TWI910469B - 半導體成型用脫模膜及半導體封裝的製造方法 - Google Patents

Abstract

一種半導體成型用脫模膜，依次具有脫模層與導電層及基材層，所述脫模層包含導電粒子，或者自所述導電層至所述脫模層的表面為止存在經由所述導電粒子的導通路徑。

Description

半導體成型用脫模膜及半導體封裝的製造方法

本揭示是有關於一種半導體成型用脫模膜及半導體封裝的製造方法。

半導體晶片通常利用樹脂進行密封以遮蔽外部空氣及進行保護，並以稱為封裝的成型品的形式安裝於基板上。以往，成型品以經由作為密封樹脂的流路的流道(runner)而連結的每一個晶片的封裝的形式而成型。成型品自模具脫模的脫模性藉由模具的結構、對密封樹脂添加脫模劑等來確保。

近年來，因封裝的小型化、多針化等要求，球柵陣列(Ball Gird Array，BGA)方式、四方扁平無引腳(Quad Flat Non-leaded，QFN)方式、晶圓級晶片尺寸封裝(Wafer Level-Chip Size Package，WL-CSP)方式等的封裝增加。在QFN方式中，為了確保間隙(standoff)以及防止在端子部產生密封材毛邊，另一方面，在BGA方式以及WL-CSP方式中，為了提高封裝自模具的脫模性，使用脫模膜(例如，參照專利文獻1)。將如此使用脫模膜的成型方法 稱為「膜輔助成型」。作為脫模膜，一般而言使用樹脂製的膜。

最近，因封裝的薄型化、散熱性提高等要求，對半導體晶片進行倒裝晶片接合，使晶片的背面露出的封裝正在增加。該成型方法被稱為模製底部填充(mold underfill，MUF)。在MUF中，出於半導體晶片的保護與屏蔽的目的，在脫模膜與半導體晶片接觸的狀態下進行密封。

在膜輔助成型中，將脫模膜自輥卷出而使用時，剝離脫模膜時會產生靜電，因此存在於封裝的製造環境下的粉塵等異物有時會附著於脫模膜。附著有異物的脫模膜成為異物附著於封裝及產生毛刺的原因。

另外，在MUF中，在脫模膜與半導體晶片接觸的狀態下進行密封時，若脫模膜容易帶電，則半導體晶片有因自半導體晶片剝離脫模膜時的帶電及放電而被破壞之虞。

作為脫模膜的防靜電對策，提出了一種在構成脫模膜的基材塗敷防靜電劑，進而塗敷交聯型丙烯酸系黏著劑的、具有基材與防靜電層及脫模層的脫模膜(例如，參照專利文獻2)。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2002-158242號公報

[專利文獻2]日本專利特開2005-166904號公報

依次具有基材與防靜電層及脫模層的脫模膜中，由於防靜電層被脫模層覆蓋，因此脫模膜容易帶電。其結果，有時無法充分地抑制脫模膜的帶電。

本揭示的實施形態是基於上述狀況而成。

本揭示的實施形態的課題在於提供一種脫模層側的表面電阻率有效地低的半導體成型用脫模膜。

用於解決所述課題的具體方式包括以下的形態。

<1>一種半導體成型用脫模膜，依次具有脫模層與導電層及基材層，所述脫模層包含導電粒子。

<2>如<1>所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述導電粒子的平均粒徑(μm)為所述脫模層的厚度(μm)的50%~300%。

<3>如<1>或<2>所述的半導體成型用脫模膜，其中，自所述導電層至所述脫模層的表面為止存在經由所述導電粒子的導通路徑。

<4>如<1>至<3>中任一項所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述導電粒子包含金屬粒子。

<5>如<1>至<4>中任一項所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述導電層為金屬蒸鍍層或含導電性聚合物的層。

<6>如<1>至<5>中任一項所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述脫模層中包含的所述導電粒子的含量相對於所述脫模 層中包含的所述導電粒子以外的成分的總量而為0.5質量%~80質量%。

<7>如<1>至<6>中任一項所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述導電粒子的平均粒徑(μm)為超過所述脫模層的厚度(μm)的100%且為300%以下，所述脫模層中包含的所述導電粒子的含量相對於所述脫模層中包含的所述導電粒子以外的成分的總量而為0.5質量%~50質量%。

<8>如<1>至<6>中任一項所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述導電粒子的平均粒徑(μm)為所述脫模層的厚度(μm)的50%~100%以下，所述脫模層中包含的所述導電粒子的含量相對於所述脫模層中包含的所述導電粒子以外的成分的總量而為0.5質量%~80質量%。

<9>如<1>至<6>中任一項所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述導電粒子的平均粒徑(μm)小於所述脫模層的厚度(μm)的50%,所述脫模層中包含的所述導電粒子的含量相對於所述脫模層中包含的所述導電粒子以外的成分的總量而為5質量%~80質量%。

<10>如<1>至<9>中任一項所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述脫模膜用於轉移模製或壓縮模製。

<11>一種半導體封裝的製造方法，使用如<1>至<10>中任一項所述的半導體成型用脫模膜來進行轉移模製步驟或壓縮模製步驟。

藉由本揭示的實施形態，提供一種脫模層側的表面電阻率有效地低的半導體成型用脫模膜。

在本揭示中，「步驟」的用語除了獨立於其他步驟的步驟以外，即便在無法與其他步驟明確地加以區分的情況下，若達成該步驟的目的，則亦包括該步驟中。

在本揭示中，使用「~」來表示的數值範圍包含「~」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值。

在本揭示中階段性地記載的數值範圍內，在一個數值範圍內記載的上限值或下限值可替換成其他階段性記載的數值範圍的上限值或下限值。另外，在本揭示中記載的數值範圍內，該數值範圍的上限值或下限值可替換成實施例中所示的值。

在本揭示中，各成分可包含多種與各成分相符的物質。在組成物中存在多種與各成分相符的物質的情況下，只要無特別說明，則各成分的含有率或含量是指組成物中所存在的該多種物質的合計的含有率或含量。

在本揭示中，可包含多種與各成分相符的粒子。在組成物中存在多種與各成分相符的粒子的情況下，只要無特別說明，則各成分的粒徑是指針對組成物中所存在的該多種粒子的混合物的值。

<半導體成型用脫模膜>

本揭示中，揭示一種脫模層側的表面電阻率有效地低的半導體成型用脫模膜(亦簡稱為「脫模膜」)。

本揭示的脫模膜依次具有脫模層與導電層及基材層，脫模層包含導電粒子。

在本揭示的脫模膜中，脫模層包含導電粒子，藉此能夠自導電層至脫模層的表面為止形成經由導電粒子的導通路徑，其結果，可有效地降低脫模層側的表面電阻率。

本揭示的脫模膜較佳為自導電層至脫模層的表面為止存在經由導電粒子的導通路徑。在脫模膜中，自導電層至脫模層的表面為止存在經由導電粒子的導通路徑的情況能夠藉由對脫模膜的脫模層側的表面電阻率進行測定來判定，在脫模層側的表面電阻率小於1.0×10⁷(Ω/sq)時，判定為自導電層至脫模層的表面為止存在經由導電粒子的導通路徑。

以下，關於本揭示的脫模膜，對各層的特性、各層中包含的成分等進行說明。

[導電粒子]

作為脫模層中包含的導電粒子，可列舉金屬粒子、碳系導電 粒子、在有機或無機的核心粒子的表面具有金屬層的粒子等。導電粒子可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。作為導電粒子，就獲取的容易性的觀點而言，較佳為金屬粒子及碳系導電粒子，就表面電阻率降低的觀點而言，較佳為金屬粒子。

金屬粒子例如可為選自由金屬單質、合金及金屬化合物所組成的群組中的至少一種粉末。合金可包含選自由固溶體、共晶及金屬間化合物所組成的群組中的至少一種。合金例如可為不鏽鋼(Fe-Cr系合金、Fe-Ni-Cr系合金)。金屬化合物例如可為鐵氧體等氧化物。

碳系導電粒子可為碳黑、石墨等粉末狀導電性填料、碳奈米管(Carbon Nanotube，CNT)、碳纖維等纖維狀導電性填料等。

導電粒子可包含一種金屬元素或多種金屬元素。導電粒子中包含的金屬元素例如可為選自由賤金屬元素、貴金屬元素、過渡金屬元素及稀土類元素所組成的群組中的至少一種。導電粒子中包含的金屬元素例如可為選自由鐵(Fe)、銅(Cu)、鈦(Ti)、錳(Mn)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、鋁(Al)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鋇(Ba)、鍶(Sr)、鉛(Pb)、銀(Ag)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)及鏑(Dy)所組成的群組中的至少一種。

導電粒子亦可包含金屬元素以外的元素。導電粒子例如可包含選自由氧、硼及矽所組成的群組中的至少一種。導電粒子亦可為選自由Fe-Si系合金、Fe-Si-Al系合金(鋁矽鐵粉)、Fe-Ni系合金(坡莫合金)、Fe-Cu-Ni系合金(坡莫合金)、Fe-Cr-Si系 合金(電磁不鏽鋼)、Nd-Fe-B系合金(稀土類磁鐵)、Al-Ni-Co系合金(鋁鎳鈷磁鐵)及鐵氧體所組成的群組中的至少一種粒子。鐵氧體例如可為尖晶石鐵氧體、六方晶鐵氧體或石榴石鐵氧體。導電粒子可包含上述元素及組成物的一種，亦可包含上述元素及組成物的多種。

在導電粒子包含金屬粒子的情況下，金屬粒子相對於導電粒子的總量而言的含有率較佳為50質量%以上，更佳為70質量%以上，進而佳為80質量%以上，特佳為90質量%以上。

導電粒子的粒子形狀並無限定，可為球狀、板狀、及不定形中的任一種。就不易損傷半導體封裝表面的觀點而言，導電粒子較佳為球狀的粒子。

就有效率地形成導通路徑的觀點而言，導電粒子的平均粒徑較佳為脫模層的厚度的50%以上，更佳為60%以上，進而佳為70%以上。就不易損傷半導體封裝表面的觀點而言，導電粒子的平均粒徑較佳為脫模層的厚度的300%以下，更佳為200%以下，進而佳為150%以下。

在本揭示中，所謂脫模層的厚度，意指藉由下述測定方法求出的值。

切下一部分脫模膜，包埋在樹脂中後，在脫模膜的厚度方向上切斷，製作薄片試樣。利用掃描型電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)對該薄片試樣進行拍攝。在SEM圖像內的脫模層中隨機選擇十處的導電粒子未自脫模層突出的部位A，對十 處的厚度(自導電層與脫模層的界面至部位A中的脫模層的表面為止的距離)進行測量，並對十處的厚度進行平均。

導電粒子的平均粒徑較佳為0.5μm~100μm，更佳為1μm~50μm，進而佳為1μm~20μm。若導電粒子的平均粒徑為0.5μm以上，則為了形成導通路徑而不需要大量的導電粒子，由過剩量的導電粒子引起的脫模層的脆弱化或脫模性的惡化的擔憂少。若導電粒子的平均粒徑為100μm以下，則在用於形成脫模層的組成物中不易產生導電粒子的沈降，形成脫模層的作業性佳。

導電粒子的平均粒徑藉由下述的測定方法來求出。

切下一部分脫模膜，包埋在樹脂中後，在脫模膜的厚度方向上切斷，製作薄片試樣。利用掃描型電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)對該薄片試樣進行拍攝。在SEM圖像中，隨機選擇100個的脫模層中包含的導電粒子(一次粒子，但是在導電粒子凝聚而形成二次粒子的情況下為二次粒子)，對100個的長徑進行測量。將100個的長徑的算術平均作為導電粒子的平均粒徑。

脫模層中包含的導電粒子的含量相對於脫模層中包含的導電粒子以外的成分(固體成分)的總量而較佳為0.5質量%~80質量%。若導電粒子的含量相對於除此以外的成分的總量而為0.5質量%以上，則容易形成導通路徑。若導電粒子的含量相對於除此以外的成分的總量而為80質量%以下，則脫模層的脆弱化或脫模性的惡化的擔憂少。就所述觀點而言，脫模層中包含的導電粒子 的含量相對於脫模層中包含的導電粒子以外的成分的總量而更佳為5質量%~75質量%，進而佳為10質量%~70質量%。

關於脫模層中包含的導電粒子的含量，較佳為導電粒子的平均粒徑相對於脫模層的厚度越大則越少，導電粒子的平均粒徑相對於脫模層的厚度越小則越多。

在導電粒子的平均粒徑為超過脫模層的厚度的100%且為300%以下的情況下，脫模層中包含的導電粒子的含量相對於脫模層中包含的導電粒子以外的成分的總量而較佳為0.5質量%~50質量%，更佳為1質量%~30質量%，進而佳為5質量%~20質量%。

在導電粒子的平均粒徑為脫模層的厚度的50%~100%的情況下，脫模層中包含的導電粒子的含量相對於脫模層中包含的導電粒子以外的成分的總量而較佳為0.5質量%~80質量%，更佳為5質量%~75質量%，進而佳為10質量%~70質量%。

在導電粒子的平均粒徑小於脫模層的厚度的50%的情況下，脫模層中包含的導電粒子的含量相對於脫模層中包含的導電粒子以外的成分的總量而較佳為5質量%~80質量%，更佳為8質量%~75質量%，進而佳為10質量%~70質量%。

[脫模層]

脫模層負責半導體封裝成型時的脫模。脫模層至少包含導電粒子與樹脂。脫模層的樹脂並無特別限定。就與半導體封裝的脫模性、脫模層的耐熱性等觀點而言，樹脂較佳為丙烯酸樹脂或矽 酮樹脂，更佳為交聯型丙烯酸樹脂(以下，亦稱為「交聯型丙烯酸共聚物」)。

丙烯酸樹脂較佳為丙烯酸共聚物，所述丙烯酸共聚物藉由將丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸2-乙基己酯等低玻璃化轉變溫度(Tg)單體作為主要單體，將主要單體與丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸羥基乙酯、丙烯酸羥基乙酯、丙烯醯胺、丙烯腈等官能基單體進行共聚而獲得。交聯型丙烯酸共聚物可藉由使用交聯劑將所述單體交聯來製造。

作為在交聯型丙烯酸共聚物的製造中使用的交聯劑，可列舉異氰酸酯化合物、三聚氰胺化合物、環氧化合物等公知的交聯劑。為了在丙烯酸樹脂中形成緩慢擴大的網眼狀結構，交聯劑較佳為3官能、4官能等多官能交聯劑。

脫模層只要起到本揭示的脫模膜的效果，則根據需要可包含溶媒、錨定提高劑、交聯促進劑、防靜電劑、填料、著色劑等。

脫模層的厚度並無特別限定，可考慮脫模層中包含的導電粒子的粒徑來設定。脫模層的厚度較佳為0.1μm~100μm。若脫模層的厚度為0.1μm以上，則可含有足以發揮出模製步驟中所需的柔軟性或延伸性的樹脂，不易產生脫模層自基材層的剝離或脫模層的脫落。若脫模層的厚度為100μm以下，則在使用熱硬化性樹脂來形成脫模層的情況下，熱硬化時的熱收縮得到抑制，脫模膜的平坦性得以保持。就所述觀點而言，脫模層的厚度更佳為1 μm~100μm，進而佳為10μm~50μm。

就脫模層的形成(例如，利用含有導電粒子及樹脂的組成物的塗佈與熱硬化的形成)容易，且不易產生自基材層的剝離或脫模層的脫落的觀點而言，脫模層的厚度最佳為10μm~50μm。在導電層上配置有先前的脫模層的脫模膜中，若脫模層的厚度為10μm~50μm，則有時會妨礙導電層的防靜電功能，但在本揭示的脫模膜中，能夠自導電層至脫模層的表面為止形成經由導電粒子的導通路徑，因此發揮出導電層的防靜電功能。

在第二脫模膜中，脫模層側的表面電阻率小於1.0×10⁷(Ω/sq)。在第一脫模膜中，脫模層側的表面電阻率亦較佳為小於1.0×10⁷(Ω/sq)。脫模層側的表面電阻率更佳為1.0×10⁶(Ω/sq)以下，進而佳為1.0×10⁴(Ω/sq)以下，特佳為1.0×10³(Ω/sq)以下。

脫模膜的脫模層側的表面電阻率是藉由下述測定方法進行測定而得的值。

在絕緣電阻計的測定台上，將脫模層朝上而放置脫模膜，在脫模膜上放置外徑50mm的圓形電極及內徑70mm且外徑80mm的環狀電極。此時，使圓形電極的中心與環狀電極的中心一致。在兩電極連接端子，在電壓100V、測定時間一分鐘下對表面電阻(Ω)進行測定，並根據下述式算出表面電阻率(Ω/sq)。測定環境為溫度23℃±2℃、相對濕度50%±10%。

表面電阻率=π×(D+d)/(D-d)×R

此處，為π：圓周率、D：環狀電極的內徑、d：圓形電極的外徑、R：表面電阻。

[導電層]

導電層負責防靜電功能。作為導電層，例如可列舉藉由各種蒸鍍法、金屬箔的層壓等而形成的金屬薄膜層；塗覆公知的防靜電劑而形成的層；含導電性聚合物的層。導電層較佳為金屬蒸鍍層或含導電性聚合物的層。

就降低脫模膜的表面電阻率的觀點而言，導電層較佳為金屬薄膜層，其中，就所形成的層的均勻性高的觀點而言，更佳為金屬蒸鍍層。另一方面，就不易自基材層剝離、作業性、及抑制氧化劣化的觀點而言，導電層較佳為含導電性聚合物的層。

作為構成金屬薄膜層的金屬，並無特別限定，但作為金屬，較佳為比較輕、而且容易利用蒸鍍法形成薄膜的鋁。

作為防靜電劑，可列舉具有四級銨鹽、吡啶鹽、一級胺基~三級胺基等陽離子性基的各種陽離子性防靜電劑、具有磺酸鹼、硫酸酯鹼、磷酸酯鹼、磺酸鹼等陰離子性基的陰離子系防靜電劑、胺基酸系、胺基硫酸酯系等兩性防靜電劑、胺基醇系、甘油系、聚乙二醇系等非離子性防靜電劑等。

作為構成含導電性聚合物的層的導電性聚合物，並無特別限定，可列舉使所述各種防靜電劑高分子量化而得的高分子型 防靜電劑、聚苯胺、聚乙炔、聚對伸苯基、聚吡咯、聚噻吩、聚乙烯基咔唑等。

導電層的厚度並無特別限定，就在金屬蒸鍍層的情況下，不易產生導電層自基材層的剝離或導電層的脫落的觀點而言，較佳為5nm~1000nm，更佳為20nm~500nm，進而佳為30nm~100nm。在含導電性聚合物的層的情況下，導電層的厚度較佳為50nm~1000nm，更佳為100nm~800nm，進而佳為200nm~800nm。在50nm以上的情況下，有防靜電效果優異的傾向，在1000nm以下的情況下，有價格上優異的傾向。

[基材層]

基材層支撐脫模層及導電層。作為基材層，並無特別限定，可自本技術領域中使用的含樹脂的基材中選擇。就對模具形狀的追隨性的觀點而言，較佳為延伸性優異的含樹脂的基材。

考慮到半導體封裝的樹脂成型在高溫(100℃~200℃左右)下進行，基材層理想的是具有該溫度以上的耐熱性。在將脫模膜裝設於模具時及樹脂在成型時流動時，為了抑制密封樹脂的褶皺、脫模膜的破裂等的產生，理想的是考慮到高溫時的彈性模數、伸長率等進行選擇。

就耐熱性及高溫時的彈性模數的觀點而言，基材層的材料較佳為聚酯樹脂。作為聚酯樹脂，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、該些的共聚物或改質樹脂。

作為基材層，較佳為由聚酯樹脂成型而成的聚酯膜，就對模具的追隨性的觀點而言，更佳為雙軸延伸聚酯膜。

基材層的厚度並無特別限定，較佳為10μm~300μm，更佳為20μm~100μm。若基材層的厚度為10μm以上，則基材層及脫模膜不易破損，處理性優異。若基材層的厚度為100μm以下，則基材層及脫模膜對模具的追隨性優異，因此成型後的半導體封裝的褶皺等的產生得到抑制。

[脫模膜的製造方法]

本揭示的脫模膜可藉由在成為基材層的基材上形成導電層，進而在導電層上形成脫模層而獲得。導電層例如可藉由蒸鍍法、層壓法、塗敷法而形成於基材上。脫模層例如可藉由將包含導電粒子與樹脂及溶媒的組成物塗佈於導電層上並使其熱硬化而形成。脫模層可另外形成於剝離片上，並藉由熱壓接而積層於導電層上。

根據需要，本揭示的脫模膜可在導電層與基材層之間設置著色層等層。

[脫模膜的用途]

本揭示的脫模膜例如是在利用密封材對半導體晶片進行密封時使用。本揭示的脫模膜較佳為用於轉移模製或壓縮模製中。

藉由使用本揭示的脫模膜，可充分地抑制自半導體晶片剝離時的帶電及放電。

<半導體封裝的製造方法>

在本揭示的半導體封裝的製造方法中，使用本發明的脫模膜進行轉移模製步驟或壓縮模製步驟。

在半導體封裝的製造方法中，首先，在成型裝置的模具配置所述本揭示的脫模膜，使脫模膜追隨於模具的形狀。作為使脫模膜追隨於模具的形狀的方法，可列舉真空吸附等。

然後，在使脫模膜追隨的模具內利用密封材對半導體晶片進行密封。在模具內配置有半導體晶片及脫模膜的狀態下，利用密封材對半導體晶片進行密封，藉此可製造半導體封裝。在製造半導體封裝後，將模具打開而取出成型後的半導體封裝。

在本揭示的半導體封裝的製造方法中，由於使用本揭示的脫模膜，因此可充分地抑制自半導體晶片剝離時的帶電及放電。

作為在所述方法中使用的半導體晶片，例如可列舉半導體元件、電容器、端子等。所述方法中使用的封裝材的種類並無特別限制，例如可列舉包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂等的樹脂組成物。

[實施例]

以下，藉由實施例對所述實施形態進行了具體說明，但所述實施形態的範圍並不限定於該些實施例。

<實施例1>

[黏著劑1的製備]

向樹脂製容器中投入S-43(綜研化學(股)製造，丙烯酸酯 共聚物)11.3質量份、克羅耐德(CORONATE)L(東曹(股)製造，多官能異氰酸酯交聯劑)0.36質量份、甲苯30.6質量份、甲基乙基酮7.7質量份，並進行攪拌，從而製備出黏著劑1。

[基材的準備]

準備了SMH-38(尤尼吉可(UNITIKA)(股)製造，聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)膜、單面鏡面/單面啞光規格)。

[導電層(Al層)的形成]

對所述PET膜的鏡面實施Al(鋁)蒸鍍加工，從而獲得Al蒸鍍PET膜。

[脫模層的形成]

將作為導電粒子的SQ(巴斯夫(BASF)(股)製造，鐵粉，平均粒徑6μm)0.30質量份投入至50質量份的黏著劑1中並進行攪拌，從而製成塗敷液。利用棒塗機對放置於水平的台上的Al蒸鍍PET膜的Al蒸鍍面塗佈了塗敷液。將塗佈了塗敷液的膜放入至預先加熱至100℃的防爆烘箱中，兩分鐘後取出。如此在Al蒸鍍層上形成脫模層，從而獲得脫模膜。

<實施例2~實施例6>

以表1中記載的配方製作黏著劑1~黏著劑3，製備表2及表3中記載的配方(質量份)的脫模層用塗敷液，除此以外，與實施例1同樣地製作脫模膜。

再者，表2及表3中的「導電粒子的含量」是導電粒子相對 於黏著劑固體成分而言的質量比例。

<實施例7~實施例10>

[導電層(含導電性聚合物的層)的形成]

在PET膜的鏡面塗敷利用混合溶劑(以質量基準計水/異丙醇=1/1)將具有四級銨鹽的陽離子防靜電劑(導電性聚合物，小西(KONISHI)股份有限公司製造，邦迪普(BONDEIP)(註冊商標)PA-100主劑/邦迪普(BONDEIP)(註冊商標)PA-100硬化劑=100質量份/25質量份)稀釋至2.5質量%而成者，並進行乾燥，從而獲得帶含導電性聚合物的層的PET膜。

將導電層自Al蒸鍍膜變更為含導電性聚合物的層，除此以外，與實施例3~實施例6同樣地製作脫模膜。

<比較例1~比較例9>

製備了表3中記載的配方的脫模層用塗敷液。然後，不在PET膜上形成Al蒸鍍層而在PET的平滑面塗佈塗敷液，除此以外，與實施例1同樣地獲得脫模膜。表3的導電層一欄中的「-」意指未設置導電層。

<比較例10~比較例12>

使用表3中記載的配方的脫模層用塗敷液，除此以外，與實施例1同樣地獲得脫模膜。

<比較例13>

使用表3中記載的配方的脫模層用塗敷液，除此以外，與實施例7同樣地獲得脫模膜。

<脫模膜的性能評價>

對實施例1~實施例10及比較例1~比較例13的各脫模膜實施下述評價。將評價結果示於表2及表3中。

[脫模層的厚度的測定]

利用所述方法對脫模層的厚度進行測定。

[相對於脫模層的厚度而言的導電粒子的平均粒徑]

利用所述方法對導電粒子的粒徑進行測定，並求出平均粒徑。導電粒子的平均粒徑除以脫模層的厚度，並換算成百分率(%)。

[表面電阻率]

利用所述方法對表面電阻率進行測定。

[導通路徑的有無]

在脫模膜的脫模層側的表面電阻率小於1.0×10⁷(Ω/sq)的情況下，判定為自導電層至脫模層的表面為止存在經由導電粒子的導通路徑。

[表2]

比較例1~比較例9的脫模層側的表面電阻率均超過1.0×10¹³(Ω/sq)，脫模層側的表面電阻率大。

自比較例10~比較例12可知，脫模層的厚度越厚，脫模層側的表面電阻率(Ω/sq)越大。即便在將脫模層減薄的比較例10中，由於比較例10的脫模層不包含導電粒子，因此脫模層側的表面電阻率超過1.0×10⁸(Ω/sq)，脫模層側的表面電阻率大。

另一方面，實施例1~實施例10的表面電阻率均小於1.0×10⁷(Ω/sq)，脫模層側的表面電阻率低。

Claims (9)

1. 一種半導體成型用脫模膜，依次具有脫模層與導電層及基材層， 所述脫模層包含導電粒子， 所述導電粒子的平均粒徑（μm）為所述脫模層的厚度（μm）的50%～300%， 所述導電粒子包含金屬粒子。
2. 如請求項1所述的半導體成型用脫模膜，其中，自所述導電層至所述脫模層的表面為止存在經由所述導電粒子的導通路徑。
3. 如請求項1所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述導電層為金屬蒸鍍層或含導電性聚合物的層。
4. 如請求項1所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述脫模層中包含的所述導電粒子的含量相對於所述脫模層中包含的所述導電粒子以外的成分的總量而為0.5質量%～80質量%。
5. 如請求項1所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述導電粒子的平均粒徑（μm）為超過所述脫模層的厚度（μm）的100%且為300%以下， 所述脫模層中包含的所述導電粒子的含量相對於所述脫模層中包含的所述導電粒子以外的成分的總量而為0.5質量%～50質量%。
6. 如請求項1所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述導電粒子的平均粒徑（μm）為所述脫模層的厚度（μm）的50%～100%以下， 所述脫模層中包含的所述導電粒子的含量相對於所述脫模層中包含的所述導電粒子以外的成分的總量而為0.5質量%～80質量%。
7. 如請求項1所述的半導體成型用脫模膜，其中， 所述脫模層中包含的所述導電粒子的含量相對於所述脫模層中包含的所述導電粒子以外的成分的總量而為5質量%～80質量%。
8. 如請求項1所述的半導體成型用脫模膜，其中，所述半導體成型用脫模膜用於轉移模製或壓縮模製。
9. 一種半導體封裝的製造方法，使用如請求項1至8中任一項所述的半導體成型用脫模膜來進行轉移模製步驟或壓縮模製步驟。