TWI904001B - 減壓乾燥裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種抑制對塗布膜產生乾燥不均的技術。減壓乾燥裝置（1）包括腔室（10）、多個支撐銷（22）以及排氣部（30）。腔室（10）收容基板（9）。多個支撐銷（22）在腔室（10）內從下方支撐基板（9）。排氣部（30）將腔室（10）內的氣體排出。多個支撐銷（22）包含一個以上的第一支撐銷（22a）、以及比第一支撐銷（22a）細的一個以上的第二支撐銷（22b）。第一支撐銷（22a）中的至少一個從下方支撐基板（9）中的周緣區域。第二支撐銷（22b）中的至少一個從下方支撐基板（9）的比周緣區域更靠內側的內側區域中的形成有塗布膜的區域。

Description

減壓乾燥裝置

本發明是有關於一種減壓乾燥裝置。

例如，已知有對塗布於各種基板的光致抗蝕劑等的塗布膜進行減壓乾燥的減壓乾燥裝置。對於各種基板，例如可應用用於形成各種元件的玻璃基板、陶瓷基板、半導體晶片、電子元件基板或印刷用的印刷板等各種基板。對於各種元件，例如可應用半導體裝置、顯示面板、太陽電池面板、磁碟或光碟等。對於顯示面板，例如可應用液晶顯示面板、有機電致發光（Electroluminescence，EL）顯示面板、電漿顯示面板、或場致發射顯示器等。

在使用減壓乾燥裝置對塗布膜進行乾燥時，例如，在腔室內多個銷支撐基板的狀態下，經由腔室的底部的排氣口利用真空泵從腔室內進行排氣。然後，例如，當真空度達到規定值時，停止來自腔室內的排氣，通過向腔室內供給氣體而使腔室內恢復為大氣壓。對於氣體，例如可應用氮氣等惰性氣體或空氣等。

且說，在減壓乾燥裝置中，例如，在形成於基板的上表面的塗布膜中，若乾燥速度根據場所而不同，則可能產生與所述乾燥速度的不同相應的乾燥不均（也稱為乾燥不均）。乾燥不均例如會產生乾燥後的塗布膜的厚度偏差等。

例如，在基板上，由於多個銷的接觸，在由多個銷支撐的部分與其周邊的部分之間可能產生溫度差。由此，例如，根據由多個銷引起的溫度差，塗布膜的乾燥速度可能產生差異。其結果，例如，在塗布膜上可能產生與多個銷的配置相應的乾燥不均。此處，例如，在塗布膜的減壓乾燥時，雖然基板的溫度因溶媒等從塗布膜汽化時產生的汽化熱而下降，但是無論是在多個銷的熱容量大的情況還是在多個銷連結於熱容量大的腔室等的情況下，多個銷的溫度均難以變化。因此，例如，在基板上可能產生與多個銷的配置相應的溫度差。

在專利文獻1中，記載了如下內容：將支撐基板的多個銷設為通過將內部空間內的流體排出而冷卻的空心銷、或者通過向內部空間內供給冷卻水等液體而冷卻的空心銷。 [現有技術文獻]

[專利文獻] [專利文獻1]日本專利第6579773號公報

[發明所要解決的問題] 然而，在專利文獻1的減壓乾燥裝置中，裝置結構變得複雜，導致裝置價格變高。另外，例如，在向空心銷供給冷卻水的結構中，也可考慮由於冷卻水的洩漏而對腔室內的真空狀態帶來不良影響的情況。

本公開是鑒於所述課題而成，其目的在於提供一種抑制對塗布膜產生乾燥不均的技術。 [解決問題的技術手段]

第一形態是一種減壓乾燥裝置，使形成於基板的上表面的塗布膜乾燥，所述減壓乾燥裝置包括：腔室，收容所述基板；多個支撐銷，在所述腔室內從下方支撐所述基板；以及排氣部，將所述腔室內的氣體排出，所述多個支撐銷包含一個以上的第一支撐銷、以及比所述第一支撐銷細的一個以上的第二支撐銷，所述第一支撐銷中的至少一個從下方支撐所述基板中的周緣區域，所述第二支撐銷中的至少一個從下方支撐所述基板的比所述周緣區域更靠內側的內側區域中的形成有所述塗布膜的區域。

根據第一形態的減壓乾燥裝置，第二形態中，所述基板的所述內側區域僅由所述第二支撐銷支撐。

根據第一形態的減壓乾燥裝置，第三形態中，所述第一支撐銷中的至少另一個支撐所述基板的所述內側區域中的形成有所述塗布膜的所述區域以外的區域。

根據第一形態至第三形態中任一形態的減壓乾燥裝置，第四形態中，所述第一支撐銷與所述基板的接觸面積比所述第二支撐銷與所述基板的接觸面積大。

根據第一形態至第四形態中任一形態的減壓乾燥裝置，第五形態中，所述第一支撐銷的間距比所述第二支撐銷的間距寬。

根據第一形態至第五形態中任一形態的減壓乾燥裝置，第六形態中，所述第二支撐銷的導熱率為0.12 W/m·K以下。

根據第一形態至第六形態中任一形態的減壓乾燥裝置，第七形態中，所述第二支撐銷由多孔質樹脂形成。 [發明的效果]

通過第一形態，第二支撐銷中的至少一個從下方支撐基板的內側區域中的形成有塗布膜的區域（以下，稱為第一區域）。由於第二支撐銷細，因此在腔室的減壓下在第二支撐銷的周圍產生的上升氣流的產生量小。因此，即使氣體通過所述上升氣流沿著第二支撐銷上升並局部地供給至基板的第一區域的下表面，也難以導致第一區域中的溫度分佈的偏差。因此，可抑制對第一區域上的塗布膜的乾燥不均。

通過第二形態，在內側區域中，即使形成有塗布膜的區域的個數、形狀及位置變更，也可利用第二支撐銷支撐所述區域。

通過第三形態，可更牢固地支撐基板。

通過第四形態，可抑制基板相對於第一支撐銷的水平方向上的偏移量。另一方面，可減少第二支撐銷與基板之間的熱的移動量，可進一步抑制對塗布膜的乾燥不均。

通過第五形態，可減少第一支撐銷的根數。因此，可減少減壓乾燥裝置的製造成本。另外，可減少支撐銷的更換作業的工時。

通過第六形態及第七形態，可減少第二支撐銷與基板之間的熱的移動量，可進一步抑制對塗布膜的乾燥不均。

以下，參照附圖對本公開的一實施方式及各種變形例進行說明。在附圖中，對具有同樣的結構及功能的部分標注相同的符號，在下述說明中省略重複說明。附圖只是示意性地示出，各圖中的各種結構的尺寸及位置關係等並不準確地圖示。另外，在本說明書中，下方向為重力方向，上方向為與重力方向相反的方向。

＜1.減壓乾燥裝置的結構＞ 圖1是示意性地表示一實施方式的減壓乾燥裝置1的縱剖面的一例的圖。圖2是示意性地表示一實施方式的減壓乾燥裝置1的橫剖面的一例的圖。圖3是示意性地表示一實施方式的減壓乾燥裝置1的縱剖面的一例的圖。圖1的縱剖面與圖3的縱剖面示出了分別從相差約90度的方向觀察時的減壓乾燥裝置1的結構。在圖3中，為了避免附圖的複雜化，為了方便起見，省略了與後述的排氣部30、供氣部60、壓力計70及控制部80相關的結構。減壓乾燥裝置1是使形成於基板9的上表面的塗布膜90（參照圖5）乾燥的裝置。

對於基板9，例如可應用玻璃基板、半導體晶片或陶瓷基板等。基板9例如是具有作為第一主表面的第一面F1（參照圖4及圖5）與作為與所述第一面F1相反的第二主表面的第二面F2（參照圖5）的平板狀的基板。例如，在減壓乾燥裝置1中，基板9的第一面F1設為基板9的上表面，基板9的第二面F2設為基板9的下表面。此處，適宜列舉對基板9應用了矩形的玻璃基板的具體例進行說明。在基板9的第一面F1，例如通過預先塗布包含有機材料及溶媒的處理液，部分地形成有塗布膜90。處理液的塗布例如是通過狹縫塗布機或噴墨裝置等進行。對於處理液，例如可應用包含聚醯亞胺前體與溶媒的液體（也稱為聚醯亞胺（Polyimide，PI）液）或抗蝕劑液等塗布液。對於聚醯亞胺前體，例如可應用聚醯胺（Polyamide）酸（聚醯胺酸（Polyamic acid））等。對於溶媒，例如可應用NMP（N-甲基-2-吡咯烷酮：N-Methyl-2-Pyrrolidone）。另外，例如，在減壓乾燥裝置1應用於有機EL顯示器的製造步驟的情況下，也可採用塗布膜90通過在減壓乾燥裝置1中被乾燥而成為有機EL顯示面板的電洞注入層、電洞輸送層或發光層的實施方式。

圖4是表示基板9的一例的立體圖。圖5是表示基板9的一部分的縱剖面的一例的圖。如圖4所示，基板9例如具有在俯視時呈縱橫的長度不同的長方形形狀的形態。在基板9排列有多個用來形成元件等的區域（也稱為被形成區域與塗布區域）A1。在圖4的例子中，在俯視時，在基板9，呈兩行兩列的矩陣狀排列有四個矩形形狀的塗布區域A1。但是，塗布區域A1的形狀、數量、配置並不限定於所述例。塗布膜90在利用減壓乾燥裝置1的減壓乾燥步驟之前的塗布步驟中，通過狹縫塗布機或噴墨裝置等，在各塗布區域A1的上表面，按照所期望的模式形成。對於所期望的模式，例如可應用電路的模式。此處，例如，如圖5所示，作為各塗布區域A1的上表面的第一面F1具有被塗布膜90覆蓋的區域（也稱為被覆區域）A3與未被塗布膜90覆蓋的露出的區域（也稱為露出區域）A4。另外，基板9中的塗布區域A1的周圍及相鄰的塗布區域A1之間的區域成為在作為上表面的第一面F1未形成塗布膜90的區域（也稱為非塗布區域）A2。非塗布區域A2也是未被塗布膜90覆蓋的露出的區域（露出區域）A4。

在圖4的例子中，還示出了基板9中的周緣區域B1及內側區域B2。基板9的周緣區域B1是從基板9的外周部（即側面）9op向內側靠近規定寬度的框狀的區域。規定寬度例如為100 mm左右以下。此處，基板9的周緣區域B1相當於非塗布區域A2的一部分。即，在基板9的周緣區域B1的上表面未形成元件，此處，也未形成塗布膜90。基板9的內側區域B2是基板9中的比周緣區域B1更靠內側的區域。基板9的周緣區域B1與內側區域B2的邊界B3例如具有矩形形狀的形狀。此處，基板9的內側區域B2包含多個塗布區域A1、以及多個塗布區域A1之間的區域（在圖4中，為十字狀的非塗布區域A2）。內側區域B2例如具有在俯視時呈長方形形狀。

＜＜減壓乾燥裝置的結構的概要＞＞ 首先，對減壓乾燥裝置1的結構進行概述。如圖1及圖2所示，減壓乾燥裝置1例如包括腔室10、支撐部20、以及排氣部30。腔室10為用於收容基板9的部分。支撐部20設置於腔室10內，並以水平姿勢支撐基板9。此處提及的所謂水平姿勢是指基板9的厚度方向沿著上下方向的姿勢。排氣部30將腔室10內的氣體排出至外部，使腔室10內的氣壓下降。由於所述氣壓的下降，塗布膜90的溶劑蒸發而塗布膜90乾燥。

另外，在圖1及圖2的例子中，減壓乾燥裝置1包括：升降部100、供氣部60、控制部80、底面整流板40、側面整流板50、以及壓力計70。升降部100使支撐部20升降。由此，由支撐部20支撐的基板9也在腔室10內升降。供氣部60向腔室10內供給氣體。由此，可使腔室10內的氣壓恢復為大氣壓。底面整流板40及側面整流板50設置於腔室10內，並對腔室10內的氣流進行調整。壓力計70對腔室10內的氣壓進行測量，並將表示其測量結果的電信號輸出至控制部80。控制部80對所述減壓乾燥裝置1的各種結構進行控制。例如，控制部80基於由壓力計70測量的氣壓來對排氣部30進行控制，而將腔室10內的氣壓調整為目標氣壓。

接著，對減壓乾燥裝置1的各結構的詳細的一例進行敘述。

＜＜腔室10＞＞ 腔室10為用於收容基板9的部分。對於腔室10，可應用具有用於收容基板9的內部空間10s的耐壓容器。腔室10例如固定於省略了圖示的裝置框架上。腔室10的形狀例如為扁平的長方體狀。腔室10例如具有大致正方形形狀的底板部11、四個側壁部12、以及大致正方形形狀的頂板部13。四個側壁部12例如在上下方向上將底板部11的四個端邊與頂板部13的四個端邊連接。例如，在四個側壁部12中的一個側壁部12設置有搬入搬出口14與使所述搬入搬出口14開閉的閘門部（也稱為閘閥）15。閘門部15例如連結於或連接於開閉驅動部16。在圖3中，為了避免附圖的複雜化，概念性地示出了開閉驅動部16。對於開閉驅動部16，例如可應用汽缸等驅動機構。此處，例如，通過開閉驅動部16的動作，閘門部15可在將搬入搬出口14關閉的位置（也稱為關閉位置）與將搬入搬出口14打開的位置（也稱為打開位置）之間移動。

此處，例如，在閘門部15位於關閉位置的狀態下，將腔室10的內部空間10s密閉。例如，在閘門部15位於打開位置的狀態下，可經由搬入搬出口14進行基板9向腔室10的內部空間10s的搬入及基板9從腔室10的內部空間10s的搬出。

＜＜支撐部20＞＞ 支撐部20為在腔室10內從下方支撐基板9的部分。例如，支撐部20位於腔室10的內部空間10s，且可從下方支撐收容於腔室10的內部空間10s的基板9。支撐部20例如具有多個支撐板21與多個支撐銷22。多個支撐板21例如在水平方向上空開間隔地排列。在各支撐板21的上表面豎立設置有多個支撐銷22。多個支撐板21為成為支撐部20的基座的部分。基板9例如配置於多個支撐板21的上方，多個支撐銷22的上端部與作為基板9的下表面的第二面F2接觸，由此基板9以水平姿勢受到支撐。

多個支撐銷22例如包含一個以上的第一支撐銷22a及一個以上的第二支撐銷22b。換言之，支撐部20包含分別從下方支撐基板9的第一支撐銷22a及第二支撐銷22b。如圖3所示，第一支撐銷22a及第二支撐銷22b具有在上下方向上長的棒狀的形狀，第一支撐銷22a比第二支撐銷22b粗。

圖6是表示第一支撐銷22a的外觀的一例的正視圖，圖7是表示第二支撐銷22b的外觀的一例的正視圖。

在圖6的例子中，第一支撐銷22a豎立設置於第一台座部26a的上表面。即，第一支撐銷22a從第一台座部26a的上表面朝向上方延伸。第一台座部26a形成為比第一支撐銷22a寬。在圖6的例子中，在第一台座部26a的下表面設置有第一外螺紋部27a。第一外螺紋部27a具有從第一台座部26a的下表面向下方延伸的柱狀的形狀，且在其側面形成有螺紋牙。第一支撐銷22a通過第一外螺紋部27a所產生的螺紋作用而安裝於支撐板21的上表面。即，第一外螺紋部27a通過螺紋作用而與形成於支撐板21的上表面的內螺紋部（未圖示）結合，由此第一支撐銷22a安裝於支撐板21的上表面。

包括第一支撐銷22a、第一台座部26a及第一外螺紋部27a的銷結構體可由同一材料一體地形成，或者也可將多個構件組合而形成。此外，若將銷結構體的整體理解為第一支撐銷22a，則可將比第一台座部26a的上表面更靠上方的部分理解為第一銷本體部。

在圖6的例子中，第一支撐銷22a包含第一抵接部23a以及第一柱狀部25a。第一柱狀部25a具有沿上下方向延伸的柱狀的形狀，並豎立設置於第一台座部26a的上表面。即，第一柱狀部25a從第一台座部26a的上表面向上方延伸。第一柱狀部25a例如具有圓柱狀的形狀。在此情況下，與上下方向正交的水平剖面中的第一柱狀部25a的形狀為圓狀。例如第一柱狀部25a以等寬度沿著上下方向延伸。第一柱狀部25a的寬度（此處為直徑）例如設定為1 mm以上，作為具體的一例而設定為3 mm左右。

第一抵接部23a設置於第一柱狀部25a的上端面。第一抵接部23a例如具有錐體狀的形狀。作為具體的一例，第一抵接部23a可具有圓錐狀的形狀。或者，第一抵接部23a也可具有半球狀或半橢圓狀的形狀。在此情況下，第一抵接部23a的水平剖面的形狀也為圓狀。此種第一抵接部23a的寬度（此處為直徑）也隨著朝向上方而變小。第一抵接部23a的下端的寬度（此處為直徑）例如與第一柱狀部25a的寬度（此處為直徑）相等，例如設定為1 mm以上，作為更具體的一例而設定為3 mm左右。第一抵接部23a的上端（即，頂點）與基板9的第二面F2抵接。

如以上所述，在圖6的例子中，第一支撐銷22a具有其寬度（此處為直徑）隨著朝向上方而單調非增加地減少的棒狀的形狀。在圖6的例子中，第一支撐銷22a的寬度在第一柱狀部25a中不依賴於上下方向而恒定，在第一抵接部23a中隨著朝向上方而單調地減少。

對於第一支撐銷22a的材料，例如可應用聚醚醚酮（polyether ether ketone，PEEK）或聚醯亞胺（PI）等樹脂材料。例如，通過適當調整樹脂材料的摩擦力，第一支撐銷22a可利用第一支撐銷22a的上端與基板9的第二面F2之間的摩擦力，以基板9不沿水平方向偏移的方式從下方支撐基板9。第一支撐銷22a例如是實心材料。

接著，對第一抵接部23a及第一柱狀部25a的上下方向上的長度的一例進行說明。在圖6的例子中，第一抵接部23a的長度與第一柱狀部25a的長度相比非常短。即，第一柱狀部25a最長。換言之，第一柱狀部25a相對於第一支撐銷22a的上下方向上的整體所占的比例最大。因此，第一支撐銷22a的粗細能夠由第一柱狀部25a的粗細代表。即，第一柱狀部25a的寬度（此處為直徑）主要表示第一支撐銷22a的粗細。

在圖7的例子中，第二支撐銷22b豎立設置於第二台座部26b的上表面。即，第二支撐銷22b從第二台座部26b的上表面朝向上方延伸。第二台座部26b形成得比第二支撐銷22b寬。在圖7的例子中，在第二台座部26b的下表面設置有第二外螺紋部27b。第二外螺紋部27b具有從第二台座部26b的下表面向下方延伸的柱狀的形狀，且在其側面形成有螺紋牙。第二支撐銷22b通過第二外螺紋部27b的螺紋作用而安裝於支撐板21。包括第二支撐銷22b、第二台座部26b及第二外螺紋部27b的銷結構體可由同一材料一體地形成，或者也可將多個構件組合而形成。此外，若將銷結構體的整體理解為第二支撐銷22b，則可將比第二台座部26b的上表面更靠上方的部分理解為第二銷本體部。

在圖7的例子中，第二支撐銷22b包含第二抵接部23b以及第二柱狀部25b。第二柱狀部25b具有沿上下方向延伸的柱狀的形狀，並豎立設置於第二台座部26b的上表面。即，第二柱狀部25b從第二台座部26b的上表面向上方延伸。第二柱狀部25b例如具有圓柱狀的形狀。在此情況下，第二柱狀部25b的水平剖面的形狀為圓狀。第二柱狀部25b例如以等寬度沿著上下方向延伸。第二柱狀部25b的寬度（此處為直徑）例如設定為0.6 mm以上，作為更具體的一例而設定為1 mm左右。

第二抵接部23b設置於第二柱狀部25b的上端面。第二抵接部23b例如具有錐體狀的形狀。作為具體的一例，第二抵接部23b也可具有圓錐狀的形狀。或者，第二抵接部23b具有半球狀或半橢圓狀的形狀。在此情況下，第二抵接部23b的水平剖面的形狀也為圓狀。此種第二抵接部23b的寬度（此處為直徑）也隨著朝向上方而變小。第二抵接部23b的下端的寬度（此處為直徑）例如與第二柱狀部25b的寬度（此處為直徑）相等，例如設定為0.6 mm以上，作為更具體的一例而設定為1 mm左右。第二抵接部23b的上端（即，頂點）與基板9的第二面F2抵接。

如以上所述，在圖7的例子中，第二支撐銷22b具有其寬度（此處為直徑）隨著朝向上方而單調非增加地減少的棒狀的形狀。在圖7的例子中，第二支撐銷22b的寬度在第二柱狀部25b中不依賴於上下方向而恒定，在第二抵接部23b中隨著朝向上方而單調地減少。

對於第二支撐銷22b的材料，例如與第一支撐銷22a同樣地，可應用聚醚醚酮或聚醯亞胺等樹脂材料。第二支撐銷22b例如是實心材料。

接著，對第二抵接部23b及第二柱狀部25b的上下方向上的長度進行說明。在圖7的例子中，第二抵接部23b的長度與第二柱狀部25b的長度相比非常短。即，第二柱狀部25b相對於第二支撐銷22b的上下方向上的整體所占的比例最大。因此，第二支撐銷22b的粗細能夠由第二柱狀部25b的粗細代表。即，第二柱狀部25b的寬度（此處為直徑）主要表示第二支撐銷22b的粗細。

如根據圖6及圖7的比較可理解那樣，第一支撐銷22a比第二支撐銷22b粗。此處，第一柱狀部25a比第二柱狀部25b粗。第一柱狀部25a的寬度（此處為直徑）與第二柱狀部25b的寬度（此處為直徑）之差例如可為0.5 mm以上，也可為1 mm以上，也可為2 mm以上。

此處，進一步對同一水平剖面中的第一支撐銷22a的寬度與第二支撐銷22b的寬度的比較進行考察。如圖6及圖7所示，在第一支撐銷22a及第二支撐銷22b的上下方向的整體上，任意的水平剖面中的第一支撐銷22a的寬度可為第二支撐銷22b的寬度以上。例如，第一支撐銷22a的第一抵接部23a的上部及第二支撐銷22b的第二抵接部23b例如可具有同一形狀。根據所述形狀，水平剖面中的第一抵接部23a的上部的寬度與第二抵接部23b的寬度相互相等。另一方面，第一抵接部23a的下部的寬度隨著朝向下方而進一步變大，因此在同一水平剖面中，第一支撐銷22a的第一抵接部23a的下部的寬度比第二支撐銷22b的第二柱狀部25b的寬度大。另外，第一柱狀部25a的寬度也在同一水平剖面中比第二柱狀部25b的寬度大。根據此種形狀，在任意的水平剖面中，第一支撐銷22a與第二支撐銷22b為相同粗細，或者比第二支撐銷22b粗。

此外，第一支撐銷22a與第二支撐銷22b的粗細的比較例如也可通過在同一水平剖面中，相當於第一支撐銷22a的側面的輪廓的第一整周長度與相當於第二支撐銷22b的側面的輪廓的第二整周長度的比較來規定。在所述例子中，第一支撐銷22a及第二支撐銷22b的水平剖面的形狀為圓狀，因此整周長度相當於圓周的長度。

此處，在使水平剖面沿上下方向移動時，第一整周長度比第二整周長度長的上下方向上的範圍只要相對於第一支撐銷22a及第二支撐銷22b的上下方向的長度占5成以上即可。在此情況下，可以說第一支撐銷22a比第二支撐銷22b粗。所述比例例如可為6成以上，也可為7成以上，也可為8成以上。

圖8是表示基板9與第一支撐銷22a及第二支撐銷22b的位置關係的第一例的圖。在圖8中，作為基板9的下表面的第二面F2中，由第一支撐銷22a支撐的位置用白色圓圈表示，由第二支撐銷22b支撐的位置用黑色圓圈表示。另外，在圖8中，基板9中的塗布區域A1的外緣與基板9中的周緣區域B1及內側區域B2的邊界B3分別以雙點劃線描繪。

如圖8所示，若干第一支撐銷22a支撐基板9的周緣區域B1。即，這些第一支撐銷22a的上端與基板9的周緣區域B1的下表面接觸。基板9的周緣區域B1具有在平面視時呈矩形的框狀形狀，因此這些第一支撐銷22a也沿著矩形形狀的框在整周上排列。在圖8的例子中，在基板9的周緣區域B1的上表面未形成塗布膜90。即，周緣區域B1相當於非塗布區域A2。另外，在圖8的例子中，剩餘的若干第一支撐銷22a位於基板9的內側區域B2中的塗布區域A1以外的區域。即，剩餘的第一支撐銷22a支撐基板9的內側區域B2，但是支撐內側區域B2中的非塗布區域A2。換言之，剩餘的第一支撐銷22a的上端與基板9的內側區域B2中的非塗布區域A2的下表面接觸。

另一方面，多個第二支撐銷22b支撐基板9的內側區域B2中的塗布區域A1。即，多個第二支撐銷22b的上端與基板9的塗布區域A1的下表面接觸。在塗布區域A1形成有圖案狀的塗布膜90的情況下，若干第二支撐銷22b能夠支撐塗布區域A1中的被覆區域A3，剩餘的第二支撐銷22b能夠支撐塗布區域A1中的露出區域A4。在塗布區域A1的整體形成有塗布膜90的情況下，塗布區域A1的整體相當於被覆區域A3，因此所有的第二支撐銷22b支撐被覆區域A3。

如以上所述，在圖8的例子中，所有的第二支撐銷22b與基板9中的塗布區域A1的下表面抵接，所有的第一支撐銷22a與基板9中的非塗布區域A2的下表面抵接。

圖9是示意性地表示減壓下的腔室10內的氣流的一例的圖。當排氣部30將腔室10內的氣體排出時，腔室10內的氣體的溫度由於絕熱膨脹而急劇下降。腔室10內的氣體的溫度能夠下降至例如攝氏零下（-）20度左右。另一方面，腔室10內的物體（固體）的溫度也下降。例如，基板9的溫度會由於伴隨塗布膜90的溶媒蒸發的汽化熱的吸收及基板9與周圍的氣體之間的熱交換而下降。另外，例如支撐銷22的溫度由於支撐銷22與周圍的氣體的熱交換而下降。然而，這些物體的溫度下降與由於絕熱膨脹而產生的氣體的溫度下降相比並不那麼大，例如，支撐銷22的溫度下降量為幾度左右（例如2度左右以下）。因此，支撐銷22的溫度例如為攝氏23度左右。

通過所述支撐銷22與氣體的熱交換，在支撐銷22的周圍將氣體加熱。因此，在第一支撐銷22a及第二支撐銷22b的周圍分別產生上升氣流Ga及上升氣流Gb。氣體通過上升氣流Ga而沿著第一支撐銷22a上升，氣體通過上升氣流Gb而沿著第二支撐銷22b上升。因此，能夠通過上升氣流Ga及上升氣流Gb而將氣體局部地供給至基板9的第二面F2。因此，基板9中的與支撐銷22的接觸部位的周圍（以下，稱為銷附近區域）與遠離所述銷附近區域的區域（以下，稱為銷分離區域）相比，容易受到上升氣流Ga及上升氣流Gb的影響。其結果，基板9中的銷附近區域的溫度與銷分離區域的溫度之差變大，基板9的溫度分佈可能會變得不均勻。

且說，在本實施方式中，第二支撐銷22b比第一支撐銷22a細。即，水平剖面中的第二支撐銷22b的第二整周長度比所述水平剖面中的第一支撐銷22a的第一整周長度短。進一步換言之，第二支撐銷22b的側面的表面積比第一支撐銷22a的側面的表面積小。因此，第一支撐銷22a周圍的氣體以更大的表面積與第一支撐銷22a進行熱交換，第二支撐銷22b周圍的氣體以更小的表面積與第二支撐銷22b進行熱交換。因此，上升氣流Ga在更寬的範圍（即，粗的第一支撐銷22a的周圍）產生，上升氣流Gb在更窄的範圍（即，細的第二支撐銷22b的周圍）產生。因此，上升氣流Gb的產生量（例如體積流量）比上升氣流Ga的產生量小。在圖9中，以箭頭線的粗細示意性地表示上升氣流Ga及上升氣流Gb的產生量。

第二支撐銷22b與基板9的塗布區域A1的下表面抵接。因此，通過第二支撐銷22b周圍的上升氣流Gb，能夠向塗布區域A1的下表面局部地供給氣體。然而，上升氣流Gb的產生量小，因此並不那麼阻礙塗布區域A1中的溫度的均勻性。因此，和採用第一支撐銷22a作為與塗布區域A1的下表面抵接的支撐銷22的結構相比，可提高基板9的塗布區域A1中的溫度分佈的均勻性。其結果，可使塗布膜90更均勻地乾燥。換言之，能夠抑制形成於基板9的上表面的塗布膜90中產生乾燥不均。

另一方面，第一支撐銷22a與基板9的非塗布區域A2的下表面抵接。因此，通過上升氣流Ga，能夠向基板9的非塗布區域A2的下表面局部地供給氣體。所述上升氣流Ga的產生量比較大，因此非塗布區域A2中的溫度分佈與塗布區域A1相比可能會變得不均勻。然而，在所述例子中，在非塗布區域A2未形成塗布膜90，因此幾乎不會導致塗布膜90的乾燥不良。

而且，第一支撐銷22a比第二支撐銷22b粗，因此具有比第二支撐銷22b的剛性更高的剛性。因此，第一支撐銷22a可更牢固地支撐基板9的周緣區域B1。為了進行比較，對在所有支撐銷22採用細的第二支撐銷22b的結構（以下，稱為比較結構）進行考察。在所述比較結構中，在水平方向上對基板9施加外力時，基板9能夠沿水平方向位移。其原因在於：支撐銷22越細，支撐銷22對水平方向的外力越弱。例如，支撐銷22能夠以台座部為固定端撓曲。在搬入搬出基板9時或對腔室10內進行減壓時，能夠對基板9施加具有水平方向成分的外力，因此基板9能夠沿水平方向位移。此種基板9的水平方向上的位移不優選。

與此相對，在本實施方式中，支撐基板9的周緣區域B1的第一支撐銷22a比支撐基板9的內側區域B2中的塗布區域A1的第二支撐銷22b粗。因此，第一支撐銷22a可以更高的剛性支撐基板9的周緣區域B1。因此，即使向基板9施加具有水平方向成分的外力，粗的第一支撐銷22a也可有效地抑制基板9的水平方向上的位移。而且，若第一支撐銷22a沿著基板9的周緣區域B1的周向在整周上排列，則可更牢固地支撐基板9的周緣區域B1，可更有效地抑制基板9的水平方向上的位移。

＜＜排氣部30＞＞ 參照圖1，排氣部30為將腔室10內的氣體排出的部分。如圖1及圖2所示，在腔室10的底板部11中的與基板9在上下方向上對向的部分，例如設置有四個排氣口16a、16b、16c、16d。排氣部30例如具有排氣配管31、四個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd、主閥Ve、以及真空泵32。排氣配管31例如具有四個單獨配管31a、31b、31c、31d與一個主配管31e。例如，單獨配管31a的一端連接於排氣口16a，單獨配管31b的一端連接於排氣口16b，單獨配管31c的一端連接於排氣口16c，單獨配管31d的一端連接於排氣口16d。例如，四個單獨配管31a、31b、31c、31d各自的另一端合流而連接於主配管31e的一端。例如，主配管31e的另一端連接於真空泵32。例如，單獨閥Va設置於單獨配管31a的路徑上，單獨閥Vb設置於單獨配管31b的路徑上，單獨閥Vc設置於單獨配管31c的路徑上，單獨閥Vd設置於單獨配管31d的路徑上。例如，主閥Ve設置於主配管31e的路徑上。

此處，例如，當在通過閘門部15將搬入搬出口14關閉的狀態下，將四個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd的至少一個與一個主閥Ve打開，使真空泵32運行時，腔室10內的氣體經由排氣配管31向腔室10的外部排出。由此，例如，可使腔室10的內部空間10s的氣壓下降。四個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd例如是用於各別地調節來自四個排氣口16a、16b、16c、16d的排氣量的閥。對於四個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd的各者，例如可應用基於來自控制部80的指令在開狀態與閉狀態之間切換的閥（也稱為開閉閥）。主閥Ve例如是用於調整來自四個排氣口16a、16b、16c、16d的合計的排氣量的閥。對於主閥Ve，例如可應用能夠基於來自控制部80的指令調節開度的閥（也稱為開度控制閥）。

＜＜升降部100＞＞ 升降部100為在腔室10內使支撐部20升降的部分。換言之，例如，升降部100具有可使支撐部20升降的機構（也稱為升降機構）。在圖1中，為了避免附圖的複雜化，概念性地示出了升降部100。對於升降部100，例如可應用直動型馬達或汽缸等驅動裝置。如圖3所示，升降部100例如具有本體部100a與移動部100b。本體部100a例如在腔室10的外部固定於省略了圖示的裝置框架。移動部100b例如可相對於本體部100a沿上下方向移動。對於移動部100b，例如可應用棒狀的構件等。移動部100b例如以插通至腔室10的底板部11的貫通孔11h的狀態存在。而且，例如在移動部100b的上端部固定有支撐部20。此處，例如，若在底板部11的下表面與移動部100b之間設置波紋管等，則能夠將底板部11與移動部100b之間的間隙密閉。例如，在支撐部20具有多個支撐板21的情況下，移動部100b具有針對每一支撐板21固定於支撐板21且插通至底板部11的貫通孔11h的棒狀的部分（也稱為棒狀部）、將多個棒狀部連結的部分（也稱為連結部）、以及連接於連結部且能夠滑動地支撐於本體部100a的部分（也稱為滑動部）。

此處，例如，當使升降部100運行時，支撐部20在下降位置H1（圖1及圖3中點劃線所示的位置）與比下降位置H1高的上升位置H2（圖1及圖3中雙點劃線所示的位置）之間沿上下方向升降。此時，例如，多個支撐板21能夠一體地升降。

＜＜底面整流板40＞＞ 底面整流板40是用於在利用排氣部30對腔室10內進行減壓時限制內部空間10s中的氣體流動的板。例如，底面整流板40配置成位於由支撐部20支撐的基板9與腔室10的底板部11之間。底面整流板40例如經由省略了圖示的多個支柱而固定於腔室10的底板部11。如圖2所示，例如，底面整流板40具有在俯視時呈正方形形狀的形狀。而且，例如，底面整流板40的俯視時的各邊的長度比長方形形狀的基板9的長邊及短邊中的任一者長。因此，例如，無論配置於支撐部20上的基板9的朝向如何，在俯視時，底面整流板40均比基板9大。另外，底面整流板40例如具有處於插通有升降部100的移動部100b的狀態的貫通孔40h。在貫通孔40h中，底面整流板40與移動部100b空開極小的間隔地存在。

＜＜側面整流板50＞＞ 側面整流板50是與底面整流板40一併用於在利用排氣部30對腔室10內進行減壓時限制內部空間10s中的氣體的流動的板。例如，側面整流板50配置成位於由配置於下降位置H1的支撐部20支撐的基板9與腔室10的側壁部12之間。此處，例如，以包圍由支撐部20支撐的基板9的周圍的方式配置有四個側面整流板50。例如，四個側面整流板50整體上形成包圍基板9的四角筒狀的整流板。另外，例如，底面整流板40及四個側面整流板50整體上形成有底筒狀的箱狀的整流板。

此處，例如，在利用排氣部30對腔室10內進行減壓時，腔室10的內部空間10s的氣體按照所述記載的順序通過側面整流板50與側壁部12之間的空間、底面整流板40與底板部11之間的空間、及排氣口16a、排氣口16b、排氣口16c、排氣口16d，排出至腔室10的外部。如此，例如，通過氣體在遠離基板9的空間中流動，而在基板9的附近難以形成氣流。而且，在基板9的周緣部難以產生集中的氣流。由此，例如，能夠抑制形成於基板9的上表面的塗布膜90產生乾燥不均。

另外，此處，例如，如圖2所示，採用在俯視時四個排氣口16a、16b、16c、16d均位於正方形形狀的底面整流板40的對角線41上的結構。在此情況下，例如，通過各排氣口16a、排氣口16b、排氣口16c、排氣口16d，能夠形成相對於底面整流板40的中央（兩條對角線41的交點）對稱的氣流。由此，例如，在腔室10的內部空間10s中，能夠形成更均勻的氣流。

＜＜供氣部60＞＞ 供氣部60為進行向腔室10內供給氣體的動作（也稱為供氣）的部分。如圖1所示，在腔室10的底板部11，例如設置有供氣口16f。供氣口16f例如位於底面整流板40的下方。供氣部60具有與供氣口16f連接的供氣配管61、供氣閥Vf、以及供氣源62。例如，供氣配管61的一端連接於供氣口16f。例如，供氣配管61的另一端連接於供氣源62。例如，供氣閥Vf設置於供氣配管61的路徑上。

此處，例如，當將供氣閥Vf打開時，從供氣源62經由供氣配管61及供氣口16f向腔室10的內部空間10s供給氣體。由此，可使腔室10內的氣壓上升。從供氣源62供給的氣體例如可為氮氣等惰性氣體，也可為清潔乾燥空氣。清潔乾燥空氣例如能夠通過對一般的環境中的空氣實施去除粒子及水分的淨化而準備。

＜＜壓力計70＞＞ 壓力計70是測量腔室10的內部空間10s的氣壓的感測器。如圖1所示，例如，壓力計70安裝於腔室10的一部分。壓力計70例如可測量腔室10的內部空間10s的氣壓，並將其測量結果輸出至控制部80。

＜＜控制部80＞＞ 控制部80是用於對減壓乾燥裝置1的各部的動作進行控制的單元。例如，控制部80可對排氣部30、供氣部60及升降部100等進行控制。控制部80例如包括具有中央處理器（Central Processing Unit，CPU）等處理器801、隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）等記憶體802及硬碟驅動器等存儲部803的計算機。在存儲部803例如存儲有用於在減壓乾燥裝置1中執行通過減壓而使基板9上的塗布膜90乾燥的處理（也稱為減壓乾燥處理）的計算機程序（也稱為程序）803p及各種數據。存儲部803例如存儲程序803p，具有作為由計算機可讀取的非暫時的存儲介質的作用。控制部80例如從存儲部803向記憶體802讀出程序803p及數據，在處理器801中進行按照程序803p及數據的運算處理，由此對減壓乾燥裝置1的各部的動作進行控制。因此，例如，程序803p通過在減壓乾燥裝置1中由控制部80中所包含的處理器801執行，而可執行減壓乾燥處理。

另外，在控制部80例如也可連接有輸入部804、輸出部805、通信部806及驅動器807。輸入部804例如為響應於用戶的動作等將各種信號輸入至控制部80的部分。輸入部804中例如能夠包含輸入與用戶的操作相應的信號的操作部、輸入與用戶的聲音相應的信號的麥克風、及輸入與用戶的運動相應的信號的各種感測器等。輸出部805例如為以用戶能夠識別的實施方式輸出各種信息的部分。輸出部805中例如能夠包含顯示部、投影儀、及揚聲器等。顯示部也可為與輸入部804一體化的觸控面板。通信部806例如為通過有線或無線的通信部件等在與服務器等外部的裝置之間進行各種信息的收發的部分。例如，也可在存儲部803中存儲通過通信部806從外部的裝置接收的程序803p。驅動器807例如為能夠裝卸磁盤或光盤等可移動的存儲介質807m的部分。所述驅動器807例如在裝設有存儲介質807m的狀態下，進行所述存儲介質807m與控制部80之間的數據的授受。例如，也可通過存儲有程序803p的存儲介質807m裝設於驅動器807，而從存儲介質807m讀入程序803p並存儲於存儲部803內。此處，存儲介質807m例如存儲程序803p，具有作為由計算機可讀取的非暫時的存儲介質的作用。

圖10是概念性地示出了在控制部80中實現的功能的方塊圖。如圖10所示，控制部80例如與開閉驅動部16、升降部100、四個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd、主閥Ve、真空泵32、供氣閥Vf、及壓力計70分別電連接。控制部80例如可參照從壓力計70輸出的測量值來對所述各部的動作進行控制。

如圖10中概念性地所示，控制部80例如具有開閉控制部81、升降控制部82、切換控制部83、排氣控制部84、泵控制部85、及供氣控制部86作為所實現的功能性結構。例如，開閉控制部81對開閉驅動部16的動作進行控制。例如，升降控制部82對升降部100的動作進行控制。例如，切換控制部83各別地控制四個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd的開閉狀態。例如，排氣控制部84對主閥Ve的開閉狀態及開度進行控制。例如，泵控制部85對真空泵32的動作進行控制。例如，供氣控制部86對供氣閥Vf的開閉狀態進行控制。控制部80的各部的功能例如是通過處理器801進行按照所述程序803p等的運算處理來實現。

＜2.減壓乾燥處理＞ 接著，對使用了減壓乾燥裝置1的基板9的減壓乾燥處理進行說明。圖11是表示一實施方式的減壓乾燥處理的流程的一例的流程圖。所述減壓乾燥處理的流程例如是通過在控制部80中所包含的處理器801中執行程序803p來實現。此處，例如，按照所述順序進行圖11的步驟S1至步驟S4的處理。

在使用減壓乾燥裝置1進行減壓乾燥處理時，例如，首先，將基板9搬入至腔室10內（步驟S1）。此時，處於在基板9的上表面形成有未乾燥的塗布膜90的狀態。在步驟S1中，例如，閘門部15在控制部80的控制下將搬入搬出口14打開，省略了圖示的搬送機器人在將基板9載置於叉子狀的機械手的同時，經由腔室10的搬入搬出口14將基板9搬入至腔室10的內部空間10s。在此時間點，支撐部20例如配置於下降位置H1。搬送機器人例如在將叉子狀的機械手插入至支撐部20的多個支撐板21之間的同時，將基板9載置於支撐部20上，其後，使叉子退避至腔室10的外部。然後，閘門部15在控制部80的控制下將搬入搬出口14關閉。如以上所述，在步驟S1中，進行將基板9載置於腔室10內所配置的多個支撐銷22的步驟（也稱為載置步驟）。

在所述步驟S1中，基板9由多個支撐銷22支撐。具體而言，基板9的周緣區域B1由第一支撐銷22a支撐，基板9的內側區域B2中的塗布區域A1由第二支撐銷22b支撐。另外，基板9的內側區域B2中的非塗布區域A2由第一支撐銷22a支撐。

接著，減壓乾燥裝置1將腔室10內的氣體排出（步驟S2）。具體而言，控制部80通過使排氣部30將腔室10內的氣體排出，使腔室10內減壓。換言之，在步驟S2中，進行使腔室10內減壓的步驟（也稱為排氣步驟）。通過所述排氣步驟，腔室10內的氣壓下降至目標氣壓。

在步驟S2中，例如，控制部80可使支撐部20適宜升降，也可各別地適宜對多個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd各自的開閉狀態進行控制，也可適宜對主閥Ve的開度進行控制。例如，減壓乾燥裝置1也可在排氣步驟的初期，在使支撐部20向上升位置H2移動的狀態下緩慢地將腔室10內的氣體排出（第一處理），其後，在使支撐部20移動至下降位置H1後，排氣部30急劇地將腔室10內的氣體排出（第二處理）。由此，可在抑制在腔室10內的基板9的周圍產生強氣流的同時，對腔室10內進行減壓。

其後，排氣部30以腔室10內的氣壓為目標氣壓且大致恒定的方式將腔室10內的氣體排出（第三處理）。當氣壓達到目標氣壓時，塗布膜90的溶劑沸騰而塗布膜90的乾燥以更高的速度進行。當塗布膜90的沸騰結束時，排氣部30也可對腔室10內進一步進行減壓（第四處理）。由此，可更可靠地使塗布膜90乾燥。

另外，由於腔室10內的氣體的排出，腔室10內的氣體的溫度急劇地下降，並且腔室10內的各物體的溫度也在一定程度上下降。因此，如上所述，在腔室10內的第一支撐銷22a的周圍及第二支撐銷22b的周圍分別產生上升氣流Ga及上升氣流Gb。但是，上升氣流Gb的產生量比上升氣流Ga小，因此因上升氣流Gb而產生的基板9的塗布區域A1的溫度分佈的偏差小。因此，可抑制由基板9的溫度分佈的偏差引起的乾燥不均的產生。

此外，在所述排氣步驟中，通過基板9的上表面與頂板部13之間的氣流，控制部80可能產生塗布膜90的乾燥不均。為了抑制所述乾燥不均的產生，也可在第一處理至第三處理各者中依次切換四個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd的開閉狀態。例如，切換控制部83將四個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd中的一個單獨閥關閉，並且將其他的單獨閥打開。而且，切換控制部83依次變更關閉的一個單獨閥。具體而言，依次切換將一個單獨閥Va關閉並將其他三個單獨閥Vb、Vc、Vd打開的第一狀態、將一個單獨閥Vb關閉並將其他三個單獨閥Va、Vc、Vd打開的第二狀態、將一個單獨閥Vc關閉並將其他三個單獨閥Va、Vb、Vd打開的第三狀態、以及將一個單獨閥Vd關閉並將其他三個單獨閥Va、Vb、Vc打開的第四狀態。若如此，則在排氣步驟中，形成於基板9的上表面與頂板部13之間的空間的氣流的方向根據單獨閥Va、單獨閥Vb、單獨閥Vc、單獨閥Vd的切換而變化。因此，可使基板9的上表面的塗布膜90更均勻地乾燥。另一方面，在第四處理中，由於溶劑的蒸發不活躍，因此也可將四個單獨閥Va、Vb、Vc、Vd全部打開。

接著，控制部80將供氣閥Vf打開。由此，從供氣源62穿過供氣配管61及供氣口16f而向腔室10的內部空間10s供給氣體（步驟S3）。由此，腔室10內的氣壓再次上升至大氣壓。

然後，例如，最後將基板9從腔室10內搬出（步驟S4）。在步驟S4中，例如，首先，閘門部15在控制部80的控制下將搬入搬出口14打開，省略了圖示的搬送機器人經由腔室10的搬入搬出口14將載置於支撐部20的乾燥完畢的基板9搬出至腔室10的外部。由此，能夠結束對一片基板9的減壓乾燥處理。

如此，使用減壓乾燥裝置1使形成於作為基板9的上表面的第一面F1的塗布膜90乾燥的方法（也稱為減壓乾燥方法）例如具有載置步驟以及排氣步驟。

如以上所述，在一實施方式的減壓乾燥裝置1中，在步驟S1中，在第一支撐銷22a及第二支撐銷22b上載置基板9。第一支撐銷22a比第二支撐銷22b粗，在圖8的例子中，若干第一支撐銷22a支撐基板9的周緣區域B1，第二支撐銷22b支撐基板9的內側區域B2中的塗布區域A1。粗的第一支撐銷22a支撐基板9的周緣區域B1，因此，例如在排氣步驟中，即使由於氣流而向基板9施加水平方向成分的外力，也可更可靠地抑制基板9的水平方向上的位移。

另一方面，在排氣步驟中產生的第一支撐銷22a周圍的上升氣流Ga的產生量比較大。因此，能夠使周緣區域B1的溫度分佈的均勻性下降。然而，在周緣區域B1未形成塗布膜90，因此幾乎不會導致乾燥不均的產生。

支撐基板9的塗布區域A1的第二支撐銷22b細，因此可減少在排氣步驟中產生的第二支撐銷22b周圍的上升氣流Gb的產生量。因此，可抑制上升氣流Gb向基板9的塗布區域A1的下表面供給氣體。因此，可減少塗布區域A1中的溫度分佈的偏差量，可抑制對塗布膜90產生乾燥不均。

如以上所述，根據一實施方式的減壓乾燥裝置1，可兼顧基板9的水平方向上的位移的抑制與塗布區域A1中的溫度分佈的偏差的抑制。

另外，在圖8的例子中，基板9的內側區域B2中的非塗布區域A2由粗的第一支撐銷22a支撐。據此，可更牢固地支撐基板9。

＜＜支撐銷的根數＞＞ 如上所述，可通過粗的第一支撐銷22a抑制基板9的水平方向上的位移。因此，關於第二支撐銷22b，可僅考慮壓曲方向的強度來決定第二支撐銷22b的根數。例如，支撐銷22的壓曲荷重Pcr可由以下的式子表示。

[數1] ···（1）

此處，E表示楊氏模量，Imin表示剖面二次力矩的最小值，L表示支撐銷22的長度。

例如，在直徑為0.5 mm、楊氏模量為4300 Mpa、支撐銷22的長度為30 mm的情況下，壓曲荷重Pcr為約0.29 N。只要對每一根第二支撐銷22b施加的基板9的重量為壓曲荷重Pcr以下即可，因此為了支撐厚度為0.5 mm、比重為3 g/cm ³的基板9，每130 mm需要一根第二支撐銷22b。

＜＜支撐銷的排列例＞＞ 在圖8的例子中，第一支撐銷22a與基板9的非塗布區域A2的下表面抵接，第二支撐銷22b與基板9的塗布區域A1的下表面抵接。也可以說塗布區域A1是用來形成元件的元件區域，因此也可以說第一支撐銷22a與基板9的非元件區域的下表面抵接，第二支撐銷22b與基板9的元件區域抵接。然而，未必限於此。

圖12是表示基板9與第一支撐銷22a及第二支撐銷22b的位置關係的第二例的圖。在圖12的例子中，所有的第一支撐銷22a與基板9的周緣區域B1的下表面抵接，所有的第二支撐銷22b與基板9的內側區域B2的下表面抵接。相反地，所有的第一支撐銷22a不與基板9的內側區域B2的下表面抵接，而是避開基板9的內側區域B2而設置。同樣地，所有的第二支撐銷22b不與基板9的周緣區域B1的下表面抵接，而是避開基板9的周緣區域B1而設置。

據此，粗的第一支撐銷22a不位於基板9的內側區域B2的正下方。因此，即使在基板9的內側區域B2中變更塗布區域A1的個數、位置及形狀，基板9的塗布區域A1也僅由細的第二支撐銷22b支撐。因此，基板9中的形成有塗布膜90的區域僅由第二支撐銷22b支撐。因此，即使變更塗布區域A1的個數、位置及形狀，也可抑制對塗布膜90產生乾燥不均。

＜＜支撐銷22與基板9的接觸面積＞＞ 第一支撐銷22a的上端與作為基板9的下表面的第二面F2的第一接觸面積、和第二支撐銷22b的上端與基板9的第二面F2的第二接觸面積的大小關係並無特別限定。但是，關於支撐基板9的周緣區域B1的第一支撐銷22a的第一接觸面積也可比第二接觸面積大。

據此，可使第一支撐銷22a與基板9的周緣區域B1之間的摩擦力比第二支撐銷22b與基板9之間的摩擦力大。因此，更粗的第一支撐銷22a可減少基板9的水平方向上的偏移量。另一方面，若第一接觸面積大，則在第一支撐銷22a與基板9之間移動的熱量比較大。然而，這些第一支撐銷22a支撐基板9的周緣區域B1（即非塗布區域A2），因此不易導致基板9的塗布區域A1中的溫度分佈的偏差。

第二支撐銷22b與基板9的第二接觸面積比第一支撐銷22a與基板9的第二接觸面積小，因此可減少在第二支撐銷22b與基板9之間移動的熱量。雖然第二支撐銷22b支撐基板9的塗布區域A1，但是由於第二支撐銷22b與基板9之間的熱的移動量小，因此可抑制塗布區域A1的溫度分佈的偏差。因此，可抑制對塗布膜90產生乾燥不均。

＜＜支撐銷22的間距＞＞ 接著，對第一支撐銷22a彼此的間距及第二支撐銷22b彼此的間距進行說明。圖13是表示基板9與第一支撐銷22a及第二支撐銷22b的位置關係的第三例的圖。在圖13的例子中，第一支撐銷22a彼此的間距比第二支撐銷22b彼此的間距寬。

第一支撐銷22a比第二支撐銷22b粗，因此即使將第一支撐銷22a彼此的間距設定得比第二支撐銷22b彼此的間距寬，也可適當地支撐基板9。相反地，在可抑制基板9的水平方向上的位移的同時適當地支撐基板9的程度的範圍內，可將第一支撐銷22a的間距設定得比第二支撐銷22b的間距寬。

據此，可減少第一支撐銷22a的根數，可減少減壓乾燥裝置1的製造成本。另外，支撐銷22的上端能夠因與基板9的接觸而磨損。即，支撐銷22為消耗品，因此需要更換支撐銷22，但支撐銷22的根數越少，越可減少支撐銷22的更換作業的工時。

＜＜支撐銷22的材質＞＞ 第二支撐銷22b例如可由多孔質樹脂形成。此處提及的所謂多孔質樹脂是指樹脂內部包含多個的細孔的結構。此種多孔質樹脂例如能夠通過超臨界發泡成形等發泡成形來製造。對於樹脂，例如能夠應用聚丙烯。形成於樹脂內部的細孔的直徑的平均值例如可為幾nm以上，也可為幾十μm以下。

此種第二支撐銷22b的導熱率比較低。其原因在於：細孔內的氣體與樹脂相比不易傳遞熱，因此第二支撐銷22b內的熱的移動被多個細孔阻礙。第二支撐銷22b的導熱率例如也可為0.12 W/m·K以下。

若第二支撐銷22b的導熱率小，則可減少經過第二支撐銷22b與基板9的內側區域B2的接觸部位而在第二支撐銷22b與基板9之間移動的熱量。因此，可進一步提高基板9的溫度的均勻性。因此，可進一步抑制形成於基板9的塗布區域A1的塗布膜90的乾燥不均。

此外，第二支撐銷22b的整體無需由多孔質樹脂形成，例如只要第二支撐銷22b中的至少第二抵接部23b由多孔質樹脂形成即可。例如，第二抵接部23b可由多孔質樹脂形成，第二柱狀部25b也可由非多孔質樹脂形成。由此，也可減少在第二支撐銷22b與基板9之間移動的熱量。當然，當第二支撐銷22b的整體由多孔質樹脂形成時，可進一步減少熱的移動。

第一支撐銷22a也可與第二支撐銷22b同樣地由多孔質樹脂形成。據此，可減少經過第一支撐銷22a與基板9的周緣區域B1的接觸部位而在第一支撐銷22a與基板9之間移動的熱量。因此，可減少基板9的周緣區域B1的溫度分佈的偏差量。進而，可減少基板9的周緣區域B1與內側區域B2之間的溫度差，可減少周緣區域B1與內側區域B2之間的熱的移動。因此，可抑制或避免內側區域B2中的端部分中的溫度分佈的偏差的增大。

＜3.變形例＞ 本公開並不限定於所述一實施方式，能夠在不脫離本公開的主旨的範圍內進行各種變更及改良等。

在所述一實施方式中，只要支撐基板9的周緣區域B1的兩個以上的支撐銷22中的至少一個為第一支撐銷22a即可。換言之，支撐基板9的周緣區域B1的兩個以上的支撐銷22中的若干可為第二支撐銷22b。總之，支撐基板9的周緣區域B1的兩個以上的支撐銷22也可包含第一支撐銷22a及第二支撐銷22b此兩者。若一個以上的粗的第一支撐銷22a支撐基板9的周緣區域B1，則可抑制基板9的水平方向上的位移。此外，理想的是支撐周緣區域B1的支撐銷22中的至少半數以上為第一支撐銷22a。

另外，只要支撐基板9的塗布區域A1的兩個以上的支撐銷22中的至少一個為第二支撐銷22b即可。換言之，支撐基板9的塗布區域A1的兩個以上的支撐銷22中的若干也可為第一支撐銷22a。若一個以上的細的第二支撐銷22b支撐基板9的塗布區域A1，則與僅第一支撐銷22a支撐塗布區域A1的結構相比，可減少塗布區域A1的溫度分佈的偏差量。此外，理想的是支撐周緣區域B1的支撐銷22中的至少一半以上為第二支撐銷22b。

另外，塗布膜90也可形成於基板9中的除周緣區域B1以外的整個面。

在所述一實施方式中，也可不存在使支撐部20升降的升降部100。在此情況下，多個支撐銷22也可固定於底面整流板40的上表面等腔室10內的部分或者底板部11的上表面等腔室10。

在所述一實施方式中，例如腔室10具有四個排氣口16a、16b、16c、16d，但並不限於此。例如，腔室10所具有的排氣口的數量也可為一個至三個及五個以上的任一者。另外，例如也可無單獨閥Va、單獨閥Vb、單獨閥Vc、單獨閥Vd。

在所述一實施方式中，減壓乾燥裝置1通過減壓使基板9上的塗布膜90乾燥，但並不限於此。例如，減壓乾燥裝置1也可通過減壓及加熱使基板9上的塗布膜90乾燥。

在所述一實施方式中，在腔室10的側壁部12設置有基板9的搬入搬出口14，但並不限於此。例如，也可採用腔室10的四個側壁部12及頂板部13構成一體的蓋部，且所述蓋部可從底板部11分離而向上方退避的結構。在此情況下，例如，蓋部也可通過開閉驅動部16等而上下移動。而且，腔室10能夠選擇性地設定為蓋部經由O型環等密封材料與底板部11接觸而將內部空間10s密閉的狀態（密閉狀態）、以及蓋部從底板部11向上方分離而將內部空間10s打開的狀態（開放狀態）。此處，若腔室10處於開放狀態，則可進行基板9向腔室10的內部空間10s的搬入及基板9從腔室10的內部空間10s的搬出。若腔室10處於關閉狀態，則通過來自內部空間10s的排氣及向內部空間10s的供氣，可通過減壓而使基板9上的塗布膜90乾燥。

在所述一實施方式中，例如，支撐部20可具有各種形態。例如，多個支撐板21也可為一體的一個支撐板21。

在所述一實施方式中，例如，可無底面整流板40，也可無側面整流板50。

在所述一實施方式中，例如，減壓乾燥裝置1中的各種動作例如也可響應於用戶對輸入部804的動作或從外部的裝置對通信部806輸入的信號等而開始或結束。

在所述一實施方式中，例如，在控制部80中，所實現的功能性結構的至少一部分也可包括專用的電子電路等硬件。

此外，當然能夠將分別構成所述一實施方式及各種變形例的全部或一部分適宜在不矛盾的範圍內進行組合。

1:減壓乾燥裝置 9:基板 9op:外周部（側面） 10:腔室 10s:內部空間 11:底板部 11h、40h:貫通孔 12:側壁部 13:頂板部 14:搬入搬出口 15:閘門部（閘閥） 16:開閉驅動部 16a、16b、16c、16d:排氣口 16f:供氣口 20:支撐部 21:支撐板 22:支撐銷 22a:第一支撐銷 22b:第二支撐銷 23a:第一抵接部 23b:第二抵接部 25a:第一柱狀部 25b:第二柱狀部 26a:第一台座部 26b:第二台座部 27a:第一外螺紋部 27b:第二外螺紋部 30:排氣部 31:排氣配管 31a、31b、31c、31d:單獨配管 31e:主配管 32:真空泵 40:底面整流板 41:對角線 50:側面整流板 60:供氣部 61:供氣配管 62:供氣源 70:壓力計 80:控制部 81:開閉控制部 82:升降控制部 83:切換控制部 84:排氣控制部 85:泵控制部 86:供氣控制部 90:塗布膜 100:升降部 100a:本體部 100b:移動部 801:處理器 802:記憶體 803:存儲部 803p:計算機程序（程序） 804:輸入部 805:輸出部 806:通信部 807:驅動器 807m:存儲介質 A1:區域（被形成區域、塗布區域） A2:區域（非塗布區域） A3:區域（被覆區域） A4:區域（露出區域） B1:周緣區域 B2:內側區域 B3:邊界 F1:第一面 F2:第二面 Ga、Gb:上升氣流 H1:下降位置 H2:上升位置 S1～S4:步驟 Va、Vb、Vc、Vd:單獨閥 Ve:主閥 Vf:供氣閥

圖1是表示一實施方式的減壓乾燥裝置的縱剖面的一例的圖。 圖2是表示一實施方式的減壓乾燥裝置的橫剖面的一例的圖。 圖3是表示一實施方式的減壓乾燥裝置的縱剖面的一例的圖。 圖4是表示基板的一例的立體圖。 圖5是表示基板的一部分的縱剖面的一例的圖。 圖6是表示第一支撐銷的外觀的一例的正視圖。 圖7是表示第二支撐銷的外觀的一例的正視圖。 圖8是表示基板的塗布區域與第一支撐銷及第二支撐銷的關係的第一例的圖。 圖9是示意性地表示減壓下的腔室內的氣流的一例的圖。 圖10是概念性地示出了可在控制部中實現的功能的方塊圖。 圖11是表示一實施方式的減壓乾燥處理的流程的一例的流程圖。 圖12是表示基板的塗布區域與第一支撐銷及第二支撐銷的關係的第二例的圖。 圖13是表示基板的塗布區域與第一支撐銷及第二支撐銷的關係的第三例的圖。

1:減壓乾燥裝置 9:基板 10:腔室 10s:內部空間 11:底板部 11h、40h:貫通孔 12:側壁部 13:頂板部 14:搬入搬出口 15:閘門部（閘閥） 16:開閉驅動部 20:支撐部 21:支撐板 22:支撐銷 22a:第一支撐銷 22b:第二支撐銷 40:底面整流板 50:側面整流板 100:升降部 100a:本體部 100b:移動部 H1:下降位置 H2:上升位置

Claims (5)

1. 一種減壓乾燥裝置，使形成於基板的上表面的塗布膜乾燥，所述減壓乾燥裝置包括： 腔室，收容所述基板； 多個支撐銷，在所述腔室內從下方支撐所述基板；以及 排氣部，將所述腔室內的氣體排出， 所述多個支撐銷包含一個以上的第一支撐銷、以及比所述第一支撐銷細的一個以上的第二支撐銷， 所述第一支撐銷中的至少一個從下方支撐所述基板中的周緣區域， 所述第二支撐銷中的至少一個從下方支撐所述基板的比所述周緣區域更靠內側的內側區域中的形成有所述塗布膜的區域， 所述第二支撐銷的導熱率為0.12 W/m·K以下。
2. 如請求項1所述的減壓乾燥裝置，其中， 所述基板的所述內側區域僅由所述第二支撐銷支撐。
3. 如請求項1所述的減壓乾燥裝置，其中， 所述第一支撐銷中的至少另一個支撐所述基板的所述內側區域中的形成有所述塗布膜的所述區域以外的區域。
4. 如請求項1所述的減壓乾燥裝置，其中， 所述第一支撐銷與所述基板的接觸面積比所述第二支撐銷與所述基板的接觸面積大。
5. 如請求項1所述的減壓乾燥裝置，其中， 所述第二支撐銷由多孔質樹脂形成。