TWI839075B - 研磨墊修整裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種研磨墊修整裝置,其包括:一基板;以及複數第一清潔單元以及複數第二清潔單元,其設置於該基板上方;其中,各該第一清潔單元包含平行排列之複數第一刷毛,且該複數第一刷毛係垂直該上表面設置或與該上表面之間呈一第一夾角;其中,各該第二清潔單元包含平行排列之複數第二刷毛,而該複數第二刷毛係垂直該上表面設置或與該上表面之間呈一第二夾角。本發明之研磨墊修整裝置能夠清理不同硬度之拋光墊,且能有效清除拋光墊孔隙中的殘留碎屑,以達到更優異的清潔能力。
Description
本發明係關於一種修整裝置,特別係一種研磨墊修整裝置;然本發明並不以此為限。
半導體晶圓於研磨或拋光的過程中,為了使晶圓表面平坦,一般使用化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)的方法對晶圓進行加工,然而,化學機械研磨製程中會產生研磨碎屑,所使用之研磨漿料也會堆積在研磨墊的孔洞中,長久下來不僅會使研磨墊產生耗損,也會使研磨效果降低。因此,須利用研磨墊修整器對研磨墊進行修整,以延長研磨墊之壽命。
先前技術如美國發明專利公告第US7815495B2號,其揭示一種CMP拋光墊修整器,該拋光墊修整器包含一具有第一硬度的塑膠磨料及一小於第一硬度的第二硬度之刷子,其中,該塑膠磨料包含一基板及形成在基板表面上的多個塑膠結節,每一塑膠結節具有一平坦表面,該平坦表面用於接觸拋光墊;該刷子與該塑膠磨料相鄰設置,其具有多個接觸研磨墊之刷子元件。前案利用具有兩種硬度的設計,將該塑膠磨料用於維持拋光墊的移除率,而該刷子用於清除拋光墊凹槽中累積的漿料副產物,可避免拋光墊受到破壞,特別是軟的拋光墊,且亦能清除鑽石研磨顆粒所無法清除之拋光墊凹槽中累積的漿料副產物。
台灣發明專利公告第TW202212058A號則揭示一種拋光墊修整器,該拋光墊修整器包括驅動裝置、安裝基板、鑽石修整頭、毛刷、彈性連接件及控制器,該案將毛刷設置在彈性連接件之表面,並將驅動裝置與控制器及安裝基板連接,利用控制器向安裝基板施加壓力,以使彈性連接件造成伸縮,進而改變毛刷相對於該鑽石修整頭的高度,以達到不同的修整目的。
雖然在先前技術中已經有如上前案揭示用以清潔拋光墊之修整器,然而,該些前案僅在縱向對拋光墊表面進行刷拭清潔,但在拋光墊的孔洞或溝槽中仍極容易殘留拋光墊碎屑。另,上開美國發明專利公告第US7815495B2號雖揭示了可利用兩種硬度的磨料與刷子交錯使用,以達到清潔拋光墊凹槽的效果而不傷害拋光墊,但其仍需利用兩種不同清潔工具交替使用始能達到所期望之效果。
有鑑於此,本發明透過調整刷毛的設置角度、刷毛的排列密度、清潔單元的排列方式以及刷毛高度的變化,而使研磨墊修整裝置能夠清理不同硬度之拋光墊進行清理,且能有效清除拋光墊溝槽死角處的殘留物,進而具有更優異的清潔能力。
本發明一方面提供一種研磨墊修整裝置,包括:一基板,具有一上表面;以及複數第一清潔單元以及複數第二清潔單元,其設置於該基板上方;其中,各該第一清潔單元包含平行排列之複數第一刷毛,且該複數第一刷毛係垂直該上表面設置或與該上表面之間呈一第一夾角;其中,各該第二清潔單元包含平行排列之複數第二刷毛,而該複數第二刷毛係垂直該上表面設置或與該上表面之間呈一第二夾角。
根據本發明之一實施例,該第一夾角及該第二夾角皆小於90度。
根據本發明之一實施例,該第一夾角及該第二夾角皆為45至75度。
根據本發明之一實施例,該複數第一刷毛係垂直該上表面設置,而該複數第二刷毛係與該上表面之間呈該第二夾角,且該第二夾角小於90度。
根據本發明之一實施例,該複數第一清潔單元以及該複數第二清潔單元係交錯排列設置。
根據本發明之一實施例,該複數第一清潔單元以相鄰兩個為一第一清潔組,而該複數第二清潔單元以相鄰兩個為一第二清潔組,且該第一清潔組以及該第二清潔組係交錯排列設置。
根據本發明之一實施例,該複數第一清潔單元包括複數高密度第一清潔單元以及複數低密度第一清潔單元,且各該高密度第一清潔單元相對於各該低密度第一清潔單元具有較高的刷毛排列密度。
根據本發明之一實施例,該複數高密度第一清潔單元以及該複數低密度第一清潔單元係交錯排列設置。
根據本發明之一實施例,該複數第二清潔單元包括複數高密度第二清潔單元以及複數低密度第二清潔單元,且各該高密度第二清潔單元相對於各該低密度第二清潔單元具有較高的刷毛排列密度。
根據本發明之一實施例,該複數高密度第二清潔單元以及該複數低密度第二清潔單元係交錯排列設置。
根據本發明之一實施例,該基板之材質係選自由金屬、陶瓷及高分子樹脂所組成之群組。
根據本發明之一實施例,該複數第一刷毛之材質為聚丙烯、耐龍或聚偏二氟乙烯 ,而該複數第二刷毛之材質為聚丙烯、耐龍或聚偏二氟乙烯。
根據本發明之一實施例,該複數第一刷毛具有一第一硬度,而該複數第二刷毛具有一第二硬度。
根據本發明之一實施例,該第一硬度大於該第二硬度。
根據本發明之一實施例,該複數第一刷毛具有相同高度、不同高度或其組合,而該複數第二刷毛亦具有相同高度、不同高度或其組合。
根據本發明之一實施例,該複數第一刷毛具有相同高度,而該複數第二刷毛具有不同高度,且該複數第二刷毛之頂端形成一工作面,而該工作面為一曲面或一斜面。
本發明所提供的研磨墊修整裝置其優勢在於:本發明透過調整刷毛的設置角度、刷毛的排列密度、清潔單元的排列方式以及刷毛高度的變化等面向,而使研磨墊修整裝置能夠清理不同硬度之拋光墊進行清理,且能有效清除拋光墊溝槽死角處的殘留物,進而具有更優異的清潔能力。此外,本發明之結構簡單,無須額外添加其他裝置便可具有較佳的清潔能力。
根據慣常的作業方式,圖中各種特徵與元件並未依實際比例繪製,其繪製方式是為了以最佳的方式呈現與本發明相關的具體特徵與元件。此外,在不同圖式間,以相同或相似的元件符號指稱相似的元件及部件。
以下實施方式不應視為過度地限制本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者可在不背離本發明之精神或範疇的情況下對本文所討論之實施例進行修改及變化,而仍屬於本發明之範圍。
於本文中,除非上下文另有載明,則術語「包含」、「包括」、「具有」或「含有」係包含性或開放性,並不排除其他未闡述之元素或方法步驟;術語「一」及「該」可解釋為單數亦可解釋為複數;術語「一個或多個」意旨「至少一個」,因此可以包括單個特徵或混合物/組合。此外,在本說明書及後附之申請專利範圍中,除非另外載明,否則「設置於某物之上」可視為直接或間接以貼附或其他形式與某物之表面接觸,該表面之界定應視說明書內容之前後/段落語意以及本說明所屬領域之通常知識予以判斷。
如本文所用,所謂「交錯排列」係指具備不同特性之複數單位的交叉組合排列,而其交叉組合排列可以係不同的單位彼此相鄰設置,亦可係數量超過一個的相同單位為一組,再以組別為單位彼此相鄰設置;所述一組內的相同單位數量可為2、3、4或5,然本案並不以此為限。以本發明而言,所述單位可為清潔單元,而所述特性可為清潔單元中的刷毛設置角度、刷毛排列密度、刷毛高度遞減方向等。
圖1的(A)及(B)係呈現本發明一組實施態樣之研磨墊修整裝置的部分結構,請先參閱圖1的(A)。本發明提供一種研磨墊修整裝置100A,包括:一基板110,其具有一上表面;以及複數第一清潔單元121以及複數第二清潔單元122,其設置於該基板110上方;其中,各該第一清潔單元121包含平行排列之複數第一刷毛131,且該複數第一刷毛131與該上表面之間呈一第一夾角α;根據本實施例,該複數第一刷毛131係垂直於該上表面設置(亦即該第一夾角α為90度)。另,各該第二清潔單元122包含平行排列之複數第二刷毛132,而該複數第二刷毛132與該上表面之間呈一第二夾角β。
所述之第一夾角α及第二夾角β係為等於或小於90度,例如但不限於:10度、15度、20度、25度、30度、35度、40度、45度、50度、55度、60度、65度、70度、75度、80度、85度或90度。於一較佳實施態樣中,該第一夾角α及該第二夾角β皆小於90度,例如但不限於:10度、15度、20度、25度、30度、35度、40度、45度、50度、55度、60度、65度、70度、75度、80度或85度;或者,該第一夾角α為90度而該第二夾角β小於90度。於另一較佳實施態樣中,該第一夾角α及該第二夾角β皆為45至75度,例如但不限於:45度、47度、49度、50度、52度、55度、58度、60度、62度、65度、68度、70度、71度、72度、73度、74度或75度;或者,該第一夾角α為90度而該第二夾角β為45至75度。
具體而言,該複數第一清潔單元121以及該複數第二清潔單元122係交錯排列設置。根據本發明之一實施例,該複數第一清潔單元121以及該複數第二清潔單元122在該基板110上可呈環形排列或直線排列,但本發明不以此為限。
具體而言,該基板110係用於承載複數第一清潔單元121以及複數第二清潔單元122的元件,該複數第一刷毛131以及複數第二刷毛132之可貼附於該基板110上設置,或者,較佳地係從該基板110之中向上延伸而出;更佳地,該基板110上包含複數個凹槽,以容置該複數第一刷毛131以及複數第二刷毛132。根據本發明之一實施例,該基板110之形狀較佳地係為一圓盤狀,且該基板110之材質包含但不限於自由金屬、陶瓷及高分子樹脂所組成之群組。
接續請參閱圖1的(B)。於此,該研磨墊修整裝置100B包括複數高密度第一清潔單元121a以及複數低密度第一清潔單元121b,且各該高密度第一清潔單元121a相對於各該低密度第一清潔單元121b具有較高的刷毛排列密度,其中該複數高密度第一清潔單元121a以及該複數低密度第一清潔單元121b係交錯排列設置。另,該研磨墊修整裝置100更包括複數高密度第二清潔單元122a以及複數低密度第二清潔單元122b,且各該高密度第二清潔單元122a相對於各該低密度第二清潔單元122b具有較高的刷毛排列密度,其中該複數高密度第二清潔單元122a以及該複數低密度第二清潔單元122b係交錯排列設置。
具體而言,該複數高密度第一清潔單元121a、該複數低密度第一清潔單元121b、該複數高密度第二清潔單元122a以及該複數低密度第二清潔單元122b係呈交錯排列設置。根據本發明較佳之實施例,該高密度第二清潔單元122a、該低密度第一清潔單元121b、該低密度第二清潔單元122b及該高密度第一清潔單元121a係依序排列設置。
如本文所用,用語「刷毛排列密度」係指每平方單位之面積當中所含之刷毛數量;換言之,所述高度密清潔單元即係相較於低密度清潔單元在每平方單位面積中具有更多刷毛。
圖2的(A)及(B)係呈現本發明另一組實施態樣之研磨墊修整裝置的部分結構。請一併參閱圖2的(A)及(B),於此,該研磨墊修整裝置100C之中,該複數第一清潔單元121以相鄰兩個為一第一清潔組141,而該複數第二清潔單元122以相鄰兩個為一第二清潔組142,且該第一清潔組141以及該第二清潔組142係交錯排列設置;更進一步地,於該研磨墊修整裝置100D之中,該第一清潔組141係由一該高密度第一清潔單元121a及一該低密度第一清潔單元121b所組成,而該第二清潔組142由一該高密度第二清潔單元122a及一該低密度第二清潔單元122b所組成(如圖2的(B)所示)。
根據本發明之一實施例,該複數第一刷毛131及該複數第二刷毛132之材質係分別為軟質刷毛或硬質刷毛,該軟質刷毛之材質可為聚丙烯、耐龍或聚偏二氟乙烯;而該硬質刷毛之材質可為聚丙烯、耐龍或聚偏二氟乙烯。相同材質下,該硬質刷毛相較於該軟質刷毛具有較粗之線徑,且該硬質刷毛與軟質刷毛可交錯排列。於一較佳實施態樣中,其中該複數第一刷毛131為硬質刷毛,其具有一第一硬度,而該複數第二刷毛132為軟質刷毛,具有一第二硬度;於一更佳實施態樣中,其中該第一硬度大於該第二硬度。
一般而言,研磨墊修整器之磨料為鑽石顆粒,而鑽石顆粒較容易造成研磨墊受損,縮短研磨墊之壽命,尤其係軟的研磨墊特別容易受損;而不為特定理論所限制,本發明人發現上述本發明所提供之該研磨墊修整裝置100A及100B便較為適用於一相對軟質的研磨墊。當欲對一軟質研磨墊進行修整時,該複數第一刷毛131係為硬質刷毛,其垂直該基板之上表面設置,而該複數第二刷毛132係為軟質刷毛,且該第二夾角β設置為45至75度,例如: 45度、47度、49度、50度、52度、55度、58度、60度、62度、65度、68度、70度、71度、72度、73度、74度或75度。
根據本發明之一些實施例,該複數第一刷毛具有相同高度、不同高度或其組合,而該複數第二刷毛亦具有相同高度、不同高度或其組合。具體而言,該複數第一刷毛或該複數第二刷毛之刷毛頂端連線分別形成一工作面,而該工作面為一平面、一曲面、一斜面或一不規則面。於一較佳實施態樣中,該複數第一刷毛具有相同高度,而該複數第二刷毛具有不同高度,且該複數第二刷毛之頂端形成一工作面,而該工作面為一曲面或一斜面,更佳地,該工作面為一曲面。
本文所述之「刷毛高度」係指刷毛自基板上表面至刷毛頂端之高度;而所述之「工作面」係指該複數刷毛頂端之連線所形成之一表面,且該表面係依據刷毛高度的不同而可為一平面、一曲面、一斜面或一不規則面。
圖3的(A)及(B)係呈現本發明一組實施態樣之研磨墊修整裝置的部分結構。請先參閱圖3的(A),本發明於此提供一研磨墊修整裝置200A,其包括:一基板210,以及複數第一清潔單元221以及複數第二清潔單元222。其中各該第一清潔單元221包含平行排列之複數第一刷毛231,且該複數第一刷毛231具有相同高度;而各該第二清潔單元222包含平行排列之複數第二刷毛232,且該複數第二刷毛232具有不同高度,其中該複數第二刷毛232之高度沿一方向遞減,且各該複數第二刷毛232之頂端形成一工作面S,而該工作面S為曲面。具體而言,該方向包括方向D1及方向D2,該方向D1係朝向該基板之中心C,而該方向D2係遠離該基板之中心C。
本文所述之「刷毛高度沿一方向遞減」係指刷毛之頂端連線與水平線之間夾有一角度,該角度沿著朝向基板中心或遠離基板中心之方向遞減,且該刷毛高度隨著該遞減角度增加而縮短。
根據本發明之一實施例,該複數第二刷毛232之頂端連線與水平線之間夾有一遞減角度(未示於圖中),該遞減角度小於90度,例如:20度、25度、30度、35度、40度、45度、50度、55度、60度、65度、70度、75度、80度或85度;較佳地,該遞減角度為60至75度,例如:60度、65度、70度或75度。
請一併參閱圖3的(A)及(B),該複數第二清潔單元222包含複數朝內第二清潔單元222a以及複數朝外第二清潔單元222b,各該朝內第二清潔單元222a之刷毛高度遞減方向係為該方向D1,而各該朝外第二清潔單元222b之刷毛高度遞減方向係為方向D2。更具體地,該複數朝內第二清潔單元222a以及該複數朝外第二清潔單元222b係交錯排列設置。根據本發明之一較佳實施例,該基板之中心C設置一該第一清潔單元221,而該第一清潔單元221兩側為該複數朝內第二清潔單元222a以及該複數朝外第二清潔單元222b交替排列。
復請參閱圖3的(B),於該研磨墊修整裝置200B中,該複數朝內第二清潔單元222a可為高密度第二清潔單元或低密度第二清潔單元交錯排列,而該複數朝外第二清潔單元222b可為高密度第二清潔單元或低密度第二清潔單元交錯排列。
於本發明之一實施例,該複數第一刷毛231及該複數第二刷毛232之材質係分別為軟質刷毛或硬質刷毛,該軟質刷毛之材質可為聚丙烯、耐龍或聚偏二氟乙烯;而該硬質刷毛之材質可為聚丙烯、耐龍或聚偏二氟乙烯。相同材質下,該硬質刷毛相較於該軟質刷毛具有較粗之線徑,且該硬質刷毛與軟質刷毛可交錯排列。於一較佳實施態樣中,該複數第一刷毛231為硬質刷毛,其具有一第一硬度,而該複數第二刷毛232為軟質刷毛,具有一第二硬度;於一更佳實施態樣中,其中該第一硬度大於該第二硬度。
不為特定理論所限制,本發明人發現上述本發明所提供之該研磨墊修整裝置200A及200B較為適用於一相對硬質的研磨墊。當欲對一硬質研磨墊進行修整時,該研磨墊修整裝置200A及200B中具有高度差異以及刷毛的斜度可深入硬質研磨墊的溝槽內,以利於清理累積於其中的研磨碎屑。
實施例
1
本實施例係比較本發明之研磨墊修整裝置與習用之修整裝置的表面清潔效果;詳細而言,係分別採用上述研磨墊修整裝置100A作為實施例,並以習用修整裝置(刷毛設置角度皆一致且刷毛等高)作為比較例,兩者同時清潔一軟質研磨墊,並且在清潔後拍攝其表面。
圖4的(A)及(B)分別呈現經實施例及比較例清潔過後的研磨墊表面。請一併參閱圖4的(A)及(B),由圖4的(A)之結果可見,其研磨墊表面之顏色較淺,表示實施例之表面清潔能力較佳;而由圖4的(B)可見,研磨墊經由比較例之修整裝置清潔過後,顏色相較於圖4的(A)較深,表示其表面清潔能力較差。
實施例
2
本實施例同樣係比較本發明之研磨墊修整裝置與習用之修整裝置的表面清潔效果;詳細而言,係分別採用上述研磨墊修整裝置100A作為實施例,並以習用修整裝置(刷毛設置角度皆一致且刷毛等高)作為比較例,兩者同時清潔一軟質研磨墊,並且在清潔後以電子顯微鏡觀察其研磨墊表面的孔洞狀態。
圖5的(A)呈現實施例清潔過後的研磨墊表面,而圖5的(B)則呈現經比較例清潔過後的研磨墊表面。請一併參閱圖5的(A)及(B),由圖5的(A)可見,其研磨墊表面之孔洞內皆無碎屑累積;而由圖5的(B)可見,其研磨墊之孔洞內有碎屑累積。
實施例
3
本實施例係比較本發明之研磨墊修整裝置與習用之修整裝置的清潔效果;詳細而言,係分別採用上述研磨墊修整裝置200A作為實施例,並以習用修整裝置(刷毛設置角度皆一致且刷毛等高)作為比較例,兩者同時清潔一硬質研磨墊,並且在清潔後拍攝其表面。圖6的(A)呈現實施例清潔過後的研磨墊表面,而圖6的(B)則呈現經比較例清潔過後的研磨墊表面。請一併參閱圖6的(A)及(B),由圖6的(A)可見,其研磨墊表面之溝槽內皆無碎屑累積;而由圖6的(B)可見,其研磨墊之溝槽內則有碎屑累積。
經由實施例1至3可以得知,本發明之研磨墊修整裝置可分別有效應用於軟質研磨墊或硬質研磨墊的清理,且相較於習用的修整裝置顯示出較佳的清潔能力。除此之外,研磨墊難以清理之孔洞或溝槽當中的碎屑亦能透過本發明之研磨墊修整裝置有效清除。
綜上所述,本發明所提供的研磨墊修整裝置其優勢在於:本發明透過調整刷毛的設置角度、刷毛的排列密度、清潔單元的排列方式以及刷毛高度的變化等面向,而使研磨墊修整裝置能夠清理不同硬度之拋光墊進行清理,且能有效清除拋光墊溝槽死角處的殘留物,進而具有更優異的清潔能力。此外,本發明之結構簡單,無須額外添加其他裝置便可具有較佳的清潔能力。
本文中,所提供的所有範圍旨在包括在給定之範圍內的每個特定範圍以及在該給定範圍之間的子範圍的組合。此外,除非另有說明,否則本文提供的所有範圍皆包括所述範圍的端點。從而,範圍1-5具體包括1、2、3、4和5,以及諸如2-5、3-5、2-3、2-4、1-4等子範圍。
在本說明書中引用的所有刊物和專利申請案皆透過引用併入本文,並且出於任何及所有目的,每一個別刊物或專利申請案皆明確且個別地指出以透過引用併入本文。在本文與透過引用併入本文的任何刊物或專利申請案之間存在不一致的情況下,以本文為準。
以上已將本發明做一詳細說明,惟以上所述者,僅惟本發明之較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,即凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾,皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍內。
100A~100D, 200A~200B:研磨墊修整裝置
110, 210:基板
121, 221:第一清潔單元
121a:高密度第一清潔單元
121b:低密度第一清潔單元
122, 222:第二清潔單元
122a:高密度第二清潔單元
122b:低密度第二清潔單元
131, 231:第一刷毛
132, 232:第二刷毛
141:第一清潔組
142:第二清潔組
222a:朝內第二清潔單元
222b:朝外第二清潔單元
C:基板之中心
D1:朝向該基板之中心
D2:遠離該基板之中心
S:工作面
α:第一夾角
β:第二夾角
。
現就參考附圖僅以舉例的方式描述本發明技術的實施,其中:
圖1係本發明一實施例之研磨墊修整裝置示意圖。
圖2係本發明一實施例之研磨墊修整裝置示意圖。
圖3係本發明一實施例之研磨墊修整裝置示意圖。
圖4係本發明一實施例之研磨墊修整裝置清潔效果示意圖。
圖5係本發明一實施例之研磨墊修整裝置清潔效果示意圖。
圖6係本發明一實施例之研磨墊修整裝置清潔效果示意圖。
應當理解,本發明之各方面不限於附圖所示之配置、手段及特性。
無
100A,100B:研磨墊修整裝置
110:基板
121:第一清潔單元
121a:高密度第一清潔單元
121b:低密度第一清潔單元
122:第二清潔單元
122a:高密度第二清潔單元
122b:低密度第二清潔單元
131:第一刷毛
132:第二刷毛
α:第一夾角
β:第二夾角
Claims (13)
- 一種研磨墊修整裝置,包括:一基板,具有一上表面;以及複數第一清潔單元以及複數第二清潔單元,其設置於該基板上方;其中,各該第一清潔單元包含平行排列之複數第一刷毛,且該複數第一刷毛係垂直該上表面設置;其中,各該第二清潔單元包含平行排列之複數第二刷毛,而該複數第二刷毛與該上表面之間呈一第二夾角,且該第二夾角小於90度。
- 如請求項1所述之研磨墊修整裝置,其中該複數第一清潔單元以及該複數第二清潔單元係交錯排列設置。
- 如請求項1所述之研磨墊修整裝置,其中該複數第一清潔單元以相鄰兩個為一第一清潔組,而該複數第二清潔單元以相鄰兩個為一第二清潔組,且該第一清潔組以及該第二清潔組係交錯排列設置。
- 如請求項1所述之研磨墊修整裝置,其中該複數第一清潔單元包括複數高密度第一清潔單元以及複數低密度第一清潔單元,且各該高密度第一清潔單元相對於各該低密度第一清潔單元具有較高的刷毛排列密度。
- 如請求項4所述之研磨墊修整裝置,其中該複數高密度第一清潔單元以及該複數低密度第一清潔單元係交錯排列設置。
- 如請求項1所述之研磨墊修整裝置,其中該複數第二清潔單元包括複數高密度第二清潔單元以及複數低密度第二清潔單元,且各該高密度第二清潔單元相對於各該低密度第二清潔單元具有較高的刷毛排列密度。
- 如請求項6所述之研磨墊修整裝置,其中該複數高密度第二清潔單元以及該複數低密度第二清潔單元係交錯排列設置。
- 如請求項1所述之研磨墊修整裝置,其中該基板之材質係選自由金屬、陶瓷及高分子樹脂所組成之群組。
- 如請求項1所述之研磨墊修整裝置,其中該複數第一刷毛之材質為聚丙烯、耐龍或聚偏二氟乙烯,而該複數第二刷毛之材質為聚丙烯、耐龍或聚偏二氟乙烯。
- 如請求項1所述之研磨墊修整裝置,其中該複數第一刷毛具有一第一硬度,而該複數第二刷毛具有一第二硬度。
- 如請求項10所述之研磨墊修整裝置,其中該第一硬度大於該第二硬度。
- 如請求項1所述之研磨墊修整裝置,其中該複數第一刷毛具有相同高度、不同高度或其組合,而該複數第二刷毛亦具有相同高度、不同高度或其組合。
- 如請求項12所述之研磨墊修整裝置,其中該複數第一刷毛具有相同高度,而該複數第二刷毛具有不同高度,且該複數第二刷毛之頂端形成一工作面,而該工作面為一曲面或一斜面。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI884897B (zh) * | 2025-01-23 | 2025-05-21 | 日鐵精工股份有限公司 | 穩定型拋光墊修整器 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5833519A (en) * | 1996-08-06 | 1998-11-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical polishing |
| US6609962B1 (en) * | 1999-05-17 | 2003-08-26 | Ebara Corporation | Dressing apparatus and polishing apparatus |
| TWM429982U (en) * | 2011-12-15 | 2012-05-21 | Kinik Co | Chemical mechanical polishing pad dresser |
| US8257150B2 (en) * | 2008-02-29 | 2012-09-04 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Pad dresser, polishing device, and pad dressing method |
| CN204658194U (zh) * | 2015-03-26 | 2015-09-23 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种清洗装置 |
| TWI542444B (zh) * | 2014-09-11 | 2016-07-21 | China Grinding Wheel Corp | A polishing pad dresser with a brush holder |
| WO2018063242A1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | Intel Corporation | Chemical-mechanical planarization (cmp) pad conditioner brush-and-abrasive hybrid for multi-step, preparation- and restoration-conditioning process of cmp pad |
| JP6546343B2 (ja) * | 2015-10-29 | 2019-07-17 | エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド | ドレッシング装置及びこれを含むウエハー研磨装置 |
| US20200094375A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-03-26 | Cana Diamond Technology, LLC | Multiple zone pad conditioning disk |
| CN211681596U (zh) * | 2019-11-19 | 2020-10-16 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种硅片抛光垫清洗装置 |
| TWI721530B (zh) * | 2014-08-26 | 2021-03-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 擦光處理裝置及其擦光台之支承面之清洗方法 |
| CN213889515U (zh) * | 2020-12-05 | 2021-08-06 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种半导体硅片抛光用下载暂存机构 |
| CN114472278A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-13 | 华海清科股份有限公司 | 一种用于基板减薄的清洗方法及清洗装置 |
| CN115464471A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-12-13 | 湘潭大学 | 一种可自适应非规则复杂曲面的超声辅助抛光加工装置 |
-
2023
- 2023-01-12 TW TW112101428A patent/TWI839075B/zh active
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5833519A (en) * | 1996-08-06 | 1998-11-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical polishing |
| US6609962B1 (en) * | 1999-05-17 | 2003-08-26 | Ebara Corporation | Dressing apparatus and polishing apparatus |
| US8257150B2 (en) * | 2008-02-29 | 2012-09-04 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Pad dresser, polishing device, and pad dressing method |
| TWM429982U (en) * | 2011-12-15 | 2012-05-21 | Kinik Co | Chemical mechanical polishing pad dresser |
| TWI721530B (zh) * | 2014-08-26 | 2021-03-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 擦光處理裝置及其擦光台之支承面之清洗方法 |
| TWI542444B (zh) * | 2014-09-11 | 2016-07-21 | China Grinding Wheel Corp | A polishing pad dresser with a brush holder |
| CN204658194U (zh) * | 2015-03-26 | 2015-09-23 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种清洗装置 |
| JP6546343B2 (ja) * | 2015-10-29 | 2019-07-17 | エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド | ドレッシング装置及びこれを含むウエハー研磨装置 |
| WO2018063242A1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | Intel Corporation | Chemical-mechanical planarization (cmp) pad conditioner brush-and-abrasive hybrid for multi-step, preparation- and restoration-conditioning process of cmp pad |
| US20200094375A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-03-26 | Cana Diamond Technology, LLC | Multiple zone pad conditioning disk |
| CN211681596U (zh) * | 2019-11-19 | 2020-10-16 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种硅片抛光垫清洗装置 |
| CN213889515U (zh) * | 2020-12-05 | 2021-08-06 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种半导体硅片抛光用下载暂存机构 |
| CN114472278A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-13 | 华海清科股份有限公司 | 一种用于基板减薄的清洗方法及清洗装置 |
| CN115464471A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-12-13 | 湘潭大学 | 一种可自适应非规则复杂曲面的超声辅助抛光加工装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI884897B (zh) * | 2025-01-23 | 2025-05-21 | 日鐵精工股份有限公司 | 穩定型拋光墊修整器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202428395A (zh) | 2024-07-16 |
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