TWI904575B - 天線結構和藍牙天線 - Google Patents

Abstract

一種天線結構，包括：一主要輻射部、一第一接地元件、一第二接地元件、一載體元件、一金屬腔體、一第一電容器，以及一第二電容器。第一接地元件包括一第一連接區段、一第一突出區段，以及一第二突出區段。第二接地元件包括一第二連接區段、一第三突出區段，以及一第四突出區段。主要輻射部係由第一接地元件和第二接地元件所共同包圍。第一電容器係耦接於第一突出區段和第三突出區段之間。第二電容器係耦接於第二突出區段和第四突出區段之間。金屬腔體係耦接至第一連接區段和第二連接區段。載體元件係設置於金屬腔體內。

Description

天線結構和藍牙天線

本發明係關於一種天線結構，特別係關於一種寬頻帶(Wideband)之天線結構。

隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850 MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。

天線(Antenna)為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其操作頻寬(Operational Bandwidth)過窄，則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。因此，如何設計出一種小尺寸、寬頻帶之天線結構，對設計者而言是一項重要課題。

在較佳實施例中，本發明提出一種天線結構，包括：一主要輻射部，具有一饋入點；一第一接地元件，包括一第一連接區段、一第一突出區段，以及一第二突出區段；一第二接地元件，包括一第二連接區段、一第三突出區段，以及一第四突出區段，其中該主要輻射部係耦接至該第二接地元件，而該主要輻射部係由該第一接地元件和該第二接地元件所共同包圍；一第一電容器，耦接於該第一突出區段和該第三突出區段之間；一第二電容器，耦接於該第二突出區段和該第四突出區段之間；一金屬腔體，耦接至該第一連接區段和該第二連接區段；以及一載體元件，設置於該金屬腔體內，其中該載體元件係用於承載該主要輻射部、該第一突出區段、該第二突出區段、該第三突出區段、該第四突出區段、該第一電容器，以及該第二電容器。

在一些實施例中，該第一突出區段之寬度係大於該第三突出區段之寬度。

在一些實施例中，該第二突出區段之寬度係大於該第四突出區段之寬度。

在一些實施例中，該第一突出區段具有一第一缺口，該第二突出區段具有一第二缺口，該第三突出區段具有一第三缺口，而該第四突出區段具有一第四缺口。

在一些實施例中，該第三缺口係與該第一缺口大致互相對齊，而該第四缺口係與該第二缺口大致互相對齊。

在一些實施例中，該第一電容器具有一第一端和一第二端，其中該第一電容器之該第一端係耦接至該第一突出區段之一第一邊緣上之一第一連接點，而該第一電容器之該第二端係耦接至該第三突出區段之一第三邊緣上之一第三連接點。

在一些實施例中，該第一電容器之電容值係介於0.5pF至0.8pF之間。

在一些實施例中，該第二電容器具有一第一端和一第二端，其中該第二電容器之該第一端係耦接至該第二突出區段之一第二邊緣上之一第二連接點，而該第二電容器之該第二端係耦接至該第四突出區段之一第四邊緣上之一第四連接點。

在一些實施例中，該第二電容器之電容值係介於0.5pF至0.8pF之間。

在一些實施例中，該主要輻射部包括一第一部份、一第二部份，以及一第三部份，該第一部份係耦接至該饋入點，該第二部份係耦接於該第一部份和該第三部份之間，而該第三部份係耦接至該第二連接區段和該第四突出區段。

在一些實施例中，該主要輻射部之該第一部份和該第二部份之間係界定出一第一槽孔區域。

在一些實施例中，該主要輻射部之該第三部份和該第四突出區段之間係界定出一第二槽孔區域。

在一些實施例中，該主要輻射部之該第三部份和該第二連接區段之間形成一銳夾角。

在一些實施例中，該主要輻射部更包括耦接至該第二部份之一增寬部份。

在一些實施例中，該主要輻射部之該增寬部份和該第一突出區段之間形成一第一耦合間隙，而該第一耦合間隙之寬度係介於1mm至2.5mm之間。

在一些實施例中，該主要輻射部之該第二部份和該第一連接區段之間形成一第二耦合間隙，而該第二耦合間隙之寬度係小於或等於1mm。

在一些實施例中，該主要輻射部更包括耦接至該第一部份之一延伸部份。

在一些實施例中，該天線結構涵蓋一操作頻帶，而該操作頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間。

在一些實施例中，該主要輻射部之長度係大致等於該操作頻帶之0.25倍波長。

在另一較佳實施例中，本發明提出一種藍牙天線，包括：一主要輻射部，具有一饋入點；一第一接地元件，包括一第一連接區段、一第一突出區段，以及一第二突出區段；一第二接地元件，包括一第二連接區段、一第三突出區段，以及一第四突出區段，其中該主要輻射部係耦接至該第二接地元件，而該主要輻射部係由該第一接地元件和該第二接地元件所共同包圍； 一第一電容器，耦接於該第一突出區段和該第三突出區段之間；一第二電容器，耦接於該第二突出區段和該第四突出區段之間；以及一金屬腔體，耦接至該第一連接區段和該第二連接區段。

為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。

以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。

此外，其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」 及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構(Antenna Structure)100之俯視圖。第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之剖面圖(沿第1圖之一剖面線LC1)。請一併參考第1、2圖。天線結構100可應用於一行動裝置(Mobile Device)當中，例如：一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。在第1、2圖之實施例中，天線結構100可包括：一主要輻射部(Main Radiation Element)110、一第一接地元件(Ground Element)210、一第二接地元件220、一載體元件(Carrier Element)260、一金屬腔體(Metal Cavity)270、一第一電容器(Capacitor)C1，以及一第二電容器C2，其中主要輻射部110、第一接地元件210，以及第二接地元件220皆可用金屬材質製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。

第一接地元件210包括一第一連接區段(Connection Segment)213、一第一突出區段(Protruding Segment)214，以及一第二突出區段215，其中第一連接區段213係耦接於第一突出區段214和第二突出區段215之間。在一些實施例中，第一接地元件210可大致呈現一π字形，但亦不僅限於此。

第二接地元件220包括一第二連接區段223、一第三突出區段224，以及一第四突出區段225，其中第二連接區段223係耦接於第三突出區段224和第四突出區段225之間。在一些實施例中，第二接地元件220可大致呈現一倒π字形，但亦不僅限於此。

第三突出區段224係相對於第一突出區段214而設置。例如，第一突出區段214之寬度W1可大於第三突出區段224之寬度W3。第一電容器C1係耦接於第一突出區段214和第三突出區段224之間。在一些實施例中，第一電容器C1具有一第一端和一第二端，其中第一電容器C1之第一端係耦接至第一突出區段214之一第一邊緣216上之一第一連接點(Connection Point)CP1，而第一電容器C1之第二端係耦接至第三突出區段224之一第三邊緣226上之一第三連接點CP3。然而，本發明並不僅限於此。在另一些實施例中，基於不同環境及設計需求，第一突出區段214之寬度W1和第三突出區段224之寬度W3兩者亦可大致相等。

第四突出區段225係相對於第二突出區段215而設置。例如，第二突出區段215可具有一不等寬形狀，其中第二突出區段215之最大寬度W2可大於第四突出區段225之寬度W4。第二電容器C2係耦接於第二突出區段215和第四突出區段225之間。在一些實施例中，第二電容器C2具有一第一端和一第二端，其中第二電容器C2之第一端係耦接至第二突出區段215之一第二邊緣218上之一第二連接點CP2，而第二電容器C2之第二端係耦接至第四突出區段225之一第四邊緣228上之一第四連接點CP4。然而，本發明並不僅限於此。在另一些實施例中，基於不同環境及設計需求，第二突出區段215之寬度W2和第四突出區段225之寬度W4兩者亦可大致相等。

在一些實施例中，第一突出區段214具有一第一缺口(Notch)217，第二突出區段215具有一第二缺口219，第三突出區段224具有一第三缺口227，而第四突出區段225具有一第四缺口229。例如，第三缺口227可與第一缺口217大致互相對齊，其中第一缺口217和第三缺口227皆可鄰近於第一電容器C1而設置。另外，第四缺口229可與第二缺口219大致互相對齊，其中第二缺口219和第四缺口229皆可鄰近於第二電容器C2而設置。必須注意的是，本說明書中所謂「靠近」或「鄰近」一詞可指對應之二元件間距小於一臨界距離(例如：10mm或更短)，亦可包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距縮短至0)。

在一些實施例中，前述之第一缺口217、第二缺口219、第三缺口227，以及第四缺口229可用於協助第一電容器C1和第二電容器C2進行精準地定位。換言之，它們可以降低天線結構100之組裝困難度，特別是各個電容器之焊接製程。

主要輻射部110係由第一接地元件210和第二接地元件220兩者所共同包圍。詳細而言，主要輻射部110具有一第一端111和一第二端112，其中一饋入點(Feeding Point)FP係位於主要輻射部110之第一端111處，而主要輻射部110之第二端112係耦接至第二接地元件220。饋入點FP更可耦接至一信號源(Signal Source)190。例如，前述之信號源190可為一射頻(Radio Frequency，RF)模組，其可用於激發天線結構100。在一些實施例中，主要輻射部110包括鄰近於第一端111處之一第一部份120、一第二部份130，以及鄰近於第二端112處一第三部份140。

主要輻射部110之第一部份120係耦接至饋入點FP。例如，主要輻射部110之第一部份120可大致呈現一N字形，但亦不僅限於此。

在主要輻射部110當中，第二部份130係耦接於第一部份120和第三部份140之間。例如，主要輻射部110之第二部份130可大致呈現一直條形，但亦不僅限於此。在一些實施例中，主要輻射部110之第一部份120和第二部份130之間可界定出一第一槽孔區域(Slot Region)160，其可屬於一開口槽孔(Open Slot)。

主要輻射部110之第三部份140係耦接至第二連接區段223和第四突出區段225。例如，主要輻射部110之第三部份140可大致呈現一不等寬斜線形，但亦不僅限於此。在一些實施例中，主要輻射部110之第三部份140和第四突出區段225之間可界定出一第二槽孔區域170，其可為另一開口槽孔。在一些實施例中，主要輻射部110之第三部份140和第二連接區段223之間還可形成一銳夾角θ。

在一些實施例中，主要輻射部110更包括耦接至第二部份130之一增寬部份(Widening Portion)150，其可大致呈現一矩形或一正方形。主要輻射部110之增寬部份150係鄰近於第一突出區段214，其中主要輻射部110之增寬部份150和第一突出區段214之間可形成一第一耦合間隙(Coupling Gap)GC1。另外，主要輻射部110之第二部份130係鄰近於第一連接區段213，其中主要輻射部110之第二部份130和第一連接區段213之間可形成一第二耦合間隙GC2。

載體元件260係設置於金屬腔體270內。例如，載體元件260可藉由一塑膠支撐元件來實施，其可大致呈現一長方體。詳細而言，載體元件260具有一第一表面E1、一第二表面E2、一第三表面E3，以及一第四表面E4，其中載體元件260之第一表面E1可用於承載主要輻射部110、第一突出區段214、第二突出區段215、第三突出區段224、第四突出區段225、第一電容器C1，以及第二電容器C2。金屬腔體270係耦接至第一連接區段213和第二連接區段223。另外，金屬腔體270還可分佈於載體元件260之第二表面E2、第三表面E3，以及第四表面E4上。換言之，金屬腔體270可包括一前側金屬面、一後側金屬面，以及一底部金屬面，其中此底部金屬面係耦接於前述之前側金屬面和後側金屬面之間。在另一些實施例中，金屬腔體270可不包括任何左側金屬面或任何右側金屬面(亦即，金屬腔體270之左右兩側可各自為一開口側)。然而，本發明並不僅限於此。在另一些實施例中，載體元件260亦可藉由一FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)，或是一軟性電路板(Flexible Printed Circuit，FPC)來實施。

第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表電壓駐波比。如第3圖所示，一第一曲線CC1代表天線結構100未使用任何電容器時之操作特性，一第二曲線CC2代表天線結構100僅使用第一電容器C1時之操作特性，一第三曲線CC3代表天線結構100僅使用第二電容器C2時之操作特性，而一第四曲線CC4代表所提之天線結構100同時使用第一電容器C1和第二電容器C2時之操作特性。根據第3圖之量測結果，所提之天線結構100至少可涵蓋一操作頻帶(Operational Frequency Band)FB。例如，前述之操作頻帶FB可介於2400MHz至2500MHz之間。因此，本發明之天線結構100將至少可支援WLAN(Wireless Local Area Networks) 2.4GHz和藍牙(Bluetooth)之寬頻操作。

在一些實施例中，天線結構100之操作原理可如下列所述。主要輻射部110可激發產生前述之操作頻帶FB。詳細而言，前述之操作頻帶FB係由一主要共振模態310和一次要共振模態320所控制，其中第二電容器C2可貢獻主要共振模態310，而第一電容器C1則可貢獻次要共振模態320。根據實際量測結果，藉由改變第一槽孔區域160和第二槽孔區域170之形狀和尺寸，將能適當地調整主要共振模態310之頻率偏移(Frequency Shift)。第一耦合間隙GC1和第二耦合間隙GC2可用於增加操作頻帶FB之頻寬。另外，因為主要輻射部110係由第一接地元件210、第二接地元件220，以及金屬腔體270所共同包圍，所以天線結構100之輻射性能將不易受到環境雜訊或干擾之負面影響。

第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之輻射增益(Radiation Gain)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表輻射增益(dB)。根據第4圖之量測結果，天線結構100於前述之操作頻帶FB內之輻射增益均可達約-8dB或更高，此已可滿足一般行動通訊裝置之實際應用需求。必須理解的，前述之次要共振模態320幾乎不具有對應之輻射增益。

在一些實施例中，天線結構100之元件尺寸和元件參數可如下列所述。主要輻射部110之長度LM可大致等於天線結構100之操作頻帶FB之0.25倍波長(λ/4)。第一槽孔區域160之長度LA可介於2mm至4mm之間。第一槽孔區域160之寬度WA可介於3mm至5mm之間。第二槽孔區域170之長度LB可介於0mm至5mm之間。第二槽孔區域170之寬度WB可介於1mm至2.5mm之間。第一耦合間隙GC1之寬度可介於1mm至2.5mm之間。第二耦合間隙GC2之寬度可小於或等於1mm。第一缺口217之長度L1可介於0.1mm至0.3mm之間。第二缺口219之長度L2可介於0.1mm至0.3mm之間。第三缺口227之長度L3可介於0.1mm至0.3mm之間。第四缺口229之長度L4可介於0.1mm至0.3mm之間。第一連接區段213和第二連接區段223兩者之間距D1可介於7mm至9mm之間。第一電容器C1之電容值(Capacitance)可介於0.5pF至0.8pF之間。第二電容器C2之電容值可介於0.5pF至0.8pF之間。夾角θ可介於30度至60度之間，例如：約40度、約45度，或是約50度。金屬腔體270之高度H1(或載體元件260之第一表面E1和第三表面E3之間距)可介於3mm至4mm之間。第三突出區段224和主要輻射部110之增寬部份150兩者之間距D2可介於1mm至2.5mm之間。以上元件尺寸和元件參數範圍係根據多次實驗結果而得出，其有助於最佳化天線結構100之操作頻寬(Operational Bandwidth)和阻抗匹配，同時還能最小化天線結構100之雜訊及干擾。

在另一些實施例中，天線結構100亦可被稱為一藍牙天線(Bluetooth)，惟其可不一定要包括前述之載體元件260。

第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構500之俯視圖。第5圖和第1圖相似。在第5圖之實施例中，天線結構500之一主要輻射部510更包括一延伸部份(Extension Portion)580，其可耦接至主要輻射部510之第一部份120。例如，主要輻射部510之延伸部份580可大致呈現另一矩形或另一正方形。根據實際量測結果，主要輻射部510之延伸部份580亦可用於微調天線結構500之阻抗匹配。第5圖之天線結構500之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

本發明提出一種新穎之天線結構和藍牙天線。與傳統設計相比，本發明至少具有小尺寸、寬頻帶、高通訊品質，以及抑制環境雜訊等優勢，故其很適合應用於各種各式之通訊裝置當中。

值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀、元件參數，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構和藍牙天線並不僅限於第1-5圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-5圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構和藍牙天線當中。

在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100,500:天線結構 110:主要輻射部 111:主要輻射部之第一端 112:主要輻射部之第二端 120:主要輻射部之第一部份 130:主要輻射部之第二部份 140:主要輻射部之第三部份 150:主要輻射部之增寬部份 160:第一槽孔區域 170:第二槽孔區域 190:信號源 210:第一接地元件 213:第一連接區段 214:第一突出區段 215:第二突出區段 216:第一邊緣 217:第一缺口 218:第二邊緣 219:第二缺口 220:第二接地元件 223:第二連接區段 224:第三突出區段 225:第四突出區段 226:第三邊緣 227:第三缺口 228:第四邊緣 229:第四缺口 260:載體元件 270:金屬腔體 310:主要共振模態 320:次要共振模態 580:主要輻射部之延伸部份 C1:第一電容器 C2:第二電容器 CC1:第一曲線 CC2:第二曲線 CC3:第三曲線 CC4:第四曲線 CP1:第一連接點 CP2:第二連接點 CP3:第三連接點 CP4:第四連接點 D1,D2:間距 E1:第一表面 E2:第二表面 E3:第三表面 E4:第四表面 FB:操作頻帶 FP:饋入點 GC1:第一耦合間隙 GC2:第二耦合間隙 H1:高度 L1,L2,L3,L4,LA,LB,LM:長度 LC1:剖面線 W1,W2,W3,W4,WA,WB:寬度 θ:夾角

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。 第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之剖面圖。 第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之電壓駐波比圖。 第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之輻射增益圖。 第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。

100:天線結構

110:主要輻射部

111:主要輻射部之第一端

112:主要輻射部之第二端

120:主要輻射部之第一部份

130:主要輻射部之第二部份

140:主要輻射部之第三部份

150:主要輻射部之增寬部份

160:第一槽孔區域

170:第二槽孔區域

190:信號源

210:第一接地元件

213:第一連接區段

214:第一突出區段

215:第二突出區段

216:第一邊緣

217:第一缺口

218:第二邊緣

219:第二缺口

220:第二接地元件

223:第二連接區段

224:第三突出區段

225:第四突出區段

226:第三邊緣

227:第三缺口

228:第四邊緣

229:第四缺口

260:載體元件

C1:第一電容器

C2:第二電容器

CP1:第一連接點

CP2:第二連接點

CP3:第三連接點

CP4:第四連接點

D1,D2:間距

E1:第一表面

FP:饋入點

GC1:第一耦合間隙

GC2:第二耦合間隙

L1,L2,L3,L4,LA,LB,LM:長度

LC1:剖面線

W1,W2,W3,W4,WA,WB:寬度

θ:夾角

Claims (19)

1. 一種天線結構，包括： 一主要輻射部，具有一饋入點； 一第一接地元件，包括一第一連接區段、一第一突出區段，以及一第二突出區段； 一第二接地元件，包括一第二連接區段、一第三突出區段，以及一第四突出區段，其中該主要輻射部係耦接至該第二接地元件，而該主要輻射部係由該第一接地元件和該第二接地元件所共同包圍； 一第一電容器，耦接於該第一突出區段和該第三突出區段之間； 一第二電容器，耦接於該第二突出區段和該第四突出區段之間； 一金屬腔體，耦接至該第一連接區段和該第二連接區段；以及 一載體元件，設置於該金屬腔體內，其中該載體元件係用於承載該主要輻射部、該第一突出區段、該第二突出區段、該第三突出區段、該第四突出區段、該第一電容器，以及該第二電容器； 其中該主要輻射部包括一第一部份、一第二部份，以及一第三部份，該第一部份係耦接至該饋入點，該第二部份係耦接於該第一部份和該第三部份之間，而該第三部份係耦接至該第二連接區段和該第四突出區段。
2. 如請求項1所述之天線結構，其中該第一突出區段之寬度係大於該第三突出區段之寬度。
3. 如請求項1所述之天線結構，其中該第二突出區段之寬度係大於該第四突出區段之寬度。
4. 如請求項1所述之天線結構，其中該第一突出區段具有一第一缺口，該第二突出區段具有一第二缺口，該第三突出區段具有一第三缺口，而該第四突出區段具有一第四缺口。
5. 如請求項4所述之天線結構，其中該第三缺口係與該第一缺口大致互相對齊，而該第四缺口係與該第二缺口大致互相對齊。
6. 如請求項1所述之天線結構，其中該第一電容器具有一第一端和一第二端，其中該第一電容器之該第一端係耦接至該第一突出區段之一第一邊緣上之一第一連接點，而該第一電容器之該第二端係耦接至該第三突出區段之一第三邊緣上之一第三連接點。
7. 如請求項1所述之天線結構，其中該第一電容器之電容值係介於0.5pF至0.8pF之間。
8. 如請求項1所述之天線結構，其中該第二電容器具有一第一端和一第二端，其中該第二電容器之該第一端係耦接至該第二突出區段之一第二邊緣上之一第二連接點，而該第二電容器之該第二端係耦接至該第四突出區段之一第四邊緣上之一第四連接點。
9. 如請求項1所述之天線結構，其中該第二電容器之電容值係介於0.5pF至0.8pF之間。
10. 如請求項1所述之天線結構，其中該主要輻射部之該第一部份和該第二部份之間係界定出一第一槽孔區域。
11. 如請求項1所述之天線結構，其中該主要輻射部之該第三部份和該第四突出區段之間係界定出一第二槽孔區域。
12. 如請求項1所述之天線結構，其中該主要輻射部之該第三部份和該第二連接區段之間形成一銳夾角。
13. 如請求項1所述之天線結構，其中該主要輻射部更包括耦接至該第二部份之一增寬部份。
14. 如請求項13所述之天線結構，其中該主要輻射部之該增寬部份和該第一突出區段之間形成一第一耦合間隙，而該第一耦合間隙之寬度係介於1mm至2.5mm之間。
15. 如請求項1所述之天線結構，其中該主要輻射部之該第二部份和該第一連接區段之間形成一第二耦合間隙，而該第二耦合間隙之寬度係小於或等於1mm。
16. 如請求項1所述之天線結構，其中該主要輻射部更包括耦接至該第一部份之一延伸部份。
17. 如請求項1所述之天線結構，其中該天線結構涵蓋一操作頻帶，而該操作頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間。
18. 如請求項17所述之天線結構，其中該主要輻射部之長度係大致等於該操作頻帶之0.25倍波長。
19. 一種藍牙天線，包括： 一主要輻射部，具有一饋入點； 一第一接地元件，包括一第一連接區段、一第一突出區段，以及一第二突出區段； 一第二接地元件，包括一第二連接區段、一第三突出區段，以及一第四突出區段，其中該主要輻射部係耦接至該第二接地元件，而該主要輻射部係由該第一接地元件和該第二接地元件所共同包圍； 一第一電容器，耦接於該第一突出區段和該第三突出區段之間； 一第二電容器，耦接於該第二突出區段和該第四突出區段之間；以及 一金屬腔體，耦接至該第一連接區段和該第二連接區段； 其中該主要輻射部包括一第一部份、一第二部份，以及一第三部份，該第一部份係耦接至該饋入點，該第二部份係耦接於該第一部份和該第三部份之間，而該第三部份係耦接至該第二連接區段和該第四突出區段。