TWI912621B - 準分子燈 - Google Patents

Abstract

[課題] 在以介電質覆蓋箔電極的準分子燈中抑制放電的偏差。 [解決手段] 在由介電質50覆蓋箔電極30且在介電質50和放電管20之間形成放電空間S的準分子燈10中，箔電極30被介電質50覆蓋，且相對於剖面為長橢圓形或長圓形的介電質而同軸地配置。介電質50相對於放電管20同軸地配置。

Description

準分子燈

本發明是有關於準分子燈，特別是有關於配置在放電容器內的箔電極以及覆蓋箔電極的介電質的結構。

準分子燈中，透過在一對電極之間施加數kV的高頻電壓，使放電空間中發生準分子放電。舉例而言，在雙管型的準分子燈中，透過在軸方向延伸的2個同軸圓筒管來構成雙管型，對在內側管和外側管之間形成的放電空間，封入放電氣體。而且，透過在設置於介電質的內側管內或管壁上的電極(內側電極)、與外側管的外側表面上的電極(外側電極)之間施加高頻電壓，使其放電發光。

當向準分子燈供給大電力時，覆蓋電極的介電質和電極之間，由於熱膨脹差之故，電極容易從介電質剝離。因此，將被介電質覆蓋的箔電極的兩端部，形成刃緣狀(參照專利文獻1)。在電極緣部分中發生電解集中，由於電解強度變強，所以能夠透過施加較低的電壓進而點亮啟動。

[先行技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特許第5504095號公報

透過在箔電極的兩端部附近形成刃緣形狀，燈點亮時，在箔電極的寬度方向緣附近中電解強度變得過強，在放電空間內對於放電的燈的圓周方向會出現偏差。尤其，在和覆蓋箔電極的介電質的密封不充分的情形下，恐會導致出現剝離。

因此，在介電質覆蓋箔電極的準分子燈中，有需要抑制放電偏差。

本發明是有關於覆蓋箔電極的介電質的形狀。本發明一實施例的準分子燈，包括：箔電極，沿燈軸方向帶狀地延伸；介電質，覆蓋箔電極；以及，管狀的放電容器，在介電質之間形成放電空間。而且，介電質，由沿箔電極的寬度方向厚度大致上恒定的四角柱狀部、與在四角柱狀部的兩端一體地成型的半圓柱狀部所構成。

在此，「四角狀柱部」為沿燈徑方向的剖面近似例如正方形或長方形等的四邊形的形狀、且沿燈軸方向為相同剖面形狀的柱狀體，且此四角柱狀部從厚度方向兩側覆蓋箔電極。此外，「半圓柱狀部」為沿燈徑方向的剖面近似半橢圓形等的半圓形、且沿燈軸方向為相同剖面形狀的半圓柱狀體，且此半圓柱狀部從箔電極的寬度方向兩側覆蓋。

從介電質的管軸方向所見的外觀形狀為長橢圓形或長圓形。例如，箔電極相對於介電質同軸地設置，介電質相對於放電容器同軸地配置。

在此，「長橢圓形」、「長圓形」表示外觀形狀的剖面為橢圓形。在此的「橢圓形」用語，包括兩端為反圓形且其間插入有大致上互相平行的直線部分的長橢圓形或長圓形。在此，「長橢圓形」定義為具有大致上互相平行的直線部分並且從兩端變成半橢圓形的剖面形狀。

介電質可因應箔電極的形狀而決定其剖面。例如，介電質的剖面 可配置成為長橢圓形或長圓形。關於介電質剖面的輪廓，可由平行箔電極的寬度方向的一對直線狀輪廓、以及與直線狀輪廓的兩端分別連接的半橢圓形或半圓形的輪廓所構成。

於介電質中，四角柱狀部與半圓柱狀部的邊界，配置為比箔電極的寬度方向兩端更靠近電極寬度中央側。

例如，當沿箔電極的厚度方向從箔電極直到介電質的外表面為止的距離設定為T2，沿箔電極的厚度方向的介電質的寬度設定為W2，而且，沿箔電極的寬度方向的介電質的寬度設定為W1，沿前述箔電極的寬度方向從箔電極的端直到介電質的外表面為止的距離設定為T1時，則滿足以下式子：W2<W1

T2>T1。

放電容器的形狀有多種，例如，內徑大於介電質沿箔電極厚度方向的寬度、且小於介電質沿箔電極寬度方向的寬度之突起狀部分，可以同軸地形成在放電容器的一軸方向端部處。且，介電質的一軸方向端部，為了不阻塞突起狀部份的內部空間，可配置為部份的接觸突起狀部份的內表面。

依據本發明，可以在以介電質覆蓋箔電極的準分子燈中抑制放電的偏差。

10:準分子燈

20:放電管(放電容器)

22S:排氣管的內面

30:箔電極

32:平坦部

32A,32B:平坦部的寬度方向端

34A,34B:楔形部

40:外側電極

50:介電質

50T:前端部

50S,50S1,50S2:介電質外表面

54:曲面部

BL:電極對向區間

E1,E2:寬度方向兩端

M0,M1:寬度方向區間

C:管軸(燈軸)

圖1為本實施例的準分子燈的示意剖面圖。

圖2為圖1的準分子燈沿II-II的剖面圖。

圖3為圖2的箔電極的放大圖。

圖4為圖2的介電質的放大圖。

以下參照圖式說明本實施例的準分子燈。

圖1為本實施例的準分子燈的示意剖面圖。圖2為圖1的準分子燈沿II-II的剖面圖。

準分子燈10具有由石英玻璃等的介電材料構成的管狀的放電管(放電容器)20，在此，係配置為沿管徑(燈徑)方向的剖面為圓形的放電管。在放電管20內，封入氙氣等的稀有氣體、或它們的混合氣體，作為放電氣體。

於放電管20內部，配置有沿管軸(燈軸)C帶狀延伸的箔電極30。箔電極30被柱狀的介電質50覆蓋，沒有在放電空間S內露出，且被埋設於介電質50內。

箔電極30，以其寬度方向和厚度方向的中心位置與介電質50的中心位置相匹配的狀態，同軸地設置。此外，介電質50為相對於放電管20同軸地配置。因此，箔電極30相對於放電管20設置在同軸位置，且相對於管軸C對稱地設置。圖2中，將箔電極30的寬度方向設定為Y方向，將垂直於Y方向的方向(厚度方向)設定為X方向。

設置在放電管20的外面的外側電極40，在此為將導電金屬構成的線狀電極部沿放電管20的外表面捲繞而設置的結構，配置為沿管軸C捲繞且分開既定間隔。供電線70連接沿著箔電極30的管軸C的端部，此外，連接設置在外部的電源部(未圖示)。在此，將外側電極40與箔電極30沿管徑(燈徑)對向、且沿管軸(燈軸)C方向的區間(電極對向區間)以符號BL標示，作為在放電管20內發生放電的軸方向長度(發光長)。

箔電極30、外側電極40，在此的極性設定為陽極、陰極。而且， 高頻(例如，數kHz~數十MHz範圍)、高電壓(例如，數kV~十多kV範圍)，透過供電線70提供給放電燈10。藉此，在覆蓋箔電極30的介電質50與外側電極40之間產生介電質阻擋放電，且從主放電空間S，放射既定光譜(例如波長172nm)的準分子光。

本實施例的準分子燈10配置作為小型準分子燈。舉例而言，放電管20內發生放電的軸方向長度(發光長度)，可以設定為20mm~400mm範圍。此外，外側管20的外徑，可以設定為5mm~30mm範圍，較佳的是8mm~25mm範圍。

考慮到防止準分子光引起的劣化、以及抑制放電開始電壓的上升，放電管20的管壁厚度可以設定為，例如0.8mm~1.5mm範圍。此外，考慮到長放電距離引起的放電不穩定、以及抑制短放電距離引起的照度不足，放電管20的內徑可以設定為，例如4mm~28mm範圍，較佳的是6mm~23mm。

放電距離，亦即介電質50與放電管20的內徑的距離間隔，考慮到防止放電空間狹窄引起的照度不足、以及放電距離擴大引起的放電不穩定，可以設為2mm~12mm範圍，較佳為3mm~10mm範圍。

相對於寬度，箔電極30被設置為厚度受到限制的極薄的帶狀電極。在此，箔電極30的厚度相對於寬度設定為1/30以下，較佳為1/50以下，更佳為1/100以下。此外，圖2中，箔電極30的厚度為誇示地繪製。

舉例而言，考慮電流容量或製造容易度、及防止與介電質50的剝離，可以設定箔電極30的厚度為20μm~50μm範圍。另一方面，箔電極30的寬度，透過考慮電流容量或製造容易度、防止電極肥大化引起的放電光遮蔽等，可以設定箔電極的厚度為1.2mm~10mm範圍。

箔電極30的電極材料，可由導電性高的金屬或合金所形成。此外，可以由易於電解研磨的材料所構成。在此，可使用鉬或包含鉬的合金等。

在此，介電質50由介電材料(SiO₂等)構成。介電質50的厚度，考 慮到保持絕緣的限制、防止放電開始電壓的上升等，可以設定為例如0.1mm~2mm範圍。

在放電管20的一端部，形成有突起狀部分(以下稱為排氣管)22。排氣管22是在製造燈的過程中被形成的部分，在此，加熱身為材料的玻璃管的前端而變形縮徑，透過熔接比玻璃管小型的晶片管，以一體地成型為排氣管22。

圖3為圖2的箔電極30的放大圖。

如上所述，箔電極30為厚度相對於箔電極的寬度w非常薄而形成的電極，厚度t相對於箔電極寬度w被限制為1/30以下。箔電極30具有厚度為恒定(=t)的平坦部32，而且從平坦部32的寬度方向兩端32A、32B直到箔電極30的寬度方向兩端E1、E2，具有尖端變薄的楔形部34A、34B。

箔電極30的楔形部34A、34B，在此為邊緣尖銳的楔形。換言之，箔電極30並不是從寬度方向的中心開始到邊緣被尖銳化，而是從平坦部32的寬度方向兩端32A、32B到寬度方向兩端E1、E2是尖銳的。此外，寬度方向兩瑞E1、E2並非捲曲也不厚，箔電極30的寬度方向兩端E1、E2是尖銳的，而且分別朝向平坦部32的寬度方向兩端32A、32B的厚度以既定傾斜角度而變大。

舉例而言，箔電極30的寬度方向兩端E1、E2的角度θ1、θ2(邊緣E的角度θ)，考慮其與塗佈的介電質的邊界部分的間隙引起的剝離等的發生難度、因應於電流容量的平坦部的截面積的大小、以及發生焦耳熱所引起的溫度上升等，可以設定為2度以上15度以下的範圍，較佳為10度以下的範圍。此外，平坦部32的剖面的斜角角度可設定為小於2度的範圍。放大觀測從箔電極30的邊緣E約100μm的範圍附近的剖面，這個角度θ可以設定為從箔電極30的邊緣朝向平坦部32，厚度變大的角度。因此，於箔電極30，刃狀的邊緣E，沿管軸C方向在整個電極形成。

平坦部32以其寬度方向中心(中央部)和管軸C一致的方式而形 成，楔形部34A、34B相對平坦部32為對稱的形狀。此外，楔形部34A、34B的寬度方向長度d1相對於箔電極30的電極寬度w，即d1/w可以設定0.2以下。在此，從平坦部32的寬度方向兩端到寬度方向兩端32A、32B的剖面的傾斜角度θ形成為恆定。

此外，平坦部32形成為佔有箔電極30的最大厚度T的70%以上的厚度。例如，平坦部32的寬度方向上的兩端32A、32B之間的長度d相對於箔電極30的電極寬度w，即d/W被設定為0.6以上。

透過這樣的電極形狀，能夠提高箔電極30與介電質50的密合性以抑制剝離，並且能夠提供點亮啟動性優異的小型準分子燈10。

首先，由於延箔電極30的管軸C延伸的邊緣E尖銳，而發生電場集中。因此，能夠抑制放電開始電壓的同時進行放電發光。此外，由於楔形部34A、34B是邊緣尖銳的楔形，箔電極30的邊緣E附近的剖面在軸方向上成為線形，可以將放電開始電壓抑制為較低，並且在與塗佈的電介質50的邊界處難以出現間隙，從而難以出現剝離等。

此外，箔電極30為相對於介電質50及放電管20同軸地配置，放電距離亦即箔電極30的兩個邊緣E與到放電管20內面的距離為相等。因此，從放電管20整體平衡良好地放射出光。

另一方面，相對於箔電極30，透過形成平坦部32，可以提高箔電極30和介電質50的密合性以抑制剝離。換言之，透過設定厚度t恒定的平坦部32，相對於極薄厚度t的箔電極30，能夠確保較大的截面積。尤其，平坦部32佔有箔電極30的60%以上，所以在燈點亮中，透過電流流過截面積較大的平坦部32，可以抑制箔電極30中發生焦耳熱。

因此，可以抑制箔電極30在厚度方向(X方向)、寬度方向(Y方向)熱膨脹。亦即，由確保大截面積，故箔電極30不需要在寬度方向上特別長，能 夠防止沿寬度方向的熱膨脹變大。此外，由於箔電極30不需要在寬度方向上特別長，所以能夠防止沿厚度方向的熱膨脹變大。

此外，從平坦部32的寬度方向兩端32A、32B分別朝向寬度方向兩端E1、E2形成的楔形部34A、34B為邊緣尖銳的楔形，所以能夠在使電解強度集中於箔電極30的邊緣E的同時，抑制介電質50與箔電極30之間的剝離發生。

此外，透過形成傾斜角度恒定的楔形部34A、34B，藉由電解研磨等來研磨楔形部34A、34B表面變得容易。因此，可以抑制和介電質50的邊界部分的剝離發生。

此外，對於箔電極30的形狀，箔電極可以設定為刃緣形狀，其具有沿電極寬度方向從中央部平滑地向電極兩端傾斜的剖面，並且箔電極沒有設置平坦部。

圖4為圖2所示介電質50的放大圖。

本實施例的介電質50，與圖3所示的箔電極30的配置及形狀相匹配，具有減少從箔電極30的任意表面到介電質50的外表面50S止的距離(到箔電極的厚度)之差異的剖面形狀。

具體而言，介電質50的剖面設定為長橢圓或長圓形。換言之，介電質50的剖面成為橢圓形。介電質50，沿管軸(燈軸)C覆蓋箔電極30的範圍，為大致上相同的剖面形狀。

在此，如圖4所示，於介電質50的剖面中，從箔電極30的寬度方向兩端E1、E2(平坦部32的寬度方向端32A、32B)附近，在外側亦即介電質50外表面50S2側，其兩側的輪廓成為對稱於電極寬度方向的一對的半橢圓形。另一方面，與箔電極30的平坦部32(中央部)面對面的剖面輪廓，成為對稱於電極厚度方向的一對的直線狀的輪廓，使得從箔電極30到沿介電質厚度方向(X方向)的介電質外表面止的距離大致相等。此直線狀的輪廓的兩端，分別連接半橢圓形的 輪廓的兩端，以形成連續地連繫的長橢圓的輪廓。將介電質50的剖面設定為長圓形時的輪廓也為相同。

在此，將區間M0部分設定為中央部52，區間部分M0形成有與箔電極30的平坦部32大致平行的四角柱狀部的外表面50S1。此外，將區間M1部分設定為曲面部54，區間M1部分形成有從中央部52的兩端朝向電極寬度方向(Y方向)的外側之凸狀的半圓柱狀部的外表面50S2。

此四角柱狀部，其沿著燈徑方向的剖面為近似正方形或長方形等的四邊形，且沿燈軸方向為同樣剖面形狀的柱狀體。此四角柱狀部為一對，從電極厚度方向的兩側覆蓋箔電極的寬度方向的中央部附近，使得厚度T2成為恒定。

此外，半圓柱狀部，其沿燈徑方向的剖面近似半橢圓形等的半圓形，且沿燈軸方向為同樣的剖面形狀的半圓柱狀體。此半圓柱狀部為一對，從電極寬度方向的兩側覆蓋箔電極的寬度方向的邊緣附近，使得以電極寬度方向的厚度T1、電極厚度方向的厚度T2包圍邊緣附近。

在一對的四角柱狀部的電極寬度方向的兩端，分別一體地成形一對的半圓柱狀部，此四角柱狀部與半圓柱狀部的邊界的位置，位於比箔電極的寬度方向的兩端更靠近電極寬度的中央側。

中央部52的剖面輪廓為，和設定為長圓形或長橢圓形時的直線部分相當的輪廓。曲面部54的剖面輪廓，當設定為半橢圓形時為朝向中央部52曲率逐漸變大的輪廓，當設定為半圓形時為朝向中央部52曲率恒定的輪廓。

介電質50的中央部52和曲面部54的邊界，沿箔電極30的寬度方向(Y方向)，箔極30的兩端E1、E2優選為，設置在比平坦部32的寬度方向端32A、32B更靠近箔電極30的寬度方向中央(管軸C)側。亦即，沿箔電極的寬度方向(Y方向)的區間M0的長度設定為比w小，優選地設為比d小。此外，區間M1的長度 形成為比T1大。

相較於剖面配置為圓形的介電質的情形，介電質50的剖面輪廓，能夠盡可能地靠近箔電極30的剖面輪廓。因此，箔電極30的寬度方向端E1、E2附近到介電質外表面50S止的距離、與到平坦部32到介電質外表面50S止的距離，沒有顯著差異。

舉例而言，可以設定介電質50的剖面形狀；沿介電質50的厚度方向亦即箔電極的厚度方向(X方向)，將箔電極30和介電質50的中央部52的介電質外表面50S1的距離設定為T2，將沿箔電極的厚度方向(X方向)的介電質50的寬度設定為W2，此外，將沿介電質50的寬度方向亦即箔電極的寬度方向(Y方向)的介電質50的寬度設定為W1，將從箔電極30的兩端E1、E2直到沿箔電極寬度方向(Y方向)的介電質外表面50S2止的距離設定為T1，以滿足以下的式子。

W2<W1．．．．(1)

T2>T1．．．．(2)

此外，介電質50的剖面形狀可以是長橢圓形以外的形狀，可考慮箔電極30的形狀等而決定。舉例而言，如上所述，當箔電極30為具有沿電極寬度方向從中央部平滑地向電極兩端傾斜剖面的刃緣狀時，箔電極30可具有橢圓形剖面。此外，當箔電極30在兩端附近是圓形的或者具有陡峭角度的邊緣形狀時，則箔電極30的剖面可以是長圓形。

具有這種介電質50的準分子燈10，例如可使用如下說明的製造方法來製作。

首先，透過阻抗熔接(阻焊)等將供電線連接至箔電極，然後將其插入成為介電質塗層材料的玻璃管中。插入箔電極後將玻璃管內抽真空，之後，從外側加熱介電質塗層材料，使其與箔電極熔接。此時，進行加熱調整，以成為如上所述的介電質50的剖面形狀。

舉例而言，透過在旋轉玻璃管的同時以燃燒器等進行加熱，使玻璃管的內表面在圓周方向上均勻地收縮(縮徑)直到與箔電極的兩端(楔形部)接觸為止，透過使在箔電極的兩端(楔形部)接觸的部分之間的玻璃管，沿箔電極的厚度方向收縮而與平坦部一體化，可以形成具有長橢圓形剖面或長圓形剖面的介電質。此外，可以替代地執行塗佈介電質或切割玻璃管的步驟。

沿管軸方向與電極邊緣部相對應的玻璃管的位置上，形成凸緣狀的所謂的算盤珠狀密封部。而且，形成石英玻璃等的放電管，在其一端設置排氣管，在另一端設置插入口，將熔接箔電極的介電質插入放電管內，使放電管的插入口與算盤珠狀密封部熔接。

加熱整個放電管的同時也透過排氣管抽成真空，以去除雜質。而且，在封入放氣體之後將排氣管密封，且在放電管的外面設置外側電極。

如此，依據本實施例，透過介電質50覆蓋箔電極30，在介電質50與放電管20之間形成有放電空間S的準分子燈10中，箔電極30為相對於剖面為長橢圓形或剖面為長圓形的介電質50同軸地配置而且被覆蓋。介電質50為相對於放電管20同軸地配置。

在箔電極30的兩端E1、E2附近電解強度不會變得過大，準分子放電沿曲面部54的介電質外表面50S2擴展，能夠防止沿燈圓周方向的放電發生偏差。另一方面，箔電極30的兩E1、E2為尖銳狀(楔形)，由於電解集中，即使施加相對較低的電壓也可以容易地啟動點亮。

此外，箔電極30的寬度方向兩端E1、E2，優選為平坦部32A、32B，設置在比介電質50的中央部52更靠近介電質外表面50S2；箔電極30，優選為平坦部32，比介電質50的中央部52更進一步沿箔電極的寬度方向(Y方向)延伸。因此，可以維持良好的點亮啟動性。此外，曲面部54的剖面輪廓為曲率漸近增加的半圓形，所以在中央部52和曲面部54的邊界附近，可以抑制介電質50 的收縮等引起的裂紋發生。

此外，介電質50的剖面，只要其輪廓沿電極寬度方向即可，不需要嚴格地為直線狀，亦可以稍微地彎曲。例如，當箔電極30為從電極寬度方向中心平滑地構成刃緣形狀時，可以形成具有與其匹配的剖面輪廓的中央部。此外，於曲面部中，其剖面輪廓可以形成為半圓形。

接著，參照圖1，對進入形成在放電管的一端部的排氣管(突起狀部分)的介電質前端部加以說明。

準分子燈10具有管狀的放電管20，放電管20的端部形成有剖面為中空圓狀的排氣管22。而且，介電質50的前端部50T，沿管軸C方向延伸超出電極對向區間BL，直到排氣管22。介電質50的前端部50T成為縮徑形狀，使得其剖面形狀維持為如圖4所示的長橢圓形或長圓形。

排氣管22的內徑大小設定為可維持介電質50部分地進入排氣管22。具體而言，排氣管22的內徑，比介電質50的電極寬度方向長度W1小，且比介電質50的電極厚度方向長度W2大。因此，介電質50的前端部50T與排氣管22的內面22S在沿電極寬度方向(Y方向)的部分(曲面部54的介電質外表面50S2)接觸，透過放電管20而被同軸地保持，可以確保足夠的爬電距離，從而防止在以外側電極40的管軸C方向的前端為起點的前端部50T附近的爬電放電。

另一方面，介電質50在其前端部50T具有如圖4所示的長橢圓形剖面或長圓形剖面，介電質50的前端部50T不接觸地完全堵塞排氣管22的內部空間，在排氣管22的內面22S與沿電極厚度方向(X方向)的部分(中央部52的介電質外表面50S1)之間產生空隙。由此，作用為排氣管，以透過排氣管22進行真空押取或封入放電氣體。

20:放電管(放電容器)

22S:排氣管的內面

30:箔電極

32:平坦部

34A,34B:楔形部

40:外側電極

50:介電質

50S1,50S2:介電質外表面

C:管軸(燈軸)

Claims (7)

1. 一種準分子燈，包括： 箔電極，沿燈軸方向帶狀地延伸； 介電質，覆蓋前述箔電極；以及 管狀的放電容器，在前述介電質之間形成放電空間； 前述介電質，由沿前述箔電極的寬度方向厚度大致上恒定的四角柱狀部、與在前述四角柱狀部的兩端一體地成型的半圓柱狀部所構成； 其中，於前述介電質中，前述四角柱狀部與前述半圓柱狀部的邊界，比前述箔電極的寬度方向兩端更靠近電極寬度中央側。
2. 如請求項1的準分子燈，其中 從前述介電質的管軸方向所見的外觀形狀為長橢圓形或長圓形。
3. 如請求項2的準分子燈，其中 前述介電質的剖面為長橢圓形或長圓形。
4. 如請求項3的準分子燈，其中 前述介電質的剖面的輪廓，包含平行前述箔電極的寬度方向的一對的直線形輪廓、與分別連接前述直線形輪廓的兩端的半橢圓形輪廓或半圓形輪廓。
5. 一種準分子燈，包括： 箔電極，沿燈軸方向帶狀地延伸； 介電質，覆蓋前述箔電極；以及 管狀的放電容器，在前述介電質之間形成放電空間； 前述介電質，由沿前述箔電極的寬度方向厚度大致上恒定的四角柱狀部、與在前述四角柱狀部的兩端一體地成型的半圓柱狀部所構成； 其中，當沿前述箔電極的厚度方向從前述箔電極直到前述介電質的外表面為止的距離設定為T2，沿前述箔電極的厚度方向的前述介電質的寬度設定為W2，而且，沿前述箔電極的寬度方向的前述介電質的寬度設定為W1，沿前述箔電極的寬度方向從前述箔電極的端直到前述介電質的外表面為止的距離設定為T1時，則滿足以下式子： Ｗ２＜Ｗ１　　　　　　　　　　　　　．．．．（１） Ｔ２＞Ｔ１　　　　　　　　　　　　　．．．．（２）。
6. 一種準分子燈，包括： 箔電極，沿燈軸方向帶狀地延伸； 介電質，覆蓋前述箔電極；以及 管狀的放電容器，在前述介電質之間形成放電空間； 前述介電質，由沿前述箔電極的寬度方向厚度大致上恒定的四角柱狀部、與在前述四角柱狀部的兩端一體地成型的半圓柱狀部所構成； 其中，前述放電容器的一軸方向端部上同軸地形成突起狀部分，前述突起狀部分的內徑大於前述介電質沿前述箔電極的厚度方向的寬度，且小於前述介電質沿前述箔電極的寬度方向的寬度； 前述介電質的一軸方向端部，以不阻塞前述突起狀部分的內部空間之方式，部分地接觸前述突起狀部分的內面。
7. 如請求項1至6其中任一項的準分子燈，其中 前述箔電極相對於前述介電質同軸地配置； 前述介電質相對於前述放電容器同軸地配置。