TWM481448U - 觸控裝置 - Google Patents
觸控裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWM481448U TWM481448U TW103201341U TW103201341U TWM481448U TW M481448 U TWM481448 U TW M481448U TW 103201341 U TW103201341 U TW 103201341U TW 103201341 U TW103201341 U TW 103201341U TW M481448 U TWM481448 U TW M481448U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- touch device
- touch
- partially
- opening
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 129
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 48
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000009916 joint effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Position Input By Displaying (AREA)
Description
本創作係關於一種觸控裝置,尤指一種於接合區之絕緣層與保護層設置開口互相搭配的觸控裝置。
近年來,觸控感應技術迅速地發展,許多消費性電子產品例如行動電話(mobile phone)、衛星導航系統(GPS navigator system)、平板電腦(tablet PC)、個人數位助理(PDA)以及筆記型電腦(laptop PC)等均有與觸控功能結合的產品推出。在觸控面板的結構中,位於接合區的走線必須至少部分被暴露出來用以與外部元件例如軟性電路板(flexible printed circuit,FPC)進行接合。然而,由於觸控面板中對於觸控元件進行絕緣保護的需求,一般設置有複數層的絕緣層或保護層。若將接合區的絕緣層與保護層全部移除,會使得走線被保護的效果不佳而造成對信賴性的負面影響。另一方面,若對接合區的各走線分別設置對應之開口則會因開口以外之堆疊的絕緣層與保護層於接合區厚度過後而影響到軟性電路板的接合效果。
本創作之主要目的之一在於提供一種觸控裝置,利用於接合區之絕緣層與保護層中分別設置第一開口或第二開口,藉由彼此至少部分覆蓋且大小不同的第一開口與第二開口互相搭配用以於接合區分別暴露出各走線,並同時保護接合區之走線且降低接合區之絕緣層與保護層的整體厚度,進而達到提升產品信賴性與改善外部元件接合效果之目的。
為達上述目的,本創作之一實施例提供一種觸控裝置,具有一透
光區以及一周圍區。周圍區係位於透光區之至少一側。觸控裝置包括一基板、一觸控元件、複數條走線、一絕緣層以及一保護層。觸控元件係設置於基板上並至少部分位於透光區。走線係設置於基板上並至少部分位於周圍區。周圍區包括至少一接合區,走線係至少部分延伸至接合區,且至少部分之走線係與觸控元件電性連接。絕緣層係設置於基板上,且絕緣層與位於周圍區之走線於垂直基板之一垂直投影方向上至少部分重疊。保護層係設置於基板上並至少部分覆蓋觸控元件、絕緣層以及位於周圍區之走線。絕緣層與保護層其中一者於接合區具有至少一第一開口,且絕緣層與保護層兩者中不具有第一開口者於接合區具有複數個第二開口。各第二開口係對應一條走線,各第二開口至少部分暴露出對應之走線,且第一開口係與至少兩個第二開口重疊,用以使位於接合區之各走線至少部分由對應之第二開口以及第一開口所暴露出。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中絕緣層或保護層係至少部分設置於兩相鄰之第二開口之間。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中第一開口係位於絕緣層,且第二開口係位於保護層。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中第一開口係位於保護層,且第二開口係位於該絕緣層。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中第二開口係完全位於第一開口之內。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中各走線係至少部分設置於絕緣層與基板之間。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中絕緣層係至少部分設置於走線與基板之間。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中各走線包括一導線以及一接合墊,導線係與接合墊於垂直投影方向上至少部分互相重疊且相連
接,且各第二開口係於接合區至少部分暴露出對應之導線或接合墊。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中各導線係至少部分設置於絕緣層與基板之間。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中絕緣層係至少部分設置於各導線與基板之間。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,更包括一外部元件以及一導電材料。導電材料係至少部分設置於各第二開口中並與被第二開口暴露出之走線電性連接,且外部元件係透過導電材料與走線電性連接。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,更包括一裝飾層設置於基板上並至少部分位於周圍區。裝飾層係至少部分設置於絕緣層與基板之間。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,更包括一緩衝層設置於基板上並位於周圍區,且裝飾層係至少部分設置於緩衝層與基板之間。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,更包括一遮蔽層設置於基板上並位於周圍區,且遮蔽層係至少部分覆蓋絕緣層或保護層。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,更包括一保護導電層設置於絕緣層上。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中絕緣層於周圍區更具有至少一第三開口。第三開口係至少部分暴露出走線,且觸控元件係通過第三開口與至少部分之走線電性連接。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中觸控元件包括複數個觸控電極彼此互相電性絕緣設置。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中觸控電極包括至少一觸控訊號驅動電極以及至少一觸控訊號接收電極。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中觸控元件包括至少一條第一軸向電極以及至少一條第二軸向電極。第一軸向電極係沿一第一方向延伸設置,且第二軸向電極係沿一第二方向延伸設置。第二軸向電極係與
第一軸向電極電性絕緣。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中第一軸向電極包括複數個第一子電極以及至少一第一連接線設置於兩相鄰之第一子電極之間,第一連接線電性連接兩相鄰之第一子電極,第二軸向電極包括複數個第二子電極以及至少一第二連接線設置於兩相鄰之第二子電極之間,第二連接線電性連接兩相鄰之第二子電極。
本創作之另一實施例提供一種觸控裝置,其中基板包括一玻璃基板、一塑膠基板、一玻璃膜片、一塑膠膜片、一覆蓋板或一顯示器的基板。
101-103、201-203、301-304、400、500‧‧‧觸控裝置
110‧‧‧基板
121‧‧‧裝飾層
122‧‧‧緩衝層
130‧‧‧走線
131‧‧‧導線
132‧‧‧接合墊
140‧‧‧絕緣層
150‧‧‧觸控元件
150C‧‧‧連接線
150D‧‧‧保護導電層
150R‧‧‧觸控訊號接收電極
150S‧‧‧觸控電極
150T‧‧‧觸控訊號驅動電極
150X‧‧‧第一軸向電極
150Y‧‧‧第二軸向電極
160‧‧‧保護層
170‧‧‧遮蔽層
181‧‧‧導電材料
182‧‧‧外部元件
510‧‧‧覆蓋板
520‧‧‧黏合層
R1‧‧‧透光區
R2‧‧‧周圍區
R3‧‧‧接合區
V1‧‧‧第一開口
V2‧‧‧第二開口
V3‧‧‧第三開口
X‧‧‧第一方向
X1‧‧‧第一子電極
X2‧‧‧第一連接線
Y‧‧‧第二方向
Y1‧‧‧第二子電極
Y2‧‧‧第二連接線
Z‧‧‧垂直投影方向
第1圖繪示了本創作第一實施例之觸控裝置的示意圖。
第2圖繪示了本創作第一實施例之觸控裝置之接合區的部分放大示意圖。
第3圖為沿第1圖中A-A’剖線所繪示之剖面示意圖。
第4圖繪示了本創作第一實施例之自電容式觸控元件的示意圖。
第5圖繪示了本創作第一實施例之互電容式觸控元件的示意圖。
第6圖繪示了本創作第一實施例之另一互電容式觸控元件的示意圖。
第7圖繪示了本創作第一實施例之另一互電容式觸控元件的示意圖。
第8圖為沿第7圖中B-B’剖線所繪示之剖面示意圖。
第9圖繪示了本創作第一實施例之另一互電容式觸控元件的示意圖。
第10圖繪示了本創作第二實施例之觸控裝置的示意圖。
第11圖繪示了本創作第三實施例之觸控裝置的示意圖。
第12圖繪示了本創作第四實施例之觸控裝置的示意圖。
第13圖繪示了本創作第五實施例之觸控裝置的示意圖。
第14圖繪示了本創作第五實施例之觸控裝置之接合區的部分放大示意圖。
第15圖繪示了本創作第六實施例之觸控裝置的示意圖。
第16圖繪示了本創作第七實施例之觸控裝置的示意圖。
第17圖繪示了本創作第八實施例之觸控裝置的示意圖。
第18圖繪示了本創作第九實施例之觸控裝置的示意圖。
第19圖繪示了本創作第十實施例之觸控裝置的示意圖。
第20圖繪示了本創作第十一實施例之觸控裝置的示意圖。
第21圖繪示了本創作第十二實施例之觸控裝置的示意圖。
為使熟習本創作所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本創作,下文特列舉本創作之數個較佳實施例,並配合所附圖式,詳細說明本創作的構成內容。
如第1圖、第2圖以及第3圖所示,本創作第一實施例之觸控裝置101具有一透光區R1以及一周圍區R2位於透光區R1之至少一側。在本實施例中,周圍區R2較佳係圍繞透光區R1,但並不以此為限。觸控裝置101包括一基板110、一觸控元件150、複數條走線130、一絕緣層140以及一保護層160。基板110可包括一玻璃基板、一塑膠基板、一玻璃膜片、一塑膠膜片、一覆蓋板、一顯示器的基板或其他適合之基板。本實施例之覆蓋板可包括例如玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板、塑膠薄膜或其他適合材料所形成之覆蓋板。當覆蓋板是玻璃基板時,此玻璃基板可以是經化學或是物理強化的強化玻璃,具有高機械強度以保護觸控元件150與搭配的顯示器,且厚度可介於0.25毫米至2毫米之間。上述之顯示器的基板可為一液晶顯示器的彩色濾光基板或一有機發光顯示器的封裝蓋,但並不以此為限。觸控元件150係設置於基板110上並至少部分位於透光區R1。走線130係設置於基板110上並至少部分位於周圍區R2。周圍區R2包括至少一接合區R3。走線130係至少部分延伸至接合區R3,且至少部分之走線130係與觸控元件150電性連接。換句話說,至少部分之走線130係一端與觸控元件150電性連接且另一
端延伸至接合區R3。在本實施例中,觸控元件150可由透光區R1部分延伸至周圍區R2,用以與走線130電性連接,但本創作並不以此為限。在本創作之其他實施例中亦可使至少部分之走線130自周圍區R2延伸至透光區R1,用以與位於透光區R1之觸控元件150電性連接。此外,絕緣層140係設置於基板110上,且絕緣層140與位於周圍區R2之走線130於垂直基板110之一垂直投影方向Z上至少部分重疊。保護層160係設置於基板110上並至少部分覆蓋觸控元件150、絕緣層140以及位於周圍區R2之走線130。絕緣層140與保護層160可分別包括無機材料例如氮化矽(silicon nitride)、氧化矽(silicon oxide)與氮氧化矽(silicon oxynitride)、有機材料例如丙烯酸類樹脂(acrylic resin)、無機-有機複合材料或其它適合之絕緣保護材料。絕緣層140與保護層160其中一者於接合區R3具有至少一第一開口V1,且絕緣層140與保護層160兩者中不具有第一開口V1者於接合區R3具有複數個第二開口V2。各第二開口V2係對應一條走線130,各第二開口V2至少部分暴露出對應之走線130,在本實施例中,各第二開口V2完全重疊於走線130的部份位置,而於其他實施例中,各第二開口V2亦可僅部份重疊於走線130,且第一開口V1係與至少兩個第二開口V2重疊,用以使位於接合區R3之各走線130至少部分由對應之第二開口V2以及第一開口V1所暴露出。在本實施例中,第一開口V1可與全部的第二開口V2重疊,但並不以此為限。值得說明的是,本實施例之各第二開口V2較佳係僅與一條走線130互相對應且部分暴露出此對應之走線130,但本創作並不以此為限。在本創作之其他實施例中亦可使第二開口V2對應複數條走線130,但第一開口V1於垂直投影方向Z上重疊之走線130的數目需大於第二開口V2於垂直投影方向Z上重疊之走線130的數目。藉由上述設計,可使得位於接合區R3之走線130於第二開口V2之外依舊可被絕緣層140或保護層160覆蓋而加強線路保護效果,且藉由第一開口V1與第二開口V2的重疊搭配,可使得在接合區R3於第二開口V2之外的絕緣層140與保護層160的整體厚度減薄,有利於後續之接合製程的進行。
更明確地說,如第2圖與第3圖所示,本實施例之絕緣層140具
有至少一個第一開口V1,而保護層160具有複數個第二開口V2,即兩相鄰之第二開口V2之間設置有保護層160,且兩相鄰之走線130之間亦設置有保護層160。在本實施例中,各第二開口V2較佳係完全位於第一開口V1之內,但本創作並不以此為限。第一開口V1於垂直投影方向Z上之面積較佳係大於各第二開口V2於垂直投影方向Z上之總面積,但亦不以此為限。在本創作之其他實施例中亦可視設計需要將第二開口V2部分延伸至第一開口V1之外。此外,本實施例之觸控裝置101可更包括一裝飾層121、一緩衝層122、一保護導電層150D、一遮蔽層170、一導電材料181以及一外部元件182。
裝飾層121係設置於基板110上並至少部分位於周圍區R2,且裝飾層121係至少部分設置於保護層160與基板110之間。在本實施例中,裝飾層121可用以定義透光區R1與周圍區R2交界,但並不以此為限。此外,裝飾層121可由單層或多層堆疊之裝飾材料例如油墨或有色光阻等材料所構成。緩衝層122係設置於基板110上並位於周圍區R2,且裝飾層121係至少部分設置於緩衝層122與基板110之間。緩衝層122較佳可由絕緣材料例如氧化矽所形成,用以保護裝飾層121,但並不以此為限。保護導電層150D係設置於絕緣層140上,保護導電層150D較佳係與走線130互相電性絕緣,舉例來說,保護導電層150D可包括一電性浮置(electrically floating)電極或/與一接地線,用以產生電性遮蔽或製程上保護走線130的保護效果。遮蔽層170係設置於基板110上並位於周圍區R2,且遮蔽層170係至少部分覆蓋絕緣層140或保護層160,用以避免周圍區R2未設置裝飾層121之區域發生漏光等缺陷。遮蔽層170亦可由單層或多層堆疊之裝飾材料例如油墨或有色光阻等材料所構成。導電材料181係至少部分設置於各第二開口V2中並與被第二開口V2暴露出之走線130電性連接,且外部元件182係透過導電材料181與走線130電性連接。導電材料181可包括異方性導電膠(anisotropic conductive film,ACF)、銀膠或其他適合之導電材料,而外部元件182可包括軟性電路板
(flexible printed circuit,FPC)或其他適合的外部元件。
在本實施例中,各走線130係至少部分設置於絕緣層140與基板
110之間,藉由絕緣層140覆蓋走線130來達到保護的效果。更明確地說,本實施例之各走線130較佳可包括一導線131以及一接合墊132,導線131係與接合墊132於垂直投影方向Z上至少部分互相重疊且相連接。各導線131係至少部分設置於絕緣層140與基板110之間,接合墊132較佳係至少部分設置於保護層160與絕緣層140之間,且各第二開口V2係於接合區R3至少部分暴露出對應之接合墊132。在本實施例中,導線131較佳係由導電性較佳之材料例如金屬材料所形成,而接合墊132較佳係由透明導電材料例如金屬氧化物所形成,但並不以此為限。上述之金屬材料可包括鋁、銅、銀、鉻、鈦、鉬、釹之其中至少一者、上述材料之複合層、上述材料之合金或其他適合之金屬導電材料。上述之金屬氧化物可包括氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)或其他適合之金屬氧化物。由於在周圍區R2以及接合區中,與第二開口V2對應區域以外之走線130均被絕緣層140或/與保護層160所覆蓋,故對於走線130的保護效果可因此提升。此外,由於各走線130之間於第一開口V1中以及各第二開口V2至基板110邊緣之區域僅保留保護層160或絕緣層140其中一者,故可藉此降低上述區域之保護層160與絕緣層140所形成的整體厚度,進而降低外部元件182與導電材料181進行接合製程時的製程困難度,達到提升外部元件182的接合效果以及提升產品良率之效果。此外,本實施例之絕緣層140較佳係於周圍區R2更具有至少一第三開口V3,第三開口V3係至少部分暴露出走線130,且觸控元件150較佳係通過第三開口V3與至少部分之走線130電性連接,但本創作並不以此為限。在本創作之其他實施例中亦可視需要使觸控元件150直接覆蓋並接觸走線130靠近透光區R1的一端用以形成電性連接。
關於本實施例之觸控元件150的進一步說明,請參考第4圖至第
9圖。如第4圖所示,本實施例之觸控元件150可包括複數個觸控電極150S以及複數條連接線150C。各連接線150C係與對應之觸控電極150S電性連接。各觸控電極150S係彼此互相電性絕緣設置,用以進行一自電容式(self-capacitance)觸控偵測,但並不以此為限。各觸控電極150S的形狀可為矩形、菱形、三角形或其他適合之幾何形狀。此外,如第5圖所示,觸控電極150S可包括至少一觸控訊號驅動電極150T以及至少一觸控訊號接收電極150R彼此互相分離設置,用以進行一互電容式(mutual capacitance)觸控偵測,但並不以此為限。
如第6圖所示,觸控元件150亦可包括複數條第一軸向電極150X
以及複數條第二軸向電極150Y。第一軸向電極150X係沿一第一方向X延伸設置,第二軸向電極150Y係沿一第二方向Y延伸設置,第一軸向電極150X係與第二軸向電極150Y於垂直投影方向Z上至少部分互相重疊,且第二軸向電極150Y係與第一軸向電極150X彼此電性絕緣。第一方向X較佳係大體上與第二方向Y互相垂直,但並不以此為限。第一軸向電極150X與第二軸向電極150Y可分別為一觸控訊號驅動電極或一觸控訊號接收電極,用以互相搭配進行互電容式觸控偵測,但並不以此為限。絕緣層140可部分設置於第一軸向電極150X與第二軸向電極150Y之間,用以電性隔離第一軸向電極150X與第二軸向電極150Y,但本創作並不以此為限。在本創作的其他實施例中亦可設置其他絕緣材料來電性隔離第一軸向電極150X與第二軸向電極150Y。
如第7圖所示,第一軸向電極150X亦可包括複數個第一子電極
X1以及至少一第一連接線X2設置於兩相鄰之第一子電極X1之間,且第一連接線X2電性連接兩相鄰之第一子電極X1。第二軸向電極150Y可包括複數個第二子電極Y1以及至少一第二連接線Y2設置於兩相鄰之第二子電極Y1之間,且第二連接線Y2電性連接兩相鄰之第二子電極Y1。此外,絕緣層140可部分設置於第一連接線X2與第二連接線Y2之間,用以電性隔離第一
軸向電極150X與第二軸向電極150Y,但並不以此為限。上述之觸控電極150S、連接線150C、第一軸向電極150X、第二軸向電極150Y、第一子電極X1、第一連接線X2、第二子電極Y1以及第二連接線Y2可分別由透明導電材料例如氧化銦錫、氧化銦鋅與氧化鋁鋅、金屬或其他適合之導電材料所形成。上述之金屬可包括金屬材料例如鋁、銅、銀、鉻、鈦、鉬、釹之其中至少一者、上述材料之複合層或上述材料之合金,但並不以此為限,且其型態可以為網格狀,例如金屬網格。上述之導電材料可包括導電粒子、奈米碳管或奈米銀絲,但並不以此為限,且其型態可以為網格狀,例如導電網格。舉例來說,本實施例之第一子電極X1、第二子電極Y1以及第二連接線Y2較佳可由氧化銦錫所形成,而第一連接線X2較佳可由金屬導電材料所形成,但並不以此為限。值得說明的是,如第8圖所示,第一連接線X2可至少部分設置於絕緣層140與第一基板110之間,且第一連接線X2較佳係與上述之走線中的導線以同一金屬材料所形成,但並不以此為限。如第9圖所示,第一連接線X2亦可視需要設置於保護層160與絕緣層140之間,且第一連接線X2可跨過絕緣層140用以電性連接兩相鄰之第一子電極X1。此外,本創作之觸控元件150並不以上述第4圖至第9圖所示之型態為限,而上述第4圖至第9圖所示之各種觸控元件150的型態亦可視需要應用於後述本創作之其他實施例中。
下文將針對本創作之觸控裝置的不同實施例進行說明,且為簡化
說明,以下說明主要針對各實施例不同之處進行詳述,而不再對相同之處作重覆贅述。此外,本創作之各實施例中相同之元件係以相同之標號進行標示,以利於各實施例間互相對照。
如第10圖所示,本創作之第二實施例提供一觸控裝置102。與上
述第一實施例不同的地方在於,本實施例之走線130中的導線131係延伸至第二開口V2。換句話說,第二開口V2係於垂直投影方向Z上與導線131以及接合墊132至少部分互相重疊,且位於第二開口V2中的導電材料181亦
與導線131以及接合墊132互相重疊。由於一般來說以氧化銦錫所形成之接合墊132的韌性較以金屬材料形成之導線131差,故當導電材料181下壓接合墊132力量過大時容易造成接合墊132破裂。然而,藉由本實施例之導線131延伸至接合墊132下方的設計,可確保當接合墊132破裂時導電材料181仍可接觸到導線131而形成電性連接。
如第11圖所示,本創作之第三實施例提供一觸控裝置103。與上
述第一實施例不同的地方在於,本實施例之走線130可僅由導線131構成而不包括上述實施例之接合墊,且導線131係至少部分設置於絕緣層140與基板110之間。在本實施例中,導線131係延伸至第二開口V2,並被第二開口V2部分暴露出。位於第二開口V2中的導電材料181係與被第二開口V2暴露出之導線131接觸而形成電性連接。
如第12圖所示,本創作之第四實施例提供一觸控裝置201。與上
述第三實施例不同的地方在於,在觸控裝置201中,絕緣層140具有第二開口V2,而保護層160具有第一開口V1。
如第13圖與第14圖所示,本創作之第五實施例提供一觸控裝置
202。與上述第四實施例不同的地方在於,本實施例之各走線130較佳可包括導線131以及接合墊132,導線131係與接合墊132於垂直投影方向Z上至少部分互相重疊且相連接。此外,本實施例之第二開口V2係部分延伸至第一開口V1之外,藉此使保護層160部分設置於第二開口V2中,用以部分覆蓋接合墊132而形成保護效果。而使兩相鄰之第二開口V2之間設置有絕緣層140,且兩相鄰之走線130之間設置有絕緣層140。
如第15圖所示,本創作之第六實施例提供一觸控裝置203。與上
述第五實施例不同的地方在於,本實施例之走線130中的導線131係延伸至第二開口V2。第二開口V2係於垂直投影方向Z上與導線131以及接合墊132至少部分互相重疊,且位於第二開口V2中的導電材料181亦與導線131以及接合墊132互相重疊。此設計之效果與上述第二實施例相似,故在此並不
再贅述。
如第16圖所示,本創作之第七實施例提供一觸控裝置301。與上
述第五實施例不同的地方在於,在觸控裝置301中,絕緣層140係至少部分設置於走線130與基板110之間,且絕緣層140係至少部分設置於觸控元件150與基板110之間。此外,走線130中的導線131係設置於絕緣層140上且至少部分覆蓋接合墊132與觸控元件150。此外,本實施例之觸控元件150較佳可包括上述第9圖的結構,藉由以同一金屬材料形成本實施例之導線131與第9圖中的第一連接線X2來達到簡化製程的效果,但並不以此為限。
如第17圖所示,本創作之第八實施例提供一觸控裝置302。與上
述第七實施例不同的地方在於,本實施例之走線130中的導線131係延伸至第二開口V2。第二開口V2係於垂直投影方向Z上與導線131以及接合墊132至少部分互相重疊,且位於第二開口V2中的導電材料181亦與導線131以及接合墊132互相重疊。絕緣層140之第二開口V2可部分暴露出導線131。
如第18圖所示,本創作之第九實施例提供一觸控裝置303。與上
述第七實施例不同的地方在於,本實施例之第一開口V1係位於絕緣層140,且第二開口V2係位於保護層160。此外,由於本實施例之第二開口V2係位於保護層160,故走線130於第二開口V2之邊緣之區域可被保護層160覆蓋而達到保護效果。
如第19圖所示,本創作之第十實施例提供一觸控裝置304。與上
述第九實施例不同的地方在於,本實施例之走線130可僅由導線131構成而不包括上述實施例之接合墊,且導線131係設置於絕緣層140與緩衝層122上。在本實施例中,導線131係延伸至第二開口V2,並被第二開口V2部分暴露出。位於第二開口V2中的導電材料181係與被第二開口V2暴露出之導線131接觸而形成電性連接。
如第20圖所示,本創作之第十一實施例提供一觸控裝置400。與上述第一實施例不同的地方在於,本實施例之絕緣層140並不具有上述之第
三開口,而觸控元件150係延伸至周圍區R2並直接部分覆蓋且接觸走線130靠近透光區R1的一端用以形成電性連接。值得說明的是,上述之使觸控元件150不透過絕緣層140之開口而直接接觸走線130之設計亦可視需要應用於本創作其他實施例之結構中。
如第21圖所示,本創作之第十二實施例提供一觸控裝置500。與
上述第一實施例不同的地方在於,觸控裝置500更包括一覆蓋板510以及一黏合層520。覆蓋板510係與基板110相對設置。此外,本實施例之裝飾層121較佳係設置於覆蓋板510上,而黏合層520係設置於覆蓋板510與基板110之間,用以黏合設置有裝飾層121之覆蓋板510以及設置有觸控元件150之基板110。黏合層520可包括固態光學膠(optical clear adhesive,OCA)、感壓膠(pressure sensitive adhesive,PSA)或其他適合之黏合材料。值得說明的是,覆蓋板510與形成有觸控元件150之基板110進行搭配之設計亦可視需要應用於本創作其他實施例之結構中。
綜上所述,本創作之觸控裝置係利用於接合區之絕緣層與保護層
中分別設置第一開口或第二開口,藉由彼此至少部分覆蓋且大小不同的第一開口與第二開口互相搭配用以於接合區分別暴露出各走線,並可同時保護接合區之走線且降低接合區之絕緣層與保護層的整體厚度,進而達到提升產品信賴性與改善外部元件接合效果之目的。
101‧‧‧觸控裝置
110‧‧‧基板
121‧‧‧裝飾層
122‧‧‧緩衝層
130‧‧‧走線
131‧‧‧導線
132‧‧‧接合墊
140‧‧‧絕緣層
150‧‧‧觸控元件
160‧‧‧保護層
170‧‧‧遮蔽層
181‧‧‧導電材料
182‧‧‧外部元件
R1‧‧‧透光區
R2‧‧‧周圍區
R3‧‧‧接合區
V1‧‧‧第一開口
V2‧‧‧第二開口
V3‧‧‧第三開口
Z‧‧‧垂直投影方向
Claims (21)
- 一種觸控裝置,具有一透光區以及一周圍區,該周圍區係位於該透光區之至少一側,該觸控裝置包括:一基板;一觸控元件,設置於該基板上並至少部分位於該透光區;複數條走線,設置於該基板上並至少部分位於該周圍區,其中該周圍區包括至少一接合區,該等走線係至少部分延伸至該接合區,且至少部分之該等走線係與該觸控元件電性連接;一絕緣層,設置於該基板上,其中該絕緣層與位於該周圍區之該等走線於垂直該基板之一垂直投影方向上至少部分重疊;以及一保護層,設置於該基板上並至少部分覆蓋該觸控元件、該絕緣層以及位於該周圍區之該等走線,其中該絕緣層與該保護層其中一者於該接合區具有至少一第一開口,且該絕緣層與該保護層兩者中不具有該第一開口者於該接合區具有複數個第二開口,其中各該第二開口係對應一條該走線,各該第二開口至少部分暴露出對應之該走線,且該第一開口係至少與兩個該等第二開口重疊,用以使位於該接合區之各該走線至少部分由對應之該第二開口以及該第一開口所暴露出。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中該絕緣層或該保護層係至少部分設置於兩相鄰之該等第二開口之間。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中該第一開口係位於該絕緣層,且該等第二開口係位於該保護層。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中該第一開口係位於該保護層,且該等第二開口係位於該絕緣層。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中該等第二開口係完全位於該第一開口之內。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中各該走線係至少部分設置於該絕緣層與該基板之間。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中該絕緣層係至少部分設置於該走線與該基板之間。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中各該走線包括一導線以及一接合墊,該導線係與該接合墊於該垂直投影方向上至少部分互相重疊且相連接,且各該第二開口係於該接合區至少部分暴露出對應之該導線或該接合墊。
- 如請求項8所述之觸控裝置,其中各該導線係至少部分設置於該絕緣層與該基板之間。
- 如請求項8所述之觸控裝置,其中該絕緣層係至少部分設置於各該導線與該基板之間。
- 如請求項1所述之觸控裝置,更包括一外部元件以及一導電材料,其中該導電材料係至少部分設置於各該第二開口中並與被該等第二開口暴露出之該等走線電性連接,且該外部元件係透過該導電材料與該等走線電性連接。
- 如請求項1所述之觸控裝置,更包括一裝飾層,設置於該基板上並至少部分位於該周圍區,其中該裝飾層係至少部分設置於該絕緣層與該基板之 間。
- 如請求項12所述之觸控裝置,更包括一緩衝層,設置於該基板上並位於該周圍區,其中該裝飾層係至少部分設置於該緩衝層與該基板之間。
- 如請求項1所述之觸控裝置,更包括一遮蔽層,設置於該基板上並位於該周圍區,其中該遮蔽層係至少部分覆蓋該絕緣層或該保護層。
- 如請求項1所述之觸控裝置,更包括一保護導電層,設置於該絕緣層上。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中該絕緣層於該周圍區更具有至少一第三開口,該第三開口係至少部分暴露出該等走線,且該觸控元件係通過該第三開口與至少部分之該等走線電性連接。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中該觸控元件包括複數個觸控電極彼此互相電性絕緣設置。
- 如請求項17所述之觸控裝置,其中該等觸控電極包括至少一觸控訊號驅動電極以及至少一觸控訊號接收電極。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中該觸控元件包括:至少一條第一軸向電極,沿一第一方向延伸設置;以及至少一條第二軸向電極,沿一第二方向延伸設置,其中該第二軸向電極係與該第一軸向電極電性絕緣。
- 如請求項19所述之觸控裝置,其中該第一軸向電極包括複數個第一子電極以及至少一第一連接線設置於兩相鄰之該等第一子電極之間,該第一連 接線電性連接兩相鄰之該等第一子電極,該第二軸向電極包括複數個第二子電極以及至少一第二連接線設置於兩相鄰之該等第二子電極之間,該第二連接線電性連接兩相鄰之該等第二子電極。
- 如請求項1所述之觸控裝置,其中該基板包括一玻璃基板、一塑膠基板、一玻璃膜片、一塑膠膜片、一覆蓋板或一顯示器的基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103201341U TWM481448U (zh) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | 觸控裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103201341U TWM481448U (zh) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | 觸控裝置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM481448U true TWM481448U (zh) | 2014-07-01 |
Family
ID=51723594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103201341U TWM481448U (zh) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | 觸控裝置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM481448U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160018927A1 (en) * | 2014-07-21 | 2016-01-21 | Mstar Semiconductor, Inc. | Self-capacitive touch device and calculation method thereof |
| TWI557614B (zh) * | 2014-12-08 | 2016-11-11 | 緯創資通股份有限公司 | 觸控模組及其製造方法 |
-
2014
- 2014-01-22 TW TW103201341U patent/TWM481448U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160018927A1 (en) * | 2014-07-21 | 2016-01-21 | Mstar Semiconductor, Inc. | Self-capacitive touch device and calculation method thereof |
| CN105302392A (zh) * | 2014-07-21 | 2016-02-03 | 晨星半导体股份有限公司 | 自容式触控装置及其运算方法 |
| US10372273B2 (en) * | 2014-07-21 | 2019-08-06 | Ili Technology Corp. | Self-capacitive touch device and calculation method thereof |
| TWI557614B (zh) * | 2014-12-08 | 2016-11-11 | 緯創資通股份有限公司 | 觸控模組及其製造方法 |
| CN105739732B (zh) * | 2014-12-08 | 2018-08-14 | 纬创资通股份有限公司 | 触控模块及触控模块的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103576949B (zh) | 触控面板及其制造方法 | |
| TWI404994B (zh) | 觸控面板 | |
| TWI477851B (zh) | 觸控顯示面板與觸控液晶顯示面板 | |
| US9239656B2 (en) | Touch display device and method of manufacturing the same | |
| TW201530400A (zh) | 觸控裝置 | |
| CN203386163U (zh) | 触控显示装置 | |
| US20130222314A1 (en) | Touch-sensitive device and touch-sensitive display device | |
| US20110298750A1 (en) | Touch-sensitive device and fabrication method thereof and touch-sensitive display device | |
| US20110291987A1 (en) | Touch-sensitive device | |
| TW201510805A (zh) | 觸控裝置 | |
| TWI452612B (zh) | 觸控面板及觸控顯示面板 | |
| TW201413512A (zh) | 觸控顯示裝置以及觸控面板 | |
| CN103970343B (zh) | 触控板及触控显示设备 | |
| TW201510811A (zh) | 觸控面板及其製作方法 | |
| CN106339132A (zh) | 触控面板 | |
| CN104699290A (zh) | 触控面板 | |
| TWM472241U (zh) | 觸控面板及觸控顯示裝置 | |
| US9681545B2 (en) | Substrate structure and display panel using same | |
| TWM484741U (zh) | 觸控裝置 | |
| TWI531945B (zh) | 觸控顯示裝置及觸控裝置 | |
| TW201545609A (zh) | 觸控顯示面板及觸控顯示裝置 | |
| TWM481448U (zh) | 觸控裝置 | |
| CN104635964B (zh) | 触控面板 | |
| TW201504872A (zh) | 觸控面板及觸控顯示裝置 | |
| KR20150117081A (ko) | 터치 패널 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4K | Annulment or lapse of a utility model due to non-payment of fees |