TWI900031B

TWI900031B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI900031B
Application number: TW113119465A
Authority: TW
Inventors: 陳戎新; 童騰賦
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2024-05-27
Filing date: 2024-05-27
Publication date: 2025-10-01
Also published as: CN118838080A

Abstract

一種顯示裝置包括第一基板、多個畫素結構、第二基板及液晶層。第一基板具有透視區及透視區外的顯示區。每一畫素結構包括元件、畫素電極及共用電極。元件及畫素電極設置於第一基板上，且畫素電極電性連接至元件。第二基板設置於第一基板的對向。液晶層設置於第一基板與第二基板之間。多個畫素結構包括陣列排列於透視區的多個第一畫素結構及陣列排列於顯示區的多個第二畫素結構。每一第一畫素結構的畫素電極與共用電極的一電位差恆為大於零伏特的一定值或恆為零伏特。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種光電裝置，且特別是有關於一種顯示裝置。

立體顯示裝置的至少一部分可呈透明狀態，以供使用者觀看其後方的物件，常見於汽車儀表、遊戲機台等。一般而言，立體顯示裝置具有顯示區及被顯示區圍繞的透視區，其中顯示區可提供立體顯示畫面供使用者觀看，透視區則呈現透明狀態讓使用者得以觀看到後方實體物件。

一般而言，立體顯示裝置的透視區的穿透率偏低，影響使用者的立體感及真實感的體驗。為提高透視區的穿透率，可將液晶顯示面板的透視區的部分偏光片去除。然而，去除部分的偏光片而形成的內部開口邊緣無法被研磨平整，而影響立體顯示裝置的外觀。若使用額外的框膠塗佈於透視區與顯示區的交界，以使液晶不分佈於透視區而提高透視區的穿透率，則還需要額外設置遮光圖案以遮蔽之，造成透視區具有邊框。此外，框膠塗佈區附近還容易出現牛頓環，不利於立體顯示裝置的視效。

本發明提供一種顯示裝置，視效佳。

本發明的顯示裝置包括第一基板、多個畫素結構、第二基板及液晶層。第一基板具有透視區及透視區外的顯示區。每一畫素結構包括元件、畫素電極及共用電極。元件及畫素電極設置於第一基板上，且畫素電極電性連接至元件。第二基板設置於第一基板的對向。液晶層設置於第一基板與第二基板之間。多個畫素結構包括陣列排列於透視區的多個第一畫素結構及陣列排列於顯示區的多個第二畫素結構。每一第一畫素結構的畫素電極與共用電極的一電位差恆為大於零伏特的一定值或恆為零伏特。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1為本發明一實施例之顯示裝置的爆炸示意圖。圖2為本發明一實施例之面板的局部的俯視及放大示意圖。圖2對應圖1的面板100的局部R。圖2示出第一基板110、資料線DL、閘極線GL、畫素結構140的元件142及畫素電極144、，而省略面板100的其它構件。圖3為本發明一實施例之面板及背光源的剖面示意圖。圖3對應圖2的線段I-I’。

請參照圖1、圖2及圖3，顯示裝置DP包括液晶顯示面板10。在一些實施例中，液晶顯示面板10包括面板100、上偏光片200及下偏光片300，其中上偏光片200及下偏光片300分別設置於面板100的上下兩側。然而，本發明不以此為限，在其它實施例中，上偏光片200及下偏光片300的至少一者也可整合至面板100的晶胞（cell）內。

面板100包括第一基板110、設置於第一基板110之對向的第二基板120及設置於第一基板110與第二基板120之間的液晶層130。第一基板110具有透視區112及透視區112外的顯示區114。在一些實施例中，顯示區114可圍繞透視區112，但本發明不以此為限。舉例而言，在一些實施例中，第一基板110及第二基板120的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是其它可適用的材料。

面板100更包括多個畫素結構140。每一畫素結構140包括一元件142、一畫素電極144及一共用電極146，元件142及畫素電極144設置於第一基板110上，且畫素電極144電性連接至元件142。在一些實施例中，每一畫素結構140的共用電極146可選擇性地設置於第二基板120上，且位於第二基板120與液晶層130之間。也就是說，在一些實施例中，畫素結構140的共用電極146及畫素電極144可選擇性地位於液晶層130的上下兩側。然而，本發明不以此為限，在其它實施例中，畫素結構140的共用電極146及畫素電極144也可位於液晶層130的同一側，以下將於後續段落配合其它圖式舉例說明之。

在一些實施例中，畫素電極144及共用電極146可為透明導電層，其包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層，但本發明不以此為限。

在一些實施例中，液晶層130可選擇性地包括多個扭轉向列型液晶分子，液晶顯示面板10包括多個扭轉向列型液晶分子、分別設置於所述多個扭轉向列型液晶分子的上下兩側的共用電極146及畫素電極144、上偏光片200及下偏光片300，而液晶顯示面板10可選擇性地為正常白（Normally white）模式。也就是說，在一些實施例中，當畫素結構140的畫素電極144與共用電極146的電位差實質上為零伏特時，畫素結構140所在的區域可具有最大穿透率。然而，本發明不以此為限，在其它實施例中，液晶顯示面板也為正常黑（Normally black）模式，以下將於後續段落配合其它圖式舉例說明之。

多個畫素結構140包括陣列排列於透視區112的多個第一畫素結構140-1及陣列排列於顯示區114的多個第二畫素結構140-2，且每一第一畫素結構140-1的畫素電極144與共用電極146的電位差恆為大於零伏特的一定值或恆為零伏特。也就是說，在一些實施例中，第一畫素結構140-1所在的透視區112的穿透率可恆為畫素結構140所在之區域能具有的最大穿透率。舉例而言，在一些實施例中，液晶顯示面板10可為正常白模式，而每一第一畫素結構140-1的畫素電極144與共用電極146的電位差可恆為零伏特，但本發明不以此為限。

在一些實施例中，顯示裝置DP更包括背光源20，設置於液晶顯示面板10下，其中背光源20具有一開孔22，背光源20的開孔22的邊緣22a對應多個第一畫素結構140-1與多個第二畫素結構140-2的交界i1。在一些實施例中，液晶顯示面板10與背光源20在方向z上堆疊，而背光源20的開孔22與液晶顯示面板10的多個第二畫素結構140-2在方向z上重疊。

圖4為本發明一實施例的液晶顯示面板的第一畫素結構的俯視示意圖。圖5為本發明一實施例的液晶顯示面板的第二畫素結構的俯視示意圖。請參照圖2、圖4及圖5，本實施例的液晶顯示面板10為正常白（Normally white）模式。在一些實施例中，每一畫素結構140還可包括資料線DL及閘極線GL，其中資料線DL及閘極線GL彼此交越，且閘極線GL電性連接至元件142。請參照圖2及圖5，在一些實施例中，第二畫素結構140-2的元件142可包括一薄膜電晶體，所述薄膜電晶體具有具有閘極142c、半導體圖案142d、源極142a和汲極142b，源極142a和汲極142b分別電性連接至半導體圖案142d的兩區，源極142a電性連接至資料線DL，閘極142c電性連接至閘極線GL，且汲極142b電性連接至畫素電極144。

請參照圖2及圖4，在一些實施例中，第一畫素結構140-1的元件142包括第一電極142c-1、第二電極142a-1及第三電極142b-1，第一電極142c-1電性連接至閘極線GL，第二電極142a-1電性連接至資料線DL，第三電極142b-1電性連接至畫素電極144。在一些實施例中，第一畫素結構140-1的元件142的第一電極142c-1、第二電極142a-1及第三電極142b-1的形狀可分別實質上相同於第二畫素結構140-2的元件142的閘極142c、源極142a與汲極142b，且第一畫素結構140-1的元件142的第一電極142c-1、第二電極142a-1及第三電極142b-1的一重疊區O未設有任何半導體圖案。請參照圖2、圖3及圖4，藉此，第一畫素結構140-1的畫素電極144可不受資料線DL及閘極線GL的作動影響，第一畫素結構140-1的畫素電極144與共用電極146的電位差可恆為零伏特，而使第一畫素結構140-1所在的透視區112的穿透率保持最大值。

請參照圖2及圖3，在一些實施例中，面板100還包括遮光圖案層150及多個彩色濾光圖案160，遮光圖案層150設置於第二基板120上且具有多個第一開口152及多個第二開口154，遮光圖案層150的多個第一開口152分別重疊於多個第一畫素結構140-1的多個畫素電極144，遮光圖案層150的多個第二開口154分別重疊於多個第二畫素結構140-2的多個畫素電極144，多個彩色濾光圖案160分別設置於遮光圖案層150的多個第二開口154，多個第二畫素結構140-2的多個共用電極146覆蓋多個彩色濾光圖案160，且多個第一畫素結構140-1的多個共用電極146設置於遮光圖案層150的多個第一開口152中。簡言之，重疊於第一畫素結構140-1的畫素電極144的遮光圖案層150的多個第一開口152中可未設有彩色濾光圖案160，而能更進一步地提升第一畫素結構140-1所在之透視區112的穿透率。

請參照圖2及圖3，在一些實施例中，背光源20的開孔22的邊緣22a對應遮光圖案層150的多個第一開口152與多個第二開口154的交界i2。請參照圖1、圖2及圖3，在一些實施例中，液晶顯示面板10與背光源20在方向z上堆疊，而背光源20的開孔22與遮光圖案層150的多個第一開口152在方向z上重疊。

值得一提的是，第一畫素結構140-1的畫素電極144與共用電極146的電位差恆為大於零伏特的一定值或恆為零伏特，藉此，液晶顯示面板10於第一畫素結構140-1所在的區域恆具有高穿透率。透過恆具有高穿透率的多個第一畫素結構140-1來定義透視區112，能使透視區112的形狀能滿足各種客製化的需求，透視區112的形狀及透視區112的轉角的角度均不受限。此外，透視區112與顯示區114之間可不具有額外的邊框（或者說，額外的遮蔽設計），可使顯示區114的面積最大化，且有助於提升顯示裝置DP的視效。再者，透視區112與顯示區114的交界附近也不會有易產生牛頓環的問題。

在一些實施例中，顯示區114可提供立體畫面，且使用者可透過透視區112看到顯示裝置10後方的實體物件。由於液晶顯示面板10於透視區112具有高穿透率，使用者可更清晰地觀看到顯示裝置DP後方的實體物件，提升使用者的立體感及真實感的體驗。舉例而言，在一些實施例中，相較於習知的液晶顯示面板的透視區，液晶顯示面板10的透視區112的穿透率可提升3.7倍，但本發明不以此為限。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。

圖6為本發明另一實施例的液晶顯示面板的第一畫素結構的俯視示意圖。圖7為本發明另一實施例的液晶顯示面板的第二畫素結構的俯視示意圖。

圖7的液晶顯示面板10A的第二畫素結構140-2與圖5的液晶顯示面板10的第二畫素結構140-2相同。圖6的液晶顯示面板10A的第一畫素結構140A-1與圖4的液晶顯示面板10的第一畫素結構140-1類似，兩者的差異在於：圖6的第一畫素結構140A-1的元件142可以是薄膜電晶體。詳細而言，在圖6及圖7的液晶顯示面板10A中，第一畫素結構140A-1的元件142更包括半導體圖案142d-1，第一畫素結構140A-1的元件142的第一電極142c-1可以是所述薄膜電晶體的閘極，第一畫素結構140A-1的元件142的第二電極142a-1及第三電極142b-1可以是所述薄膜電晶體的源極與汲極且分別電性連接至半導體圖案142d-1的兩區。此外，在圖6及圖7的液晶顯示面板10A中，第一畫素結構140A-1的元件142的第二電極142a-1（即所述薄膜電晶體的源極）與資料線DL於結構上分離。也就是說，第一畫素結構140A-1的元件142的第二電極142a-1（即所述薄膜電晶體的源極）與資料線DL斷開。藉此，第一畫素結構140A-1的畫素電極144可不受資料線DL的作動影響，進而使第一畫素結構140A-1所在的透視區112的穿透率恆保持最大值。

圖8為本發明又一實施例的液晶顯示面板的第一畫素結構的俯視示意圖。圖9為本發明又一實施例的液晶顯示面板的第二畫素結構的俯視示意圖。圖10為本發明又一實施例的面板及背光源的剖面示意圖。圖10對應圖8的線段II-II’及圖9的線段III-III’。

請參照圖8、圖9及圖10，本實施例的液晶顯示面板10B及其面板100B與前述的液晶顯示面板10及其面板100類似，兩者的主要差異在於：本實施例的液晶顯示面板10B為正常黑（Normally black）模式。也就是說，當液晶顯示面板10B的畫素結構140的畫素電極144與共用電極146B的電位差為大於零伏特的一定值時，畫素結構140所在的區域可具有最大穿透率。所述定值大小端視操作液晶層130的所需的電壓而定，本發明並不加以限制。

請參照圖8、圖9及圖10，液晶顯示面板10B的面板100B包括第一基板110、多個畫素結構140、第二基板120及液晶層130。第一基板110具有透視區112及透視區112外的顯示區114。每一畫素結構140包括元件142、畫素電極144及共用電極146B，元件142及畫素電極144設置於第一基板110上，且畫素電極144電性連接至元件142。第二基板120設置於第一基板110的對向。液晶層130設置於第一基板110與第二基板120之間。多個畫素結構140包括陣列排列於透視區112的多個第一畫素結構140B-1及陣列排列於顯示區114的多個第二畫素結構140B-2。

與前述的液晶顯示面板10及其面板100不同的是，在本實施例中，每一第一畫素結構140B-1的畫素電極144與共用電極146B的一電位差恆為大於零伏特的一定值。所述定值足以使第一畫素結構140B-1所在的區域具有最大穿透率。

在本實施例中，每一畫素結構140B的元件142包括一薄膜電晶體，薄膜電晶體具有閘極142c、半導體圖案142d、源極142a和汲極142b，源極142a和汲極142b電性連接至半導體圖案142d的兩區，且畫素電極144電性連接至汲極142b。在本實施例中，每一第二畫素結構140B-2的薄膜電晶體的源極142a與汲極142b於結構上分離。在本實施例中，每一第一畫素結構140B-1的薄膜電晶體的源極142a與汲極142b於結構上相連接。藉此，第一畫素結構140-1的畫素電極144可不受閘極線GL的作動的影響。透過資料線DL所提供的訊號，第一畫素結構140B-1的畫素電極144與共用電極146B的電位差可恆為大於零伏特的一定值，而使第一畫素結構140B-1所在的透視區112的穿透率恆保持最大值。

在本實施例中，畫素結構140的畫素電極144及共用電極146B可選擇性地均設置在第一基板110上。舉例而言，在本實施例中，畫素電極144與共用電極146B的一者可具有多個狹縫s，且多個狹縫s與畫素電極144與共用電極146B的另一者重疊。在本實施例中，面板100B例如是共面切換模式（in-plane switching mode）。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，面板100B也可以是邊緣場切換模式（fringe field switching mode）或其它模式。

在本實施例中，遮光圖案層150設置於第二基板120上且具有多個第一開口152及多個第二開口154，遮光圖案層150的多個第一開口152分別重疊於多個第一畫素結構140B-1的多個畫素電極144，遮光圖案層150的多個第二開口154分別重疊於多個第二畫素結構140B-2的多個畫素電極144，且多個彩色濾光圖案160分別設置於遮光圖案層150的多個第二開口154。與前述的面板100不同的是，面板100B更包括透光絕緣層170，覆蓋遮光圖案層150及彩色濾光圖案160，且填入遮光圖案層150的第一開口152中。簡言之，重疊於第一畫素結構140B-1的畫素電極144的第一開口152中可未設有彩色濾光圖案160，而能更進一步地提升第一畫素結構140B-1所在之透視區112的穿透率。

圖11為本發明又一實施例的液晶顯示面板的第一畫素結構的俯視示意圖。圖12為本發明又一實施例的液晶顯示面板的第二畫素結構的俯視示意圖。

圖12的液晶顯示面板10C的第二畫素結構140C-2與圖9的液晶顯示面板10B的第二畫素結構140B-2相同。圖11的液晶顯示面板10C的第一畫素結構140C-1與圖8的液晶顯示面板10B的第一畫素結構140B-1類似，兩者的差異在於：在圖11及圖12的液晶顯示面板10C中，第一畫素結構140C-1的元件142的源極142a與汲極142b於結構上彼此分離，且第一畫素結構140C-1的畫素電極144C與資料線DL直接地接觸。藉此，第一畫素結構140C-1的畫素電極144C可不受閘極線GL的作動影響。透過資料線DL提供的訊號，第一畫素結構140C-1的畫素電極144C與共用電極146B的電位差可恆為大於零伏特的一定值，而使第一畫素結構140C-1所在的透視區的穿透率恆保持最大值。

10、10A、10B、10C:液晶顯示面板 20:背光源 22:開孔 22a:邊緣 100、100B:面板 110:第一基板 112:透視區 114:顯示區 120:第二基板 130:液晶層 140:畫素結構 140-1、140A-1、140B-1、140C-1:第一畫素結構 140-2、140B-2、140C-2:第二畫素結構 142:元件 142a:源極 142a-1:第二電極 142b:汲極 142b-1:第三電極 142c:閘極 142c-1:第一電極 142d、142d-1:半導體圖案 144、144C:畫素電極 146、146B:共用電極 150:遮光圖案層 152:第一開口 154:第二開口 160:彩色濾光圖案 170:透光絕緣層 200:上偏光片 300:下偏光片 DL:資料線 DP:顯示裝置 GL:閘極線 i1、i2:交界 O:重疊區 R:局部 s:狹縫 z:方向 I-I’、II-II’、III-III’:線段

圖1為本發明一實施例之顯示裝置的爆炸示意圖。圖2為本發明一實施例之面板的局部的俯視及放大示意圖。圖3為本發明一實施例之面板及背光源的剖面示意圖。圖4為本發明一實施例的液晶顯示面板的第一畫素結構的俯視示意圖。圖5為本發明一實施例的液晶顯示面板的第二畫素結構的俯視示意圖。圖6為本發明另一實施例的液晶顯示面板的第一畫素結構的俯視示意圖。圖7為本發明另一實施例的液晶顯示面板的第二畫素結構的俯視示意圖。圖8為本發明又一實施例的液晶顯示面板的第一畫素結構的俯視示意圖。圖9為本發明又一實施例的液晶顯示面板的第二畫素結構的俯視示意圖。圖10為本發明又一實施例的面板及背光源的剖面示意圖。圖11為本發明又一實施例的液晶顯示面板的第一畫素結構的俯視示意圖。圖12為本發明又一實施例的液晶顯示面板的第二畫素結構的俯視示意圖。

10:液晶顯示面板

20:背光源

22:開孔

22a:邊緣

100:面板

112:透視區

114:顯示區

200:上偏光片

300:下偏光片

DP:顯示裝置

i1:交界

R:局部

z:方向

Claims

一種顯示裝置，包括：一第一基板，具有一透視區及該透視區外的一顯示區；多個畫素結構，其中每一畫素結構包括一元件、一畫素電極及一共用電極，該元件及該畫素電極設置於該第一基板上，且該畫素電極電性連接至該元件；一第二基板，設置於該第一基板的對向；一液晶層，設置於該第一基板與該第二基板之間；該些畫素結構包括陣列排列於該透視區的多個第一畫素結構及陣列排列於該顯示區的多個第二畫素結構，且每一第一畫素結構的該畫素電極與該共用電極的一電位差恆為大於零伏特的一定值或恆為零伏特；以及一背光源，其中一液晶顯示面板包括該第一基板、該些畫素結構、該第二基板及該液晶層，該背光源設置於該液晶顯示面板下，該背光源具有一開孔，該背光源的該開孔的一邊緣對應該些第一畫素結構與該些第二畫素結構的一交界。
如請求項1所述的顯示裝置，更包括：一遮光圖案層，設置於該第二基板上，且具有多個第一開口及多個第二開口，其中該遮光圖案層的該些第一開口分別重疊於該些第一畫素結構的多個畫素電極，且該遮光圖案層的該些第二開口分別重疊於該些第二畫素結構的多個畫素電極；多個彩色濾光圖案，分別設置於該遮光圖案層的該些第二開口；以及一透光絕緣層，覆蓋該遮光圖案層及該些彩色濾光圖案，且填入該遮光圖案層的該些第一開口中。
如請求項2所述的顯示裝置，其中該液晶顯示面板包括該第一基板、該些畫素結構、該第二基板、該遮光圖案層、該些彩色濾光圖案、該透光絕緣層及該液晶層；該背光源的該開孔的該邊緣對應該遮光圖案層的該些第一開口與該些第二開口的一交界。
如請求項1所述的顯示裝置，更包括：一遮光圖案層，設置於該第二基板上，且具有多個第一開口及多個第二開口，其中該遮光圖案層的該些第一開口分別重疊於該些第一畫素結構的多個畫素電極，且該遮光圖案層的該些第二開口分別重疊於該些第二畫素結構的多個畫素電極；以及多個彩色濾光圖案，分別設置於該遮光圖案層的該些第二開口；其中該些第二畫素結構的該些共用電極覆蓋該些彩色濾光圖案，且該些第一畫素結構的該些共用電極設置於該遮光圖案層的該些第一開口中。
如請求項4所述的顯示裝置，其中該液晶顯示面板包括該第一基板、該些畫素結構、該第二基板、該遮光圖案層、該些彩色濾光圖案及該液晶層；該背光源的該開孔的該邊緣對應該遮光圖案層的該些第一開口與該些第二開口的一交界。
如請求項1所述的顯示裝置，其中一該第二畫素結構的該元件包括一薄膜電晶體，該薄膜電晶體具有一閘極、一半導體圖案一源極和一汲極，且該源極和該汲極分別電性連接至該半導體圖案的兩區；一該第一畫素結構的該元件包括一第一電極、一第二電極及一第三電極，該第一電極、該第二電極及該第三電極的形狀分別實質上相同於該閘極、該源極和該汲極，且該第一電極、該第二電極及該第三電極的一重疊區未設有任何半導體圖案。
如請求項1所述的顯示裝置，其中每一該畫素結構的該元件包括一薄膜電晶體，該薄膜電晶體具有一閘極、一半導體圖案、一源極和一汲極，該源極和該汲極電性連接至該半導體圖案的兩區，且該畫素電極電性連接至該汲極；每一該畫素結構更包括設置於該薄膜電晶體旁的一資料線；每一第二畫素結構的該資料線與該薄膜電晶體的該源極電性連接，且每一第一畫素結構的該資料線與該薄膜電晶體的該源極於結構上分離。
如請求項1所述的顯示裝置，其中每一該畫素結構的該元件包括一薄膜電晶體，該薄膜電晶體具有一閘極、一半導體圖案、一源極和一汲極，該源極和該汲極電性連接至該半導體圖案的兩區，且該畫素電極電性連接至該汲極；每一該第二畫素結構的該薄膜電晶體的該源極與該汲極於結構上分離，且每一該第一畫素結構的該薄膜電晶體的該源極與該汲極於結構上相連接。
如請求項1所述的顯示裝置，其中每一該畫素結構的該元件包括一薄膜電晶體，該薄膜電晶體具有一閘極、一半導體圖案、一源極和一汲極，該源極和該汲極電性連接至該半導體圖案的兩區，且該畫素電極電性連接至該汲極；每一該畫素結構更包括電性連接至該薄膜電晶體的該源極的一資料線；每一該第一畫素結構的該資料線與該畫素電極直接地接觸。