TWI837845B - 成膜方法、樹脂層形成裝置、成膜裝置以及帶電磁波遮罩的電路基板 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種既能防止電磁波遮罩膜與接地配線的連接不良，又能實現薄型化的成膜方法、樹脂層形成裝置、成膜裝置以及帶電磁波遮罩的電路基板。實施方式的成膜方法是對具有電子零件（120）與接地配線（110）的電路基板（100）形成覆蓋電子零件（120）的電磁波遮罩膜（150）的成膜方法，所述成膜方法包括：樹脂層形成工序，形成樹脂層（140），所述樹脂層（140）通過第一樹脂來密封金屬框（130）的內部，所述金屬框（130）包圍所述電路基板（100）上的電子零件（120）且與接地配線（110）接觸；以及成膜工序，以與金屬框（130）接觸的方式使覆蓋樹脂層（140）的頂面的電磁波遮罩膜（150）成膜。

Description

成膜方法、樹脂層形成裝置、成膜裝置以及帶電磁波遮罩的電路基板

本發明涉及一種成膜方法、樹脂層形成裝置、成膜裝置以及帶電磁波遮罩的電路基板。

在智慧型電話或醫療機器等的電子機器所包括的電路基板上，安裝有容易受電磁波影響的電子零件。為了保護這些電子零件不受電磁波影響，利用與電路基板上的接地配線連接的鋁製或不銹鋼製的金屬蓋來覆蓋這些電子零件。利用一片金屬蓋覆蓋至少一個以上的電子零件，一般是覆蓋多個電子零件。所述金屬蓋是通過鈑金加工而製作，在薄厚度化方面存在極限。因此，通過鈑金加工製作的金屬蓋阻礙了電子機器的更進一步的小型化或薄型化。

因此，作為代替金屬蓋對電子零件的包覆的方法，提出有鍍敷法或濺鍍法。鍍敷法需要多個濕式工序，因此避免不了電路基板的製造成本的上升。因此，濺鍍法尤其受到關注。

在濺鍍法中，作為前階段，首先在一片晶片上排列形成多個電路基板。在各電路基板，不從晶片分離而安裝電子零件。在將電子零件安裝於各電路基板之後，在晶片上形成樹脂層。所述樹脂層包含在各電路基板中遮蔽（遮罩）電磁波的遮罩預定區域，且是以成為一連串的方式而形成（例如參照專利文獻1）。遮罩預定區域是利用電磁波遮罩膜來覆蓋的電路基板上的區域。並且，通過切割（dicing）來分割各遮罩預定區域的樹脂層。

在所述切割之後，將作為電磁波遮罩膜的材料源的靶材配置於成膜室內，向成膜室內導入非活性氣體，並施加直流電壓。當等離子體化的非活性氣體的離子碰撞至靶材時，構成靶材的材料被撞出為原子狀、分子狀或者簇狀的粒子。經切割的樹脂層與靶材相向，被撞出的粒子堆積於所述樹脂層，從而在樹脂層的表面形成電磁波遮罩膜。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2013/035819號

[發明所要解決的問題] 在對各電路基板統一形成一連串的樹脂層後，對應於電路基板來切割樹脂層的方式中，各樹脂層的側面從裙擺部分遍及上端部分，整個區域相對於電路基板而陡峭地垂直。在濺鍍法中，由等離子體從靶材撞出的粒子（以下稱作成膜粒子）是從樹脂層的頂面側前來。比起樹脂層的頂面側，成膜粒子難以到達相對於成膜粒子前來的方向而平行地延伸的樹脂層的側面。

因此，在樹脂層的表面成膜的電磁波遮罩膜在樹脂層的側面側，膜厚變薄。電磁波遮罩膜是以側面與電路基板的接地配線連接。若與所述接地配線連接的側面的膜厚薄，則可能引起電磁波遮罩膜與接地配線的電連接不良。

本發明的實施方式是為了解決如上所述的問題而完成，其目的在於提供一種既能防止電磁波遮罩膜與接地配線的連接不良，又能實現薄型化的成膜方法、樹脂層形成裝置、成膜裝置以及帶電磁波遮罩的電路基板。 [解決問題的技術手段]

本發明的實施方式的成膜方法對具有電子零件與接地配線的電路基板形成覆蓋電子零件的電磁波遮罩膜，所述成膜方法包括：密封工序，通過向金屬框的內部填充第一樹脂，從而形成密封電子零件的樹脂層，所述金屬框包圍所述電路基板上的所述電子零件且與所述接地配線接觸；以及成膜工序，以與所述金屬框接觸的方式使覆蓋所述樹脂層的頂面的電磁波遮罩膜成膜。

本發明的實施方式的樹脂層形成裝置具有密封部，所述密封部通過向金屬框的內部填充第一樹脂，從而形成密封電子零件的樹脂層，所述金屬框包圍電路基板上的電子零件且與接地配線接觸。

本發明的實施方式的成膜裝置具有：所述樹脂層形成裝置；以及成膜部，在所述樹脂裝置的頂面，以與所述金屬框接觸的方式使覆蓋所述樹脂層的頂面的電磁波遮罩膜成膜。

本發明的實施方式的帶電磁波遮罩的電路基板是具有電子零件與接地配線的電路基板，所述電路基板具有：金屬框，包圍所述電路基板上的所述電子零件且與所述接地配線接觸；樹脂層，密封所述金屬框的內部的所述電子零件；以及電磁波遮罩膜，在所述樹脂層的頂面，以與所述金屬框接觸並且覆蓋所述樹脂層的頂面的方式而成膜。 [發明的效果]

根據本發明的實施方式，可提供一種既能防止電磁波遮罩膜與接地配線的連接不良，又能實現薄型化的成膜方法、樹脂層形成裝置、成膜裝置以及帶電磁波遮罩的電路基板。

[第一實施方式] [成膜裝置] 參照附圖來詳細說明第一實施方式。 [電路基板] 圖1A及圖1B是表示成膜裝置1（參照圖2）所處理的電路基板100的示意圖。如圖1A的平面圖、圖1B的局部剖面圖所示，成膜裝置1利用一塊樹脂層140來統一密封電路基板100上的一個以上的電子零件120，並在樹脂層140的表面使電磁波遮罩膜150成膜。

電路基板100是形成有電子電路的印刷基板。在電路基板100上，安裝有一個或多個電子零件120。電子零件120是容易受到電磁波的影響或者使對其他零件造成影響的電磁波洩漏的電子零件，例如可列舉搭載於智慧型電話等的電子機器中的通信模組或其前後電路。但是，只要是需要阻斷電磁波的零件，則並不限於這些例示，電阻、電容器、線圈、電晶體、二極體、半導體積體電路（Integrated Circuit，IC）或大型積體電路（Large Scale Integration，LSI）等的積體電路或者將它們模組化的電子電路模組也包含在電子零件120中。

電路基板100包括接地配線110、金屬框130、樹脂層140以及電磁波遮罩膜150。接地配線110被給予接地電位或固定電位。而且，電路基板100具有金屬框130。金屬框130包圍電路基板100上的電子零件120且與接地配線110接觸。金屬框130只要具有導電性即可，例如為不銹鋼（Steel Use Stainless，SUS）製。金屬框130的厚度例如為0.05 mm～0.5 mm左右。金屬框130具有頂面131與側面132。頂面131是具有矩形開口131a的矩形板狀體。頂面131的水準方向的寬度例如為1 mm～2 mm左右。

側面132是使頂面131的緣部彎曲而固定於電路基板100。更具體而言，側面132是從頂面131的四邊分別使等寬地突出的長方形狀的部分朝下方彎曲的面。因此，在四個側面132的彼此之間形成有間隙132a。金屬框130將側面132的下緣通過釺焊固定至電路基板100，並且使側面132的一部分接觸至接地配線110，由此，與接地配線110成為同電位。

樹脂層140是由被供給至金屬框130內部的樹脂所形成的層，對金屬框130內部的電子零件120進行密封。優選的是，樹脂層140的頂面到達金屬框130的頂面131的開口131a，而與頂面131齊平。即，優選的是，開口131a被填埋，並且樹脂層140與金屬框130的頂面131形成連續的平坦面。

電磁波遮罩膜150是以與金屬框130接觸並且覆蓋樹脂層140的頂面的方式而成膜的膜。作為電磁波遮罩膜150的材料，如後所述可使用各種成膜材料，例如可設為將Ni、Fe、Cr、Co的磁性體材料和Cu、Al、Ag、Ti、Nb、Pd、Pt、Zr等的非磁性體材料加以組合的多層膜或者Cu等的導電性高的膜的單層膜。成膜裝置1使電磁波遮罩膜150以與金屬框130接觸的方式而成膜。由此，在電路基板100上，形成能夠將所捕捉的電磁波雜訊經由金屬框130而流至接地配線110的電磁波遮罩膜150。電磁波遮罩膜150的厚度例如為1 μm～10 μm，與金屬框130相比非常薄。另外，圖1A及圖1B中，表示被樹脂層140密封且成膜有電磁波遮罩膜150的狀態的電子零件120，但所述電子零件120實際上無法看到。

[成膜裝置] 圖2是概略地表示本實施方式的成膜裝置1的結構圖。成膜裝置1包括：形成樹脂層140的樹脂層形成裝置2、以及在樹脂層140的表面使電磁波遮罩膜150成膜的成膜部3。在樹脂層形成裝置2與成膜部3之間，也可介隔有搬送電路基板100的搬送機構4。搬送機構4只要能夠從樹脂層形成裝置2排出電路基板100並投入至成膜部3即可，例如可使用機械臂。搬送機構4也可使用輸送器、利用滾珠絲杠等而沿著直線軌道可動的搬送平臺等。

[樹脂層形成裝置] 如圖2所示，在樹脂層形成裝置2內，形成有電路基板100的搬送路徑25。電路基板100是由托盤251予以支撐而沿著搬送路徑25移動。所述搬送路徑25例如為輸送器的行走面。樹脂層形成裝置2沿著搬送路徑25而包括填充部21、固化處理部22、掩模設置部27。

（填充部） 如圖3A及圖3B所示，填充部21具有包括噴出口211的分注器，向電路基板100上噴出成為樹脂層140的基礎的樹脂。填充部21所噴出的樹脂被貯存在經由控制閥等而與噴出口211連通的樹脂槽（未圖示）中，從樹脂槽被供給至填充部21。填充部21的噴出口211從金屬框130的開口131a的上部向金屬框130的內部供給樹脂（參照圖4）。

由填充部21所供給的樹脂是通過加熱器、紅外線等的熱能量的照射而固化的熱固性樹脂。所述樹脂例如可使用利用熱來固化的環氧樹脂、酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、矽酮樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯（diallyl phthalate）樹脂、聚醯亞胺樹脂、氨基甲酸酯樹脂。但是，作為此處所述的樹脂，是使用向被安裝於電路基板100的電子零件120與電路基板100的表面的間隙內浸透的滲透性高（粘度低）的樹脂例如底層填充劑。底層填充劑為液狀，以便能夠通過分注器來塗敷。另外，為了與後述的第二樹脂加以區分，在本實施方式中，有時將為了形成樹脂層140而使用的樹脂稱作第一樹脂。

（固化處理部） 固化處理部22使被填充至金屬框130內部的樹脂固化。固化處理部22具有根據樹脂的種類來對熱固性的樹脂照射加熱器、紅外線等的熱能量的照射窗（參照圖5）。另外，也可將固化處理部22設在電路基板100的下方，從而可從上下進行加熱地設置。

如圖2所示，填充部21、固化處理部22是從搬送路徑25的上游朝向下游，按照此次序而並列設置。而且，如圖3A、圖3B所示，填充部21、固化處理部22被設置於跨越搬送路徑25的門型的各支撐部26a，位於搬送路徑25的上方。另外，為了使照射窗能夠大範圍地對金屬框130內部的樹脂整體照射熱能量，固化處理部22被固定於位置不動的支撐部26a。支撐部26a例如在端部具有馬達驅動的車輪，載放於沿著搬送路徑25延伸的軌道。填充部21被固定於所述支撐部26a，沿著搬送路徑25而可動。

支撐部26a在門型的架橋部分包括支撐部26b。支撐部26b可沿著支撐部26a的架橋部而在與搬送路徑25正交的方向（Y軸方向）上移動。例如，支撐部26b是包含沿著支撐部26a的架橋部而在與搬送路徑25正交的方向上延伸的軌道與滾珠絲杠機構的直線移動機構。填充部21被固定於所述支撐部26b，通過支撐部26a與支撐部26b而在沿著搬送路徑25的方向（X軸方向）和與搬送路徑25正交的方向（Y軸方向）上可動。

（掩模設置部） 掩模設置部27將掩模271設置於金屬框130上。如圖2所示，掩模設置部27被設在搬送路徑25上的固化處理部22的下游，通過未圖示的機械臂將掩模271設置於搬送路徑25上的電路基板100的金屬框130之上。如圖6A、圖6B所示，掩模271是重合於開口131a以外的頂面131，且覆蓋金屬框130周圍的電路基板100的構件。更具體而言，掩模271呈具有比電路基板100的水平面大的面積的上表面、以及比金屬框130的側面132的高度高的側面的箱狀。在所述上表面，形成有露出口271a，所述露出口271a是比開口131a大且重合於頂面131的矩形開口。露出口271a為朝向緣部而厚度變薄的錐形狀的開口。

掩模設置部27以下述方式將掩模271設置於金屬框130，即，露出口271a的緣部全部重合於頂面131，且開口131a未被掩模271覆蓋。更具體而言，掩模設置部27是以下述方式而設置，即，抓握掩模271的兩側面，將掩模271的上表面蓋在電路基板100上。此時，頂面131的一部分和開口131a從露出口271a露出，在露出口271a以外的部分覆蓋電路基板100。由此，電磁波遮罩膜150在通過露出口271a而露出的部分成膜（參照圖7A至圖7C）。即，通過露出口271a來規定電磁波遮罩膜150的成膜區域。由於露出口271a是朝向緣部而厚度變薄的錐形狀的開口，因此成為從傾斜方向入射的成膜粒子的影子的部分少，直至快到通過露出口271a而露出的部分為止均能夠進行成膜。通過露出口271a而露出的部分為樹脂層140的頂面和與其連續的金屬框130的頂面131的一部分，因此電磁波遮罩膜150覆蓋從開口131a露出的樹脂層140的全部頂面，並且也覆蓋頂面131的露出部分，因此將電磁波遮罩膜150與金屬框130電連接。

[成膜部] 如圖8A、圖8B所示，成膜部3具有腔室31與裝載（load lock）室32。腔室31是比起軸向朝半徑方向擴徑的圓柱形狀的真空室。腔室31內由沿著半徑方向延伸設置的分隔部33分隔為多個扇狀區。對於一部分扇狀區，分配有處理位置311以及成膜位置312。

分隔部33從腔室31的頂板面朝向底面延伸，但未達底面。在無分隔部33的底面側空間，設置有旋轉平臺34。旋轉平臺34具有與腔室31成同軸的圓盤形狀，沿圓周方向旋轉。從裝載室32投入至腔室31內的電路基板100被載置於旋轉平臺34，一邊以圓周的軌跡進行回轉移動，一邊巡遊處理位置311以及成膜位置312。

另外，為了維持電路基板100相對於旋轉平臺34的位置，在旋轉平臺34設置有例如槽、孔、突起、夾具、支架、機械夾盤或粘附夾盤等保持電路基板100的保持部件。

在處理位置311設置有表面處理部35。所述表面處理部35導入氬氣等的工藝氣體（process gas），通過高頻電壓的施加來使工藝氣體等離子體化，產生電子、離子以及自由基等。例如，所述表面處理部35是朝旋轉平臺34側開口的筒形電極，通過射頻（Radio Frequency，RF）電源來施加高頻電壓。

在成膜位置312，設置有包含靶材361的濺鍍源36。濺鍍源36在向靶材361與旋轉平臺34之間導入有濺鍍氣體的狀態下，對靶材361施加電力。濺鍍氣體是氬等的非活性氣體，通過濺鍍源36的電力施加而等離子體化，所產生的離子等碰撞至靶材361。成膜粒子從靶材361被撞出，所撞出的成膜粒子堆積至載置於旋轉平臺34的電路基板100上的樹脂層140。

靶材361為電磁波遮罩膜150的材料源。靶材361例如是由Ni、Fe、Cr、Co等的磁性體材料所形成。另外，也可使用Al、Ag、Ti、Nb、Pd、Pt、Zr等，以成為將非磁性材料組合而成的多層膜。而且，也可使用成為電磁波遮罩膜150的基底層的SUS、Ni、Ti、V、Ta等以及成為最表面的保護層的SUS、Au等。即，所述成膜位置312例如也可設有兩處。各個成膜位置312的靶材材料既可設為相同的材料，也可設為不同的材料而形成多層的電磁波遮罩膜150。

對各個成膜位置312的濺鍍源36施加電力的電源例如可適用直流（Direct Current，DC）電源、DC脈衝電源、RF電源等眾所周知的電源。而且，對濺鍍源36施加電力的電源既可對應於每個濺鍍源36而設，也可利用切換器切換共同的電源來使用。

另外，所述成膜部3是使用濺鍍法在電路基板100上成膜，但成膜手法並不限於此。例如，成膜部3也可通過蒸鍍、噴塗以及塗敷等來使電磁波遮罩膜150在電路基板100上成膜。

[成膜方法] 參照圖3A及圖3B至圖8A及圖8B來說明使用所述成膜裝置1的成膜方法。所述成膜方法是對電路基板100形成覆蓋電子零件120的電磁波遮罩膜150的方法，被分為：樹脂層形成工序，形成通過樹脂來密封金屬框130內部的樹脂層140；以及成膜工序，以與金屬框130接觸的方式來使覆蓋樹脂層140的頂面的電磁波遮罩膜150成膜。

如圖3A及圖3B所示，電路基板100沿著搬送路徑25被搬送至配置有樹脂層形成裝置2的區域。在樹脂層形成工序中，如圖4所示，填充部21向金屬框130內部的電路基板100上噴出樹脂。由此，金屬框130的內部逐漸被樹脂R1填埋。

接下來，電路基板100沿著搬送路徑25被搬送至配置有固化處理部22的區域。如圖5所示，在固化工序中，使電路基板100的金屬框130位於固化處理部22的正下方，使固化處理部22運轉。固化處理部22朝向金屬框130內部的樹脂R1整體照射熱能量，使樹脂R1固化而形成樹脂層140。

當固化工序結束時，電路基板100沿著搬送路徑25被搬送至配置有掩模設置部27的區域。並且，如圖6A、圖6B所示，通過機械臂將掩模271設置於電路基板100。此時，掩模271被設置在所述露出口271a不重合於金屬框130的開口131a但重合於頂面131的位置。

設置有掩模271的電路基板100離開樹脂層形成裝置2而移向借助成膜部3的成膜工序。在成膜部3中，如圖8A及圖8B所示，電路基板100從裝載室32被投入而載放於旋轉平臺34。通過旋轉平臺34，電路基板100一邊受到旋轉搬送，一邊在處理位置311對電路基板100的表面進行等離子體清洗。隨後，電路基板100一邊受到旋轉搬送，一邊在成膜位置312處，如圖7A、圖7B所示，從靶材361被撞出的成膜粒子P堆積至掩模271以及樹脂層140的表面。因此，如圖7C所示，通過從自成膜部3搬出的電路基板100拆除掩模271，從而製作出在樹脂層140的表面成膜有電磁波遮罩膜150的電路基板100。

此處，電路基板100僅在露出口271a未被掩蓋。由於露出口271a被安裝在不重合於金屬框130的開口131a但重合於頂面131的位置，因此電磁波遮罩膜150是從樹脂層140的頂面連續地形成到金屬框130之上。因此，電磁波遮罩膜150與接地配線110的電連接得以確保。

[效果] （1）如上所述的本實施方式是一種成膜方法，對具有電子零件120與接地配線110的電路基板100形成覆蓋電子零件120的電磁波遮罩膜150，所述成膜方法包括：樹脂層形成工序，形成樹脂層140，所述樹脂層140通過樹脂來密封金屬框130的內部，所述金屬框130包圍電路基板100上的電子零件120且與接地配線110接觸；以及成膜工序，以與金屬框130接觸的方式來使覆蓋樹脂層140的頂面的電磁波遮罩膜150成膜。

而且，本實施方式的樹脂層形成裝置2具有填充部21，所述填充部21向金屬框130的內部填充樹脂，所述金屬框130包圍電路基板100上的電子零件120且與接地配線110接觸。而且，本實施方式的成膜裝置1具有樹脂層形成裝置2以及成膜部3，所述成膜部3在樹脂層140的頂面以與金屬框130接觸的方式來使覆蓋樹脂層140的頂面的電磁波遮罩膜150成膜。進而，本實施方式是一種電路基板100，具有電子零件120與接地配線110，所述電路基板100包括：金屬框130，包圍電路基板100上的電子零件120且與接地配線110接觸；樹脂層140，密封金屬框130內部的電子零件120；以及電磁波遮罩膜150，以與金屬框130接觸並且覆蓋樹脂層140的頂面的方式而成膜。

像這樣製作出電磁波遮罩膜150接觸至與接地配線110接觸的金屬框130的電路基板100，因此能夠防止電磁波遮罩膜150與接地配線110的連接不良，使由電磁波遮罩膜150所吸收的電磁波雜訊逸散至接地配線110。並且，由於無封堵樹脂層140的頂面的金屬蓋，因此能夠減少與頂面相應的厚度，從而可實現薄型化。例如，在通過與金屬框130同樣厚度的金屬蓋（罩）來封堵開口131a的情況下，蓋的厚度為0.05 mm～0.5 mm左右，但電磁波遮罩膜150為1 μm～10 μm左右，因此能夠極度薄型化。

（2）本實施方式的樹脂層形成方法中，金屬框130具有：頂面131，具有開口131a；以及側面132，使頂面131的緣部彎曲而固定於電路基板100，且所述樹脂層形成方法包括掩模設置工序，所述掩模設置工序是通過與開口131a以外的頂面131的一部分重合的掩模271來覆蓋金屬框130周圍的電路基板100。而且，本實施方式的樹脂層形成裝置2具有掩模設置部27，所述掩模設置部27通過與開口131a以外的頂面131的一部分重合的掩模271來覆蓋金屬框130周圍的電路基板100。

因此，在成膜時，在金屬框130的頂面131的一部分與樹脂層140的頂面連續地形成電磁波遮罩膜150，因此能夠防止電磁波遮罩膜150與接地配線110的連接不良。而且，即便在作為金屬框130的一部分的頂面131也能獲得電磁波遮罩效果，因此在頂面131，既可使電磁波遮罩膜150成膜，也可不使電磁波遮罩膜150成膜。在使用無頂面131而僅具有側面132的金屬框的情況下，掩模271必須進行定位以使樹脂層140的頂面露出。與此相比，在使用本實施方式的具有頂面131的金屬框130的情況下，掩模271只要位於與頂面131的一部分重合的位置即可，只要為頂面131上，則其位置不受限定。這樣，掩模271在頂面131上的位置存在自由度，因此即便存在掩模271與金屬框130的安裝誤差，所成膜的電磁波遮罩膜150的連接不良也難以產生。

[第二實施方式] [結構] 本實施方式的成膜裝置1的基本結構與第一實施方式同樣，因此僅說明不同的結構，對於共同的結構則省略說明。本實施方式中，如圖9A至圖9C所示，樹脂層形成裝置2具有樹脂供給部23、局部固化處理部24。樹脂供給部23向封堵金屬框130的側面132所具有的間隙132a（參照圖1A）的位置，供給粘度比所述樹脂R1（第一樹脂）高的第二樹脂R2。第二樹脂R2是通過塗敷在金屬框130的外周而密封間隙132a（參照圖9A至圖9C）。樹脂供給部23例如是包括噴出口231的分注器。樹脂供給部23所噴出的第二樹脂R2被貯存在經由控制閥等而與噴出口231連通的樹脂槽（未圖示）中，從樹脂槽供給至樹脂供給部23。

從樹脂供給部23供給的第二樹脂R2為光固化性，通過紫外線等的光能量的照射來固化。第二樹脂R2例如包含參與光聚合反應的單體或寡聚物與聚合引發劑，可使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系、環氧丙烯酸酯系、丙烯酸酯系、環氧系。而且，第二樹脂R2具有比第一樹脂R1高的粘度。

局部固化處理部24使被供給至電路基板100上的金屬框130的外周的樹脂固化。局部固化處理部24具有根據樹脂供給部23所噴出的樹脂的種類來對光固化性的樹脂照射紫外線等的光能量的照射窗。局部固化處理部24對樹脂供給部23所噴出的樹脂照射光能量而使其固化。

這些樹脂供給部23、局部固化處理部24被配置在圖2、圖3A及圖3B中的填充部21的上游。而且，樹脂供給部23、局部固化處理部24被設置於各支撐部26a，位於搬送路徑25的上方。樹脂供給部23與填充部21同樣地，通過支撐部26a與支撐部26b而在沿著搬送路徑25的方向（X軸方向）和與搬送路徑25正交的方向（Y軸方向）上可動。

[成膜方法] 圖9A至圖9C是表示使用本實施方式的成膜裝置1的成膜方法的示意圖。所述成膜方法包括樹脂供給工序，所述樹脂供給工序是在樹脂層形成工序之前，向封堵金屬框130所具有的間隙132a的位置供給第二樹脂R2。另外，對於與第一實施方式同樣的工序，省略說明。

電路基板100沿著搬送路徑25被搬送至配置有樹脂供給部23的區域。在樹脂供給工序中，如圖9A、圖9B所示，樹脂供給部23一邊通過支撐部26a以及支撐部26b而沿著金屬框130的外周移動，一邊從噴出口231噴出第二樹脂，由此，以沿著金屬框130的側面132且密封間隙132a的方式來塗敷第二樹脂R2。在塗敷後，如圖9C所示，局部固化處理部24對所塗敷的第二樹脂R2照射光能量，由此來使第二樹脂固化。隨後的工序與所述的第一實施方式的樹脂層形成工序、成膜工序同樣。

[效果] 如上所述的本實施方式中，具有樹脂供給部23，所述樹脂供給部23在樹脂層形成工序之前，向封堵金屬框130所具有的間隙132a的位置供給粘度比第一樹脂R1高的第二樹脂R2。因此，在樹脂層形成工序中，在將第一樹脂R1填充至金屬框130的內部的情況下，防止第一樹脂R1從金屬框130的間隙132a漏出。這在第一樹脂R1為流動性高的底層填充劑的情況下尤為有效。而且，在成膜時，防止成膜粒子繞回而形成電路圖案的現象。

[第三實施方式] [結構] 本實施方式的成膜裝置1的基本結構與第一實施方式同樣，因此僅說明不同的結構，對於共同的結構則省略說明。本實施方式中，如圖10A至圖10E所示，樹脂層形成裝置2具有模具設置部28、模具填充部29。模具設置部28取代第一實施方式的填充部21、固化處理部22而配置於搬送路徑25。

模具設置部28將模具281以覆蓋金屬框130的方式而設置於電路基板100。模具281包含：從成為密封物件的金屬框130側覆蓋電路基板100的上模281A、以及從其相反側覆蓋電路基板100的下模281B。上模281A具有達到金屬框130的高度的模腔282。模腔282為具有頂板282a、內周面282b的長方體形狀的空隙。模腔282的頂板282a為平坦面，其高度與金屬框130的頂面131的高度相同。因此，在將上模281A設置於電路基板100的情況下，模腔282的頂板282a接觸至金屬框130的頂面131（參照圖10B）。而且，模腔282的內周面282b包圍金屬框130的側面132。

在下模281B，為了在與上模281A之間夾著電路基板100而密閉，設有收容電路基板100的空隙即收容區域283。另外，電路基板100是設置為，可通過未圖示的機械臂而從搬送路徑25收容至下模281B的收容區域283。

而且，雖未圖示，但模具設置部28具有開閉模具281的開閉機構。開閉機構通過使上模281A以及下模281B相對移動，從而覆蓋被設置於下模281B內的電路基板100而閉止，在樹脂密封後開放電路基板100。

模具填充部29是構成在上模281A與下模281B內，通過向金屬框130的內部填充第一樹脂R1，從而形成密封電子零件120的樹脂層140。第一樹脂R1可使用與在所述的第一實施方式的填充部21中所用的熱固性樹脂同樣的樹脂。但在本實施方式中，為了填充至模具281內，是使固體狀的樹脂材料（以下稱作料粒L）在高溫熔解而填充。

模具填充部29具有加壓室291、加熱缸292、澆口（gate）293。加壓室291是收容料粒L且受到加熱加壓的空間。加熱缸292是對加壓室291內進行密封而可滑動地設置，對收容在加壓室291內的料粒L進行加熱而使其熔融並且進行加壓。加熱缸292通過未圖示的加熱器而被加熱至150℃～250℃左右。澆口293是連通加壓室291與模腔282的樹脂的供給路徑。

[成膜方法] 圖10A至圖10E是表示使用所述成膜裝置1的成膜方法的示意圖。為了形成樹脂層140，所述成膜方法包括：模具設置工序，以覆蓋金屬框130的方式將模具281設置於電路基板100；以及模具填充工序，向模腔282內填充樹脂。另外，對於與第一實施方式同樣的工序省略說明。

首先說明模具設置工序。電路基板100沿著搬送路徑25被搬送至配置有模具設置部28的區域。在模具設置部28中，如圖10A所示，通過機械臂，將電路基板100從搬送路徑25收容至下模281B的收容區域283。而且，將樹脂材料的料粒L投入至構成加壓室291的下模281B。並且，如圖10B所示，通過開閉機構，使上模281A相對於下模281B而相對移動，以覆蓋被設置於下模281B內的電路基板100的方式關閉上模281A並固定。上模281A的模腔282的高度與金屬框130的高度相同，因此金屬框130的頂面131與模腔282的頂板282a抵接。而且，在加壓室291內，收容被載置於加熱缸292中的樹脂材料的料粒L。

接下來說明模具填充工序。如上所述，在加壓室291內收容有料粒L。如圖10C所示，加熱缸292通過加熱器而被加熱至150℃～250℃左右，使被載置於加熱缸292上的料粒L熔融。並且，通過上推加熱缸292，從而將熔融的第一樹脂R1經由澆口293而注入至模腔282。於是，如圖10D所示，從澆口293注入的第一樹脂R1從金屬框130四角的間隙132a或者金屬框130的下端與電路基板100的表面的間隙侵入至金屬框130的內部而逐漸填充金屬框130的內部，並到達模腔282內的頂板282a為止，從而填埋金屬框130的開口131a。這樣，所注入的第一樹脂R1被填充至整個模腔282內。

通過加熱缸292，將施加有壓力的狀態保持規定時間而進行冷卻，直至流入至模腔282的第一樹脂R1固化為止。進而，如圖10E所示，在第一樹脂R1固化後，開閉機構使上模281A相對於下模281B而相對地移動，以開放電路基板100。並且，機械臂取出金屬框130的內部已被樹脂密封的電路基板100。並且，使端部的毛刺B（圖中以虛線包圍的部分）從已固化的樹脂分離。分離既可通過人手來進行，也可使用專用的夾具來進行。通過以上的步驟，能夠製作在金屬框130的內部形成有樹脂層140的電路基板100。由於樹脂層140的上端被模腔282的平坦的頂板282a所限制，因此樹脂層140的頂面與金屬框130的頂面131變得齊平，能夠形成平坦面。

如圖5所示，開閉機構使上模281A上升，通過機械臂使形成有樹脂層140的電路基板100返回搬送路徑25。隨後的掩模設置工序、成膜工序與所述的實施方式同樣。

[效果] 如上所述的本實施方式具有：模具設置部28，將具有達到金屬框130的高度的模腔282的模具281以覆蓋金屬框130的方式設置於電路基板100；以及模具填充部29，向模腔282內填充第一樹脂R1。因此，能夠將樹脂填充至與金屬框130的高度相同的高度為止，從而在成膜時，能夠在金屬框130的上端部形成電磁波遮罩膜150。因而，能夠形成平坦的電磁波遮罩膜150。在由流經電路基板100上的電子零件120的電流所產生的磁場的方向與電磁波遮罩膜150的磁化的方向接近平行的情況下，電磁波遮罩膜150可發揮電磁波遮罩效果。若將電磁波遮罩膜150設為凹凸少的平坦面，則磁場的方向成為與樹脂層140的頂面接近平行的方向，因此，通過在此以凹凸少的平坦面來形成電磁波遮罩膜150，從而能夠發揮遮罩特性。

[第四實施方式] 本實施方式的成膜裝置1的基本結構與第三實施方式同樣，因此僅說明不同的結構，對於共同的結構則省略說明。本實施方式中，如圖11A至圖11E所示，在模具281的模腔282與金屬框130之間，具有保持片材410的片材保持部400。片材保持部400是被氣密地固定於上模281A的上部的箱狀容器，在內部設有負壓供給室420。負壓供給室420構成為，可經由設於頂面的排氣孔421而通過未圖示的負壓產生回路來進行排氣。而且，負壓供給室420連通於貫穿上模281A的模腔282的頂板282a的多個進氣孔282c、貫穿加壓室291的頂板的進氣孔282d。

在上模281A的下表面即與下模281B相向的面上，可保持地設有片材410。片材410是具有脫模性的薄膜。例如，可使用通過將Si或聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene，PTFE）塗敷於聚對苯二甲酸乙二醇酯（Polyethylene Terephthalate，PET）薄膜而使單面或兩面具備脫模性的片材來作為片材410。將所述片材410配置於上模281A的下表面，並通過負壓產生回路來從負壓供給室420的排氣孔421進行排氣，由此，能夠經由進氣孔282c、進氣孔282d而將片材410吸附至模腔282的頂板282a、加壓室291的頂板。

此處，為了防止金屬框130與模腔282的尺寸誤差、覆蓋金屬框130時的模腔282與金屬框130的摩擦，在模腔282與金屬框130之間產生有作為遊隙的間隙。在本實施方式的上模281A的下表面，通過如上述那樣保持片材410，從而密封模腔282的頂板282a與金屬框130的頂面131的間隙。另外，澆口293的上部也被片材410覆蓋，但在上模281A與下模281B吻合的情況下，澆口293的流路得以確保。

[成膜方法] 圖11A至圖11E是表示使用所述成膜裝置1的成膜方法的示意圖。所述成膜方法包含在模腔282與金屬框130之間保持片材410的片材保持工序。另外，對於與第三實施方式同樣的工序省略說明。

首先，如上所述，將電路基板100收容至下模281B的收容區域283，向下模281B的構成加壓室291的部分投入樹脂材料的料粒L。如圖11A所示，以覆蓋上模281A的下表面的方式來插入片材410，並通過負壓產生回路從負壓供給室420的排氣孔421進行排氣，由此，經由進氣孔282c、進氣孔282d來使片材410吸附至模腔282的頂板282a、加壓室291的頂板。接下來，如圖11B所示，通過開閉機構來使上模281A相對移動，以覆蓋被設置在下模281B內的電路基板100的方式予以關閉並固定。

接下來，如圖11C、圖11D所示，與第三實施方式同樣地，在模具填充工序中，樹脂固化而形成樹脂層140後，如圖11E所示，通過開閉機構來使上模281A相對移動，由此，使上模281A脫離下模281B。此時，由於繼續保持從上模281A的進氣孔282c、進氣孔282d進行的抽吸，因此是在片材410被吸附於上模281A的下表面的狀態下從電路基板100脫模。隨後的工序與第三實施方式同樣。

[效果] 如上所述的本實施方式具有在模腔282與金屬框130之間保持片材410的片材保持部400。因此，金屬框130的頂面131與模腔282的頂板282a的間隙、金屬框130的側面132與模腔282的內周面282b的間隙被填埋，防止第一樹脂R1侵入並蔓延而產生電磁波遮罩膜150與金屬框130的連接不良。

[變形例] （1）所述的第三實施方式以及第四實施方式中，也可在電路基板100的兩面形成覆蓋於金屬框130的樹脂層140。此時，如圖12所示，在下模281B中，預先設有收容區域283，所述收容區域283可一同收容形成於電路基板100的其中一面的樹脂層140與金屬框130。由此，對於另一面，可與所述同樣地形成樹脂層140。

（2）如圖13所示，成膜裝置1也可構成為，在可設為真空的減壓室內配置樹脂層形成裝置2與成膜部3，並利用具有搬送機構4的真空搬送室500來連接。由此，在樹脂層形成裝置2中經成形的電路基板100由搬送機構4在真空下予以搬送而搬入至成膜部3。因此，能夠使電路基板100不暴露於大氣中而進行樹脂層形成與成膜處理的一連串工序。

此處，若暴露於大氣中的時間長（例如十分鐘以上），則包含水分的氣體會吸附於所形成的樹脂層140，因此，若將此狀態的電路基板100搬入至成膜部3，則成膜處理中的真空度將變差，從而導致膜質發生惡化。因此，在從樹脂層形成裝置2向成膜部3經由大氣搬送的結構的情況下，在搬入至成膜部3之前，有時需要對電路基板100進行烘烤而進行脫氣的脫氣處理。但是，通過像上述那樣在真空中進行一連串的工序，能夠防止大氣中的包含水分的氣體的吸附，因此能夠省略脫氣處理，從而能夠縮短處理時間。 （3）也可在樹脂層形成裝置2中的比起填充部21的區域更靠電路基板100的搬送路徑25的上游處包括表面處理部，通過所述表面處理部，在樹脂密封工序之前對電路基板100的表面進行清洗，由此來去除在接地配線110上產生的自然氧化皮膜。由此，能夠將接地配線110與電磁波遮罩膜150良好地電連接，從而能夠進一步降低接觸不良。

[其他實施方式] 本發明並不限定於所述實施方式，這些新穎的實施方式能夠以其他的各種形態來實施，在不脫離發明範圍的範圍內，可對這些實施方式進行各種省略、替換或變更，其變形也包含在發明的範圍或主旨中，並且包含在權利要求書所記載的發明中。

1:成膜裝置 2:樹脂層形成裝置 3:成膜部 4:搬送機構 21:填充部 22:固化處理部 23:樹脂供給部 24:局部固化處理部 25:搬送路徑 26a、26b:支撐部 27:掩模設置部 28:模具設置部 29:模具填充部 31:腔室 32:裝載室 33:分隔部 34:旋轉平臺 35:表面處理部 36:濺鍍源 100:電路基板 110:接地配線 120:電子零件 130:金屬框 131:頂面 131a:開口 132:側面 132a:間隙 140:樹脂層 150:電磁波遮罩膜 211,231:噴出口 251:托盤 271:掩模 271a:露出口 281:模具 281A:上模 281B:下模 282:模腔 282a:頂板 282b:內周面 282c、282d:進氣孔 283:收容區域 291:加壓室 292:加熱缸 293:澆口 311:處理位置 312:成膜位置 361:靶材 400:片材保持部 410:片材 420:負壓供給室 421:排氣孔 500:真空搬送室 B:毛刺 L:料粒 P:成膜粒子 R1:樹脂（第一樹脂） R2:第二樹脂

圖1A及圖1B是表示成膜裝置所處理的電路基板的示意圖。 圖2是表示第一實施方式的成膜裝置的概略結構圖。 圖3A及圖3B表示成膜裝置的樹脂層形成裝置，圖3A為側面圖，圖3B為平面圖。 圖4是表示第一實施方式的樹脂密封工序中的樹脂的噴出工序的局部剖面側面圖。 圖5是表示第一實施方式的樹脂密封工序中的固化工序的局部剖面側面圖。 圖6A及圖6B表示第一實施方式的樹脂密封工序中的掩模設置工序，圖6A為平面圖，圖6B為局部剖面圖。 圖7A至圖7C是表示第一實施方式的成膜工序的說明圖。 圖8A及圖8B表示成膜裝置的成膜部，圖8A為透視平面圖，圖8B為透視立體圖。 圖9A至圖9C是表示第二實施方式的樹脂供給工序、局部固化工序的說明圖。 圖10A至圖10E是表示第三實施方式的模具設置工序、模具填充工序的說明圖。 圖11A至圖11E是表示第四實施方式的片材保持工序、模具設置工序、模具填充工序的說明圖。 圖12是表示第三實施方式的變形例的側面剖面圖。 圖13是表示成膜裝置的變形例的平面圖。

110:接地配線

120:電子零件

130:金屬框

131:頂面

131a:開口

132:側面

140:樹脂層

150:電磁波遮罩膜

Claims (9)

1. 一種成膜方法，對具有電子零件與接地配線的電路基板形成覆蓋電子零件的電磁波遮罩膜，所述成膜方法包括：樹脂層形成工序，形成樹脂層，所述樹脂層通過第一樹脂來密封金屬框的內部，所述金屬框包圍所述電路基板上的所述電子零件且與所述接地配線接觸；成膜工序，以與所述金屬框接觸的方式使覆蓋所述樹脂層的頂面的電磁波遮罩膜成膜；以及掩模設置工序，通過與所述金屬框的頂面的一部分重合的掩模，來覆蓋所述金屬框周圍的所述電路基板，所述掩模設置工序是在所述成膜工序之前進行。
2. 根據請求項1所述的成膜方法，其中在所述樹脂層形成工序中，通過噴出所述第一樹脂的填充部來向所述金屬框的內部填充所述第一樹脂。
3. 根據請求項2所述的成膜方法，包括：樹脂供給工序，在所述樹脂層形成工序之前，向堵塞所述金屬框所具有的間隙的位置供給粘度比所述第一樹脂高的第二樹脂。
4. 根據請求項1所述的成膜方法，其中所述樹脂層形成工序包括：模具設置工序，將具有達到所述金屬框的高度的模腔的模具以覆蓋所述金屬框的方式設置於所述電路基板；以及模具填充工序，向所述模腔中填充所述第一樹脂。
5. 根據請求項4所述的成膜方法，其中所述樹脂層形成工序包括在所述模腔與所述金屬框之間保持片材的片材保持工序。
6. 一種樹脂層形成裝置，具有：填充部，所述填充部通過向金屬框的內部填充第一樹脂來形成樹脂層，所述金屬框包圍電路基板上的電子零件且與接地配線接觸；成膜部，所述成膜部以與所述金屬框接觸的方式來使覆蓋所述樹脂層的頂面的電磁波遮罩膜成膜；以及掩模設置部，所述掩模設置部通過與所述金屬框的頂面的一部分重合的掩模來覆蓋所述金屬框的周圍，所述掩模設置部在所述成膜部成膜之前設置所述掩模。
7. 根據請求項6所述的樹脂層形成裝置，包括：樹脂供給部，向堵塞所述金屬框的側面所具有的間隙的位置，供給粘度比所述第一樹脂高的第二樹脂。
8. 根據請求項6所述的樹脂層形成裝置，包括：模具設置部，將具有達到所述金屬框的高度的模腔的模具以覆蓋所述金屬框的方式設置於所述電路基板；以及模具填充部，向所述模腔中填充所述第一樹脂。
9. 根據請求項8所述的樹脂層形成裝置，其中在所述模腔與所述金屬框之間具有保持片材的片材保持部。