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TWM677138U - 顯示面板 - Google Patents

顯示面板

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Publication number
TWM677138U
TWM677138U TW114208699U TW114208699U TWM677138U TW M677138 U TWM677138 U TW M677138U TW 114208699 U TW114208699 U TW 114208699U TW 114208699 U TW114208699 U TW 114208699U TW M677138 U TWM677138 U TW M677138U
Authority
TW
Taiwan
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chips
microluminescent
sub
chip
display panel
Prior art date
Application number
TW114208699U
Other languages
English (en)
Inventor
李允立
廖冠詠
孫聖淵
宏琳 黎
賴皓云
Original Assignee
錼創顯示科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 錼創顯示科技股份有限公司 filed Critical 錼創顯示科技股份有限公司
Publication of TWM677138U publication Critical patent/TWM677138U/zh

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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一種顯示面板,包括一電路基板及多個顯示單元。電路基板定義有多個畫素,這些顯示單元設置於電路基板上以顯示這些畫素,各顯示單元包括至少二個相鄰排列的子集合。各子集合包括至少三個微型發光晶片,且這些微型發光晶片的發光顏色彼此相異,其中各顯示單元包括的這些微型發光晶片具有至少四種相異的發光顏色。

Description

顯示面板
本新型創作是有關於一種顯示元件,且特別是有關於一種顯示面板。
顯示面板可分為自發光顯示面板與非自發光顯示面板,其中自發光顯示面板是採用發光二極體晶片等自發光源來形成畫素。微型發光二極體顯示面板具有高色純度、高飽和度及廣色域等優點,這是因晶片發出的光的光波長高度一致所致。也就是說,發光的光譜的半高寬(full width at half maximum, FWHM)很窄,使得畫素的發光波長受到發光層準確控制。
然而,微型發光二極體顯示面板的上述特性雖在先天上獲得較廣的飽和色域,也就是各個子畫素的光波長在CIE色度圖的座標已幾近為純光色(monochromatic light),但也意味著可顯色的邊界亦為固定,不具備進一步擴大可混色區域的靈活性。
本新型創作提供一種顯示面板,其可達到色域可調整的效果。
本新型創作的一實施例提出一種顯示面板,包括一電路基板及多個顯示單元。電路基板定義有多個畫素,這些顯示單元設置於電路基板上以顯示這些畫素,各顯示單元包括至少二個相鄰排列的子集合。各子集合包括至少三個微型發光晶片,且這些微型發光晶片的發光顏色彼此相異,其中各顯示單元包括的這些微型發光晶片具有至少四種相異的發光顏色。
在本新型創作的實施例的顯示面板中,由於各子集合包括至少三個發光顏色彼此相異的微型發光晶片,且由於各顯示單元包括的這些微型發光晶片具有至少四種相異的發光顏色,因此至少三個發光顏色彼此相異的微型發光晶片可以決定畫素的顏色,而第四種發光顏色相異的微型發光晶片可以用來調整色域的頂點的色座標。所以,本新型創作的顯示面板可依據畫素顯示顏色所對應的色域來調整微型發光晶片之組合,藉以改善使用體驗。例如,對應部分色域的顯示,發光顏色波段較短的微型發光晶片可能被關閉,以實現保護用戶視覺健康的效果,並且提昇人眼的舒適度。
圖1為本新型創作的一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。請參照圖1,本實施例的顯示面板100包括一電路基板110及多個顯示單元200。電路基板110定義有多個畫素P1,這些顯示單元200設置於電路基板110上以顯示這些畫素P1。各顯示單元200包括至少二個相鄰排列的子集合(在本實施例中是以二個相鄰排列的子集合210與220為例)。各子集合210、220包括至少三個微型發光晶片,且這些微型發光晶片的發光顏色彼此相異。在本實施例中,子集合210包括微型發光晶片202、204及206,而子集合220包括微型發光晶202、204及208。微型發光晶片202、204、206及208的發光顏色彼此相異。其也就是說,各顯示單元200包括的這些微型發光晶片具有至少四種相異的發光顏色。在一實施例中,微型發光晶片202、204、206及208的發光顏色例如分別為紅色、綠色、藍色及青色(cyan)。
以本實施例的其中一種顯示模式為例,各顯示單元200分別對應顯示這些畫素P1的其中之一,且各顯示單元200的各子集合210、220區分為一第一部分PT1及一第二部分PT2。第一部分PT1包括發光顏色相同且分別配置於各子集合210、220的這些微型發光晶片202及204。也就是說,第一部分PT1中的微型發光晶片202、204與第二部分PT2中的微型發光晶片202、204的顏色相同。
第二部分PT2包括僅配置於其中一子集合210或220的微型發光晶片206、208。也就是說,微型發光晶片206僅配置於子集合210;而微型發光晶片208僅配置於子集合220。由於微型發光晶片206與微型發光晶片208的發光顏色彼此相異,因此子集合210的第二部分PT2的發光顏色相異於子集合220的第二部分PT2的發光顏色。
在一實施例中,顯示單元200顯示對應的畫素P1時,可依據畫素P1當下對應的顏色而使子集合210或220的其中之一的第二部分PT2被關閉。舉例而言,子集合210與子集合220的第一部分PT1都被開啟,使微型發光晶片202與204產生紅光與綠光;此時,子集合210的微型發光晶片206被開啟而發出藍光,但子集合220的微型發光晶片208被關閉。在此狀態下,顯示單元200的第一部分PT1與第二部分PT2成為紅光、綠光以及藍光的組合。或者,也可以是子集合210的微型發光晶片206被關閉,但子集合220的微型發光晶片208被開啟,此時第一部分PT1與第二部分PT2成為紅光、綠光以及青光的組合。因此,依據畫素P1對應顯示的不同顏色(例如在CIE 1931色度圖中的(x, y)座標位置),顯示單元200可藉由控制微型發光晶片206發光或微型發光晶片208發光,而達到色域的切換。或者,更進一步地,顯示單元200可以藉由調整微型發光晶片206與微型發光晶片208的發光強度比例,來移動藍光與青光所組合而成的混合光在CIE 1931色度圖中的(x, y)座標,進而達到擴大可混色區域的效果。
在一實施例中,當其中一子集合(例如子集合210)的第二部分PT2被關閉時(例如微型發光晶片206被關閉時),另一子集合(例如子集合220)的第二部分PT2之微型發光晶片(例如微型發光晶片208)的電流密度可隨之增加。同理,當微型發光晶片208被關閉時,微型發光晶片206的電流密度可隨之增加。詳細而言,由於顯示單元200可能同時開啟兩顆微型發光晶片202與兩顆微型發光晶片204來分別發出紅光與綠光,當選擇微型發光晶片206、208的僅其中之一發光時,提昇其電流密度不僅有助於使藍光(或青光)的光強度與紅光及綠光的光強度達到良好的平衡,也可使微型發光晶片206或208的操作電流對應較高的外部量子效率(External Quantum Efficiency, EQE)。
如圖1所繪示,所有這些第二部分PT2的這些微型發光晶片206及208隨這些顯示單元200交錯地配置於電路基板110上。承接前述說明,由於鄰近的畫素在同一幀(frame)所顯示的發光顏色有很高的機率相近(即,被判斷為同一個色域),故這些顯示單元200的第二部分PT2可能會同時開啟微型發光晶片206、關閉微型發光晶片208。藉由將各個第二部分PT2的微型發光晶片206及208交錯配置,可避免觀看者觀察到暗線(例如,多個被關閉的微型發光晶片208)而影響觀看體驗。在一實施例中,微型發光晶片202、204、206及208的間距在5微米以內,如此可達到良好的混光效果,並滿足解析度的需求。
在一實施例中,對應青色光(Cyan)的第二部分PT2所包含的微型發光晶片206或208,其發光顏色在CIE 1931色度圖中的(x, y)座標位於(0.0481, 0.2953)、(0.0169, 0.7460)、(0.0886, 0.6449)及(0.0989, 0.3018)所圍成的區域內,也就是位於點E1、點E2、點E3及點E4所圍成的區域內,如圖2A所示出。點E1、點E2、點E3及點E4所對應的參數值如下表一所示:                       表一
波長(nm) 色純度 CIE x CIE y
E1 490 0.99 0.0481 0.2953
E2 510 0.99 0.0169 0.7460
E3 510 0.75 0.0886 0.6449
E4 490 0.80 0.0989 0.3018
在另一實施例中,也可以是各子集合210、220分別對應顯示一個畫素。也就是說,子集合210、220可以分別作為兩個畫素P2。此處,選擇採用整個顯示單元200作為一個畫素P1的模式、或採用子集合210、220分別對應顯示兩個畫素P2的模式可以藉由電路基板110上的積體電路來作切換。當這些微型發光晶片206及208以交錯方式配置,由於鄰近的兩個畫素P2所發出的光在進入人眼前會再次混光,故可避免觀看者察覺不同列或不同行之間存在色差,藉而消除鄰近的兩個畫素P2因發光顏色組合不同而導致的色準度偏差問題。在此基礎之上,顯示面板100可獲得更廣、更飽和的色域。
在本實施例中,顯示面板100更包括一備援線路230,設置於電路基板110上,並且電性連接各顯示單元200的各子集合210、220,其中在各顯示單元200內,備援線路230具有與各子集合的這些微型發光晶片202、204、206及208對應數量的多個接合區域232,且這些接合區域232分別與這些微型發光晶片202、204、206及208的線路並聯。具體而言,在一般情況下,接合區域232上沒有配置微型發光晶片,但當微型發光晶片202、204、206及208有損壞或不良時,可在與損壞或不良的微型發光晶片202、204、206或208對應的接合區域232上設置備援的微型發光晶片,且讓其與接合區域232中的導電接墊電性連接,進而電性連接到備援線路230。如此一來,顯示面板100就不會受到損壞或不良的微型發光晶片202、204、206或208所影響,而使畫素P1或畫素P2能正常發光。
在一實施例中,在至少一子集合210、220中,包含於第一部分PT1且具有相同發光顏色的這些微型發光晶片202、204分別具有一中心波長,且任二中心波長的差值是落在2奈米(nanometer, nm)至20 nm的範圍內。也就是說,在不同的畫素P1、P2的相同發光顏色的晶片可以有發光波長差異。舉例而言,微型發光晶片202的發光顏色為紅色,波長介於約610奈米(nm)至約660奈米,例如可以是620±10 nm。微型發光晶片204的發光顏色為綠色,波長介於約515奈米至約560奈米,例如可以是530±5 nm。微型發光晶片208的發光顏色為青色,波長介於約480奈米至約510奈米,例如可以是500±10 nm。微型發光晶片206的發光顏色為藍色,波長介於約450奈米至約475奈米,例如可以是455±5 nm。
參照圖2B,為提升顯示裝置的使用舒適性並降低藍光對眼睛可能造成的傷害,顯示單元200可進一步具備護眼模式,藉由控制微型發光晶片206(藍光)與微型發光晶片208(青光)之發光狀態,以達成抑制高能藍光輸出之目的。具體而言,當顯示單元200運行於護眼模式時,可根據預設條件,調整畫素P1對應的第二部分PT2的發光方式。例如,藉由啟動微型發光晶片208產生相對低能量之青光來替代部分或全部藍光,以降低藍光成分之輸出而實現護眼效果。
在圖2B中,點P、Q、R、S的位置分別對應藍光、青光、綠光、紅光的色度座標。點P-Q-R與點Q-R-S構成兩組不同的可操作色域範圍,但不以此為限。顯示單元200可根據使用場景(如高動態範圍(high dynamic range, HDR)模式、護眼模式、標準模式)或外部感測器資訊(如環境光色溫與強度)而在不同的色域範圍之間動態切換。例如,當系統判定用戶處於夜間閱讀環境時,控制模組可自動選擇點Q-R-S色域範圍,使整體顯示色域位於偏暖色、低藍光區域。進一步地,可透過數位控制電路、自動調整演算法來主動調校混合光於CIE 1931色度圖中之(x, y)座標設定。也就是說,顯示面板100可自動適應上述使用場景或依使用者自訂模式,修改畫素的原始數位訊號,使各個畫素的輸出訊號被映射至另一個修改後的座標(例如位於偏暖色的點Q-R-S色域範圍),進而達成色溫下降與視覺舒適度提升的效果。
圖3A與圖3B分別為本新型創作的另二實施例的顯示面板的局部上視示意圖。請參照圖3A與圖3B,圖3A的顯示面板100a與圖3B的顯示面板100b類似於圖1的顯示面板100,而其主要差異如下所述。在圖3A與圖3B的顯示面板100a、100b中,每一子集合210、220包括四種不同發光顏色的微型發光晶片202(或202’)、204(或204’)、206(或206’)及208(或208’)。此外,在不同畫素P2中或不同的子集合210、220中,相同顏色的微型發光晶片可具有相同的發光波長(例如同為微型發光晶片202、204、206、208),或其發光波長具有2 nm至20 nm的範圍內的差異,例如微型發光晶片202與202’之間、微型發光晶片204與204’之間、微型發光晶片206與206’之間及微型發光晶片208與208’之間的發光波長具有2 nm至20 nm的範圍內的差異。此外,在本實施例中,根據輸出顏色的色座標落點,可決定採取的發光晶片202(或202’)、204(或204’)、206(或206’)及208(或208’)的組合,例如採用發光晶片202(或202’)、204(或204’)及206(或206’)發光,或採用202(或202’)、204(或204’)及208(或208’)發光。
圖4A為本新型創作的又一實施例的顯示面板的局部上視示意圖,而圖4B為圖4A中的具有二子晶片的微型發光晶片的剖面示意圖。請參照圖4A與圖4B,本實施例的顯示面板100c與圖1的顯示面板100類似,而兩者的主要差異如下所述。在本實施例的顯示面板100c中,至少一第二部分PT2所包括的微型發光晶片206”、208”包括二子晶片(如第一子晶片300A和第二子晶片300B)、第一電極121、第二電極122、絕緣結構130、導電元件180A以及保護單元160。第一子晶片300A以及第二子晶片300B例如是微型發光二極體(micro light emitting diode,micro LED)、微型雷射元件(micro laser diode)、或其他尺寸大小的發光二極體,本新型創作並不以此為限。較佳地,本實施例採用的是微型發光二極體。
另一方面,每一微型發光晶片206”或208”的二子晶片具有相同的發光顏色,例如微型發光晶片206”的第一子晶片300A與第二子晶片300B皆是藍光微型發光二極體,而微型發光晶片208”的第一子晶片300A與第二子晶片300B皆是青光微型發光二極體。另一方面,本實施例的微型發光晶片206”、208”是覆晶式(flip-chip type)微型發光二極體。舉例來說,透過位於微型發光晶片206”、208”的磊晶結構同一側的第一電極121以及第二電極122,與畫素電路上對應的接墊相互對位,並利用巨量轉移後相互接合,以達成微型發光晶片206”、208”與畫素電路的電性連接,然而本新型創作並不以此為限。
第一子晶片300A以及第二子晶片300B各自皆包括在方向Y上依序磊晶的第一半導體層101、第二半導體層102以及發光層103。第一半導體層101與第二半導體層102之一為N型半導體層,且第一半導體層101與第二半導體層之另一為P型半導體層。
第一電極121經由通孔TH11電性連接第一子晶片300A的第一半導體層101,第二電極122經由通孔TH22電性連接第二子晶片300B的第二半導體層102。此外,導電元件180A電性串聯二子晶片。在本實施例中,導電元件180A電性連接第一子晶片300A和第二子晶片300B,使得第一子晶片300A和第二子晶片300B彼此串聯。舉例來說,導電元件180A可以在方向X上延伸,並設置在第一子晶片300A和第二子晶片300B的同一側。導電元件180A的兩端可以分別電性連接第一子晶片300A的第二半導體層102以及第二子晶片300B的第一半導體層101。導電元件180A可以是金屬材料,也可以是透明導電材料。
據此,當微型發光晶片206”、208”被致能時,第一電極121可以選擇性的被提供一高電位,而第二電極122可以選擇性的被提供一低電位或接地電位(ground)。由於第一電極121和第二電極122之間產生的電位差,使得電流可以從第一電極121,依序通過第一子晶片300A的第一半導體層101、發光層103、第二半導體層102至導電元件180A,再傳遞至第二子晶片300B的第一半導體層101、發光層103、第二半導體層102以及第二電極122,致使第一子晶片300A和第二子晶片300B皆得以發光。
經由上述,微型發光晶片206”、208”串連的結構容易調整各子晶片數量以調整各子晶片的分壓,使得各子晶片可以順應被提供對應的工作電壓(例如藍光微型發光二極體的工作電壓在3.0伏特至3.4伏特)。
此外,絕緣結構130設置在二子晶片之間而使二子晶片在絕緣結構130處互為電性絕緣,在本實施例中,絕緣結構130設置在第一子晶片300A和第二子晶片300B之間,且使第一子晶片300A和第二子晶片300B在絕緣結構130處互為電性絕緣。絕緣結構130可以連接於第一子晶片300A和第二子晶片300B的第一半導體層101之間而分別具有第一接觸面TS1以及第二接觸面TS2。也就是說,兩子晶片分別與絕緣結構130相鄰的部分,為單一電性的半導體(例如第一接觸面TS1接觸第一子晶片300A的第一半導體層101而未接觸第一子晶片300A的第二半導體層102)。
此外,保護單元160可以是絕緣材料所組成的絕緣層。詳細來說,在本實施例中保護單元160配置在第一子晶片300A、第二子晶片300B以及絕緣結構130的外表面,並且具有在方向Y上相對的第一表面161以及第二表面162,且第一子晶片300A、第二子晶片300B以及絕緣結構130位於第一表面161以及第二表面162之間。保護單元160的第一表面161和第二表面162可以是部分覆蓋、或者完全覆蓋第一子晶片300A、第二子晶片300B以及絕緣結構130的外表面或者上表面101S。
此外,在本實施例中第一子晶片300A和第二子晶片300B各自還可以包括第一接觸層111和第二接觸層112。第一接觸層111設置在第一半導體層101和第一電極121之間,第二接觸層112設置在第二半導體層102上。
另一方面,微型發光晶片206”、208”還可以包括布拉格反射層140。布拉格反射層140可以在方向X上延伸並同時覆蓋第一子晶片300A和第二子晶片300B的同一側,並且在方向Y上,布拉格反射層140設置在第一子晶片300A和第一電極121之間,以及設置在第二子晶片300B和第二電極122之間。在本實施例中,X方向實質上垂直於Y方向,且X方向與Y方向皆實質上垂直於Z方向。布拉格反射層140可以具有絕緣以及反射光束的功能。而前述的導電元件180A可以藉由穿過布拉格反射層140的通孔TH12和通孔TH21,分別電性連接第一子晶片300A的第二半導體層102和第二子晶片300B的第一半導體層101。且導電元件180A可配置於由無機材料形成的布拉格反射層140與保護單元160之間,以避免斷裂。
另一方面,在本實施例中微型發光晶片206”、208”還可以包括透明導電層170。透明導電層170可以做為電流擴散層,覆蓋第一子晶片300A的第二接觸層112並設置在第二半導體層102和導電元件180A之間。也可以覆蓋第二子晶片300B的第二接觸層112,並設置在第二半導體層102和第二電極122之間。
微型發光晶片206”、208”包括二子晶片的架構可以應用於以一個顯示單元200作為一個畫素P1的架構,或應用於以一個子集合210、220作為一個畫素P2的架構。
微型發光晶片206”、208”的結構也可以是圖4C的結構,相較於圖4B的結構,圖4C的結構多了中介電極123,電性連接導電元件180A與電路基板110。中介電極123可以是和第一電極121或第二電極122具有相同的材質。中介電極123的數量可以和對應的導電元件180A的數量相同,並經由貫穿保護單元160的通孔THI,電性連接導電元件180A。中介電極123可以被施加對應的電壓調控微型發光晶片206”、208”中各別子晶片的電流,以調整第一子晶片300A及第二子晶片300B的亮度或開關。值得一提的是,在圖4C的剖面圖中,第一電極121、第二電極122和中介電極123位在同一剖面上,然而本新型創作並不限於此。在其他未繪示的實施例中,第一電極121、第二電極122和中介電極123也可以不位在同一剖面上。
在本實施例中,相同顏色的二子晶片(如第一子晶片300A與第二子晶片300B)各具有一中心波長,且二中心波長的差值落在2 nm至20 nm的範圍內。藉由搭配控制中介電極123的電位值,可分別控制第一子晶片300A與第二子晶片300B的亮度,以實現細微調色。由於第一子晶片300A與第二子晶片300B的中心波長具有略微的差異,因此它們的亮度變化將影響微型發光晶片206”、208”的混成光譜。藉由調整它們在光譜中的貢獻比例,例如加大第一電極121和中介電極123的電位差,可讓混成光譜的中心波長往第一子晶片300A的中心波長移動。在一實施例中,第一子晶片300A與第二子晶片300B的發光顏色可對應於圖2A的色域內(例如點E1、點E2、點E3及點E4所圍成的區域內)的不同座標,如此可憑藉子集合210或220的第二部分PT2就獲得更顯著的色域擴增效果。此處,中介電極123即是用於固定第一子晶片300A與第二子晶片300B之間的電位,以控制二子晶片的正負極之間電位差,藉以調控兩者的亮度來實現CIE 1931色度圖上的座標移動。
除此之外,基於微型發光晶片206”、208”包含發光面積較小的子晶片,因此在輸入相同電流下,相比面積較大的晶片有較高的電流密度,使得微型發光晶片206”、208”在外部量子效率較佳的區間運作。詳細來說,在以一個顯示單元200作為一個畫素P1的模式下,可根據色座標落點而關閉微型發光晶片206”與208”之一,並增加微型發光晶片206”與208”之另一的電流密度。以實際應用而言,由於顯示面板100在白光應用下的功率較高,而其中藍光僅占輸出佔比的10%;因此選擇採用微型發光晶片202(或202’)、204(或204’)及208”發光的模式(即紅光、綠光及青光的組合)可避免微型發光晶片208”熱劣化與外部量子效率降低的問題。再者,採用發出青色光的微型發光晶片208”的第一子晶片300A與第二子晶片300B設計,可在護眼模式(即關閉發出藍光的微型發光晶片206”)的情境下顯著減少畫面變黃的程度。再次參考圖2A,當畫素P1、P2採用上述多個子晶片的配置時,它們在CIE 1931色度圖上的最大覆蓋範圍主要仍是由微型發光晶片206”決定。然而,隨著微型發光晶片208”的第一子晶片300A與第二子晶片300B在點E1至點E4所圍成的區域內的距離增加,微型發光晶片208”的覆蓋範圍將會顯著地增加。即,藉由青色光的波長變化所對應的色度邊界變化較為平滑的特性,第一子晶片300A與第二子晶片300B的波長差異可以覆蓋更高比例的顯色組合,使大部分的色彩(原本以紅光、綠光及藍光混合)可以改由紅光、綠光及青光來取代。並且,在圖2B的應用下,採用波長具有差異的第一子晶片300A與第二子晶片300B設計時(即,Q點的色座標位置變成二個以上),數位控制電路可映射的座標點將可被顯著地增廣,兼顧人眼的舒適度與顯示畫面的色域廣度。除此之外,在以一個子集合210、220作為一個畫素P2的模式下,也可應用於上述的色座標落點切換。例如,依據發光顏色的色座標落點而使中介電極123與第一電極121等電位,此時在微型發光晶片206”中,第一子晶片300A不發光,而第二子晶片300B的發光亮度由第二電極122控制。
圖5為本新型創作的再一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。請參照圖5,本實施例的顯示面板100d與圖4A的顯示面板100c類似,而兩者的主要差異如下所述。在本實施例的顯示面板100d中,第二部分PT2的微型發光晶片207所包括的第一子晶片300A’與第二子晶片300B’具有不同的發光顏色。
圖6為本新型創作的另一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。請參照圖6,本實施例的顯示面板100e與圖5的顯示面板100d類似,而兩者的主要差異如下所述。在本實施例的顯示面板100e中,這些子集合210與220的這些第二部分PT2彼此連接而形成一集成晶片209。集成晶片209包括二微型發光晶片(例如是上述第一子晶片300A’與第二子晶片300B’)、上述導電元件180A及上述中介電極123。也就是說,集成晶片209可以是上述的微型發光晶片207。集成晶片209的二微型發光晶片(即第一子晶片300A’與第二子晶片300B’)具有相異的發光顏色,舉例而言,第一子晶片300A’例如發出藍光,而第二子晶片300B’例如發出青光。
綜上所述,在本新型創作的實施例的顯示面板中,由於各子集合包括至少三個發光顏色彼此相異的微型發光晶片,且由於各顯示單元包括的這些微型發光晶片具有至少四種相異的發光顏色,因此至少三個發光顏色彼此相異的微型發光晶片可以決定畫素的顏色,而第四種發光顏色相異的微型發光晶片可以用來調整色域的頂點的色座標。所以,本新型創作的實施例的顯示面板可達到色域可調整的效果。
100、100a、100b、100c、100d、100e:顯示面板 101:第一半導體層 102:第二半導體層 103:發光層 110:電路基板 111:第一接觸層 112:第二接觸層 121:第一電極 122:第二電極 123:中介電極 130:絕緣結構 140:布拉格反射層 160:保護單元 161:第一表面 162:第二表面 170:透明導電層 180A:導電元件 200:顯示單元 202、202’、204、204’、206、206’、206”、 207、208、208’、208”:微型發光晶片 209:集成晶片 210、220:子集合 230:備援線路 232:接合區域 300A、300A’:第一子晶片 300B、300B’:第二子晶片 E1、E2、E3、E4、P、Q、R、S:點 P1、P2:畫素 PT1:第一部分 PT2:第二部分 TH11、TH12、TH21、TH22、THI:通孔 TS1:第一接觸面 TS2:第二接觸面 X、Y、Z:方向
圖1為本新型創作的一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。 圖2A示出圖1中的子集合的第二部分所發出的發光顏色在CIE 1931色度圖中的分布範圍示意圖。 圖2B為本新型創作的顯示單元於CIE 1931色度圖中的分布範圍示意圖。 圖3A與圖3B分別為本新型創作的另二實施例的顯示面板的局部上視示意圖。 圖4A為本新型創作的又一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。 圖4B為圖4A中的具有二子晶片的微型發光晶片的剖面示意圖。 圖4C為圖4A中的具有二子晶片的微型發光晶片的另一種變化的剖面示意圖。 圖5為本新型創作的再一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。 圖6為本新型創作的另一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。
100:顯示面板
110:電路基板
200:顯示單元
202、204、206、208:微型發光晶片
210、220:子集合
230:備援線路
232:接合區域
P1、P2:畫素
PT1:第一部分
PT2:第二部分

Claims (16)

  1. 一種顯示面板,包括: 一電路基板,定義有多個畫素;以及 多個顯示單元,設置於該電路基板上以顯示該些畫素,各該顯示單元包括至少二個相鄰排列的子集合,且各該子集合包括: 至少三個微型發光晶片,且該些微型發光晶片的發光顏色彼此相異, 其中,各該顯示單元包括的該些微型發光晶片具有至少四種相異的發光顏色。
  2. 如請求項1所述的顯示面板,其中各該顯示單元分別對應顯示該些畫素的其中之一,且各該顯示單元的各該子集合區分為: 一第一部分,包括發光顏色相同且分別配置於各該子集合的該些微型發光晶片;以及 一第二部分,包括僅配置於其中一該子集合的該微型發光晶片,且該些子集合的該些第二部分的發光顏色彼此相異。
  3. 如請求項2所述的顯示面板,其中在該顯示單元顯示對應的該畫素時,其中一該子集合的該第二部分被關閉。
  4. 如請求項3所述的顯示面板,其中另一該子集合的該第二部分之該微型發光晶片的電流密度隨其中之該子集合的該第二部分被關閉而增加。
  5. 如請求項2所述的顯示面板,其中所有該些第二部分的該些微型發光晶片隨該些顯示單元交錯地配置於該電路基板上。
  6. 如請求項2所述的顯示面板,其中至少一該第二部分所包括的該微型發光晶片包括: 二子晶片,具有相同的發光顏色; 一絕緣結構,設置在二該子晶片之間而使二該子晶片在該絕緣結構處互為電性絕緣; 一導電元件,電性串聯二該子晶片;以及 一保護單元,該保護單元為絕緣層,且二該子晶片以及該絕緣結構集成於該保護單元內。
  7. 如請求項6所述的顯示面板,其中二該子晶片各具有一中心波長,且二該中心波長的差值落在2 nm至20 nm的範圍內。
  8. 如請求項2所述的顯示面板,其中該些子集合的該些第二部分彼此連接而形成一集成晶片,該集成晶片包括: 二該微型發光晶片,具有相異的發光顏色; 一導電元件,電性串聯二該微型發光晶片;以及 一中介電極,連接該導電元件以及該電路基板。
  9. 如請求項2所述的顯示面板,其中在至少一該子集合中,包含於該第一部分且具有相同發光顏色的該些微型發光晶片分別具有一中心波長,且任二該中心波長的差值是落在2 nm至20 nm的範圍內。
  10. 如請求項2所述的顯示面板,其中各該顯示單元中,其中一該子集合的該第二部分所包含的該微型發光晶片,其發光顏色在CIE 1931色度圖中的(x, y)座標位於(0.0481, 0.2953)、(0.0169, 0.7460)、(0.0886, 0.6449)及(0.0989, 0.3018)所圍成的區域內。
  11. 如請求項1所述的顯示面板,其中各該子集合分別對應顯示該些畫素的其中之一,且各該顯示單元的各該子集合區分為: 一第一部分,包含發光顏色相同且分別配置於各該子集合的該些微型發光晶片;以及 一第二部分,包含僅配置於其中一該子集合的該微型發光晶片,且該些子集合的該些第二部分的發光顏色彼此相異。
  12. 如請求項11所述的顯示面板,其中所有該些第二部分的該些微型發光晶片隨該些子集合交錯地配置於該電路基板上。
  13. 如請求項11所述的顯示面板,其中至少一該第二部分所包括的該微型發光晶片包括: 二子晶片,具有相同的發光顏色; 一絕緣結構,設置在二該子晶片之間而使二該子晶片在該絕緣結構處互為電性絕緣; 一導電元件,電性串聯二該子晶片;以及 一保護單元,該保護單元為絕緣層,且二該子晶片以及該絕緣結構集成於該保護單元內。
  14. 如請求項13所述的顯示面板,其中二該子晶片各具有一中心波長,且二該中心波長的差值落在2 nm至20 nm的範圍內。
  15. 如請求項1所述的顯示面板,更包括: 一備援線路,設置於該電路基板上,並且電性連接各該顯示單元的各該子集合, 其中在各該顯示單元內,該備援線路具有與各該子集合的該些微型發光晶片對應數量的多個接合區域。
  16. 如請求項2所述的顯示面板,其中各該顯示單元的該些子集合依據該些微型發光晶片的發光顏色而在CIE 1931色度圖中定義至少二個色域範圍,且各該顯示單元受控以選擇其中一該子集合的該色域範圍顯示對應的該畫素。
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