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TWI902792B - 化學品輸送系統的加熱器設計方案 - Google Patents

化學品輸送系統的加熱器設計方案

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TWI902792B
TWI902792B TW110115707A TW110115707A TWI902792B TW I902792 B TWI902792 B TW I902792B TW 110115707 A TW110115707 A TW 110115707A TW 110115707 A TW110115707 A TW 110115707A TW I902792 B TWI902792 B TW I902792B
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heating element
gas
gas line
chemical
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TW110115707A
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戴維德 沙瑪
克利斯多福 Ｊ 勞伊
潘亞 王塞納克運
查理 達瑪索
馬文 克萊頓 布雷斯
Original Assignee
美商蘭姆研究公司
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Publication date
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Abstract

一種半導體基板處理設備包含用於處理半導體基板之化學品隔離室、化學品輸送模組和控制模組。化學品輸送模組與化學品隔離室流體連通，且包含蓄熱爐、控制爐和加熱元件。蓄熱爐使用經加熱前驅物以產生製程氣體。控制爐經由第一氣體管線來接收製程氣體，且經由第二氣體管線將製程氣體供應到化學品隔離室。第一氣體管線延伸在蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間。加熱元件將在蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間的第一氣體管線的一部分加熱。控制器模組基於此部分之溫度來調整加熱元件之加熱溫度。

Description

化學品輸送系統的加熱器設計方案
在本文中所揭示之標的一般關於與用於基板處理設備之化學品輸送系統相關聯之加熱器設計方案的系統、方法、設備和機器可讀取媒體。 [優先權主張]
本申請案主張2020年4月30日申請之美國臨時專利申請案第63/018,288號之優先權的權益，其係於此整體併入作為參考。
半導體基板處理設備係用以藉由包含蝕刻，物理氣相沉積(PVD)、化學品氣相沉積(CVD)、電漿加強化學品氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、電漿加強原子層沉積(PEALD)、脈衝沉積層(PDL)、電漿加強脈衝沉積層(PEPDL)處理和光阻移除之技術來處理半導體基板。一類型之基板處理設備包括含有頂部和底部電極之反應室，其中射頻(RF)功率施加在電極之間以激發製程氣體成為電漿，以用於在反應室中處理半導體基板。
另一類型之基板處理設備包含ALD工具，其是特殊類型之CVD處理系統，其中ALD反應發生在兩個或更多化學品物種之間，該等化學品物種經引入作為在化學品隔離室(例如ALD處理室)內之製程氣體。製程氣體(例如前驅物氣體)用來在諸如使用在半導體產業中之矽晶圓的基板上形成材料之薄膜沉積物。前驅物氣體從氣體源循序地引入ALD處理室而使得氣體與基板之表面反應以在結合時形成沉積層。
多個氣體管線可用來將製程氣體從氣體源供應到化學品隔離室。然而，氣體管線可能穿過會在氣體管線中建立冷點之非均勻環境(例如隔絕壁)。此冷點造成阻塞氣體管線且降低進入化學品隔離室的製程氣體流動。
在本文中所提供之先前技術之敘述通常呈現揭示內容之上下文。應該注意在此章節中所述之資訊經呈現以對本領域技術人士提供下述所記載標的之一些脈絡且不應被視為先前技術。更具體而言，就此先前技術之章節中所述而言的當前發明人之工作、以及在提申時可能未以其他方式認定為先前技術之態樣皆不明示地或暗示地承認作為針對本揭示內容之先前技術。
本文呈現用於半導體基板處理的方法、系統和電腦程式，其包含用於處理半導體基板之化學品隔離室之化學品輸送系統的加熱器設計方案之技術。
在實例實施例中，半導體基板處理設備包含用於處理半導體基板之化學品隔離室。半導體基板處理設備更包括與化學品隔離室流體連通之化學品輸送模組。化學品輸送模組包含蓄熱爐(canister oven)、控制爐和加熱元件。蓄熱爐經配置以將前驅物加熱到預定溫度且使用經加熱前驅物來產生製程氣體。控制爐經配置以經由第一氣體管線來接收製程氣體，且經由第二氣體管線將製程氣體供應到化學品隔離室以用於處理半導體基板。第一氣體管線延伸在蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間。加熱元件經配置以將蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間的第一氣體管線之一部分加熱。半導體基板處理設備更包含耦合到化學品輸送模組和化學品隔離室之控制器模組。控制器模組經配置以偵測第一氣體管線之部分之溫度且基於經偵測溫度來調整加熱元件之加熱溫度。
在另一實例實施例中，用於將製程氣體供應到半導體基板處理設備之化學品隔離室的化學品輸送模組包含蓄熱爐、控制爐、加熱元件和控制器模組。蓄熱爐經配置以將前驅物加熱到預定溫度且使用經加熱前驅物來產生製程氣體。控制爐經配置以經由第一氣體管線來接收製程氣體，且經由第二氣體管線將製程氣體供應到化學品隔離室以用於處理半導體基板。第一氣體管線延伸在蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間。加熱元件經配置以將蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間的第一氣體管線之一部分加熱。控制器模組經配置以偵測第一氣體管線之部分之溫度且基於經偵測溫度來調整加熱元件之加熱溫度。
在又另一實例實施例中，用於處理半導體基板之方法包含在蓄熱爐內將前驅物加熱到預定溫度以產生製程氣體。方法更包含經由氣體管線將製程氣體供應到其中半導體基板受處理之化學品隔離室。氣體管線延伸在蓄熱爐和化學品隔離室之間。方法更包含使用加熱元件將延伸在蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間的氣體管線之一部分加熱。方法更包含監視加熱元件之表面溫度。方法更包含基於表面溫度來調整加熱元件之加熱溫度。
以下敘述包含體現本揭示內容之例示性實施例之系統、方法、技術、指令序列和計算機器程式產品(例如儲存在機器可讀取媒體上)。在以下敘述中，為解釋目的，概述多個特定細節，以提供關於使用聲波激發(例如超聲波和兆頻聲波(megasonic)振動)來降低熱裂之增材製造(諸如直接金屬雷射燒結)的實例實施例之透徹理解。然而，對本領域技術人士將顯而易見的是本實施例可在沒有此些特定細節下予以實踐。
本專利文件的部分揭示內容包含受版權保護的材料。版權所有者不反對任何人對專利文件或專利揭示內容進行的傳真複製，因為它出現在專利商標局之專利檔案或記錄中，但除此之外保留所有版權。下述通知適用於下文所述以及在構成此文件之一部分的圖式中的任何資料：版權所有人Lam Research Corporation，2020年。保留所有權利。
圖1是其中可使用本揭示內容之實例之基板處理系統100之實例之功能方塊圖。現在參看圖1，實例基板處理系統100經配置以如所示實行沉積。儘管PECVD基板處理系統顯示為系統100，但是可使用PEALD基板處理系統或其它基板處理系統。基板處理系統100包含化學品隔離室(亦稱為處理室或基板處理室)102，其封圍基板處理系統100之其它構件且含有電漿。基板處理室102包含氣體分配裝置104和諸如靜電夾持器(ESC)的基板支持件106。在操作期間，基板108安排在基板支持件106上。
在一些實例中，氣體分配裝置104可包含受供電的噴頭109，其分配製程氣體到基板108且誘發離子轟擊。噴頭109可包含桿部，其包含連接至處理室102之頂部表面之一個端部。基部大致為圓柱形且在與處理室102之頂部表面分開的一位置處從桿部之相對端部徑向地向外延伸。噴頭109之基部之面向基板表面或面板包含製程氣體(或氣體)流過之複數個分散的孔。氣體分配裝置104可由金屬材料製造且可充當上電極。另或者，氣體分配裝置104可由非金屬材料製造且可包含內嵌式電極。在其它實例中，上電極可包含傳導板，且製程氣體可以另一方式引入。
基板支持件106包含充當下電極之導電的底板110。底板110支持加熱板112，該加熱板112可對應於陶瓷多區加熱板。熱阻層114可安排在加熱板112和底板110之間。底板110可包含一個或更多冷卻劑通道116以供使冷卻劑流動通過底板110。
射頻(RF)產生系統120產生且輸出RF電壓到上電極(例如氣體分配裝置104)和下電極(例如基板支持件106之底板110)中之一個。上電極和下電極中之另一個可在143處經DC接地、經AC接地或處於浮動。在一些實例中，RF產生系統120可供應雙頻功率，其中包含高頻(HF)產生器121和低頻(LF)產生器122，其產生由匹配和分配網路124饋送到上電極或下電極(或噴頭)之HF和LF功率(分別處於預定頻率和功率位準)。
化學品輸送系統(亦稱為化學品輸送模組)130包含製程氣體源，諸如一個或更多蓄熱爐132-1、132-2、…、和132-N (總體地為製程氣體源或蓄熱爐132)，其中N是大於零之整數。製程氣體源流體耦合(例如經由複數個氣體管線)到控制爐133，該控制爐133經配置以控制由蓄熱爐132所供應之製程氣體之溫度以及製程氣體到對應的閥134-1、134-2、…、和134-N之分配。
製程氣體源132供應一個或更多製程氣體混合物、摻雜劑、攜帶氣體、液體前驅物及/或清洗氣體。在一些實例中，化學品輸送系統130輸送前驅物氣體，諸如下述者之混合物：四乙基正矽酸鹽(tetraethyl orthosilicate，TEOS)氣體、在沉積期間包含氧物種和氬(Ar)氣體之氣體、以及包含磷酸三乙酯(triethyl phosphate，TEPO)及/或硼酸三乙酯(triethyl borate，TEB)之摻雜劑。在一些實例中，摻雜劑之擴散從氣相發生。舉例來說，載體氣體(例如氮、氬或其它)富含所想要之摻雜劑(亦呈氣體形式，例如磷酸三乙酯(TEPO)及/或硼酸三乙酯(TEB))且被供應到矽晶圓，在該矽晶圓上可出現濃度平衡。在後續製程中，晶圓可置放在經加熱到某一溫度之石英管中。
回到圖1，製程氣體源132和控制爐133由閥134-1、134-2、…、和134-N(總稱為閥134)和質流控制器(MFC)136-1、136-2、…、和136-N(總稱為質流控制器(或MFC)136)連接到混合歧管140。製程氣體供應到混合歧管140且在其中加以混合。混合歧管140之輸出饋送至基板處理室102。在一些實例中，混合歧管140之輸出饋送至噴頭109。二次清洗氣體170可經由閥172和MFC 174而供應到處理室102，諸如在噴頭109後方。儘管分開地例示，但混合歧管140可以是化學品輸送系統130之一部分。
在實例實施例中，在製程氣體源132、控制爐133、閥134、MFC 136、混合歧管140和基板處理室102之間的氣體管線可配置有加熱元件，其經配置以基於預定溫度和如在本文中所討論來加熱氣體管線之一個或更多部分。實例部分包含氣體管線所穿過的隔絕壁區域或諸如死區之其它位置，其可能致使冷點之產生。更特定而言，氣體管線可包含溫度感測器，其判定氣體管線之一個或更多部分之表面溫度。控制模組(例如系統控制器160)偵測由溫度感測器所測量之表面溫度且基於預定溫度來調整加熱元件之加熱溫度。在實例實施例中，預定溫度是在製程氣體源132中維持以觸發固態前驅物之昇華之昇華溫度。在此方面，使用在本文中所討論與將加熱元件使用於加熱氣體管線相關聯之技術避免氣體管線之阻塞且增加製程氣體之流動效率。化學品輸送模組內之蓄熱爐和控制爐之不同組合相關於圖2和圖3加以例示。圖4和圖5例示可相關於所揭示技術加以使用之不同類型之加熱元件。
溫度控制器142可連接至經安排在加熱板112中之複數個熱控制元件(TCE)144。舉例來說，TCE 144可包含但不限於對應於多區加熱板中之每一區之相應大型TCE、及/或經佈置為橫跨多區加熱板之多個區之微型TCE陣列。溫度控制器142可用來控制複數個TCE 144以控制基板支持件106和基板108之溫度。溫度控制器142可與冷卻劑組件146連通以控制冷卻劑流過通道116。舉例來說，冷卻劑組件146可包含冷卻劑泵和儲存槽。溫度控制器142操作冷卻劑組件146以選擇性地使冷卻劑流過通道116來冷卻基板支持件106。閥150和泵152可用來控制壓力且從處理室102排出反應物。
系統控制器160可用來控制基板處理系統100之構件，包含在化學品輸送系統130內動態地監視且調整氣體管線之加熱元件之表面溫度。儘管所示為分開的控制器，但是溫度控制器142可實施在系統控制器160內。
本揭示內容之一些實例有關包含用以產生製程氣體的一個或更多蓄熱爐、和將製程氣體供應到化學品隔離室(諸如室102)的控制爐之化學品輸送系統，其中用於將製程氣體從蓄熱爐輸送到控制爐且從控制爐輸送到化學品隔離室之氣體管線配置有使用本文中所討論之技術之加熱元件。
圖2例示依據一些實施例的包含耦合到化學品隔離室之單一蓄熱爐之化學品輸送模組200。參看圖2，化學品輸送模組200包含蓄熱爐202，其經配置以產生製程氣體(例如前驅物氣體)，以供經由氣體管線236而輸送到化學品隔離室204。
蓄熱爐202是由隔絕壁206所形成之封圍體，其用來保持具有固態或液體前驅物(或另一類型之化學品)之前驅物罐218。蓄熱爐202更包含經配置以加熱前驅物罐218來產生製程氣體220的加熱器216。在一些態樣中，加熱器216可包含風扇且經配置以在蓄熱爐202內產生對流型熱量，以觸發前驅物罐218內之前驅物之昇華且產生製程氣體220。舉例來說，加熱器216在蓄熱爐202內產生對流型熱量達預定溫度(例如與在前驅物罐218內之前驅物相關聯之昇華溫度)，而造成製程氣體220之產生。
氣體管線236穿過蓄熱爐202之隔絕壁中一者中之開口234、以及化學品隔離室204之隔絕壁中之開口232。更特定而言，氣體管線236在穿過開口234時延伸在蓄熱爐202之內側表面210和外側表面208之間。類似地，氣體管線236在穿過開口232時延伸在化學品隔離室204之內側表面228和外側表面226之間。當氣體管線236穿過蓄熱爐202和化學品隔離室204之隔絕壁中之開口234和232時，冷點222和224可形成在氣體管線236內靠近隔絕壁之位置處。如在本文中所使用，爐或室之用語「內側表面」指稱爐或室之內部，諸如內壁。如在本文中所使用，用語「外側表面」 指稱爐或室之一表面，諸如外側壁。
在實例實施例中，化學品輸送模組200更包含加熱元件230，其附接至氣體管線236且延伸穿過開口232和234，以覆蓋氣體管線包含冷點222和224之部分。更特定而言，加熱元件230延伸在蓄熱爐202之內側表面210和外側表面208之間(以覆蓋冷點222)，並延伸在化學品隔離室204之內側表面228和外側表面226之間(以覆蓋冷點224)。加熱元件230經配置以沿著氣體管線236之表面產生熱且避免冷點222和224之形成，其因此避免前驅物氣體之凝固且阻塞氣體管線236。
在實例實施例中，可基於蓄熱爐202之開口234之尺寸來安裝及/或啟動加熱元件230。舉例來說，開口234以隔絕壁206之寬度(t) 212和開口234之直徑(d) 214為特徵。在當開口234是正方形或矩形時之態樣中，尺寸d可以是開口之最短距離。在一些態樣中，在t/d ≥ 0.05時可安裝及/或啟動加熱元件230。
在實例實施例中，化學品輸送模組200更包含諸如溫度感測器238的一個或更多溫度感測器，其經配置以測量氣體管線236之至少一部分(例如在蓄熱爐202之內側表面210和外側表面208之間的氣體管線236之部分)之表面溫度。控制器模組(例如圖1中之系統控制器160)從溫度感測器238接收經測量之表面溫度，且基於蓄熱爐202內之預定溫度(例如前驅物罐218內之前驅物之昇華溫度)和經測量之表面溫度來調整加熱元件230之加熱溫度。舉例來說，系統控制器160接收經測量之表面溫度，且基於預定溫度和經測量之表面溫度之間的差值來調整加熱元件230之加熱溫度。
在一些態樣中，表面溫度之此測量和加熱元件230之加熱溫度之此調整可基於預定排程動態地實行、或可由外部命令或其它測量觸發器加以觸發。即使圖2例示靠近氣體管線236中與冷點222相關聯之部分的單一溫度感測器238，但揭示內容在此方面未受到限制，且多個其它感測器可沿著氣體管線236來使用，以測量在氣體管線之不同區中之表面溫度且據此調整加熱元件230之加熱溫度。在一些態樣中，加熱元件230可包含多個加熱區，其中每一加熱區之加熱溫度可獨立地受到系統控制器160所控制(例如基於針對特定加熱區所測量之表面溫度)。實例加熱元件係相關於圖4及圖5而例示。
圖3例示依據一些實施例的包含耦合到化學品隔離室之蓄熱爐和控制爐之化學品輸送模組300。參看圖3，化學品輸送模組300包含蓄熱爐304，其經配置以產生製程氣體(例如前驅物氣體)以供經由氣體管線318而輸送到控制爐302，且經由氣體管線356以從控制爐302輸送到化學品隔離室306。
蓄熱爐304是由隔絕壁352所形成之封圍體，其用來保持具有固態或液體前驅物(或另一類型之化學品)之前驅物罐334。蓄熱爐304更包含加熱器332，其經配置以加熱前驅物罐334來產生製程氣體336。在一些態樣中，加熱器332可包含風扇且經配置以在蓄熱爐304內產生對流型熱量，以觸發前驅物罐334內之前驅物之昇華且產生製程氣體336。舉例來說，加熱器332在蓄熱爐304內產生對流型熱量達預定溫度(例如與前驅物罐334內之前驅物相關聯之昇華溫度)，造成製程氣體336之產生。
氣體管線318穿過蓄熱爐304之隔絕壁中一者中之開口330以及控制爐302之隔絕壁354中一者中之開口328。更特定而言，氣體管線318在穿過開口330時延伸在蓄熱爐304之內側表面340和外側表面310之間。類似地，氣體管線318在穿過開口328時延伸在控制爐302之內側表面312和外側表面308之間。當氣體管線318穿過控制爐302和蓄熱爐304之隔絕壁中之開口328和330時，冷點358可形成在氣體管線318內靠近隔絕壁354和352而在開口328和330附近之位置處。
控制爐302從一個或更多蓄熱爐接收製程氣體(例如來自蓄熱爐304之製程氣體336)，且使用加熱器318(其可以是包含風扇以在爐內流通熱空氣之對流型加熱器)來加熱製程氣體(或多個氣體)。在實例實施例中，控制爐可連接至單一蓄熱爐(如圖3中所例示)或多個蓄熱爐，而每一蓄熱爐將製程氣體供應到控制爐302。控制爐302可經配置以執行所接收之製程氣體的額外處理以及將製程氣體供應到化學品隔離室306。
氣體管線356穿過控制爐302之隔絕壁354中一者之開口326以及化學品隔離室306之隔絕壁中一者之開口338。更特定而言，氣體管線318在穿過開口326時延伸在控制爐302之內側表面346和外側表面348之間。類似地，氣體管線356在穿過開口338時延伸在化學品隔離室306之內側表面342和外側表面344之間。當氣體管線356穿過控制爐302和化學品隔離室306之隔絕壁中之開口326和338時，冷點322可形成在氣體管線356內靠近隔絕壁而在開口326和338附近之位置處。
在實例實施例中，化學品輸送模組300更包含加熱元件320，其附接至氣體管線318且延伸穿過開口328和330以覆蓋氣體管線包含冷點358之部分。更特定而言，加熱元件320延伸在蓄熱爐304之內側表面340和外側表面310之間、以及控制爐302之內側表面312和外側表面308之間(以覆蓋冷點358)。加熱元件320經配置以沿著氣體管線318之表面產生熱且避免冷點358之形成，其因此避免前驅物氣體之凝固且阻塞氣體管線318。
在實例實施例中，化學品輸送模組300更包含加熱元件324，其附接至氣體管線356且延伸穿過開口326和338以覆蓋氣體管線包含冷點322之部分。更特定而言，加熱元件324延伸在化學品隔離室306之內側表面342和外側表面344之間、以及控制爐302之內側表面346和外側表面348之間(以覆蓋冷點322)。加熱元件324經配置以沿著氣體管線356之表面產生熱且避免冷點322之形成，其因此避免前驅物氣體之凝固且阻塞氣體管線356。
在實例實施例中，可基於開口328、330、326和338之尺寸來安裝及/或啟動加熱元件320和324。舉例來說，開口328以隔絕壁354之寬度(t) 314和開口328之直徑(d) 316為特徵。在當開口328是正方形或矩形之態樣中，尺寸d可以是開口之最短距離。在一些態樣中，在t/d ≥ 0.05時可安裝及/或啟動加熱元件320。
在實例實施例中，化學品輸送模組300更包含諸如溫度感測器350的一個或更多溫度感測器，其經配置以測量氣體管線318之至少一部分之表面溫度(例如控制爐302之內側表面312和外側表面308之間的氣體管線318之部分)。控制器模組(例如圖1中之系統控制器160)從溫度感測器350接收經測量之表面溫度，且基於蓄熱爐304內之預定溫度(例如在前驅物罐334內之前驅物之昇華溫度)和經測量之表面溫度來調整加熱元件320之加熱溫度。舉例來說，系統控制器160接收經測量之表面溫度且基於預定溫度和經測量之表面溫度之間的差值來調整加熱元件320之加熱溫度。
在一些態樣中，表面溫度之如此測量和加熱元件320之加熱溫度之如此調整可基於預定排程來動態地實行、或可由外部命令或其它測量觸發器加以觸發。即使圖3例示單一溫度感測器350靠近氣體管線318中與冷點358相關聯之部分，但揭示內容在此方面未受到限制且多個其它感測器可沿著化學品輸送模組300之多個氣體管線236來使用，以測量在氣體管線之不同區中之表面溫度且據此調整對應加熱元件之加熱溫度。舉例來說，加熱元件320可包含多個加熱區，其中每一加熱區之加熱溫度可獨立地受到系統控制器160所控制(例如基於針對特定加熱區所測量之表面溫度)。實例加熱元件係相關於圖4及圖5而例示。
圖4例示依據一些實施例的用於在化學品輸送模組中所使用之氣體管線402之合瓣類型(clamshell-type)加熱元件400。參看圖4，加熱元件400以經拆解狀態來例示且可包含可固定在氣體管線402周圍的合瓣式器件(clamshell)404A和404B。合瓣式器件404A和404B可包含具有一個或更多熱桿加熱器之合瓣式器件、具有一個或更多手工纏繞(hand-wrapped)加熱器之合瓣式器件、和具有一個或更多接合式加熱器之合瓣式器件。其它類型之加熱元件也可與合瓣式器件404A和404B一起使用。圖2和圖3例示諸如合瓣式加熱元件之加熱元件之側視圖，在合瓣式器件附接且封圍氣體管線時，合瓣式加熱元件環繞氣體管線。
圖5例示依據一些實施例的用於化學品輸送模組中所使用之氣體管線502之手工纏繞之加熱元件504。在一些態樣中，加熱元件504可包含接合式加熱器或另一類型之加熱元件，其可經由黏附劑、安裝托架、合瓣式器件或其它類型之附接手段附接至氣體管線502。
圖6是依據一些實例實施例的使用具有一個或更多氣體管線加熱模組之化學品輸送模組處理半導體基板之方法600之流程圖。方法600包含操作602、604、606、608和610，其可由控制邏輯來實行(或者是控制邏輯配置或致使其它模組實行功能)，諸如圖1中管理基板處理設備100之操作之系統控制器160。參看圖6，在操作602，在蓄熱爐內將前驅物加熱到預定溫度以產生製程氣體。舉例來說且關於圖2，前驅物罐218和蓄熱爐202內之前驅物由加熱器216加熱以產生製程氣體220。在操作604，經由氣體管線將製程氣體供應到其中半導體基板受處理之化學品隔離室。舉例來說，經由氣體管線236將製程氣體220供應到化學品隔離室204。氣體管線236延伸在蓄熱爐202和化學品隔離室204之間。
在操作606，使用加熱元件將延伸在蓄熱爐之內側表面和外側表面之間的氣體管線之部分加熱。舉例來說，使用加熱元件230將延伸在蓄熱爐202之內側表面210和外側表面208之間的氣體管線236之一部分加熱。在操作608，監視加熱元件之表面溫度。舉例來說，由系統控制器160使用溫度感測器238來監視加熱元件230之表面溫度。在操作610，基於表面溫度來調整加熱元件之加熱溫度。舉例來說，由系統控制器160基於從溫度感測器238接收之表面溫度來調整加熱元件230之加熱溫度。
圖7是例示在其上可實施一個或更多實例方法實施例、或藉由其可控制一個或更多實例實施例之機器700之實例之方塊圖。在替代實施例中，機器700可操作為單機裝置或可連接(例如以網路連接)到其它機器。在連網佈署中，機器700可在伺服器-客戶網路環境中作為伺服器機器、客戶機器或兩者來操作。在實例中，機器700可充當點對點(P2P)(或其它分散式)網路環境中之同級機器。再者，儘管例示僅單一機器700，但用語「機器」亦應視為包含諸如經由雲端計算、軟體即服務(software as a service，SaaS)或其它電腦叢集配置個別地或聯合地執行一組(或多組)指令以實行本文中所討論之方法之任一或更多者的機器之任一集合。
在本文中所述之實例可包含邏輯、數個構件或機構，或者是可藉由邏輯、數個構件或機構來操作。電路系統是以包含硬體(例如簡單電路、閘、邏輯)之有形實體中實施之電路集合。電路系統之成員關係可隨著時間和基礎硬體可變性而具彈性。電路包含可在操作時單獨或組合實行指定操作之成員。在實例中，電路系統之硬體可經不可變設計成執行特定操作(例如經硬佈線)。在實例中，電路系統之硬體可包含可變地連接之實體構件(例如執行單元、電晶體、簡單電路)，其包含經實際修改(例如磁性地、電性地、藉由不變大量粒子之可移除置放)以編碼特定操作之指令之電腦可讀取媒體。在連接實體構件中，硬體構造之基礎電性質被改變(舉例來說，從絕緣體到傳導體，反之亦然)。指令使內嵌式硬體(例如執行單元或負載機構)得以經由可變連接以在硬體中建立電路系統之成員，以在操作時執行特定操作之部分。據此，電腦可讀取媒體在裝置進行操作時通訊地耦合到電路系統之其它構件。在一些態樣中，實體構件之任一者可使用在超過一個電路系統之超過一個成員中。舉例來說，在操作下，執行單元可在一個時點被使用在第一電路系統之第一電路，且在不同時間由第一電路系統中之第二電路或由第二電路系統中之第三電路被再使用。
機器(例如電腦系統)700可包含硬體處理器702 (例如中央處理單元(CPU)、硬體處理器核心、圖形處理單元(GPU)或前述之任一組合)、主記憶體704和靜態記憶體706，以上之一些或所有者可經由中間鍊路708 (例如匯流排)而通訊。機器700更可包含顯示裝置710、文數輸入裝置712 (例如鍵盤)和使用者介面(UI)巡覽裝置714 (例如滑鼠)。在實例中，顯示裝置710、文數輸入裝置712和UI巡覽裝置714可以是觸碰式螢幕顯示器。機器700可額外地包含大量儲存裝置(例如磁碟單元) 716、訊號產生裝置718 (例如揚聲器)、網路介面裝置720、和一個或更多感測器721，諸如全球定位系統(GPS)感測器、指南針、加速計或另一感測器。機器700可包含輸出控制器728，諸如序列(例如通用序列匯流排(USB))、串列或者是其它有線或無線(例如紅外線(IR)、近場通訊(NFC))連接，以與一個或更多周邊裝置(例如印表機、讀卡機)通訊或控制此一個或更多周邊裝置。
在實例實施例中，硬體處理器702可實行在上文中所討論之系統控制器160或任一控制邏輯之功能性，以配置和控制在本文中所述之功能性(例如相關於至少圖1到圖6所討論)。
大量儲存裝置716可包含機器可讀取媒體722，其上儲存有體現本文中所述之任一或更多技術或功能或由此任一或更多技術或功能所利用之一組或更多組資料結構或指令724 (例如軟體)。指令724在其由機器700執行期間亦可完全地或至少部分地駐留於在主記憶體704內、在靜態記憶體706內、或在硬體處理器702內。在實例中，硬體處理器702、主記憶體704、靜態記憶體706或大量儲存裝置716中之一者或任一組合可構成機器可讀取媒體。
儘管機器可讀取媒體722例示為單一媒體，但用語「機器可讀取媒體」可包含經配置以儲存一個或更多指令724之單一媒體或多個媒體(例如集中式或分散式資料庫、及/或相關聯之快取和伺服器)。
用語「機器可讀取媒體」可包含能夠進行下列者的任何媒體：儲存、編碼或攜帶供機器700執行且致使機器700實行本揭示內容之任一或更多技術的指令724、或者儲存、編碼或攜帶由此指令724所使用或與如此指令724相關聯之資料結構。機器可讀取媒體之非限制性實例可包含固態記憶體和光學及磁性媒體。在實例中，大量之機器可讀取媒體包括具有帶著不變(例如靜止)質量之複數個粒子之機器可讀取媒體722。據此，大量之機器可讀取媒體並非暫時的傳播訊號。大量之機器可讀取媒體之特定實例可包含非揮發性記憶體，諸如半導體記憶體裝置(例如，電性可編程唯讀記憶體(EPROM)，電性可抹除可編程唯讀記憶體(EEPROM))和快閃記憶體裝置；磁碟，諸如內接硬碟和可移除碟；磁性光碟；以及CD-ROM和DVD-ROM碟片。
指令724更可經由網路介面裝置720在通訊網路726上使用傳輸媒體加以傳送或接收。
以上技術之實施方式可透過硬體和軟體之任何數目的規格、配置或實例佈署來達成。應理解在此說明書中所述之功能單元或能力可能已被稱為或標示為構件或模組，以更特別地強調其實施方式之獨立性。如此構件可由任何數目的軟體或硬體形式來體現。舉例來說，構件或模組可實施為包括定製之超大型積體(VLSI)電路或閘陣列的硬體電路、諸如邏輯晶片，電晶體或其它離散構件之現成的半導體。構件或模組亦可在諸如場可編程閘陣列、可編程陣列邏輯、可編程邏輯裝置或類似者的可編程硬體裝置中實施。構件或模組亦可在軟體中實施以由諸多類型之處理器來執行。具有可執行代碼之經辨識構件或模組例如可包括電腦指令之一個或更多實體或邏輯方塊，其可例如組織成物件、程序或功能。儘管如此，經辨識構件或模組之可執行檔不需要實際上位在一起，而是可包括儲存在邏輯性聯合在一起時包括構件或模組的不同位置、且達成該等構件或模組之既定目的之相異指令。
確實，可執行代碼之構件或模組可以是單一指令或許多個指令，且甚至可分散到數個不同代碼區段上、不同程式之間、及橫跨數個記憶體裝置或處理系統。特別是，所述程序(諸如代碼重寫和代碼分析)之一些態樣可發生在與其中佈署有代碼(例如內嵌於感測器或機器人中之電腦中)之處理系統不同之處理系統上(例如資料中心中之電腦中)。類似地，操作資料可經辨識且在本文中例示於構件或模組內，且可以任何合適形式來體現並組織在任何合適類型之資料結構內。操作資料可總體地作為單一資料集或可分散在包含於不同儲存裝置上的不同位置上，且可至少部分地僅存在作為系統或網路上之電子訊號。構件或模組可以是被動或主動的，包含可操作以實行所想要功能之代理。
額外註記和實例
實例1是半導體基板處理設備，該設備包含用於處理半導體基板之化學品隔離室；與化學品隔離室流體連通的化學品輸送模組，化學品輸送模組包括：蓄熱爐，其經配置以將前驅物加熱到預定溫度且使用經加熱前驅物來產生製程氣體；控制爐，其經配置以經由第一氣體管線來接收製程氣體，且經由第二氣體管線將製程氣體供應到化學品隔離室，以用於處理半導體基板，第一氣體管線延伸在蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間；和加熱元件，其經配置以將在蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間的第一氣體管線的一部分加熱；以及控制器模組，其耦合到化學品輸送模組和化學品隔離室，控制器模組經配置以偵測第一氣體管線之部分之溫度，且基於經偵測溫度來調整加熱元件之加熱溫度。
在實例2中，實例1之標的包含以下標的：其中預定溫度是前驅物之昇華溫度，且控制器模組經配置以將加熱元件之加熱溫度調整到昇華溫度。
在實例3中，實例1到2之標的包含以下標的：其中化學品輸送模組包括：第二蓄熱爐，其經配置以將第二前驅物加熱到第二預定溫度，且使用經加熱第二前驅物來產生第二製程氣體；其中控制爐經配置以經由第三氣體管線來接收第二製程氣體，且經由該第二氣體管線將第二製程氣體供應到化學品隔離室，以用於處理半導體基板，第三氣體管線延伸在第二蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間。
在實例4中，實例3之標的包含以下標的：其中化學品輸送模組包括：第二加熱元件，其經配置以將在第二蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間的第三氣體管線之部分加熱。
在實例5中，實例4之標的包含以下標的：其中化學品輸送模組包括：第三加熱元件，其經配置以將在控制爐的內側表面和控制爐的外側表面之間的第二氣體管線之一部分加熱。
在實例6中，實例5之標的包含以下標的：其中化學品輸送模組包括複數個溫度感測器，其經配置以測量第一氣體管線之部分之表面溫度、第二氣體管線之部分之表面溫度和第三氣體管線之部分之表面溫度。
在實例7中，實例6之標的包含以下標的：其中控制器模組經配置以基於預定溫度及經測量表面溫度中的至少一者之間的差值，來調整加熱元件之加熱溫度、第二加熱元件之加熱溫度和第三加熱元件之加熱溫度。
在實例8中，實例1到7之標的包含以下標的：加熱元件包括以下一者：具有熱桿加熱器之合瓣式器件；具有手工纏繞加熱器之合瓣式器件；具有接合式加熱器之合瓣式器件；安裝有氣體管線之手工纏繞加熱器；以及安裝有氣體管線之接合式加熱器。
實例9是一種用於將製程氣體供應到半導體基板處理用的設備之化學品隔離室之化學品輸送模組，化學品輸送模組包括：蓄熱爐，其經配置以將前驅物加熱到預定溫度且使用經加熱前驅物來產生製程氣體；控制爐，其經配置以經由第一氣體管線來接收製程氣體，且經由第二氣體管線將製程氣體供應到化學品隔離室，以用於處理半導體基板，第一氣體管線延伸在蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間；加熱元件，其經配置以將在蓄熱爐的內側表面和控制爐的內側表面之間的第一氣體管線的一部分加熱；以及控制器模組，其經配置以偵測第一氣體管線之部分之溫度，且基於經偵測溫度來調整加熱元件之加熱溫度。
在實例10中，實例9之標的包含以下標的：其中預定溫度是前驅物之昇華溫度。
在實例11中，實例10之標的包含以下標的：其中控制爐包括第二加熱元件，且其中控制器模組經配置以將加熱元件之加熱溫度和第二加熱元件之加熱溫度調整到昇華溫度。
在實例12中，實例9到11之標的包含以下標的：其中第二氣體管線延伸在控制爐之內側表面和控制爐之外側表面之間，且其中化學品輸送模組包括第二加熱元件，其經配置以將在控制爐之內側表面和外側表面之間的第二氣體管線之一部分加熱。
在實例13中，實例12之標的包含以下標的：其中化學品輸送模組包括複數個溫度感測器，其經配置以週期性地測量第一氣體管線之部分之表面溫度和第二氣體管線之部分之表面溫度。
在實例14中，實例13之標的包含以下標的：其中控制器模組經配置以基於預定溫度及經測量表面溫度中的至少一者之間的一差值，來調整加熱元件之加熱溫度和第二加熱元件之加熱溫度。
在實例15中，實例1到14之標的包含以下標的：其中加熱元件包括下列者中之一者：具有熱桿加熱器之合瓣式器件；具有手纏繞加熱器之合瓣式器件；具有接合式加熱器之合瓣式器件；安裝有氣體管線安裝之手工纏繞加熱器；以及安裝有氣體管線之接合式加熱器。
實例16是一種用於處理半導體基板之方法，該方法包括：在蓄熱爐內將前驅物加熱到預定溫度以產生製程氣體；經由氣體管線將製程氣體供應到其中半導體基板受處理之化學品隔離室，氣體管線延伸在蓄熱爐和化學品隔離室之間；使用加熱元件將延伸在蓄熱爐的內側表面和外側表面之間的氣體管線之一部分加熱；監視加熱元件之表面溫度；以及基於表面溫度來調整加熱元件之加熱溫度。
在實例17中，實例16之標的包含決定表面溫度從預定溫度之偏差；以及基於偏差來調整加熱溫度。
在實例18中，實例16到17之標的包含使用第二加熱元件將延伸在化學品隔離室之內側表面和外側表面之間的氣體管線之第二部分加熱。
在實例19中，實例18之標的包含監視第二表面溫度，第二表面溫度與第二加熱元件相關聯；以及基於第二表面溫度來調整第二加熱元件之加熱溫度。
在實例20中，實例19之標的包含以下標的：其中加熱元件和第二加熱元件包括下列者中之一者：具有熱桿加熱器之合瓣式器件；具有手工纏繞加熱器之合瓣式器件；具有接合式加熱器之合瓣式器件；安裝有氣體管線之手工纏繞加熱器；以及安裝有氣體管線之接合式加熱器。
實例21是包含指令之至少一機器可讀取媒體，當指令由處理電路系統執行時，其致使處理電路系統實行操作以實施實例1到20中任一者。
實例22是一種包括實施實例1到20中任一者之手段之設備。
實例23是一種實施實例1到20中任一者之系統。
實例24是一種實施實例1到20中任一者之方法。
在此說明書中各處，多個實例可實施經描述為單一實例之組件、操作或結構。儘管一個或更多方法的個別操作被例示且敘述為分開的操作，但是個別操作中的一者或更多者可同時地執行，並且不需要按照所例示之順序來實行此些操作。呈現為例如配置之分開的構件之結構和功能性可實施為組合式結構或構件。類似地，呈現為單一構件之結構和功能性可實施為分開的構件。這些和其它變化、修改、添加和改善都落於本文標的之範疇內。
在本文中所例示之實施例係以足夠細節來敘述，以使本領域技術人士能實施所揭示之教示。可使用其它實施例且從其推導，使得結構和邏輯替換和改變可在不脫離本揭示內容之範疇的情況下作成。因此，實施方式不應被理解為具限制性意義，並且諸多實施例之範疇僅由後附之申請專利範圍以及此些申請專利範圍所賦予的等效物的完整範圍來界定。
申請專利範圍可能不會提出本文中所敘述之每一特徵，因為實施例可能以所述特徵的子集為特徵。再者，實施例可包括比特定實例中所揭示之特徵還要少之特徵。因此，下述申請專利範圍在此併入實施方式中，其中一請求項獨立作為個別的實施例。
如本文所用，用語「或」可以包含性或排他性方式加以解讀。此外，可對本文中所述之資源、操作或結構提供多個實例作為單一實例。此外，在諸多資源、操作、模組、引擎和資料儲存之間的界線略為任意，並且在特定例示性配置的上下文中例示特定操作。吾人設想到功能性之其它分配，並且可落於本揭示內容之諸多實施例之範疇內。一般而言，在實例配置中呈現為個別的資源之結構和功能性可實施為組合式結構或資源。類似地，呈現為單一資源的結構和功能性可實施為分開的資源。這些和其它變化、修改、添加和改善落於由後附之申請專利範圍所表示之本揭示內容之實施例之範疇內。因此，說明書和圖式應視為說明性而非限制性。
100: 基板處理系統 102: 化學品隔離室/處理室/基板處理室 104: 氣體分配裝置 106: 基板支持件 108: 基板 109: 噴頭 110: 底板 112: 加熱板 114: 熱阻層 116: 通道 120: RF產生系統 121: 高頻(HF)產生器 122: 低頻(LF)產生器 124: 匹配和分配網路 130: 化學品輸送系統 132: 製程氣體源/蓄熱爐 132-1到132-N: 蓄熱爐 133: 控制爐 134-1到134-N: 閥 136-1到136-N: 質流控制器(MFC) 140: 混合歧管 142: 溫度控制器 144: 熱控制元件(TCE) 146: 冷卻劑組件 150: 閥 152: 泵 160: 系統控制器 170: 二次清洗氣體 172: 閥 174: 質流控制器(MFC) 200: 化學品輸送模組 202: 蓄熱爐 204: 化學品隔離室 206: 隔絕壁 208: 外側表面 210: 內側表面 212: 寬度 214: 直徑 216: 加熱器 218: 前驅物罐 220: 製程氣體 222: 冷點 224: 冷點 226: 外側表面 228: 內側表面 230: 加熱元件 232: 開口 234: 開口 236: 氣體管線 238: 溫度感測器 300: 化學品輸送模組 302: 控制爐 304: 蓄熱爐 306: 化學品隔離室 308: 外側表面 310: 外側表面 312: 內側表面 314: 寬度 316: 直徑 318: 氣體管線/加熱器 320: 加熱元件 322: 冷點 324: 加熱元件 326: 開口 328: 開口 330: 開口 332: 加熱器 334: 前驅物罐 336: 製程氣體 338: 開口 340: 內側表面 342: 內側表面 344: 外側表面 346: 內側表面 348: 外側表面 350: 溫度感測器 352: 隔絕壁 354: 隔絕壁 356: 氣體管線 358: 冷點 400: 加熱元件 402: 氣體管線 404A: 合瓣式器件 404B: 合瓣式器件 502: 氣體管線 504:加熱元件 600: 方法 602: 操作 604: 操作 606: 操作 608: 操作 610: 操作 700: 機器 702: 硬體處理器 704: 主記憶體 706: 靜態記憶體 708: 中間鍊路 710: 顯示裝置 712: 文數輸入裝置 714: 使用者介面(UI)巡覽裝置 716: 大量儲存裝置 718: 訊號產生裝置 720: 網路介面裝置 721: 感測器 722: 機器可讀取媒體 724: 指令 726: 通訊網路 728: 輸出控制器
後附圖式之諸多者僅例示本揭示內容之實例實施例且不可被視為限制其範疇。
圖1是其中可使用本揭示內容之實例之基板處理系統之實例之功能方塊圖。
圖2依據一些實施例，例示包含耦合到化學品隔離室之單一蓄熱爐之化學品輸送模組。
圖3依據一些實施例，例示包含耦合到化學品隔離室之蓄熱爐和控制爐之化學品輸送模組。
圖4依據一些實施例，例示用於在化學品輸送模組中所使用之氣體管線之合瓣類型加熱元件。
圖5依據一些實施例，例示用於在化學品輸送模組中所使用之氣體管線之手工纏繞加熱元件。
圖6是依據一些實例實施例，使用具有一個或更多氣體管線加熱模組之化學品輸送模組處理半導體基板之方法之流程圖。
圖7是例示其上可實施一個或更多實例方法實施例或可藉其控制一個或更多實例實施例之機器之實例之方塊圖。
100: 基板處理系統 102: 化學品隔離室/處理室/基板處理室 104: 氣體分配裝置 106: 基板支持件 108: 基板 109: 噴頭 110: 底板 112: 加熱板 114: 熱阻層 116: 通道 120: RF產生系統 121: 高頻(HF)產生器 122: 低頻(LF)產生器 124: 匹配和分配網路 130: 化學品輸送系統 132: 製程氣體源/蓄熱爐 132-1~132-N: 蓄熱爐 133: 控制爐 134-1~134-N: 閥 136-1~136-N: 質流控制器(MFC) 140: 混合歧管 142: 溫度控制器 144: 熱控制元件(TCE) 146: 冷卻劑組件 150: 閥 152: 泵 160: 系統控制器 170: 二次清洗氣體 172: 閥 174: 質流控制器(MFC)

Claims (19)

  1. 一種半導體基板處理設備，該設備包含： 一化學品隔離室，其用於處理一半導體基板； 一化學品輸送模組，其與該化學品隔離室流體連通，該化學品輸送模組包含： 一蓄熱爐(canister oven)，其經配置以將一前驅物加熱到一預定溫度，且使用經加熱之該前驅物來產生一製程氣體； 一控制爐，其經配置以經由一第一氣體管線來接收該製程氣體，且經由一第二氣體管線將該製程氣體供應到該化學品隔離室，以用於處理該半導體基板，該第一氣體管線延伸在該蓄熱爐的內側表面和該控制爐的內側表面之間；及 一加熱元件，其經配置以將在該蓄熱爐的內側表面和該控制爐的內側表面之間的該第一氣體管線的一部分加熱；以及 一控制器模組，其耦合到該化學品輸送模組和該化學品隔離室，該控制器模組經配置以偵測該第一氣體管線之該部分之一溫度，且基於經偵測之該溫度來調整該加熱元件之一加熱溫度。
  2. 如請求項1之半導體基板處理設備，其中該預定溫度是該前驅物之一昇華溫度，且該控制器模組經配置以將該加熱元件之該加熱溫度調整到該昇華溫度。
  3. 如請求項1之半導體基板處理設備，其中該化學品輸送模組包括： 一第二蓄熱爐，其經配置以將一第二前驅物加熱到一第二預定溫度，且使用經加熱之該第二前驅物來產生一第二製程氣體； 其中該控制爐經配置以經由一第三氣體管線來接收該第二製程氣體，且經由該第二氣體管線將該第二製程氣體供應到該化學品隔離室，以用於處理該半導體基板，該第三氣體管線延伸在該第二蓄熱爐的內側表面和該控制爐的內側表面之間。
  4. 如請求項3之半導體基板處理設備，其中該化學品輸送模組包括： 一第二加熱元件，其經配置以將在該第二蓄熱爐的內側表面和該控制爐的內側表面之間的該第三氣體管線之一部分加熱。
  5. 如請求項4之半導體基板處理設備，其中該化學品輸送模組包括： 一第三加熱元件，其經配置以將在該控制爐的內側表面和該控制爐的外側表面之間的該第二氣體管線之一部分加熱。
  6. 如請求項5之半導體基板處理設備，其中該化學品輸送模組包括複數個溫度感測器，該複數個溫度感測器經配置以測量該第一氣體管線之該部分之一表面溫度、該第二氣體管線之該部分之一表面溫度、和該第三氣體管線之該部分之一表面溫度。
  7. 如請求項6之半導體基板處理設備，其中該控制器模組經配置以基於該預定溫度及經測量之該些表面溫度中至少一者之間的一差值，來調整該加熱元件之該加熱溫度、該第二加熱元件之一加熱溫度和該第三加熱元件之一加熱溫度。
  8. 如請求項1之半導體基板處理設備，其中該加熱元件包括以下其中一者： 具有一熱桿加熱器(fire-rod heater)之合瓣式器件(clamshell)； 具有一手工纏繞加熱器之合瓣式器件； 具有一接合式加熱器之合瓣式器件； 安裝有氣體管線之手工纏繞加熱器；以及 安裝有氣體管線之接合式加熱器。
  9. 一種化學品輸送模組，用於將製程氣體供應到一半導體基板處理設備之一化學品隔離室，該化學品輸送模組包括： 一蓄熱爐，其經配置以將一前驅物加熱到一預定溫度，且使用經加熱之該前驅物來產生一製程氣體； 一控制爐，其經配置以經由一第一氣體管線來接收該製程氣體，且經由一第二氣體管線將該製程氣體供應到該化學品隔離室，以用於處理該半導體基板，該第一氣體管線延伸在該蓄熱爐的內側表面和該控制爐的內側表面之間； 一加熱元件，其經配置以將在該蓄熱爐的內側表面和該控制爐的內側表面之間的該第一氣體管線的一部分加熱；以及 一控制器模組，其經配置以偵測該第一氣體管線之該部分之一溫度，且基於經偵測之該溫度來調整該加熱元件之一加熱溫度。
  10. 如請求項9之化學品輸送模組，其中該預定溫度是該前驅物之一昇華溫度。
  11. 如請求項10之化學品輸送模組，其中該控制爐包括一第二加熱元件，該第二加熱元件經配置以加熱該第二氣體管線之一部分，且其中該控制器模組經配置以將該加熱元件之該加熱溫度和該第二加熱元件之一加熱溫度調整到該昇華溫度。
  12. 如請求項9之化學品輸送模組，其中該第二氣體管線延伸在該控制爐之內側表面和該控制爐之外側表面之間，且其中該化學品輸送模組包括一第二加熱元件，其經配置以將該控制爐之內側表面和外側表面之間的該第二氣體管線之一部分加熱。
  13. 如請求項12之化學品輸送模組，其中該化學品輸送模組包括複數個溫度感測器，該複數個溫度感測器經配置以週期性地測量該第一氣體管線之該部分之一表面溫度和該第二氣體管線之該部分之一表面溫度。
  14. 如請求項13之化學品輸送模組，其中該控制器模組經配置以基於該預定溫度及經測量之該些表面溫度中至少一者之間的一差值，來調整該加熱元件之該加熱溫度和該第二加熱元件之一加熱溫度。
  15. 如請求項9之化學品輸送模組，其中該加熱元件包括以下其中一者： 具有一熱桿加熱器之合瓣式器件； 具有一手工纏繞加熱器之合瓣式器件； 具有一接合式加熱器之合瓣式器件； 安裝有氣體管線之手工纏繞加熱器；以及 安裝有氣體管線之接合式加熱器。
  16. 一種用於處理半導體基板之方法，該方法包括： 在一蓄熱爐內將一前驅物加熱到一預定溫度以產生一製程氣體； 經由一氣體管線將該製程氣體供應到其中該半導體基板受處理之一化學品隔離室，該氣體管線延伸在該蓄熱爐和該化學品隔離室之間； 使用一加熱元件將延伸在該蓄熱爐的內側表面和外側表面之間的該氣體管線之一部分加熱； 監視該加熱元件之一表面溫度； 判定該表面溫度與該預定溫度之一偏差；以及 基於該偏差來調整該加熱元件之一加熱溫度。
  17. 如請求項16之用於處理半導體基板之方法，更包括： 使用一第二加熱元件將延伸在該化學品隔離室之內側表面和外側表面之間的該氣體管線之一第二部分加熱。
  18. 如請求項17之用於處理半導體基板之方法，更包括： 監視該第二加熱元件的一第二表面溫度；以及 基於該第二表面溫度來調整該第二加熱元件之一加熱溫度。
  19. 如請求項18之用於處理半導體基板之方法，其中該加熱元件和該第二加熱元件包括以下其中一者： 具有一熱桿加熱器之合瓣式器件； 具有一手工纏繞加熱器之合瓣式器件； 具有一接合式加熱器之合瓣式器件； 安裝有氣體管線之手工纏繞加熱器；以及 安裝有氣體管線之接合式加熱器。
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