TWI905070B - 線圈結構 - Google Patents

Abstract

一種線圈結構應用於無線充電領域。該線圈結構包含電路板以及導體。導體設置於電路板上。導體包含複數匝線圈、入線端、出線端以及複數個第一電容結構。複數匝線圈相對於中心點環繞形成。入線端連接複數匝線圈的最外圈一者。出線端連結複數匝線圈的最內圈一者並越過複數匝線圈的其餘每一者。複數個第一電容結構設置於複數匝線圈的每一者。第一電容結構與出線端的距離小於第一電容結構與入線端的距離，而第一電容結構不與出線端重疊。

Description

線圈結構

本揭示文件有關一種線圈結構，且特別是在線圈中設置電容結構的線圈結構。

在無線充電領域中，電磁共振是一種常見的技術原理。應用電磁共振的無線充電系統通常是由發送端以及接收端兩個部份所組成，而發送端以及接收端均利用線圈結構來傳輸電磁能（electromagnetic energy），進而達成充電的目的。

如何降低線圈結構的能量損耗，並提升線圈結構的磁場強度，藉此強化發送端以及接收端之間的電磁能傳輸，是本領域技術人員所要處理的重要課題。

本揭示文件提供一種線圈結構。該線圈結構應用於無線充電領域，且該線圈結構包含電路板以及導體。導體設置於電路板上。導體包含複數匝線圈、入線端、出線端以及複數個第一電容結構。複數匝線圈相對於中心點環繞形成。入線端連接複數匝線圈的最外圈一者。出線端連結複數匝線圈的最內圈一者並越過複數匝線圈的其餘每一者。複數個第一電容結構設置於複數匝線圈的每一者。第一電容結構與出線端的距離小於第一電容結構與入線端的距離，而第一電容結構不與出線端重疊。

綜上所述，進行無線充電作業時，本揭示文件之線圈結構上的電場強度可被降低，進而抑制因寄生電容所導致之雜散電場，使得線圈結構的溫升降低，並提升磁場穩定性，以提升無線充電裝置之發送端以及接收端的能量傳輸效率。因此，包含所述線圈結構的無線充電裝置可具有較高的充電效率。

以下將配合相關圖式來說明本揭示文件的實施例。圖式中，相同的標號表示相同或類似的元件或方法流程。

請參照第1A、1B圖，第1A圖為依據本揭示文件一實施例的線圈結構100的示意圖，第1B圖為依據本揭示文件一實施例的導體120的示意圖。

線圈結構100可被設置於一無線充電裝置中。所述無線充電裝置可用於任何有需要進行電力傳輸的相關電機設備，例如有軌式或無軌式無人搬運車、無人機等自動駕駛載具進行無線充電。所述無線充電裝置及自動駕駛載具可應用於人員無法輕易到達的特殊環境，例如深海、沙漠或真空環境。藉此降低人員涉險的比例，不需人員親自去操作有線的連接裝置來達成電機設備充電的需求，讓機器可以自動移至充電範圍內，達到全自動化環境的要望，讓機器設備可以不間斷的自動化運作。更進一步，所述無線充電裝置可利用線圈結構100，以電磁共振（resonant）的方式對目標對象（例如，上述的無人搬運車）進行能量傳輸。在一些實施例中，所述無線充電裝置可透過6.78MHz的共振頻率實現上述磁共振式充電。

具體來說，電磁共振無線充電技術的原理是讓電力發送端（例如，線圈結構100）與接收端（例如，上述無人搬運車內建的充電線圈）皆具有調諧至相同共振頻率的諧振線圈，在無需物理接觸的情況下，透過磁場共振耦合機制（magnetic resonance coupling）進行能量傳輸，提升中、遠距離下的無線充電效率。

本揭示文件的線圈結構100可被設置於無線充電裝置的發送端或接收端。線圈結構100係由電路板110以及導體120組成。電路板110可為一固定介質（fixed medium），例如印刷電路板（Printed circuit board，PCB）。導體120可相對一位置（例如，第1A圖的中心點CEN1）環繞形成複數匝線圈，並透過電路板110固定所述複數匝線圈的位置。

導體120的形狀可圓形、四邊形或八邊形等任意形狀，依不同使用情境需求進行調整改變，線圈匝數也不設限 （線圈匝數可為4匝、8匝、16匝、32匝…等不同數量）。第1A圖的導體120之所以為四邊形且具有線圈120_1~120_4，僅用於方便表達線圈結構100的配置，不代表導體120必須是四邊形，導體120的線圈數量亦不限於4匝。導體120可包含入線端IT1以及出線端OT1。入線端IT1以及出線端OT1分別連接導體120的兩端，用以使電流流經導體120的複數匝線圈。入線端IT1可連接複數匝線圈的其中一端（例如，複數匝線圈的最外圈一者，）。出線端OT1可連結複數匝線圈的另一端（例如，複數匝線圈的最外圈一者）。

在一些實施例中，入線端IT1連接線圈120_4，沿著第一方向D1延伸，如第1A圖所示。在該些實施例中，出線端OT1連接線圈120_1，從線圈120_1~120_4的下方越過所述複數匝線圈，沿著第一方向D1延伸，或由最內層線圈往最外層線圈之方向，向外延伸。

在另一些實施例中，入線端IT1連接線圈120_4，沿著垂直於第一方向D1的第二方向D2延伸，如第1B圖所示。在該些實施例中，出線端OT1連接線圈120_1，且同樣沿著第二方向D2延伸。假設線圈120_1~120_4係設置於空間中的第一平面，第二方向D2可被視為垂直於所述第一平面。

在其他實施例中，入線端IT1可沿著第一方向D1延伸，而出線端OT1沿著第二方向D2延伸（未繪示）。導體120之所述複數匝線圈的每一者上均可設置至少一電容結構。如第1A圖的實施例所示，線圈120_1~ 120_4上可分別設置第一電容結構C1~C4。線圈120_1~120_4的每一者上可具有至少一個介電物質，例如：紙、尼龍、多苯乙烯、鐵氟龍、陶瓷、矽、矽油等。若所述介電物質為空氣等非固體或液體之物質，則在線圈上可形成一縫隙，所述縫隙可對應形成第一電容結構C1~C4。第一電容結構C1~C4以及線圈120_1~120_4為一體成型。

如第1A圖所示，第一電容結構C1~C4可沿著第一方向D1對齊。並且，第一電容結構C1~C4與出線端OT1的距離會小於第一電容結構C1~C4與入線端IT1的距離，而第一電容結構C1~C4設置於線圈上的位置，不會與出線端OT1延伸出每一匝線圈的位置相互重疊。

當電流流經線圈結構100時，由於本發明在線圈120_1～120_4之間配置第一電容結構C1～C4，可有效降低線圈單元間的寄生電容耦合效應，進而抑制因寄生電容所導致之雜散電場，使整體線圈結構100上的電場強度顯著降低，達成場域集中與電場分佈均勻化的效果。第一電容結構C1～C4進一步與線圈單元形成電感電容共振（LC共振）迴路，使線圈結構100具備較高的品質因數（Q factor），有助於提升能量聚焦效率與磁場穩定性。

在較佳實施例中，當第一電容結構C1～C4設置於相鄰於出線端OT1的位置時，因電流自入線端IT1流向出線端OT1，於導體路徑中易產生累積性的寄生電壓差（parasitic voltage drop）與局部電場集中效應，導致該區域之介質損耗與潛在輻射損失增加。然透過本揭示將電容設置於該區域，可有效調整局部阻抗，並釋放過度電壓差與抑制電場尖峰，進一步形成電場分佈穩定、阻抗匹配良好的傳輸通道，從而降低整體功率損耗，提升無線電力傳輸效率。

進一步地，藉由電感與第一電容結構C1～C4所形成的共振網路，除了提供高效率能量耦合之外，亦可作為一具有頻率選擇性之被動濾波裝置。所述被動濾波裝置能通過目標共振頻率的能量傳輸，同時抑制非共振頻段之高頻雜訊與次諧波成分，有效過濾因開關動作、諧波反射或外部射頻干擾（RFI）所導致之雜散電磁波，降低系統中由干擾引起的能量損耗與場域失真。透過上述的濾波效應，可使無線充電裝置在運作時的場域控制更加集中穩定，提升主磁場與接收端線圈之間的共振耦合效率，並在實務應用中強化系統於高頻操作環境下的抗干擾能力。再者，由於線圈結構100的整體電阻損耗與渦電流損耗同步降低，整體功耗隨之減少，進一步提升裝置的能量保留率與傳輸效率。綜合上述，本發明之線圈與電容共振結構同時具備能量耦合增強、電場分佈抑制與濾波抗干擾等多重功能，適用於高效率且穩定的無線電力傳輸應用。

值得一提的是，在一些實施例中，第一電容結構C1~C4均具有相同的電容值，據此來簡化製程上的工序，並降低線圈結構100製作上的成本。

在另一些實施例中，第一電容結構C1~C4具有不同的電容值。具體來說，第一電容結構C1~C4的電容值從設置於線圈120_1~120_4的最內圈一者向設置於最外圈依序遞減。即，第一電容結構C1~C4的電容值由大至小依序為：第一電容結構C1、第一電容結構C2、第一電容結構C3、第一電容結構C4。

相較於具有相同電容值的電容結構，當第一電容結構C1~C4具有從內圈到外圈逐漸遞減的不同電容值，便可有效地調整線圈120_1~ 120_4上的電場分布，即達到更好的濾波效果，避免線圈結構100的局部電場過強而造成能量損耗。此外，透過不同電容值的電容配置，可微調線圈120_1~ 120_4上的局部電磁共振頻率，使得線圈結構100的整體磁場更為穩定，有助於讓無線充電裝置將能量集中於磁場傳輸，以此提升線圈結構100的品質因數以及充電效率。

請參照第2A~2D圖。第2A圖為依據本揭示文件一實施例的導體120的示意圖。第2B~2D圖為依據本揭示文件的不同實施例之第一電容結構C1的示意圖。

第2A圖中的導體120可對應第1A圖中的導體120。第2A圖中的導體120同樣係設置於電路板110。

第2A圖中標示了三個不同方向：第一方向D1、第二方向D2以及第三方向D3。第一方向D1、第二方向D2以及第三方向D3三者相互垂直，可被視為三維空間的三軸。導體120的複數匝線圈設置於第一平面上，而所述第一平面係由第一方向D1及第三方向D3組成的二維平面。入線端IT1以及出線端OT1均在第二方向D2上跟所述複數匝線圈相距長度L1的距離，並且，入線端IT1以及出線端OT1均沿著第一方向D1延伸。

在本揭示文件的不同實施例的每一者中，第一電容結構C1~C4具有相似結構。第2B~2D圖僅揭示不同實施例中第一電容結構C1的結構，第一電容結構C2~C4可對應參照第一電容結構C1的下述內容。

在第2B圖中，第一電容結構C1包含複數個第一延伸臂ARM1以及複數個第二延伸臂ARM2。每個第一延伸臂ARM1均由第一縫隙GAP1的第一側SD1延伸而出，每個第二延伸臂ARM2均由第一縫隙GAP1的第二側SD2延伸而出，第一延伸臂ARM1的長度以及第二延伸臂ARM2的長度均小於第一縫隙GAP1之第一側SD1到第二側SD2的距離。第一延伸臂ARM1與第二延伸臂ARM2交錯設置，每個第一延伸臂ARM1與相鄰的兩個第二延伸臂ARM2間隔的距離為第一間距GAPA。第一延伸臂ARM1、第二延伸臂ARM2會在線圈結構100中起到電容元件的作用。

在一些實施例中，複數個第一延伸臂ARM1以及複數個第二延伸臂ARM2之間的第一間距GAPA均具有相同寬度。

在另一些實施例中，所述複數個第一間距GAPA可依據不同的使用需求而具有不同寬度。換言之，該些第一延伸臂ARM1以及該些第二延伸臂ARM2所間隔的距離可不相同。透過設置不同寬度的第一間距GAPA，可使第一電容結構C1具有不同的電容值。

值得一提的是，在第2B圖的實施例中，電路板110設置於由第一方向D1及第三方向D3組成的所述第一平面，而第一延伸臂ARM1的每一者以及第二延伸臂ARM2的每一者係在所述第一平面上交錯設置。

第2C圖中的第一電容結構C1與第2B圖中的第一電容結構C1同樣具有複數個第一延伸臂ARM1、第二延伸臂ARM2，且第2C圖中之第一延伸臂ARM1的每一者以及第二延伸臂ARM2的每一者同樣為交錯設置。

區別在於，第2C圖中之第一延伸臂ARM1以及第二延伸臂ARM2係沿著垂直於第一平面的第二方向D2交錯設置。第2A圖中標示一剖面線SL3，剖面線SL3沿著第三方向D3延伸，而第2C圖係為第2A圖之第一電容結構C1沿著剖面線SL3的剖面圖。

在第2D圖中，第一電容結構C1包含複數個第一延伸臂ARM1以及複數個第二延伸臂ARM2，並起到電容元件的作用。

第一延伸臂ARM1由第一縫隙GAP1的第一側SD1延伸而出，第二延伸臂ARM2由第一縫隙GAP1的第二側SD2延伸而出。

相鄰兩個第一延伸臂ARM1與相鄰的兩個第二延伸臂ARM2相隔第一間距GAPA。每一第一延伸臂ARM1均與一對應第二延伸臂ARM2在方向D3上對齊，並相隔第二間距GAPB。具體來說，所述每一第一延伸臂ARM1的長度加上所述對應第二延伸臂ARM2的長度，再加上第二間距GAPB的長度，等於第一縫隙GAP1的長度。

所述每一第一延伸臂ARM1與所述對應第二延伸臂ARM2之間所間隔的第二間距GAPB不可在第一方向D1上跟相鄰的另一第一延伸臂ARM1與另一第二延伸臂ARM2所間隔的第二間距GAPB對齊。也就是說，多個第二間距GAPB的任意相鄰二者不在方向D1上對齊。

在一些實施例中，相鄰的兩個第一延伸臂ARM1的長度不可相同，相鄰的兩第二延伸臂ARM2的長度也不可相同藉由此種設置方式，可使相鄰的第二間距GAPB彼此交錯，而不對齊。

值得一提的是，在第2D圖的實施例中，電路板110設置於由第一方向D1及第三方向D3組成的所述第一平面，而第一延伸臂ARM1的每一者以及第二延伸臂ARM2的每一者所間隔的第二間距GAPB係在所述第一平面上交錯設置。

在另一些實施例中，第一延伸臂ARM1以及第二延伸臂ARM2所間隔的多個第二間距GAPB係在垂直於所述第一平面的第二方向D2上交錯設置。在該些實施例中，第2D圖可被視為第2A圖之第一電容結構C1沿著剖面線SL3的剖面圖。

綜觀第2B至2D圖的實施例，該些實施例中之延伸臂的結構可有效分散線圈結構中的電場，降低線圈中的局部電壓，進而抑制熱點形成並避免電場局部集中。

請同時參照第1A、3圖，第3圖為依據本揭示文件一實施例的線圈結構300的示意圖。線圈結構300係由電路板310以及導體320所組成。相較於第1A圖的線圈結構100，線圈結構300之電路板310的特性相同於線圈結構100之電路板110，而線圈結構300之導體320與線圈結構100之導體120的差別，線圈結構300之導體320的線圈320_1~320_4上設置較多的電容結構。

導體320可包含第一電容結構C11~C14、第二電容結構C21~C24、第三電容結構C31~C34、第四電容結構C41~C44。第一電容結構C11~C14、第二電容結構C21~C24、第三電容結構C31~C34以及第四電容結構C41~C44可分別設置於線圈320_1~320_4上的不同位置；在不同使用情境下，導體320上所設置的電容結構數量不做限制。

在第3圖的實施例中，導體320的形狀可為四邊形。依據導體320的形狀，可將其劃分為四側。第一電容結構C11~C14可同出線端OT1以及入線端IT1可設置於導體320的第一側（即，第3圖之導體320的下側）；第二電容結構C21~C24可設置於導體320的第二側（即，第3圖之導體320的左側）；第三電容結構C31~C34可設置於導體320的第三側（即，第3圖之導體320的上側）；第四電容結構C41~C44可設置於導體320的第四側（即，第3圖之導體320的右側）。

在本實施例中，第一方向D1與第三方向D3相互垂直，電路板310設置於由第一方向D1及第三方向D3組成的第一平面。第一電容結構C11~C14可沿著第一方向D1對齊，第二電容結構C21~C24可沿著方向D3對齊，第三電容結構C31~C34可沿著第一方向D1對齊，第四電容結構C41~C44可沿著第三方向D3對齊。第一電容結構C11~C14與第四電容結構C41~C44無須對齊。

設置於線圈320_1上之第一電容結構C11、第二電容結構C21、第三電容結構C31、第四電容結構C41可具有相同電容值；設置於線圈320_2上之第一電容結構C12、第二電容結構C22、第三電容結構C32、第四電容結構C42可具有相同電容值；設置於線圈320_3上之第一電容結構C13、第二電容結構C23、第三電容結構C33、第四電容結構C43可具有相同電容值；設置於線圈320_4上之第一電容結構C14、第二電容結構C24、第三電容結構C34、第四電容結構C44可具有相同電容值。

在一些實施例中，第一電容結構C11~C14均具有相同的電容值。即，第一電容結構C11~C14、第二電容結構C21~C24、第三電容結構C31~C34、第四電容結構C41~C44均具有相同的電容值。

在另一些實施例中，第一電容結構C11~C14具有不同的電容值。第一電容結構C11~C14的電容值從設置於線圈320_1~320_4的最內圈一者向設置於最外圈依序遞減。導體320上之各個電容結構的電容值由大至小依序為：第一電容結構C11（相同於第二電容結構C21、第三電容結構C31、第四電容結構C41）、第一電容結構C12（相同於第二電容結構C22、第三電容結構C32、第四電容結構C42）、第一電容結構C13（相同於第二電容結構C23、第三電容結構C33、第四電容結構C43）、第一電容結構C14（相同於第二電容結構C24、第三電容結構C34、第四電容結構C44）。

相較於第1A圖的線圈結構100，第3圖的線圈320_1~320_4的每一者上均具有4個電容結構，這使得線圈320_1~320_4上的電場不會集中在單一電容結構上，而是被平均分布到第一至第四電容結構。如一此來，線圈結構300可進一步降低局部電場過強的因素，使得線圈結構300所造成的能量損耗可低於線圈結構100造成的能量損耗。也就是說，線圈結構300的品質因數以及充電效率可進一步提升。

請同時參照第2A、2B、4A、4B圖。第4A圖為依據本揭示文件一實施例的第一電容結構C1以及附加式電容結構AC1的示意圖。第4B圖為依據本揭示文件一實施例的第一電容結構C1以及附加式電容結構AC2的示意圖。

為了增加線圈結構之電容結構的電容量變化，一電容結構尚可在設置一附加式電容結構。以第2B圖的第一電容結構C1為例，若欲增加第一電容結構C1的電容量變化，可在第一電容結構C1上增加附加式電容結構，使其呈現第4A圖或第4B圖之實施例所示的結構。

在第4A圖中，附加式電容結構AC1可透過第二縫隙GAP2的設置，在線圈120_1上起到電容元件的作用。附加式電容結構AC1可與第一電容結構C1並聯，且附加式電容結構AC1、第一電容結構C1以及線圈120_1為一體成型。

第二縫隙GAP2內可形成一介電層，而用於填充所述介電層的介電質可為任意具有介電常數的材料，以設定附加式電容結構AC1的電容密度而不增加附加式電容結構AC1本身的物理尺寸。

透過增設附加式電容結構AC1，線圈120_1上的電容阻抗可被調整，進而達到調整電容變化量的目的。

在第4B圖中，附加式電容結構AC2包含複數個第一延伸臂AC_ARM1以及複數個第二延伸臂AC_ARM2。每個第一延伸臂AC_ARM1均由第二縫隙GAP2的第一側AC_SD1延伸而出，每個第二延伸臂AC_ARM2均由第二縫隙GAP2的第二側AC_SD2延伸而出。第一延伸臂AC_ARM1的長度以及第二延伸臂AC_ARM2的長度均小於第二縫隙GAP2之第一側AC_SD1到第二側AC_SD2的距離。

第4B圖之第一電容結構C1可對應第2A圖中之線圈120_1的第一電容結構C1。第4B圖的附加式電容結構AC2可被設置於第2A圖的線圈結構100中，並與第2A圖中之第一電容結構C1並聯連接。進一步，電路板110係設置於由第一方向D1及第三方向D3組成的所述第一平面，而第一延伸臂AC_ARM1的每一者以及第二延伸臂AC_ARM2的每一者係在所述第一平面上沿著第三方向D3交錯設置。

綜上所述，當具有本揭示文件之線圈結構的無線充電裝置進行充電時，本揭示文件的線圈結構上可具有較低的電場強度，這表示無線充電裝置的電能不會在線圈上被過度損耗。並且，本揭示文件的線圈結構可產生較強的磁場強度，使無線充電裝置具有較高的充電效率。此外，由於本揭示文件之線圈結構上的功耗降低，使得線圈結構的溫升降低。

以上僅為本揭示文件的較佳實施例，在不脫離本揭示文件的範圍或精神的情況下，可以對本揭示文件進行各種修飾和均等變化。綜上所述，凡在以下請求項的範圍內對於本揭示文件所做的修飾以及均等變化，皆為本揭示文件所涵蓋的範圍。

100,300:線圈結構 110,310:電路板 120,320:導體 120_1,120_2,120_3,120_4,320_1,320_2,320_3,320_4:線圈 C1,C2,C3,C4,C11,C12,C13,C14:第一電容結構 C21,C22,C23,C24:第二電容結構 C31,C32,C33,C34:第三電容結構 C41,C42,C43,C44:第四電容結構 IT1:入線端 OT1:出線端 CEN1:中心點 D1:第一方向 D2:第二方向 D3:第三方向 SL3:剖面線 L1:長度 ARM1,AC_ARM1:第一延伸臂 ARM2,AC_ARM2:第二延伸臂 SD1,AC_SD1:第一側 SD2,AC_SD2:第二側 GAP1:第一縫隙 GAP2:第二縫隙 GAPA:第一間距 GAPB:第二間距 AC1,AC2:附加式電容結構

第1A圖為依據本揭示文件一實施例的線圈結構的示意圖。 第1B圖為依據本揭示文件一實施例的導體的示意圖。 第2A圖為依據本揭示文件一實施例的導體的示意圖。 第2B圖為依據本揭示文件一實施例之電容結構的示意圖。 第2C圖為依據本揭示文件一實施例之電容結構的示意圖。 第2D圖為依據本揭示文件一實施例之電容結構的示意圖。 第3圖為依據本揭示文件一實施例的線圈結構的示意圖。 第4A圖為依據本揭示文件一實施例的電容結構以及附加式電容結構的示意圖。 第4B圖為依據本揭示文件一實施例的電容結構以及附加式電容結構的示意圖。

100:線圈結構

110:電路板

120:導體

120_1,120_2,120_3,120_4:線圈

C1,C2,C3,C4:第一電容結構

IT1:入線端

OT1:出線端

CEN1:中心點

D1:第一方向

Claims (13)

1. 一種線圈結構，應用於一無線充電領域，該線圈結構包含： 一電路板；以及 一導體，設置於該電路板上，該導體包含： 複數匝線圈，相對於一中心點環繞形成； 一入線端，連接該複數匝線圈的一端； 一出線端，連結該複數匝線圈的另一端；以及 複數個第一電容結構，設置於該複數匝線圈的每一者，其中該些第一電容結構與該出線端的距離小於該些第一電容結構與該入線端的距離，而該些第一電容結構不與該出線端重疊。
2. 如請求項1所述之線圈結構，其中該複數匝線圈的每一者上形成一第一縫隙，並透過該第一縫隙形成該些第一電容結構，且該些第一電容結構以及該複數匝線圈為一體成型。
3. 如請求項1所述之線圈結構，其中該複數匝線圈上的該些第一電容結構沿著一第一方向對齊。
4. 如請求項1所述之線圈結構，其中該些第一電容結構均具有相同的電容值。
5. 如請求項1所述之線圈結構，其中 該些第一電容結構具有不同的電容值。
6. 如請求項2所述之線圈結構，其中 該些第一電容結構的每一者均包含複數個第一延伸臂以及複數個第二延伸臂， 該些第一延伸臂由該第一縫隙的一第一側延伸而出，該些第二延伸臂由該第一縫隙的一第二側延伸而出， 該些第一延伸臂的每一者均與該些一第二延伸臂的對應一者相隔一第一間距，該些第一延伸臂的長度以及該些第二延伸臂的長度均小於該第一縫隙之該第一側到該第二側的距離， 該些第一延伸臂的每一者以及該些第二延伸臂的每一者交錯設置。
7. 如請求項6所述之線圈結構，其中該電路板設置於一第一平面上，該些第一延伸臂的每一者以及該些第二延伸臂的每一者於該第一平面上交錯設置。
8. 如請求項6所述之線圈結構，其中該電路板設置於一第一平面上，該些第一延伸臂以及該些第二延伸臂垂直於該第一平面的一第二方向交錯設置。
9. 如請求項6所述之線圈結構，其中該些第一間距的寬度均不相同。
10. 如請求項2所述之線圈結構，其中 該些第一電容結構的每一者均包含複數個第一延伸臂以及複數個第二延伸臂， 該些第一延伸臂由該第一縫隙的一第一側延伸而出，該些第二延伸臂由該第一縫隙的一第二側延伸而出， 該些第一延伸臂的每一者之間相隔一第一間距，該些第二延伸臂的每一者之間相隔該第一間距， 該些第一延伸臂的每一者以及該些第二延伸臂的對應一者之間相隔一第二間距，該些第二間距的相鄰二者不在一第一方向上對齊。
11. 如請求項1所述之線圈結構，其中該導體進一步包含複數個附加式電容結構，該些附加式電容結構的每一者與該些第一電容結構的對應每一者並聯連接。
12. 如請求項11所述之線圈結構，其中該些附加式電容結構均具有形成一第二縫隙，且該些第一電容結構、該些附加式電容結構以及該複數匝線圈為一體成型。
13. 如請求項12所述之線圈結構，其中 該些附加式電容結構的每一者均包含複數個第一延伸臂以及複數個第二延伸臂， 該些第一延伸臂由該第二縫隙的一第一側延伸而出，該些第二延伸臂由該第二縫隙的一第二側延伸而出， 該些第一延伸臂與該些第二延伸臂交錯設置。