TWI839431B - 基板處理設備 - Google Patents

Abstract

一種基板處理設備，包含腔體、支撐部、蓋體、清除氣體噴射單元、遮蔽件、第一噴射單元、第二噴射單元及第一分隔牆部。腔體中於基板上執行有加工製程。支撐部耦合腔體以支撐基板。蓋體設置支撐部上並耦合腔體。清除氣體噴射單元耦合蓋體以將清除氣體噴射處理空間而將處理空間分成多個處理區域。遮蔽件設置蓋體與支撐部間並耦合蓋體。第一噴射單元將第一氣體噴射第一處理區域。第二噴射單元將第一氣體噴射第一處理區域。第一分隔牆部耦合遮蔽件使得在使用第一氣體之加工製程所執行於的區域包含第一噴射區域、第二噴射區域及第一分隔空間。

Description

基板處理設備

本發明涉及一種基板處理設備，其在一基板上執行諸如沉積製程與蝕刻製程等加工製程。

一般來說，為了製造太陽能電池、半導體裝置、平板顯示裝置等，薄膜層、薄膜電路圖案或光學圖案應該形成於基板上。為此，會在基板上執行加工製程，此加工製程例如包含在基板上沉積含有特定材料之薄膜的沉積製程、使用光敏材料選擇性地曝光一部份薄膜的影像製程(photo process)、移除此選擇性地曝光的部份薄膜以形成一圖案等等。這樣的加工製程會透過基板處理設備在基板上執行。

圖1為相關技術之基板處理設備的示意性側視剖面圖。

參閱圖1，相關技術之基板處理設備10包含一支撐部11、一噴射單元12以及一清除單元13。

支撐部11支撐多個基板20。支撐部11支撐基板20使得基板20設置於噴射單元12的下方。

噴射單元12噴射一處理氣體。噴射單元12將此處理氣體噴射至多個處理區域PA1、PA2。處理氣體係用來執行諸如沉積製程與蝕刻製程等的加工製程。噴射單元12將不同種類的處理氣體噴射至處理區域PA1、PA2。

清除單元13噴射一清除氣體。清除單元13將此清除氣體噴射至一中心區域CA，中心區域CA設置於由支撐部11所支撐的這些基板20之間。中心區域CA設置於這些處理區域PA1、PA2之間。清除單元13將此清除氣體噴射至中心區域CA，因而避免由噴射單元12所噴射之不同種類的處理氣體彼此混合。

於此，當清除單元13噴射至中心區域CA之清除氣體的量較高時，噴射單元12噴射至處理區域PA1、PA2之處理氣體會沿一向外方向被清除氣體推動。因此，在基板20內部中朝向中心區域CA的一方向上會相對地發生沉積不足(under-deposition)與蝕刻不足(under-etching)。

當清除單元13噴射至中心區域CA之清除氣體的量較低時，噴射單元12噴射至處理區域PA1、PA2之處理氣體會擴散至中心區域CA。擴散至中心區域CA的處理氣體會停留在中心區域CA內，然後沿向外方向被清除氣體和基於支撐部11的旋轉所執行的離心力推動，進而再次流至處理區域PA1、PA2。因此，在基板20內部中會相對地發生過度沉積(over-deposition)與過度蝕刻(over-etching)。

如上所述，相關技術之基板處理設備10具有的問題為難以確保在基板20上所執行之加工製程的均勻度。

〔技術問題〕

本發明在於提供一種解決上述問題之基板處理設備以提高基板上所執行之加工製程的均勻度。

〔技術手段〕

為實現上述目的，本發明可包含以下要件。

根據本發明的一基板處理設備可包含一腔體、一支撐部、一蓋體、一清除氣體噴射單元、一遮蔽件、一第一噴射單元、一第二噴射單元以及一第一分隔牆部。在腔體中於一基板上執行有一加工製程。支撐部耦合至腔體以支撐基板。蓋體設置於支撐部上方並且耦合至腔體。清除氣體噴射單元耦合至蓋體以將一清除氣體噴射至蓋體與支撐部之間的一處理空間，而用來將處理空間分隔成多個處理區域。遮蔽件設置於蓋體與支撐部之間並且耦合至蓋體。第一噴射單元將一第一氣體噴射至處理區域中的一第一處理區域。第二噴射單元在與第一噴射單元相隔的一位置將第一氣體噴射至第一處理區域。第一分隔牆部耦合至遮蔽件，使得在使用第一氣體之一加工製程所執行於的一區域中包含一第一噴射區域、一第二噴射區域以及一第一分隔空間，其中第一噴射區域設置於第一噴射單元下方，第二噴射區域設置於第二噴射單元下方，並且第一分隔空間介於第一噴射區域與第二噴射區域之間。

〔有利功效〕

根據本發明，可獲得以下效果。

可實現本發明以擴大執行加工製程之空間的尺寸，進而增加在基板上所執行之加工製程的處理速率。

可實現本發明以增加執行加工製程之空間內的處理氣體的流量和密度，因而可增加在基板上所執行之加工製程的處理速率並可減少非用於加工製程並浪費掉之處理氣體的流量，進而降低操作成本。

可實現本發明以減少在基板上執行加工製程時因為清除氣體而在基板部份地發生處理速率之差異的程度，進而提高在基板上所執行之加工製程的均勻度。

以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。

在下文中，將會參閱附圖詳細地描述根據本發明之一基板處理設備的一實施例。

參閱圖2至圖4，根據本發明之一基板處理設備1於一基板S上執行一加工製程。舉例來說，根據本發明之基板處理設備1可執行在基板S上沉積一薄膜的一沉積製程與在基板S上移除所沉積的薄膜之一部份的一蝕刻製程中的至少一者。根據本發明之基板處理設備1包含一支撐部2、一蓋體3、一清除氣體噴射單元4、一噴射手段(injection means)5、一分隔牆手段6（繪示於圖4）以及一遮蔽件7（繪示於圖2）。

參閱圖2與圖3，支撐部2支撐基板S。支撐部2可耦合至一腔體1a的一內部，腔體1a提供加工製程所執行於的一處理空間。處理空間可設置於支撐部2與蓋體3之間。用來排出存留在處理空間內之氣體的一排放單元（未繪示）可耦合至腔體1a。可透過設置於腔體1a外部的裝載設備（未繪示）將基板S裝載至腔體1a中，接著，可藉由支撐部2來支撐基板S。當加工製程完成時，可透過設置於腔體1a外部的卸載設備（未繪示）將基板S卸載至腔體1a外部。基板S可為半導體基板或晶圓。

支撐部2可支撐多個基板S。基板S可由支撐部2所支撐以設置在彼此相隔的多個位置。舉例來說，基板S可相對於支撐部2的中心以相同角度設置在彼此相隔的這些位置。在圖2與圖3中，描繪有六個藉由支撐部2所支撐的基板，但不限於此。可藉由支撐部2來支撐二、三、四、五、七或更多個基板。

支撐部2可沿旋轉軸2a（繪示於圖3）旋轉。支撐部2可在一第一旋轉方向（箭頭方向R1，繪示於圖3）上旋轉。第一旋轉方向（箭頭方向R1）可相對於旋轉軸2a為順時針方向或逆時針方向。基板S可藉由支撐部2所支撐以在第一旋轉方向（箭頭方向R1）上以相對於旋轉軸2a相同的角度彼此相隔。儘管未繪示，支撐基板S的多個支撐元件可耦合至支撐部2。支撐部2的旋轉軸2a和支撐部2的中心可位於相同位置。

當支撐部2沿旋轉軸2a旋轉時，基板S可沿旋轉軸2a公轉(revolve)。支撐部2可耦合至提供一旋轉力的一驅動器（未繪示）。當支撐元件耦合至支撐部2時，每一個支撐元件可沿其本身的一旋轉軸旋轉。在此情況下，根據本發明之基板處理設備1可在基板S旋轉且公轉的同時於基板S上執行一加工製程。

參閱圖2，蓋體3設置於支撐部2上方。蓋體3可耦合至腔體1a以遮蓋腔體1a的一上部。蓋體3與腔體1a可如圖2所繪示呈六邊形結構的設置，但不以此為限，亦可呈圓柱形結構、長圓形結構、多邊形結構等的設置。

蓋體3可與支撐部2相隔地向上設置。蓋體3可支撐清除氣體噴射單元4與噴射手段5。清除氣體噴射單元4與噴射手段5中的每一個可與支撐部2相隔地向上設置並且可耦合至蓋體3。

參閱圖2至圖4，清除氣體噴射單元4噴射一清除氣體。清除氣體噴射單元可將清除氣體噴射至處理空間，因而處理空間可分隔成多個處理區域PA。清除氣體可與基板S上所執行的加工製程不相關，並例如可為諸如氬氣(Ar)的惰性氣體。在圖3中，處理空間被描繪為分隔成二處理區域PA1、PA2，但不以此為限，處理空間可分隔成三或更多個處理區域PA。

清除氣體噴射單元4可耦合至蓋體3。清除氣體噴射單元4可耦合至蓋體3以設置於支撐部2上。清除氣體噴射單元4可將清除氣體從支撐部2上的一部份以一向下方向噴射至支撐部2。可在蓋體3中提供待耦合至清除氣體噴射單元4的一第一耦合孔（未繪示）。清除氣體噴射單元4可插設於第一耦合孔中，因而可耦合至蓋體3。第一耦合孔可提供成穿過蓋體3。

清除氣體噴射單元4可將清除氣體噴射至一中心區域CA（繪示於圖3）。中心區域CA可設置於由支撐部2所支撐的這些基板S之間。清除氣體噴射單元4可將清除氣體噴射至中心區域CA，因而可避免從噴射手段5透過中心區域CA所噴射之不同種類的處理氣體混合。

清除氣體噴射單元4可將清除氣體噴射至第一分區DA1（繪示於圖3）以及一第二分區DA2（繪示於圖3）中的每一個。第一分區DA1可於中心區域CA之一側設置於這些處理區域PA之間。清除氣體噴射單元4可將清除氣體噴射至第一分區DA1，進而避免從噴射手段5透過第一分區DA1所噴射之不同種類的處理氣體混合。第二分區DA2可於中心區域CA之另一側設置於這些處理區域PA之間。清除氣體噴射單元4可將清除氣體噴射至第二分區DA2，進而避免從噴射手段5透過第二分區DA2所噴射之不同種類的處理氣體混合。

可將清除氣體噴射單元4實施成能夠將清除氣體噴射至中心區域CA、第一分區DA1以及第二分區DA2的形狀。舉例來說，當中心區域CA、第一分區DA1以及第二分區DA2呈直線狀設置時，可將清除氣體噴射單元4實施成直線狀。舉例來說，當中心區域CA、第一分區DA1以及第二分區DA2呈Y字形狀設置時，可將清除氣體噴射單元實施成Y字形狀。

可實施清除氣體噴射單元4以藉由使用一氣體噴射模組將清除氣體噴射至中心區域CA、第一分區DA1以及第二分區DA2。儘管未繪示，可實施清除氣體噴射單元4以藉由使用多個氣體噴射模組將清除氣體噴射至中心區域CA、第一分區DA1以及第二分區DA2。在此情況下，清除氣體噴射單元4可包含將清除氣體噴射至中心區域CA的一第一氣體噴射模組、將清除氣體噴射至第一分區DA1的一第二氣體噴射模組以及將清除氣體噴射至第二分區DA2的一第三氣體噴射模組。

儘管未繪示，可實施清除氣體噴射單元4以將清除氣體噴射至中心區域CA以及三或更多個分區DA。在此情況下，可實施清除氣體噴射單元4使得提供有多個氣體噴射模組以對應至這些分區DA。

參閱圖2至圖5，噴射手段5噴射一處理氣體。噴射手段5可將處理氣體噴射至處理區域PA。因此，可在位於處理區域PA中的基板S上執行使用處理氣體的加工製程。當基板S相對於旋轉軸2a沿一公轉路徑公轉時，噴射手段5可將處理氣體噴射至沿公轉路徑設置的多個處理區域PA1、PA2（繪示於圖3）。在此情況下，基板S可在沿公轉路徑公轉的同時依序通過這些處理區域PA1、PA2。在基板S依序通過這些處理區域PA1、PA2的製程中，可在基板上執行加工製程。

噴射手段5可包含一第一噴射單元51以及一第二噴射單元52。

第一噴射單元51將一第一氣體噴射至一第一處理區域PA1。第一處理區域PA1對應至由清除氣體噴射單元4所分隔之這些處理區域PA中的一者。第一氣體對應至用於加工製程的這些處理氣體中的一者。當加工製程為藉由使用一源氣體與一反應氣體在基板S上沉積薄膜的沉積製程時，第一氣體可為源氣體。

第一噴射單元51可耦合至蓋體3。第一噴射單元51可耦合至蓋體3以設置於支撐部2上。第一噴射單元51可將第一氣體從支撐部2上的一部份以一向下方向噴射至支撐部2。可在蓋體3中提供待耦合至第一噴射單元51的一第二耦合孔（未繪示）。第一噴射單元51可插設於第二耦合孔中，因而可耦合至蓋體3。第二耦合孔可提供成穿過蓋體3。

第二噴射單元52將第一氣體噴射至第一處理區域PA1。第二噴射單元52可耦合至蓋體3。第二噴射單元52可將第一氣體從支撐部2上的一部份以一向下方向噴射至支撐部2。可在蓋體3中提供待耦合至第二噴射單元52的一第三耦合孔（未繪示）。第二噴射單元52可插設於第三耦合孔中，因而可耦合至蓋體3。第三耦合孔可提供成穿過蓋體3。

第二噴射單元52可在相隔於第一噴射單元51的位置耦合至蓋體3。因此，第二噴射單元52與第一噴射單元51可將第一氣體噴射至第一處理區域PA1的不同部份。在此情況下，第一噴射單元51可將第一氣體噴射至第一處理區域PA1中所包含的一第一噴射區域510。第一噴射區域510設置於第一噴射單元51下方。第二噴射單元52可將第一氣體噴射至第一處理區域PA1所包含的一第二噴射區域520。第二噴射區域520設置於第二噴射單元52下方。第二噴射單元52與第一噴射單元51可設置在彼此相隔的位置，因而第二噴射區域520與第一噴射區域510可設置在彼此相隔的位置。在此情況下，第一分隔空間SP1（繪示於圖4）可設置於第二噴射區域520與第一噴射區域510之間。

儘管未繪示，噴射手段5可包含三或更多個用來噴射第一氣體的噴射機構。用來噴射第一氣體的噴射機構可在彼此相隔的多個位置耦合至蓋體3。在此情況下，噴射機構可個別地將第一氣體噴射至在第一處理區域中彼此相隔的這些噴射區域。

噴射手段5更可包含一第三噴射單元53。

第三噴射單元53將一第二氣體噴射至一第二處理區域PA2。第二處理區域PA2對應至由清除氣體噴射單元4所分隔之處理區域中的其中一者。第二氣體對應至用於加工製程之處理氣體中的其中一者。第二氣體與第一氣體可為不同的氣體。當加工製程為藉由使用源氣體與反應氣體在基板S上沉積一薄膜的一沉積製程時，第二氣體可為反應氣體。在此情況下，第一氣體可為源氣體。當第二氣體為源氣體為源氣體時，第一氣體可為反應氣體。

第三噴射單元53可耦合至蓋體3。第三噴射單元53可耦合至蓋體3以設置於支撐部2上。第三噴射單元53可將第二氣體從支撐部2上的一部份以一向下方向噴射至支撐部2。可在蓋體3中提供待耦合至第三噴射單元53的一第四耦合孔（未繪示）。第三噴射單元53可插設於第四耦合孔中，因而可耦合至蓋體3。第四耦合孔可提供成穿過蓋體3。

噴射手段5更可包含一第四噴射單元54。

第四噴射單元54將第二氣體噴射至第二處理區域PA2。第四噴射單元54可耦合至蓋體3。第四噴射單元54可將第二氣體從支撐部2上的一部份以一向下方向噴射至支撐部2。可在蓋體3中提供待耦合至第四噴射單元54的一第五耦合孔（未繪示）。第四噴射單元54可插設於第五耦合孔中，因而可耦合至蓋體3。第五耦合孔可提供成穿過蓋體3。

第四噴射單元54可在相隔於第三噴射單元53的一位置耦合至蓋體3。因此，第四噴射單元54與第三噴射單元53可將第二氣體噴射至第二處理區域PA2的不同部份。在此情況下，第三噴射單元53可將第二氣體噴射至第二處理區域PA2所包含的一第三噴射區域530。第三噴射區域530設置於第三噴射單元53下方。第四噴射單元54可將第二氣體噴射至第二處理區域PA2所包含的一第四噴射區域540。第四噴射區域540設置於第四噴射單元54下方。第四噴射單元54與第三噴射單元53可設置於彼此相隔的多個位置，因而第四噴射區域540與第三噴射區域530可設置於彼此相隔的多個位置。在此情況下，一第二分隔空間SP2（繪示於圖4）可設置於第四噴射區域540與第三噴射區域530之間。

儘管未繪示，噴射手段5可包含三或更多個用來噴射第二氣體的噴射機構。用來噴射第二氣體的噴射機構可在彼此相隔的多個位置耦合至蓋體3。在此情況下，噴射機構可單獨地將第二氣體噴射至在第二處理區域中彼此相隔的多個噴射區域。

參閱圖2至圖6，分隔牆手段6耦合至遮蔽件7。分隔牆手段6可耦合至遮蔽件7以設置於支撐部2上。分隔牆手段6可從遮蔽件7相對於一垂直方向而向下凸出。

分隔牆手段6可包含一第一分隔牆部61。

第一分隔牆部61可耦合至遮蔽件7使得在使用第一氣體之一加工製程所執行於的區域內包含第一噴射區域510、第二噴射區域520以及第一分隔空間SP1。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可獲得以下效果。

首先，可實施第一分隔牆部61以使得藉由第一噴射單元51所噴射的第一氣體以及藉由第二噴射單元52所噴射的第一氣體朝向第一分隔空間SP1擴散。因此，相較於圖6中所繪示之將第一分隔牆部61耦合至第一噴射單元51並且將一第一分隔牆部61’耦合至第二噴射單元52的比較例來說，根據本發明之基板處理設備1可增加位於第一分隔空間SP1內之第一氣體的流量。在比較例中，第一分隔牆部61、61’可避免藉由第一噴射單元51與第二噴射單元52所噴射之第一氣體朝向第一分隔空間SP1擴散，因而位於第一分隔空間SP1內之第一氣體的流量可能會不可避免地低於一實施例。

因此，可實施根據本發明之基板處理設備1，使得使用第一氣體之一加工製程執行在第一分隔空間SP1、第一噴射區域510以及第二噴射區域520中。如此一來，相較於比較例，根據本發明之基板處理設備1可擴大使用第一氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸，因而可增加使用第一氣體之加工製程的處理速率。當加工製程於基板S基於支撐部2的旋轉而公轉的同時被執行時，根據本發明之基板處理設備1可藉由使用第一分隔牆部61來增加藉由第一氣體處理基板S的時間，進而增加使用第一氣體之加工製程的處理速率。

其次，根據本發明之基板處理設備1可避免藉由第一噴射單元51所噴射之第一氣體以及藉由第二噴射單元52所噴射之第一氣體擴散至第一分隔空間SP1的外部。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可增加位於第一分隔空間SP1內之第一氣體的密度與流量。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可更加地增加使用第一氣體之加工製程的處理速率。並且，根據本發明之基板處理設備1可減少非用於加工製程並浪費掉之第一氣體的流量，進而降低操作成本。

再其次，根據本發明之基板處理設備1可避免藉由清除氣體噴射單元4所噴射之清除氣體流進第一分隔牆部61的內部。因此，在執行使用第一氣體之加工製程的過程中，根據本發明之基板處理設備1可減少在基板S內部相對地發生沉積不足與蝕刻不足的程度。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可提高使用第一氣體之加工製程的均勻度。基板S的內部可為朝向中心區域CA所設置的部份。

第一分隔牆部61可耦合至遮蔽件7以圍繞第一噴射區域510、第二噴射區域520以及第一分隔空間SP1。因此，第一分隔牆部61可形成第一噴射區域510、第二噴射區域520與第一分隔空間SP1彼此連通於的空間。第一分隔牆部61可由部份開放的形狀來圍繞第一噴射區域510、第二噴射區域520與第一分隔空間SP1。舉例來說，第一分隔牆部61可由相對於中心區域CA之部份係為開放的形狀來圍繞第一噴射區域510、第二噴射區域520與第一分隔空間SP1。儘管未繪示，第一分隔牆部61可由封閉的形狀來圍繞第一噴射區域510、第二噴射區域520與第一分隔空間SP1。

第一分隔牆部61可耦合至遮蔽件7以從遮蔽件7相對於一垂直方向（Z軸方向）向下凸出。因此，第一分隔牆部61可避免第一氣體擴散至外部，並且可避免清除氣體流入內部。第一分隔牆部61可提供成其所具有的長度在相對於垂直方向（Z軸方向）上短於遮蔽件7相隔於支撐部2的距離。如此一來，第一分隔牆部61可相隔於支撐部2。因此，在根據本發明之基板處理設備1中，第一分隔牆部61與支撐部2可設置成使得彼此之間沒有干涉發生，因而甚至當加工製程於基板S基於支撐部2的旋轉而公轉的同時被執行時，可得以避免第一分隔牆部61與支撐部2之間的碰撞。在此情況下，第一分隔牆部61可耦合至遮蔽件7以設置在與藉由支撐部2所支撐的基板S向上相隔的位置。

第一分隔牆部61可凸出以形成一第一分隔牆區域PWA1（繪示於圖4），第一噴射區域510、第二噴射區域520以及第一分隔空間SP1彼此連通在第一分隔牆區域PWA1中。在此情況下，第一噴射單元51可將第一氣體噴射至第一噴射區域510，使得第一氣體擴散於第一分隔牆區域PWA1中。第二噴射單元52可將第一氣體噴射至第二噴射區域520，使得第一氣體擴散於第一分隔牆區域PWA1中。也就是說，第一分隔牆部61可形成包含有第一噴射區域510、第二噴射區域520以及第一分隔空間SP1的第一分隔牆區域PWA1。如此一來，可實施根據本發明之基板處理設備1，以使得使用第一氣體之加工製程執行於整個第一分隔牆區域PWA1中。

第一分隔牆部61可耦合至遮蔽件7，使得第一分隔牆區域PWA1的尺寸小於第一處理區域PA1的尺寸。因此，相較於第一噴射單元51與第二噴射單元52中的每一個在未設有第一分隔牆部61之態樣下將第一氣體噴射至之第一處理區域PA1中的情況，根據本發明之基板處理設備1可增加第一分隔牆區域PWA1中的第一氣體的密度與流量。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可更加地增加使用第一氣體之加工製程的處理速率。第一分隔牆區域PWA1與第一處理區域PA1中的每一個的尺寸可為相對於一水平方向之區域的尺寸，其中此水平方向係垂直於垂直方向（Z軸方向）。

第一分隔牆部61可設置成相隔於第一噴射單元51與第二噴射單元52中的每一個。因此，根據本發明之基板處理設備1可以第一分隔牆部61相隔於第一噴射單元51與第二噴射單元52中之每一個的距離來增加第一分隔牆區域PWA1的尺寸。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可增加使用第一氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸，進而增加使用第一氣體之加工製程的處理速率。

儘管未繪示，當噴射手段5包含三或更多個用來噴射第一氣體的噴射機構，第一分隔牆部61可耦合至遮蔽件7，使得三或更多個噴射機構位於第一分隔牆區域PWA1中。分隔牆手段6可包含多個第一分隔牆部61。在此情況下，第一分隔牆部61可耦合至遮蔽件7以單獨地實施第一分隔牆區域PWA1。二或更多個用來噴射第一氣體的噴射機構可設置於第一分隔牆區域PWA1中的每一個中。

參閱圖2至圖8，第一分隔牆部61可包含一第一分隔牆元件611。

第一分隔牆元件611設置於中心區域CA與第一分隔牆區域PWA1之間。因此，第一分隔牆元件611可避免藉由第一噴射單元510與第二噴射單元520所噴射之第一氣體從第一分隔牆區域PWA1流至中心區域CA。在此情況下，受第一分隔牆元件611所阻擋之第一氣體的一流動方向可能被改變，使得第一氣體以一向外方向（箭頭方向OD）流動（繪示於圖7），並且第一氣體可用於加工製程。此向外方向（箭頭方向OD）係為從中心區域CA至第一分隔牆元件611的一方向。因此，第一分隔牆元件611可更加地增加位於第一分隔牆區域PWA1內之第一氣體的流量與密度。第一分隔牆元件611可避免藉由清除氣體噴射單元4所噴射之清除氣體從中心區域CA流至第一分隔牆區域PWA1。如此一來，根據本發明之基板處理設備1，在第一分隔牆區域PWA1中執行使用第一氣體之一加工製程的過程中，可減少在基板S內部因清除氣體而相對地發生沉積不足與蝕刻不足的程度。

第一分隔牆元件611可設置成在一向內方向（箭頭方向ID）上相隔於第一噴射單元51與第二噴射單元52中的每一個。因此，第一分隔牆元件611可在此向內方向（箭頭方向ID）上增加第一分隔牆區域PWA1的尺寸，因而可增加使用第一氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸。此向內方向（箭頭方向ID）係為相對於向外方向（箭頭方向OD）的方向。第一分隔牆元件611可設置成在向外方向（箭頭方向OD）上相隔於清除氣體噴射單元4。

如圖7所繪示，第一分隔牆元件611可提供成直線狀。因此，相較於第一分隔牆元件611提供成在向外方向（箭頭方向OD）上呈凸出狀的情況，可實施根據本發明之基板處理設備1以減少介於第一分隔牆元件611與清除氣體噴射單元4之間並且使得清除氣體停留於其中的空間之尺寸。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可減少停留於第一分隔牆元件611與清除氣體噴射單元4之間的清除氣體之流量，因而可減少在基板S內部因清除氣體而相對地發生沉積不足與蝕刻不足的程度。第一分隔牆元件611可提供成平行於清除氣體噴射單元4的直線狀。第一分隔牆元件611可提供成與設置於中心區域CA內之部份的清除氣體噴射單元4平行的直線狀。

如圖8所繪示，第一分隔牆元件611可提供成在向內方向（箭頭方向ID）上凸出。因此，相較於第一分隔牆元件611提供成直線狀的實施例，可實施根據本發明之基板處理設備1以更加地減少介於第一分隔牆元件611與清除氣體噴射單元4之間並且使得清除氣體停留於其中的空間之尺寸。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可更加地減少停留於第一分隔牆元件611與清除氣體噴射單元4之間的清除氣體之流量。此外，根據本發明之基板處理設備1可以第一分隔牆元件611在向內方向（箭頭方向ID）上凸出的距離來更加地增加第一分隔牆區域PWA1在向內方向（箭頭方向ID）上的尺寸。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可更加地增加使用第二氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸。

第一分隔牆元件611可提供成在向內方向（箭頭方向ID）上凸出的彎曲狀。因此，如圖8中的箭頭所示，第一分隔牆元件611可將藉由清除氣體噴射單元4所噴射之清除氣體引導以排出。如此一來，可實施根據本發明之基板處理設備1以順利地排出清除氣體，因而可更加地減少在基板S內部因清除氣體而相對地發生沉積不足與蝕刻不足的程度。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可更加地提高使用第一氣體之加工製程的均勻度。

參閱圖2至圖9，第一分隔牆部61可包含一第二分隔牆元件612。

第二分隔牆元件612耦合至第一分隔牆元件611之一側。第二分隔牆元件612可提供成在向外方向（箭頭方向OD）上從第一分隔牆元件611之一側延伸。因此，第二分隔牆元件612可設置成圍繞第一分隔牆區域PWA1之一側。第一分隔牆區域PWA1之所述一側係可為從第二噴射單元52至第一噴射單元51的一方向。第二分隔牆元件612可設置成平行於第一噴射單元51。當第一噴射單元51設置成以一特定角度傾斜時，第二分隔牆元件612可設置成以如同第一噴射單元51般相同的角度傾斜，因而可設置成平行於第一噴射單元51。儘管未繪示，當三或更多個噴射機構設置成位於第一分隔牆區域PWA1中時，第二分隔牆元件612可設置成平行於一噴射機構，其中此噴射機構設置於朝向第一分隔牆區域PWA1之一側的一最外部。第二分隔牆元件612與第一分隔牆元件611可一體成型地提供。

如圖9所繪示，第二分隔牆元件612可提供成傾斜，使得相隔於第一噴射單元51的距離隨著第二分隔牆元件612從第一分隔牆元件611之一側以向外方向（箭頭方向OD）上之延伸而增加。因此，在根據本發明之基板處理設備1中，可在第二分隔牆元件612與第一分隔牆元件611之間實施一第一擴大區域510a，因而第一分隔牆區域PWA1的尺寸可更加地朝向第一分隔牆區域PWA1之一側增加。因此，在根據本發明之基板處理設備1中，使用第一氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸可藉由使用第二分隔牆元件612的傾斜配置而更加地增加。此外，第二分隔牆元件612可將藉由清除氣體噴射單元4所噴射之清除氣體引導以排出。如此一來，可實施根據本發明之基板處理設備1以藉由使用第二分隔牆元件612的傾斜配置而順利地排出清除氣體，因而可更加地提高使用第一氣體之加工製程的均勻度。

參閱圖2至圖9，第一分隔牆部61可包含一第三分隔牆元件613。

第三分隔牆元件613耦合至第一分隔牆元件611之另一側。第三分隔牆元件613可提供成在向外方向（箭頭方向OD）上從第一分隔牆元件611之另一側延伸。因此，第三分隔牆元件613可設置成圍繞第一分隔牆區域PWA1之另一側。第一分隔牆區域PWA1之另一側係可為從第一噴射單元51至第二噴射單元52的一方向。第三分隔牆元件613可設置成平行於第二噴射單元52。當第二噴射單元52設置成以一特定角度傾斜時，第三分隔牆元件613可設置成如同第二噴射單元52般相同的角度傾斜，因而可設置成平行於第二噴射單元52。儘管未繪示，當三或更多個噴射機構設置成位於第一分隔牆區域PWA1中時，第三分隔牆元件613可設置成平行於一噴射機構，其中此噴射機構設置於朝向第一分隔牆區域PWA1之另一側的一最外部。第三分隔牆元件613與第一分隔牆元件611可一體成型地提供。第三分隔牆元件613、第二分隔牆元件612與第一分隔牆元件611可一體成型地提供。

如圖9所繪示，第三分隔牆元件613可提供成傾斜，使得相隔於第二噴射單元52的距離隨著第三分隔牆元件613從第一分隔牆元件611之另一側以向外方向（箭頭方向OD）上之延伸而增加。因此，在根據本發明之基板處理設備1中，可在第三分隔牆元件613與第一分隔牆元件611之間實施一第二擴大區域520a，因而第一分隔牆區域PWA1的尺寸可更加地朝向第一分隔牆區域PWA1之另一側增加。因此，在根據本發明之基板處理設備1中，使用第一氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸可藉由使用第三分隔牆元件613的傾斜配置而更加地增加。此外，第三分隔牆元件613可將藉由清除氣體噴射單元4所噴射之清除氣體引導以排出。如此一來，可實施根據本發明之基板處理設備1以藉由使用第三分隔牆元件613的傾斜配置而順利地排出清除氣體，因而可更加地提高使用第一氣體之加工製程的均勻度。

參閱圖2至圖9，第一分隔牆部61可提供成使得其相對於第一分隔牆元件611的外部為開放的。第一分隔牆部61的外部設置於向外方向（箭頭方向OD）上。因此，根據本發明之基板處理設備1可透過第一分隔牆部61的外部將第一分隔牆區域PWA1中用於加工製程之後所存留的第一氣體排出。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可避免使用第一氣體之加工製程的均勻度被用於加工製程之後所存留之第一氣體降低。

儘管未繪示，第一分隔牆部61可包含阻擋外部的一第一阻擋元件。第一阻擋元件可耦合至第二分隔牆元件612與第三分隔牆元件613中的每一個以相對於第一分隔牆元件611。在此情況下，可將第一分隔牆部61實施為密封第一分隔牆區域PWA1的類型。

參閱圖2至圖10，遮蔽件7耦合至蓋體3。遮蔽件7可耦合至蓋體3以在相對於垂直方向（Z軸方向）上設置於蓋體3下方。分隔牆手段6可耦合至遮蔽件7。分隔牆手段6可從遮蔽件7相對於垂直方向（Z軸方向）向下凸出。分隔牆手段6與蓋體3可一體成型地提供。

遮蔽件7可為可分離地耦合至蓋體3。在此情況下，當遮蔽件7從蓋體3分離時，分隔牆手段6可連同遮蔽件7一起從蓋體3分離。因此，可實施根據本發明之基板處理設備1，使得在分隔牆手段6需要從蓋體3分離的情況下，像是需要針對分隔牆手段6進行諸如維修或替換等維護的情況，或是需要基於處理條件的變化而改變分隔牆手段6的長度的情況，分隔牆手段6藉由將遮蔽件7從蓋體3分離而從蓋體3輕易地分離出來。此外，根據本發明之基板處理設備1可將遮蔽件7耦合至蓋體3，因而可將分隔牆手段6輕易地耦合至蓋體3。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可增加將分隔牆手段6附接至/分離於蓋體3的操作易度，並且還可減少將分隔牆手段6附接至/分離於蓋體3的操作所花費的時間。

遮蔽件7可為藉由使用諸如螺栓等緊固手段而可分離地耦合至蓋體3。遮蔽件7可為藉由使用具有附接力之附接手段而可分離地耦合至蓋體3。遮蔽件7可藉由使用配合件的方式而可分離地耦合至蓋體3。

遮蔽件7可由絕緣材料所形成。因此，在基板S上執行沉積製程的情況下，根據本發明之基板處理設備可避免薄膜不必要地沉積於遮蔽件7上，並且還可藉由使用遮蔽件7避免薄膜不必要地沉積於蓋體3上。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可避免因遮蔽件7與蓋體3上所沉積之薄膜而導致已完成沉積製程之基板S的品質下降，並且還可增加遮蔽件7與蓋體3中的每一個中乾淨的部份(cleaning period)。舉例來說，遮蔽件7可由陶瓷所形成。分隔牆手段6可由如同遮蔽件7般相同的材料所形成。

遮蔽件7可耦合至蓋體3以在相對於垂直方向（Z軸方向）上遮蓋蓋體3的整個下表面。在此情況下，可在遮蔽件7中形成供噴射手段5所噴射之處理氣體通過的多個通孔71、71’（繪示於圖10）。

如上所述，可實施根據本發明之基板處理設備1以使得分隔牆手段6提供於其中以圍繞二或更多個噴射第一氣體的噴射機構並且不圍繞噴射第二氣體的噴射機構。在此情況下，第一氣體可為源氣體，並且第二氣體可為反應氣體。第一氣體可為反應氣體，並且第二氣體可為源氣體。

參閱圖2至圖12，在根據本發明之一修改實施例的基板處理設備1中，分隔牆手段6可包含一第二分隔牆部62（繪示於圖11）。

第二分隔牆部62可耦合至遮蔽件7，使得在使用第二氣體之一加工製程所執行於的一區域中包含第三噴射區域530、第四噴射區域540以及第二分隔空間SP2。如此一來，藉由使用第二分隔牆部62，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可增加使用第二氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸，進而增加使用第二氣體之加工製程的處理速率。因此，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可增加位於第二分隔牆部62中之第二氣體的密度與流量，因而可更加地增加使用第二氣體之加工製程的處理速率且可減少非用於加工製程並浪費掉之第二氣體的流量，進而降低操作成本。此外，藉由使用第二分隔牆部62，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1，在執行使用第二氣體之加工製程的過程中，可減少在基板S內部因清除氣體而相對地發生沉積不足與蝕刻不足的程度，因而可提高使用第二氣體之加工製程的均勻度。

第二分隔牆部62可耦合至遮蔽件7以圍繞第三噴射區域530、第四噴射區域540與第二分隔空間SP2。因此，第二分隔牆部62可形成第三噴射區域530、第四噴射區域540與第二分隔空間SP2彼此連通於的空間。第二分隔牆部62可由部份開放的形狀來圍繞第三噴射區域530、第四噴射區域540與第二分隔空間SP2。舉例來說，第二分隔牆部62可由相對於中心區域CA之部份係為開放的形狀來圍繞第三噴射區域530、第四噴射區域540與第二分隔空間SP2。儘管未繪示，第二分隔牆部62可由封閉的形狀來圍繞第三噴射區域530、第四噴射區域540與第二分隔空間SP2。

第二分隔牆部62可耦合至遮蔽件7以從遮蔽件7相對於垂直方向（Z軸方向）向下凸出。因此，第二分隔牆部62可避免第二氣體擴散至外部，並且還可避免清除氣體流入內部。第二分隔牆部62可提供成其所具有的長度在相對於垂直方向（Z軸方向）上短於遮蔽件7相隔於支撐部2的距離。如此一來，第二分隔牆部62可相隔於支撐部2。因此，在根據本發明之修改實施例的基板處理設備1中，第二分隔牆部62與支撐部2可設置成使得彼此之間沒有干涉發生，因而甚至當加工製程在基板S基於支撐部2的旋轉而公轉的同時被執行時，可得以避免第二分隔牆部62與支撐部2之間的碰撞。在此情況下，第二分隔牆部62可耦合至遮蔽件7以設置在與藉由支撐部2所支撐的基板S向上相隔的位置。

第二分隔牆部62可凸出以形成一第二分隔牆區域PWA2（繪示於圖11），第三噴射區域530、第四噴射區域540以及第二分隔空間SP2彼此連通在第二分隔牆區域PWA2中。在此情況下，第三噴射單元53可將第二氣體噴射至第三噴射區域530，使得第二氣體擴散於第二分隔牆區域PWA2中。第四噴射單元54可將第二氣體噴射至第四噴射區域540，使得第二氣體擴散於第二分隔牆區域PWA2中。也就是說，第二分隔牆部62可形成包含有第三噴射區域530、第四噴射區域540以及第二分隔空間SP2的第二分隔牆區域PWA2。如此一來，可實施根據本發明之修改實施例的基板處理設備1，以使得使用第二氣體之一加工製程執行於整個第二分隔牆區域PWA2中。

第二分隔牆部62可耦合至遮蔽件7，使得第二分隔牆區域PWA2的尺寸小於第二處理區域PA2（繪示於圖4）的尺寸。因此，相較於第三噴射單元53與第四噴射單元54中的每一個在未設有第二分隔牆部62的態樣下將第二氣體噴射至第二處理區域PA2中的情況，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可增加第二分隔牆區域PWA2中的第二氣體的密度與流量。如此一來，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可更加地增加使用第二氣體之加工製程的處理速率。第二分隔牆區域PWA2與第二處理區域PA2中的每一個的尺寸可為相對於水平方向之區域的尺寸，其中此水平方向係垂直於垂直方向（Z軸方向）。

第二分隔牆部62可設置成相隔於第三噴射單元53與第四噴射單元54中的每一個。因此，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可以第二分隔牆部62相隔於第三噴射單元53與第四噴射單元54中之每一個的距離來增加第二分隔牆區域PWA2的尺寸。如此一來，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可增加使用第二氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸，進而增加使用第二氣體之加工製程的處理速率。

儘管未繪示，當噴射手段5包含三或更多個用來噴射第二氣體的噴射機構，第二分隔牆部62可耦合至遮蔽件7，使得三或更多個噴射機構位於第二分隔牆區域PWA2中。分隔牆手段6可包含多個第二分隔牆部62。在此情況下，第二分隔牆部62可耦合至遮蔽件7以單獨地實施第二分隔牆區域PWA2。二或更多個用來噴射第二氣體的噴射機構可設置於第二分隔牆區域PWA2中的每一個中。

參閱圖2至圖13，第二分隔牆部62可包含一第四分隔牆元件621。

第四分隔牆元件621設置於中心區域CA與第二分隔牆區域PWA2之間。因此，第四分隔牆元件621可避免藉由第三噴射單元530與第四噴射單元540所噴射之第一氣體從第二分隔牆區域PWA2流至中心區域CA。在此情況下，受第四分隔牆元件621所阻擋之第二氣體的一流動方向可能被改變，使得第二氣體以向外方向（箭頭方向OD）流動（繪示於圖11），並且第二氣體可用於加工製程。此向外方向（箭頭方向OD）係為從中心區域CA至第四分隔牆元件621的一方向。因此，第四分隔牆元件621可更加地增加位於第二分隔牆區域PWA2內之第二氣體的流量與密度。第四分隔牆元件621可避免藉由清除氣體噴射單元4所噴射之清除氣體從中心區域CA流至第二分隔牆區域PWA2。如此一來，在第二分隔牆區域PWA2中執行使用第二氣體之一加工製程的過程中，可減少在基板S內部因清除氣體而相對地發生沉積不足與蝕刻不足的程度。

第四分隔牆元件621可設置成在向內方向（箭頭方向ID）上相隔於第三噴射單元53與第四噴射單元54中的每一個。在此情況下，此向內方向（箭頭方向ID）係為從第四分隔牆元件621至中心區域CA的一方向。因此，第四分隔牆元件621可在此向內方向（箭頭方向ID）上增加第二分隔牆區域PWA2的尺寸，因而可增加使用第二氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸。第四分隔牆元件621可設置成在向外方向（箭頭方向OD）上相隔於清除氣體噴射單元4。

如圖11所繪示，第四分隔牆元件621可提供成直線狀。因此，相較於第四分隔牆元件621提供成在向外方向（箭頭方向OD）上呈凸出狀的情況，可實施根據本發明之修改實施例的基板處理設備1以減少介於第四分隔牆元件621與清除氣體噴射單元4之間並且使得清除氣體停留於其中的空間之尺寸。如此一來，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可減少停留於第四分隔牆元件621與清除氣體噴射單元4之間的清除氣體之流量，因而可減少在基板S內部因清除氣體而相對地發生沉積不足與蝕刻不足的程度。第四分隔牆元件621可提供成平行於清除氣體噴射單元4的直線狀。第四分隔牆元件621可提供成與設置於中心區域CA內之部份的清除氣體噴射單元4平行的直線狀。

如圖13所繪示，第四分隔牆元件621可提供成在向內方向（箭頭方向ID）上凸出。因此，相較於第四分隔牆元件621提供成直線狀的實施例，可實施根據本發明之修改實施例的基板處理設備1以更加地減少介於第四分隔牆元件621與清除氣體噴射單元4之間並且使得清除氣體停留於其中的空間之尺寸。如此一來，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可更加地減少停留於第四分隔牆元件621與清除氣體噴射單元4之間的清除氣體之流量。此外，根據本發明之基板處理設備1可以第四分隔牆元件621在向內方向（箭頭方向ID）上凸出的距離來更加地增加第二分隔牆區域PWA2在向內方向（箭頭方向ID）上的尺寸。如此一來，根據本發明之基板處理設備1可更加地增加使用第二氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸。

第四分隔牆元件621可提供成在向內方向（箭頭方向ID）上凸出的彎曲狀。因此，如圖13中的箭頭所示，第四分隔牆元件621可將藉由清除氣體噴射單元4所噴射之清除氣體引導以排出。如此一來，可實施根據本發明之修改實施例的基板處理設備1以順利地排出清除氣體，因而可更加地減少在基板S內部因清除氣體而相對地發生沉積不足與蝕刻不足的程度。如此一來，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可更加地提高使用第二氣體之加工製程的均勻度。

參閱圖2至圖14，第二分隔牆部62可包含一第五分隔牆元件622。

第五分隔牆元件622耦合至第四分隔牆元件621之一側。第五分隔牆元件622可提供成在向外方向（箭頭方向OD）上從第四分隔牆元件621之一側延伸。因此，第五分隔牆元件622可設置成圍繞第二分隔牆區域PWA2之一側。第二分隔牆區域PWA2之一側係可為從第四噴射單元54至第三噴射單元53的一方向。第五分隔牆元件622可設置成平行於第三噴射單元53。當第三噴射單元53設置成以一特定角度傾斜時，第五分隔牆元件622可設置成以如同第三噴射單元53般相同的角度傾斜，因而可設置成平行於第三噴射單元53。儘管未繪示，當三或更多個噴射機構設置成位於第二分隔牆區域PWA2中時，第五分隔牆元件622可設置成平行於一噴射機構，其中此噴射機構設置於朝向第二分隔牆區域PWA2之一側的一最外部。第五分隔牆元件622與第四分隔牆元件621可一體成型地提供。

如圖14所繪示，第五分隔牆元件622可提供成傾斜，使得相隔於第三噴射單元53的距離隨著第五分隔牆元件622從第四分隔牆元件621之一側以向外方向（箭頭方向OD）上之延伸而增加。因此，在根據本發明之修改實施例的基板處理設備1中，可在第五分隔牆元件622與第四分隔牆元件621之間實施一第三擴大區域530a，因而第二分隔牆區域PWA2的尺寸可更加地朝向第二分隔牆區域PWA2之一側增加。因此，在根據本發明之修改實施例的基板處理設備1中，使用第二氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸可藉由使用第五分隔牆元件622的傾斜配置而更加地增加。此外，第五分隔牆元件622可將藉由清除氣體噴射單元4所噴射之清除氣體引導以排出。如此一來，可實施根據本發明之修改實施例的基板處理設備1以藉由使用第五分隔牆元件622的傾斜配置而順利地排出清除氣體，因而可更加地提高使用第二氣體之加工製程的均勻度。

參閱圖2至圖14，第二分隔牆部62可包含一第六分隔牆元件623。

第六分隔牆元件623耦合至第四分隔牆元件621之另一側。第六分隔牆元件623可提供成在向外方向（箭頭方向OD）上從第四分隔牆元件621之另一側延伸。因此，第六分隔牆元件623可設置成圍繞第二分隔牆區域PWA2之另一側。第二分隔牆區域PWA2之另一側係可為從第三噴射單元53至第四噴射單元54的一方向。第六分隔牆元件623可設置成平行於第四噴射單元54。當第四噴射單元54設置成以一特定角度傾斜時，第六分隔牆元件623可設置成如同第四噴射單元54般相同的角度傾斜，因而可設置成平行於第四噴射單元54。儘管未繪示，當三或更多個噴射機構設置成位於第二分隔牆區域PWA2中時，第六分隔牆元件623可設置成平行於一噴射機構，其中此噴射機構設置於朝向第二分隔牆區域PWA2之另一側的一最外部。第六分隔牆元件623與第四分隔牆元件621可一體成型地提供。第六分隔牆元件623、第五分隔牆元件622與第四分隔牆元件621可一體成型地提供。

如圖14所繪示，第六分隔牆元件623可提供成傾斜，使得相隔於第四噴射單元54的距離隨著第六分隔牆元件623從第四分隔牆元件621之另一側以向外方向（箭頭方向OD）上之延伸而增加。因此，在根據本發明之修改實施例的基板處理設備1中，可在第六分隔牆元件623與第四分隔牆元件621之間實施一第四擴大區域540a，因而第二分隔牆區域PWA2的尺寸可更加地朝向第二分隔牆區域PWA2之另一側增加。因此，在根據本發明之修改實施例的基板處理設備1中，使用第二氣體之加工製程所執行於之空間的尺寸可藉由使用第六分隔牆元件623的傾斜配置而更加地增加。此外，第六分隔牆元件623可將藉由清除氣體噴射單元4所噴射之清除氣體引導以排出。如此一來，可實施根據本發明之修改實施例的基板處理設備1以藉由使用第六分隔牆元件623的傾斜配置而順利地排出清除氣體，因而可更加地提高使用第二氣體之加工製程的均勻度。

參閱圖2至圖14，第二分隔牆部62可提供成使得其相對於第四分隔牆元件621的外部為開放的。第二分隔牆部62的外部設置於向外方向（箭頭方向OD）上。因此，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可透過第二分隔牆部62的外部將第二分隔牆區域PWA2中用於加工製程之後所存留的第二氣體排出。如此一來，根據本發明之修改實施例的基板處理設備1可避免使用第二氣體之加工製程的均勻度被用於加工製程之後所存留之第二氣體降低。

儘管未繪示，第二分隔牆部62可包含阻擋外部的一第二阻擋元件。第二阻擋元件可耦合至第五分隔牆元件622與第六分隔牆元件623中的每一個以相對於第四分隔牆元件621。在此情況下，可將第二分隔牆部62實施為密封第二分隔牆區域PWA2的類型。

如上所述，可實施根據本發明之修改實施例的基板處理設備1，以使得第一分隔牆部61提供成圍繞二或更多個噴射第一氣體的噴射機構並且第二分隔牆部62提供於其中以圍繞噴射第二氣體的噴射機構。

上述本發明並非限於前述之實施例與附圖，並且本領域技術人員將清楚地理解可在不脫離本發明之範圍與精神的情況下進行各種修正、變形和替換。

1:基板處理設備 1a:腔體 2:支撐部 2a:旋轉軸 3:蓋體 4:清除氣體噴射單元 5:噴射手段 51:第一噴射單元 52:第二噴射單元 53:第三噴射單元 54:第四噴射單元 510:第一噴射區域 510a:第一擴大區域 520:第二噴射區域 520a:第二擴大區域 530:第三噴射區域 530a:第三擴大區域 540:第四噴射區域 540a:第四擴大區域 6:分隔牆手段 61、61’:第一分隔牆部 611:第一分隔牆元件 612:第二分隔牆元件 613:第三分隔牆元件 621:第四分隔牆元件 622:第五分隔牆元件 623:第六分隔牆元件 7:遮蔽件 71、71’:通孔 10:基板處理設備 11:支撐部 12:噴射單元 13:清除單元 20:基板 CA:中心區域 DA:分區 DA1:第一分區 DA2:第二分區 ID、OD、R1:箭頭方向 PA:處理區域 PA1:第一處理區域（處理區域） PA2:第二處理區域（處理區域） PWA1:第一分隔牆區域 PWA2:第二分隔牆區域 S:基板 SP1:第一分隔空間 SP2:第二分隔空間 Z:軸

圖1為相關技術之基板處理設備的示意性側視剖面圖。 圖2為根據本發明之一基板處理設備的示意性分解立體圖。 圖3為根據本發明之一基板處理設備的概念平面圖。 圖4為根據本發明之一基板處理設備中一噴射單元、一清除氣體噴射單元以及一分隔牆手段的概念平面圖。 圖5為根據本發明之一基板處理設備中沿著圖4的I-I線所截取的示意性側視剖面圖。 圖6為描繪出比較例的概念平面圖，在比較例中分隔牆機構分別耦合至噴射機構。 圖7為用來描繪根據本發明之一基板處理設備中一第一分隔牆部的概念平面圖。 圖8與圖9為用來描繪根據本發明之一基板處理設備中一第一分隔牆部之修改實施例的概念平面圖。 圖10為描繪根據本發明之一基板處理設備中具有一分隔牆手段且耦合於其上的一遮蔽件相對於圖4的I-I線附接至或分離自一蓋體的示意性側視剖面圖。 圖11為描繪根據本發明之一修改實施例之一基板處理設備中一第二分隔牆部的概念平面圖。 圖12為根據本發明之一修改實施例之基板處理設備中沿著圖11的II-II線所截取的示意性側視剖面圖。 圖13與圖14為用來描繪根據本發明之一修改實施例之基板處理設備中一第二分隔牆部的概念平面圖。

1:基板處理設備

4:清除氣體噴射單元

51:第一噴射單元

52:第二噴射單元

53:第三噴射單元

54:第四噴射單元

510:第一噴射區域

520:第二噴射區域

6:分隔牆手段

61:第一分隔牆部

CA:中心區域

DA:分區

DA1:第一分區

DA2:第二分區

PA:處理區域

PA1:第一處理區域(處理區域)

PA2:第二處理區域(處理區域)

PWA1:第一分隔牆區域

SP1:第一分隔空間

SP2:第二分隔空間

Claims (18)

1. 一種基板處理設備，包含：一腔體，在該腔體中於一基板上執行有一加工製程；一支撐部，耦合至該腔體以支撐該基板；一蓋體，設置於該支撐部上方並且耦合至該腔體；一清除氣體噴射單元，耦合至該蓋體以將一清除氣體噴射至該蓋體與該支撐部之間的一處理空間，而用來將該處理空間分隔成多個處理區域；一遮蔽件，設置於該蓋體與該支撐部之間並且耦合至該蓋體；一第一噴射單元，將一第一氣體噴射至該些處理區域中的一第一處理區域；一第二噴射單元，在與該第一噴射單元相隔的一位置將該第一氣體噴射至該第一處理區域；以及一第一分隔牆部，耦合至該遮蔽件，使得在使用該第一氣體之一加工製程所執行於的一區域中包含一第一噴射區域、一第二噴射區域以及一第一分隔空間，其中該第一噴射區域設置於該第一噴射單元下方，該第二噴射區域設置於該第二噴射單元下方，並且該第一分隔空間介於該第一噴射區域與該第二噴射區域之間，其中， 該第一分隔牆部凸出以形成一第一分隔牆區域，該第一噴射區域、該第二噴射區域與該第一分隔空間彼此連通在該第一分隔牆區域中，該第一噴射區域與該第二噴射區域設置於彼此相隔的位置，並且該第一分隔空間設置於該第二噴射區域與該第一噴射區域之間。
2. 如申請專利範圍請求項1所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆部的一長度短於該遮蔽件相隔於該支撐部的一距離。
3. 如申請專利範圍請求項1所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆部耦合至該遮蔽件使得該第一分隔牆區域的一尺寸小於該第一處理區域的一尺寸。
4. 如申請專利範圍請求項1所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆部設置成相隔於該第一噴射單元與該第二噴射單元中的每一個。
5. 如申請專利範圍請求項1所述之基板處理設備，其中該支撐部支撐多個基板，並且該第一分隔牆部包含一第一分隔牆元件，該第一分隔牆元件設置於該第一分隔牆區域與一中心區域之間，該中心區域從該支撐部所支撐的該些基板向內設置。
6. 如申請專利範圍請求項5所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆元件設置成在從該第一分隔牆區域到該中心區域的一向內方向上相隔於該第一噴射單元與該第二噴射單元中的每一個。
7. 如申請專利範圍請求項5所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆元件呈直線狀設置。
8. 如申請專利範圍請求項5所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆元件設置成從該第一分隔牆區域到該中心區域的一向內方向上凸出。
9. 如申請專利範圍請求項8所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆元件在該向內方向上呈凸出的彎曲狀設置。
10. 如申請專利範圍請求項5所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆部包含一第二分隔牆元件，該第二分隔牆元件耦合至該第一分隔牆元件之一側，並且該第二分隔牆元件傾斜地設置，使得相隔於該第一噴射單元的一距離隨著該第二分隔牆元件從該第一分隔牆元件之一側朝向該中心區域中之該第一分隔牆元件的一向外方向上之延伸而增加。
11. 如申請專利範圍請求項10所述之基板處理設備，其中 該第一分隔牆部包含一第三分隔牆元件，該第三分隔牆元件耦合至該第一分隔牆元件之另一側，並且該第三分隔牆元件傾斜地設置，使得相隔於該第二噴射單元的一距離隨著該第三分隔牆元件從該第一分隔牆元件之該另一側於該向外方向上之延伸而增加。
12. 如申請專利範圍請求項5所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆部設置成使得在其之中相對於該第一分隔牆元件的一外部為開放的。
13. 如申請專利範圍請求項1所述之基板處理設備，其中該遮蔽件可分離地耦合至該蓋體，並且當該遮蔽件從該蓋體分離時，該第一分隔牆部連同該遮蔽件一起從該蓋體分離。
14. 如申請專利範圍請求項1所述之基板處理設備，其中該遮蔽件與該第一分隔牆部一體成型地設置。
15. 如申請專利範圍請求項1所述之基板處理設備，更包含：一第三噴射單元，將一第二氣體噴射至該些處理區域中的一第二處理區域；一第四噴射單元，在與該第三噴射單元相隔的一位置將該第二氣體噴射至該第二處理區域；以及 一第二分隔牆部，耦合至該遮蔽件，使得在使用該第二氣體之一加工製程所執行於的一區域中包含一第三噴射區域、一第四噴射區域以及一第二分隔空間，其中該第三噴射區域設置於該第三噴射單元下方，該第四噴射區域設置於該第四噴射單元下方，並且該第二分隔空間介於該第三噴射區域與該第四噴射區域之間。
16. 如申請專利範圍請求項15所述之基板處理設備，其中該第二分隔牆部凸出以形成一第二分隔牆區域，該第三噴射區域、該第四噴射區域與該第二分隔空間彼此連通在該第二分隔牆區域中，並且該第二分隔牆部耦合至該遮蔽件使得該第二分隔牆區域的一尺寸小於該第二處理區域的一尺寸。
17. 如申請專利範圍請求項15所述之基板處理設備，其中該第二分隔牆部設置成相隔於該第三噴射單元與該第四噴射單元中的每一個。
18. 如申請專利範圍請求項1所述之基板處理設備，其中該第一分隔牆部耦合至該遮蔽件以圍繞該第一噴射區域、該第二噴射區域以及該第一分隔空間。

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