TWI836555B

TWI836555B - 基板及包括其的封裝基板

Info

Publication number: TWI836555B
Application number: TW111130475A
Authority: TW
Inventors: 性振金; 金鎭哲
Original assignee: 美商愛玻索立克公司
Priority date: 2021-08-23
Filing date: 2022-08-12
Publication date: 2024-03-21
Also published as: JP2024527687A; KR20230145447A; TW202310138A; US20240336519A1; EP4337567A4; KR102844111B1; CN117580778A; JP7710051B2; EP4337567A1; WO2023028036A1

Abstract

本實施方式涉及一種基板及包括其的封裝基板，該基板包括：玻璃基板，包括一面、另一面及連接上述一面和另一面的邊緣區域；凹槽部，在上述邊緣區域的一部分朝向上述玻璃基板的內部方向形成；及保護部，形成在上述凹槽部上，上述凹槽部貫通上述一面和另一面。

Description

基板及包括其的封裝基板

本實施方式涉及基板及包括其的封裝基板。

在可將玻璃基板應用於大型面板的封裝製程中，通過用於搬送、加工等的工具向玻璃基板傳遞衝擊，因此可能會出現如製程損失和缺陷等問題。

用於這種玻璃基板的搬送、加工等的工具一般都包括高強度材料，因此容易導致在玻璃基板上產生缺陷和裂紋，從而引發整個玻璃基板的損壞。

因此，可以說有必要一種可以在玻璃基板的搬送和加工等製程中使破損、缺陷及裂縫的發生最小化的更改進的方案。

上述的背景技術是發明人為導出本發明而擁有的技術信息或者在導出本發明的過程中掌握的技術信息，因此不能認為是在申請本發明之前向公眾公開的公知技術。

作為相關的現有技術，有韓國授權專利第10-0701016號公開的“用於防止損壞玻璃基板的盒”和韓國授權專利第10-1531905號公開的“玻璃基板保護墊和大面積玻璃基板保護墊的製造方法”等。

發明所欲解決之問題

本實施方式的目的在於提供一種基板，該基板能夠防止在玻璃基板的封裝製程的搬送、加工過程等可施加的衝擊和損傷。

解決問題之技術手段

為了實現上述目的，根據實施方式的基板可以包括：玻璃基板，包括一面、另一面及連接上述一面和另一面的邊緣區域；及保護部，上述保護部可以布置在上述邊緣區域的至少一部分上，上述保護部的最小厚度可以為約5μm以上。

在一實施方式中，上述基板可以進一步包括凹槽部，上述凹槽部向上述玻璃基板的內側貫通上述一面和另一面，上述凹槽部可以位於上述邊緣區域的一部分並連接到上述邊緣區域，上述保護部可以布置在上述凹槽部上。

在一實施方式中，上述玻璃基板的上述一面或另一面可以呈四邊形或八邊形形狀，上述玻璃基板可以包括從上述一面貫通到另一面的貫通孔，上述玻璃基板的至少一部分可以包括導電線或導電層。

在一實施方式中，上述保護部可以包括相互區分的第一保護部和第二保護部，上述第一保護部可以布置在與上述一面的一邊相接的邊緣區域，上述第二保護部可以布置在與上述一面的另一邊相接的邊緣區域，上述一邊和另一邊可以相互面對。

在一實施方式中，上述凹槽部可以包括相互區分的第一凹槽部和第二凹槽部，上述第一凹槽部和第二凹槽部可以隔著上述一面相互面對布置。

在一實施方式中，上述聚合物層可以是彈性層，根據ASTM D3359的上述保護部與上述玻璃基板之間的黏合力可以為5B。

在一實施方式中，上述保護部可以包括全光線透過率為約87％以上的聚合物層。

在一實施方式中，當用具有與上述凹槽部的截面相對應的截面的銷以與上述保護部相接的方式以約1.1巴的壓力對上述基板施加衝擊3次時，可以實質上沒有玻璃基板的損壞。

在一實施方式中，當用具有與上述凹槽部的截面相對應的截面的銷以與上述保護部相接的方式以約1.1巴的壓力對上述基板施加衝擊50次時，可以實質上沒有玻璃基板的損壞。

在一實施方式中，上述凹槽部可以具有與圓形、橢圓形及其圓周的一部分中的一種相對應的形狀，從上述凹槽部的至少一點到上述邊緣區域的距離可以為1mm至15mm。

在一實施方式中，根據ASTM D3363的上述保護部的鉛筆硬度可以為HB以上。

在一實施方式中，上述聚合物層可以包括紫外線固化樹脂。

在一實施方式中，上述玻璃基板可以包括空腔部，上述空腔部可以包括比上述一面和另一面之間的厚度更薄的厚度，無源元件可以安裝在上述空腔部上。

在一實施方式中，在上述一面上可以包括上再分佈層，在上述另一面下可以包括下再分佈層。

為了實現上述目的，根據本實施方式，提供一種根據上述的基板以及一種包括安裝在上述基板的半導體元件的半導體基板。

對照先前技術之功效

根據本實施方式，通過在基板上設置保護部，從而能夠防止在封裝製程的搬運、加工等過程中對玻璃基板中施加過大的衝擊。

以下，參照附圖來對一個或多個實施方式進行詳細說明，以使本發明所屬技術領域的普通技術人員輕鬆實現本發明。然而，本實施方式可通過多種不同的方式實現，並不限定於在本說明書中所說明的實施例。在說明書全文中，對於相同或相似的組件賦予相同的附圖標記。

在本說明書中，記載某一組件“包括”某一組件時，除非有特別相反的記載，否則表示還包括其他組件而不是排除其他組件。

在本說明書中，當描述一個組件與另一個組件“連接”時，它不僅包括“直接連接”的情況，還包括“其中間隔著其他組件而連接”的情況。

在本說明書中，B位於A上的含義是指B以直接接觸的方式位於A上或其中間存在其他層的情況下B位於A上，不應限定於B以接觸的方式位於A表面的含義來解釋。

在本說明書中，馬庫什型描述中包括的術語“……的組合”是指從馬庫什型描述的組成要素組成的組中選擇的一個或多個組成要素的混合或組合，從而意味著本發明包括選自由上述組成要素組成的組中的一個或多個組成要素。

在本說明書全文中，“A及/或B”形式的記載意指“A或B，或A和B”。

在本說明書全文中，除非有特別說明，如“第一”、“第二”或“A”、“B”等的術語為了互相區別相同術語而使用。

除非有特別說明，在本說明書中單數的表述解釋為包括上下文所解釋的單數或複數的含義。

基板 100

為了實現上述目的，根據實施方式的基板可以包括：玻璃基板10，包括一面11、另一面12及連接上述一面和另一面的邊緣區域13；及保護部20，上述保護部可以布置在上述邊緣區域的至少一部分上，上述保護部包括全光線透過率為約87％以上的聚合物層。

上述玻璃基板10可以進一步包括凹槽部14，上述凹槽部14向上述玻璃基板10的內側貫通上述一面11和另一面12，上述凹槽部位於上述邊緣區域13的一部分並連接到上述邊緣區域。此時，上述保護部可以布置在上述凹槽部上。

在從上方觀察一面11的情況下，當排除凹槽部14時，上述玻璃基板10可以呈四邊形或八邊形形狀，也可以呈正方形形狀。上述玻璃基板可以具有四個邊和四個邊緣區域。

上述保護部20可以包括相互區分的第一保護部和第二保護部。上述第一保護部可以布置在與上述一面11的一邊相接的邊緣區域，並且上述第二保護部可以布置在與上述一面的另一邊相接的邊緣區域，上述一邊和另一邊可以相互面對。

上述凹槽部14可以包括相互區分的第一凹槽部和第二凹槽部。上述第一凹槽部和第二凹槽部可以隔著上述一面11或另一面12相互面對布置。

如圖6所示，上述凹槽部14和形成在上述凹槽部上的保護部20可以被包含在上述玻璃基板10的一個邊緣區域和與其相對的另一個邊緣區域中。在上述玻璃基板上可以形成有多個凹槽部和保護部，並且可以基於玻璃基板的一個邊緣區域形成有一個以上且十個以下的凹槽部和保護部。

在上述基板100中，在與上述凹槽部14連接的上述玻璃基板的邊緣區域13、與上述凹槽部連接的一面11及與上述凹槽部連接的另一面12中的至少一個區域可以延伸形成保護部20，上述保護部20可以進一步延伸10μm至500μm的長度。如圖1所示，也可以在除了上述凹槽部之外的一部分邊緣區域延伸形成。

如圖2等所示，上述凹槽部14可以具有在上述邊緣區域13向上述一面11或另一面12的中心方向凹陷預定長度的形狀，並且上述保護部20可以形成在上述凹槽部的內周面上。上述凹槽部14的凹陷的長度可以為最大2.5mm以下，或可以為1mm以下，或可以為0.8mm以下。上述凹槽部的凹陷的長度可以為0.2mm以上。通過具有上述凹陷的長度，可以通過與上述凹槽部相接的搬送工具容易搬送和加工上述基板100。

上述凹槽部14可以具有使上述一面11和另一面12具有實質上相同的凹槽且貫通的形狀。從上方觀察上述玻璃基板10的一面11的觀點或從下方觀察另一面12的觀點來看，上述凹槽部的截面可以具有切割圓形或切割橢圓形，且可以包括圓周、圓弧，且可以包括曲線。並且，從上述凹槽部的至少一點到上述邊緣區域的距離可以為1mm至15mm。

上述凹槽部14的截面可以包括直徑為1mm至5mm的圓的圓周、圓弧，並且可以包括半圓形狀。通過具有如上的形狀，可以更穩定地形成保護部20，並且可以使通過搬送工具等施加的衝擊最小化。

如圖3所示，上述保護部20可以在上述凹槽部14上以與凹槽部相接的方式形成，並且可以沿著凹槽部的周緣具有實質上相同的形狀。

在上述玻璃基板10的邊緣區域13中，基於垂直於玻璃基板的厚度的向外方向，上述保護部20的最小厚度可以為5μm以上，或可以為10μm至1000μm，或可以為50μm至1000μm，或可以為100μm至400μm。通過具有上述厚度，可以使通過搬送工具等施加的衝擊最小化。

上述保護部20可以通過將原料組成物均勻地塗布在上述凹槽部14上並照射紫外線及/或熱處理等來形成。例如，上述原料組成物可以包括硅氧烷基、乙酸酯基、縮醛基、氨基甲酸酯基、醯胺基單體、低聚物或預聚物，並且可以包括固化劑、固化催化劑、光引發劑、溶劑等。上述硅氧烷基預聚物的實例可以包括聚二甲基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、聚苯基甲基硅氧烷等。上述固化劑的實例可以包括異氰酸酯基化合物或胺基化合物。根據需要，上述原料組成物可以包含增強劑、黏合增強劑、擴鏈劑等。

上述原料組成物可以是含有聚二甲基硅氧烷預聚物、固化劑及固化催化劑的第一組成物，或可以是將含有聚二甲基硅氧烷預聚物和固化催化劑的組成物和含有聚二甲基硅氧烷預聚物、固化催化劑和其他添加劑的組成物以預定比率混合而成的第二組成物。

上述保護部20的聚合物層可以是具有彈性的層，且可以包括紫外線固化的聚合物樹脂，且可以應用具有耐酸性和耐熱性的聚合物樹脂。例如，上述聚合物樹脂的實例可以包括硅氧烷基聚合物、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇縮醛、聚乙烯醇縮丁醛、聚氨酯、聚醚嵌段醯胺等。上述硅氧烷基聚合物的實例可以包括聚二甲基硅氧烷（polydimethylsiloxane）、聚二苯基硅氧烷（polydiphenylsiloxane）、聚苯基甲基硅氧烷（polyphenylmethylsiloxane）等。上述聚乙酸乙烯酯中的乙酸乙烯酯含量可以為20重量％至50重量％。上述聚乙烯醇縮丁醛可以是包括增塑劑的軟質聚乙烯醇縮丁醛。上述聚氨酯可以是熱固性、熱塑性或發泡性聚氨酯。

基於ASTM D3359，上述保護部20與上述玻璃基板10的凹槽部14之間的黏合力可以為5B。上述5B意味著在根據上述ASTM D3359的黏合力測試時實質上沒有脫離的面積。此外，上述保護部20的根據ASTM D3363的鉛筆硬度可以為HB以上且H以下。通過使上述保護部具有如上所述的黏合力和硬度，可以有效地防止在搬送基板100時保護部脫離，且穩定地保護玻璃基板10。

上述保護部20的彈性模量可以為0.5MPa至4MPa，或可以為1.8MPa至4MPa。

上述保護部20的熱導率可以為0.1W/mK至0.37W/mK。

上述保護部20的介電強度可以為14kV/mm至24kV/mm。

上述保護部20的100kHz介電常數可以為2至4。

上述保護部20的熱膨脹係數可以為220ppm/℃至460ppm/℃。

上述保護部20的抗拉強度可以為5.5MPa至7.9MPa。

基於20μm的厚度，上述保護部20對於可見光的全光線透過率（total transmittance）可以為87％以上，或可以為89％以上。上述全光線透過率可以為95%以下。通過具有上述的全光線透過率，可以防止由於添加保護部引起的干擾等問題。

在用具有與上述凹槽部14的截面相對應的截面的銷以與上述保護部20相接的方式以約1.1巴的壓力對上述基板100施加衝擊1秒的測試中，即使進行3次和10次的上述破損測試，也可能實質上沒有玻璃基板的損壞。即使對上述基板進行50次的上述破損測試，也可能實質上沒有玻璃基板的損壞，且不會發生破損。上述損傷或破損是指用肉眼握持上述玻璃基板時沒有產生裂紋或裂紋的狀態。當通過銷等搬送工具進行搬送和加工時，具有上述特性的基板可以使衝擊最小化並防止破損等。

上述基板100在除了上述凹槽部14之外的邊緣區域中還可包括沿著上述邊緣區域的外圍形成的第三凹槽部15，且還可包括形成在上述第三凹槽部上的第三保護部（圖中未示出）。例如，如圖4和圖5所示，上述第三凹槽部可以具有在除了上述凹槽部之外的邊緣區域向上述一面11或另一面12的中心方向凹陷的形狀。

當上述玻璃基板10用作封裝用基板時，元件和印刷電路板之間的布線長度縮短，且可以獲得優異的電特性。

可以用作上述玻璃基板10的玻璃的實例可以包括鋼化玻璃、硼硅酸鹽玻璃、無鹼玻璃等。上述玻璃基板可以實質上不包括有機（organic）基板。

在上述玻璃基板10和保護部20之間可以實質上不包括單獨的黏合劑等。

上述玻璃基板10的厚度可以為2000μm以下，或可以為100μm至1500μm、或可以為100μm至1000μm。具有上述厚度的玻璃基板可以使電信號傳輸更有效，並且可以在布置上述保護部20的狀態下保持適當的機械性能。

上述玻璃基板10還可以包括在厚度方向上形成有一部分路徑的多個通孔以及在與厚度方向實質上垂直的方向上形成有路徑的其它通孔等。

上述玻璃基板10可以包括從上述一面11貫通到另一面的貫通孔。

上述玻璃基板10的至少一部分可以包括導電線或導電層，且可以包括通過芯通孔、通孔等電連接一面11和另一面12的導電層。

上述玻璃基板10的一面11及/或另一面12可以包括電路圖案，並且設置元件的表面的相反面可以通過如引線框架、焊球等的電連接工具與印刷電路板電連接。

上述玻璃基板10可以包括單獨的空腔部，並且上述空腔部可以以空的空間布置在玻璃基板的內部。

無源元件可以布置在上述玻璃基板10的內部，無源元件可以布置、安裝在玻璃基板內部的空腔中。

上述基板100可以在上述一面11上包括上再分佈層，並且可以在另一面12下包括下再分佈層。

在上述基板100中，凹槽部14和保護部20形成在邊緣區域13、一面11及另一面12，從而可以在封裝製程的搬送、加工等過程中增強相對弱的邊緣的耐久性，並謀求生產率提高。

封裝基板

為了實現上述目的，根據本實施方式的封裝基板可以包括：上述的基板100；及布置在上述基板的一面11上的元件。

上述封裝基板在一面11上還可以包括引線結構體，上述引線結構體保護上述元件免受外部影響並幫助散熱。在上述元件和引線結構體之間可以填充有導熱填料，並且可以對上述元件和引線結構體之間的接合面進行焊接處理。

基板的製造方法

為了實現上述目的，根據本實施方式的基板的製造方法可以包括：準備包括一面、另一面以及連接上述一面和另一面的邊緣區域的玻璃基板，且在上述邊緣區域的一部分向玻璃基板的內部方向形成凹槽部的步驟；及將原料組成物塗布在上述凹槽部上並進行固化處理的步驟。

在形成上述凹槽部的步驟中，上述凹槽部可以形成為貫通一面和另一面，並且可以通過切割加工、激光加工、在激光加工后的化學蝕刻等來形成。

由於通過形成上述凹槽部的步驟形成的凹槽部的具體形狀與關於上述基板說明的內容相同，因此將省略重複的說明。

上述固化處理的步驟可以通過將原料組成物以預定的厚度塗布到上述凹槽部上，然後進行熱處理及/或照射紫外線來進行。

上述固化處理的步驟的原料組成物的黏度可以為10000cPs以下、1000cPs以上，優選地，可以為2000cPs至5000cPs。只要上述原料組成物具有易於滲透到封裝內部且不會造成污染的黏度範圍，就可以使用。

上述固化處理的步驟的原料組成物中可含有的物質與關於上述基板說明的內容相同，因此省略重複說明。

上述固化處理的步驟中的熱處理可以在20℃至180℃的溫度下進行。上述熱處理可以在150℃至180℃的溫度下進行5分鐘至30分鐘，或者在100℃至150℃的溫度下進行10分鐘至50分鐘。

上述固化處理的步驟中的紫外線照射可以通過以800mJ/mm2至1400mJ/mm2的能量密度照射具有320nm至380nm的波長帶的紫外線來進行，且可以以1000mJ/mm2至1200mJ/mm2的能量密度進行照射。在上述條件下進行光固化處理時，可以形成具有良好的黏合力和物理性能的保護部。

上述固化處理步驟的紫外線照射可以進行10秒以上，也可以進行3分鐘以下，優選地，可以進行20秒至1分鐘，但並不限於此。另外，也可以在上述熱處理後進一步進行紫外線照射。通過如上所述的紫外線照射，在固化后可以將灰塵或雜質的產生最小化。此外，當在半導體封裝製程中包括具有低抗紫外線性的材料時，可以排除上述紫外線照射。

在下文中，將通過具體實施例更詳細地說明本發明。以下實施例僅是用於幫助理解本發明的示例，本發明的範圍不限於此。

實施例 - 基板

準備厚度為500μm的四邊形玻璃基板10。如圖6所示，在上述玻璃基板的一個邊緣和與此相對的另一邊緣上，通過使用激光的蝕刻形成具有半徑為1.5mm的半圓形截面的凹槽部14。將作為包含聚二甲基硅氧烷預聚物的黏度為3500cPs以下的原料組成物的美國陶氏化學公司的SYLGARD 184以270μm的厚度均勻塗布到上述凹槽部上，並在150℃的溫度下熱處理10分鐘。之後，向上述塗布部分照射波長為350nm且能量密度為1100mJ/mm2的紫外線1分鐘，以進行光固化處理，從而形成包括聚二甲基硅氧烷（PDMS）的保護部20，如圖9所示。

比較例 - 不包括保護部的基板

在上述實施例中，以不形成保護部20的方式準備玻璃基板。

實驗例 - 凹槽部衝擊測試

對於上述實施例中準備的玻璃基板10和在比較例中準備的玻璃基板的凹槽部，用具有與凹槽部的截面相同的截面的半徑為1.5mm的不鏽鋼銷以與上述凹槽部側相接的方式施加約1.1巴的壓力1秒，以進行破損測試。

在凹槽部14上設置有保護部20的實施例的情況下，如圖8所示，確認到即使進行50次的上述破損測試也沒有發生破損。在不包括保護部的比較例的情況下，如圖7所示，在3次的上述破損測試中，確認到在凹槽部周圍產生裂紋。

實驗例 - 基板的保護部黏合力、硬度和透過率測試

對於在上述實施例中準備的耐衝擊玻璃基板10的保護部的黏合力，根據ASTM D3359-97，通過美國KTA-Tator公司的黏合力測量塗層系統測量，在保護部的一面上以2mm的間隔繪製6條水平線和6條垂直線來創建網格，在該網格上緊貼測試膠帶，然後以180°剝離測試膠帶，確認保護部在測試膠帶上的剝離程度。此外，根據ASTM D3363使用韓國Kipae E&T公司的鉛筆硬度測試儀（Pencil Hardness Tester）和日本三菱公司的耐壓高密度鉛筆（Pressure-Proofed Hi-Density Lead Pencil）測量上述耐衝擊玻璃基板的保護部的鉛筆硬度。具體而言，將保護部以朝上的方式固定在鉛筆硬度測試儀的玻璃基板上，設置三菱鉛筆使得三菱鉛筆與保護部表面成45°角度，然後在施加1kgf的負荷的狀態下刮擦保護部表面5次來根據是否存在划痕判斷硬度，且獲取在沒有划痕時的鉛筆硬度值。而且，測量保護部對於可見光的全光線透過率。

作為測量結果，確認到上述保護部與玻璃基板之間的黏合力為5B（無損失），上述保護部的鉛筆硬度為HB，上述保護部的全光線透過率為89%。

以上對本發明的優選實施例進行了詳細說明，但本發明的範圍並不限定於此，利用所附發明要求保護範圍中所定義的本發明的基本概念的本發明所屬技術領域的普通技術人員的各種變形及改良形態也屬於本發明的範圍。

10:玻璃基板 11:一面 12:另一面 13:邊緣區域 14:凹槽部 15:第三凹槽部 20:保護部 100:基板

圖1為示出根據本實施方式的基板的一例的俯視圖。圖2為示出根據本實施方式的玻璃基板的一例的立體圖。圖3為示出根據本實施方式的基板的一例的立體圖。圖4為示出根據本實施方式的玻璃基板的另一例的立體圖。圖5為示出根據本實施方式的玻璃基板的另一例的正面圖。圖6為示出根據本實施方式的基板的另一例的俯視圖。圖7為示出比較例的玻璃基板的3次凹槽部衝擊測試后的狀態的照片。圖8為示出實施例的基板的50次凹槽部衝擊測試后的狀態的照片。圖9為示出實施例的基板的聚二甲基硅氧烷（PDMS）保護部與凹槽部的黏合狀態的照片。

10:玻璃基板

14:凹槽部

20:保護部

100:基板

Claims

一種基板，包括：玻璃基板，包括一面、另一面及連接所述一面和所述另一面的邊緣區域；及保護部，所述保護部布置在所述邊緣區域的至少一部分上，所述保護部的最小厚度為約5μm以上，其中，根據ASTM D3359的所述保護部與所述玻璃基板之間的黏合力為5B，且所述保護部的根據ASTM D3363的鉛筆硬度為HB以上且H以下。
如請求項1所述之基板，其中，所述基板更包括凹槽部，所述凹槽部向所述玻璃基板的內側貫通所述一面和所述另一面，所述保護部布置在所述凹槽部中。
如請求項1所述之基板，其中，所述玻璃基板的所述一面或所述另一面呈四邊形或八邊形形狀，所述玻璃基板包括從所述一面貫通到所述另一面的貫通孔，所述玻璃基板的至少一部分包括導電線或導電層。
如請求項1所述之基板，其中，所述保護部包括相互區分的第一保護部和第二保護部，所述第一保護部布置在與所述一面的一邊相接的邊緣區域，所述第二保護部布置在與所述一面的另一邊相接的邊緣區域，所述一邊和所述另一邊相互面對。
如請求項2所述之基板，其中，所述凹槽部包括相互區分的第一凹槽部和第二凹槽部，所述第一凹槽部和所述第二凹槽部隔著所述一面相互面對布置。
如請求項1所述之基板，其中，所述保護部包括全光線透過率為約87%以上的聚合物層。
如請求項6所述之基板，其中，所述聚合物層是彈性層。
如請求項2所述之基板，其中，當用具有與所述凹槽部的截面相對應的截面的銷以與所述保護部相接的方式以約1.1巴的壓力對所述基板施加衝擊3次時，實質上沒有玻璃基板的損壞。
如請求項2所述之基板，其中，當用具有與所述凹槽部的截面相對應的截面的銷以與所述保護部相接的方式以約1.1巴的壓力對所述基板施加衝擊50次時，實質上沒有玻璃基板的損壞。
如請求項2所述之基板，其中，所述凹槽部具有與圓形、橢圓形及其圓周的一部分中的一種相對應的形狀，從所述凹槽部的一點到所述邊緣區域的距離為1mm至15mm。
如請求項6所述之基板，其中，所述聚合物層包括紫外線固化樹脂。
如請求項1所述之基板，其中，所述玻璃基板包括設置在所述玻璃基板的一部分中的空腔部，所述空腔部的一表面和另一表面之間的厚度比所述玻璃基板的所述一面和所述另一面之間的厚度更薄。
如請求項1所述之基板，其中，在所述一面上包括上再分佈層，在所述另一面下包括下再分佈層。
一種封裝基板，包括：如請求項1之基板；以及半導體元件，安裝在所述基板上。