）的共面度，但現有共面度檢測設備是依據多個待測物所提供的資訊，來計算或選擇出所述共面度的判斷基準面（base plane），所以通過現有共面度檢測設備而檢測得知的共面度結果會有較大的誤差。
於是，本創作人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本創作。
本創作實施例在於提供一種晶片共面度檢測設備，其能有效地改善現有共面度檢測設備所可能產生的缺陷。
本創作實施例公開一種晶片共面度檢測設備，其包括：至少一個承載模組，包含：一承載台；及一光學玻璃，安裝於所述承載台上，並且所述光學玻璃具有位於相反側的一承載平面與一入光面，所述光學玻璃包含有形成於所述承載平面的一對位圖案；其中，所述承載平面能用來供至少一個晶片的多個焊墊設置，以使至少一個所述晶片的部分所述焊墊能通過重力而抵接於所述承載平面；以及一偵測器，對應於所述光學玻璃設置，所述偵測器能通過偵測所述對位圖案而得知所述承載平面的位置，並且所述偵測器能用來偵測每個所述焊墊以得知其與所述承載平面之間的間距。
優選地，所述承載台包含有位於相反兩側的一第一表面與一第二表面，並且所述承載台形成有自所述第一表面貫穿至所述第二表面的一穿孔，所述光學玻璃設置於所述第一表面，並且所述承載平面與所述對位圖案的位置對應於所述穿孔，以使所述偵測器能通過所述穿孔而偵測所述對位圖案及設置於所述承載平面上的多個所述焊墊。
優選地，至少一個所述承載模組包含有可分離地設置於所述承載台的一定位治具，並且所述定位治具形成有至少一個固持槽，用以收容至少一個所述晶片；所述光學玻璃夾持在所述定位治具與所述承載台之間；所述定位治具形成有連通至少一個所述固持槽的一容置槽，並且所述光學玻璃設置於所述容置槽內。
綜上所述，本創作實施例所公開的晶片共面度檢測設備，其通過所述光學玻璃的所述承載平面搭配重力，以穩定地提供其共面度測試中所需的判斷基準面，進而有效地降低因基準面而產生的誤差。
進一步地說，所述偵測器能通過偵測所述對位圖案而得知所述承載平面的位置，並且所述偵測器能用來偵測每個所述焊墊以得知其與所述承載平面之間的間距，進而精準地測得任一個所述晶片的多個所述焊墊的共面度。
為能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本創作，而非對本創作的保護範圍作任何的限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“晶片共面度檢測設備”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外，本創作的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
請參閱圖1至圖11所示，其為本創作的一實施例。如圖1至圖4所示，本實施例公開一種晶片共面度檢測設備100，其利用重力來檢測至少一個晶片200的多個焊墊201的共面度。其中，所述晶片共面度檢測設備100包含一U形支架1、分別安裝於所述U形支架1兩個末端部11的兩個承載模組2、位於所述U形支架1內側的一橫向移載機構3、安裝於所述橫向移載機構3且位於所述U形支架1內側的一偵測器4。
需說明的是，所述晶片共面度檢測設備100於本實施例中雖是以包含上述構件來說明，但本創作不以此為限。舉例來說，如圖5所示，所述晶片共面度檢測設備100所包含的所述承載模組2數量可以是一個，並且所述U形支架1則對應調整為L形支架1a。另外，在本創作未繪示的其他實施例中，所述晶片共面度檢測設備100可以省略所述橫向移載機構3，以使所述偵測器4不會移動；又或者，所述晶片共面度檢測設備100也可以省略所述U形支架1與所述橫向移載機構3，而至少一個所述承載模組2與所述偵測器4則是安裝於其他構件上。
由於圖1至圖4所示的兩個所述承載模組2為大致相同的結構，並且兩個所述承載模組2大致呈對稱狀安裝，所以為便於說明本實施例，以下將先說明單個所述承載模組2的結構，但本創作不以此為限。舉例來說，在本創作未繪示的其他實施例中，所述晶片共面度檢測設備100也可以包含結構略有差異的多個所述承載模組2。
請參閱圖4及圖6至圖11所示，所述承載模組2於本實施例中包含有呈板狀一承載台21（也可視為承載板）、連接於所述承載台21的一縱向移載機構22、安裝於所述承載台21上的一光學玻璃23、及可分離地設置於所述承載台21的一定位治具24，但本創作不受限於此。舉例來說，在本創作未繪示的其他實施例中，所述承載模組2可以省略或以其他構件取代所述縱向移載機構22及/或所述定位治具24；或者，所述承載模組2也可以採用非為板狀的承載台21。
於本實施例中，所述承載台21包含有位於相反兩側的一第一表面211與一第二表面212，並且所述承載台21形成有自所述第一表面211貫穿至所述第二表面212的一穿孔213。其中，所述承載台21的所述穿孔213於本實施例中呈長形且定義有一長度方向L，並且所述穿孔213較佳是自遠離所述縱向移載機構22的所述承載台21一端（如：圖7中的所述承載台21右端）凹設所形成。
需額外說明的是，由於本實施例的承載台21為非透光狀，所以所述承載台21是以形成有所述穿孔213，以利於搭配其他構件來共同實現晶片共面度檢測，但本創作不受限於此。舉例來說，在本創作未繪示的其他實施例中，所述承載台21也可以是呈透光狀且未形成有所述穿孔213。
再者，所述承載台21安裝於所述縱向移載機構22，以使所述縱向移載機構22能使所述承載台21沿著沿垂直所述長度方向L的一方向移動。其中，所述承載台21是以未形成有所述穿孔213的部位安裝於所述縱向移載機構22，以使形成有所述穿孔213的所述承載台21部位呈懸空狀。
所述光學玻璃23於本實施例中為一透明平板狀結構，並且所述光學玻璃23對於波長介於400奈米～700奈米的可見光具有90%以上的穿透率，但本創作不以此為限。也就是說，不具備特定光學條件的玻璃則不同於本實施例所指的光學玻璃23。其中，所述光學玻璃23具有位於相反側的一承載平面231以及一入光面232，所述入光面232於本實施例中也是呈平面狀，並且所述入光面232的外形等同於所述承載平面231的外形，但本創作不以此為限。
其中，所述光學玻璃23是以所述入光面232設置於所述承載台21的所述第一表面211，並且所述光學玻璃23較佳是完整地覆蓋於所述穿孔213的一側（如：圖8中的所述穿孔213頂側），但本創作不以此為限。舉例來說，在本創作未繪示的其他實施例中，所述光學玻璃23也可以是僅覆蓋於局部的所述穿孔213；或者，所述光學玻璃23也可以是至少局部設置於所述穿孔213內。
再者，所述承載平面231能用來供至少一個晶片200的多個焊墊201設置，以使至少一個所述晶片200的部分所述焊墊201能通過重力而抵接於所述承載平面231。也就是說，所述晶片共面度檢測設備100是通過所述光學玻璃23的所述承載平面231搭配重力，以穩定地提供其共面度測試中所需的判斷基準面（base plane），進而有效地降低因基準面而產生的誤差。
於本實施例中，所述光學玻璃23的所述承載平面231是垂直於一鉛錘方向V，並且所述光學玻璃23為平行所述長度方向L的一長條狀構造，以使所述承載平面231能供多個所述晶片200沿所述長度方向L設置。
更詳細地說，所述光學玻璃23包含有形成於所述承載平面231的一對位圖案233，並且所述承載平面231與所述對位圖案233的位置（沿所述鉛錘方向V）對應於所述穿孔213。其中，所述對位圖案233於本實施例中是以位於所述承載平面231上的不透光薄膜來說明，據以利於通過所述對位圖案233來精準地提供所述承載平面231的位置，但本創作不受限於此。舉例來說，在本創作未繪示的其他實施例中，所述對位圖案233也可以是透光率不同於（或小於）所述光學玻璃23的薄膜，其同樣能夠有效地提供所述承載平面231的位置。
需額外說明的是，所述光學玻璃23於本實施例中雖是以平板狀的玻璃來說明，但在本創作未繪示的其他實施例中，所述承載平面231可以僅佔所述光學玻璃23的局部板面，而在所述承載平面231以外的所述光學玻璃23區域可以是非為平面狀，但所述對位圖案233不可以形成在所述承載平面231以外的區域，據以準確地提供所述承載平面231的位置。
所述定位治具24設置於所述承載台21的所述第一表面211上，並且所述光學玻璃23夾持在所述定位治具24與所述承載台21之間。於本實施例中，所述定位治具24自頂面沿所述長度方向L形成有貫穿狀的多個固持槽241，用以分別收容至少多個所述晶片200。
再者，所述定位治具24自底面則是沿所述長度方向L形成有連通多個所述固持槽241的一容置槽242，並且所述容置槽242形狀對應於所述光學玻璃23，以使所述光學玻璃23可被設置於所述容置槽242內，但本創作不受限於此。舉例來說，在本創作未繪示的其他實施例中，所述定位治具24可以形成有用以收容至少一個所述晶片200的至少一個固持槽241以及連通至少一個所述固持槽241的一容置槽242，並且所述光學玻璃23設置於所述容置槽242內。
更詳細地說，所述容置槽242於本實施例中沿所述長度方向L貫穿所述定位治具24，並且所述容置槽242的寬度略大於所述穿孔213的寬度，以利於所述光學玻璃23夾持在所述定位治具24與所述承載台21之間。換個角度來說，所述承載台21的所述穿孔213朝向所述定位治具24正投影所形成的一投影區域，其位於所述容置槽242之內且覆蓋多個所述固持槽241。
此外，所述定位治具24於本實施例中為非透光狀，並且所述光學玻璃23的所述對位圖案233沿所述鉛錘方向V對應於未形成有所述固持槽241的所述定位治具24區域。再者，所述定位治具24的厚度較佳是略小於任一個所述晶片200的厚度，據以利於所述晶片200自所述定位治具24的所述固持槽241中取出。
所述偵測器4對應於所述光學玻璃23設置，以使所述偵測器4能通過偵測所述對位圖案233而得知所述承載平面231的位置，並且所述偵測器4能用來偵測每個所述焊墊201以得知其與所述承載平面231之間的間距，進而精準地測得任一個所述晶片200的多個所述焊墊201的共面度。
更詳細地說，並且所述偵測器4於本實施例中是安裝於所述橫向移載機構3，並且所述橫向移載機構3能使所述偵測器4面向所述穿孔213且沿所述長度方向L移動，但本創作不受限於此。再者，由於所述光學玻璃23的所述承載平面231與所述對位圖案233的位置（皆沿所述鉛錘方向V）對應於所述穿孔213，以使所述偵測器4能通過所述穿孔213而偵測所述對位圖案233及設置於所述承載平面231上的多個所述焊墊201。
[本創作實施例的技術效果]
綜上所述，本創作實施例所公開的晶片共面度檢測設備，其通過所述光學玻璃23的所述承載平面231搭配重力，以穩定地提供其共面度測試中所需的判斷基準面（也就是，以所述承載平面231為基準面），進而有效地降低因基準面而產生的誤差。
進一步地說，所述偵測器4能通過偵測所述對位圖案233而得知所述承載平面231的位置，並且所述偵測器4能用來偵測每個所述焊墊201以得知其與所述承載平面231之間的間距，進而精準地測得任一個所述晶片200的多個所述焊墊201的共面度。
以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例，並非因此侷限本創作的專利範圍，所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本創作的專利範圍內。
100:晶片共面度檢測設備
1:U形支架
11:末端部
1a:L形支架
2:承載模組
21:承載台
211:第一表面
212:第二表面
213:穿孔
22:縱向移載機構
23:光學玻璃
231:承載平面
232:入光面
233:對位圖案
24:定位治具
241:固持槽
242:容置槽
3:橫向移載機構
4:偵測器
200:晶片
201:焊墊
V:鉛錘方向
L:長度方向
圖1為本創作實施例的晶片共面度檢測設備的立體示意圖。
圖2為圖1沿剖線II-II的剖視示意圖。
圖3為圖2的部位III的放大示意圖。
圖4為圖3的部位IV的放大示意圖。
圖5為圖1另一形態的立體示意圖。
圖6為本創作實施例的晶片共面度檢測設備的承載模組放大示意圖。
圖7為圖6另一視角的放大示意圖。
圖8為圖6的局部分解示意圖。
圖9為圖8另一視角的放大示意圖。
圖10為圖8的分解示意圖。
圖11為圖10另一視角的放大示意圖。
21:承載台
211:第一表面
212:第二表面
213:穿孔
23:光學玻璃
231:承載平面
232:入光面
233:對位圖案
24:定位治具
241:固持槽
242:容置槽
4:偵測器
200:晶片
V:鉛錘方向
L:長度方向
Claims (10)
- 一種晶片共面度檢測設備，其包括： 至少一個承載模組，包含： 一承載台；及 一光學玻璃，安裝於所述承載台上，並且所述光學玻璃具有位於相反側的一承載平面與一入光面，所述光學玻璃包含有形成於所述承載平面的一對位圖案；其中，所述承載平面能用來供至少一個晶片的多個焊墊設置，以使至少一個所述晶片的部分所述焊墊能通過重力而抵接於所述承載平面；以及 一偵測器，對應於所述光學玻璃設置，所述偵測器能通過偵測所述對位圖案而得知所述承載平面的位置，並且所述偵測器能用來偵測每個所述焊墊以得知其與所述承載平面之間的間距。
- 如請求項1所述的晶片共面度檢測設備，其中，所述承載台包含有位於相反兩側的一第一表面與一第二表面，並且所述承載台形成有自所述第一表面貫穿至所述第二表面的一穿孔，所述光學玻璃以所述入光面設置於所述第一表面，並且所述承載平面與所述對位圖案的位置對應於所述穿孔，以使所述偵測器能通過所述穿孔而偵測所述對位圖案及設置於所述承載平面上的多個所述焊墊。
- 如請求項2所述的晶片共面度檢測設備，其中，所述承載台的所述穿孔呈長形且定義有一長度方向，所述承載平面能供多個所述晶片沿所述長度方向設置；所述晶片共面度檢測設備進一步包含有一橫向移載機構，所述偵測器安裝於所述橫向移載機構，並且所述橫向移載機構能使所述偵測器面向所述穿孔且沿所述長度方向移動。
- 如請求項3所述的晶片共面度檢測設備，其中，至少一個所述承載模組包含有一縱向移載機構，所述承載台安裝於所述縱向移載機構，以使所述縱向移載機構能使所述承載台沿著沿垂直所述長度方向的一方向移動。
- 如請求項3所述的晶片共面度檢測設備，其中，所述晶片共面度檢測設備進一步包含有一U形支架，所述橫向移載機構及所述偵測器位於所述U形支架的內側，至少一個所述承載模組的數量進一步限定為兩個，並且兩個所述承載模組分別安裝於所述U形支架的兩個末端部。
- 如請求項1所述的晶片共面度檢測設備，其中，至少一個所述承載模組包含有可分離地設置於所述承載台的一定位治具，並且所述定位治具形成有至少一個固持槽，用以收容至少一個所述晶片。
- 如請求項6所述的晶片共面度檢測設備，其中，所述光學玻璃夾持在所述定位治具與所述承載台之間。
- 如請求項7所述的晶片共面度檢測設備，其中，所述定位治具形成有連通至少一個所述固持槽的一容置槽，並且所述光學玻璃設置於所述容置槽內。
- 如請求項1所述的晶片共面度檢測設備，其中，所述光學玻璃對於波長介於400奈米～700奈米的可見光具有90%以上的穿透率。
- 如請求項1所述的晶片共面度檢測設備，其中，所述光學玻璃的所述承載平面垂直於一鉛錘方向。
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|---|---|---|---|
| TW109211772U TWM606467U (zh) | 2020-09-09 | 2020-09-09 | 晶片共面度檢測設備 |
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|---|---|---|---|
| TW109211772U TWM606467U (zh) | 2020-09-09 | 2020-09-09 | 晶片共面度檢測設備 |
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| TWM606467U true TWM606467U (zh) | 2021-01-11 |
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| TW109211772U TWM606467U (zh) | 2020-09-09 | 2020-09-09 | 晶片共面度檢測設備 |
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| TW (1) | TWM606467U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI750800B (zh) * | 2020-09-09 | 2021-12-21 | 海華科技股份有限公司 | 晶片共面度檢測設備 |
| TWI761202B (zh) * | 2020-09-09 | 2022-04-11 | 海華科技股份有限公司 | 晶片共面度檢測設備 |
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2020
- 2020-09-09 TW TW109211772U patent/TWM606467U/zh unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI750800B (zh) * | 2020-09-09 | 2021-12-21 | 海華科技股份有限公司 | 晶片共面度檢測設備 |
| TWI761202B (zh) * | 2020-09-09 | 2022-04-11 | 海華科技股份有限公司 | 晶片共面度檢測設備 |
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