TWI900248B - 基板處理設備與方法 - Google Patents

Abstract

一種基板處理設備與方法，其可以在初次或需要時對特定處理後之基板檢測，並在通過檢測後，以通過檢測時對應的累積處理時間對後續其他基板進行特定處理，其中特定處理可以是改質處理、蝕刻處理、填孔處理或塗鍍處理。如此一來，基板處理設備與方法能夠減少製造時間及檢測時間，並提升製造良率。

Description

基板處理設備與方法

本發明涉及一種基板處理設備與方法，且特別是在初次或需要時對特定處理後之基板檢測，並在通過檢測後，以通過檢測時對應的累積處理時間對後續其他基板進行特定處理之基板處理設備與方法。

以往基板處理設備會在設備內對基板進行特定處理，經過特定處理後的每一個基板，接著會被送到檢測站的檢測裝置進行檢測，以檢測經過特定處理後的每一個基板是否滿足預定的至少一需求參數。舉例來說，玻璃穿孔(TGV)基板或矽穿孔(TSV)基板是透過用於蝕刻的基板處理設備對玻璃基板或矽基板蝕刻後所產生的，通常檢測站的檢測設備會針對每一個玻璃穿孔基板或矽穿孔基板的全部穿孔進行檢測，以判斷每一個玻璃穿孔基板或矽穿孔基板是否符合預定的尺徑範圍(例如，上孔直徑、下孔直徑、上孔直徑對腰身直徑的深寬比等)。

然而，此作法不但會花費很多時間在進行檢測，且可能在檢測不通過後，必須要將多數的玻璃穿孔(TGV)基板或矽穿孔(TSV)基板再次進行特定處理，或者全部視為瑕疵品，導致了製造時間增加與製造 良率下降等技術問題。有鑑於此，業界仍需要一種能夠減少製造時間、檢測時間並提升製造良率之基板處理設備與方法。

本發明旨在提供一種基板處理設備與方法，其可以在初次或需要時對特定處理後之基板檢測，並在通過檢測後，以通過檢測時對應的累積處理時間對後續其他基板進行特定處理。

有鑑於此，本發明提供的基板處理設備包括計算單元、基板處理裝置及檢測裝置。計算單元用於取得特定處理之初始的處理速率與期待的至少一需求參數，並根據至少一需求參數與初始的處理速率計算初始的處理時間，並初始化累積處理時間。基板處理裝置電性連接計算單元，以處理時間對基板進行特定處理。檢測裝置電性連接計算單元，並用於檢測經特定處理後的基板，以產生檢測結果資料給計算單元。在計算單元根據檢測結果資料判斷基板滿足期待的至少一需求參數時，計算單元記錄累積處理時間，且針對之後需要滿足至少一需求參數的另一基板，計算單元控制基板處理裝置以累積處理時間對另一基板進行特定處理。當計算單元根據檢測結果資料判斷基板未滿足期待的至少一需求參數，且基板能夠透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數時，計算單元根據檢測結果資料及累積處理時間更新處理速率，並且根據至少一需求差值及更新的處理速率更新處理時間與累積處理時間，並使基板處理裝置以更新的處理時間對基板進行特定處理。

可選地，在基板處理設備的一個實施例中，基板處理設備更包括後續處理裝置。後續處理裝置電性連接計算單元，其中在計算單元根 據檢測結果資料判斷基板滿足期待的至少一需求參數時，後續處理裝置對基板進行後續處理。

可選地，在基板處理設備的一個實施例中，針對之後需要滿足至少一需求參數的另一基板，計算單元除了控制基板處理裝置以累積處理時間對另一基板進行特定處理外，並控制檢測裝置不對另一基板進行檢測。

可選地，在基板處理設備的一個實施例中，當計算單元根據檢測結果資料判斷基板未滿足期待的至少一需求參數，且基板無法透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數時，計算單元判讀基板為瑕疵品。

可選地，在基板處理設備的一個實施例中，計算單元接收預定處理時間，並控制基板處理裝置以預定處理時間對基板進行特定處理，接著控制檢測裝置檢測基板以取得初始檢測結果資料，計算單元再根據初始檢測結果資料與預定處理時間計算出特定處理之初始的處理速率。

可選地，在基板處理設備的一個實施例中，計算單元根據檢測結果資料與期待的至少一需求參數計算出至少一需求差值。

可選地，在基板處理設備的一個實施例中，計算單元使用查找表或透過人工智能、迴歸計算或蒙地卡羅方法建立的模型根據至少一需求參數與初始的處理速率計算初始的處理時間，以及使用查找表或模型根據至少一需求差值及更新的處理速率更新處理時間。

可選地，在基板處理設備的一個實施例中，特定處理為改質處理、蝕刻處理、填孔處理或塗鍍處理，以及後續處理包括清潔處理、乾燥處理、加熱處理、冷卻處理與收料處理的至少一者。

有鑑於此，本發明提供的基板處理方法可執行於基板處理設備中，且包括：取得特定處理之初始的處理速率與期待的至少一需求參數；根據至少一需求參數與初始的處理速率計算初始的處理時間，並初始化累積處理時間；以處理時間對基板進行特定處理；檢測經特定處理後的基板，以產生檢測結果資料；在根據檢測結果資料判斷基板滿足期待的至少一需求參數時，對基板進行後續處理，記錄累積處理時間，且針對之後需要滿足至少一需求參數的另一基板，控制基板處理設備以累積處理時間對另一基板進行特定處理；以及當根據檢測結果資料判斷基板未滿足期待的至少一需求參數，且基板能夠透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數時，根據檢測結果資料及累積處理時間更新處理速率，並且根據至少一需求差值及更新的處理速率更新處理時間與累積處理時間，並使基板處理設備以更新的處理時間對基板進行特定處理。

可選地，在基板處理方法的一個實施例中，其中針對之後需要滿足至少一需求參數的另一基板，除了控制基板處理設備以累積處理時間對另一基板進行特定處理外，並控制基板處理設備不對另一基板進行檢測。

可選地，在基板處理方法的一個實施例中，其中當根據檢測結果資料判斷基板未滿足期待的至少一需求參數，且基板無法透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數時，判讀基板為瑕疵品。

可選地，在基板處理方法的一個實施例中，接收預定處理時間，並以預定處理時間對基板進行特定處理，接著檢測基板以取得初始檢測結果資料，再根據初始檢測結果資料與預定處理時間計算出特定處理之初始的處理速率。

可選地，在基板處理方法的一個實施例中，根據檢測結果資料與期待的至少一需求參數計算出至少一需求差值。

可選地，在基板處理方法的一個實施例中，使用查找表或透過人工智能、迴歸計算或蒙地卡羅方法建立的模型根據至少一需求參數與初始的處理速率計算初始的處理時間，以及使用查找表或模型根據至少一需求差值及更新的處理速率更新處理時間。

可選地，在基板處理方法的一個實施例中，特定處理為改質處理、蝕刻處理、填孔處理或塗鍍處理，以及後續處理包括清潔處理、一乾燥處理、加熱處理、冷卻處理與收料處理的至少一者。

綜上所述，本發明提供的基板處理設備與方法能夠減少製造時間及檢測時間，並提升製造良率。

100:雷射光源

200:基板

201:改質區

202:穿孔

203:金屬導通柱

300:基板處理設備

301:計算單元

302:基板處理裝置

303:檢測裝置

304:後續處理裝置

L:雷射光束

S401~S412:步驟

提供的附圖是用以使本發明所屬技術領域具有通常知識者可以進一步理解本發明，並且被併入與構成本發明之說明書的一部分，附圖示出了本發明的示範實施例，並且用以與本發明之說明書一起用於解釋本發明的原理，其並非用於限制本發明。本發明附圖的簡單說明如下：圖1是本發明實施例的基板處理設備對基板進行改質處理的示意圖；圖2是本發明實施例的基板處理設備對基板進行填孔處理的示意圖；圖3是本發明實施例的基板處理設備的系統方塊圖；以及圖4是本發明實施例的基板處理方法的流程圖。

為利貴審查員瞭解本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本發明配合附圖，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的權利範圍，合先敘明。

請參照圖1，圖1是本發明實施例的基板處理設備對基板進行改質處理的示意圖。本發明的基板處理設備在一個實施例中，可以是一個進行改質處理的基板改質處理設備，基板改質處理設備包括雷射光源100，雷射光源100用於發射雷射光束L，以照射基板200(例如，玻璃基板或矽基板)的改質區201，改質區201被雷射光束L以處理時間照射後，會被改質。通常，改質區201的改質需要達到預定的需求，例如改質區201的光譜(例如，以X光的光譜儀檢測獲得的光譜)要滿足至少一個需求參數(例如，量測到的光譜是否相似於預期的光譜)。

請參照圖2，圖2是本發明實施例的基板處理設備對基板進行填孔處理的示意圖。在另一個實施例，本發明的基板處理設備可以是一種穿孔基板蝕刻設備，如圖1的基板200在改質處理完成並滿足至少一個需求參數後，穿孔基板蝕刻設備對圖1的基板200做蝕刻，以在改質區201形成如圖2的穿孔202，即基板200變成穿孔基板。進一步地，穿孔基板蝕刻設備可以是一個蝕刻液浸泡槽設備，其用於將改質後的基板200浸入蝕刻液中，持續一段處理時間後，再將基板200自蝕刻液中移出，以在改質區201形成如圖2的穿孔202。穿孔202必須要滿足至少一個需求參數，需求參數 為穿孔需求參數，例如為上孔直徑、下孔直徑、上孔直徑對腰身直徑的深寬比或穿孔內表面粗糙度。

繼續參照圖2，於另一個實施例中，本發明的基板處理設備可以是一種基板塗鍍設備(基板填孔設備的其中一種，但基板塗鍍設備不以填孔的應用為限制，且基板填孔設備可能也會以非塗鍍的方式進行填孔)。基板塗鍍設備用於以一段處理時間將金屬塗鍍於穿孔202中，以形成金屬導通柱203。穿孔202的金屬塗鍍程度必須要滿足至少一個需求參數，例如，填孔密度。接著，經特定處理後的基板200才能作為三維晶片或二點五維晶片進行封裝時的中介基板。

請參照圖3，圖3是本發明實施例的基板處理設備的系統方塊圖。基板處理設備300包括計算單元301、基板處理裝置302及檢測裝置303。計算單元301用於取得特定處理之初始的處理速率與期待的至少一需求參數，並根據至少一需求參數與初始的處理速率計算初始的處理時間，並初始化累積處理時間。基板處理裝置302電性連接計算單元301，以處理時間對基板進行特定處理。檢測裝置303電性連接計算單元301，並用於檢測經特定處理後的基板，以產生檢測結果資料給計算單元301，例如為自動光學檢測設備，其可以檢測光譜、影像、透光率、折射率與反射率的至少一者，且本發明不以此為限制。

進一步地，計算單元301會接收預定處理時間，並控制基板處理裝置302以預定處理時間對基板進行特定處理，接著控制檢測裝置303檢測基板以取得初始檢測結果資料，計算單元301再根據初始檢測結果資料與預定處理時間計算出上述特定處理之初始的處理速率。

在計算單元301根據檢測結果資料判斷基板滿足期待的至少一需求參數時，計算單元301記錄累積處理時間，且針對之後需要滿足至少一需求參數的另一基板，計算單元301控制基板處理裝置302以累積處理時間對另一基板進行特定處理。另外，針對之後需要滿足至少一需求參數的另一基板，計算單元301除了控制基板處理裝置302以累積處理時間對另一基板進行特定處理外，並控制檢測裝置303不對另一基板進行檢測。

當計算單元301根據檢測結果資料判斷基板未滿足期待的至少一需求參數，且基板能夠透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數時，計算單元301根據檢測結果資料及累積處理時間更新處理速率，並且根據至少一需求差值及更新的處理速率更新處理時間與累積處理時間，並使基板處理裝置302以更新的處理時間對基板進行特定處理。

進一步地，計算單元301可根據檢測結果資料與期待的至少一需求參數計算出上述的至少一需求差值。計算單元301可使用查找表或透過人工智能、迴歸計算或蒙地卡羅方法建立的模型根據至少一需求參數與初始的處理速率計算初始的處理時間，以及使用查找表或模型根據至少一需求差值及更新的處理速率更新處理時間。

再者，當計算單元301根據檢測結果資料判斷基板未滿足期待的至少一需求參數，且基板無法透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數時，計算單元301判讀基板為瑕疵品。

簡單地說，基板處理設備300在初次或需要時，對特定處理後之基板檢測，並在通過檢測後，基板處理設備300以通過檢測時對應的累積處理時間對後續其他基板進行特定處理。

如此一來，經特定處理後的多個基板不需要全部都進行檢測，故能減少檢測時間與製造時間，另外，由於是採用通過檢測時對應的累積處理時間對後續其他基板進行特定處理，因此，除非基板處理設備300有因環境會產生嚴重偏差或老化外，否則經特定處理後的後續其他基板多數都會符合至少一需求參數，即基板處理設備300還能夠有效地提升製造良率。

此外，在此實施例中，基板處理設備300更包括後續處理裝置304。後續處理裝置304電性連接計算單元301，其中在計算單元301根據檢測結果資料判斷基板滿足期待的至少一需求參數時，後續處理裝置304對基板進行後續處理。

進一步地，特定處理為改質處理、蝕刻處理、填孔處理或塗鍍處理，亦即，基板處理設備300可以是基板改質處理設備、穿孔基板蝕刻處理設備、盲孔基板蝕刻處理設備、基板蝕刻處理設備、基板填孔處理設備或基板塗鍍處理設備。另外，後續處理包括清潔處理、乾燥處理、加熱處理、冷卻處理與收料處理的至少一者。特定處理與後續處理的類型都非用於限制本發明。

當基板處理設備300為穿孔基板蝕刻處理設備，處理速率可以是蝕刻速率，預定處理時間可以是預定蝕刻時間，處理時間可以是蝕刻時間，累積處理時間可以是累積蝕刻時間，以及需求參數可以是穿孔需求參數。另外，基板可以為玻璃基板或矽基板，以及基板上的至少一穿孔為玻璃基板穿孔(TGV)或矽基板穿孔(TSV)，再者，蝕刻處理可以為浸 泡蝕刻處理、濕式蝕刻處理或雷射蝕刻處理。此時，檢測裝置303是檢測基板的至少一穿孔。

以基板為玻璃基板，蝕刻處理為浸泡蝕刻處理為例說明。在進行蝕刻處理前，玻璃基板會經過雷射改質處理，以形成複數個改質區，計算單元301接收蝕刻液資訊與雷射改質處理資訊，並根據蝕刻液資訊與雷射改質處理資訊決定蝕刻處理之初始的蝕刻速率，以及雷射改質處理資訊包括進行雷射改質處理的雷射功率、照射時間及照射次數。如果以初始的蝕刻時間(此時的累積蝕刻時間為初始的蝕刻時間與預設蝕刻時間的和)對基板進行蝕刻處理後，改質區所形成的穿孔符合穿孔需求參數(例如，需求的上孔直徑為50微米)，則之後皆以記錄的累積蝕刻時間對改質後的其他基板進行蝕刻處理。

如果以初始的蝕刻時間(此時的累積蝕刻時間為初始的蝕刻時間)對基板進行蝕刻處理後，改質區所形成的穿孔不符合穿孔需求參數(例如，需求的上孔直徑為50微米，而此時的上孔直徑為40微米)，則表示還能夠透過再次進行的蝕刻處理來嘗試達到符合穿孔需求參數。此時，根據需求差值(例如，需求的上孔直徑差值為10微米)及更新的蝕刻速率計算出更新的蝕刻時間(此時的累積蝕刻時間為預設蝕刻時間、初始的蝕刻時間與更新的蝕刻時間的和)，並以蝕刻時間對基板繼續進行蝕刻處理，若再次進行的蝕刻處理後，基板已能符合穿孔需求參數，則之後皆以記錄的累積蝕刻時間對改質後的其他基板進行蝕刻處理。

在此請注意，在一個實施例中，在進行蝕刻處理前的雷射改質處理，可能是以單一個雷射對基板照射一次，也可能是使用多個不同雷 射對基板照射多次，或者使用單一個雷射對基板照射多次。因此，雷射改質處理資訊會影響蝕刻速率。在使用同一種蝕刻液浸泡進行蝕刻處理時，且進行初次的蝕刻處理後，不再進行雷射改質，則計算單元在更新蝕刻速率時，僅是單純地根據累積蝕刻時間及檢測結果資料(例如，上孔直徑，但不以此為限制)來更新蝕刻速率。

在此請注意，在一個實施例中，在使用同一種蝕刻液浸泡進行蝕刻處理時，且進行初次的蝕刻處理後，於再次進行蝕刻處理前，還會額外地進行雷射改質處理，則計算單元在更新蝕刻速率時，是根據累積蝕刻時間、檢測結果資料(例如，上孔直徑，但不以此為限制)及雷射改質處理資訊來更新蝕刻速率。

在此請注意，在一個實施例中，初始的蝕刻處理使用的蝕刻液可能與下一次的蝕刻處理使用的蝕刻液不同，因此，在進行初次的蝕刻處理後，若不再進行雷射改質，則計算單元在更新蝕刻速率時，是根據累積蝕刻時間、蝕刻液資訊及檢測結果資料(例如，上孔直徑，但不以此為限制)來更新蝕刻速率。

在此請注意，在一個實施例中，初始的蝕刻處理使用的蝕刻液可能與下一次的蝕刻處理使用的蝕刻液不同，因此，在進行初次的蝕刻處理後，還會額外地進行雷射改質處理，則計算單元在更新蝕刻速率時，是根據累積蝕刻時間、雷射改質處理資訊、蝕刻液資訊及檢測結果資料(例如，上孔直徑，但不以此為限制)來更新蝕刻速率。

請接著參照圖4，圖4是本發明實施例的基板處理方法的流程圖。基板處理方法可執行於上述的基板處理設備，且包括步驟S401~ S412。首先，在步驟S401中，計算單元先接收至少一需求參數。然後，在步驟S402中，計算單元接收決定的預設處理時間，其中決定的預設處理時間可以是人為輸入或計算單元自行設定，且本發明不以此為限制。之後，在步驟S403，計算單元控制基板處理裝置以預定處理時間對基板進行特定處理，其中特定處理可以為改質處理、蝕刻處理、填孔處理或塗鍍處理，且不以此為限制。之後，在步驟S404中，計算單元控制檢測裝置對基板檢測以取得初始檢測結果資料，且計算單元依據初始檢測結果資料與預定處理時間計算出特定處理之初始的處理速率。在此請注意，步驟S402~S404可以被省略，而是計算單元一開始就記錄有特定處理之初始的處理速率。

之後，在步驟S405中，計算單元根據至少一需求參數與初始的處理速率計算初始的處理時間，並初始化累積處理時間，其中初始的累積處理時間為初始的處理時間與預設處理時間之和，另外，若步驟S402~S404省略的情況，則初始的累積處理時間為初始的處理時間。之後，在步驟S406中，計算單元控制基板處理裝置以處理時間對基板進行特定處理。

在步驟S407中，計算單元控制檢測裝置檢測經特定處理後的基板，以產生檢測結果資料，並且計算單元根據檢測結果資料判斷基板滿足期待的至少一需求參數。如果判斷基板滿足期待的至少一需求參數，則接著執行步驟S411，如果判斷基板未滿足期待的至少一需求參數，則執行步驟S408。如果判斷基板滿足期待的至少一需求參數，則在步驟S411中，計算單元記錄累積處理時間。然後，在步驟S412中，計算單元控制後續處理裝置對經過特定處理後的基板進行後續處理，其中後續處理包括清潔處理、一乾燥處理、加熱處理、冷卻處理與收料處理的至少一者，且本發明 不以此為限制。如此一來，基板處理設備可對後續需要滿足至少一需求參數的其他基板以記錄的累積處理時間進行特定處理，且可以選擇性地不再對經特定處理的其他基板進行檢測。

如果判斷基板未滿足期待的至少一需求參數，則在步驟S408中，計算單元根據檢測結果資料判斷基板是否能夠透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數。如果判斷基板能夠透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數，則執行步驟S410；如果判斷基板無法透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數，則執行步驟S409。如果判斷基板無法透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數，則在步驟S409中，計算單元會將基板視為瑕疵品，並且視為瑕疵品的基板會被分類到瑕疵品集中區。

如果判斷基板能夠透過再一次的特定處理而有機會滿足期待的至少一需求參數，則在步驟S410中，計算單元根據檢測結果資料及累積處理時間更新處理速率，並且根據至少一需求差值及更新的處理速率更新處理時間與累積處理時間，其中計算單元可根據檢測結果資料與期待的至少一需求參數計算出至少一需求差值。然後，在步驟S406中，計算單元再次控制基板處理設備以更新的處理時間對基板進行特定處理。

在此請注意，處理時間的更新與初始的處理時間可使用查找表或透過人工智能、迴歸計算或蒙地卡羅方法建立的模型來實現。透過查找表或模型，可以根據至少一需求參數與初始的處理速率計算初始的處理時間，以及透過查找表或模型可以根據至少一需求差值及更新的處理速率更新處理時間。

綜上所述，本發明提供一種基板處理設備與方法，其可以在初次或需要時對特定處理後之基板檢測，並在通過檢測後，以通過檢測時對應的累積處理時間對後續其他基板進行特定處理，其中特定處理可以是改質處理、蝕刻處理、填孔處理或塗鍍處理。如此一來，基板處理設備與方法能夠減少製造時間及檢測時間，並提升製造良率。

以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

S401~S412:步驟

Claims (13)

1. 一種基板處理設備，包括：一計算單元（301），用於取得一特定處理之初始的一處理速率與至少一需求參數，並根據該至少一需求參數與初始的該處理速率計算初始的一處理時間，並初始化一累積處理時間，其中該計算單元（301）使用一查找表或透過人工智能、迴歸計算或蒙地卡羅方法建立的一模型根據該至少一需求參數與初始的該處理速率計算初始的該處理時間；一基板處理裝置（302），電性連接該計算單元（301），以該處理時間對一基板（200）進行該特定處理；以及一檢測裝置（303），電性連接該計算單元（301），用於檢測經該特定處理後的該基板（200），以產生一檢測結果資料給該計算單元（301）；其中在該計算單元（301）根據該檢測結果資料判斷該基板（200）滿足該至少一需求參數時，該計算單元（301）記錄該累積處理時間，且針對之後需要滿足該至少一需求參數的另一基板，該計算單元（301）控制該基板處理裝置（302）以該累積處理時間對該另一基板進行該特定處理；其中當該計算單元（301）根據該檢測結果資料判斷該基板（200）未滿足該至少一需求參數，且該基板（200）能夠透過再一次的該特定處理而有機會滿足該至少一需求參數時，該計算單元（301）根據該檢測結果資料及該累積處理時間更新該處理速率，並且根據至少一需求差值及更新的該處理速率更新該處理時間與該累積處理時間，並使該基板處理裝置（302）以更新的該處理時間對該基板（200）進行該特定處理，其中該計算單元（301）使用該查找表或該模型根據該至少一需求差值及更新的該處理速率更新該處理時間。
2. 如請求項1所述的基板處理設備，更包括：一後續處理裝置（304），電性連接該計算單元（301），其中在該計算單元（301）根據該檢測結果資料判斷該基板（200）滿足該至少一需求參數時，該後續處理裝置（304）對該基板（200）進行一後續處理。
3. 如請求項1所述的基板處理設備，其中針對之後需要滿足該至少一需求參數的另一基板，該計算單元（301）除了控制該基板處理裝置（302）以該累積處理時間對該另一基板進行該特定處理外，並控制該檢測裝置（303）不對該另一基板進行檢測。
4. 如請求項1所述的基板處理設備，其中當該計算單元（301）根據該檢測結果資料判斷該基板（200）未滿足該至少一需求參數，且該基板（200）無法透過再一次的該特定處理而有機會滿足該至少一需求參數時，該計算單元（301）判讀該基板（200）為一瑕疵品。
5. 如請求項1所述的基板處理設備，其中該計算單元（301）接收一預定處理時間，並控制該基板處理裝置（302）以該預定處理時間對該基板（200）進行該特定處理，接著控制該檢測裝置（303）檢測該基板（200）以取得一初始檢測結果資料，該計算單元（301）再根據該初始檢測結果資料與該預定處理時間計算出該特定處理之初始的該處理速率。
6. 如請求項1所述的基板處理設備，其中該計算單元（301）根據該檢測結果資料與該至少一需求參數計算出該至少一需求差值。
7. 如請求項2所述的基板處理設備，其中該特定處理為一改質處理、一蝕刻處理、一填孔處理或一塗鍍處理，以及該後續處理包括一清潔處理、一乾燥處理、一加熱處理、一冷卻處理與一收料處理的至少一者。
8. 一種基板處理方法，執行於一基板處理設備（300）中，該基板處理設備（300）包括一計算單元（301）、一基板處理裝置（302）、一檢測裝置（303）及一後續處理裝置（304），該基板處理裝置（302）電性連接該計算單元（301），該檢測裝置（303）電性連接該計算單元（301），該後續處理裝置(304)電性連接該計算單元(301)，該基板處理方法包括：該計算單元（301）取得一特定處理之初始的一處理速率與至少一需求參數；該計算單元（301）根據該至少一需求參數與初始的該處理速率計算初始的一處理時間，並初始化一累積處理時間，其中該計算單元（301）使用一查找表或透過人工智能、迴歸計算或蒙地卡羅方法建立的一模型根據該至少一需求參數與初始的該處理速率計算初始的該處理時間；該計算單元（301）控制該基板處理裝置（302）以該處理時間對一基板（200）進行該特定處理；該計算單元（301）控制該檢測裝置（303）檢測經該特定處理後的該基板（200），以產生一檢測結果資料；該計算單元（301）在根據該檢測結果資料判斷該基板（200）滿足該至少一需求參數時，該計算單元（301）控制該後續處理裝置（304）對該基板（200）進行一後續處理，並記錄該累積處理時間，且針對之後需要滿足該至少一需求參數的另一基板，該計算單元（301）控制該基板處理裝置（302）以該累積處理時間對該另一基板進行該特定處理；以及當該計算單元（301）根據該檢測結果資料判斷該基板（200）未滿足該至少一需求參數，且該基板（200）能夠透過再一次的該特定處理而有機會滿足該至少一需求參數時，該計算單元（301）根據該檢測結果資料及該累積處理時間更新該處理速率，並且該計算單元（301）根據至少一需求差值及更新的該處理速率更新該處理時間與該累積處理時間，並使該基板處理裝置（302）以更新的該處理時間對該基板（200）進行該特定處理，其中該計算單元（301）使用該查找表或該模型根據該至少一需求差值及更新的該處理速率更新該處理時間。
9. 如請求項9所述的基板處理方法，其中針對之後需要滿足該至少一需求參數的另一基板，除了該計算單元（301）控制該基板處理裝置（302）以該累積處理時間對該另一基板進行該特定處理外，並控制該檢測裝置（303）不對該另一基板進行檢測。
10. 如請求項9所述的基板處理方法，其中當該計算單元（301）根據該檢測結果資料判斷該基板（200）未滿足該至少一需求參數，且該基板（200）無法透過再一次的該特定處理而有機會滿足該至少一需求參數時，該計算單元（301）判讀該基板（200）為一瑕疵品。
11. 如請求項9所述的基板處理方法，其中該計算單元（301）接收一預定處理時間，並控制該基板處理裝置（302）以該預定處理時間對該基板（200）進行該特定處理，接著該計算單元（301）控制該檢測裝置（303）檢測該基板（200）以取得一初始檢測結果資料，該計算單元（301）再根據該初始檢測結果資料與該預定處理時間計算出該特定處理之初始的該處理速率。
12. 如請求項9所述的基板處理方法，其中該計算單元（301）根據該檢測結果資料與該至少一需求參數計算出該至少一需求差值。
13. 如請求項9所述的基板處理方法，其中該特定處理為一改質處理、一蝕刻處理、一填孔處理或一塗鍍處理，以及該後續處理包括一清潔處理、一乾燥處理、一加熱處理、一冷卻處理與一收料處理的至少一者。