TWM505088U - 訊號連接裝置 - Google Patents

Description

訊號連接裝置

本創作有關於一種訊號連接裝置，尤指一種體積小及成本低之具防突波結構的訊號連接裝置。

產生突波的主要原因有兩種：一種是由打雷閃電所產生的雷突波，另一種是由電路開閉所造成的開閉突波。雷突波是由自然界所產生的，因此如果你所設計的電路必須在容易產生打雷的地區使用時，那麼加入適當的過載保護是絕對有其必要的，而對於外來的雷突波，我們可以選用避雷裝置，變阻器或電容來保護電路，而傳統常使用安裝避雷管進行保護，避雷管能釋放雷電或兼能釋放電力系統操作過電壓能量，保護電工設備免受瞬時過電壓危害，又能截斷續流，不致引起系統接地短路的電器裝置。避雷管通常接于帶電導線與地之間，與被保護設備並聯。當過電壓值達到規定的動作電壓時，避雷管立即動作，流過電荷，限制過電壓幅值，保護設備絕緣；電壓值正常後，避雷管又迅速恢複原狀，以保證系統正常供電。然而，設置避雷管需要較大的產生成本及較大空間設置，己不符合現代對於電子產品的設計要求。

本創作為一種訊號連接裝置，利用一金屬墊片套設在訊號輸入端上，並在金屬墊片之一穿孔內壁表面與訊號輸入端表面形成之徑向間隙，用以做為防突波之放電結構。本創作之防突波結構免除傳統的避雷管或避雷元件的設置，大幅降低生產成本及縮小產品尺寸。

本創作為一種訊號連接裝置，包括一第一金屬片；一第一金屬桿件，經由位在該第一金屬片內之一第一穿孔穿過該第一金屬片，位於該第一穿孔之一第一內壁與該第一金屬桿件之間之一徑向間隙係介於0.1毫米(mm)與0.6毫米(mm)之間；以及一電路板，連接該第一金屬桿件，該電路板包括一第一聚合物層、位在該第一聚合物層上之一圖案化金屬層及位在該第一聚合物層上及該圖案化金屬層上之一第二聚合物層，其中該圖案化金屬層連接該第一金屬桿件。

當以下描述連同隨附圖式一起閱讀時，可更充分地理解本創作之態樣，該等隨附圖式之性質應視為說明性而非限制性的。該等圖式未必按比例繪製，而是強調本創作之原理。

現描述說明性實施例。可另外或替代使用其他實施例。為節省空間或更有效地呈現，可省略顯而易見或不必要之細節。相反，可實施一些實施例而不揭示所有細節。

本創作為一種訊號連接裝置，此訊號連接裝置可設置在一電子裝置上，此電子裝置例如是一訊號濾波器、一訊號接收器、一訊號連接器、一訊號衰減器或任何需要防止突波(Surge)之電子裝置，以下介紹數個本創作之實施例。 第一實施例

在本創作第一實施例之電子裝置係以一訊號濾波器作為說明，如第1圖及第2圖所示，本創作之電子裝置包括一外殼100及一電子元件200，其中電子元件200係設置在外殼100內，此外殼100包括一螺帽部102、一本體104、一螺紋部106及一穿孔108，其中本體104位在螺帽部102與螺紋部106之間，而穿孔108貫穿本體104、螺帽部102及螺紋部106，其中此穿孔108包括一第一區域1081及一第二區域1082，第一區域1081之直徑大於第二區域1082之直徑。此外殼100之材質為一金屬材質，例如是銅、鐡、銀、鎳、錫、金、銅金合金、銅錫合金、銅鎳合金、黃銅、黃銅合金、磷青銅、鈹銅、鋁、鋁合金、鋅合金、鋼鐡合金或其它導電性良好之聚合物(例如導電塑膠)或非金屬類之導體等，其中此外殼100係由本體104、螺帽部102及螺紋部106一體成型所形成。

如第1圖及第2圖所示，電子元件200包括一第一訊號連接端202、一金屬套筒204、一第一絕緣環片206、一第一防水絕緣環片208、一第一防突波金屬環片210、一第二絕緣環片211、一電路板元件212、一第二訊號連接端214、一第二防突波金屬環片216、一第三絕緣環片217、一第二防水絕緣環片218、一第四絕緣環片220、一固定片221及一固定套223，其中電路板元件212包括一電路基板222、複數電感線圈224、二個電容元件226、複數電阻元件228及二金屬片230，其中此電路基板222為一長方形具有二相互平行之長邊及二相互平行之短邊，電路基板222例如係一印刷電路板，如第3圖所示，此電路基板222包括具有複數穿孔222a之一內層基板(Core substrate)2221，每一穿孔222a之內壁電鍍有一金屬層2222，例如是一銅層或鋁層且厚度係介於3微米至50微米之間、5微米至30微米之間或10微米至80微米之間，在內層基板2221上下表面分別形成一層或多層圖案化金屬線路層2223(例如是二層)及一層或多層聚合物介電層2224(例如是三層)，並且經由穿孔222a之金屬層2222將內層基板2221上下表面之圖案化金屬線路層2223電性連接，其中位於電路基板222表面之聚合物介電層2224具有複數開孔224a曝露出一圖案化金屬線路層2223以作為連接金屬墊2223a，上述電感線圈224、電容元件226、電阻元件228、金屬片230、第一訊號連接端202及第二訊號連接端214經由銲錫(Solder)連接至該些連接金屬墊2223a。

如第1圖、第2圖及第3圖所示，第一訊號連接端202及第二訊號連接端214分別設置且連接在電路基板222的二短邊上並經由連接金屬墊2223a連接至圖案化金屬線路層2223，第一訊號連接端202及第二訊號連接端214在本實施例之中例如是一金屬線或一金屬桿件型式之連接端，且第一訊號連接端202之直徑係介於0.5毫米(mm)至1mm之間或介於0.7mm至1.5mm之間。而第二訊號連接端214在本實施例之中例如是金屬材質之插槽，用以接受另一電子裝置之金屬訊號線，因此第二訊號連接端214在本實施例之中的直徑會大於第一訊號連接端202之直徑，例如是介於0.6毫米(mm)至1.2mm之間或介於0.8mm至2.5mm之間。而二金屬片230分別設置在電路基板222的二長邊上，其中金屬片230具有複數鋸齒狀之凸出部230a，且此金屬片230之厚度介於0.02mm至1mm之間或介於0.5mm至2mm之間，而此金屬片230的材質係由鎳、錫、金、銅金合金、銅錫合金、銅鎳合金、黃銅、黃銅合金、磷青銅、鈹銅、鋁、鋁合金或鋅合金所構成，另外此二金屬片230電性連接至電路基板222的接地端。在電路基板222上表面設置複數電感線圈224及二個電容元件226，而電感線圈224則設置在二電容元件226之間，而在電路基板222的下表面上設有複數電阻元件228，其中電感線圈224、電容元件226及電阻元件228可經由電路基板222上下表面之連接金屬墊2223a、圖案化金屬線路層2223及穿孔222a之金屬層2222相互相電性連接。

如第4圖所示，金屬套筒204具有一穿孔204a及一側壁2041，此金屬套筒204之直徑會幾乎等於穿孔108內第一區域1081之直徑，而穿孔204a貫穿金屬套筒204本體及側壁2041，將第一絕緣環片206從金屬套筒204之穿孔204a置入並抵住側壁2041，其中第一絕緣環片206之圓周側壁也同時抵觸在金屬套筒204之穿孔204a內壁上，再將第一防水絕緣環片208從金屬套筒204之穿孔204a置入並抵住第一絕緣環片206，其中第一防水絕緣環片208之圓周側壁也同時抵觸在金屬套筒204之穿孔204a內壁上，再將第一防突波金屬環片210從金屬套筒204之穿孔204a置入並抵住第一絕緣環片206，其中第一防突波金屬環片210之圓周側壁也同時抵觸在金屬套筒204之穿孔204a內壁上，且第一防突波金屬環片210具有一凹陷部2101可事先提供第二絕緣環片211設置，或是第一防突波金屬環片210設置在金屬套筒204內後，第二絕緣環片211再設置至凹陷部2101上，其中第一絕緣環片206及第二絕緣環片211之材質包括一聚合物材質、一陶瓷材質或玻璃材質，例如塑膠、聚丙烯（Polypropylene）、聚苯乙烯(Polystyrene)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、美耐皿樹脂（Melamine Resin）、鐵氟龍(Polytetrafluoroethene)，第一防水絕緣環片208之材質包括一橡膠、一矽膠、具有彈性且防水之聚合物墊片或具有絕緣且防水之陶瓷墊片，第一防突波金屬環片210及金屬套筒204之材質包括鎳、錫、金、銅金合金、銅錫合金、銅鎳合金、黃銅、黃銅合金、磷青銅、鈹銅、鋁、鋁合金或鋅合金所構成。

如第4圖所示，第一絕緣環片206、第二絕緣環片211、第一防水絕緣環片208分別具有直徑幾乎相同之一穿孔206a、穿孔211a及穿孔208a，穿孔206a、穿孔211a及穿孔208a之直徑例如是介於0.4毫米(mm)至0.9毫米(mm)之間或介於0.7mm至1.2mm之間，而第一防突波金屬環片210具有一穿孔210a，此穿孔210a之直徑大於穿孔206a、穿孔211a及穿孔208a之直徑，例如是大於0.3 mm至0.9 mm之間或大於0.5mm至1mm，另外第一防突波金屬環片210之厚度係介於0.5mm與1.5mm之間、介於1mm與2mm之間或1.5mm與3mm之間。

另外第二防突波金屬環片216、第三絕緣環片217、第二防水絕緣環片218、第四絕緣環片220之材質分別與上述第一絕緣環片206、第一防水絕緣環片208、第一防突波金屬環片210及第二絕緣環片211相同，請分別參考上述說明，但需要另外說明第二防突波金屬環片216具有一凹陷部2161可提供第三絕緣環片217設置。另外第二防突波金屬環片216、第三絕緣環片217、第二防水絕緣環片218、第四絕緣環片220之直徑幾乎等於穿孔108內第二區域1082之直徑，也幾乎等於第一絕緣環片206、第一防水絕緣環片208、第一防突波金屬環片210及第二絕緣環片211之直徑，而且第三絕緣環片217、第四絕緣環片220、第二防水絕緣環片218分別具有直徑幾乎相同之一穿孔217a、穿孔220a及穿孔218a，穿孔217a、穿孔220a及穿孔218a之直徑例如是介於0.6毫米(mm)至1毫米(mm)之間或介於0.8mm至1.8mm之間，且穿孔217a、穿孔220a及穿孔218a之直徑係大於穿孔206a、穿孔211a及穿孔208a之直徑，而第二防突波金屬環片216具有一穿孔216a，此穿孔216a之直徑大於穿孔217a、穿孔220a及穿孔218a之直徑，例如是大於0.3 mm至0.9 mm之間或大於0.5mm至1mm，另外第二防突波金屬環片216之厚度係介於0.5mm與1.5mm之間、介於1mm與2mm之間或1.5mm與3mm之間。

如第4a圖、第4b圖及第5圖所示，說明電子元件200的組裝過程，先將第一訊號連接端202穿設固定在電路基板222上，使第一訊號連接端202經由銲錫電性連接至電路基板222之圖案化金屬線路層2223，再將己設置有第一絕緣環片206、第一防水絕緣環片208、第一防突波金屬環片210及第二絕緣環片211之金屬套筒204穿設在第一訊號連接端202上，其中第一訊號連接端202會依序穿過第二絕緣環片211之穿孔211a、第一防突波金屬環片210之穿孔210a、第一防水絕緣環片208之穿孔208a、第一絕緣環片206之穿孔206a及金屬套筒204之穿孔204a，穿孔206a、穿孔211a及穿孔208a之直徑與第一訊號連接端202之直徑幾乎相同，而第一防突波金屬環片210之穿孔210a的直徑大於第一訊號連接端202之直徑，因此第一防突波金屬環片210之穿孔210a內壁與第一訊號連接端202表面會形成一第一徑向間隙2102，此第一徑向間隙2102係介於0.05mm與0.8mm之間、介於0.1mm與0.6mm或介於0.15與0.5mm之間，此第一徑向間隙2102為本實施例之第一放電結構。

接著說明本實施例之第二放電結構，先將第三絕緣環片217設置在第二防突波金屬環片216表面之凹陷部2161上，在第二防突波金屬環片216的背部之表面上設有與第二防水絕緣環片218表面相對應之嵌合結構，再將第二防水絕緣環片218表面嵌合在第二防突波金屬環片216背面之嵌合結構上作為一預固定結構，在第二防水絕緣環片218的背部之表面上設有與第四絕緣環片220表面相對應之嵌合結構，將第四絕緣環片220表面嵌合在第二防水絕緣環片218背面之嵌合結構上作為一預固定結構，接著使第二訊號連接端214依序穿過第四絕緣環片220之穿孔220a、第二防水絕緣環片218之穿孔218a、第二防突波金屬環片216之穿孔216a及第三絕緣環片217之穿孔217a，穿孔217a、穿孔218a及穿孔220a之直徑與第二訊號連接端214之直徑幾乎相同，而第二防突波金屬環片216之穿孔216a的直徑大於第二訊號連接端214之直徑，因此第二防突波金屬環片216之穿孔216a內壁與第二訊號連接端214表面會形成一第二徑向間隙2162，此第二徑向間隙2162係介於0.05mm與0.8mm之間、介於0.1mm與0.6mm或介於0.15與0.5mm之間，此第二徑向間隙2162做為本實施例之第二放電結構。接著將第二訊號連接端214固定連接在電路基板222上，使第二訊號連接端214經由銲錫電性連接至電路基板222之圖案化金屬線路層2223，再將固定套223套設在固定片221上，此固定片221具有一穿孔221a可供第二訊號連接端214穿設及固定，再將己套設在固定片221上之固定套223從第二訊號連接端214另一端穿設在第二訊號連接端214上，使第二訊號連接端214環設固定在穿孔221a內。另外本實施例之第一防水絕緣環片208、第二防水絕緣環片218、第二絕緣環片211及第三絕緣環片217係可依需求性或成本考量下予以省略。

如第1圖、第2圖及第6圖所示，將電子元件200設置在外殼100之穿孔108內，其中設置之方式係先將電路板元件212上之金屬片230之凸出部230a向電路板元件212中心的方向凹折一弧度，此弧度係介於0.1π至0.25π之間、0.15π至0.33π之間或0.2π至0.45π之間，而凸出部230a最佳的凹折弧度係幾乎等於穿孔108內壁之弧度，如此即完成此電子元件200的組裝。

接著將電子元件200之第二訊號連接端214從螺帽部102往螺紋部106方向將電子元件200置入穿孔108內，其中因第二訊號連接端214上之第二防突波金屬環片216、第二防水絕緣環片218及第四絕緣環片220之直徑小於穿孔108內第一區域1081之直徑，使第二訊號連接端214上之二防突波金屬環片216、第二防水絕緣環片218及第四絕緣環片220可輕易推移至穿孔108內之第二區域1082時才產生阻礙感，此時第一訊號連接端202上之金屬套筒204也同時推移至第一區域1081，另外二金屬片230之凸出部230a也同時貼附著穿孔108內壁表面，接著使用鉚接方式、緊配合式、干涉接合或精密配合的方式將金屬套筒204及第二防突波金屬環片216固定設置在穿孔108內，進行使電子元件200固定在外殼100之穿孔108內。

當本實施例之訊號濾波器進行訊號處理時，第一訊號連接端202及第二訊號連接端214皆可依照所需求之樣式做為訊號輸入端及訊號輸出端，以下說明係以第一訊號連接端202作為一訊號輸入端，第二訊號連接端214作為一訊號輸出端。此訊號濾波器進行訊號處理時，當訊號輸入端所連接之訊號線遭到雷擊時產生例如1仟伏特(2KV)至8KV之間的電流或2KV至7KV之間的突波電流，此突波電流傳導至此訊號濾波器時，位於第一防突波金屬環片210之穿孔210a內壁與第一訊號連接端202表面之間的第一徑向間隙2102會被此突波電流擊穿，使突波電流經由金屬套筒204及外殼100導引至接地端，如此可保護訊號濾波器不受突波電流衝擊而損壞。另外若以第二訊號連接端214作為訊號輸入端時，當訊號輸入端所連接之訊號線遭到雷擊時，此突波電流傳導至此訊號濾波器時，位於第二防突波金屬環片216之穿孔216a內壁與第二訊號連接端214表面之間的第二徑向間隙2162會被此突波電流擊穿，使突波電流經由外殼100導引至接地端。

另外，當上述第一徑向間隙2102及第二徑向間隙2162所形成之防突裝置無法將此突波電流完全導引至接地端時，在電路基板222上的電容元件226則可將剩餘的突波電流吸收且經由電路基板222內的圖案化金屬線路層2223傳導至金屬片230，由金屬片230傳導至接地端及外殼100，但此電容元件226可依需求性或成本考量下予以省略。

本創作利用一防突波金屬環片套設在訊號輸入端上，並在防突波金屬環片之一穿孔內壁表面與訊號輸入端表面形成之徑向間隙，用以做為防突波之放電結構。本創作之防突波結構免除傳統的避雷管或避雷元件的設置，大幅降低生產成本及縮小產品尺寸。 第二實施例

本創作第二實施例與第一實施例相似，如第7圖所示，第一實施例因第一訊號連接端202及第二訊號連接端214皆可依使用者需求性不同做為訊號輸入端，因此需要在電路板元件212的二端之第一訊號連接端202及第二訊號連接端214分別設置第一放電結構(第一徑向間隙2102)及第二放電結構(第二徑向間隙2162)，而第二實施例之電子裝置在設計時己限制第一訊號連接端202及第二訊號連接端214其中一端做為訊號輸入端，另一端做為訊號輸出端，本實施例例如係以第一訊號連接端202做為訊號輸入端，第二訊號連接端214作為訊號輸出端，因此可在己確定為訊號輸入端設置一放電結構，而第二訊號連接端214沒有設置放電結構，例如上述第一實施例之第一徑向間隙2102或第二徑向間隙2162其中之一。 第三實施例

上述實施例之放電結構僅有一階段的放電導引突波電流至接地端，本實施例以上述第一實施例中第一放電結構改良成為二階段放電方式之結構，如第8a圖所示，在第一防突波金屬環片210與第一防水絕緣環片208之間設置一第三防突波金屬環片232，此第三防突波金屬環片232之材質可參考上述第一防突波金屬環片210材質之說明，且此第三防突波金屬環片232之材質可依使用者需求選擇與第一防突波金屬環片210相同之材質或不同之材質，此第三防突波金屬環片232具有一穿孔232a，此穿孔232a之直徑介於0.4毫米(mm)至0.9毫米(mm)之間或介於0.7mm至1.2mm之間，其中此穿孔232a之直徑可等於第一防突波金屬環片210之穿孔210a，另外此第三防突波金屬環片232之穿孔232a內壁與第一訊號連接端202表面所形成一之徑向間隙2321的距離也等於第一徑向間隙2102。

另外，如第8b圖所示，此穿孔232a之直徑也可小於第一防突波金屬環片210之穿孔210a，其直徑差異例如是介於0.1mm至0.3mm之間、介於0.2mm至0.6mm之間或介於0.3mm至0.9mm之間，另外第三防突波金屬環片232之穿孔232a內壁與第一訊號連接端202表面會形成一第三徑向間隙2322，此第三徑向間隙2322之距離小於第一徑向間隙2102，其間隙之大小差異例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間。

另外，如第8c圖所示，此穿孔232a之直徑也可大於第一防突波金屬環片210之穿孔210a，其直徑差異例如是介於0.1mm至0.3mm之間、介於0.2mm至0.6mm之間或介於0.3mm至0.9mm之間，另外第三防突波金屬環片232之穿孔232a內壁與第一訊號連接端202表面會形成一第四徑向間隙2324，此第四徑向間隙2324之距離大於第一徑向間隙2102，其間隙之大小差異例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間。 第四實施例

本實施例與第三實施例相似，不同在於本實施例是使用外殼100作為類似第三實施例之第三防突波金屬環片232，並且本實施例之第一防突波金屬環片210不具有凹陷部2101，如第9a圖所示，此外殼100另包括一第四防突波金屬環片234位於穿孔108之內壁上，此第四防突波金屬環片234與外殼100為一體成型方式形成，第四防突波金屬環片234具有一穿孔234a及一凹陷部2342，其中此穿孔234a之直徑介於0.4毫米(mm)至0.9毫米(mm)之間或介於0.7mm至1.2mm之間，其中此穿孔234a之直徑可等於第一防突波金屬環片210之穿孔210a，而第四防突波金屬環片234之穿孔234a內壁與第一訊號連接端202表面所形成一之徑向間隙2341的距離也等於第一徑向間隙2102，另外此第四防突波金屬環片234之材質可參考上述外殼100材質之說明。

本實施例的組裝方式與上述實施例不同，首先將第二絕緣環片211設置在第四防突波金屬環片234之凹陷部2342上，然後將電子裝置之一第一訊號連接端202穿過穿孔234a，使部分之第一訊號連接端202凸出穿孔234a，再將己設置有第一絕緣環片206、第一防水絕緣環片208及第一防突波金屬環片210之金屬套筒204從螺帽部102往螺紋部106方向穿過穿孔108而設置在第一訊號連接端202上，其中第一訊號連接端202會依序穿過第一防突波金屬環片210之穿孔210a、第一防水絕緣環片208之穿孔208a、第一絕緣環片206之穿孔206a及金屬套筒204之穿孔204a。

另外，如第9b圖所示，此穿孔234a之直徑也可小於第一防突波金屬環片210之穿孔210a，其直徑差異例如是介於0.1mm至0.3mm之間、介於0.2mm至0.6mm之間或介於0.3mm至0.9mm之間，另外第四防突波金屬環片234之穿孔234a內壁與第一訊號連接端202表面會形成一第五徑向間隙2344，此第五徑向間隙2344之距離小於第一徑向間隙2102，其間隙之大小差異例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間。

另外，如第9c圖所示，此穿孔234a之直徑也可大於第一防突波金屬環片210之穿孔210a，其直徑差異例如是介於0.1mm至0.3mm之間、介於0.2mm至0.6mm之間或介於0.3mm至0.9mm之間，另外第四防突波金屬環片234之穿孔234a內壁與第一訊號連接端202表面會形成一第六徑向間隙2346，此第六徑向間隙2346之距離大於第一徑向間隙2102，其間隙之大小差異例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間。 第五實施例

如第10a圖所示，本實施例與第四實施例及第一實施例相似，不同在於本實施例之第四防突波金屬環片234不具有凹陷部2342供以第二絕緣環片211設置，而是將第二絕緣環片211設置在第一防突波金屬環片210之凹陷部(圖中未示)上，並且是將己設置有第一絕緣環片206、第一防水絕緣環片208、第一防突波金屬環片210及第二絕緣環片211之金屬套筒204穿設在第一訊號連接端202上，第一防突波金屬環片210之側表面、第二絕緣環片211之側表面及金屬套筒204之側表面抵觸在第四防突波金屬環片234表面。另外本實施例之第四防突波金屬環片234之穿孔234a之直徑也可等於、小於或大於第一防突波金屬環片210之穿孔210a，同時第四防突波金屬環片234之穿孔234a內壁與第一訊號連接端202表面會形成一徑向間隙2347，此徑向間隙2347之說明及第一徑向間隙2102之大小比較，例如係徑向間隙2347之距離大於或小於第一徑向間隙2102，其間隙之大小差異例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間。

另外也可將第四實施例之第四防突波金屬環片234及第二絕緣環片211之結構應用在此第五實施例之中，如第10b圖所示，由二第二絕緣環片211將第一防突波金屬環片210與第四防突波金屬環片234相互隔離。 第六實施例

本實施例主要是針對上述所有實施例之第一防突波金屬環片210之穿孔210a內壁表面、第二防突波金屬環片216之穿孔216a內壁表面、第三防突波金屬環片232之穿孔232a內壁表面及第四防突波金屬環片234之穿孔234a內壁表面進行改良，用以使產生更多階段放電方式之結構，如第11a圖所示，本實施例以一穿孔內壁表面236代表上述各實施例之防突波金屬環片之穿孔內壁表面(包括穿孔210a內壁表面、穿孔216a內壁表面、穿孔232a內壁表面及穿孔234a內壁表面)，在穿孔內壁表面236上具有一階梯形狀之表面，分別為第一表面2361及第二表面2362，其中第一表面2361之直徑大於第二表面2362之直徑，其直徑差異例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間；另外第一表面2361與第一訊號連接端202表面會形成一第七徑向間隙2363，而第二表面2362與第一訊號連接端202表面會形成一第八徑向間隙2364，此第七徑向間隙2363之距離大於第八徑向間隙2364，其間隙之大小差異例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間，其中此第八徑向間隙2364係介於0.05mm與0.8mm之間、介於0.1mm與0.6mm或介於0.15與0.5mm之間。

另外，如第11b圖所示，第一表面2361之直徑也可小於第二表面2362之直徑，其直徑差異例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間；另外第一表面2361與第一訊號連接端202表面會形成一第九徑向間隙2365，而第二表面2362與第一訊號連接端202表面會形成一第十徑向間隙2366，此第九徑向間隙2365之距離小於第十徑向間隙2366，其間隙之大小差異例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間，其中此第十徑向間隙2366係介於0.05mm與0.8mm之間、介於0.1mm與0.6mm或介於0.15與0.5mm之間。 第七實施例

本實施例同樣是針對上述所有實施例之第一防突波金屬環片210之穿孔210a內壁表面、第二防突波金屬環片216之穿孔216a內壁表面、第三防突波金屬環片232之穿孔232a內壁表面、第四防突波金屬環片234之穿孔234a內壁表面及穿孔內壁表面236(包括第一表面2361、第二表面2362)進行改良，用以使產生更良好放電效果之結構，如第12a圖所示，本實施例以一穿孔內壁表面237代表上述各實施例之防突波金屬環片之穿孔內壁表面(包括穿孔210a內壁表面、穿孔216a內壁表面、穿孔232a內壁表面及穿孔234a內壁表面)，在穿孔內壁表面237上係為一傾斜表面，此穿孔內壁表面237之一延伸面與第一訊號連接端202之軸線具有一夾角237a，此夾角237a之角度例如係介於2度至15度之間、介於5度至30度之間或介於8度至45度之間。另外此穿孔內壁表面237與第一訊號連接端202表面之間具有一第十一間隙2371及一第十二間隙2372，其中第十一間隙2371係穿孔內壁表面237與第一訊號連接端202表面之間的間隙最大的，而第十二間隙2372係穿孔內壁表面237與第一訊號連接端202表面之間的間隙最小的，如第12a圖中第十一間隙2371係靠近第一防水絕緣環片208，而第十二間隙2372係靠近第二絕緣環片211，其中第十一間隙2371與第十二間隙2372例如介於0.05mm至0.15mm之間、介於0.1mm至0.3mm之間或介於0.15mm至0.45mm之間。

另外，穿孔內壁表面237之傾斜方向可以與上述第12a圖相反，如第12b圖所示，第十一間隙2371係靠近第二絕緣環片211，而第十二間隙2372係靠近第一防水絕緣環片208，其中第十一間隙2371與第十二間隙2372之尺寸請參考上述說明。 第八實施例

本實施例同樣是針對上述所有實施例之第一防突波金屬環片210之穿孔210a內壁表面、第二防突波金屬環片216之穿孔216a內壁表面、第三防突波金屬環片232之穿孔232a內壁表面、第四防突波金屬環片234之穿孔234a內壁表面及穿孔內壁表面236(包括第一表面2361、第二表面2362)進行改良，用以使產生更良好放電效果之結構，如第13a圖所示，本實施例以一穿孔內壁表面238代表上述各實施例之防突波金屬環片之穿孔內壁表面(包括穿孔210a內壁表面、穿孔216a內壁表面、穿孔232a內壁表面、穿孔234a內壁表面、第一表面2361及第二表面2362)，在穿孔內壁表面238上環設有一凸部2381及一平坦部2382，此凸部2381之一最小直徑小於平坦部2382之直徑，例如小於0.03mm至0.1mm之間、小於0.1mm至0.3mm之間或小於0.15mm至0.45mm之間，另外此凸部2381更可包括一或多個尖頭形狀、方形及圓弧形之凸部2381，此實施例之凸部2381可使導引突波電流更加集中，使導引突波之過程更具有效率。

如第13b圖所示，穿孔內壁表面238除了可設計成如第12a圖中的凸部2381之外，也可設置成複數個凸部2383相互間隔環設在穿孔內壁表面238上，每二凸部2383之間具有一間隔2384，例如係介於0.03mm至0.1mm之間、小於0.05mm至0.15mm之間或小於0.1mm至0.3mm之間，此凸部2383更可包括一或多個尖頭形狀、方形及圓弧形之凸部2383，及凸部2383排列方式可包括星狀、弧狀、放射狀或鋸齒狀的排列方式呈現，此實施例之凸部2383可使導引突波電流更具有效率。 第九實施例

本實施例是針對上述實施例之第二絕緣環片211及第三絕緣環片217進行改良，如第14圖所示，上述實施例之第二絕緣環片211及第三絕緣環片217之形狀為一圓盤狀，而本實施例之第二絕緣環片211及第三絕緣環片217可替換成一圓管形狀之絕緣環片，本實施例圓管形狀之第二絕緣環片211及第三絕緣環片217可同樣達到隔絕上述實施例內徑向間隙(包括第一徑向間隙2102、第二徑向間隙2162、第三徑向間隙2322、第四徑向間隙2324、第五徑向間隙2344、第六徑向間隙2346、第七徑向間隙2363、第八徑向間隙2364、第九徑向間隙2365、第十徑向間隙2366、第十一間隙2371與第十二間隙2372)與電路基板222所設置之空間連接，如此可使導引突波電流更加集中，使導引突波之過程更具有效率。

本實施例之第二絕緣環片211及第三絕緣環片217係先行穿設在第一訊號連接端202及第二訊號連接端214上，與上述圓盤狀絕緣環片之設置方式不同。 第十實施例

本實施例同樣是針對上述所有實施例之防水性進行改良，如第15圖所示，在外殼100之穿孔108內且位於螺帽部102位置可具有一凹槽105，用以使一防水橡膠環107設置，如此可使電子裝置之防水性增加。

另外上述所有實施例之第一訊號連接端202及第二訊號連接端214之形式皆以線形、桿型或圓條狀作為說明，然第一訊號連接端202及第二訊號連接端214之形式也可為方形或金屬片形，其放電結構皆可使用上述所有實施例之概念進行設計，在此就不予以說明。

儘管已展示及描述了本新型之實施例，但對於一般熟習此項技術者而言，可理解，在不脫離本新型之原理及精神 之情況下可對此等實施例進行變化。本新型之適用範圍由所附申請專利範圍及其等同物限定。本新型之權利保護範圍，應如所主張之申請專利範圍所界定為準。應注意，措詞「包括」不排除其他元件，措詞「一」不排除多個。

除非另外說明，否則本說明書中(包括申請專利範圍中)所闡述之所有量度、值、等級、位置、量值、尺寸及其他規格為近似而非精確的。上述者意欲具有與其相關功能且與其所屬技術中慣用者相符的合理範圍。

100‧‧‧外殼
200‧‧‧電子元件
102‧‧‧螺帽部
104‧‧‧本體
106‧‧‧螺紋部
108‧‧‧穿孔
1081‧‧‧第一區域
1082‧‧‧第二區域
202‧‧‧第一訊號連接端
204‧‧‧金屬套筒
206‧‧‧第一絕緣環片
208‧‧‧第一防水絕緣環片
210‧‧‧第一防突波金屬環片
211‧‧‧第二絕緣環片
212‧‧‧電路板元件
214‧‧‧第二訊號連接端
216‧‧‧第二防突波金屬環片
217‧‧‧第三絕緣環片
218‧‧‧第二防水絕緣環片
220‧‧‧第四絕緣環片
222‧‧‧電路基板
224‧‧‧電感線圈
226‧‧‧電容元件
228‧‧‧電阻元件
230‧‧‧金屬片
222a‧‧‧穿孔
2221‧‧‧內層基板
2222‧‧‧金屬層
2223‧‧‧圖案化金屬線路層
2224‧‧‧聚合物介電層
224a‧‧‧開孔
2223a‧‧‧金屬墊
204a‧‧‧穿孔
2041‧‧‧側壁
2101‧‧‧凹陷部
206a‧‧‧穿孔
211a‧‧‧穿孔
208a‧‧‧穿孔
210a‧‧‧穿孔
2161‧‧‧凹陷部
217a‧‧‧穿孔
220a‧‧‧穿孔
218a‧‧‧穿孔
216a‧‧‧穿孔
2102‧‧‧第一徑向間隙
2162‧‧‧第二徑向間隙
232‧‧‧第三防突波金屬環片
232a‧‧‧穿孔
2321‧‧‧徑向間隙
2322‧‧‧第三徑向間隙
2324‧‧‧第四徑向間隙
234‧‧‧第四防突波金屬環片
234a‧‧‧穿孔
2342‧‧‧凹陷部
2341‧‧‧徑向間隙
2344‧‧‧第五徑向間隙
2346‧‧‧第六徑向間隙
2347‧‧‧徑向間隙
236‧‧‧穿孔內壁表面
2361‧‧‧第一表面
2362‧‧‧第二表面第
2363‧‧‧七徑向間隙
2364‧‧‧第八徑向間隙
2365‧‧‧第九徑向間隙
2366‧‧‧第十徑向間隙
238‧‧‧穿孔內壁表面
2381‧‧‧凸部
2382‧‧‧平坦部
2383‧‧‧凸部
2384‧‧‧間隔
105‧‧‧凹槽
107‧‧‧防水橡膠環
221‧‧‧固定片
223‧‧‧固定套
221a‧‧‧穿孔
237‧‧‧穿孔內壁表面
2371‧‧‧第十一間隙
2372‧‧‧第十二間隙

第1圖為本創作第一實施例之立體分解圖。 第2圖為本創作第一實施例之剖面分解圖。 第3圖為本創作第一實施例之電路板剖面示意圖。 第4a圖及第4b圖為本創作第一實施例之電子元件組裝分解圖。 第5圖為本創作第一實施例之電子元件示意圖。 第6圖為本創作第一實施例之電子裝置剖面示意圖。 第7圖為本創作第二實施例之電子裝置剖面示意圖。 第8a圖為本創作第三實施例第1種防突波結構之剖面示意圖。 第8b圖為本創作第三實施例第2種防突波結構之剖面示意圖。 第8c圖為本創作第三實施例第3種防突波結構之剖面示意圖。 第9a圖為本創作第四實施例第1種防突波結構之剖面示意圖。 第9b圖為本創作第四實施例第2種防突波結構之剖面示意圖。 第9c圖為本創作第四實施例第3種防突波結構之剖面示意圖。 第10a圖為本創作第五實施例第1種態樣之防突波結構剖面示意圖。 第10b圖為本創作第五實施例第2種態樣之防突波結構剖面示意圖。 第11a圖為本創作第六實施例第1種防突波結構之剖面示意圖。 第11b圖為本創作第六實施例第2種防突波結構之剖面示意圖。 第12a圖為本創作第七實施例第1種防突波結構之剖面示意圖。 第12b圖為本創作第七實施例第2種防突波結構之示意圖。 第13a圖為本創作第八實施例第1種防突波結構之剖面示意圖。 第13b圖為本創作第八實施例第2種防突波結構之示意圖。 第14圖為本創作第九實施例之剖面示意圖。 第15圖為本創作第十實施例之剖面示意圖。

202‧‧‧第一訊號連接端

204‧‧‧金屬套筒

206‧‧‧第一絕緣環片

208‧‧‧第一防水絕緣環片

210‧‧‧第一防突波金屬環片

211‧‧‧第二絕緣環片

214‧‧‧第二訊號連接端

216‧‧‧第二防突波金屬環片

217‧‧‧第三絕緣環片

218‧‧‧第二防水絕緣環片

220‧‧‧第四絕緣環片

222‧‧‧電路基板

224‧‧‧電感線圈

226‧‧‧電容元件

228‧‧‧電阻元件

2041‧‧‧側壁

2102‧‧‧第一徑向間隙

2162‧‧‧第二徑向間隙

Claims (21)

1. 一種訊號連接裝置，包括： 一第一金屬片； 一第一金屬桿件，經由位在該第一金屬片內之一第一穿孔穿過該第一金屬片，位於該第一穿孔之一第一內壁與該第一金屬桿件之間之一徑向間隙係介於0.1毫米(mm)與0.6毫米(mm)之間；以及 一電路板，連接該第一金屬桿件，該電路板包括一第一聚合物層、位在該第一聚合物層上之一圖案化金屬層及位在該第一聚合物層上及該圖案化金屬層上之一第二聚合物層，其中該圖案化金屬層連接該第一金屬桿件。
2. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，其中該第一內壁係以一第一直徑軸向延伸一第一距離，該第一距離係介於0.5毫米(mm)與2毫米(mm)之間。
3. 如申請專利範圍第2項所述之訊號連接裝置，其中該第一穿孔之一第二內壁係以一第二直徑軸向延伸一第二距離，其中該第二直徑係大於該第一直徑。
4. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，其中該徑向間隙係介於0.2毫米(mm)與0.3毫米(mm)之間。
5. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，更包括一第二金屬片及一第二金屬桿件，該第二金屬桿件經由位在該第二金屬片內之一第二穿孔穿過該第二金屬片，位於該第二穿孔之一第一內壁與該第二金屬桿件之間之一徑向間隙係介於0.1毫米(mm)與0.6毫米(mm)之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，更包括一金屬套筒，設在該第一金屬片之一圓周側壁上。
7. 如申請專利範圍第1項所述訊號連接裝置，其中該第一內壁設有一凸部，向內突起於該第一內壁，該凸部之一頂點與該第一金屬桿件之間之一徑向間隙係介於0.1毫米(mm)與0.6毫米(mm)之間。
8. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，更包括一體成型之一外殼本體，容納該電路板、該第一金屬桿件及該第一金屬片。
9. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，更包括一線圈元件，設置在該電路板上。
10. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，更包括一電阻元件，設置在該電路板上。
11. 如申請專利範圍第3項所述之訊號連接裝置，更包括一聚合物環片，套設在該第一金屬桿件上，該聚合物環片之一圓周側壁位在該第二內壁上。
12. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，更包括一聚合物環片，套設在該第一金屬桿件上，其中該第一金屬片設在該聚合物環片與該電路板之間。
13. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，更包括一電容元件，設置在該電路板上。
14. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，更包括一金屬片，直立地設在該電路板之一第一側邊上，該第一金屬片係設在該電路板之一第二側邊處，該第二側邊係鄰接於該第一側邊。
15. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，更包括一第二金屬片，套設在該第一金屬桿件上，該第一金屬片位在該第二金屬片與該電路板之間，該第一桿件經由位在該第二金屬片內之一第二穿孔穿過該第二金屬片，位於該第二穿孔之一內壁與該第一金屬桿件之間之一徑向間隙係介於0.1毫米(mm)與0.6毫米(mm)之間。
16. 如申請專利範圍第15項所述之訊號連接裝置，其中該第二穿孔之該內壁之一內徑係大於該第二穿孔之該第一內壁之一內徑。
17. 如申請專利範圍第15項所述之訊號連接裝置，其中該第二穿孔之該內壁之一內徑係小於該第二穿孔之該第一內壁之一內徑。
18. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，其中位於該第一穿孔之一第二內壁與該第一金屬桿件之間之一徑向間隙係介於0.1毫米(mm)與0.6毫米(mm)之間，且該第二內壁之一內徑係小於該第一內壁之一內徑。
19. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，其中位於該第一穿孔之一第二內壁與該第一金屬桿件之間之一徑向間隙係介於0.1毫米(mm)與0.6毫米(mm)之間，且該第二內壁之一內徑係大於該第一內壁之一內徑。
20. 如申請專利範圍第15項所述之訊號連接裝置，更包括一金屬外殼，容納該第一金屬桿件、該第二金屬片及該電路板，其中該第一金屬片與該金屬外殼一體成型。
21. 如申請專利範圍第1項所述之訊號連接裝置，其中該第一金屬片係為電性接地，而該第一金屬桿件係為訊號傳輸之用。