TWI910276B - 判定用於度量衡程序之效能指示符之方法、其相關電腦程式及非暫時性電腦程式載體、處理配置、度量衡設備、微影設備及對準感測器 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種用於判定用於一度量衡程序之一效能指示符之方法，其包含：獲得與一第一量測條件集合相關之第一量測資料；及基於該第一量測資料判定一第一量測配方。根據該第一量測資料之自一分量分析或統計分解獲得的一或多個分量來判定該至少一個效能指示符。替代地，根據關於該第一量測配方之一或多個第一量測值與關於一第二量測配方之一或多個第二量測值的一比較來判定該至少一個效能指示符，其中第二量測配方不同於該第一量測資料且與一第二量測條件集合相關，該第二量測條件集合不同於該第一量測條件集合。

Description

判定用於度量衡程序之效能指示符之方法、其相關電腦程式及非暫時性電腦程式載體、處理配置、度量衡設備、微影設備及對準感測器

本發明係關於可用於例如藉由微影技術進行裝置製造之方法及設備，且係關於使用微影技術來製造裝置之方法。更特定言之，本發明係關於度量衡感測器及具有此類度量衡感測器之微影設備。

微影設備為將所要圖案塗佈至基板上，通常塗佈至基板之目標部分上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，替代地稱為遮罩或倍縮光罩之圖案化裝置可用於產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至設置於基板上之輻射敏通常感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。通常而言，單一基板將含有連續圖案化之鄰近目標部分之網路。此等目標部分通常稱為「場」。

在複雜裝置之製造中，通常執行許多微影圖案化步驟，藉此在基板上之連續層中形成功能特徵。微影設備之效能之關鍵態樣因此能夠相對於(藉由相同設備或不同微影設備)置於先前層中之特徵正確且準確地置放所塗佈圖案。出於此目的，基板具備一或多組對準標記。各標記為稍後可使用位置感測器(通常為光學位置感測器)量測其位置之結構。微影設備包括一或多個對準感測器，可藉由該一或多個對準感測器準確地量測基板上之標記之位置。不同類型之標記及不同類型之對準感測器來自不同製造商及同一製造商之不同產品為吾人所知。

在其他應用中，度量衡感測器用於量測基板上之暴露結構(在抗蝕劑中及/或在蝕刻之後)。快速且非侵入性形式之特定檢測工具為散射計，其中將輻射光束導向至基板之表面上之目標上，且量測散射光束或反射光束之屬性。已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1中所描述之類型的角解析散射計。除藉由重建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用此等設備來量測基於繞射之疊對，如公開專利申請案US2006066855A1中所描述。使用繞射階之暗場成像進行的基於繞射之疊對度量衡使得能夠對較小目標進行疊對量測。可在國際專利申請案WO 2009/078708及WO 2009/106279中找到暗場成像度量衡之實例，該等國際專利申請案之文件特此以全文引用之方式併入。公開專利公開案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A及WO2013178422A1中已描述該技術之進一步發展。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。可使用複合光柵目標而在一個影像中量測多個光柵。所有此等申請案之內容亦以引用之方式併入本文中。

習知對準標記及度量衡目標可包含繞射入射輻射之光柵。在對準內容背景中，當對準標記理想地極佳對稱時，假定無標記變形，則對準位置偏差誤差(APD誤差)為零，從而引起最佳疊對。類似地，理想疊對目標將具有僅可歸因於疊對之不對稱性。然而，由於諸如蝕刻、化學機械研磨(CMP)、退火、沈積、氧化等處理，真實對準標記以各種方式變形，從而常常引起預先並不知曉的不對稱性。所觀察到的典型不對稱性包括底面傾斜(FT)、頂部傾斜(TT)及側壁角(SWA)。另外，歸因於處理之波動，對準標記/疊對目標之深度亦可圍繞標稱值改變。

此結果可為目標或標記之量測值的波長/偏振相關變化。由此，此變化之校正及/或減輕有時係藉由使用最佳化量測條件或照明條件(例如，最佳化之不同波長及/或偏振)對經量測之目標/堆疊執行量測來實現。將期望改良對最佳化量測條件之效能之監測。

在一第一態樣中，本發明提供一種判定用於一度量衡程序之至少一個效能指示符之方法，該效能指示符指示使用一第一量測配方執行之一量測的量測效能，該方法包含：獲得與一或多個設置基板及一第一量測條件集合相關之第一量測資料；基於該第一量測資料判定該第一量測配方；及根據以下來判定該至少一個效能指示符：該第一量測資料之自一分量分析或統計分解獲得的一或多個分量；或關於該第一量測配方之一或多個第一量測值與關於一第二量測配方之一或多個第二量測值的一比較，其中該第二量測配方係基於第二量測資料而判定，該第二量測資料不同於該第一量測資料且與一第二量測條件集合相關，該第二量測條件集合不同於該第一量測條件集合。

亦揭示一種度量衡設備及一種微影設備，該微影設備包含可操作以執行第一態樣之方法的度量衡裝置。

將根據對下文所描述之實例的考量理解本發明之以上及其他態樣。

在詳細地描述本發明之實施例之前，呈現可實施本發明之實施例之實例環境係有指導性的。

圖1示意性地描繪微影設備LA。該設備包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化裝置支撐件或支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數準確地定位該圖案化裝置之第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台) WTa及WTb，其各自經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且各自連接至經組態以根據某些參數準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各種組件，且充當用於設定及量測圖案化裝置及基板之位置以及圖案化裝置及基板上之特徵之位置的參考。

照明系統可包括用於導向、塑形及/或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。

圖案化裝置支撐件MT以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，是否將圖案化裝置固持於真空環境中)之方式來固持圖案化裝置。圖案化裝置支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置。圖案化裝置支撐件MT可為例如可視需要固定或可移動之框架或台。圖案化裝置支撐件可確保圖案化裝置例如相對於投影系統處於所要位置。

本文中所使用之術語「圖案化裝置」應廣泛地解釋為係指可用於在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何裝置。應注意，例如，若賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常而言，賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中產生之裝置(諸如，積體電路)中之特定功能層。

如此處所描繪，設備屬於透射類型(例如，採用透射圖案化裝置)。替代地，該設備可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或採用反射遮罩)。圖案化裝置之實例包括遮罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。本文中對術語「倍縮光罩」或「遮罩」之任何使用可視為與更一般術語「圖案化裝置」同義。術語「圖案化裝置」亦可解釋為係指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化裝置之圖案資訊的裝置。

本文中所使用之術語「投影系統」應廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及/或靜電光學系統或其任何組合。本文中對術語「投影透鏡」之任何使用可視為與更一般術語「投影系統」同義。

微影設備亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如遮罩與投影系統之間的空間。浸漬技術在此項技術中為吾人所熟知用於增加投影系統之數值孔徑。

在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影設備可為單獨實體。在此類情況下，不認為輻射源形成微影設備之一部分，且輻射光束藉助於包括例如合適導向鏡面及/或擴束器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影設備之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在必要時可稱為輻射系統。

照明器IL可例如包括用於調整輻射光束之角度強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所需均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於固持於圖案化裝置支撐件MT上之圖案化裝置MA上，且由該圖案化裝置圖案化。在已橫穿圖案化裝置(例如，遮罩) MA之情況下，輻射光束B穿過將光束聚焦至基板W之目標部分C上的投影系統PS。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於例如在自遮罩庫機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩) MA。

可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩) MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記稱為切割道對準標記)。類似地，在將超過一個晶粒設置於圖案化裝置(例如，遮罩) MA上之情況下，遮罩對準標記可位於該等晶粒之間。較小對準標記亦可在裝置特徵當中包括於晶粒內，在此情況下，需要使標記物儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。

所描繪設備可用於多種模式中。在掃描模式中，在將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化裝置支撐件(例如，遮罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化裝置支撐件(例如，遮罩台) MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。如此項技術中熟知的，其他類型之微影設備及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式為吾人所知。在所謂的「無遮罩」微影中，使可程式化圖案化裝置保持靜止但具有變化圖案，且移動或掃描基板台WT。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變體或完全不同的使用模式。

微影設備LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb及兩個站-曝光站EXP及量測站MEA-該等基板台可在該兩個站之間進行交換。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且執行各種預備步驟。此使得設備之產出量能夠實質上增加。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來量測對準標記在基板上之位置。若位置感測器IF在其處於量測站處以及處於曝光站處時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置為吾人所知且可用的。舉例而言，提供基板台及量測台之其他微影設備為吾人所知。此等基板台及量測台在執行預備量測時銜接在一起，且接著在基板台經歷曝光時不銜接。

圖2說明將目標部分(例如，晶粒)曝光於圖1之雙載物台設備中之基板W上之步驟。虛線框內之左側為在量測站MEA處執行之步驟，而右側展示在曝光站EXP處執行之步驟。有時，基板台WTa、WTb中之一者將位於曝光站處，而另一者位於量測站處，如上文所描述。出於此描述之目的，假定基板W已經裝載至曝光站中。在步驟200處，藉由未展示之機制將新基板W'裝載至設備。並行地處理此等兩個基板以便增加微影設備之產出量。

首先參考重新裝載之基板W'，此基板可為先前未經處理之基板，其用新光阻製備以在設備中進行第一次曝光。然而，通常而言，所描述之微影程序將僅僅為一系列曝光及處理步驟中之一個步驟，使得基板W'已通過此設備及/或其他微影設備若干次，且亦可經歷後續程序。特別針對改良疊對效能之問題，任務為確保將新圖案確切地塗佈於已經受圖案化及處理之一或多個循環之基板上的正確位置中。此等處理步驟漸進地在基板中引入失真，該等失真必須經量測及校正以達成令人滿意的疊對效能。

可在其他微影設備中執行且可甚至在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續圖案化步驟(如剛才所提及)。舉例而言，裝置製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高的一些層與要求不高之其他層相比可在更進階微影工具中執行。因此，一些層可曝光於浸潤型微影工具中，而其他層曝光於『乾式』工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層使用EUV波長輻射進行曝光。

在202處，使用基板標記P1等及影像感測器(圖中未展示)之對準量測用於量測及記錄基板相對於基板台WTa/WTb之對準。另外，將使用對準感測器AS來量測跨越基板W'之若干對準標記。在一個實施例中，此等量測用於建立「晶圓柵格」，該晶圓柵格極準確地映射橫越基板之標記之分佈，包括相對於標稱矩形柵格之任何失真。

在步驟204處，亦使用位階感測器LS來量測相對於X-Y位置之晶圓高度(Z)映射。習知地，高度圖僅用以達成對經曝光圖案之準確聚焦。另外，其可用於其他目的。

當裝載基板W'時，接收配方資料206，其定義待執行之曝光，且亦定義晶圓及先前產生之圖案及待產生於該基板W'上之圖案之屬性。將在202、204處獲得之晶圓位置、晶圓柵格及高度圖之量測添加至此等配方資料，使得可將配方及量測資料208之完整集合傳遞至曝光站EXP。對準資料之量測例如包含以與為微影程序之產品的產品圖案成固定或標稱固定關係而形成之對準目標之X位置及Y位置。恰好在曝光之前獲得之此等對準資料用於產生具有將模型擬合至資料之參數之對準模型。此等參數及對準模型將在曝光操作期間用於校正當前微影步驟中所塗佈之圖案的位置。在使用中之模型內插經量測位置之間的位置偏差。習知對準模型可能包含四個、五個或六個參數，該等參數一起以不同尺寸界定『理想』柵格之平移、旋轉及按比例縮放。使用更多參數之進階模型為吾人所知。

在210處，調換晶圓W'與W，使得經量測基板W'變成基板W，從而進入曝光站EXP。在圖1之實例設備中，藉由交換設備內之支撐件WTa及WTb來執行此調換，使得基板W、W'保持準確地經夾持且定位於彼等支撐件上，以保留基板台與基板自身之間的相對對準。因此，一旦已調換該等台，則為了利用用於基板W (以前為W')之量測資訊202、204來控制曝光步驟，就必需判定投影系統PS與基板台WTb (先前為WTa)之間的相對位置。在步驟212處，使用遮罩對準標記M1、M2來執行倍縮光罩對準。在步驟214、216、218中，將掃描運動及輻射脈衝施加於跨越基板W之順次目標位置處，以便完成數個圖案之曝光。

藉由在執行曝光步驟中使用量測站處所獲得之對準資料及高度圖，此等圖案相對於所要位置且尤其相對於先前置放於同一基板上之特徵準確地對準。在步驟220處自設備卸載現在經標註為W''之經曝光基板，以根據經曝光圖案使其經歷蝕刻或其他程序。

熟習此項技術者將知曉上述描述為真實製造情形之一個實例中所涉及之多個極詳細步驟的簡化概述。舉例而言，常常將存在使用相同或不同標記之粗糙及精細量測之單獨階段，而非在單一遍次中量測對準。粗糙及/或精細對準量測步驟可在高度量測之前或在高度量測之後執行，或交錯。

在複雜裝置之製造中，通常執行許多微影圖案化步驟，藉此在基板上之連續層中形成功能特徵。因此，微影設備之效能之關鍵態樣能夠相對於(藉由相同設備或不同微影設備)置於先前層中之特徵正確且準確地置放所塗佈圖案。出於此目的，基板具備一或多組標記。各標記為稍後可使用位置感測器(通常為光學位置感測器)量測其位置之結構。位置感測器可稱為「對準感測器」，且標記可稱為「對準標記」。

微影設備可包括可藉以準確地量測設置於基板上之對準標記之位置的一或多個(例如複數個)對準感測器。對準(或位置)感測器可使用諸如繞射及干涉之光學現象，以自形成於基板上之對準標記獲得位置資訊。用於當前微影設備中之對準感測器的實例係基於如US6961116中所描述之自參考干涉計。已開發出位置感測器之各種增強及修改，例如，如US2015261097A1中所揭示。所有此等公開案之內容以引用之方式併入本文中。

標記或對準標記可包含形成於設置於基板上之層上或層中或(直接)形成於基板中的一系列長條。該等長條可規則地隔開且充當光柵線，使得標記可被視為具有熟知空間週期(間距)之繞射光柵。取決於此等光柵線之定向，標記可經設計以允許量測沿著X軸或沿著Y軸(其實質上垂直於X軸定向)之位置。包含以相對於X軸及Y軸兩者成+45度及/或-45度配置的長條之標記允許使用如以引用方式併入之US2009/195768A中所描述的技術進行組合之X及Y量測。

對準感測器利用輻射光點光學地掃描每一標記，以獲得週期性變化信號，諸如正弦波。分析此信號之相位以判定標記之位置，且因此判定基板相對於對準感測器之位置，該對準感測器又相對於微影設備之參考框架固定。可提供與不同(粗略及精細)標記尺寸相關之所謂的粗略及精細標記，使得對準感測器可區分週期性訊號之不同循環，以及在一循環內之確切位置(相位)。亦可出於此目的使用不同間距之標記。

量測標記之位置亦可提供關於其上設置有例如呈晶圓柵格形式之標記的基板之變形的資訊。可藉由例如將基板靜電夾持至基板台及/或當基板曝光於輻射時加熱該基板而出現基板之變形。

圖3為已知對準感測器AS之實施例的示意性方塊圖。輻射源SO提供具有一或多個波長之輻射光束RB，該輻射光束RB藉由轉向光學器件而轉向至目標(諸如位於基板W上之標記AM)上作為照明光點SP。在此實例中，轉向光學器件包含光點鏡面SM及物鏡OL。照明標記AM之照明光點SP之直徑可略小於標記自身之寬度。

由標記AM繞射之輻射準直(在此實例中經由物鏡OL)成資訊攜載光束IB。術語「繞射」意欲包括來自標記之零階繞射(其可稱為反射)。例如上文所提及之US6961116中所揭露之類型的自參考干涉計SRI以自身干涉光束IB，其後光束由光偵測器PD接收。可包括額外光學器件(圖中未展示)以在由輻射源SO產生超過一個波長之情況下提供單獨光束。光偵測器可為單一元件，或其視需要可包含多個像素。光偵測器可包含感測器陣列。

在此實例中包含光點鏡面SM之轉向光學器件亦可用以阻擋自標記反射之零階輻射，使得資訊攜載光束IB僅包含來自標記AM之高階繞射輻射(此對於量測並非必需的，但提高信雜比)。

將強度訊號SI供應至處理單元PU。藉由區塊SRI中之光學處理與單元PU中之演算處理之組合，輸出基板相對於參考框架之X位置及Y位置之值。

所說明類型之單一量測僅將標記之位置固定於對應於該標記之一個節距的某一範圍內。結合此量測來使用較粗略量測技術，以識別正弦波之哪一週期為含有經標記位置之週期。在不同波長下重複較粗略及/或較精細位階之同一程序，以用於提高準確度及/或用於穩固地偵測標記，而無關於製成標記之材料及標記設置於上方及/或下方之材料。下文揭示執行及處理此類多波長量測中之改良。

在微影程序中，頻繁地期望對所產生結構進行量測，例如用於程序控制及驗證。用於進行此類量測之各種工具為吾人所知，包括掃描電子顯微鏡或各種形式之度量衡設備(諸如，散射計)。已知散射計之實例通常依賴於專用度量衡目標之供應，諸如，填充不足之目標(呈簡單光柵或不同層中之重疊光柵之形式的目標，其足夠大以使得量測光束產生小於光柵之光點)或填充過度之目標(藉此照明光點部分地或完全地含有該目標)。另外，使用度量衡工具(例如，照明諸如光柵的填充不足之目標之角度解析散射計)會允許使用所謂的重建構方法，其中可藉由模擬散射輻射與目標結構之數學模型的相互作用且比較模擬結果與量測之結果來計算光柵之屬性。調整模型之參數直至經模擬相互作用產生相似於自真實目標所觀測之繞射圖案的繞射圖案為止。

散射計為多功能器具，其允許藉由在光瞳或與散射計之接物鏡之光瞳共軛的平面中具有感測器來量測微影程序之參數(量測通常稱作基於光瞳之量測)，或藉由在影像平面或與影像平面共軛之平面中具有感測器來量測微影程序之參數，在此狀況下量測通常稱作基於影像或場之量測。以全文引用之方式併入本文中之專利申請案US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中進一步描述此類散射計及相關量測技術。前述散射計可在一個影像中使用來自硬X射線、軟X射線、極紫外線及可見至近IR波長範圍之光來量測來自多個光柵之多個目標。

圖4中描繪諸如散射計之度量衡設備之一個實例。其可包含將輻射5投影至基板W上之寬頻帶(例如白光)輻射投影儀2。反射或散射輻射10傳遞至光譜儀偵測器4，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射之光譜6 (亦即隨波長λ變化之強度I之量測)。自此資料，可由處理單元PU重建構產生經偵測光譜之結構或輪廓8，例如，藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸，或藉由與圖4之底部處所展示之經模擬光譜庫的比較。通常而言，對於重建構，結構之一般形式係已知的，且根據用來製造結構之程序之知識來假定一些參數，從而僅留下結構之幾個參數以根據散射量測資料判定。此類散射計可經組態為正入射散射計或斜入射散射計。

散射計可包含暗場散射計(其中零階在偵測器之前經阻擋以使得僅捕捉繞射高階)及亦捕捉零階之亮場散射計。一些散射計能夠具有亮場及暗場度量衡兩者。已知類型之暗場散射量測技術將一對互補高繞射階中之每一者之強度進行比較(例如，將+1階與-1階之各別強度進行比較)，以判定經量測目標中之不對稱性(強度差之量值與不對稱性成比例)。目標不對稱性可繼而用於在目標形成時判定各種所關注參數，諸如疊對或聚焦設置。

在整個本說明書中，如習知一樣，術語標記或對準標記可用於描述用於對準之目標及用於描述用於程序監測之度量衡目標(例如，疊對或聚焦目標)的術語目標。術語目標可用於通常描述任一類型之結構，且涵蓋出於度量衡目的而特定地形成之兩個目標及用於度量衡之任何其他結構，包括在直接量測該產品結構之情況下之實際產品結構。

本文中所揭示之概念同樣可適用於對準或其他度量衡技術，諸如(例如，基於散射量測之)疊對及/或聚焦監測。

當由度量衡感測器發射之輻射與目標相互作用且繞射時，此類繞射輻射包含關於目標幾何形狀之資訊。因此，對於不對稱(變形)目標(例如，不對稱對準標記或疊對/聚焦目標，其包含歸因於除疊對/聚焦以外的效應之非所要不對稱性貢獻)，度量衡工具將偵測與晶圓上之真實量測值不同的量測值(例如，位置或疊對/聚焦值)。此量測誤差在對準之內容背景中可稱作對準位置誤差，其為目標之經量測對準位置與目標之真實對準位置之差異的量度。此位置差異引起疊對誤差，此取決於目標中所誘發的不對稱性之類型及量值且亦取決於目標深度而為強的。

對準位置誤差之促成因素包含例如： ●  光柵不對稱性--非所要光柵不對稱性(例如在底部光柵或不等的側壁角中呈底面傾斜形式)引起波長相關對準位置誤差。 ●  厚度變化及感測器像差--堆疊內之層厚度變化及干涉可在光瞳內重新分佈光，其與感測器像差一起引起對準位置誤差。 ●  殘餘構形及表面粗糙度--當信號強度低時，構形及表面粗糙度可引起對準位置誤差，其歸因於干涉而為波長相關的。

為了緩解此情形，使用多個不同波長(例如，在各別量測通道中或以其他方式)來量測一些散射計及/或對準感測器。在理想情形中，用於多波長量測之所有波長將在幾何學上完美的基板上針對目標產生相同量測結果。然而，歸因於不對稱性及非所要目標貢獻，通常並非為此情況且觀測到波長相依或顏色-顏色位置變化。

在對準之內容背景中，基於多個波長量測而使得能夠校正或減輕對準位置誤差之方法已為吾人所知。一些解決方案通常嘗試判定用於特定目標/堆疊之最準確波長，且使用此波長。更詳細地描述於美國公開案US2019/0094721 A1 (其以引用之方式併入本文中)中之改良解決方案包含稱為最佳顏色加權(OCW)之技術。應瞭解，針對不同顏色(例如，波長或偏振)且取決於層厚度變化及所量測目標之類型，對準位置誤差之尺寸不同。基於OCW之方法旨在判定用於使目標變形對量測值之影響最小化的所有顏色之最佳(例如，加權)組合(例如，量測配方)。

期望導出效能量度或效能指示符(例如，關鍵效能指示符(KPI))以監測及評估正使用之最佳化量測配方之效能。許多晶圓對準相關效能指示符取決於用於達成此之曝光後量測資料(例如，疊對資料或其他參考)。在不需要疊對資料或其他曝光後量測資料(例如，僅使用曝光前量測資料或對準資料)之情況下導出效能指示符將為有用的。

當前使用之效能指示符稱為殘餘疊對效能指示符(ROPI)。ROPI為用於量測處理層與絕對柵格之間的殘餘晶圓柵格差的指示符，如由曝光工具載物台所定義。更特定言之，ROPI可定義為量測位置與建模位置之晶圓殘差(差)的3σ。儘管ROPI可用於預測疊對顏色-顏色行為，但其並非為極準確量測，且亦未必總為極有用的。

度量衡(對準或曝光後監測，諸如疊對或聚焦度量衡)中可存在兩個不同階段： ●  配方設置階段，其中判定多波長量測配方(例如，顏色權重)。在配方設置期間量測之晶圓中發生的程序變化存在之情況下，配方最佳化量測準確度。在配方設置期間，外部參考資料可能係或可能不係可用的。 ●  製造階段(例如，高量製造(HVM)階段)，其中以高速(亦即，以高產出量)曝光多個晶圓。期望緊接在量測之後且在前進至下一步驟(例如，在對準量測之情況下進行曝光，或在疊對量測之情況下進行刻蝕)之前檢查配方之效能或「健康狀況」。以此方式，可評估何時應更新配方(或採取其他動作)，以便避免晶圓過度(out-of-spec)曝光(亦即，具有一或多個缺陷)。因為需要緊接在量測之後(或不久)執行此健康狀況檢查，所以無外部參考資料將可用(例如，來自先前曝光之晶圓的量測)。

將描述用於判定用於監測最佳化量測配方或量測設置之效能或健康狀況的KPI之兩個實施例，其不需要曝光後度量衡資料且可用於緊接在進行量測之後根據量測資料評估配方。

第一實施例包含將使用基於與第一量測條件集合相關之第一量測資料集而最佳化的第一量測配方之量測與使用基於與第二量測條件集合相關之第二量測資料集而最佳化的第二量測配方之第二量測進行比較，其中第二量測條件集合不同於該第一量測條件集合。

在一個實施例中，第二量測條件集合可包含第一量測條件集合之真子集。比較之結果(例如，第一量測與第二量測之差)可用作監測該第一量測配方之效能的KPI。在此實施例中，第一量測條件集合可包含(視情況)所有可用量測條件，或特定類型或群組之所有可用量測條件(例如，所有可用波長或照明條件)。第二量測條件集合將接著為此等可用量測條件之真子集(例如，波長或照明條件之真子集)。

在其他實施例中，第二量測條件集合可包含第一量測條件集合之真子集加額外量測條件。替代地，第二量測條件集合可包含來自第一量測條件集合之完全不同的量測條件集合。

在設置或訓練階段中，第二量測子集可經選擇以使得第一量測與第二量測在值方面相同或充分相似。接著，在製造階段中，可監測分別與第一量測配方及第二量測配方相關之對應量測之間的差(亦即，KPI)，以查看其是否漂移為較大值。若其漂移過多(例如超出臨限值或多個臨限值中之一者)，則可採取一或多個校正動作。

可廣泛地解釋第二量測條件集合可不同於第一量測條件集合之量測條件的類型。量測條件可在以下方面不同：照明條件(例如，波長、偏振態或波長/偏振組合)強度不平衡性量測(例如，來自目標之一對互補繞射階中之每一者(例如，+1、-1階)的各別強度之間的強度差)、所量測晶圓、各晶圓上之點或用於最佳化第一量測配方之批次，或此等中之兩者或更多者的任意組合。此為非窮盡性清單，且可包括其變化可引起所關注參數之量測值之變化的任何量測條件。

判定第一量測配方及第二量測配方之方法可包含判定將使用哪一或多種顏色/偏振組合及/或判定顏色/偏振組合中之每一者之加權；例如在對準之內容背景中，使用上文所描述之方法來判定OCW。

圖5為描述此類方法之流程圖，在此實例中，第二量測條件集合為第一量測條件集合之真子集。對一或多個訓練晶圓TW執行作為設置階段之步驟500、510及520。在步驟500處，基於與第一量測條件集合相關之第一量測資料而判定第一量測配方。第一量測條件集合可包含所有可用量測條件。此步驟可包含最佳化量測條件以判定用於特定應用(例如，特定堆疊/目標等)之最佳化量測配方。舉例而言，最佳化量測配方可在給出可用量測條件之情況下提供可能的最準確量測值。然而，其自身不可用於評估配方之效能，以便檢查該配方是否保持健康。在一特定實例中，此步驟可包含基於來自訓練晶圓TW之所有可用資訊而判定顏色/偏振組合之第一加權(例如，以最佳化OCW權重)。

在步驟510處，執行判定或最佳化以判定該第二量測配方(與第一量測配方不同)。步驟500基本上為步驟510之重複，但只要第二量測資料與第一量測條件集合之真子集(亦即，第二量測條件集合)相關，便使用包含第一量測資料之真子集的不同資料集(第二量測資料)。在一特定實例中，此步驟可包含基於來自訓練晶圓TW之可用資訊之真子集而判定顏色/偏振組合之第二加權(例如，以最佳化OCW權重)。資訊之真子集可為可用照明條件、晶圓、每晶圓之量測點、批次中之一或多者的子集。此子集可未必給出最佳量測值，但應對不對稱目標變形之變化敏感。如上文所提及，第二量測資料無需與第一量測條件集合之真子集相關(例如，其中第一量測條件集合為所有可用量測條件之子集)。

在步驟520處，根據分別使用該第一量測配方及第二量測配方執行之一或多個量測的差或其他比較來判定KPI。舉例而言，KPI可包含(例如，最小化)量測值之間的對準位差或疊對差。

可對產生晶圓PW執行步驟530，例如在HVM設置中。當執行量測(無論係對準抑或曝光後度量衡)以獲得生產度量衡資料時，分別使用第一量測配方及第二量測配方而在來自同一目標之第一量測值(第一生產量測資料)與第二量測值(第二生產量測資料)之間進行比較。在第一量測配方及第二量測配方在照明條件方面不同之情況下，例如，有可能量測資料係關於在所有可用照明條件之情況下執行的量測(例如，同步地量測)，且第一及第二量測值係藉由處理此量測資料來判定。基於該比較，度量衡如前所述繼續(例如，其中KPI尚未漂移過多)，或可執行一或多個校正動作。下文將描述校正動作之實例。

當KPI已顯著漂移時，此意謂第一量測配方及第二量測配方不再量測同一量測值，此指示目標中存在新的不對稱性模式或貢獻。

現將描述第二實施例，其中KPI基於將量測資料轉換成統計域之統計分解方法或分量分析方法。將依據主分量分析(PCA)描述該方法，然而，應瞭解可使用任何類似統計方法，諸如(例如)單值分解(SVD)或獨立分量分析(ICA)。

提議將此分量分析(例如PCA)應用於在配方設置階段期間獲得之(例如目標位階(target-level))設置量測資料，以判定彼資料之(例如主)分量。在此類實施例中，KPI可基於(例如，HVM)設置量測資料與量測資料之所判定一或多個主分量(或其他分量)之比較。舉例而言，例如根據任何合適之相似性度量，KPI可為HVM量測資料與主分量之間的相似性(或差異，當然其基本上為相同事物--按照定義，相似性度量亦量化該差異)之量化。在製造階段(例如，HVM)期間，可藉由將HVM量測資料與在配方設置階段期間判定之主分量進行比較來監測量測配方。如前所述，KPI中之任何漂移可觸發校正動作。

量測資料可包含例如波長及/或偏振(例如，如按度量衡工具之不同量測通道所量測)隨效能參數或量測參數之變化中之一或多者。隨照明條件變化之此等變化度量通常稱為搖擺曲線。更特定言之，量測資料可包含以下中之一或多者(呈任何組合)： ●  APD搖擺曲線； ●  信號強度搖擺曲線； ●  強度不平衡性(Q)搖擺曲線； ●  強度不對稱性度量搖擺曲線，諸如A+/A-曲線(例如，用於基於強度不對稱性之疊對技術，其中A+為來自第一偏置或正偏置目標之互補繞射階之強度不對稱性或強度差，且A-為來自第二偏置或負偏置目標之互補繞射階之強度不對稱性或強度差)； ●  疊對搖擺曲線(例如，用於基於影像之疊對度量衡技術，諸如盒中盒(box-in-box)疊對度量衡)。

主分量基本上就比經量測資料中之可觀測量少的參數而言描述在配方設置階段期間所量測之設置量測資料。舉例而言，若存在兩個主程序變化，則可存在僅兩個強主分量，即使存在多個量測設置或多個量測通道，例如，色彩+偏振+強度通道。舉例而言，可存在4個與100個之間的通道/量測條件或4個與50個之間的通道/量測條件(例如，4個、12個、24個或48個通道)。各主分量搖擺曲線可描述為矢量，例如具有對應於量測通道之數目(例如4/12/24/48)的長度。當然，您可出於任何原因始終忽略一或多個顏色/通道，例如其不提供可靠資料。

以此方式，量測資料之主分量(例如，各自包含各別搖擺曲線)可各自與各別不對稱性模式或程序變化對應。藉助於特定實例，可對與經受兩種(主導)程序變化(例如，光柵側壁角變化及層厚度變化)之目標/晶圓相關的度量衡資料執行配方設置階段。在此情況下，PCA將判定對應於此等兩種程序變化之兩個APD搖擺曲線(亦即，兩個主分量)。若在製造期間，出現第三程序變化(例如，頂部傾斜)，則針對HVM量測資料判定之APD搖擺曲線將與在設置階段中判定之兩個主分量(及其組合)不同。此差異(例如，相對於相似性度量)可用於標記動作，此係因為最佳化量測配方可不再為最佳的。

因此，KPI量化藉由主分量描述之HVM量測資料之緊密程度。當在標記位階處進行此操作時，此通常將不需要對HVM量測資料之任何主分量分析(如在判定主分量時)。KPI可描述主分量與HVM量測(之最佳組合)之間的相似性。此KPI可標準化。若超出臨限值，則KPI可與臨限值及旗標相比較。

圖6為描述此類方法之流程圖。在對訓練晶圓TW執行之配方設置階段中，步驟600包含判定最佳化量測配方(例如，使用所有可用量測條件)。此步驟可與先前實施例之步驟500相同。在步驟610處，對用於判定最佳化量測配方之量測資料執行分量分析或統計分解(例如PCA)，以判定KPI可基於之量測資料之主分量或獨立分量。此等主分量或獨立分量可包含各別搖擺曲線。在步驟620處，在關於來自生產晶圓PW之生產度量衡資料之生產階段中，將生產度量衡資料(例如，亦呈搖擺曲線或其向量表示之形式)與所判定主/獨立分量進行比較，其中KPI描述其相似性/差異。

在任一實施例中，若KPI尚未顯著或至少地漂移過多，則可得出以下結論：程序變化(例如，光柵不對稱性、層厚度等)與配方設置期間所觀測到之程序變化類似。若KPI已漂移，則其指示可需要校正動作之程序變化之改變。

校正動作可包含執行新配方設置以獲得新量測配方。然而，此就時間而言產生較大開銷，且因此可取決於KPI已漂移之程度而採取更複雜之方法(例如，可存在用於觸發不同動作之KPI的多個臨限值)。在特定實施例中，可根據該開銷對動作進行排列；例如： 1.  在處理期間量測可失效或給予較低權重；例如，當計算晶圓柵格時，對準量測可失效或給予較低權重。柵格中之點的權重接著為此KPI之函數(例如成反比)； 2.  (在對準內容背景中)可觸發新的多目標對準基準量測，從而僅基於對準而最佳化權重。在其他內容背景中，此可包含僅基於生產量測資料而判定新配方最佳化； 3.  -當KPI觸發時，OCW配方(其與曝光相關)及(/或)主分量(其與理解經量測信號是否仍匹配期望/為OK的相關)可在『陰影模式』下更新。此可包含曝光晶圓且接著量測經曝光晶圓上之疊對。經量測疊對可用於更新OCW配方(此並不妨礙掃描儀產出量，此為高度理想的；在接收配方更新時將存在一些延遲，但假定KPI(亦即，程序)在彼時尚未漂移過多，則此可為可接受的)。同時，基於疊對資料更新OCW權重，亦可基於對準資料(其觸發KPI)來更新主分量。 4.  可觸發全新的OCW訓練(最佳化用於新集合之權重)；此需要等待對此等特定晶圓之疊對量測變得可用。

應瞭解，術語顏色與波長同義地用於整個此本文中，且顏色可包括可見頻帶外部之彼等顏色(例如，紅外或紫外波長)。

儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。

雖然上文可特定地參考在光學微影之內容背景中本發明之實施例的使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形(topography)定義在基板上產生之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋全部類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或約為365、355、248、193、157或126 nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在1至100 nm之範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。

術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。反射組件很可能用於在UV及/或EUV範圍內操作之設備中。

本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，但應僅根據申請專利範圍及其等效者來界定。

可藉由以下條項進一步描述本發明之實施例。 1.  一種用於判定用於一度量衡程序之至少一個效能指示符之方法，該效能指示符指示使用一第一量測配方執行之一量測的量測效能，該方法包含： 獲得與一或多個設置基板及一第一量測條件集合相關之第一量測資料； 基於該第一量測資料判定該第一量測配方；及 根據以下來判定該至少一個效能指示符： 該第一量測資料之自一分量分析或統計分解獲得的一或多個分量；或 關於該第一量測配方之一或多個第一量測值與關於一第二量測配方之一或多個第二量測值的一比較，其中該第二量測配方係基於第二量測資料而判定，該第二量測資料不同於該第一量測資料且與一第二量測條件集合相關，該第二量測條件集合不同於該第一量測條件集合。 2.  如條項1之方法，其中該判定一第一量測配方包含將該第一量測配方最佳化為該第一量測條件集合之一子集，以便最佳化使用該第一量測配方執行之量測之準確度。 3.  如條項2之方法，其中該最佳化該第一量測配方包含判定待用於一量測之一或多個照明條件及/或判定待用於一量測之該等照明條件中之每一者的一加權。 4.  如任一前述條項之方法，其中根據該一或多個第一量測值與該一或多個第二量測值之該比較來判定該效能指示符。 5.  如條項4之方法，其中根據該一或多個第一量測值與該一或多個第二量測值之一差來判定該效能指示符。 6.  如條項4或5之方法，其中該第二量測條件集合在以下中之一或多者方面與該第一量測條件集合不同： 用於獲得各別量測資料之照明條件， 與該各別量測資料相關之強度不平衡性量測 該一或多個設置基板， 該一或多個設置基板中之每一者上的量測點， 該一或多個設置基板之批次或群組，或 此等中之兩者或更多者之任何組合。 7.  如條項4至6中任一項之方法，其包含將該第二量測配方最佳化為該第二量測條件集合之一子集，以便最佳化使用該第二量測配方執行之量測的準確度，且使得該一或多個第一量測值與該一或多個第二量測值類似。 8.  如條項4至7至中任一項之方法，其中該第二量測資料包含該第一量測資料之一真子集，且該第二量測條件集合包含該第一量測條件集合之一真子集。 9.  如條項8之方法，其中該第二量測條件集合包含照明條件之一真子集，該等照明條件包含於該第一量測條件集合內，且 該最佳化該第二量測配方包含判定待用於一量測之一或多個照明條件及/或判定待用於一量測之該等照明條件中之每一者的一加權。 10.    如條項4至9中任一項之方法，其包含： 獲得與使用該第一量測配方對一生產基板執行之度量衡相關的第一生產量測資料； 獲得與使用該第二量測配方對一生產基板執行之度量衡相關的第二生產量測資料；及 將該第一經處理生產量測資料與該第二經處理生產量測資料進行比較。 11.    如條項1至3中任一項之方法，其中根據該第一量測資料之自以下獲得的一或多個分量來判定該至少一個效能指示符： 一主分量分析； 一獨立分量分析；或 一單值分解。 12.    如條項11之方法，其中該量測資料包含一或多個搖擺曲線，其中各搖擺曲線描述一量測參數隨照明條件之變化。 13.    如條項12之方法，其中該量測資料包含呈任何組合形式之一或多者： 一量測偏移搖擺曲線； 一信號強度搖擺曲線； 一強度不平衡性搖擺曲線； 一強度不對稱性度量搖擺曲線； 一疊對搖擺曲線。 14.    如條項11至13中任一項之方法，其包含： 獲得與該第一量測配方相關之生產量測資料；及 將該至少一個效能指示符判定為該等生產量測資料與該第一量測資料之該一或多個分量的一比較。 15.    如條項10或14之方法，其包含將比較步驟之結果與至少一個臨限值進行比較，且若超出該至少一個臨限值，則執行至少一個校正動作。 16.    如條項15之方法，其中該至少一個校正動作包含執行一配方設置以判定一新的第一量測配方。 17.    如條項15或16之方法，其中該至少一個校正動作包含使一加權失效及/或將該加權應用於該生產量測資料。 18.    如條項15、16或17之方法，其中該至少一個臨限值包含複數個臨限值，每一臨限值與一對應不同校正動作相關。 19.    如條項10或條項14至18中任一項之方法，其包含執行一度量衡動作以獲得該生產度量衡資料。 20.    如條項10或條項14至19中任一項之方法，其中該生產量測資料包含對準資料，且該第一量測配方包含用於對準度量衡之一量測配方。 21.    如條項10或條項14至20中任一項之方法，其中該生產量測資料包含曝光後度量衡資料，且該第一量測配方包含用於曝光後度量衡之一量測配方。 22.    如條項21之方法，其中該曝光後度量衡資料包含疊對或聚焦資料，且該第一量測配方包含用於疊對或聚焦度量衡之一量測配方。 23.    一種包含程式指令之電腦程式，該等程式指令可操作以在運行於一合適設備上時執行如任何前述條項中任一項之方法。 24.    一種非暫時性電腦程式載體，其包含如條項23之電腦程式。 25.    一種處理配置，其包含： 如條項24之非暫時性電腦程式載體；及 一處理器，其可操作以運行包含於該非暫時性電腦程式載體上之該電腦程式。 26.    一種度量衡設備，其包含如條項25之處理配置。 27.    如條項26之度量衡設備，其包含一散射計且可操作以量測曝光後度量衡資料。 28.    一種對準感測器，其包含如條項25之處理配置。 29.    一種微影設備，其包含： 如條項28之對準感測器； 一圖案化裝置支撐件，其用於支撐一圖案化裝置；及 一基板支撐件，其用於支撐一基板。

2:輻射投影儀 4:光譜儀偵測器 5:輻射 6:光譜 8:結構或輪廓 10:反射或散射輻射 200:步驟 202:步驟/量測資訊 204:步驟/量測資訊 206:配方資料 208:量測資料 210:步驟 212:步驟 214:步驟 216:步驟 218:步驟 220:步驟 500:步驟 510:步驟 520:步驟 530:步驟 600:步驟 610:步驟 620:步驟 AD:調整器 AM:標記 AS:對準感測器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 CO:聚光器 EXP:曝光站 IB:資訊攜載光束 IF:位置感測器 IL:照明系統/照明器 IN:積光器 KPI:效能指示符 LA:微影設備 LS:位階感測器 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化裝置/遮罩 MEA:量測站 MT:圖案化裝置支撐件/支撐結構 OL:物鏡 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:光偵測器 PM:第一定位器 PS:投影系統 PU:處理單元 PW:第二定位器 RB:輻射光束 RF:參考框架 SI:強度訊號 SM:光點鏡面 SO:輻射源 SP:照明光點 SRI:自參考干涉計 TW:訓練晶圓 W:基板 W':基板 W'':基板 WTa:基板台 WTb:基板台 X:方向 Y:方向 Z:晶圓高度

現將僅藉助於實例參考隨附圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪微影設備； 圖2示意性地說明圖1之設備中之量測及曝光程序； 圖3為根據本發明之一實施例的可調式對準感測器之示意性說明； 圖4示意性說明散射量測設備； 圖5為根據第一實施例之方法的流程圖；及 圖6為根據第二實施例之方法的流程圖。

500:步驟 510:步驟 520:步驟 530:步驟 KPI:效能指示符 PW:第二定位器 TW:訓練晶圓

Claims (21)

1. 一種用於判定用於一度量衡程序之至少一個效能指示符之方法，該效能指示符指示使用一第一量測配方執行之一量測的量測效能，該方法包含： 獲得與一或多個設置基板及一第一量測條件集合相關之第一量測資料； 基於該第一量測資料判定該第一量測配方；及 根據以下來判定該至少一個效能指示符： 該第一量測資料之自一分量分析或統計分解獲得的一或多個分量；或 關於該第一量測配方之一或多個第一量測值與關於一第二量測配方之一或多個第二量測值的一比較，其中該第二量測配方係基於第二量測資料而判定，該第二量測資料不同於該第一量測資料且與一第二量測條件集合相關，該第二量測條件集合不同於該第一量測條件集合。
2. 如請求項1之方法，其中該判定一第一量測配方包含：將該第一量測配方最佳化為該第一量測條件集合之一子集，以便最佳化使用該第一量測配方執行之量測之準確度。
3. 如請求項2之方法，其中該最佳化該第一量測配方包含：判定待用於一量測之一或多個照明條件及/或判定待用於一量測之該等照明條件中之每一者的一加權。
4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中根據該一或多個第一量測值與該一或多個第二量測值之該比較來判定該效能指示符。
5. 如請求項4之方法，其中根據該一或多個第一量測值與該一或多個第二量測值之一差來判定該效能指示符。
6. 如請求項4之方法，其中該第二量測條件集合在以下中之一或多者方面與該第一量測條件集合不同： 用於獲得各別量測資料之照明條件， 與該各別量測資料相關之強度不平衡性量測 該一或多個設置基板， 該一或多個設置基板中之每一者上的量測點， 該一或多個設置基板之批次或群組，或 此等中之兩者或更多者之任何組合。
7. 如請求項4之方法，其包含將該第二量測配方最佳化為該第二量測條件集合之一子集，以便最佳化使用該第二量測配方執行之量測的準確度，且使得該一或多個第一量測值與該一或多個第二量測值類似。
8. 如請求項4之方法，其中該第二量測資料包含該第一量測資料之一真子集，且該第二量測條件集合包含該第一量測條件集合之一真子集。
9. 如請求項8之方法，其中該第二量測條件集合包含照明條件之一真子集，該等照明條件包含於該第一量測條件集合內，且 該最佳化該第二量測配方包含判定待用於一量測之一或多個照明條件及/或判定待用於一量測之該等照明條件中之每一者的一加權。
10. 如請求項4之方法，其包含： 獲得與使用該第一量測配方對一生產基板執行之度量衡相關的第一生產量測資料； 獲得與使用該第二量測配方對一生產基板執行之度量衡相關的第二生產量測資料；及 將該第一生產量測資料與該第二生產量測資料進行比較。
11. 如請求項1至3中任一項之方法，其中根據該第一量測資料之自以下獲得的一或多個分量來判定該至少一個效能指示符： 一主分量分析； 一獨立分量分析；或 一單值分解。
12. 如請求項11之方法，其中該量測資料包含一或多個搖擺曲線，其中各搖擺曲線描述一量測參數隨照明條件之變化。
13. 如請求項10之方法，其中該生產量測資料包含對準資料，且該第一量測配方包含用於對準度量衡之一量測配方。
14. 如請求項10之方法，其中該生產量測資料包含曝光後度量衡資料，且該第一量測配方包含用於曝光後度量衡之一量測配方。
15. 一種包含程式指令之電腦程式，該等程式指令可操作以在運行於一合適設備上時執行如請求項1至14中任一項之方法。
16. 一種非暫時性電腦程式載體，其包含如請求項15之電腦程式。
17. 一種處理配置，其包含： 如請求項16之非暫時性電腦程式載體；及 一處理器，其可操作以運行包含於該非暫時性電腦程式載體上之該電腦程式。
18. 一種度量衡設備，其包含如請求項17之處理配置。
19. 如請求項18之度量衡設備，其包含一散射計且可操作以量測曝光後度量衡資料。
20. 一種對準感測器，其包含如請求項19之處理配置。
21. 一種微影設備，其包含： 如請求項20之對準感測器； 一圖案化裝置支撐件，其用於支撐一圖案化裝置；及 一基板支撐件，其用於支撐一基板。