TWI909905B

TWI909905B - 基板製程方法

Info

Publication number: TWI909905B
Application number: TW113150851A
Authority: TW
Inventors: 權捧秀; 金道賢; 朴柔悧
Original assignee: 南韓商Ｔｅｓ股份有限公司
Priority date: 2023-12-27
Filing date: 2024-12-26
Publication date: 2025-12-21

Abstract

揭示一種對形成於氧化矽層的表面且具有較所述氧化矽層的密度低的密度的再生長氧化矽進行選擇性蝕刻的基板製程方法。根據本發明實施例的基板製程方法包括以下步驟：(a)在反應腔室內佈置包含再生長氧化矽的基板；以及(b)向所述反應腔室內供應蝕刻氣體，以對在所述氧化矽層的表面生成的再生長氧化矽進行乾式蝕刻，且所述乾式蝕刻步驟在40℃以下並利用HF及H₂O作為蝕刻氣體來執行。

Description

基板製程方法

本發明是有關於一種基板製程方法。

更詳細而言，本發明是有關於一種可有效地去除在使用磷酸基蝕刻劑對氮化矽層進行濕式蝕刻中在氧化矽層的隅角生成的再生長氧化矽的基板製程方法。

近來隨著半導體元件的微細化，半導體元件逐漸高積體化。由於氮化矽膜用作在化學上具有穩定的特性的介電膜或絕緣膜，因此不僅在記憶體元件的基本的元件分離製程中廣泛使用而且在接觸窗（Contact）製程或頂蓋（Capping）製程中用作側壁（Sidewall）原材料等的動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory，DRAM）及快閃記憶體（FLASH Memory）製造製程中廣泛使用。

另一方面，在製造半導體元件時，有時在基板上交替形成有多層氧化矽層及氮化矽層。在此情況下，為了對氮化矽層進行選擇性蝕刻，應應用相較於氧化矽層而具有高蝕刻選擇比的蝕刻劑。

以往，已知磷酸基蝕刻劑是相較於氧化矽層具有高蝕刻選擇比的蝕刻劑。使用磷酸基蝕刻劑對氮化矽層進行蝕刻相當於濕式蝕刻。

已知，利用磷酸基蝕刻劑對氮化矽層進行濕式蝕刻伴隨著根據以下反應式1的反應，且在高溫下執行。

[反應式1] 3Si₃N₄ + 27H₂O + 4H₃PO₄ ↔ 4(NH₄)₃PO₄+9H₂OSiO₂

此時，在使用磷酸基蝕刻劑對氮化矽層進行濕式蝕刻中，在氧化矽層的隅角部分產生的再生長氧化矽（再生長氧化物（Regrowth Oxide））的生成成為問題。

已知，此種再生長氧化矽會影響後續製程，且是使最終製造的半導體元件的電特性下降的因素。

一般而言，已知磷酸基蝕刻劑中包含矽基化合物作為添加劑，從而生成再生長氧化矽。為解決該問題，截止目前的方法提出藉由調整磷酸基蝕刻劑中包含的添加劑等來抑制在氮化矽層的濕式蝕刻中再生長氧化矽自身生成。但是，該些方法存在對氮化矽層的濕式蝕刻製程時間非常長的缺點。

[發明所欲解決之課題]

如上所述，在以往氮化矽層的濕式蝕刻中抑制再生長氧化矽自身生成的方法具有製程時間非常長的缺點。

對此，本發明欲解決的課題是提供一種基板製程方法，可藉由單獨的乾式蝕刻方法有效地去除再生長氧化矽，而並非在進行氮化矽層的濕式蝕刻時生成再生長氧化矽。

另外，在本發明中欲解決的課題是提供一種可提高再生長氧化矽對藉由沉積等形成的氧化物的蝕刻選擇比的基板製程方法。

[解決課題之手段]

為了解決所述課題，根據本發明一實施例的基板製程方法是對形成於氧化矽層的表面且具有較所述氧化矽層的密度低的密度的再生長氧化矽進行選擇性蝕刻的基板製程方法，包括以下步驟：（a）在反應腔室內佈置包含再生長氧化矽的基板；以及（b）向所述反應腔室內供應蝕刻氣體，以對於所述氧化矽層的表面生成的再生長氧化矽進行乾式蝕刻，所述乾式蝕刻步驟在40℃以下並利用HF及H₂O作為蝕刻氣體來執行。

較佳為，所述（b）步驟可在-10℃至20℃的基板溫度下執行。

較佳為，所述（b）步驟可在1.2托～4.0托的製程壓力下執行。更佳為，所述（b）步驟可在1.2托～3.0托的製程壓力下執行。

較佳為，所述（b）步驟可以70標準立方公分/分鐘（standard cubic centimeter per minute，sccm）～100 sccm的HF流量執行。另外，較佳為所述（b）步驟可以50 sccm～300 sccm的H₂O流量執行。

較佳為，在所述乾式蝕刻後，為去除反應副產物，可更包括對基板進行升溫的步驟。

較佳為，在將所述乾式蝕刻、所述升溫及吹掃作為單位循環時，可執行多次循環。

為了解決所述課題，根據本發明另一實施例的基板製程方法包括以下步驟：（a）利用磷酸基蝕刻劑，在積層有氧化矽層與氮化矽層的基板對氮化矽層進行濕式蝕刻；（b）使用蝕刻氣體對在所述（a）步驟中於所述氧化矽層的表面生成的再生長氧化矽進行乾式蝕刻，所述（b）步驟在40℃以下並利用HF及H₂O作為蝕刻氣體來執行。

較佳為，所述（b）步驟可在-10℃至20℃的基板溫度下執行。

較佳為，所述（b）步驟可在1.2托～4.0托的製程壓力下執行。

較佳為，所述（b）步驟可以70 sccm～100 sccm的HF流量執行。

較佳為，所述（b）步驟可以50 sccm～300 sccm的H₂O流量執行。

[發明的效果]

根據本發明的基板製程方法，在40℃以下、更佳為-10℃至20℃的基板溫度下，藉由利用HF及H₂O作為蝕刻氣體的乾式蝕刻，可以高選擇比有效地去除藉由磷酸濕式蝕刻製程等生成的再生長氧化矽。

另外，在本發明的情況下，使用HF及H₂O作為蝕刻氣體，結果，相較於使用HF及NH₃的情形，可提高氧化物-氮化物-氧化物（ONO）堆疊的中間側及下部側的再生長氧化矽的蝕刻選擇比而不會使ONO堆疊的上部側的氧化矽膜受損。

另外，在本發明的情況下，可藉由控制製程溫度、製程壓力及蝕刻氣體流量來提高再生長氧化矽的去除效果。

本發明的效果不限於以上所提及的效果，對本領域技術人員而言可藉由以下詳細的說明清楚地理解未提及的另一效果。

本發明的優點及特徵、以及達成所述優點及特徵的方法將參照附圖以及以下詳細闡述的實施例而變得明確。然而，本發明並不限定於以下揭示的實施例，而是以彼此不同的各種形態實現，但本實施例僅是為了使本發明的揭示完整，且對本發明所屬技術領域中具有通常知識者完整地告知發明的範疇而提供，且本發明僅由申請專利範圍的範疇來定義。

提及要素或層位於另一要素或層的「上部」或「下部」不僅包括直接位於另一要素或層的上方或下方，而且包括中間介置有其他層或其他要素的情況。另外，當記載某要素與另一要素「連接」、「結合」或「相連」時，所述要素可彼此直接連接或相連，但應理解為各要素之間可「介置」其他要素或各要素藉由其他要素「連接」、「結合」或「相連」。

本說明書中使用的用語是為了對實施例進行說明，因此並非為了限制本發明。在本說明書中，除非在上下文中特別提及，否則單數型亦包括複數型。說明書中使用的「包含」及/或「包含的」不排除所提及的要素、元件、步驟及/或動作存在或添加一個以上其他要素、元件、步驟及/或動作。

以下，參照附圖關於根據本發明較佳實施例的基板製程方法詳細地進行說明，如下所示。

根據本發明實施例的基板製程方法是有關於在堆疊有氧化矽層與氮化矽層的基板中去除在氧化矽層表面形成的再生長氧化矽膜的方法。

所述基板例如可為包括氧化矽層與氮化矽層交替積層的氧化物-氮化物-氧化物（Oxide-Nitride-Oxide，ONO）堆疊的基板。例如，ONO堆疊可具有氧化矽層與氮化矽層交替積層數次、數十次、甚至200層～400層的結構。在ONO堆疊中形成貫通孔，從而可使所述氧化矽層及氮化矽層的側面暴露出。

在本發明中，ONO堆疊的上部側（top）可為自ONO堆疊的表面在向下方向上至1/3的部分，ONO堆疊的下部側（bottom）可為自ONO堆疊的基板接觸面在向上方向上至1/3的部分，ONO堆疊的中間側（center）可為上部側與下部側之間的部分。

圖1概略性地示出藉由磷酸濕式蝕刻製程在ONO堆疊的中間側及下部側生成再生長氧化矽膜的情形。

參照圖1，藉由磷酸濕式蝕刻製程進行ONO堆疊的氮化矽層的蝕刻。與此同時，在ONO堆疊的氧化矽層表面生成再生長氧化矽膜（210）。在圖1中示出，主要在ONO堆疊的中間側（center）及下部側（bottom）處生成再生長氧化矽膜，特別是在ONO堆疊的下部側處形成大量的再生長氧化矽膜。

當存在此種再生長氧化矽膜時，難以進行沉積等後續製程，因此需要去除。

本發明的發明者等人長期研究的結果，得知在40℃以下的基板溫度下，執行利用HF及H₂O作為蝕刻氣體的乾式蝕刻，可有效地去除藉由磷酸濕式蝕刻製程等生成的再生長氧化矽膜，特別是得知，可以較ONO堆疊的氧化矽層高的選擇比去除再生長氧化矽膜。

更具體而言，根據本發明實施例的基板製程方法包括氮化矽層濕式蝕刻步驟及再生長氧化矽乾式蝕刻步驟。

在氮化矽層濕式蝕刻步驟中，使用磷酸基蝕刻劑對氮化矽層進行濕式蝕刻。磷酸基蝕刻劑可使用包括磷酸在內的已知的蝕刻劑。為了提高氮化矽層對氧化矽層的蝕刻選擇比，磷酸基蝕刻劑中可包含如六氟矽酸鹽、四乙基正矽酸鹽（tetraethyl orthosilicate，TEOS）等矽基化合物。

如上所述，為了在積層有氧化矽層與氮化矽層的基板對氮化矽層進行選擇性蝕刻，在使用磷酸基蝕刻劑對氮化矽層進行濕式蝕刻時，可能在氧化矽層表面生成再生長氧化矽。此種再生長氧化矽相較於藉由沉積等形成的氧化矽層，在具有相對低的密度不緻密且具有柔軟的特性方面與藉由沉積或熱氧化等形成的氧化矽層區別開。再生長氧化矽膜可不僅使後續製程變得困難，而且會妨礙元件的電特性，因此需要去除。

以往，使用藉由控制磷酸基蝕刻劑的添加劑等，在濕式蝕刻過程中抑制再生長氧化矽自身生成的方法，但存在製程時間非常長的缺點。因此，在本發明中，藉由乾式蝕刻去除在濕式蝕刻過程中生成的再生長氧化矽來代替在濕式蝕刻過程中抑制再生長氧化矽的生成。

更具體而言，在乾式蝕刻步驟中，使用蝕刻氣體對在濕式蝕刻步驟中於氧化矽層表面生成的再生長氧化矽進行乾式蝕刻。具體而言，對氧化矽層表面的具有較所述氧化矽層的密度低的密度的再生長氧化矽進行選擇性乾式蝕刻。乾式蝕刻可執行1個循環，較佳為亦可執行多個循環（n個循環）。單位循環可包括乾式蝕刻-升溫-吹掃。在乾式蝕刻執行多個循環的情況下，可帶來例如改善下部損壞等附加優點。

此時重要的是提高再生長氧化矽對藉由沉積、熱氧化等事先形成的氧化矽層的蝕刻選擇比。再生長氧化矽對氧化矽層的蝕刻選擇比可為5:1以上，較佳為10:1以上，且更佳為15:1以上。此種再生長氧化矽對氧化矽層的蝕刻選擇比可藉由調節基板溫度、製程壓力、蝕刻氣體種類及流量等來進行控制，如下所述。

在本發明中，乾式蝕刻可在40℃以下、更佳為-10℃～20℃的基板溫度下，使用HF及水蒸氣（H₂O）作為蝕刻氣體來執行。在此情況下，相較於以往技術，再生長氧化矽的去除效率高。

水蒸氣藉由使液體狀態的水經由汽化器（Vaporizer）氣化，利用質量流量控制器（Mass Flow Controller，MFC）控制流量，從而可流入至反應腔室。在本發明的實施例中，藉由所述方法將水蒸氣供應至反應腔室內。

另一方面，氟化氫（HF）及/或水蒸氣（H₂O）可單獨供應或與如氬氣等惰性氣體一起供應至反應腔室內部。

在乾式蝕刻後，為了去除反應副產物，可添加將基板升溫至約150℃～300℃的步驟。此處，對基板進行升溫的加熱方式並不特別限定，可使用燈加熱、基座加熱及供應高溫氣體等各種方式。另外，即使在使用僅包含氟的蝕刻氣體的乾式蝕刻後，亦可執行以減少氟為目的的升溫步驟。在蝕刻步驟及/或升溫步驟之後，可更包括對反應腔室內部進行吹掃的吹掃步驟及/或將反應腔室內部的氣體去除的抽吸步驟。根據蝕刻氣體的種類，是否應用升溫步驟及製程順序可有所不同。

另外，為了去除再生長氧化矽，乾式蝕刻步驟較佳為在1.2托～4.0托下執行，且更佳為在1.2托～3.0托的製程壓力下執行。當製程壓力小於1.2托時，再生長氧化矽膜的去除效果可能不明顯。相反，當製程壓力超過4托時，同時亦伴隨著對堆疊的氧化矽層的蝕刻，且再生長氧化矽膜的選擇比可大大降低。

另外，在乾式蝕刻步驟中，HF的流量較佳為70 sccm～100 sccm。當HF的流量小於70 sccm時，再生長氧化矽膜的去除效率不高，因此可表現出低選擇比。另外，在HF的流量超過100 sccm的情況下，ONO堆疊的氧化矽層的蝕刻量增加且可表現出低選擇比。

另一方面，H₂O的流量較佳為50 sccm～300 sccm。若H₂O的流量小於50 sccm，則過小，ONO堆疊的氧化矽層的蝕刻量增加且可表現出低選擇比。相反，當H₂O的流量超過300 sccm時，再生長氧化矽膜的去除效率可能不高。

圖2概略性地示出藉由根據本發明實施例的方法進行乾蝕刻製程的基板的圖。

當在40℃以下使用HF及H₂O作為蝕刻氣體執行乾式蝕刻時，如圖2所示的例子所示，可有效地去除再生長氧化矽膜（210）而不會實質性地損傷ONO堆疊的氧化矽層（O）。

圖3的（a）是執行磷酸蝕刻製程的ONO堆疊的下部側的顯微鏡照片，圖3的（b）是使用HF+H₂O作為蝕刻氣體執行蝕刻製程後的ONO堆疊的下部側的顯微鏡照片。

參照圖3，對於乾式蝕刻之前的再生長氧化矽，在20℃的基板溫度下，利用HF+水蒸氣進行乾式蝕刻時，再生長氧化矽的去除效果更優異。另一方面，在100℃以上的基板溫度下，利用HF單獨進行乾式蝕刻時，對再生長氧化矽的去除效果存在限制。

圖4概略性地示出使用HF+NH₃作為蝕刻氣體執行蝕刻製程後的ONO堆疊的上部側。

當使用HF+NH₃作為蝕刻氣體時，由於NH₃吸附於ONO堆疊的上部側的氧化矽層，如圖4所示，ONO堆疊的上部側的氧化矽層可能嚴重受損。

以下，將藉由本發明的較佳實施例更詳細地對本發明的構成及作用進行說明。但是，此僅作為本發明的較佳例示示出，且不能藉此以任何意義解釋為對本發明進行限制。

此處未記載的內容只要是相應技術領域中的熟習者則可充分地在技術上進行類推，因此省略其說明。

以下，再生長氧化物（regrowth oxide，RGO）意指再生長氧化矽或再生長氧化矽膜，且堆疊氧化物（stack oxide，STO）意指堆疊的氧化矽或堆疊的氧化矽膜。

a.u是所有值除以基準值的相對值。

表1、圖5及圖6示出與基板溫度對應的利用HF及水蒸氣的再生長氧化矽（RGO）及堆疊的氧化矽膜（STO）的蝕刻量及選擇比的差異。關於表1，蝕刻中使用的HF及水蒸氣的流量及製程壓力如下所示。 HF：100 sccm 水蒸氣：300 sccm 製程壓力：2托 [表1]

基板溫度（℃）	-10	0	10	20	30	40
RGO（Å）	7.9	8.2	8.945	7.84	7.51	7.47
a.u	0.9875	1.025	1.118125	0.98	0.93875	0.93375
STO（Å）	0.311	0.298	0.284	0.321	0.33	0.346
a.u	0.038875	0.03725	0.0355	0.040125	0.04125	0.04325
選擇性	25.40193	27.51678	31.49648	24.42368	22.75758	21.5896

參照表1等，雖然關於E/A（蝕刻量）無大的差異，但在10℃附近RGO E/A相對高，因此可認為10℃附近向蝕刻氣體添加水蒸氣（H₂O）所帶來的提高選擇比的效果最優異。

表2、圖7及圖8示出根據壓力的再生長氧化矽膜（RGO）及堆疊的氧化矽膜（STO）的蝕刻量及選擇比的差異。（評判基準）

關於表2，蝕刻中使用的HF及水蒸氣流量如下所示。 HF：100 sccm 水蒸氣：300 sccm [表2]

溫度（℃）	10	10	10	10	10
壓力（托）	0.8	1.2	2	3	4
RGO（Å）	3.125	6.412	8.945	9.774	10.962
a.u	0.390625	0.8015	1.118125	1.22175	1.37025
STO（Å）	0.198	0.327	0.419	0.513	0.641
a.u	0.02475	0.040875	0.052375	0.064125	0.080125
選擇性	15.78283	19.60856	21.34845	19.05263	17.1014

參照表2等，可看出隨著壓力的增加，RGO、STO同時增加（相較於RGO，STO略有增加），在約2托下選擇比最優異。

表3、圖9及圖10示出根據壓力的去除再生長氧化矽膜（RGO）所需的循環次數及膜厚度的差異。（圖案基準）

關於表3，蝕刻中使用的HF及水蒸氣的流量如下所示。 HF：84 sccm 水蒸氣：200 sccm [表3]

溫度（℃）	10℃	10℃	10℃
壓力（托）	0.8T	1.2T	2T
RGO去除循環	20	10	7
STO厚度	200	200	200

參照表3等，在約2托的條件下，堆疊的循環次數最少，因此再生長氧化矽的去除快，同時堆疊氧化物的厚度在整體壓力範圍內實質上保持相同。

表4、圖11及圖12示出根據HF流量的再生長氧化矽（RGO）及堆疊的氧化矽（STO）的蝕刻量及選擇比的差異。（圖案基準）

關於表4，蝕刻中使用的水蒸氣流量、基板溫度及製程壓力如下所示。水蒸氣：200 sccm 基板溫度：10℃ 製程壓力：2托 [表4]

	56	84	100
RGO（Å）	5.7	8.2	9.6
a.u	0.7125	1.025	1.2
STO（Å）	0.294	0.288	0.401
a.u	0.03675	0.036	0.050125
選擇性	19.38776	28.47222	23.94015

參照表4等，可看出隨著HF流量的增加，RGO、STO同時增加（相較於RGO，STO略有增加），在84 sccm條件下，對再生長氧化矽的選擇比最優異。

圖13示出除用於去除再生長氧化矽膜的蝕刻氣體的構成外，在相同的蝕刻條件、即相同流量、相同溫度及相同壓力下進行乾式蝕刻製程時，在使用HF+H₂O作為蝕刻氣體的情況及使用HF+NH₃作為蝕刻氣體的情況下再生長氧化矽膜及構成ONO堆疊的氧化矽層的蝕刻量測定結果。

參照圖13，可看出當使用HF+NH₃作為用於去除再生長氧化矽膜的蝕刻氣體時，在ONO堆疊的上部側處ONO堆疊的氧化矽層的蝕刻量高。此可看作是由於NH₃吸附於ONO堆疊的上部側氧化矽層導致ONO堆疊的上部側氧化矽層的受損加劇的結果，另外，可看出ONO堆疊的上部側、中間側及下部側整體上幾乎沒有去除再生長氧化矽膜的效果。

相反，與本發明的實施例相同，可看出當使用HF+H₂O作為用於去除再生長氧化矽膜的蝕刻氣體時，在ONO堆疊的中間側及下部側處對再生長氧化矽膜的蝕刻選擇比相對高，且特別是在ONO堆疊的下部側處對再生長氧化矽膜的蝕刻選擇比非常高。

圖14示出除用於去除再生長氧化矽膜的蝕刻氣體的構成外，在相同的蝕刻條件下進行乾式蝕刻製程時，使用HF+H₂O作為蝕刻氣體的情況及使用HF+NH₃作為蝕刻氣體的情況下的堆疊中間側及堆疊下部側處對再生長氧化矽膜的蝕刻選擇比。

參照圖14，可看出當使用HF+NH₃作為用於去除再生長氧化矽膜的蝕刻氣體時，在ONO堆疊的中間側及下部側處對再生長氧化矽膜的蝕刻選擇比非常低。

但是，與本發明的實施例相同，可看出當使用HF+H₂O作為用於去除再生長氧化矽膜的蝕刻氣體時，在ONO堆疊的中間側及下部側處對再生長氧化矽膜的蝕刻選擇比相對高，且特別是在ONO堆疊的下部側處對再生長氧化矽膜的蝕刻選擇比非常高。另外，可看出與使用HF+NH₃的情況不同，對構成ONO堆疊的氧化矽層幾乎不會產生損傷。

如以上說明所述，根據本發明的基板製程方法，可藉由在低溫下使用HF+水蒸氣進行的乾式蝕刻有效地去除在氮化矽層的濕式蝕刻時生成的再生長氧化矽，且藉由控制蝕刻氣體的種類及流量、基板溫度、製程壓力，可提高再生長氧化矽對藉由沉積等形成的氧化物的蝕刻選擇比。

以上以本發明的實施例為中心進行了說明，但可在所屬技術領域中具有通常知識者的水準上施加各種變更或變形。此種變更與變形在不背離本發明的範圍的情況下均可屬於本發明。因此，本發明的權利範圍應根據以下所記載的申請專利範圍來判斷。

210:再生長氧化矽膜

圖1概略性地示出藉由磷酸濕式蝕刻製程在ONO堆疊的中間側及下部側生成再生長氧化矽膜的情形。圖2概略性地示出藉由根據本發明實施例的方法進行乾式蝕刻製程的基板的圖。圖3的（a）是執行磷酸蝕刻製程的ONO堆疊的下部側的顯微鏡照片，且圖3的（b）是使用HF+H₂O作為蝕刻氣體執行蝕刻製程後的ONO堆疊的下部側的顯微鏡照片。圖4概略性地示出使用HF+NH₃作為蝕刻氣體執行蝕刻製程後的ONO堆疊的上部側。圖5及圖6示出與基板溫度對應的使用HF及水蒸氣的再生長氧化矽膜（RGO）及堆疊的氧化矽膜（STO）的蝕刻量及選擇比的差異。圖7及圖8示出與製程壓力對應的使用HF及水蒸氣的再生長氧化矽膜（RGO）及堆疊的氧化矽膜（STO）的蝕刻量及選擇比的差異。圖9、圖10示出根據製程壓力去除再生長氧化矽膜所需的循環次數及膜厚度的差異。圖11及圖12示出與HF流量對應的再生長氧化矽膜（RGO）及堆疊的氧化矽膜（STO）的蝕刻量及選擇比的差異。圖13示出當使用HF+H₂O作為蝕刻氣體的情形及使用HF+NH₃的情形再生長氧化矽膜及構成ONO堆疊的氧化矽層的蝕刻量測量結果。圖14示出當使用HF+H₂O作為蝕刻氣體的情形及使用HF+NH₃的情形在堆疊中間側及堆疊下部側處對再生長氧化矽膜的蝕刻選擇比。

210:再生長氧化矽膜

Claims

一種基板製程方法，是對形成於氧化矽層的表面且具有較所述氧化矽層的密度低的密度的再生長氧化矽進行選擇性蝕刻的所述基板製程方法，其特徵在於包括以下步驟：（a）在反應腔室內佈置包含所述再生長氧化矽的基板；以及（b）向所述反應腔室內供應蝕刻氣體，以對於所述氧化矽層的所述表面生成的所述再生長氧化矽進行乾式蝕刻，所述乾式蝕刻的步驟在40℃以下並利用HF及H ₂O作為所述蝕刻氣體來執行。
如請求項1所述的基板製程方法，其中：在-10℃至20℃的基板溫度下執行所述（b）步驟。
如請求項1所述的基板製程方法，其中：在1.2托～4.0托的製程壓力下執行所述（b）步驟。
如請求項1所述的基板製程方法，其中：在1.2托～3.0托的製程壓力下執行所述（b）步驟。
如請求項1所述的基板製程方法，其中：以70 sccm～100 sccm的HF流量執行所述（b）步驟。
如請求項5所述的基板製程方法，其中：以50 sccm～300 sccm的H ₂O流量執行所述（b）步驟。
如請求項1所述的基板製程方法，其中：在所述乾式蝕刻後，為去除反應副產物，更包括對所述基板進行升溫的步驟。
如請求項7所述的基板製程方法，其中：在將所述乾式蝕刻、所述升溫及吹掃作為單位循環時，執行多次循環。
一種基板製程方法，包括以下步驟：（a）利用磷酸基蝕刻劑，在積層有氧化矽層與氮化矽層的基板對所述氮化矽層進行濕式蝕刻；以及（b）使用蝕刻氣體對在所述（a）步驟中於所述氧化矽層的表面生成的再生長氧化矽進行乾式蝕刻，所述（b）步驟在40℃以下並利用HF及H ₂O作為所述蝕刻氣體來執行。
如請求項9所述的基板製程方法，其中：在-10℃至20℃的基板溫度下執行所述（b）步驟。
如請求項9所述的基板製程方法，其中：在1.2托～4.0托的製程壓力下執行所述（b）步驟。
如請求項9所述的基板製程方法，其中：以70 sccm～100 sccm的HF流量執行所述（b）步驟。
如請求項12所述的基板製程方法，其中：以50 sccm～300 sccm的H ₂O流量執行所述（b）步驟。
如請求項9所述的基板製程方法，其中：在所述乾式蝕刻後，為去除反應副產物，更包括對所述基板進行升溫的步驟。
如請求項14所述的基板製程方法，其中：在將所述乾式蝕刻、所述升溫及吹掃作為單位循環時，執行多次循環。